JPH07105740A - 透明導電性フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 高分子フィルムの一方の主面上に、片面あ
るいは両面を透明高屈折率層におおわれた金属層からな
る透明導電性層が形成されたフィルムであって、該金属
層が少なくとも２種類の金属層が積層されてなる透明導
電性フィルムにして、第１の金属層（Ａ）は、銀を主体
とし、第２の金属層はチタン、ジルコニウム等を主体と
して、ＡＢ、ＢＡ、もしくはＡＢＡの構成で積層され
る。 【効果】 積層体の密着性を飛躍的に向上でき、メッ
キ可能な透明導電性フィルムを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、透明性を有し、かつ、
導電性を有する透明導電性フィルムに関し、さらに詳し
くは、自動車等の液晶ディスプレー、冷凍および冷蔵シ
ョウケース等に用いる透明面状ヒーターに好適に使用で
きる透明導電性フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】透明高分子フィルム上に透明導電性薄膜
層を形成した透明導電性フィルムは、液晶ディスプレー
用電極、電場発光素子用電極、帯電防止フィルム、透明
発熱体として広く産業上利用されている。ここで透明高
分子フィルム上に形成する透明導電層として従来から知
られているものは、以下のようなものがある。 １）金、銀、銅等の単金属もしくは合金属薄膜 ２）酸化インジュウム、酸化錫、酸化亜鉛、ヨウ化銅等
の半導体薄膜 ３）１）を透明高屈折率層の薄膜で挟んだ積層体 特に、３）の具体例を挙げれば、酸化インジュム／銀／
酸化インジュウム、酸化チタン／銀／酸化チタン、窒化
アルミニウム／銀／窒化アルミニウム、窒化珪素／銀／
窒化珪素等がある。ここで銀の替わりに、銀−金合金、
銀−白金合金、銀−銅合金、銀−パラジュウム合金等も
使用し得る。これら積層体を形成した透明導電性フィル
ムは透明性と導電性に優れており、低電圧で駆動する透
明面状ヒーター用の透明導電性フィルムとして優れたも
のであった。

【０００３】本構成に関する技術を具体的に例示すれ
ば、特公昭５９−４４９９４等を挙げることができ、該
公報においては、耐侯性の優れた透明導電層の作製法が
詳細に述べられている。そこで、３）の構成をもつ透明
導電層を、透明フィルムに積層して透明面状ヒーターの
試作を検討した。この際、透明面状ヒーターを作製する
過程において導電層に通電し、発熱させるための電極が
必要になる。特開平４−２８９６８５および特開平４−
３５５４２５には、導電性樹脂と粘着テープを用いて銅
箔や銅線を固定する方法が開示されているが、この方法
では、製造工程を自動化しにくく、また、接触抵抗にム
ラができやすいという欠点があった。そこで、電極層の
形成を湿式のメッキ法で行うことを試みたところ、透明
導電層がメッキ液中で剥離するという問題があることが
わかった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、かかる
問題を解決するために、鋭意調査を重ねた結果、メッキ
を施す際に剥離を起こすところは、金属層と該透明高屈
折率層との界面であることを見いだした。そこでさらに
鋭意研究を重ねた結果、従来の銀および銀合金を主成分
とする金属層の少なくとも片面に特定の金属層を積層す
ることにより積層膜間の密着性を飛躍的に改善させ、湿
式のメッキが可能な透明導電性フィルムを得ることでき
ることを見いだし、本発明に到達した。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、上
記の問題を解決するためになされたものであって、透明
高分子フィルム（Ｄ）の一方の主面上に、金属薄膜層を
形成するものであるが、該金属薄膜層の片面或いは両面
は、透明高屈折率層（Ｃ）によって覆われており、より
好ましくは、該透明高屈折率層は、該金属薄膜層の内側
( 透明高分子フィルムとは反対の側 )の内表面、更に好
ましくは、外側( 透明高分子フィルムとは反対の側 )の
外表面を覆っているか、または、該透明高屈折率層によ
り、該金属薄膜層の内外両面を覆っており、すなわち要
するに該透明高屈折率層により該金属薄膜層を鋏み込む
ようにサンドイッチしているような、金属薄膜層が形成
された積層体において、該金属薄膜層が少なくとも２種
類の金属層が積層されてなるような透明導電性フィルム
であって、その２種類の金属層うちの第１の金属層
（Ａ）と第２の金属層（Ｂ）が、ＣＢＡＣＤ、ＣＡＢＣ
Ｄ、ＣＢＡＢＣＤ、あるいは、ＣＡＢＡＣＤの構成を有
する透明導電性フィルムを提供するものである。

【０００６】すなわち、本発明は、透明高分子フィルム
（Ｄ）の一方の主面上に、その片面或いは両面を透明高
屈折率層（Ｃ）によっておおわれた金属薄膜層からなる
透明導電層を形成したフィルムであって、該金属薄膜層
が少なくとも２種類の金属層として積層形成されてなる
透明導電性フィルム、であり、また、該２種類の金属層
うちの第１の金属層（Ａ）と第２の金属層（Ｂ）が、Ｃ
ＢＡＣＤ、ＣＡＢＣＤ、ＣＢＡＢＣＤ、あるいは、ＣＡ
ＢＡＣＤの構成を有する請求項１に記載の透明導電性フ
ィルム、であり、また、該第１の金属層（Ａ）が、銀、
銀−金合金、銀−白金合金、銀−銅合金、銀−パラジュ
ウム合金からなる群から選ばれたものである透明導電性
フィルムであり、また、該第２の金属層（Ｂ）が、チタ
ン、ジルコニウム、タンタル、バナジウム、アルミニウ
ムからなる群から選ばれた単金属もしくはこれらの合金
である透明導電性フィルムであり、また、該透明高屈折
率層（Ｃ）が、窒化珪素である透明導電性フィルムであ
る。

【０００７】まず、添付図面について説明するに、図１
は本発明になる透明導電性フィルムの断面構成の例を示
す図であり、図２は本発明になる透明導電性フィルムの
断面構成の例を示す図であり、図３は本発明になる透明
導電性フィルムの断面構成の例を示す図である。ここ
で、１０は透明高分子フィルム、２０は透明高屈折率
層、３０は第１の金属層、４０は第２の金属層、５０は
透明高屈折率層である。

【０００８】本発明で用いる透明高分子フィルムとは、
可視光の透過率が８０％以上であり、厚さが、おおむね
１２から２００μｍ程度のものであるが、かならずしも
この値に制限されるものではないことは勿論である。透
明高分子フィルムの具体的な例を示すとすると、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリカーボネート、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリアリレート等が好ましく用いら
れる。高屈折率層（Ｃ）は、金属薄膜層の少なくとも片
面を覆うように形成されている。とくに好ましくは、実
用上の金属薄膜の腐食や反射率を調整するため、少なく
とも外側を覆うことであり、特に好ましくは、両側を覆
うこと、言い換えれば、金属薄膜層を透明高屈折率層で
挟むことである。すなわち、該金属薄膜層は、透明高屈
折率層（Ｃ）に挟まれた金属層は、第１の金属層（Ａ）
と第２の金属層（Ｂ）からなり、その構成は、好ましく
は、ＣＡＢＣＤ、ＣＢＡＣＤ、より好ましくは、ＣＡＢ
ＡＣＤあるいはＣＢＡＢＣＤの構成で用いられる。

【０００９】しかして、第１の金属層としては、電気伝
導性の優れた金属が好ましく用いられ、具体的には、
銀、銀−金合金、銀−白金合金、銀−銅合金、銀−パラ
ジュウム合金等が好適に用いられる。第１の金属層の厚
さは、電気伝導性を保ちつつ透明性が得られる範囲で決
定され、具体的には、５から３０ｎｍの範囲が好まし
く、より好ましくは、７〜２０ｎｍである。第１の金属
層には性能を阻害しない程度で、タングステン、クロ
ム、アルミニウム、チタン、タンタル、ニッケル等が含
まれても良い。

【００１０】第２の金属層としては、酸化物や窒化物の
安定な金属、すなわち酸化物や窒化物の標準生成自由エ
ネルギーが負で大きなものがこのましく、チタン、アル
ミニウム、ジルコニウム、タンタル、銅、ニッケル、ク
ロム、鉄、マンガン、タングステン、バナジウム等を挙
げることができるが、チタン、ジルコニウム、バナジウ
ム、タンタル、アルミニウムが特に好ましく用いられ
る。第２の金属層の厚さは、第１の金属層と高透明屈折
率層との充分な密着性が得られ、かつ、透明性が損なわ
れない範囲がよい。より具体的な厚さを例示すれば、
０．４ｎｍから５ｎｍであり、０．４ｎｍ以下の厚さで
は、充分な密着力が得られず、５ｎｍ以上では透明性が
低下する。しかしながら、透明性をある程度犠牲にして
もよい用途の場合には５ｎｍ以上の金属層を用いること
を妨げるものではない。第２の金属層には性能を阻害し
ない程度の不純物が含まれてもよい。なお、ここで第２
の金属層がわずか０．４ｎｍの厚さでも密着性が飛躍的
に向上するのは驚くべきことである。

【００１１】本発明で用いる透明高屈折率層は、文字ど
おり、透明であり、屈折率が高い層である。透明である
ということは、可視光領域における吸収が極めて少な
く、透明高分子フィルムに所望の厚みで積層した場合で
も、透明フィルムの可視光の透過率が５％以上、より好
ましくは、２％以上低下することがないことを意味す
る。かかる透明高屈折率層の具体的な例を挙げるとする
れば、酸化チタン、酸化インジュウム、、酸化ジルコニ
ウム、酸化イットリウム、窒化珪素、窒化硼素、窒化ア
ルミニウム、窒化インジュウム、窒化ガリウム等であ
る。さらに、具体的に屈折率を例示すれば、１．６以上
のものが好ましい。しかしながら、電極部をメッキ法で
作製する場合フィルムの一部もしくは全部をｐＨ＜４の
溶液に浸漬するので、耐酸性のある窒化珪素や窒化硼素
を用いるのが好ましい。

【００１２】透明高屈折率層の厚さは、可視光透過率が
最大になるように、もしくは、波長５５０ｎｍの光の透
過率が最大になるように調整され、２０〜７０ｎｍの範
囲が好ましく、より好ましくは、３０〜５０ｎｍであ
る。この透明高屈折率層の厚さが、厚すぎると、光線透
過率が最大になる波長が５５０ｎｍよりも長くなり、逆
に、薄すぎると光線透過率が最大になる波長が５５０ｎ
ｍよりも短くなる。

【００１３】本発明で用いられる、金属層や透明高屈折
率層の作製方法としては、物理蒸着法、化学蒸着法、湿
式法等で作製し得る。具体的に示せば、物理蒸着法で
は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法
等があり、化学蒸着法としては、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法等あり、湿式法では、ゾルゲル法
等がある。しかしながら、基材は本発明では高分子フィ
ルムであるため、なるべく低温で成膜することが好まし
く、物理蒸着法やプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法が好ま
しい。

【００１４】金属層の作製は、例えば、スパッタ法や真
空蒸着法、イオンプレーティング法が好ましく用いられ
る。ここでスパッタ法は、ＤＣマグネトロンスパッタ
法、ｒｆマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッ
タ法等の総称である。スパッタ法では、例えば、銀の薄
膜を作製するときには、銀のターゲットを用いてアルゴ
ンガスをスパッタガスとして用いる。銀−金合金薄膜を
作製するときには銀−金合金ターゲットを用いる。銀−
白金合金、銀−銅合金、銀−パラジウム合金薄膜を作製
するときも同様の方法を用いれば良い。また、真空蒸着
法で合金薄膜を作製するときには２元蒸着法が好ましく
用いられる。金属層を形成するのに湿式のメッキ法を用
いることも可能であるが、膜厚の制御の観点からは、ス
パッタ法や真空蒸着法等の真空を用いる成膜法が好まし
い。

【００１５】透明高屈折率層の作製法としては、例え
ば、ゾルゲル法の様な湿式の方法も使用し得るが、金属
層と同様にスパッタ法やイオンプレーティング法が好ま
しく用いられる。スパッタ法では、絶縁物がターゲット
の場合には、ｒｆマグネトロンスパッタ法が好ましく用
いられる。例えば、酸化インジュウム薄膜を作製する場
合に、スパッタ法を用いると、金属インジュウムターゲ
ットを用いて、スパッタガスにアルゴン、反応性ガスに
酸素を用いる反応性スパッタ法もしくは、酸化インジュ
ムのターゲットを用いて、アルゴンをスパッタガスとし
て用いる通常のスパッタ法が用いられる。

【００１６】窒化珪素を作製する場合には、珪素のター
ゲットをアルゴンと窒素のガスでスパッタする反応性ス
パッタ、もしくは、窒化珪素のターゲットをアルゴンガ
スでスパッタする通常のスパッタ法を用いれば良い。イ
オンプレーティング法では、珪素を窒素プラズマ中で蒸
発させて窒化珪素膜を得ることができる。そのた、活性
化反応蒸着法やプラズマＣＶＤ法により所望の膜を得る
ことができることは言うまでもない。

【００１７】プラズマＣＶＤ法では、例えば、シランと
窒素、シランとアンモニア、シラザンと窒素、シラザン
とアンモニア等を原料として窒化珪素薄膜を形成でき
る。また、本発明でいう窒化珪素膜は、珪素／窒素が
０．７５〜１．２の範囲であって、Ｘ線回折法での測定
により、非晶質のものであっても結晶質のものであって
もよい。また、酸化インジュム、酸化チタン、窒化硼
素、窒化アルミニウム等においても、化学量論的な組成
からはずれたものになることがあるということ、およ
び、結晶性も作製法により異なるものができうるもので
あることは、当業者の理解しているところであって、適
当な屈折率と透明度を持った薄膜層が得られればよいと
いうことが重要な点なのである。

【００１８】金属層や透明高屈折率層の膜厚の測定に
は、触針粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバラン
ス、水晶振動子法等があるが、水晶振動子法では成膜中
に膜厚測定が可能なので、所望の膜厚を得るのに適して
いる。また、前もって成膜の条件を定めておき、試験基
材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚との関係を調べた上
で成膜時間により膜厚を制御する方法もある。例えば、
Ｍ（秒）間成膜した時の薄膜の膜厚を触針粗さ計で測定
したところＤ（ｎｍ）であったとすると。ｄ（ｎｍ）の
膜厚を得るには、次の式により、成膜時間Ｔ（秒）を決
定する。すなわち、 Ｔ＝ｄ×（Ｍ／Ｄ） （秒） である。例えば、スパッタ法において、チタンを１００
０秒間成膜したところ、１００ｎｍのチタン膜を得たと
すると、同一の成膜条件で、１ｎｍのチタン膜を得るに
は、１０秒間成膜すれば良いことになる。

【００１９】一方、水晶振動子法で膜厚を決めるときに
は、膜厚がＤ（ｎｍ）の膜を製作した時の水晶振動子の
周波数の減少がＦ（Ｈｚ）であったとすると、ｄ（ｎ
ｍ）成膜するには、次の式により求められた周波数ｆ
（Ｈｚ）が減少した時をもって膜厚を決定する。すなわ
ち、 ｆ＝ｄ×（Ｆ／Ｄ） である。ここで、Ｄの決定は、触針粗さ計や繰り返し反
射干渉計等を用いればよい。本発明ではかくのごとき方
法により膜厚を決定しており、本発明で言うところの薄
膜層が、厳密な意味で連続膜もしくは連続層の状態にな
っている必要はないことは当業者の理解しうるところで
あろう。

【００２０】高分子フィルム基材上に透明高屈折率層を
形成するときには、基材の前処理として、コロナ放電処
理、プラズマ放電処理、グロー放電処理、逆スパッタ処
理、表面粗面化処理、化学処理等を行うことや、公知の
アンダーコートを施したりすることは適宜行うことがで
きる。高分子フィルム上に形成された本発明の透明導電
性フィルムにかかる積層体の構成は、深さ方向の分析能
力をもつ分析方法により解析できる。具体的に挙げると
すると、オージェ電子分光法、エックス線光電子分光
法、２次イオン質量分析法、ラザフォード後方散乱法等
を用いることができる。特に、本発明になる積層体は微
細な構造を有しているので、ザラー回転法を併用したア
ルゴンイオンエッチングにより深さ方向の分解能を向上
させたオージェ電子分光法が好ましく用いられる。以
下、実施例により本発明の実施の態様の一例を説明す
る。

【００２１】

【実施例】

実施例１ 可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／チタン（1.2n
m）／銀（10nm）／チタン（1.2nm）／窒化珪素（40nm）
からなる透明導電層を形成した。なお、窒化珪素の作製
は表１に示す反応性スパッタ法により行った。この透明
導電性フィルムの、可視光透過率とシート抵抗を分光光
度計と渦電流式抵抗計で測定したところ、それぞれ、８
１．２％、５．２Ω／□であった。このフィルムには、
ｐＨ４．５のスルファミン酸ニッケルメッキ浴で電気メ
ッキを行い、厚み１０μｍのニッケル膜を良好に形成す
ることができた。

【００２２】

【表１】

【００２３】実施例２ 可視光透過率８９％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／チタン（0.8n
m）／銀−金合金（10nm）／チタン（0.8m）／窒化珪素
（40nm）からなる透明導電層を形成した。なお、窒化珪
素の作製は表１に示す反応性スパッタ法により行った。
また、金銀合金層は、銀−金（１０重量パーセント）合
金のターゲットを用いて形成した。この透明導電性フィ
ルムの、可視光透過率とシート抵抗を分光光度計と渦電
流式抵抗計で測定したところ、それぞれ、８０．２％、
６．７Ω／□であった。このフィルムに、ｐＨ４のスル
ファミン酸ニッケルメッキ浴で電気メッキを行い、厚み
２０μｍのニッケル膜を良好に形成することができた。

【００２４】実施例３ 可視光透過率８８％、１００μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／ジルコニウム
（1.6nm）／銀−白金合金（10nm）／ジルコニウム（1.6
nm）／窒化珪素（40nm）からなる透明導電層を形成し
た。なお、窒化珪素の作製は表１に示す反応性スパッタ
法により行った。また、金銀合金層は、銀−白金（５重
量パーセント）合金のターゲットを用いて形成した。こ
の透明導電性フィルムの、可視光透過率とシート抵抗を
分光光度計と渦電流式抵抗計で測定したところ、それぞ
れ、７９．８％、６．４Ω／□であった。このフィルム
に、ｐＨ４のスルファミン酸ニッケルメッキ浴で電気メ
ッキを行い、厚み１０μｍのニッケル膜を問題なく形成
することができた。

【００２５】実施例４ 可視光透過率８８％、１００μｍ厚のポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）フィルム上に、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法により、窒化珪素（40nm）／タンタル（1.2nm）
／銀−銅金合金（10nm）／タンタル（1.2nm）／窒化珪
素（40nm）からなる透明導電層を形成した。なお、窒化
珪素の作製は表１に示す反応性スパッタ法により行っ
た。また、金銀合金層は、銀−銅（５重量パーセント）
合金のターゲットを用いて形成した。この透明導電性フ
ィルムの、可視光透過率とシート抵抗を分光光度計と渦
電流式抵抗計で測定したところ、それぞれ、８２．８
％、５．４Ω／□であった。このフィルムに、ｐＨ４の
無電解ニッケルメッキ浴で１μｍのニッケル膜を形成
し、さらに、このニッケルメッキ層を電極として、硫酸
銅溶液中で電気メッキを行い、厚さ１０μｍの銅層を問
題なく設けることができた。

【００２６】実施例５ 可視光透過率９０％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／銀−白金合金
（10nm）／チタン（1.2nm）／窒化珪素（40nm）からな
る透明導電層を形成した。なお、窒化珪素の作製は表１
に示す反応性スパッタ法により行った。また、金銀合金
層は、銀−白金（１５重量パーセント）合金のターゲッ
トを用いて形成した。この透明導電性フィルムの、可視
光透過率とシート抵抗を分光光度計と渦電流式抵抗計で
測定したところ、それぞれ、７９．８％、６．９Ω／□
であった。このフィルムに、ｐＨ４のスルファミン酸ニ
ッケルメッキ浴で電気メッキを行い、厚み１０μｍのニ
ッケル膜を良好に形成することができた。

【００２７】実施例６ 可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／銀−白金合金
（10nm）／チタン（1.2nm）／窒化珪素（40nm）からな
る透明導電層を形成した。なお、窒化珪素の作製は表１
に示す反応性スパッタ法により行った。また、金銀合金
層は、銀−白金（５重量パーセント）合金のターゲット
を用いて形成した。この透明導電性フィルムの、可視光
透過率とシート抵抗を分光光度計と渦電流式抵抗計で測
定したところ、それぞれ、８１．３％、６．２Ω／□で
あった。 このフィルムに、ｐＨ６．１の硫酸ニッケル
メッキ浴で電気メッキを行い、厚み１０μｍのニッケル
膜を良好に形成することができた。

【００２８】比較例１ 可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／銀（10nm）／窒
化珪素（40nm）からなる透明導電層を形成した。なお、
窒化珪素の作製は表１に示す反応性スパッタ法により行
った。この透明導電性フィルムの、可視光透過率とシー
ト抵抗を分光光度計と渦電流式抵抗計で測定したとこ
ろ、それぞれ、８１．６％、５．１Ω／□であった。こ
のフィルムに、ｐＨ４．５のスルファミン酸ニッケルメ
ッキ浴で電気メッキを行なうことを試みたが、スパッタ
法により作製した膜が剥離し、ニッケル膜を形成するこ
とができなかった。

【００２９】比較例２ 可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／銀−金合金（10
nm）／窒化珪素（40nm）からなる透明導電層を形成し
た。なお、窒化珪素の作製は表１に示す反応性スパッタ
法により行った。また、金銀合金層は、銀−金（１０重
量パーセント）合金のターゲットを用いて形成した。こ
の透明導電性フィルムの、可視光透過率とシート抵抗を
分光光度計と渦電流式抵抗計で測定したところ、それぞ
れ、８０．８％、７．１Ω／□であった。このフィルム
に、ｐＨ４のスルファミン酸ニッケルメッキ浴で電気メ
ッキを行うことを試みたが、スパッタ法により作製した
膜がメッキ中に剥離しニッケル膜を形成することができ
なかった。

【００３０】比較例３ 可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／銀−白金合金
（10nm）／窒化珪素（40nm）からなる透明導電層を形成
した。なお、窒化珪素の作製は表１に示す反応性スパッ
タ法により行った。また、金銀合金層は、銀−白金（５
重量パーセント）合金のターゲットを用いて形成した。
この透明導電性フィルムの、可視光透過率とシート抵抗
を分光光度計と渦電流式抵抗計で測定したところ、それ
ぞれ、８０．９％、６．３Ω／□であった。このフィル
ムに、ｐＨ４のスルファミン酸ニッケルメッキ浴で電気
メッキを行うことを試みたが、スパッタ法により作製し
た膜がメッキ中に剥離しニッケル膜を得ることができな
かった。

【００３１】比較例４ 可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、窒化珪素（40nm）／銀−白金合金
（10nm）／窒化珪素（40nm）からなる透明導電層を形成
した。なお、窒化珪素の作製は表１に示す反応性スパッ
タ法により行った。また、金銀合金層は、銀−白金（５
重量パーセント）合金のターゲットを用いて形成した。
この透明導電性フィルムの、可視光透過率とシート抵抗
を分光光度計と渦電流式抵抗計で測定したところ、それ
ぞれ、８１．８％、６．４Ω／□であった。このフィル
ムに、ｐＨ６．１の硫酸ニッケルメッキ浴で電気メッキ
を行うことを試みたが、スパッタ法により作製した膜が
メッキ中に剥離しニッケル膜を得ることができなかっ
た。

【００３２】

【発明の効果】本発明の積層膜を用いることにより、積
層体層の密着性が向上し、湿式メッキ可能な透明導電性
フィルムを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる透明導電性フィルムの断面構成の
例を示す図

【図２】本発明になる透明導電性フィルムの断面構成の
例を示す図

【図３】本発明になる透明導電性フィルムの断面構成の
例を示す図

【符号の説明】

１０ 透明高分子フィルム ２０ 透明高屈折率層 ３０ 第１の金属層 ４０ 第２の金属層 ５０ 透明高屈折率層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明高分子フィルム（Ｄ）の一方の主面
   上に、その片面或いは両面を透明高屈折率層（Ｃ）によ
   って覆われる金属薄膜層からなる透明導電層を形成した
   フィルムであって、該金属薄膜層が少なくとも２種類の
   金属層として積層形成されてなる透明導電性フィルム。
2. 【請求項２】 ２種類の金属層うちの第１の金属層
   （Ａ）と第２の金属層（Ｂ）が、ＣＢＡＣＤ、ＣＡＢＣ
   Ｄ、ＣＢＡＢＣＤ、あるいは、ＣＡＢＡＣＤの構成を有
   する請求項１に記載の透明導電性フィルム。
3. 【請求項３】 第１の金属層（Ａ）が、銀、銀−金合
   金、銀−白金合金、銀−銅合金、銀−パラジュウム合金
   からなる群から選ばれたものである請求項１もしくは２
   に記載の透明導電性フィルム。
4. 【請求項４】 第２の金属層（Ｂ）が、チタン、ジルコ
   ニウム、タンタル、バナジウム、アルミニウムからなる
   群から選ばれた単金属もしくはこれらの合金である請求
   項１〜３のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
5. 【請求項５】 透明高屈折率層（Ｃ）が、窒化珪素であ
   る請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性フィル
   ム。