JPH0957892A

JPH0957892A - 透明導電性積層体

Info

Publication number: JPH0957892A
Application number: JP7216091A
Authority: JP
Inventors: Fumiharu Yamazaki; 文晴山崎; Shin Fukuda; 福田　　伸; Nobuhiro Fukuda; 信弘福田
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-08-24
Filing date: 1995-08-24
Publication date: 1997-03-04

Abstract

(57)【要約】【解決手段】透明高分子基体（Ａ）１０の一方の主面
に、少なくとも、金属薄膜層（Ｂ）２０と、スズの含有
量をインジウムに対して１０〜５０重量％としたインジ
ウム・スズ酸化物からなる透明導電層（Ｃ）３０と、を
ＡＢＣなる構成で形成した透明導電性積層体。【効果】電気抵抗が低く、可視光透過率が高く、さら
に耐酸性にも優れた透明導電性積層体を提供することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性積層体に
関し、より詳しくは電気抵抗が低く、可視光透過率が高
く、さらに耐酸溶液性にも優れた透明導電性積層体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】透明導電性積層体は従来、液晶ディスプ
レイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレク
トロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、太
陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールドの
電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力装
置の電極として利用されている。従来公知の透明導電層
としては金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属薄膜
と、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸
化物半導体薄膜とが知られている。前者の貴金属薄膜は
抵抗値の低いものは容易に得られるが透明性に劣る。後
者の酸化物半導体薄膜は抵抗値は貴金属薄膜に若干劣る
が、透明性に優れているため広く利用されている。その
中でも酸化スズを含有した酸化インジウム薄膜は電気抵
抗が低くて、可視光における透明性に優れているため広
く利用されている。スズをドープした酸化インジウム薄
膜の抵抗率は通常５×１０^-5〜１×１０^-3Ω・ｃｍ程
度、可視光透過率は一般に８０〜９０％である。

【０００３】従来、液晶ディスプレイ、エレクトロクロ
ミックディスプレイ等の透明電極には、ガラスを基材と
してインジウム・スズ酸化物薄膜を形成したものが用い
られてきた。液晶ディスプレイ、エレクトロクロミック
ディスプレイ等には、応答速度を高速にするために透明
電極は、電気抵抗が低いことと、可視光を効果的に透過
させるために可視光透過率が高いことが必要とされる。
また、電気メッキ法によって電極等を形成させる必要が
ある場合には、メッキ液、一般的には酸性溶液に対する
耐久性に優れていることも必要とされる。ガラスを基材
に用いると、透明導電膜の形成温度を４００℃程度まで
上昇させることができるため、電気抵抗が低く、酸性溶
液に対する耐久性に優れ、透過率の高い結晶性酸化イン
ジウムを主体とした透明導電膜が比較的容易に形成でき
る。しかしながら、ガラスを基板として用いた場合、割
れやすい、重い、薄型化に限度がある、といった問題が
ある。そのため、割れにくく、軽く、薄型化が可能でし
かも、可撓性をも有する透明高分子基体を基材とした透
明電極が強く求められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】可視光透過率が高く、
電気抵抗の低い透明導電膜材料としては、インジウムに
対してスズを３〜８重量％程度含有したインジウム・ス
ズ酸化物が一般的に知られている。インジウム・スズ酸
化物薄膜は、膜中に取り込まれる酸素量を適量に制御す
ることに加え、成膜温度を２００℃以上にして結晶性イ
ンジウム・スズ酸化物を得ることによって低抵抗化が可
能であるが、透明高分子基体を基材とした場合、基材の
加熱温度は高分子基体の耐熱温度に制限されるため、通
常２００℃以下にしなければならない。室温成膜でも、
透明高分子基体の一方の主面に、スズの含有量をインジ
ウムに対して３〜８重量％としたインジウム・スズ酸化
物からなる透明導電層を１００ｎｍ以上形成すれば、表
面電気抵抗（シート抵抗）３０Ω／□以下、可視光透過
率７０％以上の、透明導電性積層体を作製できるが、こ
れを酸性溶液中に浸漬すると、インジウム・スズ酸化物
が溶解して透明導電層の電気抵抗が上昇し、さらにひど
い場合には透明導電層が高分子基体から剥離してしまう
といった問題が生じる。具体的には、液晶ディスプレイ
やエレクトロクロミックディスプレイにおいて実用的な
応答速度を得るためには、シート抵抗値は３０Ω／□以
下であること、酸性溶液中で１時間放置した時の抵抗上
昇率が１．１倍以下であること、可視光透過率が７０％
以上であることが要望されている。本発明は、上記従来
の事情に鑑み、低電気抵抗、高可視光透過率で、酸性溶
液に対する耐久性に優れた透明導電性フィルムを提供す
ることを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、スズの含有
量をインジウムに対して１０重量％以上としたインジウ
ム・スズ酸化物が、酸性溶液に対する耐久性に優れてい
ることを見いだした。しかしながらこれは、スズの含有
量をインジウムに対して３〜８重量％のインジウム・ス
ズ酸化物に比べて比抵抗率が高く、また透過率は低いた
め、液晶ディスプレイやエレクトロクロミックディスプ
レイの透明電極として要望されている特性値、シート抵
抗３０Ω／□以下、可視光透過率７０％以上のものは得
られない。そこで比抵抗率の低い金属薄膜層と、スズの
含有量をインジウムに対して１０〜５０重量％としたイ
ンジウム・スズ酸化物を積層することにより、シート抵
抗３０Ω／□以下、可視光透過率７０％以上で、酸性溶
液に対する耐久性にも優れた透明導電性積層体が得られ
ることを発見し本発明を完成するに到った。

【０００６】すなわち、本発明は、（１）透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、金属薄膜層
（Ｂ）と、スズの含有量をインジウムに対して１０〜５
０重量％としたインジウム・スズ酸化物からなる透明導
電層（Ｃ）と、をＡＢＣなる構成で形成した透明導電性
積層体、（２）金属薄膜層が銀を主成分とすることを特
徴とする（１）の透明導電性積層体、（３）透明高分子
基体（Ａ）と金属薄膜層（Ｂ）との間に金属酸化物層あ
るいは金属窒化物層を形成した（１）または（２）記載
の透明導電性積層体、（４）金属薄膜層（Ｂ）の厚さが
５〜３０ｎｍ、スズの含有量をインジウムに対して１０
〜５０重量％としたインジウム・スズ酸化物からなる透
明導電層（Ｃ）の厚さが１０〜３００ｎｍであることを
特徴とする（１）〜（３）のいずれかの透明導電性積層
体に関するものである。

【０００７】これらは、液晶ディスプレイ、エレクトロ
クロミックディスプレイ等の透明電極に適した、電気抵
抗が低く、可視光透過率が高く、さらに酸性溶液に対す
る耐久性をも有した透明導電性積層体である。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、添付図面［図１］をも
って説明するに、透明高分子基体（Ａ）１０の一方の主
面に、金属薄膜層（Ｂ）２０と、スズの含有量をインジ
ウムに対して１０〜５０重量％としたインジウム・スズ
酸化物からなる透明導電層（Ｃ）と、を順次形成した透
明導電性積層体である。そして好ましくは、金属薄膜層
（Ｂ）が銀を主成分とし、また金属薄膜層（Ｂ）の厚さ
が５〜３０ｎｍ、スズの含有量をインジウムに対して１
０〜５０重量％としたインジウム・スズ酸化物からなる
透明導電層（Ｃ）の厚さが１０〜３００ｎｍであり、さ
らにまた好ましくは金属薄膜層（Ｂ）と、スズの含有量
が１０〜５０重量％としたインジウム・スズ酸化物から
なる透明導電層（Ｃ）との間に金属酸化物あるいは金属
窒化物を形成した透明導電性積層体に係るものである。

【０００９】本発明において使用する透明高分子基体
（Ａ）としては、可視光領域における透明性を有するプ
ラスチック成形体が使用でき、具体的にはポリエチレン
テレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリイミドなどが挙げられる。これらの透明高分子
基体は金属薄膜層及び透明導電層を形成する主面が平滑
であれば板状であってもフィルム状であってもよい。板
状の高分子基体は寸法安定性と機械的強度に優れている
ため、特にそれが要求される場合には好適に使用でき
る。またフィルム状の透明高分子基体は可撓性を有して
おり、金属薄膜層および透明導電層をロール・ツ・ロー
ル法で連続的に形成できるため、これを使用した場合に
は効率的に透明導電性積層体を生産できる故に、これも
また好適に利用できる。この場合、フィルムの厚さは通
常１０〜２５０μｍのものが用いられる。フィルムの厚
さがあまり薄いと、基材としての機械的強度に不足し、
あまり厚いと可撓性が不足するため、透明導電層をロー
ルツロール法で連続的に形成する場合には、フィルムを
ロールで巻きとって利用するのに適さない。

【００１０】上記透明高分子基体のなかでもポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）は透明性及び加工性に優れ
ているためより好適に利用できる。また、ポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）は耐熱性に優れているため、これ
を利用して液晶ディスプレイやエレクトロクロミックデ
ィスプレイ等を組み立てる工程の中で熱処理を必要とす
る場合に、より好適に利用できる。

【００１１】この透明高分子基体はその表面に予めスパ
ッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線照射、
電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理を施し
てこの上に形成される金属薄膜層と上記高分子基体に対
する密着性を向上させる処理を施してもよい。また、金
属薄膜層を成膜する前に、必要に応じて溶剤洗浄や超音
波洗浄などの防塵処理を施してもよい。

【００１２】本発明においては、かかる透明高分子基体
の一方の主面に、金属薄膜層（Ｂ）を形成する。金属薄
膜層の材料としては、薄膜の形成が可能で、電気比抵抗
が小さく、可視光域での光吸収が小さいものであれば利
用できる。例えば、銀、アルミニウム、金、銅、鉄、ニ
ッケル、白金、タングステン等が利用できる。これらは
単体で使用してもよいし、少なくとも銀、金、銅、鉄、
ニッケル、白金、タングステン等のいずれかを含む混合
物として使用してもよい。なかでも、銀、金、アルミニ
ウム、銅は電気比抵抗が小さいため好適に利用できる。
さらにこのなかでも、可視光領域における光吸収の小さ
い銀は特に好適に利用できる。銀を金属薄膜材料として
利用する場合には、周辺環境や熱に対する耐久性を向上
させる目的で、電気抵抗、可視光透過率といった性能を
損なわない程度に、金、白金、パラジウム、銅、ロジウ
ム、イリジウム等を混入させるのが好ましい。

【００１３】金属薄膜層の厚さは５〜３０ｎｍが好まし
い。金属薄膜層の厚さが薄すぎると電気抵抗が十分低く
ならず、逆に厚すぎると可視光における透明性が損なわ
れ可視光透過率十分高くならないためあまり好ましくな
い。金属薄膜層の膜厚は、電気抵抗が低く、可視光透過
率の高いものが得られる範囲に制御することが好まし
い。

【００１４】金属薄膜層の成膜方法としては真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といっ
た従来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。
スパッタリング法においては、ターゲットに所定の材料
を、例えば金属薄膜層を銀薄膜とする場合には銀を、ま
た、銀と金との合金を使用する場合には銀・金合金を使
用し、スパッタガスにアルゴン等の不活性ガスを用いた
直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロンスパ
ッタ法が利用できる。真空蒸着法においては、蒸着源材
料に所定の材料を使用した、電子ビーム蒸着法や加熱蒸
着法が利用できる。

【００１５】上記の金属薄膜層は通常、大気に曝される
ことによって厚さ数ｎｍの自然酸化物層が形成される。
本発明では、金属薄膜層の上にインジウム・スズ酸化物
を積層するため大気中に曝さなくとも、酸化物層の形成
時に金属薄膜層が酸化されることが予想される。しかし
ながら、本発明者らが見出したところによると実際は金
属薄膜層が酸化され、金属酸化物層が形成されても、そ
れは本発明の積層体の性能には影響のない程度であるの
で問題ない。

【００１６】上記のように、透明高分子基体の一方の主
面に、適当な金属薄膜層を形成することにより、電気抵
抗が低く、可視光透過率の高い透明導電性積層体が得ら
れるのであるが、これをそのまま透明導電性積層体とし
て使用し、薬品処理として酸性溶液に浸漬すると金属薄
膜層が溶解してしまい、電気抵抗値が上昇してしまう
か、あるいは透明高分子基体から金属薄膜層が剥離して
しまうといった問題が生じる。そのため、耐酸性溶液性
が必要とされる用途に透明導電性積層体を使用するとき
には、これをそのまま使用することはできない。

【００１７】そのため、本発明においては、上記のよう
な金属薄膜層の上に、スズの含有量をインジウムに対し
て１０〜５０重量％としたインジウム・スズ酸化物から
なる透明導電層（Ｃ）を形成する。インジウムに対して
スズを１０〜５０重量％含有したインジウム・スズ酸化
物は、耐酸溶液性に優れていて酸性溶液中で１時間放置
しても、電気抵抗の上昇は生じない。そこで、金属薄膜
層と、スズの含有量をインジウムに対して１０〜５０重
量％としたインジウム・スズ酸化物を積層させることに
より、金属薄膜層の低い電気抵抗値を維持したまま耐酸
溶液性を付与させることができるのである。加えて、イ
ンジウム・スズ酸化物は可視光領域における透明性にも
優れているため、高い可視光透過率を維持させるのにも
適している。

【００１８】透明導電層であるインジウム・スズ酸化物
のスズの含有量は、インジウムに対して１０〜５０重量
％とすることが好ましい。スズの含有量が少ないと、該
層を積層する目的である、耐酸溶液性向上の効果が得ら
れないため好ましくない。逆に、スズの含有量が多いと
その電気比抵抗が高くなりすぎて、低い電気抵抗値を維
持できなくなるのでこれもまた好ましくない。すなわ
ち、電気抵抗が低く、可視光透過率は高く、さらに耐酸
溶液性をも兼ね備えた透明導電性積層体を得るために、
インジウム・スズ酸化物層のスズの含有量を上記規定範
囲に限定することが好ましい。

【００１９】なお、インジウム・スズ酸化物に含有され
る酸素量は、その電気抵抗値に大きな影響を与え、電気
抵抗値が最小となる最適な酸素量が存在する。そのた
め、該層の酸素の量は電気抵抗値が最も低くなるように
成膜条件を制御するか、成膜後の後処理、例えば加熱処
理や酸素プラズマ処理、を施すことによって制御するこ
とが望ましい。

【００２０】透明導電層の厚さは、１０〜３００ｎｍが
好ましい。あまり薄すぎると、これを積層することによ
り得られる効果である耐酸溶液性が得られず、逆に厚す
ぎると可視光透過率が低下するため、好ましくない。透
明導電層の厚さは、耐酸溶液性が得られる厚み以上で、
なるべく薄くすることが好ましい。

【００２１】透明導電層の成膜方法としては真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といっ
た従来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。
スパッタリング法においては、ターゲットに所定の量の
スズを含有した酸化インジウムを、スパッタガスにアル
ゴン等の不活性ガスを用いた直流（ＤＣ）あるいは高周
波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法が利用できる。ま
た、透明導電層の可視光における透明性および導電性を
高くするためにスパッタガス中に０．１〜２０％の酸素
ガスを混合してもよい。また、ターゲットに所定の量の
スズを含有したインジウム・スズ合金を、スパッタガス
にアルゴン等の不活性ガスを、反応性ガスに酸素ガスを
用いた直流あるいは高周波反応性スパッタリング法も好
適に利用できる。この方法では透明導電層の可視光透過
率および導電性が、反応性ガスである酸素ガスの分圧に
非常に敏感に影響するので、その制御を厳密に行うこと
が望ましい。上記したスパッタリング法はいずれも、可
視光における透明性及び導電性に優れた透明導電層が容
易に得られるため、好適に利用できる。

【００２２】透明導電層のスズの含有量の制御は、スパ
ッタリング法で透明導電層を成膜する場合には、予め所
定量のスズを含有した組成のターゲットを用いることで
行える。ターゲットの組成と、それによって成膜された
透明導電膜の組成とは必ずしも一致しないので、前もっ
てターゲット組成と透明導電膜との組成の関係を調べて
おくことが好ましい。

【００２３】金属薄膜層および透明導電層の膜厚は成膜
時間を制御することで変化させることができる。これら
の層を成膜する際には、予め成膜速度ｒ（ｎｍ／ｍｉ
ｎ）を実質的に確認しておき、それを基に所定の膜厚Ｔ
（ｎｍ）を、成膜時間ｔ（ｍｉｎ）を変化させることで
得ることができる。なお、ここで膜厚Ｔ（ｎｍ）はｒと
ｔとの積となる。

【００２４】上記の如く透明高分子基体の一方の主面
に、金属薄膜層と、スズの含有量を１０〜５０重量％と
したインジウム・スズ酸化物からなる透明導電層と、を
積層した透明導電性積層体には、透明高分子基体と透明
導電層との間に、さらに高可視光透過率を得るための反
射防止および、金属薄膜層の透明高分子基体との密着性
向上の目的で、金属酸化物あるいは金属窒化物の薄膜を
１０〜５００ｎｍ程度形成するのが好ましい。金属酸化
物あるいは金属窒化物の材料としては可視光領域で透明
性が高く、透明高分子基体との密着性に優れるものであ
れば使用できる。具体的には、酸化インジウム、窒化イ
ンジウム、酸化珪素、窒化珪素、酸化チタン、窒化チタ
ン等が好ましく使用できる。

【００２５】金属酸化物あるいは金属窒化物の成膜方法
としては真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法といった従来公知の物理的気相成長法のいず
れも採用できる。スパッタリング法においては、ターゲ
ットに所定の金属酸化物あるいは金属窒化物材料を、ス
パッタガスにアルゴン等の不活性ガスを用いた高周波
（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法が利用できる。また、
酸素あるいは窒素の膜中での不足を補うためにスパッタ
ガス中に適量の酸素あるいは窒素を混合してもよい。ま
た、ターゲットに所定の金属を用い、スパッタガスに反
応性ガスを含有させた反応性スパッタリング法も好適に
利用できる。蒸着法においては、蒸着原料に所定の金属
酸化物あるいは金属窒化物を使用した、電子ビーム蒸着
法が利用できる。また、蒸着材料に所定の金属を使用
し、酸素プラズマあるいは窒素プラズマ中で蒸着するイ
オンプレーティング法も好適に利用できる。

【００２６】上記の如く形成した透明導電性積層体の各
層間には通常、相互拡散が生じている。例えば、前述し
たように、金属薄膜層の上にインジウム・スズ酸化物を
積層すると、インジウム・スズ酸化物層の酸素が金属薄
膜層へ拡散し、厚さ数ｎｍ程度の金属酸化物層を形成す
る。このような相互拡散はインジウムやスズや金属薄膜
層の金属材料にも生じていることが予想される。しかし
ながら、実際に本発明においては、このような相互拡散
によって性能が著しく低下するといったことはないの
で、積層体に相互拡散層が形成されていても問題なくこ
れを使用できる。

【００２７】なお、密着性向上や反射防止といった目的
で、金属薄膜層と透明導電層との間に、電気抵抗、可視
光透過率、耐酸溶液性に関する性能を損なわないならば
任意に中間層を挿入してもよい。また、耐摩擦性といっ
た機械的強度や、防眩性といった視認性の改善といった
目的で、透明高分子基体の積層面とは逆側の面、あるい
は透明導電層のさらに上に、性能を損なわない範囲内で
任意に表面層を形成してもよい。

【００２８】上記の方法により得られた透明導電性積層
体は、耐環境性を向上させるために、熱処理（アニーリ
ング）を施してもよい。熱処理温度は通常、１００〜２
００℃程度である。

【００２９】上記の方法により形成したスズの含有量の
異なる透明導電層の原子組成は、オージェ電子分光法
（ＡＥＳ）、誘導結合プラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォ
ード後方散乱法（ＲＢＳ）等により測定できる。またこ
れらの膜厚は、オージェ電子分光の深さ方向観察、透過
型電子顕微鏡による断面観察等により測定できる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。〔実施例１〕ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚
さ１００μm）の一方の面に、第１層として、ターゲッ
トに銀を、スパッタリングガスにアルゴンガスを用い
て、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反
応性スパッタリング法により厚さ１０ｎｍの銀からなる
金属薄膜層を形成した。さらにその上に、第２層とし
て、ターゲットにインジウム・スズ合金（重量比、イン
ジウム：スズ＝８０：２０）を、スパッタリングガスに
アルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴ
ン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気
下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法により
厚さ５０ｎｍの透明導電層を形成し、２層構成の透明導
電性積層体を作製した。

【００３１】〔実施例２〜実施例９〕第１層の金属薄膜
層を形成する際、ターゲットに金（実施例２）、アルミ
ニウム（実施例３）、銅（実施例４）、ニッケル（実施
例５）、白金（実施例６）、タングステン（実施例
７）、銀・金合金（重量比・銀：金＝８５：１５）（実
施例８）、銀・白金合金（重量比・銀：白金＝９０：１
０）（実施例９）を使用した以外は実施例１と同じ手法
で２層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３２】〔実施例１０〕第１層の金属薄膜層を形成
する前に、ターゲットにインジウムを、スパッタリング
ガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、
アルゴン：酸素＝１０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの
雰囲気下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリング法
により金属酸化物層として厚さ４０ｎｍの酸化インジウ
ム層を形成した以外は、実施例１と同じ手法で３層構成
の透明導電性積層体を作製した。

【００３３】〔実施例１１〜実施例１２〕第２層のイン
ジウム・スズ酸化物からなる透明導電層を形成する際
に、ターゲットにインジウム・スズ合金（重量比、イン
ジウム：スズ＝９０：１０）（実施例１１）、インジウ
ム・スズ合金（重量比、インジウム：スズ＝５０：５
０）（実施例１２）としたものを使用した以外は実施例
１と同じ手法で２層構成の透明導電性フィルムを作製し
た。

【００３４】〔実施例１３〜実施例１４〕第１層の金属
薄膜層の厚さを５ｎｍ（実施例１３）、３０ｎｍ（実施
例１４）とした以外は実施例１と同じ手法で２層構成の
透明導電性積層体を作製した。

【００３５】〔実施例１５〜実施例１７〕第２層のイン
ジウム・スズ酸化物からなる透明導電層の厚さを１０ｎ
ｍ（実施例１５）、５０ｎｍ（実施例１６）、３００ｎ
ｍ（実施例１７）とした以外は実施例１と同じ手法で２
層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３６】〔比較例１〕ポリエチレンテレフタレート
フィルム（厚さ１００μm）の一方の面に、第１層とし
て、ターゲットに銀を、スパッタリングガスにアルゴン
ガスを用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグ
ネトロン反応性スパッタリング法により厚さ１０ｎｍの
銀からなる金属薄膜層を形成し、１層構成の透明導電性
フィルムを作製した。

【００３７】〔比較例２〕ポリエチレンテレフタレート
フィルム（厚さ１００μm）の一方の面に、ターゲット
にインジウム・スズ合金（重量比、インジウム：スズ＝
８０：２０）を、スパッタリングガスにアルゴンガス、
反応性ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１
０：６）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマ
グネトロン反応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍ
の透明導電層を形成し、１層構成の透明導電性積層体を
作製した。

【００３８】〔比較例３〕第２層のインジウム・スズ酸
化物からなる透明導電層を形成する際に、ターゲットに
インジウムを使用した以外は実施例１と同じ手法で２層
構成の透明導電性フィルムを作製した。

【００３９】〔比較例４〜比較例５〕第２層のインジウ
ム・スズ酸化物からなる透明導電層を形成する際に、タ
ーゲットにスズの含有量を５重量％（比較例４）、８０
重量％（比較例５）としたものを使用した以外は実施例
１と同じ手法で２層構成の透明導電性フィルムを作製し
た。

【００４０】〔比較例６〕第１層の金属薄膜層の厚さを
５０ｎｍとした以外は実施例１と同じ手法で２層構成の
透明導電性フィルムを作製した。

【００４１】〔比較例７〕第２層の透明導電層の厚さを
５００ｎｍとした以外は実施例１と同じ手法で２層構成
の透明導電性フィルムを作製した。

【００４２】以上のようにして作製した透明導電性フィ
ルムの、各透明導電層の厚さ、スズの含有量、シート抵
抗、可視光透過率、耐薬品性は以下の手法で評価した。
・金属薄膜層および透明導電層の厚さ［Ｔ（ｎｍ）］：
前もって成膜速度ｒ（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定しておき、
膜厚は成膜時間ｔ（ｍｉｎ）を制御することで変化させ
た。膜厚Ｔ（ｎｍ）は以下の式より求められる。Ｔ＝ｒ×ｔ・スズの含有量［Ｓｎ（％）］：オージェ電子分光法に
より測定した。・シート抵抗［Ｒ₀(Ω／□)］：４端子法により測定し
た。・可視光透過率［Ｔｖｉｓ（％）］：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３４００により測定した。・耐酸溶液性：初期のシート抵抗値Ｒ₀（Ω／□）と、
０．１Ｎ塩酸中に室温で１時間放置した後のシート抵抗
値Ｒ（Ω／□）とを測定し、その変化率Ｒ／Ｒ₀で評価
した。すなわち耐薬品性に優れた透明導電性フィルム
は、０．１Ｎ塩酸中に放置する前後での抵抗値変化がな
くＲ／Ｒ₀は１．０となる。以上の測定結果を［表１］〜［表４］に掲げる。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【表２】

【００４５】

【表３】

【００４６】

【表４】

【００４７】上記［表１］〜［表４］の結果から明らか
なように、本発明品の透明導電性積層体は、電気抵抗が
低く、かつ可視光透過率が高く、さらに耐酸溶液性にも
非常に優れたものであることが判る。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明においては、高分
子透明基体の一方の主面に、少なくとも、金属薄膜層
と、スズの含有量がインジウムに対して１０〜５０重量
％としたインジウム・スズ酸化物からなる透明導電層を
形成することにより、電気抵抗が低く、可視光透過率は
高く、耐酸溶液性にも優れた透明導電性積層体を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性積層体の一例を示す断面図

【符号の説明】

１０透明高分子基体２０金属薄膜層３０スズの含有量をインジウムに対して１０〜５０重
量％としたインジウムスズ酸化物からなる透明導電層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
少なくとも、金属薄膜層（Ｂ）と、スズの含有量をイン
ジウムに対して１０〜５０重量％としたインジウム・ス
ズ酸化物からなる透明導電層（Ｃ）と、をＡＢＣなる構
成で形成した透明導電性積層体。
【請求項２】金属薄膜層が銀を主成分とすることを特
徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項３】透明高分子基体（Ａ）と金属薄膜層
（Ｂ）との間に金属酸化物層あるいは金属窒化物層を形
成した請求項１または２記載の透明導電性積層体。
【請求項４】金属薄膜層（Ｂ）の厚さが５〜３０ｎ
ｍ、スズの含有量をインジウムに対して１０〜５０重量
％としたインジウム・スズ酸化物からなる透明導電層
（Ｃ）の厚さが１０〜３００ｎｍであることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性積層体。