JPH08174747A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JPH08174747A JPH08174747A JP6325449A JP32544994A JPH08174747A JP H08174747 A JPH08174747 A JP H08174747A JP 6325449 A JP6325449 A JP 6325449A JP 32544994 A JP32544994 A JP 32544994A JP H08174747 A JPH08174747 A JP H08174747A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明高分子フィルム（Ａ）の一方の主面
に、少なくとも、スズを３〜８重量％含有するインジウ
ム酸化物からなる透明導電層（Ｂ）と、スズを１０〜５
０重量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層
（Ｃ）と、をＡＢＣなる構成で形成してなる透明導電性
フィルム。 【効果】 低抵抗、高可視光透過率を有し、耐薬品性
に優れた透明導電性フィルムを提供することができる。
に、少なくとも、スズを３〜８重量％含有するインジウ
ム酸化物からなる透明導電層（Ｂ）と、スズを１０〜５
０重量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層
（Ｃ）と、をＡＢＣなる構成で形成してなる透明導電性
フィルム。 【効果】 低抵抗、高可視光透過率を有し、耐薬品性
に優れた透明導電性フィルムを提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電性フィルムに
関し、より詳しくはエレクトロクロミックディスプレイ
の透明電極に好適に使用できる、低抵抗で耐薬品性に優
れた透明導電性フィルムに関する。
関し、より詳しくはエレクトロクロミックディスプレイ
の透明電極に好適に使用できる、低抵抗で耐薬品性に優
れた透明導電性フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電性フィルムは従来、液晶ディス
プレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレ
クトロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、
太陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールド
の電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力
装置の電極として利用されている。
プレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレ
クトロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、
太陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールド
の電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力
装置の電極として利用されている。
【０００３】従来公知の透明導電層としては金、銀、白
金、パラジウムなどの貴金属薄膜と、酸化インジウム、
酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸化物半導体薄膜とが知
られている。前者の貴金属薄膜は、抵抗値の低いものは
容易に得られるが透明性に劣る。後者の酸化物半導体薄
膜は、抵抗値は貴金属薄膜に若干劣るが、透明性に優れ
ているため広く利用されている。その中でも酸化スズを
含有した酸化インジウム薄膜は低抵抗で透明性に優れて
いるため広く利用されている。スズをドープした酸化イ
ンジウム薄膜の抵抗率は通常５×１０-5〜１×１０-3Ω
・ｃｍ程度、透過率は一般に８０〜９０％である。
金、パラジウムなどの貴金属薄膜と、酸化インジウム、
酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸化物半導体薄膜とが知
られている。前者の貴金属薄膜は、抵抗値の低いものは
容易に得られるが透明性に劣る。後者の酸化物半導体薄
膜は、抵抗値は貴金属薄膜に若干劣るが、透明性に優れ
ているため広く利用されている。その中でも酸化スズを
含有した酸化インジウム薄膜は低抵抗で透明性に優れて
いるため広く利用されている。スズをドープした酸化イ
ンジウム薄膜の抵抗率は通常５×１０-5〜１×１０-3Ω
・ｃｍ程度、透過率は一般に８０〜９０％である。
【０００４】従来、エレクトロクロミックディスプレイ
用透明電極は、ガラスを基材にしたものが用いられてき
た。エレクトロクロミックディスプレイ用透明電極に
は、応答速度の点から低抵抗であること、電解液に直接
接触するため耐薬品性に優れていること、光を効率的に
透過させるために透過率が高いこと、といった特性が必
要とされる。ガラスを基材に用いると、透明導電膜の形
成温度を４００℃程度まで上昇させることできるため、
電気抵抗が低く、耐薬品性に優れ、透過率の高い結晶性
酸化インジウムを主体とした透明導電膜が比較的容易に
形成できる。しかしながら、ガラスを基板として用いた
場合、割れやすい、重い、薄型化に限度がある、といっ
た問題がある。そのため、割れにくく、薄くて軽い透明
高分子フィルムを基材とした透明電極が強く求められて
いる。
用透明電極は、ガラスを基材にしたものが用いられてき
た。エレクトロクロミックディスプレイ用透明電極に
は、応答速度の点から低抵抗であること、電解液に直接
接触するため耐薬品性に優れていること、光を効率的に
透過させるために透過率が高いこと、といった特性が必
要とされる。ガラスを基材に用いると、透明導電膜の形
成温度を４００℃程度まで上昇させることできるため、
電気抵抗が低く、耐薬品性に優れ、透過率の高い結晶性
酸化インジウムを主体とした透明導電膜が比較的容易に
形成できる。しかしながら、ガラスを基板として用いた
場合、割れやすい、重い、薄型化に限度がある、といっ
た問題がある。そのため、割れにくく、薄くて軽い透明
高分子フィルムを基材とした透明電極が強く求められて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】透明高分子フィルムを
基材とした場合、基材の加熱温度はフィルムの耐熱温度
に制限されるため、通常２００℃以下にしなければなら
ない。透明高分子フィルムの一方の主面に、スズを３〜
８重量％含有した酸化インジウムからなる透明導電層を
１００ｎｍ以上形成すれば、シート抵抗３０Ω／□以
下、可視光透過率７０％以上の、透明導電性フィルムを
作製できるが、これをエレクトロクロミックディスプレ
イ用透明電極としてそのまま使用すると、電解液に直
接、透明導電面である酸化インジウム層が接触するた
め、電解液によって該透明導電層が劣化し電気抵抗が上
昇してしまい、エレクトロクロミックディスプレイとし
ての特性が劣化してしまうという問題があった。具体的
には、エレクトロクロミックディスプレイの応答速度の
点からシート抵抗は３０Ω／□以下であること、酸性溶
液中で１時間放置した時の抵抗上昇率が１．１倍以下で
あること、可視光透過率が７０％以上であることが要請
される。透明導電層中のスズの含有量を増すと、耐薬品
性は改良されるが、透明導電層自体のシート抵抗が上昇
し、また透過率も下がってしまうためエレクトロクロミ
ックディスプレイの透明電極としては不適であった。本
発明は、上記従来の事情に鑑み、低抵抗、高透過率で、
耐薬品性に優れた透明導電性フィルムを提供することを
目的としている。
基材とした場合、基材の加熱温度はフィルムの耐熱温度
に制限されるため、通常２００℃以下にしなければなら
ない。透明高分子フィルムの一方の主面に、スズを３〜
８重量％含有した酸化インジウムからなる透明導電層を
１００ｎｍ以上形成すれば、シート抵抗３０Ω／□以
下、可視光透過率７０％以上の、透明導電性フィルムを
作製できるが、これをエレクトロクロミックディスプレ
イ用透明電極としてそのまま使用すると、電解液に直
接、透明導電面である酸化インジウム層が接触するた
め、電解液によって該透明導電層が劣化し電気抵抗が上
昇してしまい、エレクトロクロミックディスプレイとし
ての特性が劣化してしまうという問題があった。具体的
には、エレクトロクロミックディスプレイの応答速度の
点からシート抵抗は３０Ω／□以下であること、酸性溶
液中で１時間放置した時の抵抗上昇率が１．１倍以下で
あること、可視光透過率が７０％以上であることが要請
される。透明導電層中のスズの含有量を増すと、耐薬品
性は改良されるが、透明導電層自体のシート抵抗が上昇
し、また透過率も下がってしまうためエレクトロクロミ
ックディスプレイの透明電極としては不適であった。本
発明は、上記従来の事情に鑑み、低抵抗、高透過率で、
耐薬品性に優れた透明導電性フィルムを提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
フィルムの一方の主面に、少なくとも、スズを３〜８重
量％含有する酸化インジウムからなる比抵抗の小さい透
明導電層形成し、さらにその上に、スズを１０〜５０％
含有する酸化インジウムからなる透明導電層とを形成す
ることにより、シート抵抗３０Ω／□以下、可視光透過
率７０％以上を維持したまま、耐薬品性が著しく改善さ
れることを見いだし、本発明を完成するにいたった。
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
フィルムの一方の主面に、少なくとも、スズを３〜８重
量％含有する酸化インジウムからなる比抵抗の小さい透
明導電層形成し、さらにその上に、スズを１０〜５０％
含有する酸化インジウムからなる透明導電層とを形成す
ることにより、シート抵抗３０Ω／□以下、可視光透過
率７０％以上を維持したまま、耐薬品性が著しく改善さ
れることを見いだし、本発明を完成するにいたった。
【０００７】すなわち、本発明は、 透明高分子フィル
ム（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、スズを３〜８重
量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層
（Ｂ）と、スズを１０〜５０重量％含有するインジウム
酸化物からなる透明導電層（Ｃ）と、をＡＢＣなる構成
で形成してなる透明導電性フィルムであり、好ましく
は、スズを３〜８重量％含有するインジウム酸化物から
なる透明導電層（Ｂ）の厚さが１００〜３００ｎｍ、ス
ズを１０〜５０％含有するインジウム酸化物からなる透
明導電層（Ｃ）の厚さが１０〜１００ｎｍである透明導
電性フィルムを要旨とするものである。
ム（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、スズを３〜８重
量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層
（Ｂ）と、スズを１０〜５０重量％含有するインジウム
酸化物からなる透明導電層（Ｃ）と、をＡＢＣなる構成
で形成してなる透明導電性フィルムであり、好ましく
は、スズを３〜８重量％含有するインジウム酸化物から
なる透明導電層（Ｂ）の厚さが１００〜３００ｎｍ、ス
ズを１０〜５０％含有するインジウム酸化物からなる透
明導電層（Ｃ）の厚さが１０〜１００ｎｍである透明導
電性フィルムを要旨とするものである。
【０００８】すなわち本発明は、添付図面の図１をもっ
て説明するに、透明高分子フィルム（１０）の一方の主
面に、好ましくは、厚さが１００〜３００ｎｍの、スズ
を３〜８％含有する酸化インジウムからなる透明導電層
である第１層（２０）と、好ましくは、厚さが２０〜１
００ｎｍの、スズを１０〜５０％含有する酸化インジウ
ムからなる透明導電層である第２層（３０）と、を順次
形成した透明導電性フィルムである。
て説明するに、透明高分子フィルム（１０）の一方の主
面に、好ましくは、厚さが１００〜３００ｎｍの、スズ
を３〜８％含有する酸化インジウムからなる透明導電層
である第１層（２０）と、好ましくは、厚さが２０〜１
００ｎｍの、スズを１０〜５０％含有する酸化インジウ
ムからなる透明導電層である第２層（３０）と、を順次
形成した透明導電性フィルムである。
【０００９】本発明において使用する透明高分子フィル
ムたるフィルム基材としては、透明性を有するプラスチ
ックフィルムが使用でき、具体的にはポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリエーテルサルフォンフィル
ム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリカーボ
ネートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミド
フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムの厚さは
通常１０〜２５０μm 程度のものが用いられる。フィル
ムの厚さがあまり薄いと基材としての機械的強度に不足
し、あまり厚すぎると可撓性が不足するため、透明導電
層をロールツロール法で連続的に形成する場合には、フ
ィルムをロールで巻きとり難くなるため好ましくない。
ムたるフィルム基材としては、透明性を有するプラスチ
ックフィルムが使用でき、具体的にはポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリエーテルサルフォンフィル
ム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリカーボ
ネートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミド
フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムの厚さは
通常１０〜２５０μm 程度のものが用いられる。フィル
ムの厚さがあまり薄いと基材としての機械的強度に不足
し、あまり厚すぎると可撓性が不足するため、透明導電
層をロールツロール法で連続的に形成する場合には、フ
ィルムをロールで巻きとり難くなるため好ましくない。
【００１０】上記透明高分子フィルムのなかでも、ポリ
エチレンテレフタレートフィルムは透明性及び加工性に
優れているためより好適に利用できる。また、ポリエー
テルサルフォンフィルムは耐熱性に優れているため、透
明導電性フィルム作製後に熱処理を必要とする場合、ま
た該透明導電性フィルムを使用してエレクトロクロミッ
クディスプレイを組み立てる際に加熱処理を必要とする
場合に、より好適に利用できる。
エチレンテレフタレートフィルムは透明性及び加工性に
優れているためより好適に利用できる。また、ポリエー
テルサルフォンフィルムは耐熱性に優れているため、透
明導電性フィルム作製後に熱処理を必要とする場合、ま
た該透明導電性フィルムを使用してエレクトロクロミッ
クディスプレイを組み立てる際に加熱処理を必要とする
場合に、より好適に利用できる。
【００１１】この透明高分子フィルムはその表面に、予
めスパッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線
照射、電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理
を施してこの上に形成される珪素酸化物と上記フィルム
に対する密着性を向上させる処理を施してもよい。ま
た、珪素酸化物を成膜する前に、必要に応じて溶剤洗浄
や超音波洗浄などの防塵処理を施してもよい。
めスパッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線
照射、電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理
を施してこの上に形成される珪素酸化物と上記フィルム
に対する密着性を向上させる処理を施してもよい。ま
た、珪素酸化物を成膜する前に、必要に応じて溶剤洗浄
や超音波洗浄などの防塵処理を施してもよい。
【００１２】本発明においては、かかる透明高分子フィ
ルム基材の一方の主面にスズを３〜８％含有した酸化イ
ンジウムからなる透明導電層を形成する。スズの含有量
が３％より少ないとスズのドーピングによって生成され
る伝導電子の数が少なくなり、その結果シート抵抗が高
くなってしまうため好ましくない。一方スズの含有量が
８％より多いと、導電膜中の欠陥の数が増加するため移
動度が減少し、その結果シート抵抗が高くなってしまう
ため、これもまた好ましくない。すなわち、低抵抗の透
明導電層を得るために３〜８％という限定された量だけ
スズをインジウム酸化物に含有させることが好ましい。
ルム基材の一方の主面にスズを３〜８％含有した酸化イ
ンジウムからなる透明導電層を形成する。スズの含有量
が３％より少ないとスズのドーピングによって生成され
る伝導電子の数が少なくなり、その結果シート抵抗が高
くなってしまうため好ましくない。一方スズの含有量が
８％より多いと、導電膜中の欠陥の数が増加するため移
動度が減少し、その結果シート抵抗が高くなってしまう
ため、これもまた好ましくない。すなわち、低抵抗の透
明導電層を得るために３〜８％という限定された量だけ
スズをインジウム酸化物に含有させることが好ましい。
【００１３】スズを３〜８％含有した酸化インジウムか
らなる透明導電層の厚さは、特に制限はないが、１００
ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。けだし、透明導電層の厚
さは、その膜の抵抗値及び透過率に影響する。この厚さ
があまり薄いと、シート抵抗値が高くなってしまうため
好ましくない。また、シート抵抗値を下げるためには膜
厚を厚くすればよいが、厚くしすぎると、透過率が低く
なってしまうためこれもまた好ましくない。
らなる透明導電層の厚さは、特に制限はないが、１００
ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。けだし、透明導電層の厚
さは、その膜の抵抗値及び透過率に影響する。この厚さ
があまり薄いと、シート抵抗値が高くなってしまうため
好ましくない。また、シート抵抗値を下げるためには膜
厚を厚くすればよいが、厚くしすぎると、透過率が低く
なってしまうためこれもまた好ましくない。
【００１４】すなわち、透明高分子フィルムの一方の主
面に、スズを３〜８％含有したインジウム酸化物を、好
ましくは、膜厚１００〜３００ｎｍ形成することで、低
抵抗にして、かつ、高可視光透過率を有する透明導電性
フィルムが得られるわけであるが、該透明導電層は、そ
のままでは、耐薬品性に劣っていて、酸性溶液中での放
置によって抵抗値が上昇してしまうことを本発明者らは
見いだした。なお、この厚みについても特に制限はない
が、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。あまり薄
いと、耐酸性溶液の効果が少なく、あまり厚すぎると透
過率が低下して仕舞う。本発明においては、このため上
記の如く、スズを３〜８％含有したインジウム酸化物層
を形成した後、さらにこの上に、スズを１０〜５０％含
有したインジウム酸化物からなる透明導電層を成膜す
る。前述したようにスズを１０〜５０重量％含有したイ
ンジウム酸化物の抵抗値は、スズを３〜８％含有したイ
ンジウム酸化物に比較すると高くなってしまう。しかし
ながら、スズを１０〜５０％含有したインジウム酸化物
は、耐薬品性に優れていて酸性溶液中で１時間放置して
も、抵抗上昇は生じない。そこで、スズを３〜８％含有
したインジウム酸化物からなる透明導電層と積層させる
ことにより、その低抵抗を維持したまま、耐薬品性を付
与させることができるのである。
面に、スズを３〜８％含有したインジウム酸化物を、好
ましくは、膜厚１００〜３００ｎｍ形成することで、低
抵抗にして、かつ、高可視光透過率を有する透明導電性
フィルムが得られるわけであるが、該透明導電層は、そ
のままでは、耐薬品性に劣っていて、酸性溶液中での放
置によって抵抗値が上昇してしまうことを本発明者らは
見いだした。なお、この厚みについても特に制限はない
が、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。あまり薄
いと、耐酸性溶液の効果が少なく、あまり厚すぎると透
過率が低下して仕舞う。本発明においては、このため上
記の如く、スズを３〜８％含有したインジウム酸化物層
を形成した後、さらにこの上に、スズを１０〜５０％含
有したインジウム酸化物からなる透明導電層を成膜す
る。前述したようにスズを１０〜５０重量％含有したイ
ンジウム酸化物の抵抗値は、スズを３〜８％含有したイ
ンジウム酸化物に比較すると高くなってしまう。しかし
ながら、スズを１０〜５０％含有したインジウム酸化物
は、耐薬品性に優れていて酸性溶液中で１時間放置して
も、抵抗上昇は生じない。そこで、スズを３〜８％含有
したインジウム酸化物からなる透明導電層と積層させる
ことにより、その低抵抗を維持したまま、耐薬品性を付
与させることができるのである。
【００１５】透明導電層の成膜方法としては真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といっ
た従来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。
スパッタリング法においては、ターゲットに所定のスズ
を含有した酸化インジウムを、スパッタガスにアルゴン
等の不活性ガスを用いた直流（ＤＣ）あるいは高周波
（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法が利用できる。また、
透明導電層の透明性および導電性を高くするために、ス
パッタガス中に０．１〜２０％程度の酸素ガスを混合し
ても良い。また、ターゲットに所定量のスズを含有した
スズ・インジウム合金を、スパッタガスにアルゴン等の
不活性ガスを、反応性ガスに酸素ガスを用いた直流ある
いは高周波反応性スパッタリング法も好適に利用でき
る。この方法では透明導電層の透過率および導電性が、
反応性ガスである酸素ガスの分圧に非常に敏感に影響す
るので、その制御を厳密に行うことが好ましい。上記し
たスパッタリング法はいずれも、透明性及び導電性に優
れた透明導電層が容易に得られるため、好適に利用でき
る。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といっ
た従来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。
スパッタリング法においては、ターゲットに所定のスズ
を含有した酸化インジウムを、スパッタガスにアルゴン
等の不活性ガスを用いた直流（ＤＣ）あるいは高周波
（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法が利用できる。また、
透明導電層の透明性および導電性を高くするために、ス
パッタガス中に０．１〜２０％程度の酸素ガスを混合し
ても良い。また、ターゲットに所定量のスズを含有した
スズ・インジウム合金を、スパッタガスにアルゴン等の
不活性ガスを、反応性ガスに酸素ガスを用いた直流ある
いは高周波反応性スパッタリング法も好適に利用でき
る。この方法では透明導電層の透過率および導電性が、
反応性ガスである酸素ガスの分圧に非常に敏感に影響す
るので、その制御を厳密に行うことが好ましい。上記し
たスパッタリング法はいずれも、透明性及び導電性に優
れた透明導電層が容易に得られるため、好適に利用でき
る。
【００１６】各透明導電層のスズ含有量の制御は、スパ
ッタリング法で透明導電層を成膜する場合には、予め所
定量のスズを含有した組成のターゲットを用いることで
容易に行いうる。ターゲットの組成と、それによって成
膜された透明導電膜の組成とは必ずしも一致しないの
で、前もってターゲット組成と透明導電膜との組成の関
係を調べておくことが好ましい。
ッタリング法で透明導電層を成膜する場合には、予め所
定量のスズを含有した組成のターゲットを用いることで
容易に行いうる。ターゲットの組成と、それによって成
膜された透明導電膜の組成とは必ずしも一致しないの
で、前もってターゲット組成と透明導電膜との組成の関
係を調べておくことが好ましい。
【００１７】上記の方法により得られた透明導電性フィ
ルムを、耐環境性を向上させるために、熱処理（アニー
リング）を施してもよい。熱処理温度は通常、１００〜
２００℃程度である。
ルムを、耐環境性を向上させるために、熱処理（アニー
リング）を施してもよい。熱処理温度は通常、１００〜
２００℃程度である。
【００１８】上記の方法により形成したスズの含有量の
異なる透明導電層の原子組成は、オージェ電子分光法
（ＡＥＳ）、誘導結合プラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォ
ード後方散乱法（ＲＢＳ）等により測定できる。またこ
れらの膜厚は、オージェ電子分光の深さ方向観察、透過
型電子顕微鏡による断面観察等により測定できる。以
下、実施例により本発明の実施の態様の一例を説明す
る。
異なる透明導電層の原子組成は、オージェ電子分光法
（ＡＥＳ）、誘導結合プラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォ
ード後方散乱法（ＲＢＳ）等により測定できる。またこ
れらの膜厚は、オージェ電子分光の深さ方向観察、透過
型電子顕微鏡による断面観察等により測定できる。以
下、実施例により本発明の実施の態様の一例を説明す
る。
【００１９】
【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明
する。 実施例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
m）の一方の面に、第１層として、ターゲットに酸化ス
ズを５重量％含有した酸化インジウムを、スパッタリン
グガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量
比、アルゴン：酸素＝１０：０．１）を用いて、３ｍＴ
ｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッ
タリング法により厚さ２００ｎｍの透明導電層を形成し
た。さらにその上に、第２層として、ターゲットに重量
比２０：８０のスズ・インジウム合金を、スパッタリン
グガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量
比、アルゴン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒ
ｒの雰囲気下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリン
グ法により厚さ５０ｎｍの透明導電層を形成し、２層構
成の透明導電性フィルムを作製した。
する。 実施例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
m）の一方の面に、第１層として、ターゲットに酸化ス
ズを５重量％含有した酸化インジウムを、スパッタリン
グガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量
比、アルゴン：酸素＝１０：０．１）を用いて、３ｍＴ
ｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッ
タリング法により厚さ２００ｎｍの透明導電層を形成し
た。さらにその上に、第２層として、ターゲットに重量
比２０：８０のスズ・インジウム合金を、スパッタリン
グガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量
比、アルゴン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒ
ｒの雰囲気下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリン
グ法により厚さ５０ｎｍの透明導電層を形成し、２層構
成の透明導電性フィルムを作製した。
【００２０】実施例２〜実施例３ 第１層の透明導電層の厚さを１００ｎｍ（実施例２）、
３００ｎｍ（実施例３）とした以外は実施例１と同じ手
法で２層構成の透明導電性フィルムを作製した。
３００ｎｍ（実施例３）とした以外は実施例１と同じ手
法で２層構成の透明導電性フィルムを作製した。
【００２１】実施例４〜実施例６ 第２層の透明導電層の厚さを１０ｎｍ（実施例４）、２
０ｎｍ（実施例５）、１００ｎｍ（実施例６）とした以
外は実施例１と同じ手法で２層構成の透明導電性フィル
ムを作製した。
０ｎｍ（実施例５）、１００ｎｍ（実施例６）とした以
外は実施例１と同じ手法で２層構成の透明導電性フィル
ムを作製した。
【００２２】実施例７ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
m）の一方の面に、第１層として、ターゲットに重量比
３：９７のスズ・インジウム合金を、スパッタリングガ
スにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、ア
ルゴン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰
囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法
により厚さ２００ｎｍの透明導電層を形成した。さらに
その上に、第２層として、ターゲットに重量比２０：８
０のスズ・インジウム合金を、スパッタリングガスにア
ルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴ
ン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気
下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法により
厚さ５０ｎｍの透明導電層を形成し、２層構成の透明導
電性フィルムを得た。
m）の一方の面に、第１層として、ターゲットに重量比
３：９７のスズ・インジウム合金を、スパッタリングガ
スにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、ア
ルゴン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰
囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法
により厚さ２００ｎｍの透明導電層を形成した。さらに
その上に、第２層として、ターゲットに重量比２０：８
０のスズ・インジウム合金を、スパッタリングガスにア
ルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴ
ン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気
下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法により
厚さ５０ｎｍの透明導電層を形成し、２層構成の透明導
電性フィルムを得た。
【００２３】実施例８ 第１層として、ターゲットに重量比８：９２のスズ・イ
ンジウム合金ターゲットを使用した以外は実施例７と同
じ手法で、２層構成の透明導電性フィルムを作製した。 実施例９〜実施例１２ 第２層として、重量比１０：９０のスズ・インジウム合
金ターゲット（実施例９）を、あるいは重量比１５：８
５のスズ・インジウム合金ターゲット（実施例１０）
を、あるいは重量比３５：６５のスズ・インジウム合金
ターゲット（実施例１１）を、あるいは重量比５０：５
０のスズ・インジウム合金ターゲット（実施例１２）
を、それぞれ用いた以外は、実施例１と同じ手法で、２
層構成の透明導電性フィルムを作製した。
ンジウム合金ターゲットを使用した以外は実施例７と同
じ手法で、２層構成の透明導電性フィルムを作製した。 実施例９〜実施例１２ 第２層として、重量比１０：９０のスズ・インジウム合
金ターゲット（実施例９）を、あるいは重量比１５：８
５のスズ・インジウム合金ターゲット（実施例１０）
を、あるいは重量比３５：６５のスズ・インジウム合金
ターゲット（実施例１１）を、あるいは重量比５０：５
０のスズ・インジウム合金ターゲット（実施例１２）
を、それぞれ用いた以外は、実施例１と同じ手法で、２
層構成の透明導電性フィルムを作製した。
【００２４】比較例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
m）の一方の面に、酸化スズを５重量％含有した酸化イ
ンジウムターゲットを、スパッタリングガスにアルゴン
ガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下
で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法により厚
さ２００ｎｍの透明導電層を形成し、１層構成の透明導
電性フィルムを作製した。
m）の一方の面に、酸化スズを５重量％含有した酸化イ
ンジウムターゲットを、スパッタリングガスにアルゴン
ガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素
＝１０：０．１）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下
で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法により厚
さ２００ｎｍの透明導電層を形成し、１層構成の透明導
電性フィルムを作製した。
【００２５】比較例２ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
m）の一方の面に、第１層として、ターゲットに酸化イ
ンジウムを、スパッタリングガスにアルゴンガス、反応
性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１０：
０．１）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣ
マグネトロン反応性スパッタリング法により厚さ２００
ｎｍの透明導電層を形成した。さらにその上に、第２層
として、ターゲットとして重量比２０：８０のスズ・イ
ンジウム合金を、スパッタリングガスにアルゴンガス、
反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１
０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマ
グネトロン反応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍ
の透明導電層を形成し、２層構成の透明導電性フィルム
を作製した。
m）の一方の面に、第１層として、ターゲットに酸化イ
ンジウムを、スパッタリングガスにアルゴンガス、反応
性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１０：
０．１）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣ
マグネトロン反応性スパッタリング法により厚さ２００
ｎｍの透明導電層を形成した。さらにその上に、第２層
として、ターゲットとして重量比２０：８０のスズ・イ
ンジウム合金を、スパッタリングガスにアルゴンガス、
反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１
０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマ
グネトロン反応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍ
の透明導電層を形成し、２層構成の透明導電性フィルム
を作製した。
【００２６】比較例３ 第２層の透明導電層の厚さを２００ｎｍとした以外は実
施例１と同じ手法で２層構成の透明導電性フィルムを作
製した。
施例１と同じ手法で２層構成の透明導電性フィルムを作
製した。
【００２７】比較例４〜比較例５ 第１層として、ターゲットに重量比１０：９０のスズ・
インジウム合金を（比較例４）、あるいは、ターゲット
に重量比１５：８５のスズ・インジウム合金を（比較例
５）使用した以外は実施例７と同じ手法で、２層構成透
明導電性フィルムを作製した。
インジウム合金を（比較例４）、あるいは、ターゲット
に重量比１５：８５のスズ・インジウム合金を（比較例
５）使用した以外は実施例７と同じ手法で、２層構成透
明導電性フィルムを作製した。
【００２８】比較例６〜比較例７ 第１層の透明導電層の厚さを５０ｎｍ（比較例６）、あ
るいは５００ｎｍ（比較例７）とした以外は実施例１と
同じ手法で２層構成の透明導電性フィルムを作製した。
るいは５００ｎｍ（比較例７）とした以外は実施例１と
同じ手法で２層構成の透明導電性フィルムを作製した。
【００２９】比較例８〜比較例９ 第２層として、ターゲットに重量比８：９２のスズ・イ
ンジウム合金（比較例８）を、あるいはターゲットに重
量比７５：２５のスズ・インジウム合金（実施例１０）
をそれぞれ用いた以外は、実施例７と同じ手法で２層構
成の透明導電性フィルムを作製した。
ンジウム合金（比較例８）を、あるいはターゲットに重
量比７５：２５のスズ・インジウム合金（実施例１０）
をそれぞれ用いた以外は、実施例７と同じ手法で２層構
成の透明導電性フィルムを作製した。
【００３０】以上のようにして作製した透明導電性フィ
ルムの、各透明導電層の厚さ、スズの含有量、シート抵
抗、可視光透過率、耐薬品性は以下の手法で評価した。 ・各透明導電層の厚さ［Ｔ（ｎｍ）］：前もって成膜速
度ｒ（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定しておき、膜厚は成膜時間
ｔ（ｍｉｎ）を制御することで変化させた。膜厚Ｔ（ｎ
ｍ）は以下の式より求められる。 Ｔ＝ｒ×ｔ ・スズの含有量［Ｓｎ（％）］：オージェ電子分光法に
より測定した。 ・シート抵抗［Ｒ0 ( Ω／□) ］：４端子法により測定
した。 ・可視光透過率［Ｔｖｉｓ（％）］：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３４００により測定した。 ・耐薬品性：初期のシート抵抗値Ｒ0 （Ω／□）と、
０．１Ｎ塩酸中に室温で１時間放置した後のシート抵抗
値Ｒ（Ω／□）とを測定し、その変化率Ｒ／Ｒ0 で評価
した。すなわち耐薬品性に優れた透明導電性フィルム
は、０．１Ｎ塩酸中に放置する前後での抵抗値変化がな
くＲ／Ｒ0 は１．０となる。 以上の測定結果を表１および表２に掲げる。
ルムの、各透明導電層の厚さ、スズの含有量、シート抵
抗、可視光透過率、耐薬品性は以下の手法で評価した。 ・各透明導電層の厚さ［Ｔ（ｎｍ）］：前もって成膜速
度ｒ（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定しておき、膜厚は成膜時間
ｔ（ｍｉｎ）を制御することで変化させた。膜厚Ｔ（ｎ
ｍ）は以下の式より求められる。 Ｔ＝ｒ×ｔ ・スズの含有量［Ｓｎ（％）］：オージェ電子分光法に
より測定した。 ・シート抵抗［Ｒ0 ( Ω／□) ］：４端子法により測定
した。 ・可視光透過率［Ｔｖｉｓ（％）］：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３４００により測定した。 ・耐薬品性：初期のシート抵抗値Ｒ0 （Ω／□）と、
０．１Ｎ塩酸中に室温で１時間放置した後のシート抵抗
値Ｒ（Ω／□）とを測定し、その変化率Ｒ／Ｒ0 で評価
した。すなわち耐薬品性に優れた透明導電性フィルム
は、０．１Ｎ塩酸中に放置する前後での抵抗値変化がな
くＲ／Ｒ0 は１．０となる。 以上の測定結果を表１および表２に掲げる。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【発明の効果】上記表の結果から明らかなように、本発
明の透明導電性フィルムは、低抵抗かつ耐薬品性に非常
に優れたものであることが判る。
明の透明導電性フィルムは、低抵抗かつ耐薬品性に非常
に優れたものであることが判る。
【００３４】すなわち、本発明においては、高分子透明
フィルムの一方の主面に、少なくとも、第１層としてス
ズを３〜８％含有するインジウム酸化物からなる透明導
電層を形成し、その上に第２層としてスズを１０〜５０
％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層を形成
することにより、低抵抗、高可視光透過率を有し、耐薬
品性に優れた透明導電性フィルムを提供することができ
るのである。
フィルムの一方の主面に、少なくとも、第１層としてス
ズを３〜８％含有するインジウム酸化物からなる透明導
電層を形成し、その上に第２層としてスズを１０〜５０
％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層を形成
することにより、低抵抗、高可視光透過率を有し、耐薬
品性に優れた透明導電性フィルムを提供することができ
るのである。
【図１】本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面
図
図
１０ 透明高分子フィルム ２０ スズを３〜８重量％含有する酸化インジウムから
なる透明導電層 ３０ スズを１０〜５０重量％含有する酸化インジウム
からなる透明導電層
なる透明導電層 ３０ スズを１０〜５０重量％含有する酸化インジウム
からなる透明導電層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 透明高分子フィルム（Ａ）の一方の主面
に、少なくとも、スズを３〜８重量％含有するインジウ
ム酸化物からなる透明導電層（Ｂ）と、スズを１０〜５
０重量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層
（Ｃ）と、をＡＢＣなる構成で形成してなる透明導電性
フィルム。 - 【請求項２】 スズを３〜８重量％含有するインジウム
酸化物からなる透明導電層（Ｂ）の厚さが１００〜３０
０ｎｍ、スズを１０〜５０％含有するインジウム酸化物
からなる透明導電層（Ｃ）の厚さが１０〜１００ｎｍで
ある請求項１記載の透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32544994A JP3318142B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32544994A JP3318142B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08174747A true JPH08174747A (ja) | 1996-07-09 |
| JP3318142B2 JP3318142B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=18176993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32544994A Expired - Fee Related JP3318142B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3318142B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322628A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性積層体 |
| JP2006244771A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| WO2011093274A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 国立大学法人東北大学 | 透明導電積層体付基板及びその製造方法 |
| US8029886B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-10-04 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and touch panel therewith |
| US8580088B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-11-12 | Nitto Denko Corporation | Method for producing transparent conductive film |
| US8734936B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-27 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32544994A patent/JP3318142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322628A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性積層体 |
| JP2006244771A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| US8029886B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-10-04 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and touch panel therewith |
| US8227077B2 (en) | 2006-09-12 | 2012-07-24 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and touch panel therewith |
| WO2011093274A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 国立大学法人東北大学 | 透明導電積層体付基板及びその製造方法 |
| JP5780550B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2015-09-16 | 国立大学法人東北大学 | 透明導電積層体付基板及びその製造方法 |
| US8580088B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-11-12 | Nitto Denko Corporation | Method for producing transparent conductive film |
| US8734936B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-27 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
| US9475235B2 (en) | 2010-11-05 | 2016-10-25 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and touch panel therewith |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3318142B2 (ja) | 2002-08-26 |
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