JPH09156023A

JPH09156023A - 透明導電性積層体

Info

Publication number: JPH09156023A
Application number: JP7316881A
Authority: JP
Inventors: Fumiharu Yamazaki; 文晴山崎; Shin Fukuda; 福田　　伸; Nobuhiro Fukuda; 信弘福田
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-12-05
Filing date: 1995-12-05
Publication date: 1997-06-17

Abstract

(57)【要約】【解決手段】透明高分子基体（Ａ）１０の一方の主面
に、少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明
導電層（Ｂ）２０と、炭素を主成分とする薄膜層（Ｃ）
３０とをＡＢＣなる構成で形成してなる透明導電性積層
体。【効果】低シート抵抗、高可視光透過率を有し、さら
にこれを用いてエレクトロルミネッセンスディスプレイ
を形成すると発光継続時の輝度低下を著しく抑制した、
耐久性に優れたものが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性積層体に
関し、より詳しくはエレクトロルミネッセンスディスプ
レイの透明電極として好適に使用できる、発光輝度の経
時劣化を抑制した透明導電性積層体に関する。

【０００２】

【従来の技術】透明導電性積層体は従来、液晶ディスプ
レイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレク
トロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、太
陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールドの
電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力装
置の電極として利用されている。従来公知の透明導電層
としては金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属薄膜
と、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸
化物半導体薄膜とが知られている。前者の貴金属薄膜は
抵抗値の低いものは容易に得られるが透明性に劣る。後
者の酸化物半導体薄膜は、抵抗値は貴金属薄膜に若干劣
るが、透明性に優れているため広く利用されている。そ
の中でも酸化スズを含有した酸化インジウム薄膜は低抵
抗で透明性に優れているため広く利用されている。スズ
をドープした酸化インジウム薄膜の抵抗率は通常５×１
０^-5〜１×１０^-3Ω・ｃｍ程度、透過率は一般に８０〜
９０％である。

【０００３】エレクトロルミネッセンスディスプレイ
は、透明基体上に、透明導電膜を形成した透明導電性基
体をベースにし、上記透明導電膜上に発光体層、絶縁層
及び背面電極を順次形成し、さらに全体を透明防湿層で
被覆した構造のものが知られている。ここで、透明導電
膜には酸化スズ、酸化インジウム等が、発光体層には硫
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン化亜鉛等が、絶縁層に
は誘電率の高い酸化イットリウム、窒化シリコン、酸化
タリウム等が、背面電極にはアルミニウムや炭素が用い
られている。従来、エレクトロルミネッセンス用透明導
電性基体には、ガラスを基体にしたものが用いられてき
た。上記透明導電性基体には、発光層で発光した可視光
を効率的に外部に放出させるために透明性に優れている
こと、駆動電圧の点からシート抵抗がある程度低いこと
に加え、長時間の使用に耐えることが要求される。ガラ
スを基体とした場合には、基体温度を４００℃程度にま
で加熱できるため、化学的に安定な結晶性透明導電層が
形成でき、透明性、及び耐環境性に優れた透明導電性基
体が容易に得られる。しかしながら、ガラスを基体とし
た場合には、割れやすい、重い、薄型化に限度がある、
といった問題があった。そのため、割れにくく、薄くて
軽い透明高分子基体を用いた透明電極が強く求められて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】透明高分子基体をエレ
クトロルミネッセンスディスプレイ用透明電極に使用す
る場合、透明導電層を形成する際の基体の加熱温度は、
高分子基体の耐熱温度により制限されるため、通常２０
０℃以下にしなければならない。そのため耐環境性に優
れた結晶性酸化インジウムを形成するのは容易ではな
い。エレクトロルミネッセンス用透明導電性基体として
使用するためには、少なくとも可視光透過率８０％以
上、シート抵抗１０００Ω／□以下が要求される。透明
高分子フィルムの一方の主面に、主として酸化インジウ
ムからなる透明導電層を１０ｎｍ以上形成すれば、可視
光透過率８０％以上、シート抵抗１０００Ω／□以下の
透明導電性フィルムを作製できるが、これをエレクトロ
ルミネッセンスディスプレイ用透明電極としてそのまま
使用すると、発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミ
ウム等と、主として酸化インジウムからなる透明導電層
とが直接接触するため、電圧を印加し長時間発光を継続
させると、発光層と透明導電層との界面が劣化し、発光
輝度が比較的早期に減衰してしまうという問題があっ
た。

【０００５】本発明は、エレクトロルミネッセンスディ
スプレイの発光輝度の経時劣化を抑制させて長寿命化を
計ることができ、なおかつ可視光透過率８０％以上でシ
ート抵抗が１０００Ω／□以下の透明導電性積層体を提
供することを目的としている。本発明者らは、上記事情
に鑑み、発光層と透明導電層との間に、界面の劣化を抑
制することのできる層を設けることにより発光を継続さ
せた時の劣化を抑えることのできる透明導電性積層体を
得ることを見出した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
基体の一方の主面に、好ましくは厚さが１０〜２００ｎ
ｍの、主として酸化インジウムからなる透明導電層を形
成し、さらにその上に、好ましくは厚さが１〜５０ｎｍ
の炭素を主成分とする薄膜層を形成することにより、こ
れをエレクトロルミネッセンスディスプレイの透明電極
に使用したときに、発光継続による経時劣化を著しく抑
制することができることを見いだし本発明を完成するに
いたった。

【０００７】すなわち、本発明は、（１）透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、主として酸化イ
ンジウムからなる透明導電層（Ｂ）と、炭素を主成分と
する薄膜層（Ｃ）をＡＢＣなる構成で形成した透明導電
性積層体、（２）主として酸化インジウムからなる透明
導電層（Ｂ）の厚さが１０〜２００ｎｍ、炭素を主成分
とする薄膜層（Ｃ）の厚さが１〜５０ｎｍであることを
特徴とする（１）の透明導電性積層体、（３）炭素を主
成分とする薄膜層（Ｃ）をスパッタリング法、またはプ
ラズマＣＶＤ法によって形成することを特徴とする
（１）または（２）の透明導電性積層体、（４）エレク
トロルミネッセンスディスプレイの透明電極として好適
に使用しうる（１）〜（３）のいずれかの透明導電性積
層体に関するものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、添付図面の図１をもっ
て説明するに、透明高分子基体（Ａ）１０の一方の主面
に、主として酸化インジウムからなる透明導電層である
第１層（Ｂ）２０と、炭素を主成分とする薄膜層（Ｃ）
３０とを順次形成した透明導電性積層体である。

【０００９】本発明において使用する透明高分子基体と
しては、透明性を有するプラスチック成形体が使用で
き、具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリエー
テルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリイミドなどが挙げら
れる。これらの高分子基体は透明導電層を形成する主面
が平滑であれば板状であってもフィルム状であってもよ
い。板状の高分子基体は寸法安定性と機械的強度に優れ
ているため、特にそれが要求される場合には好適に使用
できる。またフィルム状の高分子基体は可撓性を有して
おり、透明導電層をロールツロール法で連続的に形成で
きるため、これを使用した場合には効率よく透明導電性
基体を生産できる故に、これもまた好適に使用できる。
この場合フィルムの厚さは通常１０〜２５０μｍのもの
が用いられる。フィルムの厚さが１０μｍよりあまり薄
いと、基材としての機械的強度に不足し、２５０μｍよ
りあまり厚いと可撓性が不足するためフィルムをロール
で巻きとって利用するのに適さない。

【００１０】上記透明高分子基体のなかでもポリエチレ
ンテレフタレートは、透明性及び加工性に優れているた
め、より好適に利用できる。また、ポリエーテルサルフ
ォンは、耐熱性に優れているため、透明導電性積層体作
製後に熱処理を必要とする場合、また該透明導電性積層
体を使用してエレクトロルミネッセンスディスプレイを
組み立てる際に加熱処理を必要とする場合に、より好適
に利用できる。

【００１１】該透明高分子基体はその表面に予めスパッ
タリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線照射、電
子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理を施して
この上に形成される主として酸化インジウムからなる透
明導電層の上記フィルムに対する密着性を向上させる処
理を施してもよい。また、主として酸化インジウムから
なる透明導電層を成膜する前に、必要に応じて溶剤洗浄
や超音波洗浄などの防塵処理を施してもよい。

【００１２】本発明においては、かかる透明高分子基体
の一方の主面に主として酸化インジウムからなる透明導
電層を第１層として形成する。該透明導電層は抵抗率を
低くするためにスズを混合しても良い。通常３〜２０重
量％程度のスズを含有させることにより抵抗率を低下さ
せることができ、より薄い膜厚で必要とされるシート抵
抗値を有する透明導電層が形成できる。

【００１３】主として酸化インジウムからなる透明導電
層の厚さは、通常１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。透
明導電層の厚さは、そのシート抵抗値及び可視光透過率
に影響する。シート抵抗値を小さくするためには、該透
明導電層の厚さをできる限り厚くすればよいが、あまり
厚くすると可視光透過率が低下してしまう。そのため、
要求されるシート抵抗値及び可視光透過率によって該透
明導電層の厚さが決定される。該透明導電層の厚さが１
０ｎｍよりあまり薄いとシート抵抗値が高くなりすぎる
ため、エレクトロルミネッセンスディスプレイの透明電
極として使用するには不適である。シート抵抗値を下げ
るためには膜厚を厚くすればよいが、２００ｎｍよりあ
まり厚いと可視光透過率が低くなってしまうためこれも
また好ましくない。

【００１４】すなわち、透明高分子基体の一方の主面
に、厚さが好ましくは１０〜２００ｎｍの主として酸化
インジウムからなる透明導電層を形成することで、エレ
クトロルミネッセンスディスプレイの透明電極に要求さ
れるシート抵抗値及び可視光透過率を有する透明導電性
積層体が得られるわけであるが、該透明導電層は発光継
続時の耐久性に劣っていて、これをそのまま透明電極に
使用してエレクトロルミネッセンスディスプレイを形成
し、電圧を印加して発光を継続させると比較的早期に発
光強度が減衰してしまう。

【００１５】そのため本発明においては、上記の如く主
として酸化インジウムからなる透明導電層を形成した
後、さらにこの上に、炭素を主成分とする薄膜層を設け
る。該薄膜層を設けるのは、酸化インジウムと発光層で
ある硫化亜鉛あるいは硫化カドミウム等とが直接接触す
ることによる主として酸化インジウムからなる透明導電
層の発光時の劣化を防ぐためである。

【００１６】すなわち、本発明を完成するにあたってポ
イントとなったのは、炭素を主成分とする薄膜層が硫化
亜鉛あるいは硫化カドミウム等の発光層に対する耐久性
に優れていることを見いだしたことであって、さらに炭
素を主成分とする薄膜層は、エレクトロルミネッセンス
ディスプレイを発光させるための通電に対する耐久性に
も優れているため、発光を継続した際に生じる発光輝度
の低下を著しく抑制することができるのである。

【００１７】炭素を主成分とする薄膜層の厚さは１〜５
０ｎｍが好ましい。さらに好ましくは１〜１０ｎｍであ
る。この厚さが１ｎｍよりあまり薄いと発光継続時の輝
度低下抑制の効果が得られないため好ましくない。すな
わち、エレクトロルミネッセンスディスプレイの透明電
極として発光継続時の輝度低下効果を付与させるために
は、炭素を主成分とする薄膜層は少なくとも１ｎｍ以上
の厚さが必要なのである。また、この厚さが５０ｎｍよ
りあまり厚いと透明性が損なわれるのに加え、該層の積
層による発光継続時の輝度低下の抑制は５０ｎｍ以下の
厚さで十分なされているため、いたずらに成膜時間をか
け厚い層を形成するのは好ましくない。経済的には該層
の厚さは発光継続時の輝度低下効果を損なわない範囲内
でなるべく薄い方が好ましく、１０ｎｍの厚さでその効
果は十分得られるため該金属薄膜層の厚さは、１〜１０
ｎｍがより好ましい。

【００１８】なお、炭素を主成分とする薄膜層は、スパ
ッタリング法により形成するのが好ましい。それは、主
として酸化インジウムからなる透明導電層の形成方法は
スパッタリング法によるのが一般的であり、その上に形
成する炭素を主成分とする薄膜層もスパッタリング法で
形成すると、一貫生産が可能であるため経済的に二層構
成の透明導電性積層体が得られるためである。

【００１９】また、炭素を主成分とする薄膜層はカーボ
ンペーストや有機溶剤を塗布し乾燥させることによって
も形成可能である。ただしそれらの塗布によって主とし
て酸化インジウムからなる透明導電性が劣化する恐れが
あるため、スパッタリング法、またはプラズマＣＶＤ法
といった手法により形成するのがより好ましいのであ
る。

【００２０】主として酸化インジウムからなる透明導電
層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法といった従来公知の物理的
気相成長法のいずれも採用できる。電気抵抗値の低い主
として酸化インジウムからなる透明導電層は一般的には
スパッタリング法により形成される。スパッタリング法
においては、ターゲットに酸化インジウムあるいはスズ
を含有した酸化インジウムを、スパッタガスにアルゴン
等の不活性ガスを用い、通常スパッタガス圧力：１〜１
０ｍＴｏｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５０℃の条件
下で、直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロ
ンスパッタ法が利用できる。また、透明導電層の透明性
および導電性を高くするためにスパッタガス中に０．１
〜２０流量％の酸素ガスを混合しても良い。また、ター
ゲットにインジウムあるいはインジウム・スズ合金を、
スパッタガスにアルゴン等の不活性ガスを、反応性ガス
に酸素ガスを用いた直流あるいは高周波反応性スパッタ
リング法も好適に利用できる。この方法では透明導電層
の透過率および導電性が、反応性ガスである酸素ガスの
分圧に非常に敏感に影響するので、その制御を厳密に行
うことが好ましい。上記のスパッタリング法はいずれ
も、透明性及び導電性に優れた透明導電層が容易に得ら
れるため、好適に利用できる。

【００２１】炭素を主成分とする薄膜層の成膜方法は、
前述したように、塗布法でも可能ではあるがスパッタリ
ング法、またはプラズマＣＶＤ法がより好ましい。炭素
を主成分とする薄膜層をスパッタリング法により形成す
るには、ターゲットに炭素を、スパッタガスにアルゴン
等の不活性ガスを用い、通常スパッタガス圧力：１〜１
０ｍＴｏｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５０℃の条件
下で、直流あるいは高周波スパッタリング法が利用でき
る。また該薄膜層の透明性を向上させる目的で、２〜４
０ｖｏｌ％程度の水素を混合したアルゴンガスをスパッ
タガスに使用してもよい。

【００２２】スパッタリング法においては、炭素の成膜
中に、ターゲットから加速された粒子が、基材やそれに
形成した透明導電層にダメージを与え、その電気抵抗値
を上昇させたり、可視光透過率を低下させたりすること
がある。そのような場合には炭素を主成分とする薄膜層
の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を採用するのが好ま
しい。プラズマＣＶＤ法では炭素を含むガスをプラズマ
エネルギーによって分解することで炭素薄膜を得る手法
であるため、基材やそれに形成した透明導電層にダメー
ジを与えることが少ないのである。プラズマＣＶＤ法に
おいては、原料ガスにメタン、エタン、プロパン、ブタ
ンといった飽和炭化水素、あるいはエチレン、プロピレ
ン、ブタジエン、アセチレンといった不飽和炭化水素等
が使用できる。プラズマ発生源としては、高周波電源に
よる高周波プラズマ等が使用できる。また、可視光透過
率の向上や密着性の向上を図るために、上記原料ガス中
にヘリウムやアルゴンといったガスを適量含有させても
よい。

【００２３】透明高分子基体と主として酸化インジウム
からなる透明導電層との密着力を向上させるためにさら
に適当な中間層を、性能が損なわない範囲でそれらの層
間に挿入してもよい。また、耐擦傷性を向上させたり、
水蒸気バリア性を向上させるために、性能が損なわれな
い範囲で積層構成を形成する主面とは逆側の透明高分子
基体の面に、適当なハードコート層等を形成してもよ
い。

【００２４】上記の方法により得られた透明導電性フィ
ルムを、耐環境性を向上させるために、熱処理（アニー
リング）を施してもよい。熱処理温度は通常、１００〜
２５０℃程度である。

【００２５】本発明のように別種の元素からなる薄膜層
を積層した場合、その界面は明確に区別されるものでは
なく、通常ある程度相互拡散を生じている。しかしなが
ら、主として酸化インジウムからなる透明導電層と、炭
素を主成分とする薄膜層との界面付近において相互拡散
が生じても、それは通常性能には影響しない範囲であれ
ばかまわないのである。本発明にいう層構成はかかる意
義を有するものであり、以下の分析法により確認でき
る。

【００２６】上記の方法により形成した透明導電層の原
子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、誘導結合プ
ラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォード後方散乱法（ＲＢ
Ｓ）等により測定できる。またこれらの膜厚は、オージ
ェ電子分光の深さ方向観察、透過型電子顕微鏡による断
面観察等により測定できる。

【００２７】エレクトロルミネッセンス発光体は、例え
ば、背面電極となるアルミニウム箔の一方の面にチタン
酸バリウム粉末をアセトン溶液中に分散させた液を塗布
し乾燥させることで誘電体層を形成した後、さらにその
上に硫化亜鉛粉末等をアセトン等の適当な溶液中に分散
させた液を塗布することで発光層を形成し、この塗布面
と、本発明の透明導電性積層体の炭素を主成分とする薄
膜層とを密着させた上で加熱処理することにより貼り合
わせて得ることができる。湿気に対する発光層の耐久性
を向上させるために、さらにエレクトロルミネッセンス
発光体全体を防湿フィルム２枚で挟み込んでもよい。

【００２８】

【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明
する。〔実施例１〕ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚
さ１８８μｍ）の一方の面に、第１層として、ターゲッ
トに酸化スズを５重量％含有した酸化インジウムを、ス
パッタリングガスに酸素ガスを含有したアルゴンガス
（流量比、アルゴン：酸素＝１０：０．１）を用いて、
２ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性
スパッタリング法により厚さ５０ｎｍの透明導電層を形
成した。さらにその上に、第２層として、ターゲットに
炭素（純度９９．９％）を、スパッタリングガスに水素
ガスを１０ｖｏｌ％含有したアルゴンガスを用いて、２
ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により厚さ１０ｎｍの炭素を主成分とする薄膜層
を形成し、２層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００２９】〔実施例２〜実施例４〕第２層の炭素を主
成分とする薄膜層の厚さを１ｎｍ（実施例２）、５ｎｍ
（実施例３）、５０ｎｍ（実施例４）とした以外は実施
例１と同じ手法で２層構成の透明導電性積層体を作製し
た。

【００３０】〔実施例５〕第１層の透明導電層の厚さを
１０ｎｍとした以外は実施例１と同じ手法で２層構成の
透明導電性積層体を作製した。

【００３１】〔実施例６〕ポリエチレンテレフタレート
フィルム（厚さ１８８μｍ）の一方の面に、第１層とし
て、ターゲットにスズを１０重量％含有したインジウム
を、スパッタリングガスに酸素ガスを含有したアルゴン
ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１０：０．４）を用い
て、２ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反
応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍの透明導電層
を形成した。さらにその上に、第２層として、原料ガス
にエタンガスを使用した高周波プラズマＣＶＤ法により
厚さ２００ｎｍの炭素を主成分とする薄膜層を形成し、
２層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３２】〔比較例１〕第２層の炭素を主成分とする
薄膜層を形成しなかったこと以外は実施例１と同じ手法
で１層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３３】〔比較例２〕第２層の炭素を主成分とする
薄膜層の厚さを１００ｎｍとした以外は実施例１と同じ
手法で２層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３４】〔比較例３〜比較例４〕第１層の透明導電
層の厚さを５ｎｍ（比較例３）、４００ｎｍ（比較例
４）とした以外は実施例１と同じ手法で２層構成の透明
導電性積層体を作製した。

【００３５】以上のようにして作製した透明導電性フィ
ルムの、透明導電層及び金属薄膜層の厚さ、シート抵
抗、可視光透過率、耐環境性は以下の手法で評価した。透明導電層の厚さ［Ｔ₁（ｎｍ）］及び炭素を主成分
とする薄膜層の厚さ［Ｔ ₂（ｎｍ）］：前もって成膜速
度ｒ（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定しておき、膜厚は成膜時間
ｔ（ｍｉｎ）を制御することで変化させた。膜厚Ｔ（ｎ
ｍ）は以下の式より求められる。Ｔ＝ｒ×ｔシート抵
抗［Ｒ( Ω／□) ］：４端子法により測定した。可視光透過率［Ｔｖｉｓ（％）］：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３４００により測定した。発光継続試験［Ｉ／Ｉ₀］：以下の工程でエレクトロ
ルミネッセンス発光体を作製し、温度５０℃、湿度６０
％の雰囲気下で、交流１００Ｖ（周波数：１ｋＨｚ）の
電圧を印加し発光させ、その時の初期発光輝度Ｉ₀（カ
ンデラ／ｍ²）と、そのまま３０００時間発光を継続さ
せた後の発光輝度Ｉ（カンデラ／ｍ²）とをミノルタ
（株）製の輝度計：ＬＳ−１１０を用いて測定し、その
変化率Ｉ／Ｉ ₀で評価した。

【００３６】エレクトロルミネッセンス発光体は、背面
電極となるアルミニウム箔の一方の面にチタン酸バリウ
ム粉末をアセトン溶液中に分散させた液を塗布し乾燥さ
せることで誘電体層を形成した後、さらにその上に硫化
亜鉛粉末等をアセトン等の適当な溶液中に分散させた液
を塗布することで発光層を形成し、この塗布面と、実施
例１〜実施例６及び比較例１〜比較例４により得た透明
導電性積層体の積層面とを密着させ、その後６０℃で１
２０分間、さらに１２０℃で２分間加熱処理することに
より貼り合わせることで作製した。以上の測定結果を表
１に掲げる。

【００３７】

【表１】表１から明らかなように、本発明の透明導電性積層体
は、低シート抵抗、高可視光透過率を有し、さらにこれ
を用いてエレクトロルミネッセンスディスプレイを形成
すると発光継続時の輝度低下を著しく抑制した耐久性に
優れたものが得られるのが分かる。

【００３８】

【発明の効果】以上のごとく、本発明においては、高分
子透明基体の一方の主面に、第１層として主として酸化
インジウムからなる透明導電層を形成し、その上に第２
層として炭素を主成分とする薄膜層を形成することによ
り発光継続時の輝度低下を抑制した、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイの透明電極に適した透明導電性積
層体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性積層体の一例を示す断面図

【符号の説明】

１０透明高分子基体２０主として酸化インジウムからなる透明導電層３０炭素を主成分とする薄膜層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電
層（Ｂ）と、炭素を主成分とする薄膜層（Ｃ）をＡＢＣ
なる構成で形成した透明導電性積層体。
【請求項２】主として酸化インジウムからなる透明導
電層（Ｂ）の厚さが１０〜２００ｎｍ、炭素を主成分と
する薄膜層（Ｃ）の厚さが１〜５０ｎｍであることを特
徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項３】炭素を主成分とする薄膜層（Ｃ）をスパ
ッタリング法、またはプラズマＣＶＤ法によって形成す
ることを特徴とする請求項１または２記載の透明導電性
積層体。
【請求項４】エレクトロルミネッセンスディスプレイ
の透明電極として好適に使用しうる請求項１〜３のいず
れかに記載の透明導電性積層体。