JPS60240164A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
- Publication number
- JPS60240164A JPS60240164A JP59095640A JP9564084A JPS60240164A JP S60240164 A JPS60240164 A JP S60240164A JP 59095640 A JP59095640 A JP 59095640A JP 9564084 A JP9564084 A JP 9564084A JP S60240164 A JPS60240164 A JP S60240164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- transparent conducting
- conducting film
- glass substrate
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ガラス基板上に透明導電膜とアモルファスシ
リコン膜と裏面電極とを積層したアモルファス太陽電池
に関するものである。
リコン膜と裏面電極とを積層したアモルファス太陽電池
に関するものである。
従来技術
アモルファス太陽電池はアモルファスシリコン膜を介し
て対向した透明導電膜と裏面電極との面積が大きい程発
生する電流が増加するので、両者の面積を大きくするこ
とによって大電流が得られる。
て対向した透明導電膜と裏面電極との面積が大きい程発
生する電流が増加するので、両者の面積を大きくするこ
とによって大電流が得られる。
しかし、透明導電膜は電気伝導度が純金属に比して低い
ので、その面積が大きくなると透明導電膜中を流れる電
流の抵抗が大きくなり、かなりの電力損失が生じる。
ので、その面積が大きくなると透明導電膜中を流れる電
流の抵抗が大きくなり、かなりの電力損失が生じる。
このために、従来は第１図に示すようにガラス基板１表
面に小面積の透明導電膜２及びアモルファスシリコン膜
３を多数間隔を置いて設け、各アモルファスシリコン膜
３の裏面に裏面電極４をそれぞれ設けて直列接続し、透
明導電膜２の電力損失を少なくして低電流、高電圧が得
られるようなアモルファスシリコン太陽電池が知られて
いる。
面に小面積の透明導電膜２及びアモルファスシリコン膜
３を多数間隔を置いて設け、各アモルファスシリコン膜
３の裏面に裏面電極４をそれぞれ設けて直列接続し、透
明導電膜２の電力損失を少なくして低電流、高電圧が得
られるようなアモルファスシリコン太陽電池が知られて
いる。
従来技術の問題点
隣接する透明導電膜２．２間にはアモルファスシリコン
膜３と裏面電極４とが介在しているので、透明導電膜２
の幅Ｂは、それだけ小さくなり、各透明導電膜２の幅Ｂ
の合計はガラス基板１の幅よりも小さくなると共に、隣
接する裏面電極４．４間にも隙間Ｓを設ける必要があり
、太陽電池を形成している有効部分、つまり透明導電膜
２と裏面電極４とのアモルファスシリコン膜３を介して
対向した部分Ｃの合計はガラス基板１に対して小さくな
るから、太陽電池の面積に比べて発生する電流が少なく
なってしまう。
膜３と裏面電極４とが介在しているので、透明導電膜２
の幅Ｂは、それだけ小さくなり、各透明導電膜２の幅Ｂ
の合計はガラス基板１の幅よりも小さくなると共に、隣
接する裏面電極４．４間にも隙間Ｓを設ける必要があり
、太陽電池を形成している有効部分、つまり透明導電膜
２と裏面電極４とのアモルファスシリコン膜３を介して
対向した部分Ｃの合計はガラス基板１に対して小さくな
るから、太陽電池の面積に比べて発生する電流が少なく
なってしまう。
発明の目的
透明導電膜による電力損失を減少できると共に、太陽電
池の有効電池面積を広げ発生電力を多くすることを目的
とする。
池の有効電池面積を広げ発生電力を多くすることを目的
とする。
発明の構成
ガラス基板の表面に電極をスクリーン印刷あるいは蒸着
法により形成し、その上に透明導電膜を形成すると共に
、透明導電膜にアモルファスシリコン膜を介在して裏面
電極を設けたもの。
法により形成し、その上に透明導電膜を形成すると共に
、透明導電膜にアモルファスシリコン膜を介在して裏面
電極を設けたもの。
実施例
第２図は全体斜視図であり、ガラス基板１０の表面には
導電性物質から成る電極１１がプリント印刷あるいは蒸
着法によシ形成され、この電極１１はバスバ一部分１１
αと複数のグリッド部分１１ｂとによって略くし形とな
り、その上に亘って形成して透明導電膜１２と電極１１
とをオーミック接触しであると共に、透明導電膜１２０
表面にはアモルファスシリコン膜１３と裏面電極１４と
が順次膜けである。
導電性物質から成る電極１１がプリント印刷あるいは蒸
着法によシ形成され、この電極１１はバスバ一部分１１
αと複数のグリッド部分１１ｂとによって略くし形とな
り、その上に亘って形成して透明導電膜１２と電極１１
とをオーミック接触しであると共に、透明導電膜１２０
表面にはアモルファスシリコン膜１３と裏面電極１４と
が順次膜けである。
そして、ガラス基板１０に太陽光Ａを照射し、電極１１
と裏面電極１４との間で発生電流を得る。
と裏面電極１４との間で発生電流を得る。
この様であるから、透明導電膜１２中に流れる電流を電
極１１中に集めて透明導電膜１２中に電流が長い距離流
れないようにし、これにより透明導電膜１２の相対的抵
抗値を下げて電力損失を低減できる。
極１１中に集めて透明導電膜１２中に電流が長い距離流
れないようにし、これにより透明導電膜１２の相対的抵
抗値を下げて電力損失を低減できる。
また、太陽電池の有効部分、つまりアモルファスシリコ
ン膜１２を介して対向する透明導電膜１２と裏面電極１
４部分はガラス基板１０の面積と同一となるから、電池
の有効部分が増し、発生電力が増加する。
ン膜１２を介して対向する透明導電膜１２と裏面電極１
４部分はガラス基板１０の面積と同一となるから、電池
の有効部分が増し、発生電力が増加する。
また、電極１１はガラス基板１０の表面にプリント印刷
あるいは蒸着法によって形成できるから、電極１１の形
成が簡単となると共に、電１ｆ１１の形状を任意な形状
とすることができる。
あるいは蒸着法によって形成できるから、電極１１の形
成が簡単となると共に、電１ｆ１１の形状を任意な形状
とすることができる。
次に電極部分の製造方法を説明する。
、第３図に示すように、ガラス基板１０の表面に導電性
物質から成る任意形状の電極１１をプリント印刷する。
物質から成る任意形状の電極１１をプリント印刷する。
第４図に示すように、ガラス基板１００表面に透明導電
膜１２を形成して電極１１を覆う。
膜１２を形成して電極１１を覆う。
発明の効果
透明導電膜１２中を流れる電流を電極１１に集めて透明
導電膜１２の相対的抵抗値を下けることができるから、
電力損失を低減できる。
導電膜１２の相対的抵抗値を下けることができるから、
電力損失を低減できる。
太陽電池の有効部分はガラス基板１０の面積と同一とな
るから、電池の有効部分が増し、発生電力が増加する。
るから、電池の有効部分が増し、発生電力が増加する。
第１図は従来例の断面図、第２図は本発明の実施例を示
す全体斜視図、第３図、第４図は電極部分の製造工程を
示す斜視図である。 １０はガラス基板、１１は電極、１２は透明溝を膜、１
３はアモルファスシリコン膜、１４は裏面電極。 出願人 株式会社小松製作所 代理人 弁理上米 原 正 章 弁理士浜 本 忠
す全体斜視図、第３図、第４図は電極部分の製造工程を
示す斜視図である。 １０はガラス基板、１１は電極、１２は透明溝を膜、１
３はアモルファスシリコン膜、１４は裏面電極。 出願人 株式会社小松製作所 代理人 弁理上米 原 正 章 弁理士浜 本 忠
Claims (1)
- ガラス基板１００表面に電極１１をスクリーン印刷ある
いは蒸着法にて形成し、その上に透明導電膜１２を形成
すると共に、透明導電膜１２にアモルファスシリコン膜
１３を介在して裏面電極１４を設げたことを特徴とする
アモルファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095640A JPS60240164A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095640A JPS60240164A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240164A true JPS60240164A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14143100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59095640A Pending JPS60240164A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140676A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nippon Denso Co Ltd | 半透光性太陽電池 |
| EP1555695A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59095640A patent/JPS60240164A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140676A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nippon Denso Co Ltd | 半透光性太陽電池 |
| EP1555695A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| US7772486B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-08-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4542255A (en) | Gridded thin film solar cell | |
| US5626686A (en) | Thin-film solar cell and method of manufacturing the same | |
| US4849029A (en) | Energy conversion structures | |
| KR910006676B1 (ko) | 대영역 광전지 및 그 제조방법 | |
| US5268037A (en) | Monolithic, parallel connected photovoltaic array and method for its manufacture | |
| US4245386A (en) | Method of manufacturing a solar cell battery | |
| US4228315A (en) | Solar cell grid patterns | |
| KR102262823B1 (ko) | 단일 셀 광전지 모듈 | |
| JPH07503105A (ja) | 集積回路化されたスタックドセル太陽電池モジュール | |
| GB2146173A (en) | Photoelectric conversion device and manufacture thereof | |
| DE3727826A1 (de) | Serienverschaltetes duennschicht-solarmodul aus kristallinem silizium | |
| TW201431104A (zh) | 太陽能電池 | |
| WO1995001654A1 (de) | Solarzellensystem | |
| US20180062002A1 (en) | Solar cell | |
| US4252573A (en) | Collector grid for CdS/CuS photovoltaic cells | |
| TWI502756B (zh) | 具有粗細匯流排電極之太陽能電池 | |
| JPS60240164A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| US3928073A (en) | Solar cells | |
| JP3111805B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS61199672A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS63276278A (ja) | 埋込み配線付き透明電極 | |
| JPS5863180A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| TW201304165A (zh) | 光伏打電池 | |
| JPS60240163A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| JPS6316913B2 (ja) |