JPH0481350B2 - - Google Patents
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- JPH0481350B2 JPH0481350B2 JP57060109A JP6010982A JPH0481350B2 JP H0481350 B2 JPH0481350 B2 JP H0481350B2 JP 57060109 A JP57060109 A JP 57060109A JP 6010982 A JP6010982 A JP 6010982A JP H0481350 B2 JPH0481350 B2 JP H0481350B2
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- film photovoltaic
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
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- H—ELECTRICITY
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可撓性を有する薄膜光起電力装置に関
する。
する。
太陽電池や光検出器のような光起電力装置は太
陽光線を直接電気エネルギに変換することができ
るが、この種装置の最大の問題として、他の電気
エネルギ発生手段と比較して発電費用が極めて大
きいことが言われている。その主な原因は、装置
の主体を構成する半導体材料の利用効率が低いこ
と、更には斯る材料を製造するに要するエネルギ
が多いことにある。最近この欠点を解決する可能
性のある技術として、上記半導体材料に非晶質シ
リコンを使用することが提案された。即ち非晶質
シリコンはシランやフロルシランなどのシリコン
化合物雰囲気中でのグロー放電によつて安価かつ
大量に形成することができ、その場合の非晶質シ
リコン（以下GD−aSiと略記する）では、禁止
帯の幅中の平均局在状態密度が1017cm-3eV-1以下
と小さく、結晶シリコンと同じ様にｐ型、ｎ型の
不純物制御が可能となるのである。
陽光線を直接電気エネルギに変換することができ
るが、この種装置の最大の問題として、他の電気
エネルギ発生手段と比較して発電費用が極めて大
きいことが言われている。その主な原因は、装置
の主体を構成する半導体材料の利用効率が低いこ
と、更には斯る材料を製造するに要するエネルギ
が多いことにある。最近この欠点を解決する可能
性のある技術として、上記半導体材料に非晶質シ
リコンを使用することが提案された。即ち非晶質
シリコンはシランやフロルシランなどのシリコン
化合物雰囲気中でのグロー放電によつて安価かつ
大量に形成することができ、その場合の非晶質シ
リコン（以下GD−aSiと略記する）では、禁止
帯の幅中の平均局在状態密度が1017cm-3eV-1以下
と小さく、結晶シリコンと同じ様にｐ型、ｎ型の
不純物制御が可能となるのである。
GD−aSiを用いた典型的な従来の太陽電池は、
可視光を透過するガラス基板上に透明電極を形成
し、該透明電極上にGD−aSiのｐ型層、GD−
aSiのノンドープ（不純物無添加）層及びGD−
aSiのｎ型層を順次形成し該ｎ型層上に設けられ
たオーミツクコンタクト用電極を設けてなるもの
である。
可視光を透過するガラス基板上に透明電極を形成
し、該透明電極上にGD−aSiのｐ型層、GD−
aSiのノンドープ（不純物無添加）層及びGD−
aSiのｎ型層を順次形成し該ｎ型層上に設けられ
たオーミツクコンタクト用電極を設けてなるもの
である。
上記太陽電池において、ガラス基板及び透明電
極を介して光がGD−aSiからなるｐ型層、ノン
ドープ層及びｎ型層に入ると、主にノンドープ層
において自由状態の電子及び又は正孔が発生し、
これらは上記各層の作るpin接合電界により引か
れて移動した後透明電極やオーミツクコンタクト
用電極に集められ両電極間に電圧が発生する。
極を介して光がGD−aSiからなるｐ型層、ノン
ドープ層及びｎ型層に入ると、主にノンドープ層
において自由状態の電子及び又は正孔が発生し、
これらは上記各層の作るpin接合電界により引か
れて移動した後透明電極やオーミツクコンタクト
用電極に集められ両電極間に電圧が発生する。
ところで、最近フレキシブルプリント基板やフ
イルム液晶表示板等が実用化され、太陽電池とし
ても可撓性のあるものが要望されている。
イルム液晶表示板等が実用化され、太陽電池とし
ても可撓性のあるものが要望されている。
可撓性、耐熱性に富むポリイミド等の樹脂薄膜
を素板として使用した太陽電池は特開昭54−
149489号に記載されている。しかるに樹脂薄膜の
みを素板として使用した場合は、デポジシヨンに
よつて素板がカールし、又デポジシヨン中の変形
により素板が均一に加熱されないという欠点があ
つた。この欠点を解決するために、金属箔上に電
気絶縁性層を設けた可撓性基板上に形成させた光
起電力装置は特開昭56−213119号に記載されてい
る。本発明者等はこれをさらに改良し、可撓性で
高い開放電圧と短絡電流を得るために鋭意研究し
た結果、本発明に至つたものである。
を素板として使用した太陽電池は特開昭54−
149489号に記載されている。しかるに樹脂薄膜の
みを素板として使用した場合は、デポジシヨンに
よつて素板がカールし、又デポジシヨン中の変形
により素板が均一に加熱されないという欠点があ
つた。この欠点を解決するために、金属箔上に電
気絶縁性層を設けた可撓性基板上に形成させた光
起電力装置は特開昭56−213119号に記載されてい
る。本発明者等はこれをさらに改良し、可撓性で
高い開放電圧と短絡電流を得るために鋭意研究し
た結果、本発明に至つたものである。
本発明に係る可撓性薄膜光起電力装置の構成例
は、第１図のａ，ｂに示される。ａはｐ側から光
を照射するタイプで、光照射側から透明電極−ｐ
−ｉ−ｎ−下部電極−−絶縁層−金属（例えばス
テンレス）箔の構成、ｂはｎ側から光を照射する
タイプで、光照射側から透明電極−ｎ−ｉ−ｐ−
下部電極−絶縁層−金属（例えばステンレス）箔
の構成である。その他、例えば第１図ａにおける
ｐ層と透明電極の間に薄い絶縁層をつけたり、薄
い金属層をつけた構造でもよい。要は第１図ａ，
ｂに示すようなｐ−ｉ−ｎ接合を基本とするアモ
ルフアス半導体を含む光起電力素子であればいか
なる構成でもよい。
は、第１図のａ，ｂに示される。ａはｐ側から光
を照射するタイプで、光照射側から透明電極−ｐ
−ｉ−ｎ−下部電極−−絶縁層−金属（例えばス
テンレス）箔の構成、ｂはｎ側から光を照射する
タイプで、光照射側から透明電極−ｎ−ｉ−ｐ−
下部電極−絶縁層−金属（例えばステンレス）箔
の構成である。その他、例えば第１図ａにおける
ｐ層と透明電極の間に薄い絶縁層をつけたり、薄
い金属層をつけた構造でもよい。要は第１図ａ，
ｂに示すようなｐ−ｉ−ｎ接合を基本とするアモ
ルフアス半導体を含む光起電力素子であればいか
なる構成でもよい。
第１図ａ，ｂにおいて、基板となる金属箔１は
アルミニウム、銅、鉄、ニツケル、ステンレス等
の金属の箔で厚み5μｍ〜２mm好ましくは50μｍ〜
１mmのものが用いられる。絶縁層２は２層以上の
層構造であつて、樹脂からなる層２ａと無機物又
は有機金属化合物からなる層２ｂとを含み、層２
ａの厚みは1000Å〜100μｍ好ましくは1μｍ〜20μ
ｍであり、層２ｂの厚みは100Å〜5μｍ好ましく
は500Å〜1μｍである。層２ａには耐熱性を有す
る樹脂が用いられるが、電気伝導度が約10-7
（Ω・cm）-1以下のものが良く特にポリイミド・ポ
リアミド、ポリアミドイミド、ポリヒダントイ
ン、ポリパラバニツク酸、ポリｐ−キシリレン、
シリコーン、又は環化ポリブタジエンのホモポリ
マー、コポリマー又はブレンド樹脂が好ましく、
これらは通常の方法で金属箔１の表面に塗布され
被膜をつくる。例えばこれらの樹脂又は前駆体を
溶剤で溶解しワニスと為し、金属箔１上にスプレ
ー、デイツピング、コーテイング又は印刷により
塗布し、その後加熱イオンボンバード或いは紫外
線、β線、γ線、電子線などの照射により乾燥・
硬化させればよい。
アルミニウム、銅、鉄、ニツケル、ステンレス等
の金属の箔で厚み5μｍ〜２mm好ましくは50μｍ〜
１mmのものが用いられる。絶縁層２は２層以上の
層構造であつて、樹脂からなる層２ａと無機物又
は有機金属化合物からなる層２ｂとを含み、層２
ａの厚みは1000Å〜100μｍ好ましくは1μｍ〜20μ
ｍであり、層２ｂの厚みは100Å〜5μｍ好ましく
は500Å〜1μｍである。層２ａには耐熱性を有す
る樹脂が用いられるが、電気伝導度が約10-7
（Ω・cm）-1以下のものが良く特にポリイミド・ポ
リアミド、ポリアミドイミド、ポリヒダントイ
ン、ポリパラバニツク酸、ポリｐ−キシリレン、
シリコーン、又は環化ポリブタジエンのホモポリ
マー、コポリマー又はブレンド樹脂が好ましく、
これらは通常の方法で金属箔１の表面に塗布され
被膜をつくる。例えばこれらの樹脂又は前駆体を
溶剤で溶解しワニスと為し、金属箔１上にスプレ
ー、デイツピング、コーテイング又は印刷により
塗布し、その後加熱イオンボンバード或いは紫外
線、β線、γ線、電子線などの照射により乾燥・
硬化させればよい。
層２ｂは無機物又は有機金属化合物が用いられ
るが、電気伝導度が10-7（Ω・cm）-1以下のもの
が、良く特にSiOx、TiOx、Al2O3等の金属酸化
物、アモルフアス又は結晶性のSi(l-x) C(x)、
Si(l-y) Ny、Si(l-x-y) C(x)N(y)等又はその水素ハ
ロゲン化合物が好ましく、シランやフツ化シラン
のグロー放電やスパツターで得られるアモルフア
スシリコン（ａ−Si）もよい。特に本発明の可撓
性薄膜光起電力装置を蛍光燈下で作動させる電池
として電子装置に組み込む場合、AM−１ 100
ｍＷ／cm2のような強い光が照射されると大きな電
流が流れる為に保護回路が必要になるが、ａ−Si
のように光照射時の電気伝導度の大きなものを本
発明の絶縁膜として用いると、蛍光燈下では電気
伝導度が小さいのでリークは少ないが、屋外光の
ように、強い光が当ると電気伝導度が大きくな
り、光電流がリークして保護回路の役割をするの
で好ましい。
るが、電気伝導度が10-7（Ω・cm）-1以下のもの
が、良く特にSiOx、TiOx、Al2O3等の金属酸化
物、アモルフアス又は結晶性のSi(l-x) C(x)、
Si(l-y) Ny、Si(l-x-y) C(x)N(y)等又はその水素ハ
ロゲン化合物が好ましく、シランやフツ化シラン
のグロー放電やスパツターで得られるアモルフア
スシリコン（ａ−Si）もよい。特に本発明の可撓
性薄膜光起電力装置を蛍光燈下で作動させる電池
として電子装置に組み込む場合、AM−１ 100
ｍＷ／cm2のような強い光が照射されると大きな電
流が流れる為に保護回路が必要になるが、ａ−Si
のように光照射時の電気伝導度の大きなものを本
発明の絶縁膜として用いると、蛍光燈下では電気
伝導度が小さいのでリークは少ないが、屋外光の
ように、強い光が当ると電気伝導度が大きくな
り、光電流がリークして保護回路の役割をするの
で好ましい。
層２ｂは熱CVD、酸化、電子ビーム蒸着、ス
パツタ、グロー放電分解等で得ることができる。
又有機金属化合物の場合は、珪素化合物、有機チ
タネート化合物、有機スズ化合物、有機ジルコニ
ウム化合物が有効であるが、これらの化合物及び
これらを加水分解して得られるプレポリマーは、
単独で又は混合物として必要に応じて溶剤に溶解
され、層２ａを有する金属箔上にスプレー、デイ
ツピング、コーテイング等により塗布された後、
乾燥・硬化され被膜を形成する。又必要に応じて
層２ａと層２ｂとの間に別種の素材からなる中間
層を設けることもできる。
パツタ、グロー放電分解等で得ることができる。
又有機金属化合物の場合は、珪素化合物、有機チ
タネート化合物、有機スズ化合物、有機ジルコニ
ウム化合物が有効であるが、これらの化合物及び
これらを加水分解して得られるプレポリマーは、
単独で又は混合物として必要に応じて溶剤に溶解
され、層２ａを有する金属箔上にスプレー、デイ
ツピング、コーテイング等により塗布された後、
乾燥・硬化され被膜を形成する。又必要に応じて
層２ａと層２ｂとの間に別種の素材からなる中間
層を設けることもできる。
ここで、絶縁層２が樹脂のみの場合は、その上
に形成された薄膜光起電力素子の光起電力特性が
著しく悪い。これは素子の形成中に樹脂層からの
脱ガスがあり、これが素子物性に悪影響を及ぼす
からであり、又形成された素子の内部応力により
絶縁層と素子との界面で、剥離が生じたり、素子
の内部にクラツクが生じるからである。さらに樹
脂層と素子との熱膨張係数の相違により光起電力
特性の大きな経時変化が避けられない。
に形成された薄膜光起電力素子の光起電力特性が
著しく悪い。これは素子の形成中に樹脂層からの
脱ガスがあり、これが素子物性に悪影響を及ぼす
からであり、又形成された素子の内部応力により
絶縁層と素子との界面で、剥離が生じたり、素子
の内部にクラツクが生じるからである。さらに樹
脂層と素子との熱膨張係数の相違により光起電力
特性の大きな経時変化が避けられない。
一方、絶縁層２が無機物や有機金属化合物のみ
の場合は、可撓性を維持するためには厚みを1μ
程度以下に抑える必要があり、この程度の厚みで
は、金属箔上に完全な絶縁層を形成させることは
困難である。又形成できたとしても絶縁層の表面
は金属箔の表面状態を映して一般に表面粗度が大
で、薄膜光起電力素子を形成させるのに適した平
滑度にならない。
の場合は、可撓性を維持するためには厚みを1μ
程度以下に抑える必要があり、この程度の厚みで
は、金属箔上に完全な絶縁層を形成させることは
困難である。又形成できたとしても絶縁層の表面
は金属箔の表面状態を映して一般に表面粗度が大
で、薄膜光起電力素子を形成させるのに適した平
滑度にならない。
しかして、本発明によれば絶縁層に関するこれ
らの欠点が大幅に改善され、層２ａにより金属箔
上に完全な絶縁層が形成でき同時に表面粗度が金
属箔のそれの数分の１に減少され、又、層２ｂが
あるため、薄膜光起電力素子に対する樹脂の影響
が大いに緩和され、素子の性能及び信頼性が飛躍
的に増大するのである。
らの欠点が大幅に改善され、層２ａにより金属箔
上に完全な絶縁層が形成でき同時に表面粗度が金
属箔のそれの数分の１に減少され、又、層２ｂが
あるため、薄膜光起電力素子に対する樹脂の影響
が大いに緩和され、素子の性能及び信頼性が飛躍
的に増大するのである。
絶縁層２の形成の一例を次に示す。金属箔とし
ては厚み0.1mmのステンレスSUS304（JIS G4306
で規定されている熱間圧延ステンレス鋼帯の種類
名）シートを用いた。層２ａの樹脂としては、ポ
リアミド酸のジメチルアセトアミド溶液（固形分
濃度15％）を用い、クリアランス350μｍのバー
コーターを使用して上記金属箔の清浄な面に塗布
した。塗布後、均熱乾燥器で150℃×30分の指触
乾燥を行つた後、更に300℃×30分で後硬化させ
ポリイミドからなる被膜を形成させた。これを真
空蒸着機にセツトし、金属箔温度を約300℃とし、
真空溶融シリカを蒸発源として電子ビーム蒸着を
行つてSiOx（ｘ≒２）の層２ｂを形成させた。層
２ａの厚みは約20μｍ、層２ｂの厚みは約3000Å
であつた。得られた基板は充分に可撓性を有して
おり、実用的な範囲内で変形させても絶縁層２は
はく離、クラツク等の非可逆的な変化を生じなか
つた。この基板上に下部電極としてステンレス
SUS304をスァパツタ法により約4000Å堆積さ
せ、さらにグロー放電分解法によりｐ，ｉ−ａ−
Si／ｎ−ａ−SiC光起電力素子を堆積させ、さら
に電子ビーム蒸着法によりITOの透明電極を約
1000Å堆積させて可撓性膜薄膜光起電力装置を作
成した。この装置のAMI（100ｍＷ／cm2）下での
性能はJsc＝14.5ｍＡ／cm2、Voc＝0.89V、FF＝
60％、η＝7.74％であつた。
ては厚み0.1mmのステンレスSUS304（JIS G4306
で規定されている熱間圧延ステンレス鋼帯の種類
名）シートを用いた。層２ａの樹脂としては、ポ
リアミド酸のジメチルアセトアミド溶液（固形分
濃度15％）を用い、クリアランス350μｍのバー
コーターを使用して上記金属箔の清浄な面に塗布
した。塗布後、均熱乾燥器で150℃×30分の指触
乾燥を行つた後、更に300℃×30分で後硬化させ
ポリイミドからなる被膜を形成させた。これを真
空蒸着機にセツトし、金属箔温度を約300℃とし、
真空溶融シリカを蒸発源として電子ビーム蒸着を
行つてSiOx（ｘ≒２）の層２ｂを形成させた。層
２ａの厚みは約20μｍ、層２ｂの厚みは約3000Å
であつた。得られた基板は充分に可撓性を有して
おり、実用的な範囲内で変形させても絶縁層２は
はく離、クラツク等の非可逆的な変化を生じなか
つた。この基板上に下部電極としてステンレス
SUS304をスァパツタ法により約4000Å堆積さ
せ、さらにグロー放電分解法によりｐ，ｉ−ａ−
Si／ｎ−ａ−SiC光起電力素子を堆積させ、さら
に電子ビーム蒸着法によりITOの透明電極を約
1000Å堆積させて可撓性膜薄膜光起電力装置を作
成した。この装置のAMI（100ｍＷ／cm2）下での
性能はJsc＝14.5ｍＡ／cm2、Voc＝0.89V、FF＝
60％、η＝7.74％であつた。
次に、前記アモルフアス半導体を含む光起電力
素子について述べると、この光起電力素子は、シ
ラン若しくはその誘導体、又はフツ化シラン若し
くはその誘導体、又はこれらの混合物のグロー放
電分解で得られる約10-7秒以上のキヤリヤー寿命
で約1017cm-3ev-1以下の局在凖位密度および10-3
cm2／Ｖ以上の易動度をもつ真性アモルフアスシリ
モン（以下、ｉ型ａ−Siという）をｉ層として、
ｐ型とｎ型ドープアモルフアス半導体で接合した
pin接合構造にするわけであるが、好ましくはｐ
層又はｎ層の少なくも一方、すなわち少なくとも
光を照射する側に、光学的バンドギヤツプが約
1.85eV以上でありかつ20℃における電気伝導度
が約10-8（Ω・cm）-1以上であり、かつｐ−ｉ−ｎ
接合した場合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であ
るｐ型又はｎ型アモルフアス半導体を用いるのが
よい。ｐ層とｎ層の両方に用いてもよい。又上記
ｉ型ａ−siをｐ型で用いる場合は周期率表族の
元素でドープし、ｎ型で用いる場合は周期率表Ｖ
族の元素でドープすればよい。さらに、可撓性の
みを必要とする場合はｉ層に用いる真性アモルフ
アスシリコンをボロンやリンでドープしてｐ−ｉ
−ｎホモ接合にしてもよい。
素子について述べると、この光起電力素子は、シ
ラン若しくはその誘導体、又はフツ化シラン若し
くはその誘導体、又はこれらの混合物のグロー放
電分解で得られる約10-7秒以上のキヤリヤー寿命
で約1017cm-3ev-1以下の局在凖位密度および10-3
cm2／Ｖ以上の易動度をもつ真性アモルフアスシリ
モン（以下、ｉ型ａ−Siという）をｉ層として、
ｐ型とｎ型ドープアモルフアス半導体で接合した
pin接合構造にするわけであるが、好ましくはｐ
層又はｎ層の少なくも一方、すなわち少なくとも
光を照射する側に、光学的バンドギヤツプが約
1.85eV以上でありかつ20℃における電気伝導度
が約10-8（Ω・cm）-1以上であり、かつｐ−ｉ−ｎ
接合した場合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であ
るｐ型又はｎ型アモルフアス半導体を用いるのが
よい。ｐ層とｎ層の両方に用いてもよい。又上記
ｉ型ａ−siをｐ型で用いる場合は周期率表族の
元素でドープし、ｎ型で用いる場合は周期率表Ｖ
族の元素でドープすればよい。さらに、可撓性の
みを必要とする場合はｉ層に用いる真性アモルフ
アスシリコンをボロンやリンでドープしてｐ−ｉ
−ｎホモ接合にしてもよい。
前記光起電力素子に用いられるアモルフアス半
導体を具体例で示すと一般式ａ−Si(1-x)C(X)、ａ
−Si(1-y)Ny、ａ−Si(1-x-y)C(X)N(y)等で例示される
アモルフアスシリコンカーバイト、アモルフアス
シリコンナイトライド、アモルフアスシリコンカ
ーボンナイトライド、SiOx（ｘ＜0.3）等があり、
これらはシリコンの水素又はフツ素化合物と炭素
又はチツ素の水素又はフツ素化合物をグロー放電
分解して得られる。その詳細は、本出願人が先に
出願した特許出願、すなわち、ａ−Si(1-x)C(x)に
ついては特願昭56−012313号、ａ−Si(1-y)Nyに
ついては特願昭56−022690号、ａ−Si(1-x)C(X)N(y)
については特願昭56−112572号に夫々記載してい
る。要は光学的にバンドギヤツプが約1.85eV以
上でりかつ20℃における電気伝導度が約10-8
（Ω・cm）-1以上であり、かつｐ−ｉ−ｎ接合した
場合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であるｐ型又
はｎ型アモルフアス半導体を満たすものであれば
いかなるものであつてもよい。
導体を具体例で示すと一般式ａ−Si(1-x)C(X)、ａ
−Si(1-y)Ny、ａ−Si(1-x-y)C(X)N(y)等で例示される
アモルフアスシリコンカーバイト、アモルフアス
シリコンナイトライド、アモルフアスシリコンカ
ーボンナイトライド、SiOx（ｘ＜0.3）等があり、
これらはシリコンの水素又はフツ素化合物と炭素
又はチツ素の水素又はフツ素化合物をグロー放電
分解して得られる。その詳細は、本出願人が先に
出願した特許出願、すなわち、ａ−Si(1-x)C(x)に
ついては特願昭56−012313号、ａ−Si(1-y)Nyに
ついては特願昭56−022690号、ａ−Si(1-x)C(X)N(y)
については特願昭56−112572号に夫々記載してい
る。要は光学的にバンドギヤツプが約1.85eV以
上でりかつ20℃における電気伝導度が約10-8
（Ω・cm）-1以上であり、かつｐ−ｉ−ｎ接合した
場合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であるｐ型又
はｎ型アモルフアス半導体を満たすものであれば
いかなるものであつてもよい。
これらのアモルフアス半導体は光学的バンドギ
ヤツプが大きくその為に、ｐ−ｉ−ｎ接合光起電
力素子の窓材料として用いる短絡電流Jscの増加
は当然考えられるが、いずれの場合も非常に大き
な開放電圧Vocを示す。これは第２図に示すバン
ドプロフアイルの拡散電位Vdとその素子の開放
電圧に相関のある事を見い出したから、そのよう
に言えるのである。なお、上記のように、拡散電
位Vdは約1.1volts以上であるとしているが、この
ような関係は光照射する側のアモルフアス半導体
の種類に関係なくほぼ同一の傾向を示している。
ヤツプが大きくその為に、ｐ−ｉ−ｎ接合光起電
力素子の窓材料として用いる短絡電流Jscの増加
は当然考えられるが、いずれの場合も非常に大き
な開放電圧Vocを示す。これは第２図に示すバン
ドプロフアイルの拡散電位Vdとその素子の開放
電圧に相関のある事を見い出したから、そのよう
に言えるのである。なお、上記のように、拡散電
位Vdは約1.1volts以上であるとしているが、この
ような関係は光照射する側のアモルフアス半導体
の種類に関係なくほぼ同一の傾向を示している。
なお、この拡散電位は光照射する側のアモルフ
アス半導体の光学的バンドギヤツプEg.optから
ｐ，ｎドープ層の活性化エネルギーの和を差し引
く事によつて得られる。すなわち、第２図に示す
ように、ｎ側の伝導帯のエネルギーレベルEcn、
ｐ側の価電子帯のエネルギーレベルをEvpとし
て、電気伝導度の温度依存性から活性化エネルギ
ー△Epと△Enが求められる。ｐ型の場合△Ep＝
Ef−Evp、ｎ型の場合△En＝Ecn−EfでeVd＝
Eg.opt−（△Ep＋En）である。ｎ側から光照射す
る場合も同様にｎ型アモルフアス半導体の光学的
バンドギヤツプEg.optからｐ、ｎのフエルミレベ
ルEfの差を差し引いて求められる。
アス半導体の光学的バンドギヤツプEg.optから
ｐ，ｎドープ層の活性化エネルギーの和を差し引
く事によつて得られる。すなわち、第２図に示す
ように、ｎ側の伝導帯のエネルギーレベルEcn、
ｐ側の価電子帯のエネルギーレベルをEvpとし
て、電気伝導度の温度依存性から活性化エネルギ
ー△Epと△Enが求められる。ｐ型の場合△Ep＝
Ef−Evp、ｎ型の場合△En＝Ecn−EfでeVd＝
Eg.opt−（△Ep＋En）である。ｎ側から光照射す
る場合も同様にｎ型アモルフアス半導体の光学的
バンドギヤツプEg.optからｐ、ｎのフエルミレベ
ルEfの差を差し引いて求められる。
しかして、上記した光起電力素子としてｐ−ｉ
−ｎヘテロ接合素子を用いた場合は、少なくとも
光入射側のドープ層にEg.optが約1.85eV以上の
材料を用い、pin接合のVdが約１，1volts以上と
なるものであると、JscとVocが著しく改善され、
好ましいものである。さらに光入射側のドープ側
を室温での電気伝導度が10-8（Ω・cm）-1以上とす
ることで、フイルフアクターFFが小さくならず、
変換効率を実用的にすることができる。
−ｎヘテロ接合素子を用いた場合は、少なくとも
光入射側のドープ層にEg.optが約1.85eV以上の
材料を用い、pin接合のVdが約１，1volts以上と
なるものであると、JscとVocが著しく改善され、
好ましいものである。さらに光入射側のドープ側
を室温での電気伝導度が10-8（Ω・cm）-1以上とす
ることで、フイルフアクターFFが小さくならず、
変換効率を実用的にすることができる。
このような、ヘテロ接合光電素子について具体
的に説明すると、次の通りである。第１図ａに示
す構造では、透明電極７はITOやSnO2特にSnO2
が好ましく、ｐ型アモルフアス半導体上に直接蒸
着して得られる。又ITOとｐ型アモルフアス半導
体の界面に30〜500ÅのSnO2をつけると更に好ま
しい。光を照射する側のｐ型アモルフアス半導体
層の厚みは約30Åから300Å好ましくは50Åから
200Å、ｉ型ａ−Si層の厚みは特に限定されない
が約2500〜10000Åが用いられる。ｎ型ａ−Si層
の厚みも特に限定されないが約150Å〜600Åが用
いられる。この構造のヘテロ接合光起電力素子と
一般的なアモルフアスシリコンｐ−ｉ−ｎ−ホモ
接合の特性を第３図に示す。
的に説明すると、次の通りである。第１図ａに示
す構造では、透明電極７はITOやSnO2特にSnO2
が好ましく、ｐ型アモルフアス半導体上に直接蒸
着して得られる。又ITOとｐ型アモルフアス半導
体の界面に30〜500ÅのSnO2をつけると更に好ま
しい。光を照射する側のｐ型アモルフアス半導体
層の厚みは約30Åから300Å好ましくは50Åから
200Å、ｉ型ａ−Si層の厚みは特に限定されない
が約2500〜10000Åが用いられる。ｎ型ａ−Si層
の厚みも特に限定されないが約150Å〜600Åが用
いられる。この構造のヘテロ接合光起電力素子と
一般的なアモルフアスシリコンｐ−ｉ−ｎ−ホモ
接合の特性を第３図に示す。
この図においてａが前記ヘテロ接合光起電力素
子の場合で効率η＝7.82％、短絡電流Jsc＝
13.76mA／cm2、開放電圧Voc＝0.903volts，FF＝
62.9％を示す。ｂが従来のホモ接合の場合で、効
率η＝5.7％、Jsc＝11.02mA／cm2、Voc＝
0.801volts、FF＝64.7％である。このように前記
ヘテロ接合光起電力素子では短絡電流Jscと開放
電圧Vocに特に顕著な効果がみられる。
子の場合で効率η＝7.82％、短絡電流Jsc＝
13.76mA／cm2、開放電圧Voc＝0.903volts，FF＝
62.9％を示す。ｂが従来のホモ接合の場合で、効
率η＝5.7％、Jsc＝11.02mA／cm2、Voc＝
0.801volts、FF＝64.7％である。このように前記
ヘテロ接合光起電力素子では短絡電流Jscと開放
電圧Vocに特に顕著な効果がみられる。
もう１つの代表的な構造である第１図ｂのタイ
プでは、光を照射する側のｎ型アモルフアス半導
体の厚みは約30Åから300Å好ましくは50Å〜200
Å、ｉ型ａ−si層の厚みは限定されないが約2500
Å〜10000Åが通常用いられる。ｐ型ａ−si層の
厚みは限定されないが約150Å〜600Åが用いられ
る。透明電極７の素材及び蒸着法については、第
１図ａのタイプと同様である。
プでは、光を照射する側のｎ型アモルフアス半導
体の厚みは約30Åから300Å好ましくは50Å〜200
Å、ｉ型ａ−si層の厚みは限定されないが約2500
Å〜10000Åが通常用いられる。ｐ型ａ−si層の
厚みは限定されないが約150Å〜600Åが用いられ
る。透明電極７の素材及び蒸着法については、第
１図ａのタイプと同様である。
第４図は本発明に係る可撓性薄膜光起電力装置
の実用的な構造を示し、１１は金属箔、１２は絶
縁膜で１３，１４，１５は該絶縁基板上に膜状に
形成された第１、第２、第３の発電区域である。
の実用的な構造を示し、１１は金属箔、１２は絶
縁膜で１３，１４，１５は該絶縁基板上に膜状に
形成された第１、第２、第３の発電区域である。
発電区域の各々はホモ接合又はヘテロ接合層１
６と該層を挟んで対向する第１電極１７及び第２
電極１８から構成されている。ホモ接合又はヘテ
ロ接合層１６は図示していないが例えば第１図ｂ
の構造と同様に基板側から順次堆積されたｐ型
層、ノンドープ層（ｉ層）及びｎ型層のホモ接合
又はヘテロ接合層からなり、斯るホモ接合又はヘ
テロ接合層１６は第１〜第３の発電区域に連続し
て延びている。
６と該層を挟んで対向する第１電極１７及び第２
電極１８から構成されている。ホモ接合又はヘテ
ロ接合層１６は図示していないが例えば第１図ｂ
の構造と同様に基板側から順次堆積されたｐ型
層、ノンドープ層（ｉ層）及びｎ型層のホモ接合
又はヘテロ接合層からなり、斯るホモ接合又はヘ
テロ接合層１６は第１〜第３の発電区域に連続し
て延びている。
第１電極１７はｎ型層をオーミツク接触する金
属又は酸化錫、酸化インジウム、ITO（In2O3＋
xSnO2、ｘ≦0.1）などで構成することができる
が、ITOの上に50〜500ÅのSnO2をつけたものが
特に好ましい。第２電極１８は透明な酸化錫
In2O3、ITO又はSnO2の上にITOをつけた電極な
どで構成される。第１〜第３発電区域１３〜１５
の夫々の第１電極１７及び第２電極１８は基板上
において夫々の発電区域の外へ延びる延長部１９
及び２０を有し、第１発電区域１３の第２電極１
８の延長部２０と第２発電区域１４の第１電極１
７の延長部１９とが、又第２発電区域１４の第２
電極１８の延長部２０と第３発電区域１５の第１
電極１７の延長部１９とが夫々互いに重畳して電
気的に接続されている。又第１発電区域１３の第
１電極１７の延長部１９には第２電極１８と同材
料からなる接続部２１が重畳被着されている。な
お２１はなくてもよい。
属又は酸化錫、酸化インジウム、ITO（In2O3＋
xSnO2、ｘ≦0.1）などで構成することができる
が、ITOの上に50〜500ÅのSnO2をつけたものが
特に好ましい。第２電極１８は透明な酸化錫
In2O3、ITO又はSnO2の上にITOをつけた電極な
どで構成される。第１〜第３発電区域１３〜１５
の夫々の第１電極１７及び第２電極１８は基板上
において夫々の発電区域の外へ延びる延長部１９
及び２０を有し、第１発電区域１３の第２電極１
８の延長部２０と第２発電区域１４の第１電極１
７の延長部１９とが、又第２発電区域１４の第２
電極１８の延長部２０と第３発電区域１５の第１
電極１７の延長部１９とが夫々互いに重畳して電
気的に接続されている。又第１発電区域１３の第
１電極１７の延長部１９には第２電極１８と同材
料からなる接続部２１が重畳被着されている。な
お２１はなくてもよい。
しかして、第４図に示す装置の製造方法を簡単
に説明すると、その第１工程で基板（11＋12）上
に延長部１９を含んだ第１電極１７の各々が選択
エツチング手法又は選択スパツタ又は蒸着付着手
法により形成され、第２工程で第１〜第３発電区
域に連続してホモ又はヘテロ接合層１６が形成さ
れる。このとき、該層は上記延長部１９，２０に
存在してはならないので、基板１２上全面に上記
ホモ又はヘテロ接合層を形成し後、選択エツチン
グ手法により不要部を除去するか、あるいは不要
部を覆うマスクを用いることにより所望部のみに
上記ホモ又はヘテロ接合層が形成される。続く最
終工程において延長部２０を含む第２電極１８及
び接続部２１が選択スパツタ又は蒸着手法などに
より形成される。そして、第２電極１８を介して
光がホモ又はヘテロ接合層１６に入ると、第１〜
第３発電区域１３〜１５の夫々において第１図の
場合と同様に起電圧が生じ、各区域の第１、第２
電極１７，１８はその延長部において交互に接続
されているので各区域の起電圧は直列的に相加さ
れ、第１発電区域１３に連なる接続部２１を＋
極、第３発電区域１５の第２電極１８に連なる延
長部を−極として両極の間に上記の如く相加され
た電圧が発生する。
に説明すると、その第１工程で基板（11＋12）上
に延長部１９を含んだ第１電極１７の各々が選択
エツチング手法又は選択スパツタ又は蒸着付着手
法により形成され、第２工程で第１〜第３発電区
域に連続してホモ又はヘテロ接合層１６が形成さ
れる。このとき、該層は上記延長部１９，２０に
存在してはならないので、基板１２上全面に上記
ホモ又はヘテロ接合層を形成し後、選択エツチン
グ手法により不要部を除去するか、あるいは不要
部を覆うマスクを用いることにより所望部のみに
上記ホモ又はヘテロ接合層が形成される。続く最
終工程において延長部２０を含む第２電極１８及
び接続部２１が選択スパツタ又は蒸着手法などに
より形成される。そして、第２電極１８を介して
光がホモ又はヘテロ接合層１６に入ると、第１〜
第３発電区域１３〜１５の夫々において第１図の
場合と同様に起電圧が生じ、各区域の第１、第２
電極１７，１８はその延長部において交互に接続
されているので各区域の起電圧は直列的に相加さ
れ、第１発電区域１３に連なる接続部２１を＋
極、第３発電区域１５の第２電極１８に連なる延
長部を−極として両極の間に上記の如く相加され
た電圧が発生する。
又上記装置において、各発電区域の隣接間隔が
小さいと、隣り合う区域の第１電極１７どうし、
あるいは第２電極１８どうしの間で直接電流が流
れる現象、即ち漏れ電流の発生が認められるがホ
モ又はヘテロ接合層１６の光射時の抵抗値が数〜
数＋MΩであることを考慮すると、上記隣接間隔
を1μｍ以上に設定することにより、上記漏れ電
流の影響は実質的に問題とならない。必要により
ホモ又はヘテロ接合光起電力素子層１６を各発電
区域に分離して形成され、裏面電極と隣接する受
光側電極とを直列に接続してもよい。又実用に供
する場合には第２電極側から密着包囲する透明な
高分子絶縁膜又は、Sio2、ａ−SiC、ａ−SiN、
ａ−SiCN等の透明な絶縁膜を設けて保護するの
がよい。
小さいと、隣り合う区域の第１電極１７どうし、
あるいは第２電極１８どうしの間で直接電流が流
れる現象、即ち漏れ電流の発生が認められるがホ
モ又はヘテロ接合層１６の光射時の抵抗値が数〜
数＋MΩであることを考慮すると、上記隣接間隔
を1μｍ以上に設定することにより、上記漏れ電
流の影響は実質的に問題とならない。必要により
ホモ又はヘテロ接合光起電力素子層１６を各発電
区域に分離して形成され、裏面電極と隣接する受
光側電極とを直列に接続してもよい。又実用に供
する場合には第２電極側から密着包囲する透明な
高分子絶縁膜又は、Sio2、ａ−SiC、ａ−SiN、
ａ−SiCN等の透明な絶縁膜を設けて保護するの
がよい。
以上の説明より明らかな如く、本発明によれ
ば、電気絶縁性膜が２層以上の層構造であり、光
起電力素子に接する側が無機物又は有機金属化合
物からなる層であるので、樹脂からなる絶縁層か
らの脱ガスによる光起電力素子物性に対する悪影
響を防止することができ、また金属箔に接する部
分が耐熱性を有する樹脂からなる絶縁層であるの
で、可撓性を維持したままで金属箔上に完全な絶
縁層が形成でき、同時に表面精度が金属箔のそれ
の数分の１に減少できる。従つて、極めて実用性
が高く効率のよい可撓性薄膜光起電力装置を提供
することができる。
ば、電気絶縁性膜が２層以上の層構造であり、光
起電力素子に接する側が無機物又は有機金属化合
物からなる層であるので、樹脂からなる絶縁層か
らの脱ガスによる光起電力素子物性に対する悪影
響を防止することができ、また金属箔に接する部
分が耐熱性を有する樹脂からなる絶縁層であるの
で、可撓性を維持したままで金属箔上に完全な絶
縁層が形成でき、同時に表面精度が金属箔のそれ
の数分の１に減少できる。従つて、極めて実用性
が高く効率のよい可撓性薄膜光起電力装置を提供
することができる。
第１図ａ，ｂは本発明に係る可撓性薄膜光起電
力装置の構成例を示し、同図ａはｐ層側から光を
照射するタイプを示す構造図、同図ｂはｎ層側か
ら光を照射するタイプを示す構造図、第２図は本
発明に係る可撓性薄膜光起電力装置における光電
力素子の物性を説明するエネルギーバンド図、第
３図は本発明に係る可撓性薄膜光起電力装置にお
ける光起電力素子ａとａ−Si ｐ−ｉ−ｎ−ホモ
接合起電力素子ｂのAM−１（100mW／cm2）の電
流電圧特性を示す図、第４図Ａは本実施例装置の
実用的な構造を示す側面図、同Ｂ及びＣは夫々同
ＡにおけるＢ−Ｂ及びＣ−Ｃ断面図である。 １……金属箔、２……絶縁層、２ａ……樹脂か
らなる層、２ｂ……無機物又は有機金属化合物か
らなる層、３……下部電極、４……ｎ型アモルフ
アス半導体、５……ｉ型ａ−Si、６……ｐ型アモ
ルフアス半導体、７……透明電極。
力装置の構成例を示し、同図ａはｐ層側から光を
照射するタイプを示す構造図、同図ｂはｎ層側か
ら光を照射するタイプを示す構造図、第２図は本
発明に係る可撓性薄膜光起電力装置における光電
力素子の物性を説明するエネルギーバンド図、第
３図は本発明に係る可撓性薄膜光起電力装置にお
ける光起電力素子ａとａ−Si ｐ−ｉ−ｎ−ホモ
接合起電力素子ｂのAM−１（100mW／cm2）の電
流電圧特性を示す図、第４図Ａは本実施例装置の
実用的な構造を示す側面図、同Ｂ及びＣは夫々同
ＡにおけるＢ−Ｂ及びＣ−Ｃ断面図である。 １……金属箔、２……絶縁層、２ａ……樹脂か
らなる層、２ｂ……無機物又は有機金属化合物か
らなる層、３……下部電極、４……ｎ型アモルフ
アス半導体、５……ｉ型ａ−Si、６……ｐ型アモ
ルフアス半導体、７……透明電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属箔上に電気絶縁性層を設けた可撓性基板
上に、アモルフアス半導体を含む光起電力素子を
形成させた薄膜光起電力装置において、該電気絶
縁性層が２層以上の層構造であつて金属箔に接す
る部分が耐熱性を有する樹脂からなる層であり、
光起電力素子に接する側が無機物又は有機金属化
合物からなる層であることを特徴とする可撓性薄
膜光起電力装置。 ２ 前記光起電力素子がｐ−ｉ−ｎ接合素子であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
可撓性薄膜光起電力装置。 ３ 前記ｐ−ｉ−ｎ接合素子が、該素子のｐ又は
ｎ型の少なくとも光照射する側の半導体の光学的
バンドギヤツプEg.optが1.85eV以上であり、か
つ20℃における電気伝導度が10-8（Ω・cm）-1以上
であり、かつｐ−ｉ−ｎ接合の拡散電位が
1.1volts以上であつて、ｉ層が真性アモルフアス
シリコンであるホモ又はヘテロ接合光起電力素子
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の可撓性薄膜光起電力装置。 ４ 前記基板の電気絶縁性層の各層が、10-7
（Ω・cm）-1以下の電気伝導度を有する材料からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項の内のいずれかに記載の可撓性薄膜光起電力
装置。 ５ 前記電気絶縁性層に用いる樹脂がポリイミ
ド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリヒダン
トイン、ポリパラバニツク酸、ポリｐ−キシリレ
ン、シリコーン又は環化ポリブタジエンの少なく
とも一種を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第４項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。 ６ 前記電気絶縁性層に用いる無機質が、
TiOx、SiOx、Al2O3又はアモルフアス若しくは
結晶性のSi(l-x) C(x)、Si(l-y) N(y)、Si(l-x-y)
CxNy又はａ−Siから選ばれることを特徴とする
特許請求の範囲第４項又は第５項に記載の可撓性
薄膜光起電力装置。 ７ 前記電気絶縁性層の厚みが1000Åから100μ
ｍである事を特徴とする特許請求の範囲第４項乃
至第６項の内のいずれかに記載の可撓性薄膜光起
電力装置。 ８ 前記可撓性基板上に１個以上の発電区域が形
成され、各区域は前記光起電力素子の層と、光照
射で発生した電子及び／又は正孔を集める集電手
段とを含み、上記各区域の集電手段は各区域にお
ける光起電力が直列関係になるように互いに電気
的に接続されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第７項の内のいずれかに記載の可
撓性薄膜光起電力装置。 ９ 前記光起電力素子の層が前記発電区域の各々
に共通に連つている事を特徴とする特許請求の範
囲第８項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。 １０ 前記光起電力素子の層が前記各発電区域上
に分離して形成され裏面電極と隣接する受光側電
極が直列に接続される事を特徴とする特許請求の
範囲第８項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。 １１ 前記各発電区域の集電手段相互間の電気的
接続は上記基板上にてなされている事を特徴とす
る特許請求の範囲第８項乃至第１０項の内のいず
れかに記載の可撓性薄膜光起電力装置。 １２ 前記集電手段の要素である第１電極、ホモ
又はヘテロ接合光起電力素子の集電手段の他の要
素である第２電極の形成後に該第２電極側から密
着包囲する高分子絶縁膜を設けてある事を特徴と
する特許請求の範囲第８項乃至第１１項の内のい
ずれかに記載の可撓性薄膜光起電力装置。 １３ 前記光照射によつて発生した電子及び／又
は正孔の集電手段は、少なくとも光照射側が透明
の電極である事を特徴とする特許請求の範囲第８
項乃至第１２項の内のいずれかに記載の可撓性薄
膜光起電力装置。 １４ 前記透明電極が、ITO若しくはSnO2、又
はITO及び該ITOとホモ又はヘテロ接合光起電力
素子の層との界面に50〜500ÅのSnO2をはさんだ
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
３項に記載の可撓性薄膜光起電力装置。 １５ 前記光起電力装置において、電気絶縁性層
の上に設ける電極が、Al、ステンレス、モリブ
デン、Pt、Au、Ag、Niの少なくとも一種以上
からなることを特徴とする特許請求の範囲第８項
乃至第１４項の内のいずれかに記載の可撓性薄膜
光起電力装置。 １６ 前記可撓性薄膜光起電力装置が、主として
室内で使用される携帯可能な小型電子装置の電源
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第１５項の内のいずれかに記載の可撓性薄膜光
起電力装置。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060109A JPS58176977A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 可撓性薄膜光起電力装置 |
| EP82110122A EP0078541B1 (en) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Flexible photovoltaic device |
| EP89111929A EP0341756B2 (en) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Flexible photovoltaic device |
| DE3280455T DE3280455T3 (de) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Biegsame photovoltaische Vorrichtung. |
| DE8282110122T DE3280293D1 (de) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Biegsame photovoltaische einrichtung. |
| US06/439,627 US4612409A (en) | 1981-11-04 | 1982-11-04 | Flexible photovoltaic device |
| US06/835,717 US4773942A (en) | 1981-11-04 | 1986-03-03 | Flexible photovoltaic device |
| US07/202,608 US4875943A (en) | 1981-11-04 | 1988-06-06 | Flexible photovoltaic device |
| US07/652,492 US5127964A (en) | 1981-11-04 | 1991-02-08 | Flexible photovoltaic device |
| US08/192,304 US5419781A (en) | 1981-11-04 | 1994-02-04 | Flexible photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060109A JPS58176977A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 可撓性薄膜光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176977A JPS58176977A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0481350B2 true JPH0481350B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=13132609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060109A Granted JPS58176977A (ja) | 1981-11-04 | 1982-04-09 | 可撓性薄膜光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176977A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135748U (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-18 | ||
| JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
| DE69132358T2 (de) * | 1990-05-07 | 2000-12-28 | Canon Kk | Solarzelle |
| JP4865119B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2012-02-01 | 日新製鋼株式会社 | 耐熱性に優れた太陽電池用絶縁基板及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP57060109A patent/JPS58176977A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58176977A (ja) | 1983-10-17 |
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