JPS58218179A - 薄膜太陽電池 - Google Patents

薄膜太陽電池

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JPS58218179A
JPS58218179A JP57101159A JP10115982A JPS58218179A JP S58218179 A JPS58218179 A JP S58218179A JP 57101159 A JP57101159 A JP 57101159A JP 10115982 A JP10115982 A JP 10115982A JP S58218179 A JPS58218179 A JP S58218179A
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JP
Japan
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layer
transparent conductive
solar cell
light
thin film
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Application number
JP57101159A
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English (en)
Inventor
Yutaka Yamauchi
豊 山内
Mitsuo Matsunami
松浪 光雄
Koichi Kano
狩野 剛一
Mikio Katayama
幹雄 片山
Hideo Izawa
井沢 秀雄
Yoshikazu Fujiwara
義和 藤原
Noboru Hanioka
埴岡 登
Kiyoshi Mito
水戸 清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアモルファス等の薄膜太陽電池に関し、特に受
光面の保護に関するものである。
近年内隅電池の低コスト化を目的として、クロー放電な
どによりアモルファス状態でのシリコン薄膜をステンレ
ス、銅、Al、等の基板上に積層させ、太陽電池、とし
て使用する試みがなされている。
この種の従来装置としては第1図に示すごとく、ステン
レス基板1上にCVDグロー放電等によりp型、真性層
(i型)、n型の各アモルファスSi層2を成長させた
後、ITO,5n02等の透明導電層3を被覆、その上
に蒸着、又はスパッター等の手法によりAI、 Ni、
Cu等の単層膜、又はA#Ag、TiAg、CrCu等
の二層膜、又はAβAgハンダ層の三層膜等よりなる電
極4を形成して太陽電池素子を作製したものがある。こ
のような太陽電池素子を電卓等の民生用機器に適用する
場合、第1図の太陽電池素子をプリント基板等に接着し
てモジュール化した状態で利用し、電力用として利用す
る場合には、複数個の太陽電池素子を直列又は並列に接
続して、ガラスやシリコーン樹脂等で全体を被覆保護し
て使用される。
しかるに民生用に使用する場合、ITO,SnO3等の
透明導電層3′及びアモルファスSi層2は機械的強度
が弱く、モジュール作製時、又は民生用機器に装着する
場合キズ等がつきやすく、取扱い上難点があるとともに
、表面側より水分等が侵入しやすぐアモルファスSi層
等に悪影響を及ぼし信頼性に問題があった。
又電力用太陽電池に使用する場合、接続された太陽電池
素子の全体がシリコン樹脂やガラス等で被覆されるため
、非常に製造工程が複雑で、かつ多くの材料が必要なだ
め実装パッケージングコストが非常に高価になる欠1!
があった。
本発明は上述のような欠点を回避し、かつ新たな利点を
有する薄膜太陽電池を提供せんとするも□ のである。       :: 本発明を要約すれば、′瘉テンレス基板、セラミック基
板、ガラス基板社□光起電力発生部となる例えばアモル
ファスSi層を形成後、その上にITO,5nOz等の
透明導電層を作製し2、電極形成、後又は電極形成前に
受光面側に透光性樹脂を被覆せんとするものである。
しかるに本発明に於ては次のような利点がある。
■ 薄膜太陽電池素子の受光面を透光性樹脂で被覆する
だめ、゛表面が保護されて、機械的強度が高まり、キズ
等のつく惧れがきわめて少くなる。
■ 太陽電池素子表面が透光性樹脂により外気から遮断
されるため、湿気等の悪影響が非常に少なく、信頼性が
飛躍的に向上する。
■ 透明性樹脂被覆は、液体性樹脂を印刷、スプレ、デ
ィップ等の手法により塗布後加熱等によシ簡単に硬化さ
せて得ることができるため5量産性がよく、製造方法が
簡単となる。
■ 被覆する透岑性樹脂の厚み等は任意に選ぶことがで
き、民生用、電力用など、それぞれの用途に応じ最適は
保護された太陽電池を得ること・1 ゜ができる。  ・j□ ■ 透光性樹脂のネン覆には、印刷等の技術を利用する
こと汐・でき大きな面積の基板を用いて一斉     
”に処理することができ、太陽電池の大面積化が容易に
なり、製品の汎用性及び量産性に非常に有利である。
■ 透光性樹脂は透過率等の物性を大きく損うことなく
微量の染料等により着色し得るため、容易に太陽電池表
面の色彩を変化させることが可能となり、特に民生用機
器に太陽電池を使用する場合、意匠的効果を高めること
ができる。
以下実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
実施例1 本実施例は主に電卓用等の民生用機−器に用
いる概して小型の太陽電池を挙げる。
第2図において、ステンレス、セラミック、ガラス等よ
りなる基板5上にはプラズマグロー放電等の手法により
SiH4、SiF4 、H2+  PH3B2H6等の
ガスを適宜用いてp層、i層及びn層の組からなるアモ
ルファスSi層6が一層又は多層に堆積されている。太
陽光線を受光して起電力を生じさせるための基板5上に
堆積された半導体層は、上記アモルファスSi層に限ら
れるものではなく、多結晶或いは微結晶からなる薄膜半
導体層を用いて実施することもできる。
尚基板5としてがラヌ、セラミック等の絶縁材料が用い
られる場合には、出力を取り出す電極とするためアモル
ファスSi層6の堆積前に予め基板表面に導電体が被着
される。
上記基板5ば複数の太陽電池素子の作製が可能となるよ
うに広面積のものが用いられ、表面に均一に上記アモル
ファスSi層6が堆積される。堆積されたアモルファス
Si層6の表面には小面積をもつ個々の太陽電池素子に
対応する領域に、第3図(a)、  (b)に示す如く
光起電力を取り出すだめの透明導電層7が形成される。
透明導電層7はI T O,S n 02等からなシ、
スパッタリング、真空蒸着、又はスプレー法等により膜
形成される。
パターンは所定の金属マスクにより膜形成時に作製する
か、又はアモルファスSi層上全面に一旦透明導電層を
形成した後、印刷技術又は、ホトエアチ技術により所定
のパターンのレジストマスクを形成し、その後フッ酸、
塩酸、塩化斗2鉄等の連光なエツチング液を用いて所定
パターンの透明導電層7を形成し、不要となったレジス
トマスクを剥離液により除去すること等により形成され
る。
尚本実施例においては、受光面側にp及びn側の両電極
が設けられた構造を採るため、透明導電層7の一部は相
対する側の電極取り出しのために切り欠かれている。
透明導電層7が形成されたアモルファスSi層6上には
、第′4図(a)、(b)に示す如く、少なくとも電極
取出し部8a電極取出し部8bを除いて工電池素子を構
成する部分に被覆される。上記透光性樹脂層9は、印刷
可能な樹脂材の場合は、スクリーン印刷により所定のパ
ターンに被覆後加熱・硬化等により作成される。壕だそ
の他の樹脂材では、前もって透光性樹脂を被覆しない部
分にホトエッチ、レジスト印刷等によ、、シ所定パター
ンのレジスト膜を形成しておき、そめ上にスプレー法、
−11゜ スピンナー法、ディップ法等に↓り透光性樹脂を被覆・
硬化させ、その後前もって形成したレジスト膜、を剥離
又は溶解により除去することにより、作成される。なか
でも印刷により透光性樹脂層9を形成する方法に於ては
次のような利点がある。
■ 大きい面積を一度に短時間に処理し得るため非常に
生産性がよい。
■ スクリーンの厚み等により容易に被覆する透光性樹
脂の厚み等を調整し得る、 ■ 印刷作業のみで所望パターンの透光性樹脂層が得ら
れるため工程が非常に簡単である。
父上記透光性樹脂層の中に樹脂の透光性をそζなわない
程度に微量の染料等の着色剤を混本するたる太陽電池素
子の受光面の着色が可能であり、太陽電池を搭載する機
器の色との兼合いで外観上ア・7・フ・スSi層♂の基
板5側出力を取り出す、・1す 電極8bを作成するため、該占領域のアモルファスSi
層部分を機械的、化学的又はプラズマエツチングによっ
て除去し、該除去部分8b及びアモルファスSi層表面
側の出力取出し電極部8aに−電極層10を作成する。
電極層10は低温硬化型Agペースト、黒鉛ベーヌト等
をスクリーン印刷により被覆後加熱硬化させるか、又は
蒸着ヌパソター等により全面に、A1.Ni、Cu等の
単層膜、A/−Ag、TiAg、CrCu等の二層嘆形
成後、レジスト印刷技術及びホトエンテ技術により、電
極層10に対応するレジスト膜を形成し化学エッチ、プ
ラズマエッチ等によって不要な部分を除去した後、レジ
スト剥離により形成する3、又は前もって所定のパター
ンがある金属マスクを用意し、マスク蒸着等によっても
作成し得る。
その後、上記アモルファスSi層を基板5と共にプレス
による杓ち抜き又は、シャーリンク等の手法によって第
6図(a)、 (b)に示すごとく大面積状態から個々
の素子形状に分離して薄膜太陽電池得る。
上記実施例に於ては透光性樹脂層形成後電極の形成を行
ったが、必要に応じ電極形成後透光性樹脂層の形成が可
能であることは容易に推測し得る。
又、本実施例に於ては、裏面側より電極を取り二:X6
\ 出す場合、透光性樹脂形成後、電極取出し部8bのアモ
ルファスSi層を除去することにより行ったが、透明導
電層のパターン形成のエツチング時に、フッ酸硝酸混合
液等により透明導電層7で被われていないアモルファス
Sit[もってエツチング除去し得ることは可能である
又本実施例では太陽電池表面側に基板側の電極を作製し
だが、実装方式等によシ基板を電極として利用し得る事
は明白である。
さらに又電極の形状及び太陽電池形状は種々変化し得る
事は明白である。
実施例2 本実施列は戸外にて使用する電力用太陽電池
を挙げる。
第7図(a)、(b)は前記実施例と同様に、ステンレ
ス、Al板等の導電体よりなる基体11にp−1−n型
の接合をもった一層又は多層のアモルファスsi層12
を形成し、その上にI T O,SnO+等の透明導電
層13を作製する。該透明導電層13上に印刷、蒸着等
の手法により電極層14を形成後、仲力を外部に導くた
めにハンダ層を被覆したCu、Ni又はコバール等より
なる上部外付り−ド15−及び丁部外付リード16を上
記電極層14及び基板11にハンダは、導〒E性ペース
トによる接着或いは溶接等によって接続する。
次に上記各電極が取付けられた基板は、第8図に示す如
く表面側の電極層14.上部外付リード15の一部等を
覆うようにしてエポキシ系、ポリエステル系、アクリル
系、シリコーン系等よりなる透光性樹脂層17が相当の
厚みをもって形成される。該透光性樹脂層17は、印刷
可能な樹脂を用いて、印刷・硬化の工程を繰返すことに
より厚く作成するか、又は基体11の周辺部に前もって
樹脂流出防止壁を所望の高さに作製しておき透光性樹脂
を基体11上に流し込み、加熱等により硬化後樹脂流出
防止壁を取り除く等により作製し得る。       
           ・□、、1′、じ本実施例の如
く基体表面に透光性樹脂を相当の厚みをもって形成する
ことにより受光面の機械的強度の向上のみならず、出力
を取り出すための電極の保護をも図ることができ、高信
頼性の素子を作成し得る。
上記実施例に於ては、太陽電池素子を個々に処理する場
合について述べたが多数の太陽電池を一度に作製処理す
′ることか可能であることは明白である。
また基板11の背面に下部外付リード16を接続したが
基板上部側より基板側の電極の取り出しが可能であるこ
とは明白である。
以上本発明に於ては、薄膜半導体層をもつ太陽電池の受
光面側に透光性樹脂層を形成することにより、簡単な構
成を付加するのみで、太陽電池の受光面を機械的損傷な
化学的な腐蝕等から保護することができ、信頼性及び耐
久性にすぐれた太陽電池を得ることができる。
寸だ受光開被−:、・□のための透光性樹脂は、膜厚、
形状着色を選ぶ一ト看ができ、用途に応じて能率的な保
護を図るこtできる。               
 11更に樹脂被覆のための作業が簡単で、量産性にす
ぐれ、経済性の高い太陽電池を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のアモルファス太陽電池を示す断面図、第
2図は本発明による一実施例を説明するためのアモルフ
ァスSiが堆積された基板の断面図、第3図(a)及び
(b)は同実施例を説明するだめの透明導電膜が被着さ
れた基板の平面図及び断□面図、第4図(a)及び(b
)は同実施例を説明するための透光性樹脂層が作成され
た基板の平面図及び断面図、第5図は同実施例を説明す
るだめの電極が作成された基板の断面図、第6図(a)
及び(b)は同実施例の平面図及び断面図、第7図(a
)及び(b)は本発明による他の実施例を説明するだめ
の平面図及び断面図、第8図は本発明による他の実施例
を示す断面図である。 5.11:基板  6.12:アモルファスSi層  
7,13:透明導電膜  9.17:透光性樹脂層  
10,14:電極  15.16:リード 代澗人 弁理士  福 士 愛 彦(他2名)第6図 第1頁の続き 0発 明 者 埴岡登 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 0発 明 者 水戸清 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基板上に、p−n、p−1−n等の光起電力を生ず
    るだめの接合を有する薄膜半導体層を堆積してなる太陽
    電池において、受光面を透光性樹脂で破って保護するこ
    とを特徴とする薄膜太陽電池。 2、 前記薄膜半導体層はアモルファスシリコンからな
    ることを特徴とする請求の範囲第1項記載の薄膜太陽電
    池。 3 @記透光性樹脂は、受光面の電極取出し部を除いた
    領域を被ってなることを特徴とする請求の範囲第1項記
    載の薄膜太陽電池。 4、 前記透光性樹脂は、着色されてなることを特徴と
    する請求の範囲第1項記載の薄膜太陽電池。
JP57101159A 1982-06-11 1982-06-11 薄膜太陽電池 Pending JPS58218179A (ja)

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