JPS60258973A - 光電導素子 - Google Patents

光電導素子

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JPS60258973A
JPS60258973A JP59095533A JP9553384A JPS60258973A JP S60258973 A JPS60258973 A JP S60258973A JP 59095533 A JP59095533 A JP 59095533A JP 9553384 A JP9553384 A JP 9553384A JP S60258973 A JPS60258973 A JP S60258973A
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Teikou Tei
鄭　貞浩
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光電溝素子に関する。更に詳しく言えば、本発
明は保護層を有するアモルファスシリコン七ン−１こ関
スル。
従来技術 従来のり、ットキータイプの光電溝素子は、例えば第１
図に断面図を示すように、ガラス基板１上に金属電極２
、アモルファスシリコン膜３及び透明電極４を設けてな
るものであるが、積項（大気）中における耐久性が問題
となっており、センナ表面を、例えば周囲の環境である
湿度、ゴミ、はこり等から保護するためにプラズマＣＶ
Ｄ法によるＳｉＯｘや５ｉｌＮ４の膜がパッシベーショ
ン膜（透明絶縁性保護膜）として利用されている。しか
し、これらのプラズマＣＶＤ法による膜では着膜時にセ
ンナ表面の透明電極にダメージを与えることがあるため
、これに代わる膜が要望されており、量産性及びコスト
の面から有機高分子膜が注目されている。
発明の目的 本発明の目的は前述のプラズマＣＶＤ法による膜が有す
る欠点を解消し、センサへのダメージの減少、量産性の
向上及びコストの低減がはかられる透明絶縁性の有機高
分子保護膜を備えたアモルファスシリコンセンサを提供
することを目的とする。
発明の構成 本発明者は鋭意研究を重ねた結果一般式（１）、（２）
、（３）及び（４） ＯＲ２０（ＣＨ２）　ｎ　Ｒ３ ５ で示される構成単位を少なくとも１個有する重合体を主
成分とするポリマーからなる透明絶縁性保護ｖをアモル
ファスシリコンセンサ上に有する光電導素が前記の目的
を達成できることを見出し本発明を完成した。
前記の式中、Ｒ１は水素又はメチル基を表わし、Ｒ２は
炭素数１〜８の炭化水素残基を表わし、Ｒ３は炭素数３
〜２１の炭化水素残基を表わし％　Ｒ４は炭素数３〜２
１のパーフルオロアルキル基を表わし、Ｒｓは水素又は
炭素数１〜１０の炭化水素残基を表わし、ｎは１〜ｌＯ
の整数を表わし、各構成単位（す、（２）、（３）及び
（４）はノ・ロゲン原子によって置換されていてもよい
ものとする。
本発明の光電溝素子においては、前記の（１）〜（４）
の構成単位を有するホモポリマー、コポリマー、ターポ
リマーが単独でも、またはブレンドでも用いられる。ま
た上記のホモポリマー、コポリマー、ターポリマーを主
成分とした他の重合体とのブレンドも用いられる。これ
らのブレンドされる他の重合体としては、ポリビニルア
ルコール、フェノール樹脂、クロロプレンゴム、ブチラ
ール樹脂、ホルマール樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂
、シリコン樹脂等が挙げられる。
本発明では第２図に示すように、ガラス基板１上に１０
０℃〜３００℃の温度にて金属電極２、例えばＡｎ、Ｉ
Ｎｉ％ＮｉＣｒ、　Ｃｒ、　Ａ４　Ｔａ等を蒸着、スパ
ッタリング法等によって形成した後、アモルファスシリ
コン膜３（＊−８ｉ膜）を基板温度１５０〜３００℃に
て着膜した後に透明電極４（例えばインジウムスズオギ
サイドＩＴＯ１酸化インジウムＩｎ２Ｏ３、酸化スズ５
ｎ０２）を形成してａ−５１センサーを構成した後、受
光側表面に前述の透明樹脂溶液を塗布して樹脂被覆層５
を設ける。この場合の樹脂層の形成は前述の重合体を硬
化剤（架橋剤）と共に溶媒に溶かした溶液として、通常
の方法例えばスピンクォーター法、ロールクォーター法
、又はスプレー法により膜厚１μｍ〜１００μｍに塗布
し、次いで３００〜４００μｍの紫外光の照射又は加熱
によって硬化させることによって行われる。
樹脂塗布溶液用の溶媒としては、例えば芳香族炭化水素
（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、トリクレン、ア
セトン、工業用ガソリン類等が用いられる。この場合の
濃度は固型分含量５〜５０重量％が適当である。
硬化剤としては通常用いられているものでよく、例エバ
ベンジルジメチルケタール及ヒヘンゾインエーテル系の
化合物が挙げられる。
本発明による光電溝素子の透明絶縁性保護膜は従来のプ
ラズマＣＶＤ法による膜のよう薯こ、形成時にセンナへ
のダメージはなく、製造が極めて簡便に行なえ、コスト
の大巾な低減が図られる。
実施例 ガラス基板上に２５０°０の温度にてＮｉＣｒをスパッ
タリング法で膜厚１０００〜３０００　Ａに形成し、次
いでこの基板の温度を２００℃としてａ−８ｉ膜を０．
５〜２μｍの膜厚に設けた。その上に透明電極としてＩ
ＴＯをスパッター法により１００〜２０００＾の膜厚に
設けて光センサを構成し、紫外線硬化性アクリル樹脂溶
液〔大阪有機化学社製ビスコートＵｖシリーズ、又は東
亜合成アロ、クスＵＶ　３０００シリーズ〕をロールコ
ータ−にて１０μｍの膜厚に塗布した後８０Ｗ／ｍの紫
外線発生装置の下１０ｅ１ｎのところを約１０秒間で通
過させて硬化させ被膜を形成した。このようにして得ら
れた光電導累子は、温度８５”Ｃ１湿；　度（Ｒ，Ｈ，
）　８５チの環境上に１０００時間保持したが明暗比は
１０４の値を維持した。また条件を温度６０”０、湿度
９０チにして１０００時間保持した場合にも同様に明暗
比は１０４であった（第３図参照）。これに対し従来の
保護膜を有さない光電溝素子では温度８５℃、湿度８５
チの条件では１００時間で、また温度６０　’０％湿度
９０％の条件では２００時間で明暗比は測定不能（１０
０以″Ｆ）となった（第３図参照〕。
発明の効果 本発明は特定のアクリル系エステル重合体を主成分とす
るポリマーからなる透明絶縁性保護膜をアモルファスシ
リコンセンサ上に設けた光電溝素子を提供したものであ
り、センサへのダメージが減少し、量産性の向上及びコ
ストの低減がはかられる。
【図面の簡単な説明】
第１図は保護層のない従来の光電溝素子例の構成図、第
２図は本発明の光電溝素子の構成図、第３図は６０　’
Ｑ　、　９０　％　Ｒ，Ｈ，の条件下における従来及び
本発明光電導素子の明暗比の経時変化を示すグラフであ
る。 図中符号： １・・・ガラス基板；２・・・金属電極層；３・・・ア
モルファスシリコン膜；４・・・透明電極層；５・・・
樹脂層。 ９− 第　１　図 第　２　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式（１）、（２）、（３）及び（４）Ｒ器 〔式中、Ｒ８は水素又はメチル基を表わし、Ｒ１は炭素
    数１〜８の炭化水素残基を表わし、Ｒ８は炭素数３〜２
    １の炭化水素残基を表わし、−は炭素数３〜２１のパー
    フルオロアルキル基ヲ表わし、Ｒ６は水素又は炭素数１
    〜１ｏの炭化水素残基を表わし、ｎは１〜１０の整数を
    表わし、各構成単位（１）　、（２）　％　（３）及び
    （４）はハロゲン原子によって置換されていてもよいも
    のとする。〕で示される構成単位を少なくとも１個有す
    る重合体を主成分とするポリマーからなる透明絶縁性保
    護膜をアモルファスシリコンセンサ上に有することを特
    徴とする光電溝素子。
JP59095533A 1984-05-15 1984-05-15 光電導素子 Granted JPS60258973A (ja)

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JPH0464191B2 JPH0464191B2 (ja) 1992-10-14

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JPH0464191B2 (ja) 1992-10-14

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