JPH0845352A - 透明導電体 - Google Patents
透明導電体Info
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- JPH0845352A JPH0845352A JP18144494A JP18144494A JPH0845352A JP H0845352 A JPH0845352 A JP H0845352A JP 18144494 A JP18144494 A JP 18144494A JP 18144494 A JP18144494 A JP 18144494A JP H0845352 A JPH0845352 A JP H0845352A
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- JP
- Japan
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- conductive layer
- transparent conductive
- silicon
- transparent
- sheet resistance
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】抵抗膜方式のタブレット用透明電極に要求され
るシート抵抗及び光線透過率を満足すると共に高温高湿
下でシート抵抗の経時変化が少ない透明導電体を提供す
る。 【構成】プラスチック基材上にハードコート層が積層さ
れ、該ハードコート層上にさらに透明導電層が積層され
た透明導電体であって、該透明導電層はケイ素がドープ
された酸化亜鉛からなり、ケイ素がケイ素原子と亜鉛原
子との合計原子数に対して４〜６原子％含有されてい
る。
るシート抵抗及び光線透過率を満足すると共に高温高湿
下でシート抵抗の経時変化が少ない透明導電体を提供す
る。 【構成】プラスチック基材上にハードコート層が積層さ
れ、該ハードコート層上にさらに透明導電層が積層され
た透明導電体であって、該透明導電層はケイ素がドープ
された酸化亜鉛からなり、ケイ素がケイ素原子と亜鉛原
子との合計原子数に対して４〜６原子％含有されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗膜の方式のタブレ
ット用透明電極として優れた性能を有する透明導電体に
関する。
ット用透明電極として優れた性能を有する透明導電体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、錫ドープ酸化インジウム（以下Ｉ
ＴＯという）に代わる透明導電膜材料として、材料コス
トが安価であるＺｎＯが注目されている。ＺｎＯ単独で
はＩＴＯに比べると高抵抗であり、ＩＴＯと同レベルの
導電性を得るためには周期律表第III 族の元素を不純物
としてドープすればよいことが開示されている（特公平
４−９２９号公報、特公平３−７２０１１号公報）。
ＴＯという）に代わる透明導電膜材料として、材料コス
トが安価であるＺｎＯが注目されている。ＺｎＯ単独で
はＩＴＯに比べると高抵抗であり、ＩＴＯと同レベルの
導電性を得るためには周期律表第III 族の元素を不純物
としてドープすればよいことが開示されている（特公平
４−９２９号公報、特公平３−７２０１１号公報）。
【０００３】第III 族の元素がアルミニウムの場合で
は、亜鉛原子との合計原子数を基準として１〜１０原子
％、ホウ素、スカンジウム、ガリウム、イットリウム、
インジウム、タリウムの場合では、１〜２０原子％含有
する透明導電膜が記載されている。
は、亜鉛原子との合計原子数を基準として１〜１０原子
％、ホウ素、スカンジウム、ガリウム、イットリウム、
インジウム、タリウムの場合では、１〜２０原子％含有
する透明導電膜が記載されている。
【０００４】さらに、周期律表第IV族の元素をドープし
ても同様の効果が得られることが開示されており（特公
平５−６７６６号公報）、第IV族の元素がケイ素、ゲル
マニウム、ジルコニウムからなる群から選ばれた少なく
とも１種を、亜鉛原子数との合計原子数を基準として
０．１〜２０原子％含有する透明導電膜が記載されてい
る。
ても同様の効果が得られることが開示されており（特公
平５−６７６６号公報）、第IV族の元素がケイ素、ゲル
マニウム、ジルコニウムからなる群から選ばれた少なく
とも１種を、亜鉛原子数との合計原子数を基準として
０．１〜２０原子％含有する透明導電膜が記載されてい
る。
【０００５】上記第III 族及び第IV族の元素を上記範囲
内の含有量になるようにドープすることにより、ＺｎＯ
でもＩＴＯと同等の導電性と光学特性が得られることが
見いだされている。
内の含有量になるようにドープすることにより、ＺｎＯ
でもＩＴＯと同等の導電性と光学特性が得られることが
見いだされている。
【０００６】上記透明導電膜を抵抗膜方式のタブレット
用透明電極として使用する場合、初期性能として、シー
ト抵抗が３００〜１５００Ω／□、波長５５０ｎｍにお
ける光線透過率が８５％以上であることが要求され、さ
らに高温高湿下に放置する信頼性試験によって上記シー
ト抵抗の経時変化が少ない高信頼性が要求される。
用透明電極として使用する場合、初期性能として、シー
ト抵抗が３００〜１５００Ω／□、波長５５０ｎｍにお
ける光線透過率が８５％以上であることが要求され、さ
らに高温高湿下に放置する信頼性試験によって上記シー
ト抵抗の経時変化が少ない高信頼性が要求される。
【０００７】しかしながら、これらの不純物がドープさ
れたＺｎＯ膜は、その不純物含有量を制御しなければ、
例えば、温度６０℃、相対湿度９６％の高温高湿下で放
置すると、電気抵抗値が経時的に変化し導電性が低下す
る現象が起こる。このため、上記透明導電膜を抵抗膜方
式のタブレット用透明電極として使用する場合は、その
信頼性が問題であった。
れたＺｎＯ膜は、その不純物含有量を制御しなければ、
例えば、温度６０℃、相対湿度９６％の高温高湿下で放
置すると、電気抵抗値が経時的に変化し導電性が低下す
る現象が起こる。このため、上記透明導電膜を抵抗膜方
式のタブレット用透明電極として使用する場合は、その
信頼性が問題であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、抵抗膜方式の
タブレット用透明電極に要求されるシート抵抗及び光線
透過率を満足すると共に高温高湿下でシート抵抗の経時
変化が少ない透明導電体を提供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、抵抗膜方式の
タブレット用透明電極に要求されるシート抵抗及び光線
透過率を満足すると共に高温高湿下でシート抵抗の経時
変化が少ない透明導電体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電体は、
プラスチック基材上にハードコート層が積層され、該ハ
ードコート層上にさらに透明導電層が積層されたもので
ある。
プラスチック基材上にハードコート層が積層され、該ハ
ードコート層上にさらに透明導電層が積層されたもので
ある。
【００１０】上記プラスチック基材としては、ポリカー
ボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等のシー
ト、プレートが挙げられ、価格、耐熱性の点等からポリ
カーボネートのシート、プレートが好ましい。
ボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等のシー
ト、プレートが挙げられ、価格、耐熱性の点等からポリ
カーボネートのシート、プレートが好ましい。
【００１１】上記ハードコート層は、プラスチック基材
の表面硬化処理に従来より用いられているハードコーテ
ィング剤を使用して形成され、例えば、シリコーン系ハ
ードコーティング剤を基材上に塗布し、熱硬化させる方
法や、アクリル系ハードコーティング剤を基材上に塗布
し、紫外線硬化させる方法等によって形成することがで
きる。本発明の透明導電体を高温高湿下で使用する場合
は、環境信頼性の点からシリコーン系のハードコート層
が好ましい。
の表面硬化処理に従来より用いられているハードコーテ
ィング剤を使用して形成され、例えば、シリコーン系ハ
ードコーティング剤を基材上に塗布し、熱硬化させる方
法や、アクリル系ハードコーティング剤を基材上に塗布
し、紫外線硬化させる方法等によって形成することがで
きる。本発明の透明導電体を高温高湿下で使用する場合
は、環境信頼性の点からシリコーン系のハードコート層
が好ましい。
【００１２】上記シリコーン系ハードコーティング剤と
しては、シランカップリング剤として知られている官能
性有機基をもったカーボンファンクショナルアルコキシ
シランを中心に、これとアルキルトリアルコキシシラン
又はテトラアルコキシシランを組み合わせて部分加水分
解を行ったもの；アルキルトリアルコキシシランの加水
分解物にコロイダルシリカを組み合わせたものが挙げら
れる。
しては、シランカップリング剤として知られている官能
性有機基をもったカーボンファンクショナルアルコキシ
シランを中心に、これとアルキルトリアルコキシシラン
又はテトラアルコキシシランを組み合わせて部分加水分
解を行ったもの；アルキルトリアルコキシシランの加水
分解物にコロイダルシリカを組み合わせたものが挙げら
れる。
【００１３】上記ハードコーティング剤を基材に塗布す
る方法としては、ディッピング法、スプレー法等が用い
られ、ハードコート層の厚さは１〜１０μｍが好まし
く、より好ましくは２〜５μｍである。
る方法としては、ディッピング法、スプレー法等が用い
られ、ハードコート層の厚さは１〜１０μｍが好まし
く、より好ましくは２〜５μｍである。
【００１４】上記透明導電層は、ケイ素をドープした酸
化亜鉛被膜から形成され、該導電層のシート抵抗及びそ
の高温高湿下での経時変化は酸化亜鉛被膜中のケイ素の
含有量によって大きく影響される。上記透明導電層を抵
抗膜方式のタブレット用透明電極として使用する場合、
酸化亜鉛被膜中のケイ素の含有量が少なくなると、高温
高湿下でシート抵抗の経時変化が大きくなるため高い信
頼性が得られなくなるという問題点があった。
化亜鉛被膜から形成され、該導電層のシート抵抗及びそ
の高温高湿下での経時変化は酸化亜鉛被膜中のケイ素の
含有量によって大きく影響される。上記透明導電層を抵
抗膜方式のタブレット用透明電極として使用する場合、
酸化亜鉛被膜中のケイ素の含有量が少なくなると、高温
高湿下でシート抵抗の経時変化が大きくなるため高い信
頼性が得られなくなるという問題点があった。
【００１５】また、上記透明導電層を抵抗膜方式のタブ
レット用透明電極として使用する場合、そのシート抵抗
は３００〜１５００Ω／□が好ましい。その理由は、シ
ート抵抗が上記範囲より大きくなっても小さくなって
も、座標検出精度や消費電力に問題が生じてタブレット
用透明電極として使用するのが困難となるからである。
レット用透明電極として使用する場合、そのシート抵抗
は３００〜１５００Ω／□が好ましい。その理由は、シ
ート抵抗が上記範囲より大きくなっても小さくなって
も、座標検出精度や消費電力に問題が生じてタブレット
用透明電極として使用するのが困難となるからである。
【００１６】上記酸化亜鉛被膜中のケイ素の含有量は、
少なくなっても多くなっても、上記範囲のシート抵抗な
らびにシート抵抗の信頼性が得られなくなるので、ケイ
素の含有量はケイ素原子と亜鉛原子との合計原子数に対
して４〜６原子％に制限される。
少なくなっても多くなっても、上記範囲のシート抵抗な
らびにシート抵抗の信頼性が得られなくなるので、ケイ
素の含有量はケイ素原子と亜鉛原子との合計原子数に対
して４〜６原子％に制限される。
【００１７】上記透明導電層の膜厚は、光線透過率及び
シート抵抗の信頼性に影響を与えるため、１０００〜２
０００Åが好ましく、より好ましくは１２００〜１６０
０Åである。
シート抵抗の信頼性に影響を与えるため、１０００〜２
０００Åが好ましく、より好ましくは１２００〜１６０
０Åである。
【００１８】上記透明導電層を形成する方法としては、
主としてスパッタリング法が用いられるが、その他、イ
オンプレーティング法、真空蒸着法、化学気相成長法な
ど、任意の公知の方法を用いても形成可能である。
主としてスパッタリング法が用いられるが、その他、イ
オンプレーティング法、真空蒸着法、化学気相成長法な
ど、任意の公知の方法を用いても形成可能である。
【００１９】上記透明導電層を形成する酸化亜鉛被膜に
ケイ素をドープする方法としては、酸化亜鉛被膜を形成
する原料（例えば、スパッタリング法の場合であればタ
ーゲット、真空蒸着法であれば蒸発原料）となる亜鉛又
は酸化亜鉛に、予めケイ素を金属のままの状態か、ある
いは金属酸化物、金属炭化物、金属ハロゲン化物等の状
態で導入しておく方法が挙げられる。
ケイ素をドープする方法としては、酸化亜鉛被膜を形成
する原料（例えば、スパッタリング法の場合であればタ
ーゲット、真空蒸着法であれば蒸発原料）となる亜鉛又
は酸化亜鉛に、予めケイ素を金属のままの状態か、ある
いは金属酸化物、金属炭化物、金属ハロゲン化物等の状
態で導入しておく方法が挙げられる。
【００２０】上記酸化亜鉛被膜をスパッタリング法によ
り形成する場合は、ケイ素元素を含有する酸化亜鉛ター
ゲット（例えば、ＳｉＯ2 が添加されたＺｎＯターゲッ
ト）を用いるか、あるいは酸化亜鉛とは別にケイ素又は
酸化ケイ素からなるターゲットを酸化亜鉛からなるター
ゲットと同時にスパッタリングする方法が挙げられる。
ケイ素の含有量を４〜６原子％の範囲に設定するには、
前者の方法では、ターゲットに添加するケイ素の添加量
を制御し、後者の方法では、両方のターゲットに投入す
る電力値を制御する。
り形成する場合は、ケイ素元素を含有する酸化亜鉛ター
ゲット（例えば、ＳｉＯ2 が添加されたＺｎＯターゲッ
ト）を用いるか、あるいは酸化亜鉛とは別にケイ素又は
酸化ケイ素からなるターゲットを酸化亜鉛からなるター
ゲットと同時にスパッタリングする方法が挙げられる。
ケイ素の含有量を４〜６原子％の範囲に設定するには、
前者の方法では、ターゲットに添加するケイ素の添加量
を制御し、後者の方法では、両方のターゲットに投入す
る電力値を制御する。
【００２１】本発明において、シート抵抗の信頼性を向
上させるために、上記ハードコート層と透明導電層との
間に中間層として、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ等の
金属酸化物層が設けられてもよい。上記中間層の厚さ
は、２００〜２０００Åが好ましく、中間層を形成する
方法としては、主としてスパッタリング法が用いられる
が、その他、イオンプレーティング法、真空蒸着法、化
学気相成長法など、任意の公知の方法を用いても形成可
能である。
上させるために、上記ハードコート層と透明導電層との
間に中間層として、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ等の
金属酸化物層が設けられてもよい。上記中間層の厚さ
は、２００〜２０００Åが好ましく、中間層を形成する
方法としては、主としてスパッタリング法が用いられる
が、その他、イオンプレーティング法、真空蒸着法、化
学気相成長法など、任意の公知の方法を用いても形成可
能である。
【００２２】図１及び図２は、本発明の透明導電体を使
用した抵抗膜方式のタブレットの模式断面図を示す。図
１において、２０は透明導電体を示し、透明導電体２０
はプラスチック基材１上にハードコート層１２が形成さ
れ、該ハードコート層１２上にさらに透明導電層１４が
形成されたものである。上記透明導電体２０の透明導電
層１４は、スペーサー１６を介して、透明フィルム１８
上に形成された透明導電層１７と相対し、かつ粘着テー
プ１５により固定されており、透明フィルム１８側から
ペン又は指で押圧して両方の透明導電層１４及び１７を
接触させて短絡することにより、タブレットとして使用
するものである。
用した抵抗膜方式のタブレットの模式断面図を示す。図
１において、２０は透明導電体を示し、透明導電体２０
はプラスチック基材１上にハードコート層１２が形成さ
れ、該ハードコート層１２上にさらに透明導電層１４が
形成されたものである。上記透明導電体２０の透明導電
層１４は、スペーサー１６を介して、透明フィルム１８
上に形成された透明導電層１７と相対し、かつ粘着テー
プ１５により固定されており、透明フィルム１８側から
ペン又は指で押圧して両方の透明導電層１４及び１７を
接触させて短絡することにより、タブレットとして使用
するものである。
【００２３】図２では、透明導電体２０のハードコート
層１２と透明導電層１４との間に、中間層として金属酸
化物層１３が設けられている。
層１２と透明導電層１４との間に、中間層として金属酸
化物層１３が設けられている。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （実施例１〜３）図３に示した多元同時スパッタリング
装置（芝浦製作所製「CFS-8EP-55」）を使用して、スパ
ッタテーブル５に、基材Ｃとして３．７μｍのハードコ
ート被膜層が積層されたポリカーボネート板（三菱ガス
化学社製「ＭＲ−３」、サイズ８０×３０×１ｍｍ厚）
を用い、ターゲットＡ及びＢからほぼ等距離に位置する
ように取り付けた。ターゲットＡとしてＺｎＯ、ターゲ
ットＢとしてＳｉＯ2 をそれぞれ取り付けた。ターゲッ
トＡ及びターゲットＢの形状は、直径５インチの円盤状
であり、その表面積が１２５ｃｍ2 のものを使用した。
装置（芝浦製作所製「CFS-8EP-55」）を使用して、スパ
ッタテーブル５に、基材Ｃとして３．７μｍのハードコ
ート被膜層が積層されたポリカーボネート板（三菱ガス
化学社製「ＭＲ−３」、サイズ８０×３０×１ｍｍ厚）
を用い、ターゲットＡ及びＢからほぼ等距離に位置する
ように取り付けた。ターゲットＡとしてＺｎＯ、ターゲ
ットＢとしてＳｉＯ2 をそれぞれ取り付けた。ターゲッ
トＡ及びターゲットＢの形状は、直径５インチの円盤状
であり、その表面積が１２５ｃｍ2 のものを使用した。
【００２５】次いで、真空槽１内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下に真空排気した後、ガス導入バルブ８を開きスパッ
ターガスとしてＡｒガスをマスフローコントローラー９
を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、真空槽１内
の圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽１
内の底部に配置された赤外線ランプ１０により基材Ｃを
１００℃の設定温度になるまで加熱した。
以下に真空排気した後、ガス導入バルブ８を開きスパッ
ターガスとしてＡｒガスをマスフローコントローラー９
を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、真空槽１内
の圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽１
内の底部に配置された赤外線ランプ１０により基材Ｃを
１００℃の設定温度になるまで加熱した。
【００２６】さらに、スパッタテーブル５をモーター６
によって、回転速度３０ｒｐｍで回転させながら、ター
ゲットＡ及びＢに高周波電源３より高周波電力（発振周
波数１３．５６ＭＨｚ）を投入し、シャッター７を開け
ることにより成膜を開始し、基材Ｃ上にケイ素を含有す
るＺｎＯ透明導電層を形成した。両ターゲットＡ及びＢ
に投入する高周波電力値を制御することによって、表１
に示すケイ素含有量を有するＺｎＯ透明導電層を形成し
た。尚、成膜時間については、透明導電層の厚さが約１
５００Åになるように調節した。
によって、回転速度３０ｒｐｍで回転させながら、ター
ゲットＡ及びＢに高周波電源３より高周波電力（発振周
波数１３．５６ＭＨｚ）を投入し、シャッター７を開け
ることにより成膜を開始し、基材Ｃ上にケイ素を含有す
るＺｎＯ透明導電層を形成した。両ターゲットＡ及びＢ
に投入する高周波電力値を制御することによって、表１
に示すケイ素含有量を有するＺｎＯ透明導電層を形成し
た。尚、成膜時間については、透明導電層の厚さが約１
５００Åになるように調節した。
【００２７】（実施例４〜６）基材Ｃとして実施例１と
同様なポリカーボネート板を用い、図３に示した多元同
時スパッタリング装置のスパッタテーブル５に、ターゲ
ットＡ及びＢからほぼ等距離に位置するように取り付け
た。また、ターゲットＢとしてＳｉＯ2 を取り付けた。
ターゲットＢの形状は、直径５インチの円盤状であり、
その表面積が１２５ｃｍ2 のものを使用した。
同様なポリカーボネート板を用い、図３に示した多元同
時スパッタリング装置のスパッタテーブル５に、ターゲ
ットＡ及びＢからほぼ等距離に位置するように取り付け
た。また、ターゲットＢとしてＳｉＯ2 を取り付けた。
ターゲットＢの形状は、直径５インチの円盤状であり、
その表面積が１２５ｃｍ2 のものを使用した。
【００２８】次いで、真空槽１内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下に真空排気した後、ガス導入バルブ８を開きスパッ
ターガスとしてＡｒガスをマスフローコントローラー９
を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、真空槽１内
圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽１内
の底部に配置された赤外線ランプ１０により基材Ｃを１
００℃の設定温度になるまで加熱した。
以下に真空排気した後、ガス導入バルブ８を開きスパッ
ターガスとしてＡｒガスをマスフローコントローラー９
を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、真空槽１内
圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽１内
の底部に配置された赤外線ランプ１０により基材Ｃを１
００℃の設定温度になるまで加熱した。
【００２９】次いで、スパッタテーブル５をモーター６
によって、回転速度３０ｒｐｍで回転させながら、ター
ゲットＢ（ＳｉＯ2 ）のみに高周波電力（発振周波数１
３．５６ＭＨｚ）を投入し、シャッター７を開けること
により成膜を開始し、基材Ｃ上に５００Å厚のＳｉＯ2
被膜（中間層）を形成した。
によって、回転速度３０ｒｐｍで回転させながら、ター
ゲットＢ（ＳｉＯ2 ）のみに高周波電力（発振周波数１
３．５６ＭＨｚ）を投入し、シャッター７を開けること
により成膜を開始し、基材Ｃ上に５００Å厚のＳｉＯ2
被膜（中間層）を形成した。
【００３０】上記方法によりポリカーボネート板上にＳ
ｉＯ2 被膜（中間層）が設けられたものを基材Ｃとして
用い、実施例１と同様にして、基材Ｃ上にケイ素を含有
するＺｎＯ透明導電膜を形成した。両ターゲットＡ及び
Ｂに投入する高周波電力値を制御することによって、表
１に示すケイ素含有量を有するＺｎＯ透明導電層を形成
した。尚、成膜時間については、透明導電層の厚さが約
１５００Åになるように調節した。
ｉＯ2 被膜（中間層）が設けられたものを基材Ｃとして
用い、実施例１と同様にして、基材Ｃ上にケイ素を含有
するＺｎＯ透明導電膜を形成した。両ターゲットＡ及び
Ｂに投入する高周波電力値を制御することによって、表
１に示すケイ素含有量を有するＺｎＯ透明導電層を形成
した。尚、成膜時間については、透明導電層の厚さが約
１５００Åになるように調節した。
【００３１】（比較例１〜３）基材Ｃとして実施例１と
同様なポリカーボネート板を用い、表１に示すケイ素含
有量となるように、ターゲットＡ及びＢに投入する高周
波電力値を制御したこと以外は、実施例１と同様にし
て、基材Ｃ上にケイ素を含有するＺｎＯ透明導電層を約
１５００Å厚となるように形成した。
同様なポリカーボネート板を用い、表１に示すケイ素含
有量となるように、ターゲットＡ及びＢに投入する高周
波電力値を制御したこと以外は、実施例１と同様にし
て、基材Ｃ上にケイ素を含有するＺｎＯ透明導電層を約
１５００Å厚となるように形成した。
【００３２】（比較例４）基材Ｃとして実施例１と同様
なポリカーボネート板を用い、ターゲットＡとして酸化
錫が５重量％添加された酸化インジウム（直径５インチ
の円板状、表面積１２５ｃｍ2 、以下ＩＴＯという）を
取り付けたこと以外は、実施例１と同様にして、基材Ｃ
上にＩＴＯ透明導電層を約２００Å厚となるように形成
した。
なポリカーボネート板を用い、ターゲットＡとして酸化
錫が５重量％添加された酸化インジウム（直径５インチ
の円板状、表面積１２５ｃｍ2 、以下ＩＴＯという）を
取り付けたこと以外は、実施例１と同様にして、基材Ｃ
上にＩＴＯ透明導電層を約２００Å厚となるように形成
した。
【００３３】透明導電体の性能評価 上記実施例及び比較例で得られた透明導電体につき下記
の性能評価を行い、その結果を表１に示した。 （１）膜厚測定 基材Ｃの一部をマスキングして設けた段差を触針式の膜
厚計（スローン社製「Ｄｅｋｔａｋ３０３０」）によっ
て読み取り、この値を透明導電層の膜厚とした。
の性能評価を行い、その結果を表１に示した。 （１）膜厚測定 基材Ｃの一部をマスキングして設けた段差を触針式の膜
厚計（スローン社製「Ｄｅｋｔａｋ３０３０」）によっ
て読み取り、この値を透明導電層の膜厚とした。
【００３４】（２）ケイ素含有量の測定 ＩＣＰ発光分析装置（セイコー電子社製「ＳＰＳ−４０
００」）を使用してケイ素を定量分析し、以下の計算式
よりＺｎＯ透明導電層中のケイ素含有量を求めた。 ケイ素含有量（原子％）＝ケイ素原子（原子％）／〔亜
鉛原子（原子％）＋ケイ素原子（原子％）〕×１００
００」）を使用してケイ素を定量分析し、以下の計算式
よりＺｎＯ透明導電層中のケイ素含有量を求めた。 ケイ素含有量（原子％）＝ケイ素原子（原子％）／〔亜
鉛原子（原子％）＋ケイ素原子（原子％）〕×１００
【００３５】（３）シート抵抗 成膜直後の透明導電層のシート抵抗を抵抗率計（三菱油
化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５００」）を用いて四端子
法により測定した。尚、測定は基材上の６点で行い、こ
れらの平均値を初期シート抵抗とした。
化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５００」）を用いて四端子
法により測定した。尚、測定は基材上の６点で行い、こ
れらの平均値を初期シート抵抗とした。
【００３６】（４）信頼性評価 （３）で得られた透明導電層を、温度６０℃、相対湿度
９６％の恒温恒湿槽（東洋製作所製「アテンプターＡＧ
−２型」）内で１０００時間放置した後、（３）と同様
にして、信頼性試験後のシート抵抗値を測定した。次い
で、下式からシート抵抗変化量を求め、信頼性を評価し
た。 シート抵抗変化量＝試験後のシート抵抗−初期シート抵
抗
９６％の恒温恒湿槽（東洋製作所製「アテンプターＡＧ
−２型」）内で１０００時間放置した後、（３）と同様
にして、信頼性試験後のシート抵抗値を測定した。次い
で、下式からシート抵抗変化量を求め、信頼性を評価し
た。 シート抵抗変化量＝試験後のシート抵抗−初期シート抵
抗
【００３７】（５）光線透過率 透明導電体の波長５５０ｎｍにおける光線透過率を、自
記分光光度計（島津製作所製「ＵＶ−３１０１ＰＣ」）
を用いて測定した。
記分光光度計（島津製作所製「ＵＶ−３１０１ＰＣ」）
を用いて測定した。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【発明の効果】本発明の透明導電体の構成は、上述の通
りであり、抵抗膜方式のタブレット用透明電極に要求さ
れるシート抵抗を満足すると共に高温高湿下でのシート
抵抗の経時変化が少なく優れた信頼性を有する。さら
に、本発明の透明導電体は、プラスチック基材を使用し
ているので、ガラス基材が用いられている従来の透明電
極に比べて、軽量化が図られ割れを防止することができ
る。
りであり、抵抗膜方式のタブレット用透明電極に要求さ
れるシート抵抗を満足すると共に高温高湿下でのシート
抵抗の経時変化が少なく優れた信頼性を有する。さら
に、本発明の透明導電体は、プラスチック基材を使用し
ているので、ガラス基材が用いられている従来の透明電
極に比べて、軽量化が図られ割れを防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の透明導電体が用いられた抵抗
膜方式のタブレット用透明電極の一例を示す模式断面図
である。
膜方式のタブレット用透明電極の一例を示す模式断面図
である。
【図２】図２は、本発明の透明導電体が用いられた抵抗
膜方式のタブレット用透明電極の他の一例を示す模式断
面図である。
膜方式のタブレット用透明電極の他の一例を示す模式断
面図である。
【図３】図３は、本発明で使用される高周波スパッタリ
ング装置を示す概要図である。
ング装置を示す概要図である。
１１ プラスチック基材 １２ ハードコート層 １４ 透明導電層
Claims (1)
- 【請求項１】プラスチック基材上にハードコート層が積
層され、該ハードコート層上にさらに透明導電層が積層
された透明導電体であって、該透明導電層はケイ素をド
ープした酸化亜鉛被膜から形成され、ケイ素がケイ素原
子と亜鉛原子との合計原子数に対して４〜６原子％含有
されていることを特徴とする透明導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18144494A JPH0845352A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 透明導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18144494A JPH0845352A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 透明導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845352A true JPH0845352A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16100882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18144494A Pending JPH0845352A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 透明導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845352A (ja) |
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-
1994
- 1994-08-02 JP JP18144494A patent/JPH0845352A/ja active Pending
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