JPS5863180A - 薄膜太陽電池 - Google Patents

薄膜太陽電池

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Publication number
JPS5863180A
JPS5863180A JP56162321A JP16232181A JPS5863180A JP S5863180 A JPS5863180 A JP S5863180A JP 56162321 A JP56162321 A JP 56162321A JP 16232181 A JP16232181 A JP 16232181A JP S5863180 A JPS5863180 A JP S5863180A
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JP
Japan
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transparent conductive
conductive film
film
thin film
solar cell
Prior art date
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Pending
Application number
JP56162321A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumi Maruyama
和美 丸山
Masahide Miyagi
宮城 正英
Yoshiyuki Umemoto
梅本 美之
Kazuaki Momose
百瀬 多成
Yoshihisa Muramatsu
村松 義久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP56162321A priority Critical patent/JPS5863180A/ja
Publication of JPS5863180A publication Critical patent/JPS5863180A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光の入射側に透明導電膜を有する、例えばアモ
ルファスシリコン膜を利用した薄膜太陽電池に関する。
このような太陽電池は、例えば第1.第2図に示すよう
にガラス基板lの表面にスパッタリング法などによシエ
nzos 、 Snow 、■To(工n20i−8n
O2)などからなる透明導電膜2を被着し、その上に5
iHaのグロー放電分解によってpin構造あるいはn
ipm造のアモルファスシリコンJ[3を成長させ、さ
らに金属電極膜4を設けることによって構成される。こ
の太陽電池のシリコン膜3にガラス板1および透明導電
膜2を通して入射した光によシ発生する光起電力を、透
明導電膜の端子21と金属電極膜の端子41とから取シ
出す。通常は1個の太陽電池素子の出力電圧が小さいの
で、図示のように基板1を共通にした複数の素子の端子
21と端子41を重ねることによって直列接続される。
このように接続してなる太陽電池は、電量1時計などの
民生用機器の電源として使用される。当然のことながら
この太陽電池はその透明基板側を太陽光線あるいは室内
光にさらして使用されるので、その基板側から見た外観
は民生用機器全体の外観に伴なう商品価値に大きな影響
を与える。
本発明はこのような機器に用いられる場合に機器の商品
価値を高めることのできる外観を持つ薄膜太陽電池を提
供することを目的とする。
この目的は光電変換活性領域を備えた半導体薄膜の光線
入射側に設けられる透明導電膜が他の区域と異なる厚さ
で所定の文字あるいは図形に対応する輪郭に囲まれた区
域を有することによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
3図に示す太陽電池は、厚さ方向の積層構造については
第1.第2図のものと同様である。
異なる点は、アモルファスシリコン膜3を覆う透明導電
膜2が全面ではなくマスクを用いることによシ特定のパ
ターンの区域だけに設けられていることである。図の例
では、判り易くするため斜線でハツチングし九“A″、
”B″、”C″の文字を示す区域に透明導電膜2が設け
られている。この太陽電池を光の入射側、すなわちガラ
ス基板1の側から見る時は透明導電膜2の有無による干
渉色の差から“A″、”B″、”C1の文字を認識する
ことができる。同様にして文字の代シに所定の図案を表
示することもできる。透明導電膜を設けない区域が存在
することによって光起電力の集電能力が低下するおそれ
がある場合は、文字または図形を表示する区域と他の区
域の厚さを変え、透明導電膜の干渉色の差によって識別
させて敏よい。
本発明の実施できる太陽電池の構造は第3図(第1.第
2図)に示されたものに限らず、金属基板上に半導体薄
膜を被着しその上に上部電極として透明導電膜を設け、
透明導電膜を介して光を入射せしめるものでもよい。
以上述べたように本発明は太陽電池の光の入射側に備え
られる透明導電膜により特定の文字あるいは図形を示す
色の異なった区域を形成することによシ、太陽電池自体
にデザインを施す構成としたものである。これにより従
来の同じ製造方式傾よってファツション性に富み、しか
も発電効率低下のない太陽電池が得られ、民生用機器に
極めて有効に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の太陽電池の一例を示す平面図、第2図は
第1図のA−A線矢視断面図、第3図は本発明の一実施
例の平面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明導電膜、3・・・ア
モルファスシリコン膜。□ イ(−埋入11理十 山 口   嵐

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)光電変換活性領域を備えた半導体薄膜の光線入射側
    に透明導電膜が設けられるものにおいて、該透明導電膜
    が他の区域と異なる厚さで所定の文字あるいは図形に対
    応する輪郭に囲まれた区域を有することを特徴とする薄
    膜太陽電池。
JP56162321A 1981-10-12 1981-10-12 薄膜太陽電池 Pending JPS5863180A (ja)

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