JPS6211029Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6211029Y2 JPS6211029Y2 JP5554881U JP5554881U JPS6211029Y2 JP S6211029 Y2 JPS6211029 Y2 JP S6211029Y2 JP 5554881 U JP5554881 U JP 5554881U JP 5554881 U JP5554881 U JP 5554881U JP S6211029 Y2 JPS6211029 Y2 JP S6211029Y2
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- JP
- Japan
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- electrode layer
- layer
- pattern
- insulating substrate
- semiconductor layer
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はアモルフアス（非晶質）シリコン層
（以下ａ−Si層と称す）の如きアモルフアス半導
体層を具備した太陽電池に関する。
（以下ａ−Si層と称す）の如きアモルフアス半導
体層を具備した太陽電池に関する。
石油などのエネルギー資源の枯渇が問題となる
中で、非枯渇、クリーンエネルギー源である太陽
光から直接電気を得る太陽電池の開発が盛んに行
なわれている。就中、ａ−Si層を具えた太陽電池
は、今までの単結晶シリコン太陽電池とは全く異
なつた製造方法から得られ、その製造エネルギー
や工程が簡単で連続的に大量生産が可能であり、
しかも使用材料が少なくてすむ、等の優れた特長
点を有している為に低コスト化が可能である。
中で、非枯渇、クリーンエネルギー源である太陽
光から直接電気を得る太陽電池の開発が盛んに行
なわれている。就中、ａ−Si層を具えた太陽電池
は、今までの単結晶シリコン太陽電池とは全く異
なつた製造方法から得られ、その製造エネルギー
や工程が簡単で連続的に大量生産が可能であり、
しかも使用材料が少なくてすむ、等の優れた特長
点を有している為に低コスト化が可能である。
その為に、ａ−Si太陽電池は従来より代替エネ
ルギーの電力源として開発されており、変換効率
等の性能面での研究には力が注がれているが、デ
ザイン面に対しては何ら考慮されず、またその必
要もなかつた。
ルギーの電力源として開発されており、変換効率
等の性能面での研究には力が注がれているが、デ
ザイン面に対しては何ら考慮されず、またその必
要もなかつた。
ところが、ａ−Si太陽電池は太陽光下に限られ
ず螢光灯等の室内光下に於いても発電することが
確認され、しかも該室内光下での変換効率の低下
は単結晶構造に較べ遥かに少ないことも判明して
いる。その為に近年ａ−Si太陽電池は電力源用の
みならず、家庭電化製品の内低消費電力で携帯用
の民生機器へ応用されつつある。特に使用中は光
を必要とする液晶表示の電子式卓上計算機の一次
電源や、電子腕時計の一次電源及び二次電池への
充電源として実用化に至つている。
ず螢光灯等の室内光下に於いても発電することが
確認され、しかも該室内光下での変換効率の低下
は単結晶構造に較べ遥かに少ないことも判明して
いる。その為に近年ａ−Si太陽電池は電力源用の
みならず、家庭電化製品の内低消費電力で携帯用
の民生機器へ応用されつつある。特に使用中は光
を必要とする液晶表示の電子式卓上計算機の一次
電源や、電子腕時計の一次電源及び二次電池への
充電源として実用化に至つている。
一方、単結晶シリコン太陽電池にあつても、上
記民生機器への応用が進み特開昭53−101287号公
報には光電変換領域上の電極によつて文字・記
号・図形等（以下単に文字と総称す）を描写した
ものも存在する。この公開公報に開示された太陽
電池は上述の如く単結晶構造であり、しかも受光
面上に設けられた電極によつて文字が描かれてい
る為にその文字電極下にある光電変換領域は遮光
され、従つて変換効率の低下は免がれない。更
に、文字電極と光電変換領域との接触面積は変換
効率の低下を極力抑えるには小さい方が好ましい
が、反面面積が小さくなり過ると抵抗値の増大を
招く為にどうしても小さくすることはできず、結
局変換効率の低下を招く原因となつていた。
記民生機器への応用が進み特開昭53−101287号公
報には光電変換領域上の電極によつて文字・記
号・図形等（以下単に文字と総称す）を描写した
ものも存在する。この公開公報に開示された太陽
電池は上述の如く単結晶構造であり、しかも受光
面上に設けられた電極によつて文字が描かれてい
る為にその文字電極下にある光電変換領域は遮光
され、従つて変換効率の低下は免がれない。更
に、文字電極と光電変換領域との接触面積は変換
効率の低下を極力抑えるには小さい方が好ましい
が、反面面積が小さくなり過ると抵抗値の増大を
招く為にどうしても小さくすることはできず、結
局変換効率の低下を招く原因となつていた。
本考案太陽電池は斯る点に鑑みて為されたもの
であつて以下に図面を参照して本考案の一実施例
を説明する。
であつて以下に図面を参照して本考案の一実施例
を説明する。
第１図は本考案太陽電池を受光面側から見た平
面図で、第２図はそのＸ−X′線に沿つた要部拡
大断面図である。１はガラス等の透光性絶縁基
板、２は該絶縁基板１上に複数個（同実施例に於
いては３個）並置された酸化インジウムスズ
（ITO）酸化スズ（SnO2）等から成る透光性の第
１の電極層で、該第１の電極層２には任意の文字
パターン３が周知のパターンマスク技術、フオト
リソグラフイ技術等を用いて形成されている。４
は上記第１の電極層２の一部を残して被着される
と共に上記パターン３の内周縁をも覆う厚み数ミ
クロン程度のａ−Si層で、該ａ−Si層４は例えば
シラン（SiH4）ガスにジボラン（B2H6）及びフオ
スフイン（PH3）等の不純物ガスを適宜添加した
グロー放電法によつて製造されたPIN構造を持
つ。５は上記ａ−Si層４の夫々に積層されたＡ
等の第２の電極層で、該第２の電極層５は文字パ
ターン３の中央部をも埋めている。６は上記第１
の電極層２の延長部２ａと隣接した第２の電極層
５の延長部５ａとが互いに結合する結合部で、こ
の結合部６によつて上記第１の電極層２、ａ−Si
層４及び第２の電極層５の積層体から成る１つの
光電変換領域７は他のものと電気的に直列接続さ
れる。８，８は上記光電変換領域７の直列出力を
外部に導出せしめる出力端子で、リード線９，９
がボンデイングされている。
面図で、第２図はそのＸ−X′線に沿つた要部拡
大断面図である。１はガラス等の透光性絶縁基
板、２は該絶縁基板１上に複数個（同実施例に於
いては３個）並置された酸化インジウムスズ
（ITO）酸化スズ（SnO2）等から成る透光性の第
１の電極層で、該第１の電極層２には任意の文字
パターン３が周知のパターンマスク技術、フオト
リソグラフイ技術等を用いて形成されている。４
は上記第１の電極層２の一部を残して被着される
と共に上記パターン３の内周縁をも覆う厚み数ミ
クロン程度のａ−Si層で、該ａ−Si層４は例えば
シラン（SiH4）ガスにジボラン（B2H6）及びフオ
スフイン（PH3）等の不純物ガスを適宜添加した
グロー放電法によつて製造されたPIN構造を持
つ。５は上記ａ−Si層４の夫々に積層されたＡ
等の第２の電極層で、該第２の電極層５は文字パ
ターン３の中央部をも埋めている。６は上記第１
の電極層２の延長部２ａと隣接した第２の電極層
５の延長部５ａとが互いに結合する結合部で、こ
の結合部６によつて上記第１の電極層２、ａ−Si
層４及び第２の電極層５の積層体から成る１つの
光電変換領域７は他のものと電気的に直列接続さ
れる。８，８は上記光電変換領域７の直列出力を
外部に導出せしめる出力端子で、リード線９，９
がボンデイングされている。
尚、第２図に於いて光は矢印で示す如く絶縁基
板１の裏面から入射する。
板１の裏面から入射する。
而して、第１の電極層２に穿たれた文字パター
ン３の中央部に埋設された第２の電極層５は受光
面である絶縁基板１の裏面方向から見た場合、上
記絶縁基板１並びに第１の電極層２は透光性であ
る為にａ−Si層４の素材色の褐色地に上記第２の
電極層５の素材色による文字パターンが描写され
る。しかも、斯る文字パターン３は、その外周縁
が上記パターンの内周縁を覆う微小幅のａ−Si層
４により縁取られ、更にその外周縁は第１電極層
２及びａ−Si層４の積層体により包囲されること
によつて、第１の電極層２が透光性であると雖
も、この第１の電極層２とａ−Si層４の積層体は
上記文字パターン３の外周縁を縁取るａ−Si層４
単独層と膜厚の相違に基づいてその境界を目視す
ることができる。
ン３の中央部に埋設された第２の電極層５は受光
面である絶縁基板１の裏面方向から見た場合、上
記絶縁基板１並びに第１の電極層２は透光性であ
る為にａ−Si層４の素材色の褐色地に上記第２の
電極層５の素材色による文字パターンが描写され
る。しかも、斯る文字パターン３は、その外周縁
が上記パターンの内周縁を覆う微小幅のａ−Si層
４により縁取られ、更にその外周縁は第１電極層
２及びａ−Si層４の積層体により包囲されること
によつて、第１の電極層２が透光性であると雖
も、この第１の電極層２とａ−Si層４の積層体は
上記文字パターン３の外周縁を縁取るａ−Si層４
単独層と膜厚の相違に基づいてその境界を目視す
ることができる。
従つて、上記文字パターン３は微小幅のａ−Si
層４により縁取られた形態となりより一層装飾効
果が向上する。一方、入射した光は上記第２の電
極層５による文字パターン下にａ−Si層４は存在
しないので、該文字パターンに遮光されることな
く全て絶縁基板１並びに第１の電極層２を透過し
ａ−Si層４に到達する。そして上記入射した光エ
ネルギーは光電変換領域７に於いて所定の変換効
率で電気エネルギーに変換された出力端子８，８
からリード線９，９を介して取り出される。
層４により縁取られた形態となりより一層装飾効
果が向上する。一方、入射した光は上記第２の電
極層５による文字パターン下にａ−Si層４は存在
しないので、該文字パターンに遮光されることな
く全て絶縁基板１並びに第１の電極層２を透過し
ａ−Si層４に到達する。そして上記入射した光エ
ネルギーは光電変換領域７に於いて所定の変換効
率で電気エネルギーに変換された出力端子８，８
からリード線９，９を介して取り出される。
本考案太陽電池は以上の説明から明らかな如
く、透光性絶縁基板上の第１の電極層に穿つた任
意の文字パターンの内周縁をアモルフアス半導体
層で覆うと共にその中央部に第２電極層を埋設せ
しめることによつて、該第２電極層で上記任意の
文字パターンを描写するのみならず、その外周縁
をアモルフアス半導体層により縁取ることがで
き、より一層装飾効果の向上が図れる。
く、透光性絶縁基板上の第１の電極層に穿つた任
意の文字パターンの内周縁をアモルフアス半導体
層で覆うと共にその中央部に第２電極層を埋設せ
しめることによつて、該第２電極層で上記任意の
文字パターンを描写するのみならず、その外周縁
をアモルフアス半導体層により縁取ることがで
き、より一層装飾効果の向上が図れる。
第１図は本考案太陽電池を受光面側から見た平
面図、第２図は第１図に於けるＸ−X′線に沿つ
た要部拡大断面図で、１は透光性絶縁基板、２は
第１の電極層、３は文字パターン、４はアモルフ
アスシリコン層、５は第２の電極層、７は光電変
換領域、を夫々示している。
面図、第２図は第１図に於けるＸ−X′線に沿つ
た要部拡大断面図で、１は透光性絶縁基板、２は
第１の電極層、３は文字パターン、４はアモルフ
アスシリコン層、５は第２の電極層、７は光電変
換領域、を夫々示している。
Claims (1)
- 透光性絶縁基板、該絶縁基板上に任意の文字・
記号・図形等のパターンが穿たれた透光性の第１
の電極層、該第１の電極層上に被着されると共に
上記パターンの内周縁をも覆うアモルフアス半導
体層、該アモルフアス半導体層上に積層され上記
第１の電極層のパターン中央部を埋める第２の電
極層と、から成り、上記第２の電極層で透光性絶
縁基板の受光面に上記任意の文字・記号・図形等
のパターンを描写すると共に、その外周縁を上記
パターンの内周縁を覆うアモルフアス半導体層に
より縁取りし、更にその外周縁を第１電極層及び
半導体層の積層体により包囲したことを特徴とす
る太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5554881U JPS6211029Y2 (ja) | 1981-04-16 | 1981-04-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5554881U JPS6211029Y2 (ja) | 1981-04-16 | 1981-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57168252U JPS57168252U (ja) | 1982-10-23 |
| JPS6211029Y2 true JPS6211029Y2 (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=29852102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5554881U Expired JPS6211029Y2 (ja) | 1981-04-16 | 1981-04-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211029Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058685Y2 (ja) * | 1984-11-12 | 1993-03-04 | ||
| JP2698183B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1998-01-19 | 三洋電機株式会社 | 発光パネル、並びにそれを用いたディスプレイ |
-
1981
- 1981-04-16 JP JP5554881U patent/JPS6211029Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57168252U (ja) | 1982-10-23 |
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