JP3850865B2 - 導電性積層体 - Google Patents
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Description
まず本発明の導電性積層体について説明すると、この導電性積層体は上述したように第1の非晶質複合酸化物層の上に金属薄膜層および第2の非晶質複合酸化物層が順次積層されてなる層構成を有しており、第1の非晶質複合酸化物層および第2の非晶質複合酸化物層は共にIn酸化物とSn,GaおよびZnからなる群より選択された1種または複数種の金属の酸化物とからなる複合酸化物であって、全金属元素に占めるInの割合が55〜80モル%であるものからなる。
実施例1
まず、透明基板としてコーニング社製のガラス基板(#7059)を用意し、このガラス基板の一主表面にIn2O3−ZnO系複合酸化物からなる第1の複合酸化物層をRFマグネトロンスパッタリング法により形成した。このとき、スパッタリングターゲットとしてはIn2O3とZnOとからなる焼結体(InとZnのモル比はIn/Zn=2)を用い、スパッタリング時の真空度は1×10−3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素濃度は0.28%)、RF出力は100W、基板温度は20℃、スパッタリング時間は7.5分とした。次に、スパッタリングターゲットとしてAuを用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件でRFマグネトロンスパッタリングを行い、上記第1の複合酸化物層上にAu薄膜層を形成した。最後に、上記第1の複合酸化物層の形成と同条件でRFマグネトロンスパッタリングを行い、上記のAu薄膜層上にIn2O3−ZnO系複合酸化物からなる第2の複合酸化物層を形成した。
金属薄膜層としてAg薄膜層を形成した以外は実施例1と同様にして、ガラス基板(コーニング社製のガラス基板(#7059))の一主表面上に第1の複合酸化物層、金属薄膜層(Ag薄膜層)および第2の複合酸化物層を順次積層し、これにより目的とする積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。なお、第1の複合酸化物層および第2の複合酸化物層は共に実施例1と同条件で形成し、Ag薄膜層はスパッタリングターゲットとしてAgを用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件でRFマグネトロンスパッタリングを行うことで形成した。
まず、透明基板としてコーニング社製のガラス基板(#7059)を用意し、このガラス基板の一主表面にIn2O3−Ga2O3系複合酸化物からなる第1の複合酸化物層をRFマグネトロンスパッタリング法により形成した。このとき、スパッタリングターゲットとしてはIn2O3とGa2O3とからなる焼結体(InとGaのモル比はIn/Ga=2)を用い、スパッタリング時の真空度は1×10−3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素濃度は0.28%)、RF出力は100W、基板温度は20℃、スパッタリング時間は7.5分とした。次に、スパッタリングターゲットとしてAgを用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件でRFマグネトロンスパッタリングを行い、上記第1の複合酸化物層上にAg薄膜層を形成した。最後に、上記第1の複合酸化物層の形成と同条件でRFマグネトロンスパッタリングを行い、上記のAg薄膜層上にIn2O3−Ga2O3系複合酸化物からなる第2の複合酸化物層を形成した。
まず、透明基板としてコーニング社製のガラス基板(#7059)を用意し、このガラス基板の一主表面にIn2O3−SnO2系複合酸化物からなる第1の複合酸化物層をRFマグネトロンスパッタリング法により形成した。このとき、スパッタリングターゲットとしてはIn2O3とSnO2とからなる焼結体(InとSnのモル比はIn/Sn=2)を用い、スパッタリング時の真空度は1×10−3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素濃度は0.28%)、RF出力は100W、基板温度は20℃、スパッタリング時間は7.5分とした。次に、スパッタリングターゲットとしてAgを用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件でRFマグネトロンスパッタリングを行い、上記第1の複合酸化物層上にAg薄膜層を形成した。最後に、上記第1の複合酸化物層の形成と同条件でRFマグネトロンスパッタリングを行い、上記のAg薄膜層上にIn2O3−SnO2系複合酸化物からなる第2の複合酸化物層を形成した。
透明基板としてポリカーボネートフィルム(厚さ100μm)を用いた以外は実施例2と同様にして目的とする積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。なお、第1の複合酸化物層、金属薄膜層(Ag薄膜層)および第2の複合酸化物層はいずれも実施例2と同条件で形成した。
金属薄膜層としてAgとAuとからなる合金薄膜層(以下、Ag−Au合金薄膜層と表記する)を形成した以外は実施例2と同様にして、ガラス基板(コーニング社製のガラス基板(#7059))の一主表面上に第1の複合酸化物層、金属薄膜層(Ag−Au合金薄膜層)および第2の複合酸化物層を順次積層し、これにより目的とする積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。なお、第1の複合酸化物層および第2の複合酸化物層は共に実施例2と同条件で形成し、Ag−Au薄膜層はスパッタリングターゲットとしてAgとAuとからなる合金(Agの含有量=70wt%)を用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件でRFマグネトロンスパッタリングを行うことで形成した。
透明基板としてコーニング社製のガラス基板(#7059)を用意し、このガラス基板の一主表面に第1のTiO2層、Ag薄膜層および第2のTiO2層を順次積層することで積層体を得た。なお、第1のTiO2層および第2のTiO2層はスパッタリングターゲットとしてTiO2を用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素濃度は0.28%)、RF出力100W、基板温度20℃、スパッタリング時間5分の条件のRFマグネトロンスパッタリング法により形成し、これらの層の膜厚は共に300オングストロームであった。また、Ag薄膜層はスパッタリングターゲットとしてAgを用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件のRFマグネトロンスパッタリング法により形成し、その膜厚は50オングストロームであった。
第1の複合酸化物層および第2の複合酸化物層として、組成が本発明の限定範囲外の複合酸化物であるTiO2−SnO2系複合酸化物の層を形成した以外は実施例2と同様にして、ガラス基板(コーニング社製のガラス基板(#7059))の一主表面上に第1の複合酸化物層、Ag薄膜層および第2の複合酸化物層を順次積層し、これにより積層体を得た。なお、第1の複合酸化物層および第2の複合酸化物層はスパッタリングターゲットとしてTiO2とSnO2とからなる焼結体(TiとSnのモル比はTi/Sn=2)を用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素濃度は0.28%)、RF出力100W、基板温度20℃、スパッタリング時間7.5分の条件のRFマグネトロンスパッタリング法により形成し、これらの層の膜厚はAES測定結果より共に300オングストロームであった。また、Ag薄膜層は実施例2と同条件で形成し、その膜厚は50オングストロームである。
透明基板としてコーニング社製のガラス基板(#7059)を用意し、このガラス基板の一主表面に第1のITO層(全金属元素に占めるInの割合は、積層膜のICP測定結果より、本発明の限定範囲外である95モル%)、Ag薄膜層および第2のITO層(全金属元素に占めるInの割合は、第1のITO層同様、本発明の限定範囲外である95モル%)を順次積層することで積層体を得た。なお、第1のITO層および第2のITO層はスパッタリングターゲットとしてITO(SnO2=5wt%,全金属元素に占めるInの割合=95モル%)を用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素濃度は0.28%)、RF出力100W、基板温度20℃、スパッタリング時間5分の条件のRFマグネトロンスパッタリング法により形成し、これらの層の膜厚は積層体のAES測定結果より共に300オングストロームであった。また、Ag薄膜層はスパッタリングターゲットとしてAgを用い、スパッタリング時の真空度1×10−3Torr、雰囲気ガス=アルゴンガス(酸素濃度は0%)、RF出力50W、基板温度20℃、スパッタリング時間1分の条件のRFマグネトロンスパッタリング法により形成し、その膜厚は積層体のAES測定結果より50オングストロームであった。
Claims (8)
- 膜厚100〜1000オングストロームの第1の非晶質複合酸化物層の上に膜厚10〜50オングストロームの金属薄膜層と膜厚100〜1000オングストロームの第2の非晶質複合酸化物層とが順次積層されてなる層構成を有し、前記第1の非晶質複合酸化物層および前記第2の非晶質複合酸化物層が共にIn酸化物とSn酸化物とからなる複合酸化物であって、全金属元素に占めるInの割合が55〜80モル%であるものからなり、前記金属薄膜層がAu,Ag,Cu,PtおよびAlからなる群より選択された1種または複数種からなることを特徴とする導電性積層体。
- 金属薄膜層がAg薄膜層またはAgとAuとの合金薄膜層である、請求項1に記載の導電性積層体。
- 表層の非晶質複合酸化物層の抵抗率が1×102Ω・cm以下である、請求項1または請求項2に記載の導電性積層体。
- 波長550nmの光の透過率が80〜90%である、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の導電性積層体。
- 透明基板と、この透明基板の所定面上に直接またはアンダーコート層を介して形成された導電性積層体とを備え、前記導電性積層体が膜厚100〜1000オングストロームの第1の非晶質複合酸化物層の上に膜厚10〜50オングストロームの金属薄膜層と膜厚100〜1000オングストロームの第2の非晶質複合酸化物層とを順次積層してなる層構成を有するとともに、前記第1の非晶質複合酸化物層および前記第2の非晶質複合酸化物層が共にIn酸化物とSn酸化物とからなる複合酸化物であって、全金属元素に占めるInの割合が55〜80モル%であるものからなり、前記金属薄膜層がAu,Ag,Cu,PtおよびAlからなる群より選択された1種または複数種からなることを特徴とする導電性透明基板。
- 金属薄膜層がAg薄膜層またはAgとAuとの合金薄膜層である、請求項5に記載の導電性透明基板。
- 導電性積層体における表層の抵抗率が1×102Ω・cm以下である、請求項5または請求項6に記載の導電性透明基板。
- 導電性積層体における波長550nmの光の透過率が80〜90%である、請求項5〜請求項7のいずれかに記載の導電性透明基板。
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