JPS60240164A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents

アモルフアス太陽電池

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Publication number
JPS60240164A
JPS60240164A JP59095640A JP9564084A JPS60240164A JP S60240164 A JPS60240164 A JP S60240164A JP 59095640 A JP59095640 A JP 59095640A JP 9564084 A JP9564084 A JP 9564084A JP S60240164 A JPS60240164 A JP S60240164A
Authority
JP
Japan
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electrode
transparent conducting
conducting film
glass substrate
transparent conductive
Prior art date
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Pending
Application number
JP59095640A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Kamaike
蒲池 誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
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Publication of JPS60240164A publication Critical patent/JPS60240164A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ガラス基板上に透明導電膜とアモルファスシ
リコン膜と裏面電極とを積層したアモルファス太陽電池
に関するものである。
従来技術 アモルファス太陽電池はアモルファスシリコン膜を介し
て対向した透明導電膜と裏面電極との面積が大きい程発
生する電流が増加するので、両者の面積を大きくするこ
とによって大電流が得られる。
しかし、透明導電膜は電気伝導度が純金属に比して低い
ので、その面積が大きくなると透明導電膜中を流れる電
流の抵抗が大きくなり、かなりの電力損失が生じる。
このために、従来は第1図に示すようにガラス基板1表
面に小面積の透明導電膜2及びアモルファスシリコン膜
3を多数間隔を置いて設け、各アモルファスシリコン膜
3の裏面に裏面電極4をそれぞれ設けて直列接続し、透
明導電膜2の電力損失を少なくして低電流、高電圧が得
られるようなアモルファスシリコン太陽電池が知られて
いる。
従来技術の問題点 隣接する透明導電膜2.2間にはアモルファスシリコン
膜3と裏面電極4とが介在しているので、透明導電膜2
の幅Bは、それだけ小さくなり、各透明導電膜2の幅B
の合計はガラス基板1の幅よりも小さくなると共に、隣
接する裏面電極4.4間にも隙間Sを設ける必要があり
、太陽電池を形成している有効部分、つまり透明導電膜
2と裏面電極4とのアモルファスシリコン膜3を介して
対向した部分Cの合計はガラス基板1に対して小さくな
るから、太陽電池の面積に比べて発生する電流が少なく
なってしまう。
発明の目的 透明導電膜による電力損失を減少できると共に、太陽電
池の有効電池面積を広げ発生電力を多くすることを目的
とする。
発明の構成 ガラス基板の表面に電極をスクリーン印刷あるいは蒸着
法により形成し、その上に透明導電膜を形成すると共に
、透明導電膜にアモルファスシリコン膜を介在して裏面
電極を設けたもの。
実施例 第2図は全体斜視図であり、ガラス基板10の表面には
導電性物質から成る電極11がプリント印刷あるいは蒸
着法によシ形成され、この電極11はバスバ一部分11
αと複数のグリッド部分11bとによって略くし形とな
り、その上に亘って形成して透明導電膜12と電極11
とをオーミック接触しであると共に、透明導電膜120
表面にはアモルファスシリコン膜13と裏面電極14と
が順次膜けである。
そして、ガラス基板10に太陽光Aを照射し、電極11
と裏面電極14との間で発生電流を得る。
この様であるから、透明導電膜12中に流れる電流を電
極11中に集めて透明導電膜12中に電流が長い距離流
れないようにし、これにより透明導電膜12の相対的抵
抗値を下げて電力損失を低減できる。
また、太陽電池の有効部分、つまりアモルファスシリコ
ン膜12を介して対向する透明導電膜12と裏面電極1
4部分はガラス基板10の面積と同一となるから、電池
の有効部分が増し、発生電力が増加する。
また、電極11はガラス基板10の表面にプリント印刷
あるいは蒸着法によって形成できるから、電極11の形
成が簡単となると共に、電1f11の形状を任意な形状
とすることができる。
次に電極部分の製造方法を説明する。
、第3図に示すように、ガラス基板10の表面に導電性
物質から成る任意形状の電極11をプリント印刷する。
第4図に示すように、ガラス基板100表面に透明導電
膜12を形成して電極11を覆う。
発明の効果 透明導電膜12中を流れる電流を電極11に集めて透明
導電膜12の相対的抵抗値を下けることができるから、
電力損失を低減できる。
太陽電池の有効部分はガラス基板10の面積と同一とな
るから、電池の有効部分が増し、発生電力が増加する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の断面図、第2図は本発明の実施例を示
す全体斜視図、第3図、第4図は電極部分の製造工程を
示す斜視図である。 10はガラス基板、11は電極、12は透明溝を膜、1
3はアモルファスシリコン膜、14は裏面電極。 出願人 株式会社小松製作所 代理人 弁理上米 原 正 章 弁理士浜 本 忠

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラス基板100表面に電極11をスクリーン印刷ある
    いは蒸着法にて形成し、その上に透明導電膜12を形成
    すると共に、透明導電膜12にアモルファスシリコン膜
    13を介在して裏面電極14を設げたことを特徴とする
    アモルファス太陽電池。
JP59095640A 1984-05-15 1984-05-15 アモルフアス太陽電池 Pending JPS60240164A (ja)

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JP59095640A JPS60240164A (ja) 1984-05-15 1984-05-15 アモルフアス太陽電池

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JP59095640A JPS60240164A (ja) 1984-05-15 1984-05-15 アモルフアス太陽電池

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JPS60240164A true JPS60240164A (ja) 1985-11-29

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ID=14143100

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JP59095640A Pending JPS60240164A (ja) 1984-05-15 1984-05-15 アモルフアス太陽電池

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JP (1) JPS60240164A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01140676A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Nippon Denso Co Ltd 半透光性太陽電池
EP1555695A1 (en) * 2004-01-13 2005-07-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device

Cited By (3)

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US7772486B2 (en) 2004-01-13 2010-08-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device

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