JP2726045B2 - 光発電装置 - Google Patents
光発電装置Info
- Publication number
- JP2726045B2 JP2726045B2 JP62219823A JP21982387A JP2726045B2 JP 2726045 B2 JP2726045 B2 JP 2726045B2 JP 62219823 A JP62219823 A JP 62219823A JP 21982387 A JP21982387 A JP 21982387A JP 2726045 B2 JP2726045 B2 JP 2726045B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- transparent conductive
- amorphous layer
- type
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光発電装置に係り、特に、アモルファス
太陽電池の構造に関するものである。 〔従来の技術〕 第２図は、例えば特開昭61−74376号公報に示された
従来の光発電装置を示す図で、１はガラス等の絶縁性基
板、２はAg,Al,SUS等の金属膜、電子ビーム蒸着あるい
はスパッタ法で形成され、これが第１の電極となる。３
はｐ型,i型,n型の非晶質層で、この非晶質層３は、ま
ず、SiH4ガス,PH3ガスの混合ガスをグロー放電分解して
ｎ型を形成し、SiH4ガスのグロー放電分解でｉ型を形成
し、SiH4ガスとB2H6ガスの混合ガスのグロー放電分解で
ｐ型を形成する。また、ｐ型を形成する際、SiH4ガスと
B2H6ガスの他にCH4等の炭素原子を含んだガスを混入さ
せてもよい。４はITO等の透明導電膜で、電子ビーム蒸
着，またはスパッタ法，またはコーティング法により形
成され、第２の電極として、隣接する素子の第１の電極
２と接するように形成する。 次にこの従来例の動作を説明する。 光は絶縁性基板１と反対側の透明導電膜４側から入射
され、非晶質層３内の主にｉ型領域で吸収され、電子，
正孔が励起されてｐ型領域とｎ型領域とで形成される電
界により、電子はｎ型領域へ、正孔はｐ型領域へ移動
し、電気エネルギーを発生する。このようにして発生し
た電気エネルギーは第１の電極2,透明導電膜（第２の電
極）４から外部に取り出されるが、第２図のように、第
１の電極2,非晶質層3,透明導電膜４をそれぞれずらした
位置に形成してあるので、素子は透明導電膜４を通して
右隣の素子の第１の電極２と接しており、このようにし
て各素子は横方向に直列接続された形になる。これは集
積型構造と呼ばれており、非晶質層３を第１の電極２側
からｎ型,i型,p型の順に形成した場合は、第１の電極２
がマイナスとなり、透明導電膜４がプラスとなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の構成においては、隣接する素子間
を接続するのに透明導電膜４を用いているため、抵抗値
が充分低いものは得られず、直列抵抗損失として作用
し、全体の電気出力を低下させる要因となっている。 この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、直列接続部の透明導電膜の直列抵抗成分
を低減させ、直列抵抗損失の少ない光発電装置を得るこ
とを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る光発電装置は、絶縁性基板上に第１の
電極と、非晶質層と、透明導電膜からなる第２の電極を
それぞれ一部重ねて個々の素子が形成されるとともに、
該素子の非晶質層は隣接する素子の第１の電極とは分離
され、かつ前記素子の第２の電極は当該素子といずれか
一方の側で隣接する素子の第１の電極と接するように形
成されることにより互いに電気的に直列に接続されて形
成された複数個の素子と、前記素子の第２の電極が隣接
する素子の第１の電極と接する部分を含み、かつ前記素
子の第１の電極と非晶質層と第２の電極とが重なり合っ
ている部分を除いて前記第２の電極上に形成された、前
記第２の電極の抵抗を減少させる金属膜とを備えるよう
にしたものである。 〔作用〕 この発明における金属膜は、透明導電膜に比べて抵抗
が低いので、光発電領域で発生した電流は透明導電膜内
を横方向に流れ、大部分は金属膜を経由して隣接する素
子の第１の電極へ流れる。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図面について説明する。 第１図はこの発明の一実施例を示す光発電装置の断面
図である。この図で、第２図と同一符号は同一製造方法
による同一構成部分を示し、第１の電極2,非晶質層3,第
２の電極４はそれぞれ少しずつずらして形成し、第１図
のように第２の電極４が隣接する素子の第１の電極２と
接するように形成する。５は金属膜で、第１の電極2,非
晶質層3,および第２の電極４との３つが重ならない部分
の第２の電極４上に形成される。そして、この金属膜５
は電子ビーム蒸着あるいはスパッタ法で形成するAg,Al,
Ti・Ag（２層膜），またはスクリーン印刷法で形成する
Agを主成分としたものである。 次に、この実施例の動作を説明する。 光は絶縁性基板１と反対側の透明導電膜（第２の電
極）４側から入射され、非晶質層３内の主にｉ型領域で
吸収され、電子，正孔が励起されてｐ型領域とｎ型領域
とで形成される電界により、電子はｎ型領域へ、正孔は
ｐ型領域へ移動し、光電流を発生する。このようにして
発生した光電流は、片方は第１の電極２から、もう片方
は透明導電膜（第２の電極）４から金属膜５を経て右隣
の素子の第１の電極２へと流れる。すなわち、非晶質層
３を第１の電極２からｎ型,i型,p型の順に形成した場合
は、第１の電極２がマイナスとなり、もう片方は透明導
電膜（第２の電極）４から金属膜５を経て右隣の素子の
第１の電極２〜非晶質層３〜透明導電膜（第２の電極）
４〜金属膜５を経てさらに次々に右隣の素子の第１の電
極２へとつながって行き、最終的には右端の素子の透明
導電膜（第２の電極）４または金属膜５がプラスとな
る。 なお、非晶質層３の構成は、上記ｐ型,i型,n型以外の
ものであってもよい。 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明に係る光発電装置によ
れば、絶縁基板上に第１の電極と、非晶質層と、透明導
電膜からなる第２の電極をそれぞれ一部重ねて個々の素
子が形成されるとともに、該素子の非晶質層は隣接する
素子の第１の電極とは分離され、かつ前記素子の第２の
電極は当該素子といずれか一方の側で隣接する素子の第
１の電極と接するように形成されることにより互いに電
気的に直列に接続されて形成された複数個の素子と、前
記素子の第２の電極が隣接する素子の第１の電極と接す
る部分を含み、前記素子の第１の電極と非晶質層と第２
の電極とが重なり合っている部分を除いて前記第２の電
極上に形成された、前記第２の電極の抵抗を減少させる
金属膜とを備えるようにしたので、直列抵抗が減少し、
出力の大きな光発電装置を得ることができる効果があ
る。
太陽電池の構造に関するものである。 〔従来の技術〕 第２図は、例えば特開昭61−74376号公報に示された
従来の光発電装置を示す図で、１はガラス等の絶縁性基
板、２はAg,Al,SUS等の金属膜、電子ビーム蒸着あるい
はスパッタ法で形成され、これが第１の電極となる。３
はｐ型,i型,n型の非晶質層で、この非晶質層３は、ま
ず、SiH4ガス,PH3ガスの混合ガスをグロー放電分解して
ｎ型を形成し、SiH4ガスのグロー放電分解でｉ型を形成
し、SiH4ガスとB2H6ガスの混合ガスのグロー放電分解で
ｐ型を形成する。また、ｐ型を形成する際、SiH4ガスと
B2H6ガスの他にCH4等の炭素原子を含んだガスを混入さ
せてもよい。４はITO等の透明導電膜で、電子ビーム蒸
着，またはスパッタ法，またはコーティング法により形
成され、第２の電極として、隣接する素子の第１の電極
２と接するように形成する。 次にこの従来例の動作を説明する。 光は絶縁性基板１と反対側の透明導電膜４側から入射
され、非晶質層３内の主にｉ型領域で吸収され、電子，
正孔が励起されてｐ型領域とｎ型領域とで形成される電
界により、電子はｎ型領域へ、正孔はｐ型領域へ移動
し、電気エネルギーを発生する。このようにして発生し
た電気エネルギーは第１の電極2,透明導電膜（第２の電
極）４から外部に取り出されるが、第２図のように、第
１の電極2,非晶質層3,透明導電膜４をそれぞれずらした
位置に形成してあるので、素子は透明導電膜４を通して
右隣の素子の第１の電極２と接しており、このようにし
て各素子は横方向に直列接続された形になる。これは集
積型構造と呼ばれており、非晶質層３を第１の電極２側
からｎ型,i型,p型の順に形成した場合は、第１の電極２
がマイナスとなり、透明導電膜４がプラスとなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の構成においては、隣接する素子間
を接続するのに透明導電膜４を用いているため、抵抗値
が充分低いものは得られず、直列抵抗損失として作用
し、全体の電気出力を低下させる要因となっている。 この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、直列接続部の透明導電膜の直列抵抗成分
を低減させ、直列抵抗損失の少ない光発電装置を得るこ
とを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る光発電装置は、絶縁性基板上に第１の
電極と、非晶質層と、透明導電膜からなる第２の電極を
それぞれ一部重ねて個々の素子が形成されるとともに、
該素子の非晶質層は隣接する素子の第１の電極とは分離
され、かつ前記素子の第２の電極は当該素子といずれか
一方の側で隣接する素子の第１の電極と接するように形
成されることにより互いに電気的に直列に接続されて形
成された複数個の素子と、前記素子の第２の電極が隣接
する素子の第１の電極と接する部分を含み、かつ前記素
子の第１の電極と非晶質層と第２の電極とが重なり合っ
ている部分を除いて前記第２の電極上に形成された、前
記第２の電極の抵抗を減少させる金属膜とを備えるよう
にしたものである。 〔作用〕 この発明における金属膜は、透明導電膜に比べて抵抗
が低いので、光発電領域で発生した電流は透明導電膜内
を横方向に流れ、大部分は金属膜を経由して隣接する素
子の第１の電極へ流れる。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図面について説明する。 第１図はこの発明の一実施例を示す光発電装置の断面
図である。この図で、第２図と同一符号は同一製造方法
による同一構成部分を示し、第１の電極2,非晶質層3,第
２の電極４はそれぞれ少しずつずらして形成し、第１図
のように第２の電極４が隣接する素子の第１の電極２と
接するように形成する。５は金属膜で、第１の電極2,非
晶質層3,および第２の電極４との３つが重ならない部分
の第２の電極４上に形成される。そして、この金属膜５
は電子ビーム蒸着あるいはスパッタ法で形成するAg,Al,
Ti・Ag（２層膜），またはスクリーン印刷法で形成する
Agを主成分としたものである。 次に、この実施例の動作を説明する。 光は絶縁性基板１と反対側の透明導電膜（第２の電
極）４側から入射され、非晶質層３内の主にｉ型領域で
吸収され、電子，正孔が励起されてｐ型領域とｎ型領域
とで形成される電界により、電子はｎ型領域へ、正孔は
ｐ型領域へ移動し、光電流を発生する。このようにして
発生した光電流は、片方は第１の電極２から、もう片方
は透明導電膜（第２の電極）４から金属膜５を経て右隣
の素子の第１の電極２へと流れる。すなわち、非晶質層
３を第１の電極２からｎ型,i型,p型の順に形成した場合
は、第１の電極２がマイナスとなり、もう片方は透明導
電膜（第２の電極）４から金属膜５を経て右隣の素子の
第１の電極２〜非晶質層３〜透明導電膜（第２の電極）
４〜金属膜５を経てさらに次々に右隣の素子の第１の電
極２へとつながって行き、最終的には右端の素子の透明
導電膜（第２の電極）４または金属膜５がプラスとな
る。 なお、非晶質層３の構成は、上記ｐ型,i型,n型以外の
ものであってもよい。 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明に係る光発電装置によ
れば、絶縁基板上に第１の電極と、非晶質層と、透明導
電膜からなる第２の電極をそれぞれ一部重ねて個々の素
子が形成されるとともに、該素子の非晶質層は隣接する
素子の第１の電極とは分離され、かつ前記素子の第２の
電極は当該素子といずれか一方の側で隣接する素子の第
１の電極と接するように形成されることにより互いに電
気的に直列に接続されて形成された複数個の素子と、前
記素子の第２の電極が隣接する素子の第１の電極と接す
る部分を含み、前記素子の第１の電極と非晶質層と第２
の電極とが重なり合っている部分を除いて前記第２の電
極上に形成された、前記第２の電極の抵抗を減少させる
金属膜とを備えるようにしたので、直列抵抗が減少し、
出力の大きな光発電装置を得ることができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す光発電装置の断面斜
視図、第２図は、従来の光発電装置を示す断面斜視図で
ある。 図において、１は絶縁性基板、２は第１の電極、３は非
晶質層、４は透明導電膜（第２の電極）、５は金属膜で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
視図、第２図は、従来の光発電装置を示す断面斜視図で
ある。 図において、１は絶縁性基板、２は第１の電極、３は非
晶質層、４は透明導電膜（第２の電極）、５は金属膜で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．絶縁性基板上に第１の電極と、非晶質層と、透明導
電膜からなる第２の電極をそれぞれ一部重ねて個々の素
子が形成されるとともに、該素子の非晶質層は隣接する
素子の第１の電極とは分離され、かつ前記素子の第２の
電極は当該素子といずれか一方の側で隣接する素子の第
１の電極と接するように形成されることにより互いに電
気的に直列に接続されて形成された複数個の素子と、 前記素子の第２の電極が隣接する素子の第１の電極と接
する部分を含み、かつ前記素子の第１の電極と非晶質層
と第２の電極とが重なりあっている部分を除いて前記第
２の電極上に形成された、前記第２の電極の抵抗を減少
させる金属膜とを備えたことを特徴とする光発電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219823A JP2726045B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 光発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219823A JP2726045B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 光発電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461960A JPS6461960A (en) | 1989-03-08 |
| JP2726045B2 true JP2726045B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=16741599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62219823A Expired - Lifetime JP2726045B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 光発電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726045B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4942622B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2012-05-30 | 花王株式会社 | ストッパー付ポンプ容器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103383A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS62142859U (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-09 |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP62219823A patent/JP2726045B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461960A (en) | 1989-03-08 |
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