JPH1049306A - タッチパネル用透明導電性フィルム - Google Patents
タッチパネル用透明導電性フィルムInfo
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- JPH1049306A JPH1049306A JP21909296A JP21909296A JPH1049306A JP H1049306 A JPH1049306 A JP H1049306A JP 21909296 A JP21909296 A JP 21909296A JP 21909296 A JP21909296 A JP 21909296A JP H1049306 A JPH1049306 A JP H1049306A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定の表面抵抗を有し、加熱工程での表面抵
抗変化が小さく、かつ波長５５０ｎｍの光線透過率にす
ぐれたタッチパネル用透明導電性フィルム。 【解決手段】 透明高分子フィルムと、その一面上に、
酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を３〜８重量％含有する酸化イン
ジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体
からなる透明導電層（１）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を１
０〜３０重量％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体からなる透明導電層
（２）を順次積層してなり、波長５５０ｎｍでの光線透
過率が８０％以上であり、表面抵抗が３００〜１０００
Ω／□であり、かつ加熱後の表面抵抗の変化率が０．９
〜１．１であることを特徴とするタッチパネル用透明導
電性フィルム。
抗変化が小さく、かつ波長５５０ｎｍの光線透過率にす
ぐれたタッチパネル用透明導電性フィルム。 【解決手段】 透明高分子フィルムと、その一面上に、
酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を３〜８重量％含有する酸化イン
ジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体
からなる透明導電層（１）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を１
０〜３０重量％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体からなる透明導電層
（２）を順次積層してなり、波長５５０ｎｍでの光線透
過率が８０％以上であり、表面抵抗が３００〜１０００
Ω／□であり、かつ加熱後の表面抵抗の変化率が０．９
〜１．１であることを特徴とするタッチパネル用透明導
電性フィルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はタッチパネル用透明
導電性フィルムに関するものである。
導電性フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、タッチパネルに使用する透明導電
性フィルムは、透明高分子フィルムの一面上に透明導電
層を形成したものが広く使用されている。この透明高分
子フィルム上に形成する透明導電層については、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属薄膜タ
イプ、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2 ）およびこれらの焼結体（以下、ＩＴＯ焼結体とい
う）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの金属酸化物薄膜タイ
プ、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2 ）／Ａｇ／ＴｉＯ 2 な
どの金属／金属酸化物の多層薄膜タイプ等の各種のもの
が知られている。これらの中でもＩＴＯ焼結体等の金属
酸化物薄膜は、透光性、導電性がともに非常に良好で、
その上エッチング特性にも優れており、電極のパターン
化が容易であるという特徴を有しているものである。
性フィルムは、透明高分子フィルムの一面上に透明導電
層を形成したものが広く使用されている。この透明高分
子フィルム上に形成する透明導電層については、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属薄膜タ
イプ、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2 ）およびこれらの焼結体（以下、ＩＴＯ焼結体とい
う）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの金属酸化物薄膜タイ
プ、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2 ）／Ａｇ／ＴｉＯ 2 な
どの金属／金属酸化物の多層薄膜タイプ等の各種のもの
が知られている。これらの中でもＩＴＯ焼結体等の金属
酸化物薄膜は、透光性、導電性がともに非常に良好で、
その上エッチング特性にも優れており、電極のパターン
化が容易であるという特徴を有しているものである。
【０００３】このような金属酸化物薄膜は、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等の各種成膜法により作成されている。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等の各種成膜法により作成されている。
【０００４】タッチパネルの方式としては、アナログ型
タッチパネルとデジタル型タッチパネルの２種類に大き
く分けることができる。
タッチパネルとデジタル型タッチパネルの２種類に大き
く分けることができる。
【０００５】アナログ型タッチパネルは、上記の成膜方
法により形成した透明導電性フィルムの透明導電層両端
部に引出し電極を設け、２枚の透明導電性フィルムの透
明導電層側をスペーサーを介して対向配置した後、引出
し電極部に電圧を印加し、押した部分の電圧をＡ−Ｄ変
換して位置検出する方式が取られている。またデジタル
型タッチパネルは、透明導電性フィルムを短冊状にエッ
チングした後、２枚の透明導電性フィルムの透明導電層
側をスペーサーを介し縦方向および、横方向に対向配置
し、押した部分の接触によりスイッチ動作を行う方式が
取られている。
法により形成した透明導電性フィルムの透明導電層両端
部に引出し電極を設け、２枚の透明導電性フィルムの透
明導電層側をスペーサーを介して対向配置した後、引出
し電極部に電圧を印加し、押した部分の電圧をＡ−Ｄ変
換して位置検出する方式が取られている。またデジタル
型タッチパネルは、透明導電性フィルムを短冊状にエッ
チングした後、２枚の透明導電性フィルムの透明導電層
側をスペーサーを介し縦方向および、横方向に対向配置
し、押した部分の接触によりスイッチ動作を行う方式が
取られている。
【０００６】しかしながら、タッチパネルに使用される
透明導電性フィルムは、透明導電層の膜厚が薄いため、
表面抵抗が変化しやすく、タッチパネル加工時のアニー
ル工程（１２０℃、３０分間）および銀電極やスペーサ
ー印刷時の乾燥工程（１２０℃、２０分間）の熱処理に
より、表面抵抗が高くなってしまう問題があった。
透明導電性フィルムは、透明導電層の膜厚が薄いため、
表面抵抗が変化しやすく、タッチパネル加工時のアニー
ル工程（１２０℃、３０分間）および銀電極やスペーサ
ー印刷時の乾燥工程（１２０℃、２０分間）の熱処理に
より、表面抵抗が高くなってしまう問題があった。
【０００７】タッチパネル加工時のアニール工程および
銀電極やスペーサー印刷時の乾燥工程による表面抵抗の
変化を抑えるためには、特開昭５８−１６９７０７号公
報に示されるように透明導電層の厚み方向に連続的にＳ
ｎＯ2 の含有率を変える方法が有効である。しかし、こ
の方法による場合、真空蒸着法を用いて金属インジウム
と金属スズのそれぞれから蒸発をおこなっているため、
成膜後に熱処理をおこなって酸化を制御しなければなら
ないが、酸化反応性が悪いため表面抵抗を低くしようと
すると、透明導電層の膜厚を厚くする必要がある。
銀電極やスペーサー印刷時の乾燥工程による表面抵抗の
変化を抑えるためには、特開昭５８−１６９７０７号公
報に示されるように透明導電層の厚み方向に連続的にＳ
ｎＯ2 の含有率を変える方法が有効である。しかし、こ
の方法による場合、真空蒸着法を用いて金属インジウム
と金属スズのそれぞれから蒸発をおこなっているため、
成膜後に熱処理をおこなって酸化を制御しなければなら
ないが、酸化反応性が悪いため表面抵抗を低くしようと
すると、透明導電層の膜厚を厚くする必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表面
抵抗が所定の範囲にあり、加熱工程で表面抵抗の変化が
小さく、かつ波長５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上
のタッチパネル用透明導電性フィルムを提供することに
ある。
抵抗が所定の範囲にあり、加熱工程で表面抵抗の変化が
小さく、かつ波長５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上
のタッチパネル用透明導電性フィルムを提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため、透明高分子フィルムの一面上に設け
る透明導電層を２層化し、各層のＩＴＯ焼結体中のＳｎ
Ｏ2 の含有率を変え、表層の透明導電層（２）に加熱時
の表面抵抗の変化を抑える働きをさせ、下層の透明導電
層（１）に表面抵抗を小さくする働きをさせることによ
り、透明導電層全体の膜厚を薄くすることができ、加熱
工程で表面抵抗の変化が小さく、かつ波長５５０ｎｍの
光線透過率が８０％以上となることを見出し、本発明を
完成するに至った。
題を解決するため、透明高分子フィルムの一面上に設け
る透明導電層を２層化し、各層のＩＴＯ焼結体中のＳｎ
Ｏ2 の含有率を変え、表層の透明導電層（２）に加熱時
の表面抵抗の変化を抑える働きをさせ、下層の透明導電
層（１）に表面抵抗を小さくする働きをさせることによ
り、透明導電層全体の膜厚を薄くすることができ、加熱
工程で表面抵抗の変化が小さく、かつ波長５５０ｎｍの
光線透過率が８０％以上となることを見出し、本発明を
完成するに至った。
【００１０】本発明に係るタッチパネル用透明導電性フ
ィルムは、透明高分子フィルムと、その一面上に、酸化
スズ（ＳｎＯ2 ）を３〜８重量％含有する酸化インジウ
ム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体（以
下、ＩＴＯ焼結体Ｉという）からなる透明導電層
（１）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を１０〜３０重量％含有
する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ
2 ）の焼結体（以下、ＩＴＯ焼結体IIという）からなる
透明導電層（２）を順次積層してなり、波長５５０ｎｍ
での光線透過率が８０％以上であり、表面抵抗が３００
〜１０００Ω／□であり、かつ加熱後の表面抵抗の変化
率が０．９〜１．１であることを特徴とするものであ
る。
ィルムは、透明高分子フィルムと、その一面上に、酸化
スズ（ＳｎＯ2 ）を３〜８重量％含有する酸化インジウ
ム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体（以
下、ＩＴＯ焼結体Ｉという）からなる透明導電層
（１）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を１０〜３０重量％含有
する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ
2 ）の焼結体（以下、ＩＴＯ焼結体IIという）からなる
透明導電層（２）を順次積層してなり、波長５５０ｎｍ
での光線透過率が８０％以上であり、表面抵抗が３００
〜１０００Ω／□であり、かつ加熱後の表面抵抗の変化
率が０．９〜１．１であることを特徴とするものであ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電性フィルムに使
用される透明高分子フィルムの材料としては、耐熱性を
有する透明な高分子フィルムであれば特に制限はなく、
１００℃以上においても耐熱性を有するものが好まし
く、たとえばポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポ
リパラバン酸等が例示できる。また透明高分子フィルム
の厚みとしては、２５〜２５０μｍが好ましく、より好
ましくは５０〜２００μｍである。上記の透明高分子フ
ィルム上に密着性向上のため、予めコロナ放電処理、表
面改質を行うプラズマ処理やサンドブラストを用いた粗
面化処理等の表面処理、または有機系樹脂による公知の
アンカーコート処理を施してもよい。
用される透明高分子フィルムの材料としては、耐熱性を
有する透明な高分子フィルムであれば特に制限はなく、
１００℃以上においても耐熱性を有するものが好まし
く、たとえばポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポ
リパラバン酸等が例示できる。また透明高分子フィルム
の厚みとしては、２５〜２５０μｍが好ましく、より好
ましくは５０〜２００μｍである。上記の透明高分子フ
ィルム上に密着性向上のため、予めコロナ放電処理、表
面改質を行うプラズマ処理やサンドブラストを用いた粗
面化処理等の表面処理、または有機系樹脂による公知の
アンカーコート処理を施してもよい。
【００１２】上記の透明高分子フィルム上に形成する透
明導電層（１）の材料は、ＳｎＯ2の含有率が３〜８重
量％のＩＴＯ焼結体Ｉであり、さらに前記透明導電層
（１）上に形成する透明導電層（２）は、ＳｎＯ2 の含
有率が１０〜３０重量％のＩＴＯ焼結体IIである。透明
導電層（１）のＳｎＯ2 の含有率が３重量％未満または
８重量％より大の場合には、積層化後の表面抵抗が高く
なってしまう問題がある。また透明導電層（２）のＳｎ
Ｏ2 の含有率が１０重量％未満の場合には、充分な加熱
時の安定性が得られず、３０重量％より大の場合には、
表面抵抗が高くなってしまうなどの問題を生ずる。
明導電層（１）の材料は、ＳｎＯ2の含有率が３〜８重
量％のＩＴＯ焼結体Ｉであり、さらに前記透明導電層
（１）上に形成する透明導電層（２）は、ＳｎＯ2 の含
有率が１０〜３０重量％のＩＴＯ焼結体IIである。透明
導電層（１）のＳｎＯ2 の含有率が３重量％未満または
８重量％より大の場合には、積層化後の表面抵抗が高く
なってしまう問題がある。また透明導電層（２）のＳｎ
Ｏ2 の含有率が１０重量％未満の場合には、充分な加熱
時の安定性が得られず、３０重量％より大の場合には、
表面抵抗が高くなってしまうなどの問題を生ずる。
【００１３】透明導電層の形成法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等既知の各種成膜法が上げられる。なかで
も陰極側の真空度と陽極側の真空度との間に圧力勾配を
もたせて行う圧力勾配型放電によるイオンプレーティン
グ法を用いた場合、成膜材料の蒸発量が多く、イオン化
率が高いため１００〜２００Å／ｓｅｃ程度の成膜速度
が得られ、従来の真空蒸着やスパッタリング法に比べて
大面積での加工で数十倍から数百倍にも及ぶ成膜速度が
低温で達成できる。また、得られる透明導電層は高平滑
でかつ非晶質であるなどの利点を有している。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法等既知の各種成膜法が上げられる。なかで
も陰極側の真空度と陽極側の真空度との間に圧力勾配を
もたせて行う圧力勾配型放電によるイオンプレーティン
グ法を用いた場合、成膜材料の蒸発量が多く、イオン化
率が高いため１００〜２００Å／ｓｅｃ程度の成膜速度
が得られ、従来の真空蒸着やスパッタリング法に比べて
大面積での加工で数十倍から数百倍にも及ぶ成膜速度が
低温で達成できる。また、得られる透明導電層は高平滑
でかつ非晶質であるなどの利点を有している。
【００１４】透明導電性フィルムの表面抵抗は、５０〜
２０００Ω／□が好ましく、より好ましくは３００〜１
０００Ω／□である。表面抵抗を５０Ω／□未満にしよ
うとすると、生産性が低くなり、コストが高くなる。一
方２０００Ω／□より大きい場合には、透明導電層の膜
厚が薄くなるため、加熱時の表面抵抗の変化が大きくな
る問題が生じる。また波長５５０ｎｍの光線透過率は、
８０％以上が好ましく、加熱工程での表面抵抗の変化率
は、０．９〜１．１以内が好ましい。上記の性能を有す
る透明導電性フィルムは、透明導電層を二層化し、各透
明導電層のＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 の含有率を変える
ことにより得られる。透明導電層を組成の異なる二層構
造とするためには、各層毎に一定組成のＩＴＯ焼結体を
用いて蒸発を行うことから、各層のそれぞれが均一組成
の導電層となり、各透明導電層の透明性、表面抵抗及び
加熱による表面抵抗変化等についての特性を充分に生か
すことができる利点がある。
２０００Ω／□が好ましく、より好ましくは３００〜１
０００Ω／□である。表面抵抗を５０Ω／□未満にしよ
うとすると、生産性が低くなり、コストが高くなる。一
方２０００Ω／□より大きい場合には、透明導電層の膜
厚が薄くなるため、加熱時の表面抵抗の変化が大きくな
る問題が生じる。また波長５５０ｎｍの光線透過率は、
８０％以上が好ましく、加熱工程での表面抵抗の変化率
は、０．９〜１．１以内が好ましい。上記の性能を有す
る透明導電性フィルムは、透明導電層を二層化し、各透
明導電層のＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 の含有率を変える
ことにより得られる。透明導電層を組成の異なる二層構
造とするためには、各層毎に一定組成のＩＴＯ焼結体を
用いて蒸発を行うことから、各層のそれぞれが均一組成
の導電層となり、各透明導電層の透明性、表面抵抗及び
加熱による表面抵抗変化等についての特性を充分に生か
すことができる利点がある。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれによって限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれによって限定されるものでは
ない。
【００１６】なお実施例および比較例で得られた透明導
電性フィルムの評価は以下のようにして行った。 ａ．光線透過率 分光光度計（日立製作所社製：Ｕ−３５００型）を用い
て波長５５０ｎｍでの光線透過率（％）を測定した。８
０％以上であれば、透明性良好と判定した。 ｂ．表面抵抗 表面抵抗計（三菱油化社製：ロレスタ型）を用いて表面
抵抗（Ω／□）を測定した。３００〜１０００Ω／□で
あれば、導電性良好と判定した。 ｃ．耐熱性 透明導電性フィルムを１２０℃の雰囲気下に１時間放置
し、加熱前の表面抵抗（Ｒ0 ）と加熱後の表面抵抗
（Ｒ）の変化率（Ｒ／Ｒ0 ）を測定した。表面抵抗の変
化率が０．９〜１．１であれば、耐熱性良好と判定し
た。
電性フィルムの評価は以下のようにして行った。 ａ．光線透過率 分光光度計（日立製作所社製：Ｕ−３５００型）を用い
て波長５５０ｎｍでの光線透過率（％）を測定した。８
０％以上であれば、透明性良好と判定した。 ｂ．表面抵抗 表面抵抗計（三菱油化社製：ロレスタ型）を用いて表面
抵抗（Ω／□）を測定した。３００〜１０００Ω／□で
あれば、導電性良好と判定した。 ｃ．耐熱性 透明導電性フィルムを１２０℃の雰囲気下に１時間放置
し、加熱前の表面抵抗（Ｒ0 ）と加熱後の表面抵抗
（Ｒ）の変化率（Ｒ／Ｒ0 ）を測定した。表面抵抗の変
化率が０．９〜１．１であれば、耐熱性良好と判定し
た。
【００１７】実施例１ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し圧力勾配型放電に
よるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透明
導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）の
上にＳｎＯ2 を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用し
圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法により厚
さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し圧力勾配型放電に
よるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透明
導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）の
上にＳｎＯ2 を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用し
圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法により厚
さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００１８】圧力勾配型放電は、７．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒで行い、放電電流は２００Ａ、放電電圧は６０Ｖとし
た、また反応ガスとして酸素ガスを分圧で１×１０-4Ｔ
ｏｒｒ導入した。
ｒで行い、放電電流は２００Ａ、放電電圧は６０Ｖとし
た、また反応ガスとして酸素ガスを分圧で１×１０-4Ｔ
ｏｒｒ導入した。
【００１９】実施例２ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し圧力勾配型放電に
よるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透明
導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）の
上にＳｎＯ2 を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し圧力勾配型放電に
よるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透明
導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）の
上にＳｎＯ2 を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２０】実施例３ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åに透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åに透明導電層（２）を形成した。
【００２１】実施例４ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２２】実施例５ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２３】実施例６ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２４】実施例７ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åに透明導電層（２）を形成した。
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åに透明導電層（２）を形成した。
【００２５】実施例８ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１５０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２６】比較例１ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２７】比較例２ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用し、圧力勾配型放
電によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの
透明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層
（１）の上にＳｎＯ2 を３０重量％含むＩＴＯ焼結体II
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用し、圧力勾配型放
電によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの
透明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層
（１）の上にＳｎＯ2 を３０重量％含むＩＴＯ焼結体II
を使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング
法により厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２８】比較例３ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用し、圧力勾配型放
電によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの
透明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層
（１）の上にＳｎＯ2 を８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを
使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法
により厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用し、圧力勾配型放
電によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの
透明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層
（１）の上にＳｎＯ2 を８重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを
使用し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法
により厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００２９】比較例４ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ５０Åの透明
導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）の
上にＳｎＯ2 を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ５０Åの透明
導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）の
上にＳｎＯ2 を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００３０】比較例５ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１０Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ１００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ１０Åの透明導電層（２）を形成した。
【００３１】比較例６ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ２００Åの透明導電層（２）を形成した。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ３００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を３０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ２００Åの透明導電層（２）を形成した。
【００３２】比較例７ 厚さ１２５μｍのポリエステルフィルム上にＳｎＯ2 を
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ４００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。各実施例
及び比較例で製造された透明導電性フィルムの表面抵
抗、抵抗変化率及び光線透過率を表１に示す。
３重量％含むＩＴＯ焼結体Ｉを使用し、圧力勾配型放電
によるイオンプレーティング法により厚さ４００Åの透
明導電層（１）を形成し、さらに前記透明導電層（１）
の上にＳｎＯ2を１０重量％含むＩＴＯ焼結体IIを使用
し、圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法によ
り厚さ３０Åの透明導電層（２）を形成した。各実施例
及び比較例で製造された透明導電性フィルムの表面抵
抗、抵抗変化率及び光線透過率を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から明らかなように、実施例１〜８は
下層の透明導電層（１）のＳｎＯ2の含有率が３〜８重
量％で、膜厚が１００〜３００Åの範囲にあり、かつ表
層の透明導電層（２）のＳｎＯ2 の含有率が１０〜３０
重量％で膜厚が３０〜１５０Åの範囲にあって、表面抵
抗が所定の範囲にあり、加熱工程で表面抵抗の変化が小
さく、かつ波長５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上の
特性が得られる。
下層の透明導電層（１）のＳｎＯ2の含有率が３〜８重
量％で、膜厚が１００〜３００Åの範囲にあり、かつ表
層の透明導電層（２）のＳｎＯ2 の含有率が１０〜３０
重量％で膜厚が３０〜１５０Åの範囲にあって、表面抵
抗が所定の範囲にあり、加熱工程で表面抵抗の変化が小
さく、かつ波長５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上の
特性が得られる。
【００３５】一方、比較例１のように透明導電層（２）
のＳｎＯ2 含有量が１０重量％に達しないと加熱後の表
面抵抗の変化率が大きくなるし、比較例２及び３のよう
に透明導電層（１）のＳｎＯ2 含有量が８重量％を越え
ると表面抵抗値が大きくなるばかりでなく、抵抗変化率
も１．１を越える大きな値を示すので好ましくない。さ
らに、透明導電層（１）のＳｎＯ2 含有量が３〜８重量
％で透明導電層（２）のＳｎＯ2 含有量が１０〜３０重
量％の範囲内であっても、透明導電層（１）の膜厚が薄
過ぎると比較例４のように表面抵抗値を低くすることが
できないし、透明導電層（２）の膜厚が薄過ぎると比較
例５のように抵抗変化率の値は大きくなる。逆に両層の
いずれかの膜厚が厚過ぎると比較例６，比較例７のよう
に所定の光線透過率を得ることができない。それ故、両
層の膜厚は、所望の表面抵抗値、光線透過率及び抵抗変
化率を達成するために所定の範囲、例えば透明導電層
（１）については１００Å以上３００Å以下、透明導電
層（２）については３０Å以上１５０Å以下というよう
な好適範囲がある。
のＳｎＯ2 含有量が１０重量％に達しないと加熱後の表
面抵抗の変化率が大きくなるし、比較例２及び３のよう
に透明導電層（１）のＳｎＯ2 含有量が８重量％を越え
ると表面抵抗値が大きくなるばかりでなく、抵抗変化率
も１．１を越える大きな値を示すので好ましくない。さ
らに、透明導電層（１）のＳｎＯ2 含有量が３〜８重量
％で透明導電層（２）のＳｎＯ2 含有量が１０〜３０重
量％の範囲内であっても、透明導電層（１）の膜厚が薄
過ぎると比較例４のように表面抵抗値を低くすることが
できないし、透明導電層（２）の膜厚が薄過ぎると比較
例５のように抵抗変化率の値は大きくなる。逆に両層の
いずれかの膜厚が厚過ぎると比較例６，比較例７のよう
に所定の光線透過率を得ることができない。それ故、両
層の膜厚は、所望の表面抵抗値、光線透過率及び抵抗変
化率を達成するために所定の範囲、例えば透明導電層
（１）については１００Å以上３００Å以下、透明導電
層（２）については３０Å以上１５０Å以下というよう
な好適範囲がある。
【００３６】
【発明の効果】本発明によるタッチパネル用透明導電性
フィルムは、透明高分子フィルム表面上の透明導電層を
二層化し、両層に使用するＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 の
含有率を変えることにより、８０％以上の光線透過率を
有し、かつ加熱後の表面抵抗の変化率が０．９〜１．１
以内の、実用上極めて有用である。
フィルムは、透明高分子フィルム表面上の透明導電層を
二層化し、両層に使用するＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 の
含有率を変えることにより、８０％以上の光線透過率を
有し、かつ加熱後の表面抵抗の変化率が０．９〜１．１
以内の、実用上極めて有用である。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明高分子フィルムと、その一面上に、
酸化スズ（ＳｎＯ2）を３〜８重量％含有する酸化イン
ジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）−酸化スズ（ＳｎＯ2）の焼結体
からなる透明導電層（１）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を１
０〜３０重量％含有する酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
−酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の焼結体からなる透明導電層
（２）を順次積層してなり、波長５５０ｎｍでの光線透
過率が８０％以上であり、表面抵抗が３００〜１０００
Ω／□であり、かつ加熱後の表面抵抗の変化率が０．９
〜１．１であることを特徴とするタッチパネル用透明導
電性フィルム。 - 【請求項２】 前記透明導電層（１）の厚みが１００〜
３００Åであり、かつ透明導電層（２）の厚みが３０〜
１５０Åのものである請求項１記載のタッチパネル用透
明導電性フィルム。 - 【請求項３】 前記透明導電層（１）および透明導電層
（２）が圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法
によって形成されたものである請求項１または２記載の
タッチパネル用透明導電性フィルム
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21909296A JPH1049306A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21909296A JPH1049306A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1049306A true JPH1049306A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16730138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21909296A Pending JPH1049306A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | タッチパネル用透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1049306A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322628A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性積層体 |
| JP2006244771A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| JP2008071531A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル |
| JP2010212085A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電薄膜 |
| WO2011093274A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 国立大学法人東北大学 | 透明導電積層体付基板及びその製造方法 |
| US8580088B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-11-12 | Nitto Denko Corporation | Method for producing transparent conductive film |
| WO2014073310A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
| US8734936B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-27 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
| US9260777B2 (en) | 2006-01-30 | 2016-02-16 | Nitto Denko Corporation | Transparent crystalline electrically-conductive thin film, method of production thereof, transparent electrically-conductive film, and touch panel |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP21909296A patent/JPH1049306A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322628A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性積層体 |
| JP2006244771A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| US9260777B2 (en) | 2006-01-30 | 2016-02-16 | Nitto Denko Corporation | Transparent crystalline electrically-conductive thin film, method of production thereof, transparent electrically-conductive film, and touch panel |
| US8029886B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-10-04 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and touch panel therewith |
| KR100911640B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2009-08-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 적층체 및 그것을 구비한 터치 패널 |
| US8227077B2 (en) | 2006-09-12 | 2012-07-24 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and touch panel therewith |
| JP2008071531A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル |
| JP2010212085A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電薄膜 |
| WO2011093274A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 国立大学法人東北大学 | 透明導電積層体付基板及びその製造方法 |
| US8580088B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-11-12 | Nitto Denko Corporation | Method for producing transparent conductive film |
| US8734936B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-27 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
| US9475235B2 (en) | 2010-11-05 | 2016-10-25 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and touch panel therewith |
| WO2014073310A1 (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
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