JP5780550B2 - 透明導電積層体付基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
スパッタリング装置(ULVAC社製、製品名「CS−200」)を用い、ターゲットとしてITOターゲット(ULVAC社製及び三井金属鉱業社製、ITO中の酸化インジウムの含有量:90質量%、酸化スズの含有量:10質量%、以下「ITO90」という)をスパッタ電力直流(DC)100Wで、回転したガラス基板(厚み:0.7mm、縦:50mm、横:50mm、コーニング社製、製品名「EAGLE2000」)上に、基板加熱温度を523K、反応槽内の圧力を0.68Pa、アルゴンガス流量を50sccm、酸素ガス流量を0.2sccmの条件下でスパッタし、厚さが12nmのITO90からなる第一の透明導電膜を形成した。更に、ITOターゲット(三井金属鉱業社製、ITO中の酸化インジウムの含有量:50質量%、酸化スズの含有量:50質量%、以下「ITO50」という)を得られたITO90からなる透明導電膜の表面上に直接、酸素ガス流量を0.3sccmに変えた以外は前記と同条件下でスパッタし、厚さが138nmのITO50からなる第二の透明導電膜を形成し、透明導電積層体付ガラス基板を得た。
ITOターゲット(ITO50)をスパッタした代わりに、ITOターゲット(ITO50)をスパッタ電力DC100Wで、酸化チタンターゲット(高純度化学研究所社製、ターゲット中の酸化チタンの含有量:99.9質量%)をスパッタ電力高周波(RF)20Wで酸素ガス流量を0sccmに変えて同時にスパッタした以外は実施例1と同様にして透明導電積層体付ガラス基板を作製した。得られた透明導電積層体付ガラス基板は、厚さ12nmのITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、厚さ140nmのチタンがドープされたITOからなる第二の透明導電膜(以下「ITO50;Tiからなる第二の透明導電膜」という)が積層されたものである。なお、ターゲットの組成及び膜の厚さから算出した、実施例2で得られた透明導電積層体の酸化インジウムの含有量は51質量%、酸化スズの含有量は44質量%、酸化チタンの含有量は5質量%であった。
ITOターゲット(ITO50)の代わりに、アンチモン添加ITOターゲット(三井金属鉱業社製、ITOターゲット中の酸化インジウムの含有量:50質量%、酸化スズの含有量:45質量%、酸化アンチモンの含有量:5質量%、以下「ITO50;Sb」という)を用いた以外は実施例1と同様にして透明導電積層体付ガラス基板を作製した。得られた透明導電積層体付ガラス基板は、厚さ12nmのITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、厚さ137nmのITO50;Sbからなる第二の透明導電膜が積層されたものである。なお、ターゲットの組成及び膜の厚さから算出した、実施例3で得られた透明導電積層体の酸化インジウムの含有量は53質量%、酸化スズの含有量は42質量%、酸化アンチモンの含有量は5質量%であった。
ITO90からなる膜を形成しなかった以外は、実施例1〜3と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例1において得られた透明導電膜は、厚さ153nmのITO50からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は50質量%、酸化スズの含有量は50質量%であった。また、比較例2において得られた透明導電膜は、厚さ150nmのITO50;TiO2からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は47.5質量%、酸化スズの含有量は47.5質量%、酸化チタンの含有量は5質量%であった。さらに、比較例3において得られた透明導電膜は、厚さ150nmのITO50;Sbからなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は50質量%、酸化スズの含有量は45質量%、酸化アンチモンの含有量は5質量%であった。
基板を加熱しなかった以外は、実施例1と同様にして、ガラス基板の表面上にITO90からなる透明導電膜を形成し、さらにITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、ITO50からなる第二の透明導電膜を積層した。得られた基板、第一の透明導電膜、及び第二の透明導電膜をさらに大気中にて温度523K(実施例4)、623K(実施例5)、723K(実施例6)で1時間加熱して透明導電膜付ガラス基板を得た。
基板を加熱しなかった以外は、実施例2と同様にして、ガラス基板の表面上にITO90からなる透明導電膜を形成し、さらにITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、ITO50−TiO2からなる第二の透明導電膜を積層した。得られた基板、第一の透明導電膜、及び第二の透明導電膜を、さらに大気中にて温度523K(実施例7)、623K(実施例8)、723K(実施例9)で1時間加熱して透明導電膜付ガラス基板を得た。
基板を加熱せず、さらにITOターゲット(ITO50)をスパッタした代わりに、ITOターゲット(ITO90)をスパッタ電力DC100Wで、アンチモン添加酸化すずターゲット(三井金属鉱業社製、ターゲット中の酸化アンチモンの含有量:10質量%、酸化スズの含有量:90質量%)をスパッタ電力DC45Wで酸素ガス流量を0.2sccmに変えて同時にスパッタした以外は実施例1と同様にして、第一の透明導電膜及び第二の透明導電膜を形成した。得られた基板、第一の透明導電膜及び第二の透明導電膜を、さらに大気中にて温度523K(実施例10)、623K(実施例11)、723K(実施例12)で1時間加熱して透明導電膜付ガラス基板を得た。得られた透明導電積層体付ガラス基板は、厚さ12nmのITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、厚さ136nmの酸化アンチモンがドープされたITOからなる第二の透明導電膜(以下「ITO50;Sb[2]からなる第二の透明導電膜」という)が積層されたものである。なお、ターゲットの組成及び膜の厚さから算出した、実施例10〜12で得られた透明導電積層体の酸化インジウムの含有量は52質量%、酸化スズの含有量は44質量%、酸化アンチモンの含有量は4質量%であった。
ITO90からなる膜を形成しなかった以外は、実施例4〜12と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例4〜6(膜形成後の加熱温度:比較例4は523K、比較例5は623K、比較例6は723K)において得られた透明導電膜は、厚さ153nmのITO50からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は50質量%、酸化スズの含有量は50質量%であった。また、比較例7〜9(膜形成後の加熱温度:比較例7は523K、比較例8は623K、比較例9は723K)において得られた透明導電膜は、厚さ150nmのITO50;TiO2からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は47.5質量%、酸化スズの含有量は47.5質量%、酸化チタンの含有量は5質量%であった。さらに、比較例10〜12(膜形成後の加熱温度:比較例10は523K、比較例11は623K、比較例12は723K)において得られた透明導電膜は、厚さ151nmのITO50;Sb[2]からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は49質量%、酸化スズの含有量は47質量%、酸化アンチモンの含有量は4質量%であった。
ITO50の代わりにITO90を用いた以外は、比較例4と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例13(膜形成後の加熱温度は523K)において得られた透明導電膜は、厚さ152nmのITO90からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は90質量%、酸化スズの含有量は10質量%であった。
ITOターゲット(ITO50)をスパッタした代わりに、ITOターゲット(ITO50)をスパッタ電力DC100Wで、酸化鉄ターゲット(高純度化学研究所社製、ターゲット中の酸化鉄(Fe2O3)の含有量:99.9質量%)をスパッタ電力高周波(RF)20Wで酸素ガス流量を0.1sccmに変えて同時にスパッタした以外は実施例1と同様にして透明導電積層体付ガラス基板を作製した。得られた透明導電積層体付ガラス基板は、厚さ12nmのITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、厚さ138nmの鉄がドープされたITOからなる第二の透明導電膜(以下「ITO50;Feからなる第二の透明導電膜」という)が積層されたものである。なお、ターゲットの組成及び膜の厚さから算出した、実施例13で得られた透明導電積層体の酸化インジウムの含有量は51質量%、酸化スズの含有量は44質量%、酸化鉄の含有量は5質量%であった。
ITO50;Sbをスパッタした際の酸素ガス流量を0.5sccmに変えた以外は実施例3と同様にして透明導電積層体付ガラス基板を作製した。得られた透明導電積層体付ガラス基板は、厚さ12nmのITO90からなる第一の透明導電膜の表面上に直接、厚さ138nmのITO50;Sbからなる第二の透明導電膜が積層されたものである。なお、ターゲットの組成及び膜の厚さから算出した、実施例14で得られた透明導電積層体の酸化インジウムの含有量は53質量%、酸化スズの含有量は42質量%、酸化アンチモンの含有量は5質量%であった。
ITO50の代わりにITO90を用いて、酸素ガス流量を0.2sccmに変えてスパッタした以外は、比較例1と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例14において得られた透明導電膜は、厚さ151nmのITO90からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は90質量%、酸化スズの含有量は10質量%であった。
酸素ガス流量を0.5sccmに変えてスパッタした以外は比較例1と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例15において得られた透明導電膜は、厚さ150nmのITO50からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は50質量%、酸化スズの含有量は50質量%であった。
ITO90からなる膜を形成しなかった以外は、実施例2と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例16において得られた透明導電膜は、厚さ153nmのITO50;TiO2からなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は47.5質量%、酸化スズの含有量は47.5質量%、酸化チタンの含有量は5質量%であった。
ITO90からなる膜を形成しなかった以外は、実施例13と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例17において得られた透明導電膜は、厚さ151nmのITO50;Feからなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は47.5質量%、酸化スズの含有量は47.5質量%、酸化鉄の含有量は5質量%であった。
ITO90からなる膜を形成しなかった以外は、実施例14と同様にして透明導電膜付ガラス基板を作製した。すなわち、比較例18において得られた透明導電膜は、厚さ150nmのITO50;Sbからなる膜であり、膜中における酸化インジウムの含有量は50質量%、酸化スズの含有量は45質量%、酸化アンチモンの含有量は5質量%であった。
X線回折装置(Bruker AXS社製、製品名「D8 DISCOVER」又は、リガク社製、製品名「RINT2000」)を用いて、X線源をCuKα線とし、走査角2θ=10〜70度の範囲で評価し、2θが21.5度、30.6度、35.5度、37.7度、41.8度、45.7度、51.0度、56.0度、60.7度付近の回折ピークの存在、すなわち、酸化インジウム結晶と同様の結晶構造の有無を、実施例1、実施例2、実施例10、実施例13、実施例14で得られた透明導電積層体付ガラス基板、比較例1、比較例2、比較例12で得られた透明導電膜付ガラス基板について調べた。得られた結果を、実施例1については図1に、比較例1については図2に、実施例2については図5に、比較例2については図6に、実施例10については図11に、比較例12については図12、実施例1、13、及び14については図19及び20に示す。また表1に、X線源をCuKα線とした際にIn2O3相において確認される主なX線回折ピークを示す。なお表1中、「h k l」はミラー指数を示し、「2θ」は回折角を示し、「d」は面間隔を示し、「I」は相対的な回折強度を示す。
透過型電子顕微鏡(日立製作所社製、製品名「H−9000NAR」又は「H−9000UHR」)を用いて、実施例1、実施例2、実施例13、実施例14で得られた透明導電積層体付ガラス基板、比較例1、比較例2で得られた透明導電膜付ガラス基板の各々の断面を観察し、結晶相又は非晶質層の有無について調べた。すなわち、各積層体又は積層膜に対して機械研磨及びArイオンミリングを施し、断面観察試料を作製した。そして、得られた断面観察試料を、透過型電子顕微鏡を用いて加速電圧300kVにて観察した。得られた結果を、実施例1については図3に、比較例1については図4に、実施例2については図7に、比較例2については図8に、実施例13については図21及び22に、実施例14については図23及び24に示す。
JIS K7194に記載の方法に準拠して透明導電積層体付ガラス基板等の体積抵抗率を測定した。すなわち、透明導電積層体付ガラス基板等を試料とし、抵抗率計(三菱化学アナリテック社製、製品名「ロレスタGP MCP−T610」)を用いて、薄膜用4探針プローブにより、実施例1〜12で得られた透明導電積層体付ガラス基板及び比較例1〜13で得られた透明導電膜付ガラス基板の体積抵抗率を測定した。得られた結果を、実施例1〜3、比較例1〜3、及び比較例13については図9に、実施例4〜6及び比較例4〜6については図13に、実施例7〜9及び比較例7〜9については図14に、実施例10〜12及び比較例10〜12については図15に示す。
200〜900nmの波長領域における光の透過率を、分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、製品名「U−3310」)を用いて、実施例1〜3、実施例4、実施例7、実施例10で得られた透明導電積層体付ガラス基板、比較例13で得られた透明導電膜付ガラス基板について測定した。得られた結果を、実施例1〜3については図10に、実施例4については図16に、実施例7については図17に、実施例10については図18に示す。また、これらの図において、比較例13で得られた透明導電膜付ガラス基板及びガラスについての透過率も併せて示す。
Claims (12)
- 基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板であって、
前記透明導電積層体は、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜と前記第一の透明導電膜の表面上に積層された酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜とを備え、前記第一の透明導電膜の厚さが6〜15nmであり、前記第二の透明導電膜の厚さが50〜150nmであり、且つ、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜が酸化インジウム結晶と同等の結晶構造を持つ結晶を有している透明導電積層体付基板。 - 前記第二の透明導電膜は、スズ、チタン、アンチモン、モリブデン、鉄、コバルト、亜鉛、セリウム、ガリウム、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、タングステン、及びこれらの酸化物からなる群から選択される少なくとも1種を更に含有する透明導電膜である、請求項1に記載の透明導電積層体付基板。
- 前記第二の透明導電膜の酸化インジウムの含有量が45〜55質量%であり、酸化スズの含有量が40〜50質量%であり、酸化アンチモンの含有量が1〜10質量%であり、且つ、前記透明導電積層体は波長800〜2500nmの全域における光の透過率が80%以上の積層体である、請求項1又は2に記載の透明導電積層体付基板。
- CuKα線によるX線回折測定によって得られる、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜のX線回折パターンにおいて、2θ=21.5度付近、30.6度付近、35.5度付近、51.0度付近、及び60.7度付近からなる群から選択される少なくとも一に回折ピークが存在する、請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の透明導電積層体付基板。
- 前記結晶は、In2O3結晶及びIn4Sn3O12結晶からなる群から選択される少なくとも一つの結晶である、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の透明導電積層体付基板。
- 基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板の製造方法であって、
前記基板の表面上に直接的に又は間接的に、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜を形成する工程と、
前記第一の透明導電膜の表面上に酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜を積層する工程と、
前記第二の透明導電膜を350〜950Kの温度で加熱する工程と、を含み、前記第一の透明導電膜の厚さが6〜15nmであり、前記第二の透明導電膜の厚さが50〜150nmである、透明導電積層体付基板の製造方法。 - 前記第二の透明導電膜を加熱する工程は、前記第二の透明導電膜を積層する工程において、前記基板及び前記第一の透明導電膜を350〜950Kの温度で加熱することによって行われる、請求項6に記載の透明導電積層体付基板の製造方法。
- 前記第二の透明導電膜を加熱する温度は350〜600Kである、請求項7に記載の透明導電積層体付基板の製造方法。
- 前記第二の透明導電膜を加熱する工程は、前記第二の透明導電膜を積層する工程の後に行われる、請求項8に記載の透明導電積層体付基板の製造方法。
- 前記第二の透明導電膜を加熱する温度は523〜950Kである、請求項9に記載の透明導電積層体付基板の製造方法。
- 前記第二の透明導電膜は、スズ、チタン、アンチモン、モリブデン、鉄、コバルト、亜鉛、セリウム、ガリウム、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、タングステン、及びこれらの酸化物からなる群から選択される少なくとも1種を含有する透明導電膜である、請求項6〜10のうちのいずれか一項に記載の透明導電積層体付基板の製造方法。
- 前記第二の透明導電膜は、酸化インジウムの含有量が45〜55質量%であり、酸化スズの含有量が40〜50質量%であり、酸化アンチモンの含有量が1〜10質量%である、請求項6〜11のうちのいずれか一項に記載の透明導電積層体付基板の製造方法。
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Citations (2)
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