JPS6120371A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS6120371A JPS6120371A JP59140790A JP14079084A JPS6120371A JP S6120371 A JPS6120371 A JP S6120371A JP 59140790 A JP59140790 A JP 59140790A JP 14079084 A JP14079084 A JP 14079084A JP S6120371 A JPS6120371 A JP S6120371A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電変換効率の向上を図った光起電力装置に関
するものである。
するものである。
一般に太陽電池等の光起電力装置は第１図に示す如くガ
ラス等の透光性絶縁基板１」二にインジュウム゛、スズ
等の酸化物質を素材とする透明導電膜２、アモルファス
シリコン層等の接合形成層３、アルミニュウム等を素材
とする裏面電極膜４をこの順序で積層形成して構成され
、その起電力は透明導電１＊２と裏面電極膜４とに接続
した引出線７ａ。
ラス等の透光性絶縁基板１」二にインジュウム゛、スズ
等の酸化物質を素材とする透明導電膜２、アモルファス
シリコン層等の接合形成層３、アルミニュウム等を素材
とする裏面電極膜４をこの順序で積層形成して構成され
、その起電力は透明導電１＊２と裏面電極膜４とに接続
した引出線７ａ。
７ｂを通じて取り出されるようになっている。ところで
透明導電膜２は光の透光性確保の要求のため薄膜に形成
されることもあって、電気伝導度（導電率）が低くて集
電効率が悪く、光電変換効率の向上を図るうえでの大き
な問題となっている。このため従来にあっては、第２図
に示す如き方法が試みられている。
透明導電膜２は光の透光性確保の要求のため薄膜に形成
されることもあって、電気伝導度（導電率）が低くて集
電効率が悪く、光電変換効率の向上を図るうえでの大き
な問題となっている。このため従来にあっては、第２図
に示す如き方法が試みられている。
第２図は透明導電膜の抵抗による影響低減手段として考
えられている光起電力装置の断面構造図であり、透光性
絶縁基板１１上に低抵抗の全屈を素材とする条状電極１
５、透明導電膜１２、接合形成Ｙｍ１３、裏面電極膜１
４をこの順序で積層形成して構成され、条状電極１５の
形成によって透明導ｆｆｉ ｌｉ＋ １２からの集電効
果を高めるよう構成しである。
えられている光起電力装置の断面構造図であり、透光性
絶縁基板１１上に低抵抗の全屈を素材とする条状電極１
５、透明導電膜１２、接合形成Ｙｍ１３、裏面電極膜１
４をこの順序で積層形成して構成され、条状電極１５の
形成によって透明導ｆｆｉ ｌｉ＋ １２からの集電効
果を高めるよう構成しである。
しかし、上述した如き光起電力装置にあっては条状電極
１５の導電性を高めるため低抵抗金属を素材とすること
は勿論であるが、その断面積を大きくするために、その
幅或いは厚さを大きくするが条状電極１５自体は光を透
過させないから幅を大きくするとそれだけ接合形成層１
３への光の入射面積か小さくなり、透光性絶縁基板１１
の有効面積を低下し、また肉厚を大きくすると、箪２図
に明らかな如く条状電極１５上に積層形成される透明導
電膜１２、接合形成層１３は条状電極１５の形成による
凹凸面上に積層形成しなければならなくなり、薄膜を凹
凸の大きい面へ形成するのが難しく、条状電極１５の厚
肉化にも限通があり、集電効率の向上にも限界があると
いう問題があった。
１５の導電性を高めるため低抵抗金属を素材とすること
は勿論であるが、その断面積を大きくするために、その
幅或いは厚さを大きくするが条状電極１５自体は光を透
過させないから幅を大きくするとそれだけ接合形成層１
３への光の入射面積か小さくなり、透光性絶縁基板１１
の有効面積を低下し、また肉厚を大きくすると、箪２図
に明らかな如く条状電極１５上に積層形成される透明導
電膜１２、接合形成層１３は条状電極１５の形成による
凹凸面上に積層形成しなければならなくなり、薄膜を凹
凸の大きい面へ形成するのが難しく、条状電極１５の厚
肉化にも限通があり、集電効率の向上にも限界があると
いう問題があった。
〔目的〕
本発明は斯かる事情に迄みなされたものであって、その
目的とするところは、透明導電膜からの集電手段の改良
によって透明導電膜の抵抗による電力損失を減少させ、
光電変換効率の大幅な向上を図り得るようにした光起電
力装置を提供するにある。
目的とするところは、透明導電膜からの集電手段の改良
によって透明導電膜の抵抗による電力損失を減少させ、
光電変換効率の大幅な向上を図り得るようにした光起電
力装置を提供するにある。
本発明に係る光起電力装置は透光性絶縁基板上に透明導
電膜、接合形成層、裏面電極膜を順次積層形成してなる
光起電力装置において、裏面電極膜及び接合形成層と絶
縁された状態でこれらを貫通して前記透明導電膜に接続
される接続体を設ＬＪ、該接続体及び前記裏面電極膜か
ら集電を行うようにしたことを特徴とする。
電膜、接合形成層、裏面電極膜を順次積層形成してなる
光起電力装置において、裏面電極膜及び接合形成層と絶
縁された状態でこれらを貫通して前記透明導電膜に接続
される接続体を設ＬＪ、該接続体及び前記裏面電極膜か
ら集電を行うようにしたことを特徴とする。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第３図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図、第４図は同じく模式的平
面図であり、図中２１はガラス等の透光性絶縁基板、２
２は透明導電膜、２３はアモルファスシリコン等の接合
形成層、２４は裏面電極膜を示している。
明する。第３図は本発明に係る光起電力装置（以下本発
明装置という）の断面構造図、第４図は同じく模式的平
面図であり、図中２１はガラス等の透光性絶縁基板、２
２は透明導電膜、２３はアモルファスシリコン等の接合
形成層、２４は裏面電極膜を示している。
透光性絶縁基板２１、透明導電膜２２、接合形成層２３
、裏面電極膜２４はこの順序で積層形成され、そして裏
面電極膜２４、接合形成層２３の両者にわたってその略
中央部に穿った孔２４ａ、２３ａを貫通して絶縁体２５
によりこれらと絶縁状態に保持された接続体２６を透明
導電膜２２に接続せしめである。
、裏面電極膜２４はこの順序で積層形成され、そして裏
面電極膜２４、接合形成層２３の両者にわたってその略
中央部に穿った孔２４ａ、２３ａを貫通して絶縁体２５
によりこれらと絶縁状態に保持された接続体２６を透明
導電膜２２に接続せしめである。
２７ａ、２７ｂは電力取出用の引出線であって引出線２
７ａは裏面電極膜２４に、また引出線２７ｂは前記接続
体２６に接続せしめである。
７ａは裏面電極膜２４に、また引出線２７ｂは前記接続
体２６に接続せしめである。
而して上述の如き本発明装置にあっては透光性絶縁基板
２１を透過して接合形成層２２に光が入射されることに
よって生じた起電力は一方は裏面電極膜２４、他方は透
明導電膜２１、接続体２６を経て集電され、引出線２７
ａ、２７ｂを取り出されることとなる。
２１を透過して接合形成層２２に光が入射されることに
よって生じた起電力は一方は裏面電極膜２４、他方は透
明導電膜２１、接続体２６を経て集電され、引出線２７
ａ、２７ｂを取り出されることとなる。
接続体２６は透明導電膜２２の中央に位置するからホー
ル或いは電子の移動距離が短く、それだけ透明導電膜２
２の抵抗による影響が小さくなって集電効果が大きく、
光電変換効率の向上が図れることとなる。また透明導電
ＨｆＪ２２に対する接続体２６の接続位置及び絶縁体２
５の当接位置は第４図から明らかな如く中心部に小円で
表れている部分だけであるから透光性絶縁基板１に占め
る面積が小さく有効面積の損失も低く抑えることができ
る。
ル或いは電子の移動距離が短く、それだけ透明導電膜２
２の抵抗による影響が小さくなって集電効果が大きく、
光電変換効率の向上が図れることとなる。また透明導電
ＨｆＪ２２に対する接続体２６の接続位置及び絶縁体２
５の当接位置は第４図から明らかな如く中心部に小円で
表れている部分だけであるから透光性絶縁基板１に占め
る面積が小さく有効面積の損失も低く抑えることができ
る。
次に本発明装置の製造過程について第６図（イ）〜（ニ
）に基づきその概略を説明する。先ず第６図（イ）に示
す如〈従来知られた方法で透光性絶縁基板２１上に透明
導電膜２２、アモルファスシリコン層等の接合形成層２
３、裏面電極膜２４をこの順序で積層形成し、次いで裏
面電極膜２４上にフォトレジストを塗布し、フォトマス
クを用いて、露光。
）に基づきその概略を説明する。先ず第６図（イ）に示
す如〈従来知られた方法で透光性絶縁基板２１上に透明
導電膜２２、アモルファスシリコン層等の接合形成層２
３、裏面電極膜２４をこの順序で積層形成し、次いで裏
面電極膜２４上にフォトレジストを塗布し、フォトマス
クを用いて、露光。
現像し、エツチングを行い裏面電極膜２４、接合形成層
２３の略中央部に透明導電膜２２に通じる孔２３ａ１２
４ａを開口せしめる。例えば裏面電極膜２４がアルミニ
ウム製、また接合形成層２３がアモルファスシリコン製
の場合、フォトレジストとして先ず加熱リン酸を用いて
裏面電極膜２４に孔２４ａをエツチングし、次いでフン
酸と硝酸との混合液を用いて接合形成Ｊｉｔ２３に孔２
３ａを穿設する。なお上記した加熱リン酸、或いはフン
酸と硝酸液などのフォトレジストによっては二酸化スズ
製の透明導電膜２２がエツチングされることはなく、孔
２４ａ、２３ａの内奥部の透明導電１ｉ１２２がエツチ
ングされることはない。
２３の略中央部に透明導電膜２２に通じる孔２３ａ１２
４ａを開口せしめる。例えば裏面電極膜２４がアルミニ
ウム製、また接合形成層２３がアモルファスシリコン製
の場合、フォトレジストとして先ず加熱リン酸を用いて
裏面電極膜２４に孔２４ａをエツチングし、次いでフン
酸と硝酸との混合液を用いて接合形成Ｊｉｔ２３に孔２
３ａを穿設する。なお上記した加熱リン酸、或いはフン
酸と硝酸液などのフォトレジストによっては二酸化スズ
製の透明導電膜２２がエツチングされることはなく、孔
２４ａ、２３ａの内奥部の透明導電１ｉ１２２がエツチ
ングされることはない。
次にＣＶＤ法を用いて裏面電極膜２４の表面に二酸化珪
素を所要厚さに形成し、フッ酸を用いてフォトエツチン
グ法により孔２４ａ周囲の裏面電極膜２４表面及び孔２
４ａ、２３ａの内周面にわたって第５図（ハ）に示す如
く絶縁体２５を所要厚さに形成する。
素を所要厚さに形成し、フッ酸を用いてフォトエツチン
グ法により孔２４ａ周囲の裏面電極膜２４表面及び孔２
４ａ、２３ａの内周面にわたって第５図（ハ）に示す如
く絶縁体２５を所要厚さに形成する。
次いで真空蒸着法、スパッタ法等でアルミニウム層を裏
面電極膜２４及び孔２４ａ、２３ａ内に所要厚さに形成
し、加熱リン酸を用いたフォトエツチング法によって絶
縁体２５の周面からアルミニ１〉ム層を除去し、第５図
（ニ）に示す如き接続体２６を形成する。
面電極膜２４及び孔２４ａ、２３ａ内に所要厚さに形成
し、加熱リン酸を用いたフォトエツチング法によって絶
縁体２５の周面からアルミニ１〉ム層を除去し、第５図
（ニ）に示す如き接続体２６を形成する。
なお、上述の実施例では接続体２６の断面は円形（直径
１曹讃以下）となるよう形成したが、断面積。
１曹讃以下）となるよう形成したが、断面積。
断面形状に・ついては特に限定するものではなく必要に
応じて各種採択すればよい。また接続体２６は蛇行させ
た線状或いは格子状等に形成してもよい。
応じて各種採択すればよい。また接続体２６は蛇行させ
た線状或いは格子状等に形成してもよい。
第６図は本発明の他の実施例を示す断面構造図であり、
この実施例にあっては相互に所要の間隔を隔てた２箇所
で夫々裏面電極ＩＩ！１２４、接合形成層２３に孔２４
ｈ、２４ｂ、２３ａ、２３ｂをエツチングにて形成し、
夫々の孔２４ａ、２３ａ、２４ｂ、２３ｂを貫通して絶
縁体２５ａ。
この実施例にあっては相互に所要の間隔を隔てた２箇所
で夫々裏面電極ＩＩ！１２４、接合形成層２３に孔２４
ｈ、２４ｂ、２３ａ、２３ｂをエツチングにて形成し、
夫々の孔２４ａ、２３ａ、２４ｂ、２３ｂを貫通して絶
縁体２５ａ。
２５ｂにて裏面電極［９２４、接合形成Ｗ１２３と絶縁
状態に維持して接続体２６ａ 、 ２６ｂが夫々透明導
電膜２２と接するよう設番）である。両接続体２６ａ、
２６ｂには裏面電極１葵２４下においてリード線２７ｃ
にて相互に接続され、また引出線２７ａは裏面電極膜２
４に、他力の引出線２７ｂは一方の接続体２６ａに夫々
接続せしめである。
状態に維持して接続体２６ａ 、 ２６ｂが夫々透明導
電膜２２と接するよう設番）である。両接続体２６ａ、
２６ｂには裏面電極１葵２４下においてリード線２７ｃ
にて相互に接続され、また引出線２７ａは裏面電極膜２
４に、他力の引出線２７ｂは一方の接続体２６ａに夫々
接続せしめである。
他の構成は第３．４図に示す実施例と略同しであり、対
応する部分には同じ符号を付して説明を省略する。
応する部分には同じ符号を付して説明を省略する。
而して上述の如く構成した本発明装置にあっては、透明
導電膜２２における所要の間隔を隔てた２個所から夫々
接続体２６ａ 、 ２６ｂに集電される結果、電子、ホ
ールの移動距離が一層短縮されて透明導電膜２２の抵抗
の影響をより低減せしめ得、光？ｋｉ変換効率の向上が
図れることとなる。
導電膜２２における所要の間隔を隔てた２個所から夫々
接続体２６ａ 、 ２６ｂに集電される結果、電子、ホ
ールの移動距離が一層短縮されて透明導電膜２２の抵抗
の影響をより低減せしめ得、光？ｋｉ変換効率の向上が
図れることとなる。
第７図は本発明の更に他の実施例を示す断面構造図であ
り、第６図に示す実施例におりるリード線２７ｃを用い
る代わりに接続膜２？ｄを用いて両接続体２６ａ 、
２６ｂを電気的に接続せしめである。即ち裏面電極＃２
４の下面に絶縁体２５ａ、２５ｂを形成するに際して、
両絶縁体２５ａ、２５ｂ間にも所要の幅にわたって絶縁
膜２５ｃを形成し、この絶縁ｌＩ２５ｃの下面に両接続
体２６ａ 、 ２６ｂを形成する際、これらを接続する
接続膜２７ｄを形成する。
り、第６図に示す実施例におりるリード線２７ｃを用い
る代わりに接続膜２？ｄを用いて両接続体２６ａ 、
２６ｂを電気的に接続せしめである。即ち裏面電極＃２
４の下面に絶縁体２５ａ、２５ｂを形成するに際して、
両絶縁体２５ａ、２５ｂ間にも所要の幅にわたって絶縁
膜２５ｃを形成し、この絶縁ｌＩ２５ｃの下面に両接続
体２６ａ 、 ２６ｂを形成する際、これらを接続する
接続膜２７ｄを形成する。
他の構成は前記第６図に示す実施例と略同じであり、対
応する部分には同じ番号を付して説明を省略する。
応する部分には同じ番号を付して説明を省略する。
このような本発明装置にあっては接続体２６ａ 、 ２
６ｂ形成時に同時的に接続膜２７ｄを形成し得るからリ
ード線２７ｃの接続に伴う工数が不要となり、工数の低
減が図れる。
６ｂ形成時に同時的に接続膜２７ｄを形成し得るからリ
ード線２７ｃの接続に伴う工数が不要となり、工数の低
減が図れる。
接続体２６ａ、２６ｂの数及び相互の離隔寸法は特に限
定するものではなく、透明導電膜２２の面積、透光性絶
縁基板２１の有効面積、集電効率等を勘案して適宜に設
定すればよい。
定するものではなく、透明導電膜２２の面積、透光性絶
縁基板２１の有効面積、集電効率等を勘案して適宜に設
定すればよい。
なお、図面にはしめしていないが本発明は白金層とアモ
ルファスシリコン層とのシａントキ接合を有する光起電
力装置においても通用可能であって、この場合は裏面電
極膜、アモルファスシリコン層に穿った孔を貫通させ、
絶縁体によりこれらと絶縁した状態で接続体を白金層に
接続せしめることとすればよい。
ルファスシリコン層とのシａントキ接合を有する光起電
力装置においても通用可能であって、この場合は裏面電
極膜、アモルファスシリコン層に穿った孔を貫通させ、
絶縁体によりこれらと絶縁した状態で接続体を白金層に
接続せしめることとすればよい。
その（を透光性絶縁基板を光入射側に備えた他の光起電
力装置についても通用し得ることは言うまでもない。
力装置についても通用し得ることは言うまでもない。
以上の如く本発明装置にあっては裏面電極膜、接合形成
層をこれらと絶縁状態に維持して貫通する接続体を設り
、この接続体と裏面電極膜とに起電力取出線を設りるこ
ととしであるから、透明導電膜から接合体を通しての集
電効率が高く、透明導電膜自体の抵抗率による影響を軽
減し得て光亀変換効牛の向上を図ることが出来る優れた
効果を奏するものである。
層をこれらと絶縁状態に維持して貫通する接続体を設り
、この接続体と裏面電極膜とに起電力取出線を設りるこ
ととしであるから、透明導電膜から接合体を通しての集
電効率が高く、透明導電膜自体の抵抗率による影響を軽
減し得て光亀変換効牛の向上を図ることが出来る優れた
効果を奏するものである。
第１図は一般的な光起電力装置の断面ｊＲ造図、第２図
は透明導電膜の低導電性対策の一例を示す断面構造図、
第３図は本発明装置の断面構造図、第４図はその模式的
平面図、第５図（イ）〜（ニ）は製造工程を示す説明図
、第６図は本発明の他の実施例を示す断面構造図、第７
図は本発明の更に他の実施例を示す断面構造図である。 ２１・・・透光性絶縁基板 ２２・・・透明導電膜 ２
３・・・接合形成層 ２４・・・裏面電極膜 ２５．２
５ａ、 ２５ｂ・・・絶縁体２５ｃ・・・絶縁膜 ２６
，２６ａ、２６ｂ・・・接続体 ２６ｃ・・・接続膜
２７．ａ、２７ｂ・・・引出線 ２７ｃ・・・リード線
特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 募 １ 旧 第 ２ 図 第 ３ 図 芥 ４ 図 矛 ５ 第 ６ 圓 第 ７ 図 手続補正書（自Ｑ） 昭和６０年９月２７日 １、 事件の表示 昭和５９年特許願第１４０７９０号 ２、発明の名称 光起電力装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （
１８８＞三洋電機株式会社代表者 井 植 薫 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４
番２２号 日進ビル２０７号明細書の「発明の詳細な説
明Ｊの欄 ６、補正の内容 「発明の詳細な説明」の欄 ｆｉｌ 明細書の第６頁２行目に「第６図（イ）」と
あるを「第５図（伺」と訂正する。 （２）明細書の第６頁３行目乃至４行目に「第６図（伺
」とあるを「第５図（伺」と訂正する。 （３）明細書の第６頁９行目に「現像し、」とあるを「
現像して部分的にフォトレジストを剥離し、その後」と
訂正する。 （４） 明細書の第６頁■３行目に「フォトレジスト
」とあるを「エツチング液Ｊと訂正する。 （５）明細書の第６頁１７行目乃至１８８行目「フォト
レジストコとあるを「エツチング液Ｊと訂正する。 以上
は透明導電膜の低導電性対策の一例を示す断面構造図、
第３図は本発明装置の断面構造図、第４図はその模式的
平面図、第５図（イ）〜（ニ）は製造工程を示す説明図
、第６図は本発明の他の実施例を示す断面構造図、第７
図は本発明の更に他の実施例を示す断面構造図である。 ２１・・・透光性絶縁基板 ２２・・・透明導電膜 ２
３・・・接合形成層 ２４・・・裏面電極膜 ２５．２
５ａ、 ２５ｂ・・・絶縁体２５ｃ・・・絶縁膜 ２６
，２６ａ、２６ｂ・・・接続体 ２６ｃ・・・接続膜
２７．ａ、２７ｂ・・・引出線 ２７ｃ・・・リード線
特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 募 １ 旧 第 ２ 図 第 ３ 図 芥 ４ 図 矛 ５ 第 ６ 圓 第 ７ 図 手続補正書（自Ｑ） 昭和６０年９月２７日 １、 事件の表示 昭和５９年特許願第１４０７９０号 ２、発明の名称 光起電力装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （
１８８＞三洋電機株式会社代表者 井 植 薫 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４
番２２号 日進ビル２０７号明細書の「発明の詳細な説
明Ｊの欄 ６、補正の内容 「発明の詳細な説明」の欄 ｆｉｌ 明細書の第６頁２行目に「第６図（イ）」と
あるを「第５図（伺」と訂正する。 （２）明細書の第６頁３行目乃至４行目に「第６図（伺
」とあるを「第５図（伺」と訂正する。 （３）明細書の第６頁９行目に「現像し、」とあるを「
現像して部分的にフォトレジストを剥離し、その後」と
訂正する。 （４） 明細書の第６頁■３行目に「フォトレジスト
」とあるを「エツチング液Ｊと訂正する。 （５）明細書の第６頁１７行目乃至１８８行目「フォト
レジストコとあるを「エツチング液Ｊと訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性絶縁基板上に透明導電膜、接合形成層、裏面
電極膜を順次積層形成してなる光起電力装置において、
裏面電極膜及び接合形成層と絶縁された状態でこれらを
貫通して前記透明導電膜に接続される接続体を設け、該
接続体及び前記裏面電極膜から集電を行うようにしたこ
とを特徴とする光起電力装置。 ２、前記接合形成層はアモルファス半導体層である特許
請求の範囲第１項記載の光起電力装置。 ３、前記接続体は１又は２個以上である特許請求の範囲
第１項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140790A JPS6120371A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140790A JPS6120371A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120371A true JPS6120371A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15276800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59140790A Pending JPS6120371A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120371A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284974A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Komatsu Ltd | 太陽電池 |
| US4790295A (en) * | 1986-12-16 | 1988-12-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope having transparent resin sealing layer |
| JPH0357950U (ja) * | 1989-10-06 | 1991-06-05 | ||
| JPH0396054U (ja) * | 1990-01-19 | 1991-10-01 | ||
| CN102822989A (zh) * | 2010-04-08 | 2012-12-12 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造具有背侧接触半导体电池的光生伏打模块的方法 |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP59140790A patent/JPS6120371A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284974A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Komatsu Ltd | 太陽電池 |
| US4790295A (en) * | 1986-12-16 | 1988-12-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope having transparent resin sealing layer |
| JPH0357950U (ja) * | 1989-10-06 | 1991-06-05 | ||
| JPH0396054U (ja) * | 1990-01-19 | 1991-10-01 | ||
| CN102822989A (zh) * | 2010-04-08 | 2012-12-12 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造具有背侧接触半导体电池的光生伏打模块的方法 |
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