JPH0464191B2 - - Google Patents
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- JPH0464191B2 JPH0464191B2 JP59095533A JP9553384A JPH0464191B2 JP H0464191 B2 JPH0464191 B2 JP H0464191B2 JP 59095533 A JP59095533 A JP 59095533A JP 9553384 A JP9553384 A JP 9553384A JP H0464191 B2 JPH0464191 B2 JP H0464191B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14717—Macromolecular material obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/14734—Polymers comprising at least one carboxyl radical, e.g. polyacrylic acid, polycrotonic acid, polymaleic acid; Derivatives thereof, e.g. their esters, salts, anhydrides, nitriles, amides
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14786—Macromolecular compounds characterised by specific side-chain substituents or end groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光電導素子に関する。更に詳しく言え
ば、本発明は保護層を有するアモルフアスシリコ
ンセンサに関する。
ば、本発明は保護層を有するアモルフアスシリコ
ンセンサに関する。
従来技術
従来のシヨツトキータイプの光電導素子は、例
えば第１図に断面図を示すように、ガラス基板１
上に金属電極２、アモルフアスシリコン膜３及び
透明電極４を設けてなるものであるが、環境（大
気）中における耐久性が問題となつており、セン
サ表面を、例えば周囲の環境である湿度、ゴミ、
ほこり等から保護するためにプラズマCVD法に
よるSiOXやSi3N4の膜がパツシベーシヨン膜（透
明絶縁性保護膜）として利用されている。しか
し、これらのプラズマCVD法による膜では着膜
時にセンサ表面の透明電極にダメージを与えるこ
とがあるため、これに代わる膜が要望されてお
り、量産性及びコストの面から有機高分子膜が注
目されている。
えば第１図に断面図を示すように、ガラス基板１
上に金属電極２、アモルフアスシリコン膜３及び
透明電極４を設けてなるものであるが、環境（大
気）中における耐久性が問題となつており、セン
サ表面を、例えば周囲の環境である湿度、ゴミ、
ほこり等から保護するためにプラズマCVD法に
よるSiOXやSi3N4の膜がパツシベーシヨン膜（透
明絶縁性保護膜）として利用されている。しか
し、これらのプラズマCVD法による膜では着膜
時にセンサ表面の透明電極にダメージを与えるこ
とがあるため、これに代わる膜が要望されてお
り、量産性及びコストの面から有機高分子膜が注
目されている。
発明の目的
本発明の目的は前述のプラズマCVD法による
膜が有する欠点を解消し、センサへのダメージの
減少、量産性の向上及びコストの低減がはかれ、
光学的特性が長期に亘つて変化しない透明絶縁性
の有機高分子保護膜を備えたアモルフアスシリコ
ンセンサを提供することを目的とする。
膜が有する欠点を解消し、センサへのダメージの
減少、量産性の向上及びコストの低減がはかれ、
光学的特性が長期に亘つて変化しない透明絶縁性
の有機高分子保護膜を備えたアモルフアスシリコ
ンセンサを提供することを目的とする。
発明の構成
本発明者は鋭意研究を重ねた結果一般式(1)，
(2)，(3)及び(4) で示される構成単位を少なくとも１個有する重合
体を主成分とするポリマーからなる透明絶縁性保
護膜をアモルフアスシリコンセンサ上に有する光
電導素が前記の目的を達成できることを見出し本
発明を完成した。
(2)，(3)及び(4) で示される構成単位を少なくとも１個有する重合
体を主成分とするポリマーからなる透明絶縁性保
護膜をアモルフアスシリコンセンサ上に有する光
電導素が前記の目的を達成できることを見出し本
発明を完成した。
前記の式中、R1は水素又はメチル基を表わし、
R2は炭素数１〜８の炭化水素残基を表わし、R3
は炭素数３〜21の炭化水素残基を表わし、R4は
炭素数３〜21のパーフルオロアルキル基を表わ
し、R5は水素又は炭素数１〜10の炭化水素残基
を表わし、ｎは１〜10の整数を表わし、各構成単
位(1)，(2)，(3)及び(4)はハロゲン原子によつて置換
されていてもよいものとする。
R2は炭素数１〜８の炭化水素残基を表わし、R3
は炭素数３〜21の炭化水素残基を表わし、R4は
炭素数３〜21のパーフルオロアルキル基を表わ
し、R5は水素又は炭素数１〜10の炭化水素残基
を表わし、ｎは１〜10の整数を表わし、各構成単
位(1)，(2)，(3)及び(4)はハロゲン原子によつて置換
されていてもよいものとする。
本発明の光電導素子においては、前記の(1)〜(4)
の構成単位を有するホモポリマー、コポリマー、
ターポリマーが単独でも、またはブレンドでも用
いられる。また上記のホモポリマー、コポリマ
ー、ターポリマーを主成分とした他の重合体との
ブレンドも用いられる。これらのブレンドされる
他の重合体としては、ポリビニルアルコール、フ
ェノール樹脂、クロロプレンゴム、ブチラール樹
脂、ホルマール樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹
脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
の構成単位を有するホモポリマー、コポリマー、
ターポリマーが単独でも、またはブレンドでも用
いられる。また上記のホモポリマー、コポリマ
ー、ターポリマーを主成分とした他の重合体との
ブレンドも用いられる。これらのブレンドされる
他の重合体としては、ポリビニルアルコール、フ
ェノール樹脂、クロロプレンゴム、ブチラール樹
脂、ホルマール樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹
脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
本発明では第２図に示すように、ガラス基板１
上に100℃〜300℃の温度にて金属電極２、例えば
Au，Ni，NiCr，Cr，Al，Ta等を蒸着、スパツ
タリング法等によつて形成した後、アモルフアス
シリコン膜３（ａ−Si膜）を基板温度150〜300℃
にて着膜した後に透明電極４（例えばインジウム
スズオキサイドITO、酸化インジウムIn2O3、酸
化スズSnO2）を形成してａ−Siセンサーを構成
した後、受光側表面に前述の透明樹脂溶液を塗布
して樹脂被覆層５を設ける。この場合の樹脂層の
形成は前述の重合体を硬化剤（架橋剤）と共に溶
媒に溶かした溶液として、通常の方法例えばスピ
ンクオーター法、ロールクオーター法、又はスプ
レー法により膜厚1μm〜100μmに塗布し、次いで
300〜400μmの紫外光の照射又は加熱によつて硬
化させることによつて行われる。
上に100℃〜300℃の温度にて金属電極２、例えば
Au，Ni，NiCr，Cr，Al，Ta等を蒸着、スパツ
タリング法等によつて形成した後、アモルフアス
シリコン膜３（ａ−Si膜）を基板温度150〜300℃
にて着膜した後に透明電極４（例えばインジウム
スズオキサイドITO、酸化インジウムIn2O3、酸
化スズSnO2）を形成してａ−Siセンサーを構成
した後、受光側表面に前述の透明樹脂溶液を塗布
して樹脂被覆層５を設ける。この場合の樹脂層の
形成は前述の重合体を硬化剤（架橋剤）と共に溶
媒に溶かした溶液として、通常の方法例えばスピ
ンクオーター法、ロールクオーター法、又はスプ
レー法により膜厚1μm〜100μmに塗布し、次いで
300〜400μmの紫外光の照射又は加熱によつて硬
化させることによつて行われる。
樹脂塗布溶液用の溶媒としては、例えば芳香族
炭化水素（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、
トリクレン、アセトン、工業用ガソリン類等が用
いられる。この場合の濃度は固型分含量５〜50重
量％が適当である。
炭化水素（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、
トリクレン、アセトン、工業用ガソリン類等が用
いられる。この場合の濃度は固型分含量５〜50重
量％が適当である。
硬化剤としては通常用いられているものでよ
く、例えばベンジルジメチルケタール及びベンゾ
インエーテル系の化合物が挙げられる。
く、例えばベンジルジメチルケタール及びベンゾ
インエーテル系の化合物が挙げられる。
本発明による光電導素子の透明絶縁性保護膜は
従来のプラズマCVD法による膜のように、形成
時にセンサへのダメージはなく、製造が極めて簡
便に行なえ、コストの大巾な低減が図られる。
従来のプラズマCVD法による膜のように、形成
時にセンサへのダメージはなく、製造が極めて簡
便に行なえ、コストの大巾な低減が図られる。
実施例
ガラス基板上に250℃の温度にてNiCrをスパツ
タリング法で膜厚1000〜3000Åに形成し、次いで
この基板の温度を200℃としてａ−Si膜を0.5〜
2μmの膜厚に設けた。その上に透明電極として
ITOをスパツター法により100〜2000Åの膜厚に
設けて光センサを構成し、紫外線硬化性アクリル
樹脂溶液〔大阪有機化学社製ビスコートUVシリ
ーズ、又は東亜合成アロツクスUV3000シリー
ズ〕をロールコーターにて10μmの膜厚に塗布し
た後80W／cmの紫外線発生装置の下10cmのところ
を約10秒間で通過させて硬化させ被膜を形成し
た。このようにして得られた光電導素子は、温度
85℃、湿度（R.H.）85％の環境下に1000時間保
持したが明暗比は104の値を維持した。また条件
を温度60℃、湿度90％にして1000時間保持した場
合にも同様に明暗比は104であつた（第３図参
照）。これに対し従来の保護膜を有さない光電導
素子では温度85℃、湿度85％の条件では100時間
で、また温度60℃、湿度90％の条件では200時間
で明暗比は測定不能（100以下）となつた（第３
図参照）。
タリング法で膜厚1000〜3000Åに形成し、次いで
この基板の温度を200℃としてａ−Si膜を0.5〜
2μmの膜厚に設けた。その上に透明電極として
ITOをスパツター法により100〜2000Åの膜厚に
設けて光センサを構成し、紫外線硬化性アクリル
樹脂溶液〔大阪有機化学社製ビスコートUVシリ
ーズ、又は東亜合成アロツクスUV3000シリー
ズ〕をロールコーターにて10μmの膜厚に塗布し
た後80W／cmの紫外線発生装置の下10cmのところ
を約10秒間で通過させて硬化させ被膜を形成し
た。このようにして得られた光電導素子は、温度
85℃、湿度（R.H.）85％の環境下に1000時間保
持したが明暗比は104の値を維持した。また条件
を温度60℃、湿度90％にして1000時間保持した場
合にも同様に明暗比は104であつた（第３図参
照）。これに対し従来の保護膜を有さない光電導
素子では温度85℃、湿度85％の条件では100時間
で、また温度60℃、湿度90％の条件では200時間
で明暗比は測定不能（100以下）となつた（第３
図参照）。
発明の効果
本発明は特定のアクリル系エステル重合体を主
成分とするポリマーからなる透明絶縁性保護膜を
アモルフアスシリコンセンサ上に設けた光電導素
子を提供したものであり、本発明によれば短時間
の硬化処理により光学的特性（明暗比）が長期に
亘つて変化しない透明絶縁性保護膜を有する光電
導素子が得られることから、センサへのダメージ
が減少し、量産性の向上及びコストの低減がはか
られる。
成分とするポリマーからなる透明絶縁性保護膜を
アモルフアスシリコンセンサ上に設けた光電導素
子を提供したものであり、本発明によれば短時間
の硬化処理により光学的特性（明暗比）が長期に
亘つて変化しない透明絶縁性保護膜を有する光電
導素子が得られることから、センサへのダメージ
が減少し、量産性の向上及びコストの低減がはか
られる。
第１図は保護層のない従来の光電導素子例の構
成図、第２図は本発明の光電導素子の構成図、第
３図は60℃、90％R.H.の条件下における従来及
び本発明光電導素子の明暗比の経時変化を示すグ
ラフである。 図中符号：１……ガラス基板、２……金属電極
層、３……アモルフアスシリコン膜、４……透明
電極層、５……樹脂層。
成図、第２図は本発明の光電導素子の構成図、第
３図は60℃、90％R.H.の条件下における従来及
び本発明光電導素子の明暗比の経時変化を示すグ
ラフである。 図中符号：１……ガラス基板、２……金属電極
層、３……アモルフアスシリコン膜、４……透明
電極層、５……樹脂層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式(1)，(2)，(3)及び(4) 〔式中、R1は水素又はメチル基を表わし、R2
は炭素数１〜８の炭化水素残基を表わし、R3は
炭素数３〜21の炭化水素残基を表わし、R4は炭
素数３〜21のパーフルオロアルキル基を表わし、
R5は水素又は炭素数１〜10の炭化水素残基を表
わし、ｎは１〜10の整数を表わし、各構成単位
(1)，(2)，(3)及び(4)はハロゲン原子によつて置換さ
れていてもよいものとする。〕 で示される構成単位を少なくとも１個有する重合
体を主成分とするポリマーからなる透明絶縁性保
護膜をアモルフアスシリコンセンサ上に有するこ
とを特徴とする光電導素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095533A JPS60258973A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電導素子 |
| US07/361,698 US4973537A (en) | 1984-05-15 | 1989-06-01 | Photoconductive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095533A JPS60258973A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電導素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258973A JPS60258973A (ja) | 1985-12-20 |
| JPH0464191B2 true JPH0464191B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=14140191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59095533A Granted JPS60258973A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電導素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973537A (ja) |
| JP (1) | JPS60258973A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3424835B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2003-07-07 | 松下電器産業株式会社 | カラー固体撮像装置およびカラーフィルタ |
| ES2157717B1 (es) * | 1998-03-26 | 2002-03-16 | Univ Valencia Estudi General | Procedimiento para preparar sensores de ph y membranas polimericas del tipo poli-fenacinicas sensibles a la concentracion de ion hidrogeno. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58218179A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3092493A (en) * | 1961-02-02 | 1963-06-04 | Xerox Corp | Protected xerographic plate |
| GB1252974A (ja) * | 1968-02-27 | 1971-11-10 | ||
| US4181526A (en) * | 1978-06-16 | 1980-01-01 | Eastman Kodak Company | Interpolymer protective overcoats for electrophotographic elements |
| JPS57211868A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Long dimensional photodetector |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59095533A patent/JPS60258973A/ja active Granted
-
1989
- 1989-06-01 US US07/361,698 patent/US4973537A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58218179A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60258973A (ja) | 1985-12-20 |
| US4973537A (en) | 1990-11-27 |
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