JPS62154788A - 集積型太陽電池 - Google Patents
集積型太陽電池Info
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- JPS62154788A JPS62154788A JP60294688A JP29468885A JPS62154788A JP S62154788 A JPS62154788 A JP S62154788A JP 60294688 A JP60294688 A JP 60294688A JP 29468885 A JP29468885 A JP 29468885A JP S62154788 A JPS62154788 A JP S62154788A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野]
木光明は、人V@電池に係り、特に、集積型太陽電池に
関する。
関する。
[従来技術およびその問題点]
半導体の光起電力効宋を利用して、光1ネルギーを直接
電気エネルギーに変換する太1Ij3電池は、少資源国
である戊が国では、その有効利用が注目されているデバ
イスである。
電気エネルギーに変換する太1Ij3電池は、少資源国
である戊が国では、その有効利用が注目されているデバ
イスである。
太陽電池は、光1ネルギーを有効に変換づるために
(1)光エネルギーを半導体部(光電変換部)に有効に
導き入れること。
導き入れること。
(2)光キ1?リアの生成。
(3)内部電界による光生成キ↑・リアの分極。
(/l)分極キτ!リアの有効な収集。
の4つの基本的機能を面えていることが必要rある。
通1δ、太陽電池では光“本変換層を2つの電極で挟ん
だ構造がとられるが、2つの電極のうら尤の入射方向側
に配置される電極は、透光性の導電膜で形成8れる。こ
の透光性の導電膜は、透光性を維持するためには、幼く
形成されなりればならないが、薄く形成されると太陽電
池の人面積化が進むにつれで、電極そのものの抵抗が人
さくなり、集電効率が低下づるという問題がありlこ。
だ構造がとられるが、2つの電極のうら尤の入射方向側
に配置される電極は、透光性の導電膜で形成8れる。こ
の透光性の導電膜は、透光性を維持するためには、幼く
形成されなりればならないが、薄く形成されると太陽電
池の人面積化が進むにつれで、電極そのものの抵抗が人
さくなり、集電効率が低下づるという問題がありlこ。
そこで、狛聞昭56−130977 S′i公報にも記
載されているように、透光性の導電膜トに良導電性力?
1からなるくし形の集電用電極(グリッド電極)を形成
する構造がR案されている。
載されているように、透光性の導電膜トに良導電性力?
1からなるくし形の集電用電極(グリッド電極)を形成
する構造がR案されている。
このようなnfl造では電力取り出し部による抵抗は小
さくなるが、集電用電極の存在ηる部分は(入射光量の
減衰にJ、す)太11X!電池として助かないため、受
光面積がその分たり小さくなり、特に、電力取り出し用
の帯上部の存在は光の有効利用という観貞でtよ、大き
な問題となっている。この問題は集電用電極の形状の最
適化をはかることにより多少の改善は可能であるが、根
本的に解決りるのはIAI九であった。
さくなるが、集電用電極の存在ηる部分は(入射光量の
減衰にJ、す)太11X!電池として助かないため、受
光面積がその分たり小さくなり、特に、電力取り出し用
の帯上部の存在は光の有効利用という観貞でtよ、大き
な問題となっている。この問題は集電用電極の形状の最
適化をはかることにより多少の改善は可能であるが、根
本的に解決りるのはIAI九であった。
このような問題点を解決すべく、本発明者らは透光性の
表面電極と1面電極とによって光電変換層を侠/νだ太
陽電池において、太陽電池の表面すなわち光の入射方向
の反対側に絶縁層を介して集電用電極を形成すると共に
、この電極を前記表面電極と電気的に接続するようにし
た構造を掟案じている。(特願60−126/175号
)すなわちこの太陽電池では、各部で発生した電流は、
例えば透光性の表面電極から、光電変換層を越えて裏面
に形成されている集電用電極に導かれ、太陽電池の裏面
側で電流の取り出しが(1なわれる。
表面電極と1面電極とによって光電変換層を侠/νだ太
陽電池において、太陽電池の表面すなわち光の入射方向
の反対側に絶縁層を介して集電用電極を形成すると共に
、この電極を前記表面電極と電気的に接続するようにし
た構造を掟案じている。(特願60−126/175号
)すなわちこの太陽電池では、各部で発生した電流は、
例えば透光性の表面電極から、光電変換層を越えて裏面
に形成されている集電用電極に導かれ、太陽電池の裏面
側で電流の取り出しが(1なわれる。
従って、有効電池面積が大幅に向上づ゛る上、集電用電
極の面積を大きくとることができるため電力損失ら低減
される。
極の面積を大きくとることができるため電力損失ら低減
される。
どころC1人重重fを必要どづるようなデバイスでは、
上述の如き太陽電池を複数個直列接続して使用すること
がある。
上述の如き太陽電池を複数個直列接続して使用すること
がある。
このJ、うな場合、通常、プリントJS板等の配線パタ
ーンを貝えた基板上に、複数個の太陽電池を載置し、ワ
イA1 jlcンj′イング法−qによって接続すると
いうh法がとられていた。
ーンを貝えた基板上に、複数個の太陽電池を載置し、ワ
イA1 jlcンj′イング法−qによって接続すると
いうh法がとられていた。
しかしながら、実装工程が複雑である上、デバイスが大
型化するどいつ不都合があった。
型化するどいつ不都合があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたちのぐ、小型で、
電力損失の少ない、大電圧型の太陽電池を捉供すること
を目的とする。
電力損失の少ない、大電圧型の太陽電池を捉供すること
を目的とする。
E問題点を解決するための手段1
そこで木光明では、同一・基板」ニに、透光性の表面電
極と裏面電極とによっで光電変換層を挟んだ複数個の太
陽電池を配設置るど共に、各太陽電池の裏面電極の裏面
側に、絶縁層を介しで集電用電極を配設し、この各集電
用電極をIiu記各表面電極に第1のスルーホールを介
して電気的に接続すると共に、隣接する一方の太陽電池
の裏面電極に対し第2のスルーホールを介して電気的に
接続し、隣接覆る2つの太陽電池が集電用電極を介して
直列接続されるようにしている。
極と裏面電極とによっで光電変換層を挟んだ複数個の太
陽電池を配設置るど共に、各太陽電池の裏面電極の裏面
側に、絶縁層を介しで集電用電極を配設し、この各集電
用電極をIiu記各表面電極に第1のスルーホールを介
して電気的に接続すると共に、隣接する一方の太陽電池
の裏面電極に対し第2のスルーホールを介して電気的に
接続し、隣接覆る2つの太陽電池が集電用電極を介して
直列接続されるようにしている。
[作用J
づなわち、かかる構成によれば同一基板上に多′vi個
の太陽電池が形成され、これらの隣接する太vJA電池
の透光性の表面電極と裏面電極との間が集電電極によっ
て電気的に接続されることにより、各太陽電池は直列接
続され、電力損失の少ない大電圧型の太陽電池とげるこ
とがCきる。
の太陽電池が形成され、これらの隣接する太vJA電池
の透光性の表面電極と裏面電極との間が集電電極によっ
て電気的に接続されることにより、各太陽電池は直列接
続され、電力損失の少ない大電圧型の太陽電池とげるこ
とがCきる。
[実施例J
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ訂綱に
説明1する。
説明1する。
第1図(a ) +3 にび(b)は、本発明実施例の
集積型の太fPA電池を示1ノ図である。(第1図(a
>は第1図(1))のA−A断面図である。)口の太陽
電池は、ガラス基板1上に所定の間隔を+3いて配列さ
れた酸化インジウム錫(ITO>層からなる透光性の第
1乃至第3の裏面電極2a。
集積型の太fPA電池を示1ノ図である。(第1図(a
>は第1図(1))のA−A断面図である。)口の太陽
電池は、ガラス基板1上に所定の間隔を+3いて配列さ
れた酸化インジウム錫(ITO>層からなる透光性の第
1乃至第3の裏面電極2a。
2b、2cど、該表面電極を1fllむように大々8I
J層uしめられた、水素化ア〔ルフフ1スシリコン層か
らなる第1乃至第3の光電変換層3a、3b、3Cと、
各光電変換層の上層に夫々積層せしめられたアルミニウ
t\囮からなる第1乃至第3の裏面電極4a、/Ib、
4Cと、この上層を被覆するように形成され)ζ窒化シ
リコン膜からなる絶縁層5と、更にこの、し層に6第1
乃至第3の裏面電極4a。
J層uしめられた、水素化ア〔ルフフ1スシリコン層か
らなる第1乃至第3の光電変換層3a、3b、3Cと、
各光電変換層の上層に夫々積層せしめられたアルミニウ
t\囮からなる第1乃至第3の裏面電極4a、/Ib、
4Cと、この上層を被覆するように形成され)ζ窒化シ
リコン膜からなる絶縁層5と、更にこの、し層に6第1
乃至第3の裏面電極4a。
4b、4cの間にかかるように形成された第1乃〒第3
の集電用?fi41に6a、6F)、60とから構成さ
れており、該第1の集電用電極は、第1のスルーホール
7aJjJ、び第2のスルー小−ル7bを介して人々+
’+7r記第1の表面電極2aおよび前記第2の裏面電
極4bに接続uしめられ、第2の東電用電41ii6b
は、第3のスルーホール7Cお+5び第4のスルーホー
ル7dを介しC人々第2の表面電極2bおよび前記第3
の裏面電極/′ICにPtL続せしめられ、更に、第3
の集電用電極6Cは、第5のスルーホール7eを介して
第3の表面型4Ii!2Gに接続せしめられ、3個の小
太陽電池a、b、cが直列接続された#Iffmとなっ
ている。
の集電用?fi41に6a、6F)、60とから構成さ
れており、該第1の集電用電極は、第1のスルーホール
7aJjJ、び第2のスルー小−ル7bを介して人々+
’+7r記第1の表面電極2aおよび前記第2の裏面電
極4bに接続uしめられ、第2の東電用電41ii6b
は、第3のスルーホール7Cお+5び第4のスルーホー
ル7dを介しC人々第2の表面電極2bおよび前記第3
の裏面電極/′ICにPtL続せしめられ、更に、第3
の集電用電極6Cは、第5のスルーホール7eを介して
第3の表面型4Ii!2Gに接続せしめられ、3個の小
太陽電池a、b、cが直列接続された#Iffmとなっ
ている。
次に、この太陽電池の製造り法について説明する。
まず、第2図(a)に示J如く、透光性のガラスL(板
1に対し、酸化インジウム95mo1%+酸化錫(Sn
o2)5mo 1%からなるターゲットを用いてスパッ
タリングを行ない、膜厚約10OOΔの酸化インジウム
錫薄膜を形成した後フ4トリソエツヂング法により第1
乃至第3の表面型ff12a、2b、2cをパターニン
グする。この酸化インジウム錫a9膜はシート抵抗が3
0Ω/口であった。
1に対し、酸化インジウム95mo1%+酸化錫(Sn
o2)5mo 1%からなるターゲットを用いてスパッ
タリングを行ない、膜厚約10OOΔの酸化インジウム
錫薄膜を形成した後フ4トリソエツヂング法により第1
乃至第3の表面型ff12a、2b、2cをパターニン
グする。この酸化インジウム錫a9膜はシート抵抗が3
0Ω/口であった。
次いで、第2図(b)に示ず如くモノシラン(si++
4>ガスのグロー欣雷分解法により、水素化アモルファ
スシリコン2層、水木化アしルフ7・スシリ]ン、水素
化アモルファスシリ:1ンNI??Jの314からなる
光電変換層3を形成覆る。そしてアモルファスシリゴコ
ン[ン層、ア[ルフン・スシリコン1層、ア[ルファス
シリー1ンN層の各層の厚さは大々100A、2000
△、50OAどし、1〕層を形成するためのドーパント
としてはジボラン(+32116)、N層を形成覆るだ
めのドーパントとしてはホスフィンIH3)を大々添加
した。
4>ガスのグロー欣雷分解法により、水素化アモルファ
スシリコン2層、水木化アしルフ7・スシリ]ン、水素
化アモルファスシリ:1ンNI??Jの314からなる
光電変換層3を形成覆る。そしてアモルファスシリゴコ
ン[ン層、ア[ルフン・スシリコン1層、ア[ルファス
シリー1ンN層の各層の厚さは大々100A、2000
△、50OAどし、1〕層を形成するためのドーパント
としてはジボラン(+32116)、N層を形成覆るだ
めのドーパントとしてはホスフィンIH3)を大々添加
した。
続いて、電子ビーム蒸着法によりアルミニウム層を形成
した後スクリーン印刷法によりレジストパターン(図示
しず)を形成し、これをマスクとして」ツブングを行な
い、第1.第2.第3の裏面電極とじでのアルミニウム
雷gi4a、 71b、4Cをバターニング覆る。続い
てこの第1.第2゜第3の裏面電極をマスクとして+1
う配光4電体層の1ツチングを行イにい、第7.第2.
第3の光導電体に43a、3b、3cをバターニングす
る。ここで各光電変換層の中央には長手方向に延びる第
1゜第2.第3のスルーホール7a、7c、7cが形成
される。(第2図(C)) この後、第2図(d>に示す如く、スクリーン印刷林に
より前記第1.第2.第3の光電変換層3 diよび第
1.第2.第3の裏面mMfi4 a、 4 b。
した後スクリーン印刷法によりレジストパターン(図示
しず)を形成し、これをマスクとして」ツブングを行な
い、第1.第2.第3の裏面電極とじでのアルミニウム
雷gi4a、 71b、4Cをバターニング覆る。続い
てこの第1.第2゜第3の裏面電極をマスクとして+1
う配光4電体層の1ツチングを行イにい、第7.第2.
第3の光導電体に43a、3b、3cをバターニングす
る。ここで各光電変換層の中央には長手方向に延びる第
1゜第2.第3のスルーホール7a、7c、7cが形成
される。(第2図(C)) この後、第2図(d>に示す如く、スクリーン印刷林に
より前記第1.第2.第3の光電変換層3 diよび第
1.第2.第3の裏面mMfi4 a、 4 b。
4Cを被覆づるように絶縁層としてのポリイミド樹脂膜
5を形成りる。このとさ、裏面?上極側の電極取り出し
部第1.第2.第ご3.第4jjよび第5のスルーホー
ル7a、7b、7c、7d、7cが形成8れる。
5を形成りる。このとさ、裏面?上極側の電極取り出し
部第1.第2.第ご3.第4jjよび第5のスルーホー
ル7a、7b、7c、7d、7cが形成8れる。
そして最後に、電子ビーム蒸着法により、1y−1°)
1μr口のアルミニウム電極からなる第1.第2゜+3
J、び第3の集電用雷KA 6 a 、 6 b 、
fj にを形成して、木光明の太陽゛電池が完成する。
1μr口のアルミニウム電極からなる第1.第2゜+3
J、び第3の集電用雷KA 6 a 、 6 b 、
fj にを形成して、木光明の太陽゛電池が完成する。
この太陽電池では透光性の表面電極のための集電電極を
裏面電極側に絶縁層を介して形成し、表面電極で得られ
た電流をこの集電電極に導くと同1t4に隣接電極の裏
面電極と接続し、各太陽電池を直列接続するようにして
いるため、?:rJ集積化が可能であると共に、太1県
電池の有効面積を大きくすることができ、実効効率を高
め、電力14失が小さく小型で°入電IEの太陽電池を
1!7ることがでさる。
裏面電極側に絶縁層を介して形成し、表面電極で得られ
た電流をこの集電電極に導くと同1t4に隣接電極の裏
面電極と接続し、各太陽電池を直列接続するようにして
いるため、?:rJ集積化が可能であると共に、太1県
電池の有効面積を大きくすることができ、実効効率を高
め、電力14失が小さく小型で°入電IEの太陽電池を
1!7ることがでさる。
なお、上記実施例では、第1図(b)に矢印で″示゛す
如く、例えば第1の表面電極は、第1のスルーホール7
aによって技手方向のほぼ全長を切断され、両端部のみ
がつながっているため、この両端部11.T2で電流集
中が起り、シリーズ抵抗が増大することにより電池特性
が低下uしめられることがある。
如く、例えば第1の表面電極は、第1のスルーホール7
aによって技手方向のほぼ全長を切断され、両端部のみ
がつながっているため、この両端部11.T2で電流集
中が起り、シリーズ抵抗が増大することにより電池特性
が低下uしめられることがある。
そこで第3図に示づ如く、スルーホールを°長手方向で
2つに分所16ようにしてもよい。このとぎ電流には中
央にも流れ込むことがでさ電流集中は防止され、またシ
リーズ抵抗のjfJ大す防止される。この構造の集積型
太陽電池の電池特性を第4図に示づ。(たて軸は電流、
横軸は電圧を承り、、)また、第3図に示した集積型太
陽電池では、表面電極へのコンタクトをとるためのスル
ーホール7a’を2つに分II するようにしたが、そ
れ以、Lでもよく、また、各表面電極のλ【1手方向に
走行1するようにスルーホールを形成1ノーる等、スル
ーホールの形状については適宜変更可能である。
2つに分所16ようにしてもよい。このとぎ電流には中
央にも流れ込むことがでさ電流集中は防止され、またシ
リーズ抵抗のjfJ大す防止される。この構造の集積型
太陽電池の電池特性を第4図に示づ。(たて軸は電流、
横軸は電圧を承り、、)また、第3図に示した集積型太
陽電池では、表面電極へのコンタクトをとるためのスル
ーホール7a’を2つに分II するようにしたが、そ
れ以、Lでもよく、また、各表面電極のλ【1手方向に
走行1するようにスルーホールを形成1ノーる等、スル
ーホールの形状については適宜変更可能である。
更に、実施例では、裏面電極、および東電用電極の形成
に際し、パターンJツチング法を用いているが、メタル
マスクを用いてバターニングするようにしてもよい。
に際し、パターンJツチング法を用いているが、メタル
マスクを用いてバターニングするようにしてもよい。
更にまた、各層のI′11についても、実施例に限定さ
れることなく適宜変更可能である。特に絶縁]〆どじで
はポリイミド樹脂11φ等の有機膜の他、窒化シリコン
膜等の無は膜の使用5 Fil能ひあり、また、集電用
電極についても、蒸?′J膜の他、導体ペーストを使用
りる等の方法も可能である。
れることなく適宜変更可能である。特に絶縁]〆どじで
はポリイミド樹脂11φ等の有機膜の他、窒化シリコン
膜等の無は膜の使用5 Fil能ひあり、また、集電用
電極についても、蒸?′J膜の他、導体ペーストを使用
りる等の方法も可能である。
[効果]
以上説明してきたように、本発明によれば基板−にに複
数個の太陽電池を配設りると共に、各人1髪電池の表面
電極に電気的に接続された集電用電極を隣接げる太陽電
池の表面電極に接続することにより、各太陽電池を直列
接続するようにしているため、高f:梢化が可能となり
、電力損失も小さく、小型かつ大電圧型の集積型入vI
A電池の形成が可能となる。
数個の太陽電池を配設りると共に、各人1髪電池の表面
電極に電気的に接続された集電用電極を隣接げる太陽電
池の表面電極に接続することにより、各太陽電池を直列
接続するようにしているため、高f:梢化が可能となり
、電力損失も小さく、小型かつ大電圧型の集積型入vI
A電池の形成が可能となる。
第1図(a)および(b)は本発明実施例の太陽電池を
示す図(第1図(a)は第1図(b>の△−八面断面図
ある。)、第2図(a)乃f、(d)は、同太陽電池の
製造1程図、第3図は木ツテ明の他の実施例の太1髪電
池を示σ図、第4図は第3図に示した太陽電池の電池特
性を示η図である。 1・・・ガラス基板、2a・・・第1の表面電極、2b
・・・第2の表面電極、2C・・・第3の表面電極、3
a・・・第1の光電変換層、3b・・・第2の光電変換
1閃、3C・・・第3の光電変換層、4a・・・第1の
裏面電極、4b・・・第2の裏面電極、4に・・・第3
の裏面電極、5・・・絶縁層、6a・・・第1の1c電
川電棒、e3 b・・・第2の集電用電極、6C・・・
第2の集電用電極、7a・・・第1のスルーホール、7
b・・・第2のスルーホール、7C・・・第3のスルー
ホール、7d・・・第4のスルーホール、70・・・第
5のスルーホール。 出願人代理人 本 +4 高 久 第1図(Q) TI 第1図(b) 第2図(α) 第2図(b) 第2図(C) 第2図(d)
示す図(第1図(a)は第1図(b>の△−八面断面図
ある。)、第2図(a)乃f、(d)は、同太陽電池の
製造1程図、第3図は木ツテ明の他の実施例の太1髪電
池を示σ図、第4図は第3図に示した太陽電池の電池特
性を示η図である。 1・・・ガラス基板、2a・・・第1の表面電極、2b
・・・第2の表面電極、2C・・・第3の表面電極、3
a・・・第1の光電変換層、3b・・・第2の光電変換
1閃、3C・・・第3の光電変換層、4a・・・第1の
裏面電極、4b・・・第2の裏面電極、4に・・・第3
の裏面電極、5・・・絶縁層、6a・・・第1の1c電
川電棒、e3 b・・・第2の集電用電極、6C・・・
第2の集電用電極、7a・・・第1のスルーホール、7
b・・・第2のスルーホール、7C・・・第3のスルー
ホール、7d・・・第4のスルーホール、70・・・第
5のスルーホール。 出願人代理人 本 +4 高 久 第1図(Q) TI 第1図(b) 第2図(α) 第2図(b) 第2図(C) 第2図(d)
Claims (6)
- (1)基板上に 透光性の表面電極と裏面電極とによつて光電変換層を挟
んだ複数個の太陽電池を配設してなる集積型太陽電池に
おいて、 各太陽電池の裏面電極の裏面側に、各太陽電池に対応す
るように、絶縁層を介して集電用電極を配設すると共に 各集電用電極は第1のスルーホールを介して前記各表面
電極に接触する一方、第2のスルーホールを介して、隣
接する太陽電池の裏面電極に接触することにより、隣接
する2つの太陽電池を直列接続するようにしたことを特
徴とする集積型太陽電池。 - (2)各集電用電極と表面電極との接触をはかるための
第1のスルーホールは、複数個に分断され表面電極の長
手方向に伸延するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載の集積型太陽電池。 - (3)各集電用電極と表面電極との接触をはかるための
第1のスルーホールは、表面電極の長手方向に対して直
交する方向に伸延するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項記載の集積型太陽電池。 - (4)前記光電変換層は、水素化アモルフアスシリコン
層からなることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
乃至第(3)項のいずれかに記載の集積型太陽電池。 - (5)前記表面電極は、酸化インジウム錫(ITO)層
又は酸化錫(SnO_2)層からなることを特徴とする
特許請求の範囲第(4)項記載の集積型太陽電池。 - (6)前記表面電極は、酸化インジウム錫層および酸化
錫層の積層膜からなることを特徴とする特許請求の範囲
第(4)項記載の集積型太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60294688A JPS62154788A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 集積型太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60294688A JPS62154788A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 集積型太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62154788A true JPS62154788A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17811018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60294688A Pending JPS62154788A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 集積型太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62154788A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989004064A1 (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-05 | Glasstech, Inc. | Photovoltaic cell fabrication method and cell and panel made thereby |
JPH021181A (ja) * | 1988-01-20 | 1990-01-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光超電力装置 |
US4981525A (en) * | 1988-02-19 | 1991-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60294688A patent/JPS62154788A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1989004064A1 (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-05 | Glasstech, Inc. | Photovoltaic cell fabrication method and cell and panel made thereby |
US4872925A (en) * | 1987-10-29 | 1989-10-10 | Glasstech, Inc. | Photovoltaic cell fabrication method and panel made thereby |
JPH021181A (ja) * | 1988-01-20 | 1990-01-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光超電力装置 |
US4981525A (en) * | 1988-02-19 | 1991-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
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