JPS61199672A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS61199672A JPS61199672A JP60040081A JP4008185A JPS61199672A JP S61199672 A JPS61199672 A JP S61199672A JP 60040081 A JP60040081 A JP 60040081A JP 4008185 A JP4008185 A JP 4008185A JP S61199672 A JPS61199672 A JP S61199672A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power generation
- layer
- electrodes
- electrode
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、１枚の絶縁基板の主面上に光の入射により発
電に寄与する電子および正孔を発生するアモルファス半
導体層と、発生した電子および正孔を集電する電極とか
らなる発電区域の複数個を有し、各発電区域が互いに電
気的に接続されている光起雪力焚Ｆｆに間すＬ
電に寄与する電子および正孔を発生するアモルファス半
導体層と、発生した電子および正孔を集電する電極とか
らなる発電区域の複数個を有し、各発電区域が互いに電
気的に接続されている光起雪力焚Ｆｆに間すＬ
太陽光線を直接エネルギに変換する装置として、アモル
ファスシリコンを使用したアモルファス太陽電池が実用
化されているが、この種装置の問題点の一つとして光起
電圧が０．８ｖ程度と低いことがあげられる。そのため
、実際に使用する場合には１枚の絶縁基板上に複数の発
電区域を形成し、それら相互を直列接続することが行わ
れる。第２図はそのような光起電力装置を示し、ガラス
板のような光を透過する絶縁基板１の上面に透明電極２
１．２２．２３を形成し、その上に全面に発電のための
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｔと記す）層３、さ
らにこのａ−Ｓｉ層をサンドインチ状に挟んで透明電極
と対をなす金属電極４１，４２．４３が形成される。 ａ−３ｉ層３は一般にＰ型層、ノンドープ層、Ｎ型層の
積層からなり、光５の入射時に主にノンドープ層におい
て自由状態の電子、正孔が発生し、これらは前記各層の
作るＰＩＮ接合電界に引かれて移動し、透明電極２１．
２２．２３あるいは上部電極４１゜４２、４３に集めら
れて電圧が発生する。ａ−Ｓｉ層３は比抵抗が大きく生
成されており、はぼ絶縁体と考えてよいため、電極２１
，２２．２３のそれぞれの間隔、あるいは電極４１．４
２．４３のそれぞれの間隔が１ｍ程度あればリーク電流
は実用上無視し得る値となる。 しかしこのようにして形成された三つの発電区域１０．
２０．３０を直列接続するために、ａ−Ｓｉ層３の区域
の外に透明電極２２．２３ 、上部電極４１．４２が延
長され、接続部６１．６２において接触させ、また透明
電極２１．上部電８ｉ４３の延長部が電力取り出しのた
めの端子７１．７２となっている。このように各発電区
域から電極がａ −３ｉ層の区域外に延長されているた
め、基板上の発電区域の有効面積が大きくとれないとい
う欠点があった。
ファスシリコンを使用したアモルファス太陽電池が実用
化されているが、この種装置の問題点の一つとして光起
電圧が０．８ｖ程度と低いことがあげられる。そのため
、実際に使用する場合には１枚の絶縁基板上に複数の発
電区域を形成し、それら相互を直列接続することが行わ
れる。第２図はそのような光起電力装置を示し、ガラス
板のような光を透過する絶縁基板１の上面に透明電極２
１．２２．２３を形成し、その上に全面に発電のための
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｔと記す）層３、さ
らにこのａ−Ｓｉ層をサンドインチ状に挟んで透明電極
と対をなす金属電極４１，４２．４３が形成される。 ａ−３ｉ層３は一般にＰ型層、ノンドープ層、Ｎ型層の
積層からなり、光５の入射時に主にノンドープ層におい
て自由状態の電子、正孔が発生し、これらは前記各層の
作るＰＩＮ接合電界に引かれて移動し、透明電極２１．
２２．２３あるいは上部電極４１゜４２、４３に集めら
れて電圧が発生する。ａ−Ｓｉ層３は比抵抗が大きく生
成されており、はぼ絶縁体と考えてよいため、電極２１
，２２．２３のそれぞれの間隔、あるいは電極４１．４
２．４３のそれぞれの間隔が１ｍ程度あればリーク電流
は実用上無視し得る値となる。 しかしこのようにして形成された三つの発電区域１０．
２０．３０を直列接続するために、ａ−Ｓｉ層３の区域
の外に透明電極２２．２３ 、上部電極４１．４２が延
長され、接続部６１．６２において接触させ、また透明
電極２１．上部電８ｉ４３の延長部が電力取り出しのた
めの端子７１．７２となっている。このように各発電区
域から電極がａ −３ｉ層の区域外に延長されているた
め、基板上の発電区域の有効面積が大きくとれないとい
う欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去し、基板面積のできるだけ
多くの部分が発電区域として利用されるような光起電力
装置を提供することを目的とする。
多くの部分が発電区域として利用されるような光起電力
装置を提供することを目的とする。
本発明による光起電力装置は、一方の端に位置する発電
区域を除いた各発電区域のアモルファス半導体層に貫通
孔を有し、隣接発電区域の一方の電極がその貫通孔内に
延びて他方の電極と接触していることにより上記の目的
を達成する。
区域を除いた各発電区域のアモルファス半導体層に貫通
孔を有し、隣接発電区域の一方の電極がその貫通孔内に
延びて他方の電極と接触していることにより上記の目的
を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第１図ｉａ）は上面
図、第１図（ｂｌはそのＱ−Ｑ線断面図で、第２図と共
通の部分に同一の符号が付されている。この場合、基板
ｌの上に、例えばＩＴＯのような透明電極膜により形成
された透明電極２１，２２．２３の上に全面に堆積され
たａ−３ｉ層３には透明電極２２゜２３の縁部に達する
貫通孔８１．８２が設けられている。 ａ−Ｓｉ層３を挟んで透明電８ｉ２１ 、２２に対向す
る金属電極４１．４２は隣接発電区域側の辺の中央に延
長部９１ 、９２が形成され、その端部が貫通孔８１．
８２に延びて接続部６１．６２において透明電極２２．
２３と接触している。このように接続部６１．６２をａ
−Ｓｔ層３によって囲まれた位置に設けているため、
接続のために用いられる基板上の面積が少なく、発電区
域の有効面積が大きくなる。なお端子７１．７２は第２
図の場合と同様、ａ−３ｉ層３の区域外に延長された透
明電極２１．上部電極４３の部分に設けられるが、その
ために費やされる基板面積は少ない。 第３図は別の実施例を示すもので、貫通孔が透明電極２
２．２３の縁部にそれぞれ二つづつ形成され、接続部６
３．６４および６５．６６が設けられている。この場合
は第１図の実施例に比して、貫通孔の大きさおよび接続
部までの上部電極４１．４２の延長部を小さくできる効
果がある。 貫通孔は、ａ−３ｉ層３の成膜後のマスクによる選択エ
ツチングあるいは最適に調整されたレーザのスポット照
射により簡単に作成することができる。 【発明の効果］ 本発明によれば上述のように光起電力装置の各発電区域
を電気的に接続する接続部を、発電に寄与するアモルフ
ァス半導体層の区域内に設ぽた貫通孔をコンタクトホー
ルとして用いることにより形成するので、接続のために
要する基板上の面積は、はぼ貫通孔の大きさと、接続部
への一方の電極の延長部のみとな杓、発電区域の側方に
培鮪のためにアモルファス半導体層を被着しない区域を
設ける必要のあった従来方式に比して発電区域の有効面
積を大きくとれる優れた効果がある。
図、第１図（ｂｌはそのＱ−Ｑ線断面図で、第２図と共
通の部分に同一の符号が付されている。この場合、基板
ｌの上に、例えばＩＴＯのような透明電極膜により形成
された透明電極２１，２２．２３の上に全面に堆積され
たａ−３ｉ層３には透明電極２２゜２３の縁部に達する
貫通孔８１．８２が設けられている。 ａ−Ｓｉ層３を挟んで透明電８ｉ２１ 、２２に対向す
る金属電極４１．４２は隣接発電区域側の辺の中央に延
長部９１ 、９２が形成され、その端部が貫通孔８１．
８２に延びて接続部６１．６２において透明電極２２．
２３と接触している。このように接続部６１．６２をａ
−Ｓｔ層３によって囲まれた位置に設けているため、
接続のために用いられる基板上の面積が少なく、発電区
域の有効面積が大きくなる。なお端子７１．７２は第２
図の場合と同様、ａ−３ｉ層３の区域外に延長された透
明電極２１．上部電極４３の部分に設けられるが、その
ために費やされる基板面積は少ない。 第３図は別の実施例を示すもので、貫通孔が透明電極２
２．２３の縁部にそれぞれ二つづつ形成され、接続部６
３．６４および６５．６６が設けられている。この場合
は第１図の実施例に比して、貫通孔の大きさおよび接続
部までの上部電極４１．４２の延長部を小さくできる効
果がある。 貫通孔は、ａ−３ｉ層３の成膜後のマスクによる選択エ
ツチングあるいは最適に調整されたレーザのスポット照
射により簡単に作成することができる。 【発明の効果］ 本発明によれば上述のように光起電力装置の各発電区域
を電気的に接続する接続部を、発電に寄与するアモルフ
ァス半導体層の区域内に設ぽた貫通孔をコンタクトホー
ルとして用いることにより形成するので、接続のために
要する基板上の面積は、はぼ貫通孔の大きさと、接続部
への一方の電極の延長部のみとな杓、発電区域の側方に
培鮪のためにアモルファス半導体層を被着しない区域を
設ける必要のあった従来方式に比して発電区域の有効面
積を大きくとれる優れた効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示し、＋ａ）が上面図、−
）が（ａ）のＱ−Ｑ線断面図、第２図は従来例を示し、
＋ａｌが上面図、伽）が断面図、第３図は本発明の別の
実施例の上面図である。 １：透光性絶縁基板、 ２１，２２，２３ ： ｉ３明
電極、３：ａ−３ｉ層、４１，４２．４３ ：上部電極
、６１〜６６：接続部、ａｔ、ａ２：貫通孔、９Ｌ９２
：上部電極延長部。 ・−、ン、（・ ）ン ｙ、、−：：Ｊ〆′−５改
）が（ａ）のＱ−Ｑ線断面図、第２図は従来例を示し、
＋ａｌが上面図、伽）が断面図、第３図は本発明の別の
実施例の上面図である。 １：透光性絶縁基板、 ２１，２２，２３ ： ｉ３明
電極、３：ａ−３ｉ層、４１，４２．４３ ：上部電極
、６１〜６６：接続部、ａｔ、ａ２：貫通孔、９Ｌ９２
：上部電極延長部。 ・−、ン、（・ ）ン ｙ、、−：：Ｊ〆′−５改
Claims (1)
- １）１枚の絶縁基板の主面上に光の入射により発電に寄
与する電子および正孔を発生するアモルファス半導体層
と発生した電子および正孔を集電する電極とからなる発
電区域の複数個を備え、各発電区域が互いに電気的に接
続されるものにおいて、一方の端に位置する発電区域を
除いた各発電区域のアモルファス半導体層に貫通孔を有
し、隣接発電区域の一方の電極がその貫通孔内に延びて
他方の電極と接触したことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040081A JPS61199672A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040081A JPS61199672A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199672A true JPS61199672A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12570952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040081A Pending JPS61199672A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199672A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232176A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH0193174A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01175241A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のマスタスライス方法 |
| JP2009224399A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JP2017174999A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュールおよび電子機器 |
| CN109920867A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种光伏电池 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60040081A patent/JPS61199672A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232176A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH0193174A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01175241A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のマスタスライス方法 |
| JP2009224399A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JP2017174999A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュールおよび電子機器 |
| CN109920867A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种光伏电池 |
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