KR910007262Y1 - 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈 - Google Patents
비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910007262Y1 KR910007262Y1 KR2019880021391U KR880021391U KR910007262Y1 KR 910007262 Y1 KR910007262 Y1 KR 910007262Y1 KR 2019880021391 U KR2019880021391 U KR 2019880021391U KR 880021391 U KR880021391 U KR 880021391U KR 910007262 Y1 KR910007262 Y1 KR 910007262Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive film
- solar cell
- transparent conductive
- cell module
- metal conductive
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 태양전지 모듈을 나타낸 도면.
제2도는 본 고안의 태양전지 모듈을 나타내 도면.
제3도는 본 고안의 태양전지의 개략적인 구조도.
제4도는 a-Si층이 삽입된 본 고안의 태양전지 모듈과 종래 태양전지모듈의 상태효율을 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 투명도전막 2 : a-Si층
3 : 금속도전막 4 : 태양전지유니트
5 : 투명도전막과 금속도전막의 접속부 6 : 저저항 비정질 실리콘층
본 고안은 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈에 관한 것으로서, 특히 비정질 실리콘층의 양쪽 전극으로 투명도 전막과 금속전막을 사용하고 투명도전막과 금속도전막 사이에 저저항 비정질 실리콘층을 삽입하여 투명도전막과 금속도전막의 연장부를 접촉시키므로써 태양전지 유니트를 직렬 또는 병렬로 연결한 비정질 실리콘 저저항 태양절지 모듈에 관한 것이다.
빛 에너지를 전기적 에너지로 변환하는 비정질 실리콘(이하 a-Si라 칭함) 태양전지 유니트는 각종 산업용, 가정용 및 민생용 기기의 전력원(Power Source)으로 사용된다.
a-Si 태양전지 유니트는 유리기판과 전극위에 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 a-Si막을 증착하고, a-Si막위에 금속도전막의 전극을 만들어 재작하는데, 태양전지는 단위면적당의 기전력이 작을 뿐만 아니라 넓은 면적의 전지 제작이 곤란하기 때문에 여러개의유니트를 직렬 또는 병렬로 연결하여 태양전지 모듈을 구성하였다.
통상, 여러개의 유니트를 직렬 또는 병렬로 연결하여 태양전지 모듈을 구성하는 경우a-Si층의 양쪽 전극으로 투명도전막과 금속도전막이 사용되고 이 두전극이 겹쳐져 여러개의 유니트가 연결되는데, 이때 전극으로 사용되는 투명도전막과 금속도전막의 접촉시 투명도전막의 금속산화물의 산소가 금속도전막에 악 영향을 마치게 되어 공기중의 습기에 의해 금속도 전막이 부식될 뿐만 아니라 장기간 사용시 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 a-Si층의 양쪽전극으로 투명도 전막과 금속도전막을 사용하고 투명도전막과 금속도전막 사이에 저저항 a-Si층을 삽입하여 태양전지 유니트를 직렬 또는 병렬로 접속하므로써 투명도전막내의 산소에 의한 금속도 전막의 부식을 방지할수 있는 a-Si 저저항 태양전지 모듈을 제공함에 그 목적이 있다.
이하에 첨부된 도면에 의거하여 본 고안의 실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 종래 태양전지 모듈을 나타낸 것으로서, 유리 기판위에 a-Si층의 한쪽 전극으로써 투명도전막(1)을 형성하고, 그위에 플라즈마 CVD법에 의하여 기전력을 발생하는 a-Si층(2)을 증착하며, a-Si층(2)의 배면전극으로 금속도 전막(3)을 형성하여 태양전지 유니트(4)를 형성함과 아울러 투명도전막(1)의 연장부와 금속도전막(3)의 연장부를 겹치게하여 여러개의 태양전지 유니트를 직렬 또는 병렬로 연결한 태양전지 모듈이다.
상기와 같이 태양전지모듈을 제작하는 경우 투명전막(1)의 연장부와 금속도전막(3)의 연장부의 접합부(5)에서 투명조전막내의 금속산화물의 산소가 금속도전막(3)에 약 영향을 미쳐 공기중의 습기에 의해 금속도전막(3)이 부식되는 문제점이 있었다.
제2도는 본 고안의 개선된 a-Si 태양전지 모듈을 나타낸 것으로, 상기 제1도의 a-Si태양전지 모듈의 문제점인 금속도전막(3)의 부식에 따른 신회성 저하를 해결하기 위해서 투명도전막(1)과 금속도전막(3)사이에 제2 a-Si층을 삽입할 것이다.
본 고안의 a-Si 태양전지 모듈을 유리기판 위에 투명도 전막(1)의 패턴을 형성하고, 이와 동일한 패턴으로 저항이 작은 a-Si(6)을 플라즈마 CVD 법에 의해 증착한 후 광전변환 활성염역인 a-Si(2)을 증착시키며, 마지막으로 배면적극으로서 금속도전막(3)을 형성시킨 태양전지 유니트(4)의 투명도전막(1)의 연장부와 금속도전막(3)의 연장부를 접촉시켜 병렬 또는 직렬로 연결한 태양전지 모듈이다.
상기와 같이 구성된 본 고안 a-Si 태양전지 모듈의 기전력 발생 동작을 제3돌르 참조하여 설명한다.
유리기판과 투명도전막(1)을 통과한 빛은 a-Si(2)에서 흡수되어 전자-정공쌍(electron-hole pair)을 발생시킨다.
a-Si(2)에서 발생된 전자(-)와 정공(+)은 a-Si양쪽 전극이 투명도전막(1)과 급속도전막(3)으로 각각 이동되어 태양전지가 전력 공급원(Power Source)으로 사용할 수 있다.
이때, 태양전지 유니트의 출력전력이 적기 때문에 투명 도전막과 금속도전막을 겹치게하여 직렬 또는 병렬로 연결한 태양전지 모듈로써 원하는 출력을 얻도록 한다.
제4도는 a-Si층을 삽입한 본 고안의 태양전지 모듈과 종래 태양전지 모듈의 상대효율을 타나낸 것으로서, a-Si층을 삽입하여 제작한 본 고안의 태양전지 모듈이 종래 태양전지 모듈 보다 훨씬 양호한 효율을 얻을수 있음을 알수 있다.
위에서 설명한 바와같이 본 고안은 태양전지 모듈을 맞들기 위해 금속도전막과 투명도전막을 접촉시켜 태양전지 유니트를 직렬 또는 병렬로 연결하는 경우 상기 투명도전막과 금속도전막 사이에 저저항 a-Si층을 증착시켜 투명도 전막을 완전히 차폐시키므로써 산소에의한 금속도전막의 부식을 미연에 방지할수 있을 뿐만아니라 부식에 의한 태양전지의 신뢰성 저하를 막을 수 있는 이점이 있다.
Claims (1)
- 유리기판상에 투명도전막(1), a-Si층(2) 및 금속도전막(3)으로 형성된 태양전지 유니트(4)의 투명도전막과 금속도전막의 접합부(5)를 접촉시켜 직렬 또는 병렬로 연결한 비정질 태양전지 모듈에 있어서, a-Si층(2)의 양쪽 전극으로 투명도전막(1)과 금속도전막(3)을 사용하고, 상기 투명도전막(1)과 금속도전막(3) 사이에 저저항 a-Si(6)을 플라즈마 CVD법으로 증착, 삽입하여서 투명도전막(1)을 저저항 a-Si층(6)으로 차폐시켜 투명도전막(1)내의 산소에 의한 금속도전막(3)의 부식을 방지할수 있는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019880021391U KR910007262Y1 (ko) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈 |
| JP1989149258U JPH0288254U (ko) | 1988-12-24 | 1989-12-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019880021391U KR910007262Y1 (ko) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900013473U KR900013473U (ko) | 1990-07-05 |
| KR910007262Y1 true KR910007262Y1 (ko) | 1991-09-25 |
Family
ID=19282466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019880021391U KR910007262Y1 (ko) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288254U (ko) |
| KR (1) | KR910007262Y1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939074A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-03 | Fuji Electric Co Ltd | 太陽電池装置 |
-
1988
- 1988-12-24 KR KR2019880021391U patent/KR910007262Y1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1989149258U patent/JPH0288254U/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0288254U (ko) | 1990-07-12 |
| KR900013473U (ko) | 1990-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5707459A (en) | Solar cell module provided with a heat-fused portion | |
| US9728658B2 (en) | Solar cell module | |
| US4605813A (en) | Amorphous silicon solar battery | |
| US4638109A (en) | Sun light electricity generator | |
| JP2013513964A (ja) | 裏面接点・ヘテロ接合太陽電池 | |
| US20160233368A1 (en) | Solar cell | |
| KR910007262Y1 (ko) | 비정질 실리콘 저저항 태양전지 모듈 | |
| CN217426751U (zh) | 一种太阳电池复合组件和光伏系统 | |
| JP2002252364A (ja) | 太陽電池モジュールアレイ及び太陽電池モジュールの設置方法 | |
| US8697987B2 (en) | Solar cell having front grid metallization that does not contact the active layers | |
| JPH0636429B2 (ja) | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 | |
| JPS61199672A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP3206339B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2726045B2 (ja) | 光発電装置 | |
| JPH06318727A (ja) | 太陽電池素子 | |
| TWM542861U (zh) | 太陽能電池 | |
| JP2862309B2 (ja) | 集積化太陽電池及び太陽電池の集積化法 | |
| JPH06151914A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH06177408A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH0481350B2 (ko) | ||
| JPH10242491A (ja) | 太陽電池装置及びそれを用いた太陽電池パネル | |
| JP2615465B2 (ja) | 光発電二次電池 | |
| JP2713419B2 (ja) | 光二次電池 | |
| KR930009596B1 (ko) | 비결정실리콘태양전지 및 그 제조방법 | |
| JPH0799775B2 (ja) | 太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030829 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Expiration of term |