JPS63213978A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPS63213978A JPS63213978A JP62048110A JP4811087A JPS63213978A JP S63213978 A JPS63213978 A JP S63213978A JP 62048110 A JP62048110 A JP 62048110A JP 4811087 A JP4811087 A JP 4811087A JP S63213978 A JPS63213978 A JP S63213978A
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- Japan
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- electrode layer
- solar cell
- light
- amorphous
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコン（以下ａ −３ｔと称
す）層に代表されるアモルファス半導体層を光電変換層
として備えたアモルファス太陽電池に関するものである
。
す）層に代表されるアモルファス半導体層を光電変換層
として備えたアモルファス太陽電池に関するものである
。
従来の技術
従来、この種のアモルファス太陽電池は、第５図に示す
ような構成であった。第５図において、１はガラス基板
、２は透明導電膜、３ばａ−３ｉ層、４は金属電極膜、
５は発電領域である。
ような構成であった。第５図において、１はガラス基板
、２は透明導電膜、３ばａ−３ｉ層、４は金属電極膜、
５は発電領域である。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成においては、アモルファス太陽電
池の外観色は、発電領域全体にわたって一様に褐色系の
一定の色を呈しており、なんらデザイン上の工夫がなさ
れておらず、ファツション性や装飾性に欠けるといった
問題点があった。
池の外観色は、発電領域全体にわたって一様に褐色系の
一定の色を呈しており、なんらデザイン上の工夫がなさ
れておらず、ファツション性や装飾性に欠けるといった
問題点があった。
そこで本発明は、発電領域に色彩の違いにより文字、記
号２図形等を描写し、ファツション性や装飾性に優れた
アモルファス太陽電池を提供することを目的とするもの
である。
号２図形等を描写し、ファツション性や装飾性に優れた
アモルファス太陽電池を提供することを目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明は、透光性絶縁基
板とアモルファス半導体層との間に任意の文字、記号２
図形等にパターン形成された金属薄膜、例えばＡＩ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ等を設けたものである。
板とアモルファス半導体層との間に任意の文字、記号２
図形等にパターン形成された金属薄膜、例えばＡＩ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ等を設けたものである。
作 用
この構成によれば、受光面側から見た場合、透光性絶縁
基板および第一の電極層が透光性であるために、ａ−３
ｉ層の褐色地に金属薄膜の素材色によりパターン形成さ
れた任意の文字、記号２図形等を認識できる。
基板および第一の電極層が透光性であるために、ａ−３
ｉ層の褐色地に金属薄膜の素材色によりパターン形成さ
れた任意の文字、記号２図形等を認識できる。
実施例
以下、本発明の詳細を実施例により説明する。
第１図は本発明の第１の実施例によるアモルファス太陽
電池を受光面側からみた平面図であり、第２図はそのＡ
−Ｄ線で切断した要部拡大断面図である。第１図および
第２図において、６はガラス、透明樹脂フィルム等の透
光性絶縁基板、８は上記透光性絶縁基板６上に形成され
た任意の文字パターンを有する金属薄膜であり、Ａｌ
、Ａｇ 、Ａｕ。
電池を受光面側からみた平面図であり、第２図はそのＡ
−Ｄ線で切断した要部拡大断面図である。第１図および
第２図において、６はガラス、透明樹脂フィルム等の透
光性絶縁基板、８は上記透光性絶縁基板６上に形成され
た任意の文字パターンを有する金属薄膜であり、Ａｌ
、Ａｇ 、Ａｕ。
Ｔｆ、Ｃｒ、Ｎｉ等が蒸着、スパッタ等の手法によって
数十人から数ミクロンの厚みに形成され、そのパターン
は周知のマスキング技術、フォトリングラフィ技術によ
り簡単に形成することができる。
数十人から数ミクロンの厚みに形成され、そのパターン
は周知のマスキング技術、フォトリングラフィ技術によ
り簡単に形成することができる。
Ｔは上記透光性絶縁基板６及び金属薄膜８上に複数個並
列に配置された酸ｆヒインジウムスズ（Ｉ Ｔｏ）。
列に配置された酸ｆヒインジウムスズ（Ｉ Ｔｏ）。
酸化スズ（ＳｎＯ２）等の透明導電膜の単層膜または多
層膜からなる第一の電極層であり、上記蒸着スパッタ等
の手法により４００人から４０００人の膜厚に形成され
る。９は上記第一の電極層Ｔ上に形成されたａ−３ｉ層
であり、例えば７ラン（Ｓ ＩＨａ ）ガスにジボラン
（Ｂ２ Ｈ６） ｖホスフィン（ＰＨ３）等の不純物ガ
スを適宜添加し、グロー放電分解法によって製造された
Ｐ型層（厚さ１００人）。
層膜からなる第一の電極層であり、上記蒸着スパッタ等
の手法により４００人から４０００人の膜厚に形成され
る。９は上記第一の電極層Ｔ上に形成されたａ−３ｉ層
であり、例えば７ラン（Ｓ ＩＨａ ）ガスにジボラン
（Ｂ２ Ｈ６） ｖホスフィン（ＰＨ３）等の不純物ガ
スを適宜添加し、グロー放電分解法によって製造された
Ｐ型層（厚さ１００人）。
■型層（厚さ約４０００人）２層型層（厚さ約４００人
）の３層からなる。１ｏはａ−５ｉ層９上に、第一の電
極層７と対向して形成されたＡＩ等の第二の電極層（厚
さ約５０ｏｏ人）であり、この第二の電極層１ｏの延長
部１１と、隣接する第一の電極層７の延長部１２とが結
合することによって、上記第一の電極層７．ａ−８ｉ層
９．第二の電極層１０の積層体からなる光起電力素子が
隣接する光起電力素子と電気的に直列接続される。この
アモルファス太陽電池に第２図にしめす方向から光が入
射した時、入射した光エネルギーは、ａ −Ｓ ｉ層９
において電気エネルギーに変換され、出力端子部１３．
１４より外部に取り出される。そしてこのａ−８ｔ太陽
電池を受光面側から見た場合、上記透光性絶縁基板６お
よび第一の電極層７が透光性であるために、ａ−８ｉ層
９の褐色地に金属薄膜８の素材色による文字パターンを
描写する。
）の３層からなる。１ｏはａ−５ｉ層９上に、第一の電
極層７と対向して形成されたＡＩ等の第二の電極層（厚
さ約５０ｏｏ人）であり、この第二の電極層１ｏの延長
部１１と、隣接する第一の電極層７の延長部１２とが結
合することによって、上記第一の電極層７．ａ−８ｉ層
９．第二の電極層１０の積層体からなる光起電力素子が
隣接する光起電力素子と電気的に直列接続される。この
アモルファス太陽電池に第２図にしめす方向から光が入
射した時、入射した光エネルギーは、ａ −Ｓ ｉ層９
において電気エネルギーに変換され、出力端子部１３．
１４より外部に取り出される。そしてこのａ−８ｔ太陽
電池を受光面側から見た場合、上記透光性絶縁基板６お
よび第一の電極層７が透光性であるために、ａ−８ｉ層
９の褐色地に金属薄膜８の素材色による文字パターンを
描写する。
次に本発明の第２．第３の実施例について説明する。本
発明の第２．第３の実施例によるアモルファス太陽電池
を受光面側から見た平面図は、第１の実施例と同じく第
１図に示されるものであり、そのＡ−Ｂ線で切断した要
部拡大断面図は第３図。
発明の第２．第３の実施例によるアモルファス太陽電池
を受光面側から見た平面図は、第１の実施例と同じく第
１図に示されるものであり、そのＡ−Ｂ線で切断した要
部拡大断面図は第３図。
第４図に示すものである。第２．第３の実施例に於ては
、その構成要素は第１の実施例と同じであり、上述した
通りである。第２の実施例に於ては金属薄膜８は、第一
の電極層７とａ−８ｉ層９０間に設けた。また第３の実
施例に於ては金属薄膜８は、第一の電極層７の内部に設
けた。この場合、第一の電極層は２層構造の透明導電膜
から成っており、１層目を形成した後、その上に金属薄
膜８を形成し、さらに２層目の透明導電膜を形成したこ
とによる。以上の構成によるアモルファス太陽電池にお
いても同様に、受光面上に任意の文字パターンを描写す
ることができた。
、その構成要素は第１の実施例と同じであり、上述した
通りである。第２の実施例に於ては金属薄膜８は、第一
の電極層７とａ−８ｉ層９０間に設けた。また第３の実
施例に於ては金属薄膜８は、第一の電極層７の内部に設
けた。この場合、第一の電極層は２層構造の透明導電膜
から成っており、１層目を形成した後、その上に金属薄
膜８を形成し、さらに２層目の透明導電膜を形成したこ
とによる。以上の構成によるアモルファス太陽電池にお
いても同様に、受光面上に任意の文字パターンを描写す
ることができた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、任意の文字、記号２図形
等にパターン形成された金属薄膜を基板とａ−５ｉ層と
の間に設けることにより、受光面上に任意の文字、記号
２図形等を描写させることが可能となりファツション性
や装飾性に富んだアモルファス太陽電池が作製できる。
等にパターン形成された金属薄膜を基板とａ−５ｉ層と
の間に設けることにより、受光面上に任意の文字、記号
２図形等を描写させることが可能となりファツション性
や装飾性に富んだアモルファス太陽電池が作製できる。
第１図は本発明の実施例によるアモルファス太陽７Ｅ池
の受光面側から見た平面図で、第２図、第３図、第４図
はそれぞれ第１．：′ｆＳ２．第３の実施例の第１図に
おけるＡ−Ｂ線で切断した要部拡大断面図、第５図は従
来例のアモルファス太陽電池の受光面側から見た平面図
である。 ６・・・・・・透光性絶縁基板、７・・・・・第一の電
極層、８・・・・・金ｍ薄膜、ｓ・・・・アモルファス
シリコン層、１０・・・・・・第二の電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｃ−
１シ１辷珠纂沢 ７− 不−−史ルｊ ３−衾馬簿復 ｊｆ−＝Ｌ ’、、！象浸岬 イ２−￥−一・′ イ３，１４−−−出ｓ ４ ＞＊ ゛ｆＯ
の受光面側から見た平面図で、第２図、第３図、第４図
はそれぞれ第１．：′ｆＳ２．第３の実施例の第１図に
おけるＡ−Ｂ線で切断した要部拡大断面図、第５図は従
来例のアモルファス太陽電池の受光面側から見た平面図
である。 ６・・・・・・透光性絶縁基板、７・・・・・第一の電
極層、８・・・・・金ｍ薄膜、ｓ・・・・アモルファス
シリコン層、１０・・・・・・第二の電極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｃ−
１シ１辷珠纂沢 ７− 不−−史ルｊ ３−衾馬簿復 ｊｆ−＝Ｌ ’、、！象浸岬 イ２−￥−一・′ イ３，１４−−−出ｓ ４ ＞＊ ゛ｆＯ
Claims (4)
- （１）透光性絶縁基板上に、透光性の第一の電極層とア
モルファス半導体層と第二の電極層とを順次積層せしめ
たアモルファス太陽電池において、上記透光性絶縁基板
とアモルファス半導体層との間に任意の文字、記号、図
形等にパターン形成された金属薄膜を設け、上記金属薄
膜によって受光面に上記任意の文字、記号、図形等を描
写したことを特徴とするアモルファス太陽電池。 - （２）金属薄膜は、透光性絶縁基板と透光性の第一の電
極層との間に介在させたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のアモルファス太陽電池。 - （３）金属薄膜は、透光性の第一の電極層とアモルファ
ス半導体層との間に介在させたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のアモルファス太陽電池。 - （４）金属薄膜は、透光性の第一の電極層の内部に設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモル
ファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048110A JPS63213978A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048110A JPS63213978A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213978A true JPS63213978A (ja) | 1988-09-06 |
Family
ID=12794175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62048110A Pending JPS63213978A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63213978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021602A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Akzo Nobel N.V. | Colored solar cell unit |
| US8513517B2 (en) | 2006-07-08 | 2013-08-20 | Certainteed Corporation | Photovoltaic module |
| US8835751B2 (en) | 2008-01-08 | 2014-09-16 | Certainteed Corporation | Photovoltaic module |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62048110A patent/JPS63213978A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021602A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Akzo Nobel N.V. | Colored solar cell unit |
| US8513517B2 (en) | 2006-07-08 | 2013-08-20 | Certainteed Corporation | Photovoltaic module |
| US8835751B2 (en) | 2008-01-08 | 2014-09-16 | Certainteed Corporation | Photovoltaic module |
| US10784813B2 (en) | 2008-01-08 | 2020-09-22 | Certainteed Llc | Photovoltaic module |
| US11012026B2 (en) | 2008-01-08 | 2021-05-18 | Certainteed Llc | Photovoltaic module |
| US11258399B2 (en) | 2008-01-08 | 2022-02-22 | Certainteed Llc | Photovoltaic module |
| US11463042B2 (en) | 2008-01-08 | 2022-10-04 | Certainteed Llc | Photovoltaic module |
| US11677349B2 (en) | 2008-01-08 | 2023-06-13 | Certainteed Llc | Photovoltaic module |
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