JPH0636429B2 - ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 - Google Patents
ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置Info
- Publication number
- JPH0636429B2 JPH0636429B2 JP57098991A JP9899182A JPH0636429B2 JP H0636429 B2 JPH0636429 B2 JP H0636429B2 JP 57098991 A JP57098991 A JP 57098991A JP 9899182 A JP9899182 A JP 9899182A JP H0636429 B2 JPH0636429 B2 JP H0636429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heterojunction
- electrode
- type
- layer
- optoelectronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 11
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N fluorosilicon Chemical compound [Si]F ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はヘテロ接合光電素子及び装置に関する。
太陽電池や光検出器のような光電素子及び装置は太陽光
線を直接電気エネルギに変換することができるが、この
種装置の最大の問題として、他の電気エネルギ発生手段
と比較して発電費用が極めて大きいことが言われてい
る。その主な原因は、装置の主体を構成する半導体材料
の利用効率が低いこと、更には斯る材料を製造するに要
するエネルギが多いことにある。最近この欠点を解決す
る可能性のある技術として、上記半導体材料に非晶質シ
リコンを使用することが提案された。即ち非晶質シリコ
ンはシランやフロルシリコンなどのシリコン化合物雰囲
気中でのグロー放電によつて安価かつ大量に形成するこ
とができ、その場合の非晶質シリコン（以下GD-aSiと略
記する）では、禁止帯の幅中の平均局在状態密度が1017
cm-3以下と小さく、結晶シリコンと同じ様にｐ型、ｎ型
の不純物制御が可能となるのである。
線を直接電気エネルギに変換することができるが、この
種装置の最大の問題として、他の電気エネルギ発生手段
と比較して発電費用が極めて大きいことが言われてい
る。その主な原因は、装置の主体を構成する半導体材料
の利用効率が低いこと、更には斯る材料を製造するに要
するエネルギが多いことにある。最近この欠点を解決す
る可能性のある技術として、上記半導体材料に非晶質シ
リコンを使用することが提案された。即ち非晶質シリコ
ンはシランやフロルシリコンなどのシリコン化合物雰囲
気中でのグロー放電によつて安価かつ大量に形成するこ
とができ、その場合の非晶質シリコン（以下GD-aSiと略
記する）では、禁止帯の幅中の平均局在状態密度が1017
cm-3以下と小さく、結晶シリコンと同じ様にｐ型、ｎ型
の不純物制御が可能となるのである。
GD-aSiを用いた典型的な従来の太陽電池は、可視光を透
過するガラス基板上に透明電極を形成し、該透明電極上
にGD-aSiのｐ型層、GD-aSiのノンドープ（不純物無添
加）層及びGD-aSiのｎ型層を順次形成し該ｎ型層上にオ
ーミックコンタクト用電極を設けてなるものである。
過するガラス基板上に透明電極を形成し、該透明電極上
にGD-aSiのｐ型層、GD-aSiのノンドープ（不純物無添
加）層及びGD-aSiのｎ型層を順次形成し該ｎ型層上にオ
ーミックコンタクト用電極を設けてなるものである。
上記太陽電池において、ガラス基板及び透明電極を介し
て光がGD-aSiからなるｐ型層、ノンドープ層及びｎ型層
に入ると、主にノンドープ層において自由状態の電子及
び／又は正孔が発生し、これらは上記各層の作るpin接
合電界により引かれて移動した後透明電極やオーミック
コンタクト用電極に集められ両電極間に電圧が発生す
る。ところが、この場合ｐ層又はｎ層で吸収した光が有
効なキヤリヤーにならずロスとなる結果、短絡電流Jsc
が小さく又セル１個の開放電圧Vocも0.8voltと低い点が
実用上の問題であつた。これに対して本発明者等は、特
願昭５６−１２３１３号、特願昭５６−２２６９０号、
特願昭５６−６６６８９号に示すようなワイドギヤップ
でｐ又はｎ型に価電子制御できる非晶質半導体を発明
し、さらに非晶質シリコンとヘテロ接合pinを形成する
ことにより大きいJscとVocが得られる事を見い出した。
て光がGD-aSiからなるｐ型層、ノンドープ層及びｎ型層
に入ると、主にノンドープ層において自由状態の電子及
び／又は正孔が発生し、これらは上記各層の作るpin接
合電界により引かれて移動した後透明電極やオーミック
コンタクト用電極に集められ両電極間に電圧が発生す
る。ところが、この場合ｐ層又はｎ層で吸収した光が有
効なキヤリヤーにならずロスとなる結果、短絡電流Jsc
が小さく又セル１個の開放電圧Vocも0.8voltと低い点が
実用上の問題であつた。これに対して本発明者等は、特
願昭５６−１２３１３号、特願昭５６−２２６９０号、
特願昭５６−６６６８９号に示すようなワイドギヤップ
でｐ又はｎ型に価電子制御できる非晶質半導体を発明
し、さらに非晶質シリコンとヘテロ接合pinを形成する
ことにより大きいJscとVocが得られる事を見い出した。
本発明者等は電圧をさらに高める為に鋭意研究努力した
結果、本発明を完成するに至つたもので、室温における
電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1以上であるｐ又はｎ型の
非晶質Si(1-x)O(x)と非晶質硅素とより形成されるヘテ
ロ接合光電素子に関するもので、以下にその詳細を説明
する。
結果、本発明を完成するに至つたもので、室温における
電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1以上であるｐ又はｎ型の
非晶質Si(1-x)O(x)と非晶質硅素とより形成されるヘテ
ロ接合光電素子に関するもので、以下にその詳細を説明
する。
本発明の非晶質で一般式Si(1-x-y)O(x)N(y)で示される
半導体は、シリコンの水素又はフッ素化物とN2Oのグロ
ー放電分解で得られ、その際にIII族の元素化合物例え
ばB2H6、又はＶ族の元素化合物例えばPH3等でドープし
た半導体を用いる。グロー放電時に添加してもよいが成
膜後にイオンインプランテーションによつて導入しても
よい。そのドープ量は室温における電気伝導度が約10-8
(Ω・cm)-1以上であり、かつそのフェルミレベルがp-i-n
接合した時の拡散電位が約1.1volt以上にするのが良
い。基板温度は上記特性の得られる温度であれば任意で
あるが通常200℃〜450℃が用いられる。本発明ではさら
に好ましくは膜中に水素又はフッ素が約４atom％から40
atom％含まれるのが良い。又a-Si(1-x-y)O(x)N(y)でｘ
＋ｙが0.04〜0.5の範囲が好ましくｙ＝０でもよい。
半導体は、シリコンの水素又はフッ素化物とN2Oのグロ
ー放電分解で得られ、その際にIII族の元素化合物例え
ばB2H6、又はＶ族の元素化合物例えばPH3等でドープし
た半導体を用いる。グロー放電時に添加してもよいが成
膜後にイオンインプランテーションによつて導入しても
よい。そのドープ量は室温における電気伝導度が約10-8
(Ω・cm)-1以上であり、かつそのフェルミレベルがp-i-n
接合した時の拡散電位が約1.1volt以上にするのが良
い。基板温度は上記特性の得られる温度であれば任意で
あるが通常200℃〜450℃が用いられる。本発明ではさら
に好ましくは膜中に水素又はフッ素が約４atom％から40
atom％含まれるのが良い。又a-Si(1-x-y)O(x)N(y)でｘ
＋ｙが0.04〜0.5の範囲が好ましくｙ＝０でもよい。
本発明の半導体は、少なくとも光の入射する側のドープ
層に用いる。
層に用いる。
本発明に用いる光起電力素子の基本構成は、第１図の
(a),(b)に代表例が示される。(a)はｐ側から光を照射す
るタイプで、例えばステンレス箔−絶縁膜−電極ｎ−ｉ
−ｐ−透明電極の構成、(b)はｎ側から光を照射するタ
イプで、例えばステンレス箔−絶縁膜−電極−ｐ−ｉ−
ｎ−透明電極の構成である。その他、ｐ層と透明電極の
間に薄い絶縁層をつけたり、薄い金属層をつけた構造で
もよい。要はp-i-n接合を基本とするものであればいか
なる構成でもよい。
(a),(b)に代表例が示される。(a)はｐ側から光を照射す
るタイプで、例えばステンレス箔−絶縁膜−電極ｎ−ｉ
−ｐ−透明電極の構成、(b)はｎ側から光を照射するタ
イプで、例えばステンレス箔−絶縁膜−電極−ｐ−ｉ−
ｎ−透明電極の構成である。その他、ｐ層と透明電極の
間に薄い絶縁層をつけたり、薄い金属層をつけた構造で
もよい。要はp-i-n接合を基本とするものであればいか
なる構成でもよい。
ｉ層は、実質的に真性な非晶質半導体でSiを含むもので
あるが、他にGe及び／又はSn及び／又はＮ及び／又はＣ
を含んでもよい。ｉ層は、好ましくはシラン若しくはそ
の誘導体、又はフッ化シラン若しくはその誘導体、又は
これらの混合物のグロー放電分解で得られる約10-7秒以
上のキヤリヤー寿命で約1017cm-3eV-1以下の局在準位密
度及び10-3cm2/V以上の易動度をもつ真性アモルファス
シリコンがよい。又III族の元素で補償して実質的に真
性にしてもよい。
あるが、他にGe及び／又はSn及び／又はＮ及び／又はＣ
を含んでもよい。ｉ層は、好ましくはシラン若しくはそ
の誘導体、又はフッ化シラン若しくはその誘導体、又は
これらの混合物のグロー放電分解で得られる約10-7秒以
上のキヤリヤー寿命で約1017cm-3eV-1以下の局在準位密
度及び10-3cm2/V以上の易動度をもつ真性アモルファス
シリコンがよい。又III族の元素で補償して実質的に真
性にしてもよい。
ｐとｎの双方に本発明のa-Si(1-x-y)O(x)N(y)を用いて
もよいし一方に非晶質又は微結晶シリコンを用いてもよ
い。本発明では光の入射する側の層（ｐ又はｎ層）の厚
み50〜300Åが好ましく、ｉ層は通常1000〜10000Å、光
の入射と反対の層は100〜1000Åにされる。本発明では
ｐ層又はｎ層の少くとも一方、すなわち少くとも光を照
射する側の層が、約1.85eV以上の光学的バンドギヤップ
を有しかつ20℃における電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1
以上である非晶質a-Si(1-x-y)O(x)N(y)であつて、しか
もp-i-n接合した場合の拡散電位Vdが約1.1volts以上で
あることが好ましい。拡散電位Vdは光の入射する側のド
ープ層の光学的バンドギヤップをEg(opt)、活性化エネ
ルギーをEf、もう一方のドープ層の活性化エネルギーを
Ebとすると、Vd＝Eg(opt)-Ef-Ebで求めることができ
る。本発明ではさらに室温での電気伝導度が10-8(Ω・c
m)-1以上としているが、これ以下であるとフイルフアク
ターFFが小さくなり変換効率が実用的でなくなるからで
ある。
もよいし一方に非晶質又は微結晶シリコンを用いてもよ
い。本発明では光の入射する側の層（ｐ又はｎ層）の厚
み50〜300Åが好ましく、ｉ層は通常1000〜10000Å、光
の入射と反対の層は100〜1000Åにされる。本発明では
ｐ層又はｎ層の少くとも一方、すなわち少くとも光を照
射する側の層が、約1.85eV以上の光学的バンドギヤップ
を有しかつ20℃における電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1
以上である非晶質a-Si(1-x-y)O(x)N(y)であつて、しか
もp-i-n接合した場合の拡散電位Vdが約1.1volts以上で
あることが好ましい。拡散電位Vdは光の入射する側のド
ープ層の光学的バンドギヤップをEg(opt)、活性化エネ
ルギーをEf、もう一方のドープ層の活性化エネルギーを
Ebとすると、Vd＝Eg(opt)-Ef-Ebで求めることができ
る。本発明ではさらに室温での電気伝導度が10-8(Ω・c
m)-1以上としているが、これ以下であるとフイルフアク
ターFFが小さくなり変換効率が実用的でなくなるからで
ある。
本発明のヘテロ接合光電素子の基本構造は透明電極と金
属電極でｐ又はｎ型の非晶質Si(1-x-y)O(x)N(y)と非晶
質Siをヘテロ接合してなる半導体層を挟んだものである
が、これを具体的に説明すると、次の通りである。代表
的な構造は透明電極／ｐ型アモルファス半導体／ｉ型a-
Si／ｎ型a-Si／電極／絶縁膜／金属箔の構造で、透明電
極側から光を照射する。透明電極はITOやSnO2特にSnO2
が好ましく、ｐ型アモルファス半導体上に直接蒸着して
得られる。又ITOとｐ型アモルファス半導体の界面に30
〜500ÅのSnO2をつけると更に好ましい。光を照射する
側のa-Si(1-x-y)O(x)N(y)の厚みは約30Åから300Å好ま
しくは50Åから200Åである。この構造とは少し異なる
が、この構造と透明電極／ｐ型アモルファス半導体／ｉ
型a-Si／ｎ型a-Si／電極という基本構造が同じであり、
且つ透明電極が透光性のガラス基板上に形成されている
構造を有する、本発明のヘテロ接合光起電力素子と従来
のアモルファスシリコンp-i-nホモ接合の特性を第３図
に示す。この図において(a)が本発明の場合で効率η＝
8.0％、短絡電流Jsc＝14.0mA/cm2、開放電圧Voc＝0.95v
olts，FF＝60.0％を示す。(b)が従来のホモ接合の場合
で、効率η＝5.7％、Jsc＝11.02mA/cm2，Voc＝0.801vol
tsFF＝64.7％である。本発明の効果は短絡電流Jscと開
放電圧Vocに特に顕著な効果がみられる。
属電極でｐ又はｎ型の非晶質Si(1-x-y)O(x)N(y)と非晶
質Siをヘテロ接合してなる半導体層を挟んだものである
が、これを具体的に説明すると、次の通りである。代表
的な構造は透明電極／ｐ型アモルファス半導体／ｉ型a-
Si／ｎ型a-Si／電極／絶縁膜／金属箔の構造で、透明電
極側から光を照射する。透明電極はITOやSnO2特にSnO2
が好ましく、ｐ型アモルファス半導体上に直接蒸着して
得られる。又ITOとｐ型アモルファス半導体の界面に30
〜500ÅのSnO2をつけると更に好ましい。光を照射する
側のa-Si(1-x-y)O(x)N(y)の厚みは約30Åから300Å好ま
しくは50Åから200Åである。この構造とは少し異なる
が、この構造と透明電極／ｐ型アモルファス半導体／ｉ
型a-Si／ｎ型a-Si／電極という基本構造が同じであり、
且つ透明電極が透光性のガラス基板上に形成されている
構造を有する、本発明のヘテロ接合光起電力素子と従来
のアモルファスシリコンp-i-nホモ接合の特性を第３図
に示す。この図において(a)が本発明の場合で効率η＝
8.0％、短絡電流Jsc＝14.0mA/cm2、開放電圧Voc＝0.95v
olts，FF＝60.0％を示す。(b)が従来のホモ接合の場合
で、効率η＝5.7％、Jsc＝11.02mA/cm2，Voc＝0.801vol
tsFF＝64.7％である。本発明の効果は短絡電流Jscと開
放電圧Vocに特に顕著な効果がみられる。
もう１つの代表的な構造は 透明電極／ｎ型アモルファス半導体／ｉ型a-Si／ｐ型a-
Si／電極／絶縁膜／金属箔の構造で、透明電極側から光
を照射する。光を照射する側のｎ型アモルファス半導体
の厚みは約30Åから300Å好ましくは50Åから200Å、ｉ
型層の厚みは限定されないが約1000Å〜10000Åが通常
用いられる。ｐ型層の厚みは限定されないが約150Å〜6
00Åが用いられる。透明電極の素材及び蒸着法について
は前同様である。
Si／電極／絶縁膜／金属箔の構造で、透明電極側から光
を照射する。光を照射する側のｎ型アモルファス半導体
の厚みは約30Åから300Å好ましくは50Åから200Å、ｉ
型層の厚みは限定されないが約1000Å〜10000Åが通常
用いられる。ｐ型層の厚みは限定されないが約150Å〜6
00Åが用いられる。透明電極の素材及び蒸着法について
は前同様である。
基板について説明すると、金属箔１はアルミニウム銅、
鉄、ニツケル、ステンレス等の金属の箔で厚みは５μｍ
〜2mm好ましくは50μｍ〜1mmのものが用いられる。絶縁
膜２は電気伝導度が約10-7(Ω・cm)-1以下のものであれ
ばいかなるものでもよい。具体的には耐熱性高分子或い
はSiO1SiO2Al2O3アモルファス又は結晶性のSi
(1-x)C(x),Si(1-y)Ny,Si(1-x-y)C(x)N(y)等又はその水
素ハロゲン化物等が用いられる。シランやフッ化シラン
のグロー放電やスパッターで得られるアモルファスシリ
コン（a-Si）でもよい。特に本発明の太陽電池を蛍光燈
下で作動させる電池として電子装置に組み込む場合、AM
-1 100mW/cm2のような強い光が照射されると大きな電
流が流れる為に保護回路が必要になるが、a-Siのように
光照射時の電気伝導度の大きなものを本発明の絶縁膜と
して用いる場合、蛍光燈下では電気伝導度が小さいので
リークは少ないが、屋外光のように、強い光が当ると電
気伝導度が大きくなり、光電流がリークして保護回路の
役割をするので好ましい。
鉄、ニツケル、ステンレス等の金属の箔で厚みは５μｍ
〜2mm好ましくは50μｍ〜1mmのものが用いられる。絶縁
膜２は電気伝導度が約10-7(Ω・cm)-1以下のものであれ
ばいかなるものでもよい。具体的には耐熱性高分子或い
はSiO1SiO2Al2O3アモルファス又は結晶性のSi
(1-x)C(x),Si(1-y)Ny,Si(1-x-y)C(x)N(y)等又はその水
素ハロゲン化物等が用いられる。シランやフッ化シラン
のグロー放電やスパッターで得られるアモルファスシリ
コン（a-Si）でもよい。特に本発明の太陽電池を蛍光燈
下で作動させる電池として電子装置に組み込む場合、AM
-1 100mW/cm2のような強い光が照射されると大きな電
流が流れる為に保護回路が必要になるが、a-Siのように
光照射時の電気伝導度の大きなものを本発明の絶縁膜と
して用いる場合、蛍光燈下では電気伝導度が小さいので
リークは少ないが、屋外光のように、強い光が当ると電
気伝導度が大きくなり、光電流がリークして保護回路の
役割をするので好ましい。
これらの絶縁膜はCVD、酸化、電子ビーム蒸着、スパッ
タ、グロー放電分解で得られ、その厚みは、金属箔を絶
縁できればよいので任意であるが、通常1000Åから20μ
ｍぐらいが用いられる。
タ、グロー放電分解で得られ、その厚みは、金属箔を絶
縁できればよいので任意であるが、通常1000Åから20μ
ｍぐらいが用いられる。
この絶縁膜で金属箔を覆い、その上に下部電極としてN
i、Mo、Al、Pt等の金属電極や、ITO、SnO2等の透明電極を所
望のパターンに蒸着する。第４図は本発明実施例として
の光起電力装置を示し、11は金属箔、12は絶縁膜で13,1
4,15は該絶縁基板上に膜状に形成された第１、第２、第
３の発電区域である。
i、Mo、Al、Pt等の金属電極や、ITO、SnO2等の透明電極を所
望のパターンに蒸着する。第４図は本発明実施例として
の光起電力装置を示し、11は金属箔、12は絶縁膜で13,1
4,15は該絶縁基板上に膜状に形成された第１、第２、第
３の発電区域である。
該発電区域の各々は本発明のヘテロ接合層１６と該層を
挟んで対向する第１電極17及び第２電極18から構成され
ている。ヘテロ接合層16は図示していないが例えば第１
図(a)の構造と同様に基板側から順次堆積されたｎ型
層、ノンドープ層（ｉ層）及びｐ型層のヘテロ接合層か
らなり、斯るヘテロ接合層16は第１〜第３の発電区域に
連続して延びている。
挟んで対向する第１電極17及び第２電極18から構成され
ている。ヘテロ接合層16は図示していないが例えば第１
図(a)の構造と同様に基板側から順次堆積されたｎ型
層、ノンドープ層（ｉ層）及びｐ型層のヘテロ接合層か
らなり、斯るヘテロ接合層16は第１〜第３の発電区域に
連続して延びている。
第１電極17はｐ型層をオーミック接触する金属又は酸化
錫、酸化インジウム、ITO（In2O3＋xSnO2，ｘ0.1）な
どで構成することができるが、ITOの上に50〜500ÅのSn
O2をつけたものが特に好ましい。第２電極18は透明な酸
化錫In2O3,ITO又はSnO2の上にITOをつけた電極などで構
成される。
錫、酸化インジウム、ITO（In2O3＋xSnO2，ｘ0.1）な
どで構成することができるが、ITOの上に50〜500ÅのSn
O2をつけたものが特に好ましい。第２電極18は透明な酸
化錫In2O3,ITO又はSnO2の上にITOをつけた電極などで構
成される。
第１〜第３発電区域13〜15の夫々の第１電極17及び第２
電極18は基板12上において夫々の発電区域の外へ延びる
延長部19及び20を有し、第１発電区域13の第２電極18の
延長部20と第２発電区域14の第１電極17の延長部19と
が、又第２発電区域14の第２電極18の延長部20と第３発
電区域15の第１電極17の延長部19とが夫々互いに重畳し
て電気的に接続されている。又第１発電区域13の第１電
極17の延長部19には第２電極18と同材料からなる接続部
21が重畳被着されている。なお、21はなくてもよい。上
記装置の製造方法を簡単に説明すると、その第１工程で
基板（11＋12）上に延長部19を含んだ第１電極17の各々
が選択エッチング手法又は選択スパッタ又は蒸着付着手
法により形成され、第２工程で第１〜第３発電区域に連
続してヘテロ接合層16が形成される。
電極18は基板12上において夫々の発電区域の外へ延びる
延長部19及び20を有し、第１発電区域13の第２電極18の
延長部20と第２発電区域14の第１電極17の延長部19と
が、又第２発電区域14の第２電極18の延長部20と第３発
電区域15の第１電極17の延長部19とが夫々互いに重畳し
て電気的に接続されている。又第１発電区域13の第１電
極17の延長部19には第２電極18と同材料からなる接続部
21が重畳被着されている。なお、21はなくてもよい。上
記装置の製造方法を簡単に説明すると、その第１工程で
基板（11＋12）上に延長部19を含んだ第１電極17の各々
が選択エッチング手法又は選択スパッタ又は蒸着付着手
法により形成され、第２工程で第１〜第３発電区域に連
続してヘテロ接合層16が形成される。
このとき、該層は上記延長部19,20に存在してはならな
いので、基板７上全面に上記ヘテロ接合層を形成した
後、選択エッチング手法により不要部を除去するか、あ
るいは不要部を覆うマスクを用いることにより所望部の
みに上記ヘテロ接合層が形成される。続く最終工程にお
いて延長部20を含む第２電極18及び接続部21が選択スパ
ッタ又は蒸着手法などにより形成される。本実施例装置
において、第２電極18を介して光がヘテロ接合層16に入
ると、第１〜第３発電区域13〜15の夫々において第１図
の場合と同様に起電圧が生じ、各区域の第１、第２電極
17、18はその延長部において交互に接続されているので
各区域の起電圧は直列的に相加され、第１発電区域13に
連なる接続部21を−極、第３発電区域15の第２電極18に
連なる延長部20を＋極として両極の間に上記の如く相加
された電圧が発生する。
いので、基板７上全面に上記ヘテロ接合層を形成した
後、選択エッチング手法により不要部を除去するか、あ
るいは不要部を覆うマスクを用いることにより所望部の
みに上記ヘテロ接合層が形成される。続く最終工程にお
いて延長部20を含む第２電極18及び接続部21が選択スパ
ッタ又は蒸着手法などにより形成される。本実施例装置
において、第２電極18を介して光がヘテロ接合層16に入
ると、第１〜第３発電区域13〜15の夫々において第１図
の場合と同様に起電圧が生じ、各区域の第１、第２電極
17、18はその延長部において交互に接続されているので
各区域の起電圧は直列的に相加され、第１発電区域13に
連なる接続部21を−極、第３発電区域15の第２電極18に
連なる延長部20を＋極として両極の間に上記の如く相加
された電圧が発生する。
又上記装置において、各発電区域の隣接間隔が小さい
と、隣り合う区域の第１電極17どうし、あるいは第２電
極18どうしの間で直接電流が流れる現象、即ち漏れ電流
の発生が認められるがヘテロ接合層16の光照射時の低抗
値が数〜数十MΩであることを考慮すると、上記隣接間
隔を１μｍ以上に設定することにより、上記漏れ電流の
影響は実質的に問題とならない。必要によりヘテロ接合
光起電力素子層16を各発電区域に分離して形成され、裏
面電極と隣接する受光側電極とを直列に接続してもよ
い。又実用に供する場合には第２電極側から密着包囲す
る透明な高分子絶縁膜又は、SiO2,a-SiC,a-SiN,a-SiCN
等の透明な絶縁膜を設けて保護するのがよい。当然のこ
とながら透光性基板で実施することも良い。
と、隣り合う区域の第１電極17どうし、あるいは第２電
極18どうしの間で直接電流が流れる現象、即ち漏れ電流
の発生が認められるがヘテロ接合層16の光照射時の低抗
値が数〜数十MΩであることを考慮すると、上記隣接間
隔を１μｍ以上に設定することにより、上記漏れ電流の
影響は実質的に問題とならない。必要によりヘテロ接合
光起電力素子層16を各発電区域に分離して形成され、裏
面電極と隣接する受光側電極とを直列に接続してもよ
い。又実用に供する場合には第２電極側から密着包囲す
る透明な高分子絶縁膜又は、SiO2,a-SiC,a-SiN,a-SiCN
等の透明な絶縁膜を設けて保護するのがよい。当然のこ
とながら透光性基板で実施することも良い。
以上の説明より明らかな如く、本発明の光起電力装置
は、本発明に係るヘテロ接合光起電力素子を用い、同一
基板上にて複数の発電区域を直列接続したものであつ
て、可撓性で小型にしてかつ任意の高電圧を発生する装
置が得られ、従来のガラス基板と同じ方法で作る事がで
きるのは金属箔を絶縁した基板を用いたが故に実現され
たものであり、その製造に際しても第１図に示す従来の
製造工程とほとんど変るところなく簡単な膜形成工程の
みで製造することができ、量産的にも極めて優れたもの
である。
は、本発明に係るヘテロ接合光起電力素子を用い、同一
基板上にて複数の発電区域を直列接続したものであつ
て、可撓性で小型にしてかつ任意の高電圧を発生する装
置が得られ、従来のガラス基板と同じ方法で作る事がで
きるのは金属箔を絶縁した基板を用いたが故に実現され
たものであり、その製造に際しても第１図に示す従来の
製造工程とほとんど変るところなく簡単な膜形成工程の
みで製造することができ、量産的にも極めて優れたもの
である。
第１図(a)はｐ層側から光を照射するタイプの光起電力
素子を示す構造図であつて、図中１は金属箔、２は絶縁
膜、３は下部電極、４はｎ型層、５はｉ型、６はｐ型非
晶質a-Si(1-x-y)O(x)N(y)、７は透明電極である。同図
(b)はｎ層側から光を照射するタイプを示す構造図で、
７は透明電極、４はｎ型a-Si(1-x-y)O(x)N(y)、５はｉ
型層、６はｐ型層、３は下部電極又は絶縁膜、１は金属
箔である。第２図は本発明に係るヘテロp-i-n接合光起
電力素子のエネルギーバンドプロファイルである。第３
図は本発明に用いたヘテロ接合光起電力素子(a)と従来
のa-Si p-i-nホモ接合光起電力素子(b)のAM-1(100mW/cm
2)の電流電圧特性を示す図である。第４図(A)は本発明
実施例装置を示す側面図、同(B)及び(C)は夫々同(A)に
おけるＢ−Ｂ及びＣ−Ｃ断面図である。
素子を示す構造図であつて、図中１は金属箔、２は絶縁
膜、３は下部電極、４はｎ型層、５はｉ型、６はｐ型非
晶質a-Si(1-x-y)O(x)N(y)、７は透明電極である。同図
(b)はｎ層側から光を照射するタイプを示す構造図で、
７は透明電極、４はｎ型a-Si(1-x-y)O(x)N(y)、５はｉ
型層、６はｐ型層、３は下部電極又は絶縁膜、１は金属
箔である。第２図は本発明に係るヘテロp-i-n接合光起
電力素子のエネルギーバンドプロファイルである。第３
図は本発明に用いたヘテロ接合光起電力素子(a)と従来
のa-Si p-i-nホモ接合光起電力素子(b)のAM-1(100mW/cm
2)の電流電圧特性を示す図である。第４図(A)は本発明
実施例装置を示す側面図、同(B)及び(C)は夫々同(A)に
おけるＢ−Ｂ及びＣ−Ｃ断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−60875（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−11329（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−115372（ＪＰ，Ａ)
Claims (17)
- 【請求項１】室温における電気伝導度が約10-8（Ω・c
m）-1以上であるｐ型又はｎ型の 非晶質Si(1-X-Y)Ｏ(X)Ｎ(Y)（但し、ｘ≠０，ｙ≧０） と非晶質硅素とより形成されることを特徴とするヘテロ
接合光電素子。 - 【請求項２】上記非晶質Si(1-X-Y)Ｏ(X)Ｎ(Y)は、 0.04＜ｘ＋ｙ＜0.5， ｙ≧０ であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
ヘテロ接合光電素子。 - 【請求項３】上記非晶質Si(1-X-Y)Ｏ(X)Ｎ(Y)は、膜中
に３atom％乃至４０atom％の水素及び／又はフッ素を含
有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項に記載のヘテロ接合光電素子。 - 【請求項４】前記ｐ型又はｎ型の非晶質Si(1-X-Y)Ｏ(X)
Ｎ(Y)は，その光学的バンドギャップEg.optが1.85eV以
上であり、かつ20℃における電気伝導度が約10-8（Ω・
cm）-1以上であり、かつｐ−ｉ−ｎ接合の拡散電位が約
1.1volts以上であって、ｉ層が真性アモルファスシリコ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項の内のいずれかに記載のヘテロ接合光電素子。 - 【請求項５】前記ｐ型又はｎ型の非晶質Si(1-X-Y)Ｏ(X)
Ｎ(Y)は、その厚みが約30〜300Åであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第４項の内のいずれかに記
載のヘテロ接合光電素子。 - 【請求項６】前記ヘテロ接合光電素子は、光線入射側か
ら順次、透光性基板／透明電極／ｐ−ｉ−ｎ接合／金属
電極または透明電極／ｎ−ｉ−ｐ接合／金属電極／絶縁
基板の構造を有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第５項の内のいずれかに記載のヘテロ接合光電
素子。 - 【請求項７】電気絶縁性基板のうえに形成された複数の
発電区域を有し、該区域の各々は、室温における電気伝
導度が約10-8（Ω・cm）-1以上であるｐ型又はｎ型の非
晶質Si(1-X-Y)Ｏ(X)Ｎ(Y)（但し、ｘ≠０，ｙ≧０）と
非晶質硅素とより形成されるヘテロ接合光電素子よりな
り、光照射で発生した電子及び／又は正孔を集める集電
手段を含み、上記各区域の集電手段は各区域における光
起電力が直列関係になるように互いに電気的に接続され
てなることを特徴とするヘテロ接合光電装置。 - 【請求項８】前記複数の発電区域は、金属箔上に電気絶
縁性薄膜を形成してなる基板のうえに、薄膜で形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の
ヘテロ接合光電装置。 - 【請求項９】前記基板の電気絶縁性薄膜は、約10-7（Ω
・cm）-1以下の電気伝導度を有する薄膜である事を特徴
とする特許請求の範囲第７項又は第８項に記載のヘテロ
接合光電装置。 - 【請求項１０】前記電気絶縁性薄膜が、耐熱性高分子又
はSiO1，SiO2，Ａ２Ｏ３又はアモルファス若しくは結
晶性のSi(1-x)Ｃ(x)，Si(1-y)Ｎ(y)，Si(1-x-y)Ｃ(x)Ｎ
(y)又はa-Siから選ばれる事を特徴とする特許請求の範
囲第９項に記載のヘテロ接合光電装置。 - 【請求項１１】前記ヘテロ接合光電素子の層が前記各発
電区域上に分離して形成され裏面電極と隣接する受光側
電極が直列に接続される事を特徴とする特許請求の範囲
第７項又は第８項に記載のヘテロ接合光電装置。 - 【請求項１２】前記光照射によって発生した電子及び／
又は正孔の集電手段は、少くとも光照射側が透明の電極
である事を特徴とする特許請求の範囲第７項乃至第11項
の内のいずれかに記載のヘテロ接合光電装置。 - 【請求項１３】前記透明電極が、ITO若しくはSnO2又はI
TO及び該ITOとヘテロ接合光起電力層との界面に約50〜5
00ÅのSnO2を挟んだものである事を特徴とする特許請求
の範囲第12項に記載のヘテロ接合光電装置。 - 【請求項１４】前記光起電力装置において、電極がＡ
，ステンレス，モリブデン，Pt,Au,Ag,Niの少なくと
も一種以上からなる事を特徴とする特許請求の範囲第７
項乃至第13項の内のいずれかに記載のヘテロ接合光電装
置。 - 【請求項１５】前記各発電区域の集電手段相互間の電気
的接続は上記基板上にてなされている事を特徴とする特
許請求の範囲第７項乃至第14項の内のいずれかに記載の
ヘテロ接合光電装置。 - 【請求項１６】前記集電手段の要素である第１電極、ヘ
テロ接合光電素子の集電手段の他の要素である第２電極
の形成後に該第２電極側から密着する高分子絶縁膜を設
けてある事を特徴とする特許請求の範囲第７項乃至第13
項の内のいずれかに記載のヘテロ接合光電装置。 - 【請求項１７】前記ヘテロ接合光電装置は、主として室
内で使用される携帯可能な小型電子装置の電源であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項乃至第16項の内の
いずれかに記載のヘテロ接合光電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098991A JPH0636429B2 (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098991A JPH0636429B2 (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215083A JPS58215083A (ja) | 1983-12-14 |
| JPH0636429B2 true JPH0636429B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=14234452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098991A Expired - Lifetime JPH0636429B2 (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636429B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4726851A (en) * | 1984-11-27 | 1988-02-23 | Toa Nenryo Kogyo K.K. | Amorphous silicon semiconductor film and production process thereof |
| US4843439A (en) * | 1985-08-28 | 1989-06-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Tailorable infrared sensing device with strain layer superlattice structure |
| JPS6352486A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 非晶質太陽電池 |
| US4711857A (en) * | 1986-08-28 | 1987-12-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Tailorable infrared sensing device with strain layer superlattice structure |
| US5528071A (en) * | 1990-01-18 | 1996-06-18 | Russell; Jimmie L. | P-I-N photodiode with transparent conductor n+layer |
| JP5224470B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-07-03 | 国立大学法人東北大学 | 光電変換部材 |
| JP5446022B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2014-03-19 | 国立大学法人東北大学 | 光電変換部材 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511329A (en) * | 1978-07-08 | 1980-01-26 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| JPS55115372A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Photovoltaic device |
| JPS5760875A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-13 | Sharp Corp | Photoelectric conversion element |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098991A patent/JPH0636429B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58215083A (ja) | 1983-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2435250C2 (ru) | Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения | |
| US4272641A (en) | Tandem junction amorphous silicon solar cells | |
| US4217148A (en) | Compensated amorphous silicon solar cell | |
| US6784361B2 (en) | Amorphous silicon photovoltaic devices | |
| US4773942A (en) | Flexible photovoltaic device | |
| US6368892B1 (en) | Monolithic multi-junction solar cells with amorphous silicon and CIS and their alloys | |
| EP0204567A2 (en) | Thin film solar module | |
| JPS58166681A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0644638B2 (ja) | 異質単位セル同士のスタック形光起電力素子 | |
| JPH0636429B2 (ja) | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 | |
| WO2012057604A1 (en) | Nanostructure-based photovoltaic cell | |
| EP0248953A1 (en) | Tandem photovoltaic devices | |
| GB2047463A (en) | Amorphous silicon solar cells | |
| JP2680579B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0340515B2 (ja) | ||
| KR101062486B1 (ko) | 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지 | |
| JPH0122991B2 (ja) | ||
| JPS5910593B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| US20120180855A1 (en) | Photovoltaic devices and methods of forming the same | |
| KR101127054B1 (ko) | 박막 태양전지 | |
| JPH0481350B2 (ja) | ||
| JP2632740B2 (ja) | 非晶質半導体太陽電池 | |
| JPH06188443A (ja) | 可撓性光起電力装置 | |
| CN114744063B (zh) | 太阳能电池及生产方法、光伏组件 | |
| JPH0597413A (ja) | アモルフアス多元系半導体および該半導体を用いた素子 |