JP2002042560A - 導電性部材及びそれを用いた表示装置及びその製造方法 - Google Patents
導電性部材及びそれを用いた表示装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空成膜技術により基材上に再現性がよく、か
つ面内抵抗分布が均一な比抵抗値の導電性薄膜を有する
導電性部材とその製造方法の提供にある。 【解決手段】基材１０上に導電性薄膜２０が成膜されて
いる導電性部材１において、前記導電性薄膜２０の膜構
造が柱状構造で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃ
ｍ以上もしくは前記導電性薄膜２０の膜構造が緻密な結
晶構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下
である導電性部材１とするもので、その製造は、前記導
電性薄膜２０の成膜時の圧力または／および基材１０の
温度を変化させて、前記導電性薄膜の膜構造を変化さ
せ、その比抵抗値を設定し制御する製造方法である。
つ面内抵抗分布が均一な比抵抗値の導電性薄膜を有する
導電性部材とその製造方法の提供にある。 【解決手段】基材１０上に導電性薄膜２０が成膜されて
いる導電性部材１において、前記導電性薄膜２０の膜構
造が柱状構造で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃ
ｍ以上もしくは前記導電性薄膜２０の膜構造が緻密な結
晶構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下
である導電性部材１とするもので、その製造は、前記導
電性薄膜２０の成膜時の圧力または／および基材１０の
温度を変化させて、前記導電性薄膜の膜構造を変化さ
せ、その比抵抗値を設定し制御する製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示用透明電極な
どに用いられる導電性部材に関するものであり、さらに
詳しくは、透明基材上に導電性薄膜を形成した導電性部
材とその製造方法に関する。
どに用いられる導電性部材に関するものであり、さらに
詳しくは、透明基材上に導電性薄膜を形成した導電性部
材とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電性薄膜は帯電防止用途の他、
特に透明な導電性薄膜としては、熱線反射膜、ＬＣＤ
（液晶表示装置）やタッチパネル表示装置の透明電極、
太陽電池用透明電極などに応用されているのが知られ、
一般に、スパッタリング等の真空成膜技術により導電性
薄膜として成膜されるが、その場合、不活性ガス雰囲気
中の反応性ガス（酸素等）の量を調整し最も低比抵抗に
なる条件で薄膜を成膜するものである。
特に透明な導電性薄膜としては、熱線反射膜、ＬＣＤ
（液晶表示装置）やタッチパネル表示装置の透明電極、
太陽電池用透明電極などに応用されているのが知られ、
一般に、スパッタリング等の真空成膜技術により導電性
薄膜として成膜されるが、その場合、不活性ガス雰囲気
中の反応性ガス（酸素等）の量を調整し最も低比抵抗に
なる条件で薄膜を成膜するものである。
【０００３】しかし、前記反応性ガスの量により薄膜の
比抵抗値を設定し制御する方法では、例えば高い比抵抗
値の薄膜を得るために反応性ガス（例えば酸素ガス）を
増やすと比抵抗が急激に高くなり、一定の安定した比抵
抗値に設定して制御することすなわちその再現性が悪
く、かつ成膜面内における薄膜の比抵抗値の分布にムラ
が生じると言う問題があった。
比抵抗値を設定し制御する方法では、例えば高い比抵抗
値の薄膜を得るために反応性ガス（例えば酸素ガス）を
増やすと比抵抗が急激に高くなり、一定の安定した比抵
抗値に設定して制御することすなわちその再現性が悪
く、かつ成膜面内における薄膜の比抵抗値の分布にムラ
が生じると言う問題があった。
【０００４】上記比抵抗値の再現性と成膜面内における
比抵抗値ムラの問題を解決する方法として、例えば特開
平１０−１８３３３３号公報に提示されているように、
二酸化炭素を含む雰囲気中で酸化物ターゲットをスパッ
タリングする方法が知られている。
比抵抗値ムラの問題を解決する方法として、例えば特開
平１０−１８３３３３号公報に提示されているように、
二酸化炭素を含む雰囲気中で酸化物ターゲットをスパッ
タリングする方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、二酸化
炭素を導入する煩わしさと、得られる導電性薄膜の比抵
抗値は固定されており、様々な比抵抗値を設定し薄膜を
成膜することは困難なものであった。
炭素を導入する煩わしさと、得られる導電性薄膜の比抵
抗値は固定されており、様々な比抵抗値を設定し薄膜を
成膜することは困難なものであった。
【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点を解決
するものであり、その課題とするところは、真空成膜技
術により基材上に安定して再現性のよい比抵抗値で、か
つ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電性部材
とその比抵抗値の設定と制御が容易にできる製造方法を
提供することにある。
するものであり、その課題とするところは、真空成膜技
術により基材上に安定して再現性のよい比抵抗値で、か
つ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電性部材
とその比抵抗値の設定と制御が容易にできる製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１の発明では、基材上に
導電性薄膜が成膜されている導電性部材において、前記
導電性薄膜の膜構造が柱状構造で、その比抵抗値が１．
５×１０-3Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする導電性
部材としたものである。
を達成するために、まず請求項１の発明では、基材上に
導電性薄膜が成膜されている導電性部材において、前記
導電性薄膜の膜構造が柱状構造で、その比抵抗値が１．
５×１０-3Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする導電性
部材としたものである。
【０００８】上記請求項１の発明によれば、膜構造が柱
状構造で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃｍ以上
の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによって、
高い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得られ、か
つ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電性部材
とすることができる。膜構造が柱状構造で、その比抵抗
値が１．５×１０-3Ω・ｃｍに満たないと再現性に乏し
い不安定な比抵抗値とかつ面内抵抗分布が不均一な導電
性部材となるので好ましくない。
状構造で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃｍ以上
の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによって、
高い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得られ、か
つ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電性部材
とすることができる。膜構造が柱状構造で、その比抵抗
値が１．５×１０-3Ω・ｃｍに満たないと再現性に乏し
い不安定な比抵抗値とかつ面内抵抗分布が不均一な導電
性部材となるので好ましくない。
【０００９】また、請求項２の発明では、基材上に導電
性薄膜が成膜されている導電性部材において、前記導電
性薄膜の膜構造が緻密な結晶構造で、その比抵抗値が
１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする導
電性部材としたものである。
性薄膜が成膜されている導電性部材において、前記導電
性薄膜の膜構造が緻密な結晶構造で、その比抵抗値が
１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする導
電性部材としたものである。
【００１０】上記請求項２の発明によれば、膜構造が緻
密な結晶構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃ
ｍ以下の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによ
って、低い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得ら
れ、かつ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電
性部材とすることができる。膜構造が緻密な結晶構造
で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍを越えると
再現性に乏しい不安定な比抵抗値とかつ面内抵抗分布が
不均一な導電性部材となるので好ましくない。
密な結晶構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃ
ｍ以下の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによ
って、低い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得ら
れ、かつ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電
性部材とすることができる。膜構造が緻密な結晶構造
で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍを越えると
再現性に乏しい不安定な比抵抗値とかつ面内抵抗分布が
不均一な導電性部材となるので好ましくない。
【００１１】また、請求項３の発明では、前記導電性薄
膜は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれ
か、またはそれら２種類もしくは３種類の複合酸化物で
あることを特徴とする請求項１または２記載の導電性部
材としたものである。
膜は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれ
か、またはそれら２種類もしくは３種類の複合酸化物で
あることを特徴とする請求項１または２記載の導電性部
材としたものである。
【００１２】上記請求項３の発明によれば、成膜の酸化
物ターゲットを酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、またはこれらの複合酸化物とすることによっ
て、透明な導電性薄膜が得られ、表示装置等の電極等に
利用できる導電性部材とすることができる。
物ターゲットを酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、またはこれらの複合酸化物とすることによっ
て、透明な導電性薄膜が得られ、表示装置等の電極等に
利用できる導電性部材とすることができる。
【００１３】また、請求項４の発明では、前記基材が透
明基材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載の導電性部材としたものである。
明基材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載の導電性部材としたものである。
【００１４】上記請求項４の発明によれば、基材をガラ
スのような透明基材とすることによって、透明電極板と
して、例えば液晶表示装置等に利用できる導電性部材を
提供できる。
スのような透明基材とすることによって、透明電極板と
して、例えば液晶表示装置等に利用できる導電性部材を
提供できる。
【００１５】また、請求項５の発明では、前記基材がプ
ラスチックフィルムであることを特徴とする請求項１〜
４のいずれか１項に記載の導電性部材としたものであ
る。
ラスチックフィルムであることを特徴とする請求項１〜
４のいずれか１項に記載の導電性部材としたものであ
る。
【００１６】上記請求項５の発明によれば、基材をポリ
エチレンテレフタレートのような透明プラスチックフィ
ルムとすることによって、フレキシブルな透明電極板と
して、例えば巻き取り自在で持ち運び容易な液晶表示装
置等に利用できる導電性部材を提供できる。
エチレンテレフタレートのような透明プラスチックフィ
ルムとすることによって、フレキシブルな透明電極板と
して、例えば巻き取り自在で持ち運び容易な液晶表示装
置等に利用できる導電性部材を提供できる。
【００１７】また、請求項６の発明では、前記基材と導
電性薄膜の間にハードコート層が形成されていることを
特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性
部材としたものである。
電性薄膜の間にハードコート層が形成されていることを
特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性
部材としたものである。
【００１８】上記請求項６の発明によれば、基材と導電
性薄膜の間にハードコート層を設けることによって、表
面硬度の高く、耐磨耗性等に優れる透明電極として、例
えば液晶表示装置等に利用できる導電性部材を提供でき
る。
性薄膜の間にハードコート層を設けることによって、表
面硬度の高く、耐磨耗性等に優れる透明電極として、例
えば液晶表示装置等に利用できる導電性部材を提供でき
る。
【００１９】また、請求項７の発明では、前記請求項１
〜６のいずれか１項に記載の導電性部材を電極として設
けたことを特徴とする表示装置としたものである。
〜６のいずれか１項に記載の導電性部材を電極として設
けたことを特徴とする表示装置としたものである。
【００２０】上記請求項７の発明によれば、面内抵抗分
布が均一な導電性薄膜を有する透明電極を搭載した液晶
表示装置等多方面の各種表示装置とすることができる。
布が均一な導電性薄膜を有する透明電極を搭載した液晶
表示装置等多方面の各種表示装置とすることができる。
【００２１】また、請求項８の発明では、基材上に、真
空成膜技術を用いて導電性薄膜を成膜する導電性部材の
製造において、前記導電性薄膜の膜構造を変化させ、そ
の比抵抗値を設定し制御することを特徴とする導電性部
材の製造方法としたものである。
空成膜技術を用いて導電性薄膜を成膜する導電性部材の
製造において、前記導電性薄膜の膜構造を変化させ、そ
の比抵抗値を設定し制御することを特徴とする導電性部
材の製造方法としたものである。
【００２２】また、請求項９の発明では、前記導電性薄
膜の比抵抗値の設定と制御は、成膜時の圧力または／お
よび基材の温度を変化させてなることを特徴とする請求
項８記載の導電性部材の製造方法としたものである。
膜の比抵抗値の設定と制御は、成膜時の圧力または／お
よび基材の温度を変化させてなることを特徴とする請求
項８記載の導電性部材の製造方法としたものである。
【００２３】上記請求項８または９の発明によれば、成
膜時の圧力または／および基材の温度を変化させること
によって、導電性薄膜の膜構造を変化させ、基材上に安
定して再現性のよい比抵抗値で、かつ面内抵抗分布が均
一な導電性薄膜を有する導電性部材とその比抵抗値の設
定と制御が容易にできる製造方法を提供できる。
膜時の圧力または／および基材の温度を変化させること
によって、導電性薄膜の膜構造を変化させ、基材上に安
定して再現性のよい比抵抗値で、かつ面内抵抗分布が均
一な導電性薄膜を有する導電性部材とその比抵抗値の設
定と制御が容易にできる製造方法を提供できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。まず本発明の導電性部材は、図１の側断面積層図に
示すように、基材（１０）上に導電性薄膜（２０）が成
膜されている導電性部材（１）において、前記導電性薄
膜（２０）の膜構造が柱状構造で、その比抵抗値が１．
５×１０-3Ω・ｃｍ以上である、あるいは、前記導電性
薄膜（２０）の膜構造が緻密な結晶構造で、その比抵抗
値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下である導電性部材
（１）である。
る。まず本発明の導電性部材は、図１の側断面積層図に
示すように、基材（１０）上に導電性薄膜（２０）が成
膜されている導電性部材（１）において、前記導電性薄
膜（２０）の膜構造が柱状構造で、その比抵抗値が１．
５×１０-3Ω・ｃｍ以上である、あるいは、前記導電性
薄膜（２０）の膜構造が緻密な結晶構造で、その比抵抗
値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下である導電性部材
（１）である。
【００２５】また、本発明では、図２の側断面積層図に
示すように、基材（１０）と導電性薄膜（２０）との間
にハードコート層（３０）を形成した導電性部材（１）
とするものである。
示すように、基材（１０）と導電性薄膜（２０）との間
にハードコート層（３０）を形成した導電性部材（１）
とするものである。
【００２６】あるいは、図示しないが必要に応じて導電
性薄膜（２０）の基材（１０）側あるいは基材（１０）
と反対側に、あるいは基材（１０）の両側に導電性薄膜
（２０）あるいはその他の薄膜を１層あるいは多層積層
しても差し支えない。
性薄膜（２０）の基材（１０）側あるいは基材（１０）
と反対側に、あるいは基材（１０）の両側に導電性薄膜
（２０）あるいはその他の薄膜を１層あるいは多層積層
しても差し支えない。
【００２７】以下に上記導電性部材（１）の製造方法等
を詳細に説明する。図３のグラフは、例えば反応性ガス
とスパッタリング雰囲気のアルゴンとの比に対する導電
性薄膜の比抵抗値の関係の１例を示したものである。こ
れは、例えば導電性薄膜材料としてＩＴＯ（ＳｎＯ2 ：
１０ｗｔ％）を用い、アルゴンガスに反応性ガスとして
酸素を導入してＤＣスパッタリングにより２５℃に設定
したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上
に導電性薄膜を形成したもので、このときのスパッタリ
ング印可電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 、その全圧は、
０．５Ｐａとした。また、酸素／アルゴン比を体積比０
％から増加させると、次第に比抵抗が低下し、酸素／ア
ルゴン比がおよそ体積比２％の時最も比抵抗が低下し、
さらに酸素／アルゴン比を増加させると急激に比抵抗が
高くなる。
を詳細に説明する。図３のグラフは、例えば反応性ガス
とスパッタリング雰囲気のアルゴンとの比に対する導電
性薄膜の比抵抗値の関係の１例を示したものである。こ
れは、例えば導電性薄膜材料としてＩＴＯ（ＳｎＯ2 ：
１０ｗｔ％）を用い、アルゴンガスに反応性ガスとして
酸素を導入してＤＣスパッタリングにより２５℃に設定
したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上
に導電性薄膜を形成したもので、このときのスパッタリ
ング印可電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 、その全圧は、
０．５Ｐａとした。また、酸素／アルゴン比を体積比０
％から増加させると、次第に比抵抗が低下し、酸素／ア
ルゴン比がおよそ体積比２％の時最も比抵抗が低下し、
さらに酸素／アルゴン比を増加させると急激に比抵抗が
高くなる。
【００２８】これによれば、導電性薄膜に低比抵抗が要
求される場合は、酸素／アルゴン比の変化量に対する薄
膜の比抵抗値の変化量が少ない条件で導電性薄膜を作製
することにより、薄膜面内で比抵抗値の分布が均一にな
り、かつ再現性の良い導電性薄膜が得られる。
求される場合は、酸素／アルゴン比の変化量に対する薄
膜の比抵抗値の変化量が少ない条件で導電性薄膜を作製
することにより、薄膜面内で比抵抗値の分布が均一にな
り、かつ再現性の良い導電性薄膜が得られる。
【００２９】また、表面抵抗値（シート抵抗値）の高い
導電性薄膜が要求される場合は、酸素／アルゴン比の変
化量に対する薄膜の比抵抗値の変化量が少ない条件で、
膜厚を薄く成膜することにより薄膜面内で比抵抗値の分
布が均一になり、かつ再現性の良い導電性薄膜が得られ
る。
導電性薄膜が要求される場合は、酸素／アルゴン比の変
化量に対する薄膜の比抵抗値の変化量が少ない条件で、
膜厚を薄く成膜することにより薄膜面内で比抵抗値の分
布が均一になり、かつ再現性の良い導電性薄膜が得られ
る。
【００３０】しかしながら、最も低比抵抗になる条件で
成膜した導電性薄膜よりも５倍から１０倍の高比抵抗の
導電性薄膜が要求される場合（例えば、タッチパネル用
の透明導電膜等：光の干渉により視感度の高い波長５５
０ｎｍ前後の透過率が最も高くなるような膜厚で成膜し
なければならない場合等）、ＤＣスパッタリング時の酸
素／アルゴン比を調整して比抵抗値を設定しようとする
と、成膜面内で抵抗値の分布の大きなすなわちムラのあ
る薄膜になる。
成膜した導電性薄膜よりも５倍から１０倍の高比抵抗の
導電性薄膜が要求される場合（例えば、タッチパネル用
の透明導電膜等：光の干渉により視感度の高い波長５５
０ｎｍ前後の透過率が最も高くなるような膜厚で成膜し
なければならない場合等）、ＤＣスパッタリング時の酸
素／アルゴン比を調整して比抵抗値を設定しようとする
と、成膜面内で抵抗値の分布の大きなすなわちムラのあ
る薄膜になる。
【００３１】また、図２のグラフは、ＤＣスパッタリン
グ時の全圧と、成膜の材料がその圧力下で最も低抵抗値
となるような条件で、２５℃に設定した基材：ＰＥＴフ
ィルム上に成膜した場合の導電性薄膜の比抵抗値との関
係を示した事例であり、導電性薄膜の材料としてＩＴＯ
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）を用い、アルゴンガスに反応
性ガスとして酸素を導入してＤＣスパッタリングにより
薄膜を形成した。このときのスパッタリング印可電力密
度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 、その全圧は、０．５Ｐａから
４．７Ｐａの範囲で成膜した。いずれの導電性薄膜につ
いても面内での抵抗値の分布が均一な導電性薄膜が得ら
れた。この全圧を高めるに従い、比抵抗値は、単調に増
加し、０．５６Ｐａから４．７Ｐａで約６．７倍の比抵
抗値の変化が観察された。また、スパッタリングの全圧
１．６Ｐａ以下で成膜した薄膜と３．３Ｐａ以上で成膜
した薄膜について断面をＳＥＭにより比較観察したとこ
ろ、前者では緻密な結晶構造だったが、後者では柱状構
造が観察された。このことはスパッタリングの圧力を変
化させて成膜すると、その膜構造が変化して抵抗値が変
化することを示すものである。さらに、これらの成膜さ
れた導電性薄膜をガーゼで擦ったが、薄膜表面に大きな
変化は見られず、実用上問題ないことが確認された。
グ時の全圧と、成膜の材料がその圧力下で最も低抵抗値
となるような条件で、２５℃に設定した基材：ＰＥＴフ
ィルム上に成膜した場合の導電性薄膜の比抵抗値との関
係を示した事例であり、導電性薄膜の材料としてＩＴＯ
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）を用い、アルゴンガスに反応
性ガスとして酸素を導入してＤＣスパッタリングにより
薄膜を形成した。このときのスパッタリング印可電力密
度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 、その全圧は、０．５Ｐａから
４．７Ｐａの範囲で成膜した。いずれの導電性薄膜につ
いても面内での抵抗値の分布が均一な導電性薄膜が得ら
れた。この全圧を高めるに従い、比抵抗値は、単調に増
加し、０．５６Ｐａから４．７Ｐａで約６．７倍の比抵
抗値の変化が観察された。また、スパッタリングの全圧
１．６Ｐａ以下で成膜した薄膜と３．３Ｐａ以上で成膜
した薄膜について断面をＳＥＭにより比較観察したとこ
ろ、前者では緻密な結晶構造だったが、後者では柱状構
造が観察された。このことはスパッタリングの圧力を変
化させて成膜すると、その膜構造が変化して抵抗値が変
化することを示すものである。さらに、これらの成膜さ
れた導電性薄膜をガーゼで擦ったが、薄膜表面に大きな
変化は見られず、実用上問題ないことが確認された。
【００３２】上記では、真空成膜技術をスパッタリング
としたが、その圧力や基材の温度により膜構造が変化す
ればよく、従って、ＤＣスパッタリング以外の成膜方法
であっても良い。
としたが、その圧力や基材の温度により膜構造が変化す
ればよく、従って、ＤＣスパッタリング以外の成膜方法
であっても良い。
【００３３】すなわち、真空薄膜技術において圧力や基
材の温度により膜構造を変化させ、その条件下で最も低
抵抗値となるような反応性ガス量を設定して薄膜を作製
することにより、同一の成膜材料を用いているにもかか
わらず、様々な比抵抗で面内抵抗分布の均一な導電性薄
膜を再現性よく成膜することが可能である。
材の温度により膜構造を変化させ、その条件下で最も低
抵抗値となるような反応性ガス量を設定して薄膜を作製
することにより、同一の成膜材料を用いているにもかか
わらず、様々な比抵抗で面内抵抗分布の均一な導電性薄
膜を再現性よく成膜することが可能である。
【００３４】さらに、添加物等により比抵抗値を調整し
た成膜材料について、以上の方法を用いると、さらに広
範囲に比抵抗値の設定が可能となる。
た成膜材料について、以上の方法を用いると、さらに広
範囲に比抵抗値の設定が可能となる。
【００３５】本発明における成膜時の全圧および基材の
温度は、成膜方法、成膜装置により異なるが、成膜が安
定に行うことができ、かつ薄膜の強度が実質上問題がな
ければ、いかなる圧力範囲でも、温度範囲であっても構
わない。また、反応ガスとしては、例えば酸素のほか窒
素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、水蒸気
（Ｈ2 Ｏ）等が挙げられ、そのいずれかあるいは複数の
組み合わせたものを成膜材料に応じて適宜導入すること
ができる。
温度は、成膜方法、成膜装置により異なるが、成膜が安
定に行うことができ、かつ薄膜の強度が実質上問題がな
ければ、いかなる圧力範囲でも、温度範囲であっても構
わない。また、反応ガスとしては、例えば酸素のほか窒
素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、水蒸気
（Ｈ2 Ｏ）等が挙げられ、そのいずれかあるいは複数の
組み合わせたものを成膜材料に応じて適宜導入すること
ができる。
【００３６】本発明の導電性部材（１）を構成する基材
として、表示装置の光学部材として用いられる場合は、
透明性を有していれば良く、例えばガラス、プラスチッ
クシート、プラスチックフィルムなどが挙げられ、プラ
スチックシートおよびプラスチックフィルムでは、例え
ばポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルス
ルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロー
ス等が挙げられ、目的・用途により適宜選択される。
として、表示装置の光学部材として用いられる場合は、
透明性を有していれば良く、例えばガラス、プラスチッ
クシート、プラスチックフィルムなどが挙げられ、プラ
スチックシートおよびプラスチックフィルムでは、例え
ばポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルス
ルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロー
ス等が挙げられ、目的・用途により適宜選択される。
【００３７】また、本発明の導電性部材（１）を構成す
る導電性薄膜（２０）としては、透明性が要求される場
合は、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいず
れか、または、それらの２種もしくは３種の混合酸化物
等が挙げられるが、それ以外のものでは導電性を有すれ
ば、他の金属等からなるいかなる薄膜であっても構わな
い。
る導電性薄膜（２０）としては、透明性が要求される場
合は、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいず
れか、または、それらの２種もしくは３種の混合酸化物
等が挙げられるが、それ以外のものでは導電性を有すれ
ば、他の金属等からなるいかなる薄膜であっても構わな
い。
【００３８】上記導電性薄膜（２０）として、例えば、
ＤＣスパッタリングにより透明電極としてのＩＴＯ（Ｓ
ｎＯ2 ：１０ｗｔ％）を成膜する場合、酸素／アルゴン
比を（比抵抗が最も低くなるように）調整しながら圧力
および基材温度を変化させて成膜した比抵抗値が１．５
×１０-3Ω・ｃｍ以上のＩＴＯ膜の断面を観察すると柱
状構造になっていることが確認できる。
ＤＣスパッタリングにより透明電極としてのＩＴＯ（Ｓ
ｎＯ2 ：１０ｗｔ％）を成膜する場合、酸素／アルゴン
比を（比抵抗が最も低くなるように）調整しながら圧力
および基材温度を変化させて成膜した比抵抗値が１．５
×１０-3Ω・ｃｍ以上のＩＴＯ膜の断面を観察すると柱
状構造になっていることが確認できる。
【００３９】また、上記導電性薄膜（２０）として、例
えば、ＤＣスパッタリングにより透明電極としてのＩＴ
Ｏ（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）を成膜する場合、酸素／ア
ルゴン比を（比抵抗が最も低くなるように）調整しなが
ら圧力および基材の温度を変化させて成膜した比抵抗値
が、１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜の断面をＳ
ＥＭで観察すると、緻密な結晶構造になっていることが
確認できる。
えば、ＤＣスパッタリングにより透明電極としてのＩＴ
Ｏ（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）を成膜する場合、酸素／ア
ルゴン比を（比抵抗が最も低くなるように）調整しなが
ら圧力および基材の温度を変化させて成膜した比抵抗値
が、１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜の断面をＳ
ＥＭで観察すると、緻密な結晶構造になっていることが
確認できる。
【００４０】この導電性薄膜（２０）の膜構造につい
て、高比抵抗となる柱状構造あるいは低比抵抗となる緻
密な結晶構造は、実用上問題とならない強度があれば、
いかなる条件で成膜しても構わない。
て、高比抵抗となる柱状構造あるいは低比抵抗となる緻
密な結晶構造は、実用上問題とならない強度があれば、
いかなる条件で成膜しても構わない。
【００４１】また、本発明の導電性部材（１）を構成す
るハードコート層（３０）としては、例えば紫外線硬化
型のアクリル系樹脂等が挙げられ、導電性部材（１）を
表示装置等の透明電極として用いる場合は、全体の透明
度を阻害しない程度に透明なものが使用可能である。そ
の膜厚は３μｍ以上あれば十分な強度となるが、透明
性、塗工精度、取り扱いから５から２０μｍの範囲が望
ましい。このハードコート層（３０）の形成は、導電性
薄膜（２０）と基材（１０）との間にスロットコータ
ー、スピンコーター、ロールコーター、カーテンコータ
ー、スクリーン印刷等従来の塗布方式で得られる。
るハードコート層（３０）としては、例えば紫外線硬化
型のアクリル系樹脂等が挙げられ、導電性部材（１）を
表示装置等の透明電極として用いる場合は、全体の透明
度を阻害しない程度に透明なものが使用可能である。そ
の膜厚は３μｍ以上あれば十分な強度となるが、透明
性、塗工精度、取り扱いから５から２０μｍの範囲が望
ましい。このハードコート層（３０）の形成は、導電性
薄膜（２０）と基材（１０）との間にスロットコータ
ー、スピンコーター、ロールコーター、カーテンコータ
ー、スクリーン印刷等従来の塗布方式で得られる。
【００４２】
【実施例】次に実施例により、本発明を具体的に説明す
る。 〈実施例１〉図１に示すように、ＩＴＯ（ＳｎＯ2 ：１
０ｗｔ％）焼結体をスパッタリングの酸化物ターゲット
として全圧４．０Ｐａ、酸素／アルゴン比を体積比１．
０％（全圧４．０Ｐａにおいて最も低抵抗となる割合）
でＤＣスパッタリング法により、基材（１０）として、
−１５℃に設定した透明な厚さ１８８μｍのポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、波長５５０
ｎｍで透過率が最も高くなる光学膜厚（ｎｄ＝２７５ｎ
ｍ）のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２０）として形成し
て、導電性部材（１）を得た。この時のスパッタリング
印可電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
る。 〈実施例１〉図１に示すように、ＩＴＯ（ＳｎＯ2 ：１
０ｗｔ％）焼結体をスパッタリングの酸化物ターゲット
として全圧４．０Ｐａ、酸素／アルゴン比を体積比１．
０％（全圧４．０Ｐａにおいて最も低抵抗となる割合）
でＤＣスパッタリング法により、基材（１０）として、
−１５℃に設定した透明な厚さ１８８μｍのポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、波長５５０
ｎｍで透過率が最も高くなる光学膜厚（ｎｄ＝２７５ｎ
ｍ）のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２０）として形成し
て、導電性部材（１）を得た。この時のスパッタリング
印可電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
【００４３】上記で得られたＩＴＯ薄膜の断面をＳＥＭ
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は柱状構造で、面内
（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が２００Ω／
□±５％以内で、かつ薄膜形成の再現性が±５％以内の
良好な導電性薄膜（２０）を有する導電性部材（１）で
あった。
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は柱状構造で、面内
（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が２００Ω／
□±５％以内で、かつ薄膜形成の再現性が±５％以内の
良好な導電性薄膜（２０）を有する導電性部材（１）で
あった。
【００４４】〈実施例２〉図２に示すように、厚さ１０
０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムを基材（１０）とし、その上に紫外線硬化性のアクリ
ル系ハードコート層（３０）を５μｍの膜厚で塗布し、
−１５℃に設定したその上に導電性薄膜（３０）として
ＩＴＯ（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）焼結体をスパッタリン
グの酸化物ターゲットとして、全圧４．０Ｐａ、酸素／
アルゴン比を体積比１．０％（全圧４．０Ｐａにおいて
最も低抵抗となる割合）でＤＣスパッタリング法によ
り、波長５５０ｎｍで透過率が最も高くなる光学膜厚
（ｎｄ＝２７５ｎｍ）のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２
０）として形成して導電性部材（１）を得た。この時の
スパッタリング印可電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とし
た。
０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムを基材（１０）とし、その上に紫外線硬化性のアクリ
ル系ハードコート層（３０）を５μｍの膜厚で塗布し、
−１５℃に設定したその上に導電性薄膜（３０）として
ＩＴＯ（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）焼結体をスパッタリン
グの酸化物ターゲットとして、全圧４．０Ｐａ、酸素／
アルゴン比を体積比１．０％（全圧４．０Ｐａにおいて
最も低抵抗となる割合）でＤＣスパッタリング法によ
り、波長５５０ｎｍで透過率が最も高くなる光学膜厚
（ｎｄ＝２７５ｎｍ）のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２
０）として形成して導電性部材（１）を得た。この時の
スパッタリング印可電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とし
た。
【００４５】上記で得られたＩＴＯ薄膜の断面をＳＥＭ
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は柱状構造で、面内
（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が２００Ω／
□±５％以内で、かつ薄膜形成の再現性が±５％以内の
良好な導電性薄膜（２０）を有する導電性部材（１）で
あった。さらにまた、表面の鉛筆硬度試験を行った結
果、３Ｈの試験でキズは認められず、実用上十分な硬度
を有する導電性部材（１）であった。
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は柱状構造で、面内
（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が２００Ω／
□±５％以内で、かつ薄膜形成の再現性が±５％以内の
良好な導電性薄膜（２０）を有する導電性部材（１）で
あった。さらにまた、表面の鉛筆硬度試験を行った結
果、３Ｈの試験でキズは認められず、実用上十分な硬度
を有する導電性部材（１）であった。
【００４６】〈実施例３〉図１に示すように、ＩＴＯ
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）の焼結体をスパッタリングの
酸化物ターゲットとして全圧０．５Ｐａ、酸素／アルゴ
ン比を体積比２．０％（全圧０．５Ｐａにおいて最も低
抵抗となる割合）でＤＣスパッタリング法により、基材
（１０）としての２５℃に設定した透明なポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に波長５５０ｎｍ
で透過率が最も高くなる光学膜厚（ｎｄ＝２７５ｎｍ）
のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２０）として形成して導電
性部材（１）を得た。この時のスパッタリング印可電力
密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）の焼結体をスパッタリングの
酸化物ターゲットとして全圧０．５Ｐａ、酸素／アルゴ
ン比を体積比２．０％（全圧０．５Ｐａにおいて最も低
抵抗となる割合）でＤＣスパッタリング法により、基材
（１０）としての２５℃に設定した透明なポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に波長５５０ｎｍ
で透過率が最も高くなる光学膜厚（ｎｄ＝２７５ｎｍ）
のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２０）として形成して導電
性部材（１）を得た。この時のスパッタリング印可電力
密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
【００４７】上記で得られたＩＴＯ薄膜の断面をＳＥＭ
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は緻密な結晶構造
で、面内（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が３
５．０Ω／□±５％以内で、かつ薄膜形成の再現性が±
５％以内の良好な導電性薄膜（２０）を有する導電性部
材（１）であった。
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は緻密な結晶構造
で、面内（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が３
５．０Ω／□±５％以内で、かつ薄膜形成の再現性が±
５％以内の良好な導電性薄膜（２０）を有する導電性部
材（１）であった。
【００４８】〈比較例１〉図１に示すように、ＩＴＯ
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）の焼結体をスパッタリングの
酸化物ターゲットとして全圧０．５Ｐａ、酸素／アルゴ
ン比を体積比３．７％でＤＣスパッタリング法により、
基材（１０）としての２５℃に設定した透明なポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に波長５５０
ｎｍで透過率が最も高くなる光学膜厚（ｎｄ＝２７５ｎ
ｍ）のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２０）として形成して
導電性部材（１）を得た。この時のスパッタリング印可
電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）の焼結体をスパッタリングの
酸化物ターゲットとして全圧０．５Ｐａ、酸素／アルゴ
ン比を体積比３．７％でＤＣスパッタリング法により、
基材（１０）としての２５℃に設定した透明なポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に波長５５０
ｎｍで透過率が最も高くなる光学膜厚（ｎｄ＝２７５ｎ
ｍ）のＩＴＯ薄膜を導電性薄膜（２０）として形成して
導電性部材（１）を得た。この時のスパッタリング印可
電力密度は、２．５Ｗ／ｃｍ2 とした。
【００４９】上記で得られたＩＴＯ薄膜の断面をＳＥＭ
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は緻密な結晶構造
で、面内（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が２
００Ω／□±１０％以上で、その薄膜形成の再現性が±
１５％以上のバラツキのある導電性薄膜（２０）を有す
る導電性部材（１）であった。
で観察したところ、そのＩＴＯ薄膜は緻密な結晶構造
で、面内（５００ｍｍ×５００ｍｍ）のシート抵抗が２
００Ω／□±１０％以上で、その薄膜形成の再現性が±
１５％以上のバラツキのある導電性薄膜（２０）を有す
る導電性部材（１）であった。
【００５０】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。即ち、基材上に導電性薄膜が成膜
されている導電性部材において、その導電性薄膜の膜構
造が柱状構造で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃ
ｍ以上の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによ
って、高い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得ら
れ、かつ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電
性部材とすることができる。
示す如き効果がある。即ち、基材上に導電性薄膜が成膜
されている導電性部材において、その導電性薄膜の膜構
造が柱状構造で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃ
ｍ以上の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによ
って、高い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得ら
れ、かつ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電
性部材とすることができる。
【００５１】また、前記導電性薄膜の膜構造が緻密な結
晶構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下
の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによって、
低い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得られ、か
つ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電性部材
とすることができる。
晶構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下
の導電性薄膜を有する導電性部材とすることによって、
低い比抵抗値の薄膜を安定して再現性がよく得られ、か
つ面内抵抗分布が均一な導電性薄膜を有する導電性部材
とすることができる。
【００５２】また、前記導電性薄膜を、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、またはそれら２種
類もしくは３種類の複合酸化物とすることによって、透
明な導電性薄膜が得られ、表示装置等の電極等に利用で
きる導電性部材とすることができる。
ム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、またはそれら２種
類もしくは３種類の複合酸化物とすることによって、透
明な導電性薄膜が得られ、表示装置等の電極等に利用で
きる導電性部材とすることができる。
【００５３】また、前記基材をガラスのような透明基材
とすることによって、透明電極板として、例えば液晶表
示装置等に利用できる導電性部材を提供できる。
とすることによって、透明電極板として、例えば液晶表
示装置等に利用できる導電性部材を提供できる。
【００５４】さらにまた、前記基材をポリエチレンテレ
フタレートのような透明プラスチックフィルムとするこ
とによって、フレキシブルな透明電極板として、例えば
巻き取り自在で持ち運びも容易な液晶表示装置等に利用
できる導電性部材を提供できる。
フタレートのような透明プラスチックフィルムとするこ
とによって、フレキシブルな透明電極板として、例えば
巻き取り自在で持ち運びも容易な液晶表示装置等に利用
できる導電性部材を提供できる。
【００５５】また、前記基材と導電性薄膜の間にハード
コート層を設けることによって、表面硬度の高く、耐磨
耗性等に優れる透明電極として、例えば液晶表示装置等
に利用できる導電性部材を提供できる。
コート層を設けることによって、表面硬度の高く、耐磨
耗性等に優れる透明電極として、例えば液晶表示装置等
に利用できる導電性部材を提供できる。
【００５６】以上のような導電性部材を用いて、面内抵
抗の分布が均一で、再現性に優れる導電性薄膜を有する
透明電極を搭載した液晶表示装置等多方面の各種表示装
置とすることができる。
抗の分布が均一で、再現性に優れる導電性薄膜を有する
透明電極を搭載した液晶表示装置等多方面の各種表示装
置とすることができる。
【００５７】また、基材上に、真空成膜技術を用いて導
電性薄膜を成膜する導電性部材の製造において、成膜時
の圧力または／および基材の温度を変化させることによ
って、導電性薄膜の膜構造を変化させ、基材上に安定し
て再現性のよい比抵抗値で、かつ面内抵抗分布が均一な
導電性薄膜を有する導電性部材とその比抵抗値の設定と
制御が容易にできる製造方法を提供できる。
電性薄膜を成膜する導電性部材の製造において、成膜時
の圧力または／および基材の温度を変化させることによ
って、導電性薄膜の膜構造を変化させ、基材上に安定し
て再現性のよい比抵抗値で、かつ面内抵抗分布が均一な
導電性薄膜を有する導電性部材とその比抵抗値の設定と
制御が容易にできる製造方法を提供できる。
【００５８】従って本発明は、透明基材上に導電性薄膜
を形成して、表示用透明電極などに用いられる導電性部
材とその製造方法として、優れた実用上の効果を発揮す
るものである。
を形成して、表示用透明電極などに用いられる導電性部
材とその製造方法として、優れた実用上の効果を発揮す
るものである。
【図１】本発明の導電性部材の一実施の形態を説明する
ための側断面積層図である。
ための側断面積層図である。
【図２】本発明の導電性部材の他の一実施の形態を説明
するための側断面積層図である。
するための側断面積層図である。
【図３】本発明の導電性部材の製造方法に係わる実施の
形態を示すもので、スパッタリング雰囲気中のアルゴン
に対する酸素の比と導電性薄膜の比抵抗値との関係をグ
ラフで表した説明図である。
形態を示すもので、スパッタリング雰囲気中のアルゴン
に対する酸素の比と導電性薄膜の比抵抗値との関係をグ
ラフで表した説明図である。
【図４】本発明の導電性部材の製造方法に係わる実施の
形態を示すもので、スパッタリング時の全圧と、その材
料がその圧力下で最も低抵抗になる条件で成膜した場合
の比抵抗値との関係をグラフで表した説明図である。
形態を示すもので、スパッタリング時の全圧と、その材
料がその圧力下で最も低抵抗になる条件で成膜した場合
の比抵抗値との関係をグラフで表した説明図である。
１‥‥導電性部材 １０‥‥基材 ２０‥‥導電性薄膜 ３０‥‥ハードコート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ Ｆターム(参考） 2H092 HA03 HA04 JB56 MA05 NA18 NA25 PA01 4K029 AA11 BA45 BA47 BA49 BA50 BB08 BC05 BC09 BD00 BD09 CA06 DC05 DC09 DC34 EA03 EA08 5F103 AA08 BB22 DD30 GG01 HH01 HH10 NN01 NN04 PP11 5G307 FA02 FA03 FB01 FC10 5G323 BA02 BB05
Claims (9)
- 【請求項１】基材上に導電性薄膜が成膜されている導電
性部材において、前記導電性薄膜の膜構造が柱状構造
で、その比抵抗値が１．５×１０-3Ω・ｃｍ以上である
ことを特徴とする導電性部材。 - 【請求項２】基材上に導電性薄膜が成膜されている導電
性部材において、前記導電性薄膜の膜構造が緻密な結晶
構造で、その比抵抗値が１．０×１０-3Ω・ｃｍ以下で
あることを特徴とする導電性部材。 - 【請求項３】前記導電性薄膜は、酸化インジウム、酸化
亜鉛、酸化スズのいずれか、またはそれら２種類もしく
は３種類の複合酸化物であることを特徴とする請求項１
または２記載の導電性部材。 - 【請求項４】前記基材が透明基材であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性部材。 - 【請求項５】前記基材がプラスチックフィルムであるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導
電性部材。 - 【請求項６】前記基材と導電性薄膜の間にハードコート
層が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれか１項に記載の導電性部材。 - 【請求項７】前記請求項１〜６のいずれか１項に記載の
導電性部材を電極として設けたことを特徴とする表示装
置。 - 【請求項８】基材上に、真空成膜技術を用いて導電性薄
膜を成膜する導電性部材の製造において、前記導電性薄
膜の膜構造を変化させ、その比抵抗値を設定し制御する
ことを特徴とする導電性部材の製造方法。 - 【請求項９】前記導電性薄膜の比抵抗値の設定と制御
は、成膜時の圧力または／および透明基材の温度を変化
させてなることを特徴とする請求項８記載の導電性部材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230741A JP2002042560A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 導電性部材及びそれを用いた表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000230741A JP2002042560A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 導電性部材及びそれを用いた表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002042560A true JP2002042560A (ja) | 2002-02-08 |
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ID=18723661
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|---|---|---|---|
| JP2000230741A Pending JP2002042560A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 導電性部材及びそれを用いた表示装置及びその製造方法 |
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