JPH1110774A

JPH1110774A - 透明導電性積層体及びそれを用いた分散型ｅｌ素子

Info

Publication number: JPH1110774A
Application number: JP9163008A
Authority: JP
Inventors: Fumiharu Yamazaki; 文晴山▲崎▼; Shin Fukuda; 福田　　伸; Masato Koyama; 正人小山; Akira Suzuki; 彰鈴木
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1997-06-19
Filing date: 1997-06-19
Publication date: 1999-01-19

Abstract

(57)【要約】【解決手段】透明な高分子基体の一方の面に、０．１
μｍ〜１０μｍの高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が
０．５％〜２０％であるアンチニュートンリング層を形
成し、該基体のもう一方の面に透明導電膜を形成した透
明導電性積層体。【効果】本発明の透明導電性積層体を分散型ＥＬ素子
の透明電極として使用すると、表示体と発光素子とをそ
のまま重ねて配置しても干渉縞の発生が起こらず、表示
体の画像品質を損なうことがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性積層体に
関し、より詳しくは液晶表示体等のバックライトとして
使用する分散型ＥＬ素子の透明電極として好適に使用で
き、干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止した透明
導電性積層体に関する。

【０００２】

【従来の技術】透明導電性積層体は、従来、液晶ディス
プレイ、エレクトロルミネッセンス面発光体、エレクト
ロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、太陽
電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールドの電
磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力装置
の電極として利用されている。従来公知の透明導電膜と
しては、金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属薄膜
と、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸
化物半導体薄膜とが知られている。前者の貴金属薄膜は
抵抗値の低いものは容易に得られるが、透明性に劣る。
後者の酸化物半導体薄膜は抵抗値は貴金属薄膜に若干劣
るが、透明性に優れているため広く利用されている。そ
の中でも酸化スズを含有した酸化インジウム薄膜（以
下、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜と
も標記する）は低抵抗で透明性に優れているため広く利
用されている。ＩＴＯ膜の抵抗率は通常５×１０^-5〜１
×１０^-3Ω・ｃｍ程度、透過率は一般に８０〜９０％で
ある。

【０００３】分散型ＥＬ素子は透明な基体上に透明導電
膜を形成した透明導電性基体をベースにし、上記透明導
電膜上に発光体層、絶縁層及び背面電極を順次形成した
構造のものが知られていて、全体の厚さが数十μｍ〜数
百μｍと薄い面発光体ができるのが特徴である。そのた
め液晶表示体等の薄型表示体の背面に配置してバックラ
イトとして広く利用されている。透明導電膜には酸化ス
ズ、酸化インジウム等が、発光体層には硫化亜鉛等の粉
末を樹脂バインダーに分散させたものが、絶縁層には発
光体層に用いたのと同じ樹脂バインダーが、背面電極に
は炭素、銀等の導電性ペーストが用いられることが多
い。分散型ＥＬ素子の特徴は、発光体層、絶縁層、背面
電極の材料が全て液状なため印刷法により形成できるこ
とであり、特別に高価な装置を使用しなくても面状の発
光素子が得られる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】分散型ＥＬ素子の特長
は厚さの薄い面状の発光体ができることであり、その利
点を最大限に活かした用途が、薄型表示体の背面に配置
してバックライトとして使用することである。代表的に
は腕時計、ポケットベル、携帯電話の表示内容を夜間や
暗闇でも見えるよう表示体部分を発光させるのに使用し
ている。この用途ではガラスまたは高分子成形体を基材
として使用している薄型表示体の背面に分散型ＥＬ素子
を配置しなければならない。一般的な配置方法は接着剤
等を用いて貼り合わせるのではなく、ただ単に重ねるの
みで、重ねて配置された表示体とＥＬ素子とは製品の枠
体等で機械的に固定されている。

【０００５】ここで問題となるのは、表示体とＥＬ素子
とを重ねて配置すると、その間の光干渉効果によって干
渉縞が発生してしまい、表示体としての表示性能が落ち
てしまうことである。干渉縞はニュートンリングとも呼
ばれ、輪状の縞が表示部分に見えてしまい、本来の表示
と重なって見えるので画像品質を著しく損なうのであ
る。本発明は上記事情に鑑み、薄型表示体のバックライ
トとして使用しても干渉縞を発生させない分散型ＥＬ素
子を得ることを目的としており、さらにはそれを実現す
るための透明導電性積層体を提供することを目的として
いる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、基体の一方
の面に０．１μｍ〜１０μｍの高さの凹凸を有し、か
つ、ヘイズ値が０．５％〜２０％であるアンチニュート
ンリング層を形成することで干渉縞の発生を抑えること
ができることを見いだし本発明に到達した。

【０００７】すなわち本発明は、（１）透明な高分子
基体の一方の面に少なくとも、０．１μｍ〜１０μｍの
高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が０．５％〜２０％
であるアンチニュートンリング層を形成し、該基体のも
う一方の面に少なくとも透明導電膜を形成することを特
徴とする透明導電性積層体、（２）透明導電膜が酸化
インジウムを主成分とするものであることを特徴とする
（１）記載の透明導電性積層体、（３）分散型エレク
トロルミネッセンス（ＥＬ）素子に用いられることを特
徴とする（１）または（２）記載の透明導電性積層体、
（４）（３）記載の透明導電性積層体を分散型ＥＬ素
子の透明電極基材として用いることを特徴とする分散型
ＥＬ素子に関するものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の透明導電性積層体は、図
１をもって説明するに、透明な高分子基体１０の一方の
面に、０．１μｍ〜１０μｍの高さの凹凸を有し、ヘイ
ズ値が０．５％〜２０％であるアンチニュートンリング
層２０を形成し、該基体のもう一方の面に透明導電膜３
０を形成したものである。

【０００９】本発明において使用する高分子基体として
は、透明性を有するプラスチック成形体が使用できる。
具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリエーテル
サルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボ
ネート、ポリプロピレン、ポリイミドなどが挙げられ
る。板状の高分子基体は寸法安定性と機械的強度に優れ
ているため、特にそれが要求される場合には好適に使用
できる。また高分子フィルムは可撓性を有しており透明
導電膜をロール・ツ・ロール法で連続的に形成すること
ができるため、これを使用した場合には効率よく透明導
電性積層体を生産できる故にこれもまた好適に使用でき
る。この場合フィルムの厚さは通常１０μｍ〜２５０μ
ｍのものが用いられる。フィルムの厚さが１０μｍ未満
では、基体としての機械的強度に不足し、２５０μｍを
超えると可撓性が不足するため、フィルムをロールで巻
きとって利用するのに適さない。

【００１０】上記透明高分子基体のなかでもポリエチレ
ンテレフタレートは透明性及び加工性に優れているため
より好適に利用できる。また、ポリエーテルサルフォン
は耐熱性に優れているため、透明導電性積層体作製後に
熱処理を必要とする場合、また該透明導電性積層体を使
用して分散型ＥＬ素子を組み立てる際に高い温度の加熱
処理を必要とする場合に、より好適に利用できる。

【００１１】この透明な高分子基体はその表面に予めス
パッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線照
射、電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理を
施してこの面上に形成されるアンチニュートンリング層
や透明導電膜の基体に対する密着性を向上させる処理を
施してもよい。また、必要に応じて溶剤洗浄や超音波洗
浄などの防塵処理を施してもよい。

【００１２】本発明においては、かかる透明な高分子基
体の一方の面にアンチニュートンリング層を形成する。
アンチニュートンリング層は、表示体と重ねたときの干
渉縞の発生を抑制するために設けるものであり、該層は
その表面に０．１μｍ〜１０μｍ、好ましくは１．０μ
ｍ〜１０μｍの高さの凹凸を有し、かつ、ヘイズ値が
０．５％〜２０％とならなければならない。凹凸を設け
るのは干渉縞の発生を抑えるためであり、表示体とＥＬ
素子との間に隙間を設けることによって光干渉効果の発
生を抑えることができるのである。凹凸が０．１μｍよ
り低いと干渉縞の発生を抑える効果がでないので使用で
きない。また凹凸が１０μｍより高すぎると透明性が損
なわれ、分散型ＥＬ素子の発光輝度を低下させてしまう
のでこれもまた好ましくない。なお、分散型ＥＬ素子の
発光輝度は、表示部が夜間でもはっきり見えるようにす
るために、２０（ｃｄ／ｍ²）程度以上が好ましい。

【００１３】アンチニュートンリング層の材料として
は、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、メラミン系樹
脂、ウレタン系樹脂、アルキド系樹脂、弗素系樹脂等が
挙げられる。該層の形成方法としては、この樹脂を適当
な溶剤に溶かして液状にし、透明な高分子基体の一方の
面に塗布し硬化させればよい。硬化は樹脂の種類にもよ
るが光照射あるいは熱処理によってなされる。塗布法と
してはバーコート法、リバースコート法、グラビアコー
ト法、ダイコート法、ロールコート法等が採用できる。

【００１４】アンチニュートンリング層の表面に凹凸を
形成する手段としては、（１）樹脂を硬化させる際に、
所望の凹凸形状を表面に持つ型を樹脂表面に押しあて
る、（２）シリカ、メラミン、アクリル等の粒子をあら
かじめ樹脂中に分散させておき、それを高分子基体の面
上に塗布する、等の手法がある。（１）の手法では凹凸
の高さは型によって決定されるので、予め凹凸の高さが
０．１μｍ〜１０μｍとなるように設計しておけばよ
い。また、（２）の手法では分散させる粒子の径の大き
さによってアンチニュートンリング層の凹凸の高さを制
御することができる。凹凸の高さを０．１μｍ〜１０μ
ｍとするための粒子の大きさは、平均粒径１μｍ〜４０
μｍ程度が好ましく、粒径の分散は小さい方が好まし
い。この粒子の大きさ、粒子の分散量、及び塗布速度を
制御することでアンチニュートンリング層の厚さと、塗
布形成した樹脂表面から突き出て凸部を構成する際の高
さを制御することができる。

【００１５】アンチニュートンリング層の厚さは特に限
定されないが、凹凸の高さが０．１μｍ〜１０μｍとな
る範囲でなければならないので、少なくとも０．１μｍ
以上は必要である。逆に厚すぎても剥離し易くなった
り、透明性が損なわれる恐れがあるので１００μｍ以下
が好ましい。

【００１６】このようにアンチニュートンリング層を形
成した透明な高分子基体は、その表面に凹凸が形成され
るのでヘイズ値が高くなる。本発明では、透明な高分子
基体の一方の面にアンチニュートンリング層を形成した
際のヘイズ値が０．５％〜２０％となるように、アンチ
ニュートンリング層を制御しなければならない。特に上
限が重要でヘイズ値が高すぎると透光性が損なわれるた
め、ＥＬ発光素子とし発光させたときに発光輝度の低下
をまねくことになる。逆にヘイズ値が低いと凹凸が不十
分であり十分に干渉縞の発生を抑えることができない。
前記した（１）の方法では、ヘイズ値の制御は、押し当
てる型の凹凸形状の制御により行える。凹凸の数を多く
すればヘイズ値は上昇し、逆に少なくすれば低下する。
（２）の方法では、ヘイズ値の制御は、分散粒子の量の
制御により行える。分散粒子を多くすればヘイズ値は上
昇し、逆に少なくすれば低下する。

【００１７】本発明においては、アンチニュートンリン
グ層を形成した面とは反対側の面、すなわち、基体のも
う一方の面に透明導電膜を形成する。透明導電膜の材料
としては、銀、金、白金等の金属を薄膜としたものや酸
化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の酸化物を薄膜とし
たものが挙げられる。なかでも酸化インジウムを主成分
とする透明導電膜は抵抗率が低く、透明性にも優れてい
るので最も好適に使用できる。酸化インジウムからなる
透明導電膜には抵抗率をさらに低くするために錫を混合
しても良い。通常３〜２０重量％程度の錫を含有させる
ことにより抵抗率を低下させることができ、より薄い膜
厚で必要とされる表面抵抗値を有する透明導電膜が形成
できる。この酸化錫を混合した酸化インジウム膜は一般
的にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜と
呼ばれ広く利用されている。

【００１８】透明導電膜は、分散型ＥＬ素子の透明電極
として使用する場合には、素子の大きさにもよるが表面
抵抗値が５００Ω／□以下であり、可視光透過率が７５
％以上であることが要求される。表面抵抗値が高かった
り、可視光透過率が低い場合にはＥＬ素子の発光輝度が
低下する。

【００１９】透明導電膜の膜厚は上記の要求値を満たす
範囲にすれば良い。すなわち透明導電膜の厚さは表面抵
抗値が５００Ω／□となる場合よりも厚く、可視光透過
率が７５％となる場合よりも薄くしなければならない。
膜厚を厚くしていくと表面抵抗値は低下していくが、可
視光透過率も低下してしまう。透明導電膜材料に酸化イ
ンジウムを主成分とする酸化物を使用する場合には、上
記の要求を満たす膜厚は２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度とな
る。膜厚が厚くなりすぎると可視光透過率が低下するの
に加え、膜にひび割れ、反り等の欠陥が発生し易くなる
ので好ましくない。

【００２０】酸化インジウムを主成分とする透明導電膜
の成膜方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法といった従来公知の物理的気相成
長法のいずれも採用できる。表面抵抗値の低い、酸化イ
ンジウムを主成分とする透明導電膜は一般的にはスパッ
タリング法により形成される。スパッタリング法におい
ては、ターゲットに酸化インジウムあるいは錫を含有し
た酸化インジウムを、スパッタガスにアルゴン等の不活
性ガスを用い、通常スパッタガス圧力：１〜１０ｍＴｏ
ｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５０℃の条件下で、直
流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッ
タ法が利用できる。また、透明導電膜の透明性および導
電性を高くするためにスパッタガス中に０．１〜２０流
量％の酸素ガスを混合しても良い。また、ターゲットに
インジウムあるいはインジウム・スズ合金を、スパッタ
ガスにアルゴン等の不活性ガスを、反応性ガスに酸素ガ
スを用いた直流あるいは高周波反応性スパッタリング法
も好適に利用できる。この方法では透明導電膜の透過率
および導電性が、反応性ガスである酸素ガスの分圧に非
常に敏感に影響するので、その制御を厳密に行う必要が
ある。上記のスパッタリング法はいずれも、透明性及び
導電性に優れた透明導電膜が容易に得られるため、好適
に利用できる。

【００２１】透明な高分子基体とアンチニュートンリン
グ層、及び透明な高分子基体と透明導電膜との密着力向
上や、ガス遮断性を付与させるために適当な中間層を、
性能が損なわない範囲でそれらの層間に挿入してもよ
い。また、透明導電膜のさらに上に、透明導電膜を保護
するための層を形成してもよい。この場合、保護層の材
料としてはシアノエチル系樹脂、弗素系樹脂といった有
機物や、金、銅といった金属、酸化亜鉛、酸化錫、酸化
珪素といった酸化物、窒化珪素といった窒化物等が挙げ
られる。

【００２２】上記の方法により得られた透明導電性積層
体は、耐環境性を向上させるために、熱処理を施しても
よい。熱処理温度は通常、１００〜２５０℃程度であ
る。

【００２３】上記の方法により形成した透明導電膜の原
子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、誘導結合プ
ラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォード後方散乱法（ＲＢ
Ｓ）等により測定できる。またこれらの膜厚は、オージ
ェ電子分光の深さ方向観察、透過型電子顕微鏡による断
面観察等により測定できる。また、表面抵抗値は四端子
法やホール測定法により測定できる。

【００２４】以上の手法で得られた透明導電性積層体は
液晶ディスプレイをはじめとする平面型表示体のバック
ライトとなる分散型ＥＬ素子の透明電極用基材として利
用できる。本発明の透明導電性積層体を利用すれば平面
型表示体と分散型ＥＬ素子をそのまま重ねて配置しても
干渉縞を発生させることがないので、従来のＥＬ素子と
比較して表示体の画像品質を落とすことがない。図２は
この利用法の一例を示している。図２は平面型表示体６
０と分散型ＥＬ素子５０とがアンチニュートンリング層
が接する面となるように重ねて配置された状態を示して
いる。ここで５１は分散型ＥＬ素子の発光面、６１は表
示体の表示面であり、７０は表示体を見る人の位置を示
している。分散型ＥＬ素子５０は本発明のアンチニュー
トンリング層を形成し表面に凹凸を有する透明導電性積
層体を用いているので、発光面側５１に凹凸があり、こ
れが干渉縞の発生を抑制している。

【００２５】分散型ＥＬ素子の作製は従来公知の方法で
行える。透明導電膜の上に発光層、絶縁層、裏面電極の
順に順次形成すれば良い。発光層は硫化亜鉛等の蛍光体
粉末をバインダー樹脂中に分散させたものを使用し、従
来公知の印刷法、コーティング法により透明導電膜上に
塗布し熱処理により乾燥させる。蛍光体粉末の直径は５
μｍ〜３０μｍ程度であり、銅、マンガン等を混合する
ことにより発光色を変化させることができる。また、近
年粉末を防湿性の樹脂でコーティングし水蒸気による劣
化を抑制したものも市販されている。バインダーとして
使用されている代表的な材料としては、シアノエチル系
樹脂や弗素系樹脂が挙げられる。いずれを用いる場合に
もメチルエチルケトン、アセトン、炭酸プロピレン、ピ
ロリドン、酢酸ブチル等の樹脂を溶融することのできる
溶剤に溶かして液状にして塗布加工ができる状態にして
使用する。絶縁層の材料は発光層に用いたバインダー樹
脂と同じ材料が使用でき、チタン酸バリウム等の粉末を
分散させてもよい。絶縁層も発光層と同様従来公知の印
刷法やコーティング法を使用して形成することができ
る。裏面電極には銀や炭素を用いた導電性ペーストが使
用でき、また、アルミニウムなどの蒸着により形成する
ことができる。取り出し電極は透明導電膜と裏面電極と
になり、この間に交流電界を印可することにより発光層
が発光し、透明な基体側に光が取り出せるのである。

【００２６】

【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明
する。［実施例１］厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（帝人（株）製：テトロンＨＳＡ）の一方
の面に、熱硬化アクリルをメチルエチルケトンとトルエ
ン（１：１）との混合溶液に溶解させた溶液１００ｇ中
に、平均粒子直径が５μｍのアクリルビーズ（根上工業
（株）製）２ｇを分散させて分散液とし、バーコータに
より塗布し１２０℃で３分間乾燥させアンチニュートン
リング層を形成した。アンチニュートンリング層表面の
凹凸の高さを小坂研究所（株）製表面粗さ計：サーフコ
ーダにて最凸部と最凹部との差で測定したところ２．２
μｍだった。またこのフィルムのヘイズ値を日本電色工
業（株）製：ヘイズメータで測定したところ５％だっ
た。ポリエチレンテレフタレートフィルムのもう一方の
面に、ターゲットに酸化スズを５重量％含有した酸化イ
ンジウムを、スパッタリングガスに流量比が、アルゴ
ン：酸素＝１００：１のアルゴン・酸素混合ガスを用い
て、２ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反
応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍの透明導電膜
を形成し、本発明の透明導電性積層体を得た。この透明
導電膜の表面抵抗値を四端子法により測定したところ、
２２０Ω／□だった。

【００２７】［実施例２〜実施例４］アクリルビーズを
１ｇ（実施例２）、１０ｇ（実施例３）としたこと以外
は実施例１と同じ手法で本発明の透明導電性積層体を作
製した。実施例１と同様にアンチニュートンリング層表
面の凹凸の高さを測定したところ、それぞれ０．１μｍ
（実施例２）、８．５μｍ（実施例３）だった。また、
実施例１と同様にヘイズ値を測定したところ、それぞれ
２．３％（実施例２）、１７．０％（実施例３）だっ
た。また表面抵抗値も実施例１と同じ手法で測定したと
ころ、両者とも２２０Ω／□だった。

【００２８】［比較例１］アンチニュートンリング層を
形成せず透明導電膜のみを形成したこと以外は実施例１
と同じ手法で透明導電性積層体を形成した。実施例と同
じ手法で凹凸の高さ（アンチニュートンリング層を設け
ていないので基体表面そのものを測定したことにな
る。）を測定したところ、０．０５μｍだった。また、
実施例１と同様にヘイズ値を測定したところ、０．４％
だった。また表面抵抗値も実施例１と同じ手法で測定し
たところ、２２０Ω／□だった。

【００２９】［比較例２］アクリルビーズを２０ｇとし
たこと以外は実施例１と同じ手法で透明導電性積層体を
作製した。実施例１と同様にアンチニュートンリング層
表面の凹凸の高さを測定したところ、１２．１μｍだっ
た。また、実施例１と同様にヘイズ値を測定したとこ
ろ、２２．８％だった。また表面抵抗値も実施例１と同
じ手法で測定したところ、２２０Ω／□だった。

【００３０】以上の如く作製した透明導電性積層体を使
用して、以下の手法により分散型ＥＬ素子を作製した。＜材料＞・発光層メチルエチルケトン１００ｃｃ当たり、２０ｇの弗素エ
ラストマー（ダイキン工業（株）製、商品名：ダイエ
ル）を溶解させこれをバインダー樹脂とした。このバイ
ンダー樹脂１ｇに対して、発光体粉末（オスラム・シル
バニア社製硫化亜鉛粉末、製品番号：カプセルタイプ＃
３０）を２ｇ分散させ発光層材料とした。・絶縁層発光層に使用したバインダー樹脂を使用した。・裏面電極純度９９．９％のアルミニウムを使用した。

【００３１】＜製造法＞成膜した透明導電膜の上に発光
層材料バーコータにより塗布し、これを１２０℃で２時
間大気中で加熱して乾燥させ、さらに絶縁層材料を同じ
くバーコータにより塗布し同じ条件で乾燥させた。その
際ＩＴＯ膜電極取り出し部分は残しておいた。厚みはそ
れぞれ３０μｍ、４０μｍとなるようにバーコータを調
節した。次に裏面電極材料を抵抗加熱式真空蒸着法によ
り形成した。厚みは０．３μｍとした。

【００３２】この分散型ＥＬ素子の透明導電膜と裏面電
極との間に交流１００Ｖｒｍｓ（正弦波：４００Ｈｚ）
を印可し発光させ、その輝度をミノルタ（株）製輝度
計：ＬＳ−１１０にて測定した。また、分散型ＥＬ素子
の発光面の上にガラスを基板とする液晶表示体を重ねて
おき、直上から三波長域発光型蛍光ランプ（三菱電機
（株）製：ルピカ）を照射して、干渉縞の発生の有無を
表示体面平面に対して１０°〜８０°の角度から目視し
て調べた。以上の結果を表１にまとめた。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１から明らかなように本発明の透明導電
性積層体は、表示体と重ねておいても干渉縞を発生させ
ないものであり、分散型ＥＬ素子の透明電極として好適
に使用できることが分かる。

【００３５】

【発明の効果】以上のごとく、本発明においては、透明
な高分子基体の一方の面に、特定のアンチニュートンリ
ング層を形成し、もう一方の面に透明導電膜を形成する
ことにより、干渉縞の発生を防止した透明導電性積層体
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性積層体の一例を模式的に示
す断面図

【図２】本発明の透明導電性積層体の使用法の一例を示
す断面図

【符号の説明】

１０透明な高分子基体２０アンチニュートンリング層３０透明導電膜５０分散型ＥＬ素子５１分散型ＥＬ素子の発光面６０平面型表示体６１平面型表示体の表示面７０表示体を見る人の、表示体との位置関係

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木彰愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な高分子基体の一方の面に少なくと
も、０．１μｍ〜１０μｍの高さの凹凸を有し、かつ、
ヘイズ値が０．５％〜２０％であるアンチニュートンリ
ング層を形成し、該基体のもう一方の面に少なくとも透
明導電膜を形成することを特徴とする透明導電性積層
体。
【請求項２】透明導電膜が酸化インジウムを主成分と
するものであることを特徴とする請求項１記載の透明導
電性積層体。
【請求項３】分散型エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）素子に用いられることを特徴とする請求項１または
２記載の透明導電性積層体。
【請求項４】請求項３記載の透明導電性積層体を分散
型ＥＬ素子の透明電極基材として用いることを特徴とす
る分散型ＥＬ素子。