JP7412262B2 - 透過率可変素子及びその製造方法 - Google Patents
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第2の透明電極付き基板を形成する工程と、間隙を隔てて前記第1及び第2の透明電極付き基板により構成される一対の電極対を配置する工程と、前記間隙に、銀イオン及び前記銀イオンよりも含有量が少ない銅イオンを組成に含む電解液を充填する工程と、を含み、前記第1の透明電極付き基板を形成する工程は、第1の基板上に第1の透光性導電膜を成膜する第1成膜工程と、前記第1の透光性導電膜上に第2の透光性導電膜を成膜する第2成膜工程と、を含み、前記第1及び第2の透光性導電膜の表面粗さが異なるよう、前記第1成膜工程及び第2成膜工程を行う。
以下、図2及び図3を参照して本発明に従う透過率可変素子の実施形態を説明する。図3は、図2に図示した透明電極112、122を拡大した模式断面図である。本発明の一実施形態に従う透過率可変素子100は、間隙を隔てて一対に配置した第1及び第2の透明電極付き基板110、120により構成される電極対と、この間隙に充填され、銀イオンを組成に含む電解液140と、を少なくとも備え、さらに必要に応じて他の構成を備えてもよい。そして、透過率可変素子100において、第1の透明電極付き基板110は、第1の基板111と、第1の基板111上の第1の透光性導電膜112aと、前記第1の透光性導電膜上の第2の透光性導電膜と、を有し、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bの表面粗さが異なる。したがって、透明電極112は、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bを少なくとも有する。なお、説明の便宜状、入射光310側の透明電極付き基板を「第1の透明電極付き基板110」と称し、透過光320側の透明電極付き基板を「第2の透明電極付き基板120」と称する。
第1の透明電極付き基板110及び第2の透明電極付き基板120を、所定の間隙を隔てて一対に配置することにより電極対を構成する。第1及び第2の透明電極付き基板110、120は、それぞれ第1及び第2の基板111、121並びに各基板上に設けたれた第1及び第2の透明電極112、122を有する。そして、第1及び第2の透明電極112、122を互いに対向させて配置する。
第1及び第2の基板111、121のそれぞれは、ガラス基板であってもよいし、樹脂基板であってもよい。両者は同種の材料であってもよいし、異種の材料であってもよい。各基板の表面に透明電極を成膜可能であれば、材料の制限はない。
第1の透明電極112は上記のとおり、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bを少なくとも有する。第1の透明電極112は、さらに別の透光性導電膜を有してもよい。そのため、第1の透明電極112は2層またはそれ以上の複数層構造の透明導電膜からなる。ここで、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bの表面粗さが異なるよう、第1の透明電極112を形成する。第1の透明電極112が、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bと異なる別の透光性導電膜を有する場合、当該別の透光性導電膜の表面粗さは特に制限されないが、当該層の表面粗さは第1及び第2の透光性導電膜112a、112bの表面粗さと異なることが好ましい。製造方法の実施形態において後述するが、例えばスパッタ法における成膜時の酸素導入量を変えることで、形成される透光性導電膜の表面粗さを調整することができる。
第1及び第2の透明電極透光性導電膜112、122を構成する各透光性導電膜は特に制限されないが、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、酸化スズ、酸化亜鉛等の透明酸化物導電体(TCO(Transparent Conductive Oxide))であることが好ましい。なお、各透光性導電膜は同種の材料であってもよいし、異種の材料であってもよい。各透光性導電膜の表面に銀を析出可能であれば、材料の制限はない。ただし、透明酸化物導電体のなかでも、ITOを用いることがより好ましい。そのため、第1の透明電極112の第1及び第2の透光性導電膜112a、112bのうち、少なくとも一方がITOで構成されることが好ましく、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bがいずれもITOからなることも好ましい。3層以上で第1の透明電極112が構成される場合に、すべての層がITOからなることも好ましい。また、第2の透明電極122の第1及び第2の透光性導電膜122a、122bのうち、少なくとも一方が少なくともITOで構成されることが好ましく、第1及び第2の透光性導電膜122a、122bがいずれもITOからなることも好ましい。
さて、上述のとおり、本発明に従う波長変換素子100において、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bの表面粗さが異なるよう、第1の透明電極112を形成する。第1及び第2の透光性導電膜112a、112bの表面粗さが異なるかどうかは、AFM(原子間応力顕微鏡)の表面等、またはSEM(走査型電子顕微鏡)の断面等により観察可能である。本発明者らは、入射光310側(析出層150が形成される側)に表面粗さの異なる透光性導電膜を複数層設けた透明電極を形成することにより、波長変換素子100を駆動させて透過率を変化させた場合でも、可視光領域内での色調への影響を抑制できることを実験的に確認した。また、本実施形態のように、表面粗さの異なる2層(以上)の透光性導電膜によって透明電極を形成する場合、表面粗さが比較的小さい層と、表面粗さが比較的大きい層との組み合わせを用いることになる。表面粗さが比較的大きい層の単層構造によって透明電極を形成すると透明電極が白濁する恐れが生じ得るが、本実施形態では複数層で組み合わせつつ、表面粗さが比較的大きい層を用いるため、反射光の影響を抑止しつつ、白濁現象を回避することが可能となる。また、単層構造で表面粗さを大きくすると第1の透明電極122のシート抵抗値が大きくなり、透過率を可変する際の応答特性への影響も危惧され得るが、本実施形態では複数層で組み合わせつつ、表面粗さが比較的大きい層を用いるため、こうした危惧を回避することも可能である。なお、この目的のため、特に、電解液140に接する側に相当する第2の透明導電膜122bの表面粗さRaが、第1の透明導電膜122aの表面粗さRaよりも大きいことが好ましい。
第1及び第2の透明電極112、122のそれぞれのシート抵抗値は特に制限されず、5Ω/□~30Ω/□とすることができ、11Ω/□以上とすることが好ましく、15Ω/cm2以上とすることが好ましい。シート抵抗値は電極対の間に電場を加えて透過率を変更する際の応答性に影響を及ぼすところ、シート抵抗値が30Ω/□以下であれば、透過率の可変速度を十分なものとすることができ、シート抵抗値を20Ω/□以下とすることも好ましい。両透明電極のシート抵抗値は同じであってもよいし、異なってもよい。
第1及び第2の透明電極112、122のそれぞれの膜厚は特に制限されず、用途に応じて適宜の膜厚とすればよいが、例示的に100nm~200nmとすることができる。各透明電極の全体の膜厚は上述したシート抵抗値及び透過率に影響するので、所望の分光透過率特性及び透過率の可変速度を考慮して適宜設計すればよい。両透明電極の膜厚は同じであってもよいし、異なってもよい。また、第1の透明電極122を構成する各透光性導電膜122a、122bの膜厚は特に制限されないが、それぞれ10nm~180nm程度とすることが好ましい。第1及び第2の透光性導電膜122a、122bのどちらの膜厚の方が大きくても構わないし、同じ膜厚であってもよい。しかしながら、第2の透明導電膜122bの表面粗さRaが、第1の透明導電膜122aの表面粗さRaよりも大きい場合には、第2の透明導電膜122bの膜厚を、第1の透明導電膜122aの膜厚以上の厚みとすることも好ましい。上述した本発明による作用効果をより確実に得るためである。なお、第2の透光性導電膜を構成する透光性導電膜の膜厚も、上記例示した膜厚の範囲で適宜定めればよい。
電解液140は、銀イオンを組成に含み、必要に応じて銀イオンよりも含有重量が少ない銅イオンを組成に含むことも好ましい。このような電解液140は、例えば、炭酸プロピレン等のエステル系溶剤及びメタノール等のアルコールを含む非水溶媒に、硝酸銀(AgNO3)等の銀塩及び塩化第二銅(CuCl2)等の銅塩を溶解させることにより得られる。上記非水溶媒に、必要に応じて、臭化リチウム(LiBr)等の支持電解質をさらに溶解させてもよい。電解液140は、必要に応じて増粘剤をさらに含んでもよい。こうした増粘剤の例は、ポリプロピレン、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタアクリレート等のポリマーである。電解液140は第1及び第2の透明電極付き基板110、120により構成される電極対の間の間隙に充填される。
また、第1の透明電極付き基板110の1枚あたりでの、波長635nmにおける透過率に対する、波長430nmにおける透過率の比が0.5~0.9の範囲であることが好ましい。第1の透明電極付き基板110がこの透過率の特性を満足すれば、透過率可変素子100を駆動させて透過率を変化させても、太陽光下での使用を考慮する場合、光量調整を行いつつ、目的の色調への影響を十分に抑制することができる。また、第2の透明電極付き基板120についても、波長635nmにおける透過率に対する、波長430nmにおける透過率の比が0.5~0.9の範囲であることが好ましい。なお、上記透過率は、析出層150を形成せずに、無析出状態での透過率を基準とする。
次に、上述した本発明に従う透過率可変素子100を製造する方法の一実施形態を説明する。引き続き図2及び図3を参照する。透過率可変素子100の製造方法は、第1の透明電極付き基板110を形成する工程と、第2の透明電極付き基板120を形成する工程と、間隙を隔てて第1及び第2の透明電極付き基板110、120を配置し、第1及び第2の透明電極付き基板110、120により構成される一対の電極対を設ける工程と、この電極対の間隙に、銀イオンを組成に含む電解液140を充填する工程と、を少なくとも含む。必要に応じて、他の工程を含んでもよい。なお、透過率可変素子100の実施形態において既述の構成には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
第1の透明電極付き基板110を形成する。第1の透明電極付き基板を形成する工程は、第1の基板111上に第1の透光性導電膜112aを成膜する第1成膜工程と、第1の透光性導電膜112a上に第2の透光性導電膜112bを成膜する第2成膜工程と、を含み、第1及び第2の透光性導電膜112a、112bの表面粗さが異なるよう、第1成膜工程及び第2成膜工程を行う。こうした第1及び第2の透光性導電膜112a、112bを形成するためには、例えばスパッタ法を用いることができる。スパタリングターゲットは成膜する透光性導電膜の材料に応じて適切なものを採用すればよい。
第2の透明電極付き基板120を形成する工程は、第1の透明電極付き基板110の形成手法と同様に行ってもよく、この場合、生産性を高めるために第1及び第2の両基板を同時に形成してもよい。もっとも、第2の透明電極付き基板120を第1の透明電極付き基板110とは同条件又は別条件で、それぞれ別々に形成してもよい。
(実施例1)
説明の便宜状、図2、図3の参照符号を参照する。ガラス基板111、121上にそれぞれITOからなる透明電極112、122を成膜した。各透明電極112、122の成膜にあたり、DCスパッタ法を用い、ITO(錫5重量%)のターゲットを採用した。また、スパッタリング条件は、まず、酸素流量0.8sccm、アルゴン流量50sccmとし、真空度0.6Paの状態として、膜厚40nmとなるよう比較的表面が平坦なITO膜112a、122aを形成した。次いで、酸素流量0.4sccm、アルゴン流量50sccmとし、真空度0.6Paの状態として、膜厚120nmとなるよう比較的表面が荒れたITO膜112b、122bを形成した。なお、DCスパッタの出力はDC200Wに固定した。得られた各透明電極のシート抵抗値(4端子4深針法(定電流印加)で、日東精工アナリテック社製:MCP-T370にて測定)は15.5Ω/□、膜厚(AFM(原子間応力顕微鏡)で測定)は160nmであった。また、表面粗さRaは85.2nm、二乗平均平方根粗さRqは105nmであった(表面粗さについてのいずれの値もJIS B 0601-2001に準拠し、以下同様である)。また、目視では透明電極付き基板表面は無色透明であり、白濁は観察されなかった。さらに、第1の基板111及び第2の基板121の大きさは、ともに34mm×50mmである。
実施例1ではITOからなる透光性導電膜を2層成膜して透明電極を形成したところ、酸素流量を0.4sccmに変えて膜厚200nmの単層構造の透明電極を形成した以外は実施例1と同様にして、比較例1に係る透過率可変素子を作製した。なお、比較例1における透光性導電膜のシート抵抗値は21.5Ω/□であった。また、表面粗さRaは87.3nm、二乗平均平方根粗さRqは107nmであった。また、目視では透明電極付き基板表面は無色透明であり、白濁は観察されなかった。
(実施例2)
実施例1ではITOからなる透光性導電膜を酸素流量0.8sccmで40nm成膜し、次いで、酸素流量0.4sccmで120nm成膜して透明電極を形成したところ、酸素流量を0.8sccmで80nm成膜し、次いで酸素流量0.4sccmで80nm成膜することにより透明電極を形成した以外は実施例1と同様にして、実施例2に係る透過率可変素子を作製した。なお、実施例2における透光性導電膜の表面粗さRaは45.0nmであった。また、目視では透明電極付き基板表面は無色透明であり、白濁現象は観察されなかった。
測定装置:Veeco(BRUKER)社製DIMENSION icon with ScanAsyst
測定モード: Tapping in Air
Probe: RTESP(Tip Radius: 8 nm, k=40 N/m)
第1の透明電極付き基板 110
第1の基板 111
第1の透明電極 112
第1の透明電極の第1の透光性導電膜 112a
第1の透明電極の第2の透光性導電膜 112b
第2の透明電極付き基板 120
第2の基板 121
第2の透明電極 122
第2の透明電極の第1の透光性導電膜 122a
第2の透明電極の第2の透光性導電膜 122b
電解液 140
析出層 150
シール材 171、172
電源 200
入射光 310
透過光 320
Claims (6)
- 間隙を隔てて一対に配置した第1及び第2の透明電極付き基板により構成される電極対と、
前記間隙に充填され、銀イオンを組成に含む電解液と、
を備える透過率可変素子であって、
前記第1の透明電極付き基板は、第1の基板と、前記第1の基板上の第1の透光性導電膜と、前記第1の透光性導電膜上の第2の透光性導電膜と、を有し、前記第1及び第2の透光性導電膜の表面粗さが異なり、
前記第2の透明導電膜の表面粗さRaが、前記第1の透明導電膜の表面粗さRaよりも大きいことを特徴とする透過率可変素子。 - 前記第1の透明電極付き基板1枚あたりでの、波長635nmにおける透過率に対する、波長430nmにおける透過率の比が0.5~0.9の範囲である、請求項1に記載の透過率可変素子。
- 前記第1及び第2の透光性導電膜のうち、少なくとも一方がITOで構成される請求項1又は2に記載の透過率可変素子。
- 前記第1及び第2の透光性導電膜がいずれもITOからなる、請求項3に記載の透過率可変素子。
- 前記第1の透明電極付き基板の透明電極のシート抵抗値が5~30Ω/□である、請求項1~4のいずれか1項に記載の透過率可変素子。
- 第1の透明電極付き基板を形成する工程と、
第2の透明電極付き基板を形成する工程と、
間隙を隔てて前記第1及び第2の透明電極付き基板により構成される一対の電極対を配置する工程と、
前記間隙に、銀イオン及び前記銀イオンよりも含有量が少ない銅イオンを組成に含む電解液を充填する工程と、
を含む透過率可変素子の製造方法であって、
前記第1の透明電極付き基板を形成する工程は、第1の基板上に第1の透光性導電膜を成膜する第1成膜工程と、前記第1の透光性導電膜上に第2の透光性導電膜を成膜する第2成膜工程と、を含み、前記第1及び第2の透光性導電膜の表面粗さが異なるよう、前記第1成膜工程及び第2成膜工程を行い、
前記第2の透明導電膜の表面粗さRaが、前記第1の透明導電膜の表面粗さRaよりも大きいことを特徴とする透過率可変素子の製造方法。
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