JPH07325313A - 導電性積層体 - Google Patents
導電性積層体Info
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- JPH07325313A JPH07325313A JP6117815A JP11781594A JPH07325313A JP H07325313 A JPH07325313 A JP H07325313A JP 6117815 A JP6117815 A JP 6117815A JP 11781594 A JP11781594 A JP 11781594A JP H07325313 A JPH07325313 A JP H07325313A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング性および耐アルカリ性に優れた導
電性積層体およびこの導電性積層体を利用した導電性透
明基板を提供する。 【構成】 本発明の導電性積層体は、膜厚１００〜１０
００オングストロームの第１の非晶質複合酸化物層の上
に膜厚１０〜５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚
１００〜１０００オングストロームの第２の非晶質複合
酸化物層とが順次積層されてなる層構成を有し、前記第
１の非晶質複合酸化物層および前記第２の非晶質複合酸
化物層が共にＩｎ酸化物とＳｎ，ＧａおよびＺｎからな
る群より選択された１種または複数種の金属の酸化物と
からなる複合酸化物であって、全金属元素に占めるＩｎ
の割合が２０〜８０モル％であるものからなり、前記金
属薄膜層がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる
群より選択された１種または複数種からなることを特徴
とする。また、本発明の導電性透明基板は、透明基板
と、この透明基板の所定面上に直接またはアンダーコー
ト層を介して設けられた前記の導電性積層体とを備えて
いることを特徴とする。
電性積層体およびこの導電性積層体を利用した導電性透
明基板を提供する。 【構成】 本発明の導電性積層体は、膜厚１００〜１０
００オングストロームの第１の非晶質複合酸化物層の上
に膜厚１０〜５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚
１００〜１０００オングストロームの第２の非晶質複合
酸化物層とが順次積層されてなる層構成を有し、前記第
１の非晶質複合酸化物層および前記第２の非晶質複合酸
化物層が共にＩｎ酸化物とＳｎ，ＧａおよびＺｎからな
る群より選択された１種または複数種の金属の酸化物と
からなる複合酸化物であって、全金属元素に占めるＩｎ
の割合が２０〜８０モル％であるものからなり、前記金
属薄膜層がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる
群より選択された１種または複数種からなることを特徴
とする。また、本発明の導電性透明基板は、透明基板
と、この透明基板の所定面上に直接またはアンダーコー
ト層を介して設けられた前記の導電性積層体とを備えて
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物と金属との積層体
からなる導電性積層体およびこの導電性積層体を利用し
た導電性基板に係り、特に複合酸化物と金属との積層体
からなる導電性積層体およびこの導電性積層体を利用し
た導電性透明基板に関する。
からなる導電性積層体およびこの導電性積層体を利用し
た導電性基板に係り、特に複合酸化物と金属との積層体
からなる導電性積層体およびこの導電性積層体を利用し
た導電性透明基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は軽量化、薄型化が可能で
あり、駆動電圧も低いことから、パ−ソナルコンピュー
タやワードプロセッサ等のＯＡ機器へ活発に導入されて
いる。そして、前述のような利点を有している液晶表示
装置は必然的に大面積化、多画素化、高精細化の方向に
向かっており、表示欠陥のない高品質の液晶表示素子が
求められている。液晶表示素子は、互いに対向して配置
された２つの透明電極により液晶を挟み込んだサンドイ
ッチ構造をなしており、透明電極は高品質の液晶表示素
子を得るうえでの重要な要素の一つである。この透明電
極は、例えば透明基板上に成膜した透明導電膜を酸性溶
液でエッチングして所定形状にパターニングすることで
作製されている。
あり、駆動電圧も低いことから、パ−ソナルコンピュー
タやワードプロセッサ等のＯＡ機器へ活発に導入されて
いる。そして、前述のような利点を有している液晶表示
装置は必然的に大面積化、多画素化、高精細化の方向に
向かっており、表示欠陥のない高品質の液晶表示素子が
求められている。液晶表示素子は、互いに対向して配置
された２つの透明電極により液晶を挟み込んだサンドイ
ッチ構造をなしており、透明電極は高品質の液晶表示素
子を得るうえでの重要な要素の一つである。この透明電
極は、例えば透明基板上に成膜した透明導電膜を酸性溶
液でエッチングして所定形状にパターニングすることで
作製されている。
【０００３】透明電極材料としては、現在、ＩＴＯ（イ
ンジウム・錫酸化物）膜が主として利用されている。し
かしながら、ＩＴＯ膜には水素プラズマ等で還元されて
光透過率が低下する、Ｉｎが拡散しやすい、耐湿性や耐
候性に劣る等の難点があり、また、抵抗率も３×１０-4
Ω・ｃｍ程度であることから、今後の大面積表示素子の
ニーズに応えることは困難である。
ンジウム・錫酸化物）膜が主として利用されている。し
かしながら、ＩＴＯ膜には水素プラズマ等で還元されて
光透過率が低下する、Ｉｎが拡散しやすい、耐湿性や耐
候性に劣る等の難点があり、また、抵抗率も３×１０-4
Ω・ｃｍ程度であることから、今後の大面積表示素子の
ニーズに応えることは困難である。
【０００４】ＩＴＯ膜よりも低電気抵抗の透明導電材料
としては、金属酸化物と金属との積層体が従来よりよく
知られている。代表例としては、ＴｉＯX とＡｇとの積
層体（米国特許第３，９６２，４８８号明細書参照）や
Ｂｉ2 Ｏ3 とＡｕの積層体（British Journal of Appl
ied Physics,Vol.9,PP359-361 (1958)参照）がある。ま
た、特開平４−３４０５２２号公報には結晶性のＩＴＯ
（成膜条件から結晶性であると認められる）とＡｇとの
積層体が開示されており、特公昭６３−１３８２３号
（特開昭５８−３６４４８号）公報には酸化チタン、酸
化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物とＡ
ｇ−Ｃｕ合金との積層体や、酸化ケイ素−酸化チタン系
複合酸化物とＡｇ−Ｃｕ合金との積層体が開示されてい
る。
としては、金属酸化物と金属との積層体が従来よりよく
知られている。代表例としては、ＴｉＯX とＡｇとの積
層体（米国特許第３，９６２，４８８号明細書参照）や
Ｂｉ2 Ｏ3 とＡｕの積層体（British Journal of Appl
ied Physics,Vol.9,PP359-361 (1958)参照）がある。ま
た、特開平４−３４０５２２号公報には結晶性のＩＴＯ
（成膜条件から結晶性であると認められる）とＡｇとの
積層体が開示されており、特公昭６３−１３８２３号
（特開昭５８−３６４４８号）公報には酸化チタン、酸
化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物とＡ
ｇ−Ｃｕ合金との積層体や、酸化ケイ素−酸化チタン系
複合酸化物とＡｇ−Ｃｕ合金との積層体が開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】金属酸化物と金属とか
らなる上述の積層体や結晶性のＩＴＯとＡｇとからなる
上述の積層体は、導電性の点ではＩＴＯ膜よりも向上し
たものであるが、これらの積層体は結晶化しやすい単独
酸化物と金属との積層体または結晶性酸化物と金属（合
金を含む）との積層体であるため、次のような難点があ
る。すなわち、結晶性酸化物や金属は耐酸性に優れるた
め、これらの積層体を酸性溶液でエッチングすることで
所定形状の透明電極を得ようとしても、そのエッチング
性が低いために所望パターンの透明電極を得ることが困
難であったりエッチングに長時間を要する。
らなる上述の積層体や結晶性のＩＴＯとＡｇとからなる
上述の積層体は、導電性の点ではＩＴＯ膜よりも向上し
たものであるが、これらの積層体は結晶化しやすい単独
酸化物と金属との積層体または結晶性酸化物と金属（合
金を含む）との積層体であるため、次のような難点があ
る。すなわち、結晶性酸化物や金属は耐酸性に優れるた
め、これらの積層体を酸性溶液でエッチングすることで
所定形状の透明電極を得ようとしても、そのエッチング
性が低いために所望パターンの透明電極を得ることが困
難であったりエッチングに長時間を要する。
【０００６】また、酸化ケイ素−酸化チタン系複合酸化
物とＡｇ−Ｃｕ合金とからなる上述の積層体は、複合酸
化物の結晶性が単独酸化物の結晶性よりも低いことから
エッチング性は良好であると考えられる。しかしなが
ら、酸化チタンは耐アルカリ性に劣るため、エッチング
時に使用したマスクをアルカリ性溶液で除去する際に積
層体表面が劣化する。また、酸化ケイ素の導電性は低
い。これらの結果、当該積層体をエッチング方により所
望形状に成形して透明電極を得たとしても、その導電性
はＩＴＯ電極に比べて向上しない。
物とＡｇ−Ｃｕ合金とからなる上述の積層体は、複合酸
化物の結晶性が単独酸化物の結晶性よりも低いことから
エッチング性は良好であると考えられる。しかしなが
ら、酸化チタンは耐アルカリ性に劣るため、エッチング
時に使用したマスクをアルカリ性溶液で除去する際に積
層体表面が劣化する。また、酸化ケイ素の導電性は低
い。これらの結果、当該積層体をエッチング方により所
望形状に成形して透明電極を得たとしても、その導電性
はＩＴＯ電極に比べて向上しない。
【０００７】本発明の目的は、エッチング性および耐ア
ルカリ性に優れた導電性積層体およびこの導電性積層体
を利用した導電性透明基板を提供することにある。
ルカリ性に優れた導電性積層体およびこの導電性積層体
を利用した導電性透明基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の導電性積層体は、膜厚１００〜１０００オングス
トロームの第１の非晶質複合酸化物層の上に膜厚１０〜
５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚１００〜１０
００オングストロームの第２の非晶質複合酸化物層とが
順次積層されてなる層構成を有し、前記第１の非晶質複
合酸化物層および前記第２の非晶質複合酸化物層が共に
Ｉｎ酸化物とＳｎ，ＧａおよびＺｎからなる群より選択
された１種または複数種の金属の酸化物とからなる複合
酸化物であって、全金属元素に占めるＩｎの割合が５５
〜８０モル％であるものからなり、前記金属薄膜層がＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる群より選択さ
れた１種または複数種からなることを特徴とするもので
ある。
発明の導電性積層体は、膜厚１００〜１０００オングス
トロームの第１の非晶質複合酸化物層の上に膜厚１０〜
５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚１００〜１０
００オングストロームの第２の非晶質複合酸化物層とが
順次積層されてなる層構成を有し、前記第１の非晶質複
合酸化物層および前記第２の非晶質複合酸化物層が共に
Ｉｎ酸化物とＳｎ，ＧａおよびＺｎからなる群より選択
された１種または複数種の金属の酸化物とからなる複合
酸化物であって、全金属元素に占めるＩｎの割合が５５
〜８０モル％であるものからなり、前記金属薄膜層がＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる群より選択さ
れた１種または複数種からなることを特徴とするもので
ある。
【０００９】また、上記の目的を達成する本発明の導電
性透明基板は、透明基板と、この透明基板の所定面上に
直接またはアンダーコート層を介して形成された導電性
積層体とを備え、前記導電性積層体が膜厚１００〜１０
００オングストロームの第１の非晶質複合酸化物層の上
に膜厚１０〜５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚
１００〜１０００オングストロームの第２の非晶質複合
酸化物層とを順次積層してなる層構成を有するととも
に、前記第１の非晶質複合酸化物層および前記第２の非
晶質複合酸化物層が共にＩｎ酸化物とＳｎ，Ｇａおよび
Ｚｎからなる群より選択された１種または複数種の金属
の酸化物とからなる複合酸化物であって、全金属元素に
占めるＩｎの割合が５５〜８０モル％であるものからな
り、前記金属薄膜層がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡ
ｌからなる群より選択された１種または複数種からなる
ことを特徴とするものである。
性透明基板は、透明基板と、この透明基板の所定面上に
直接またはアンダーコート層を介して形成された導電性
積層体とを備え、前記導電性積層体が膜厚１００〜１０
００オングストロームの第１の非晶質複合酸化物層の上
に膜厚１０〜５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚
１００〜１０００オングストロームの第２の非晶質複合
酸化物層とを順次積層してなる層構成を有するととも
に、前記第１の非晶質複合酸化物層および前記第２の非
晶質複合酸化物層が共にＩｎ酸化物とＳｎ，Ｇａおよび
Ｚｎからなる群より選択された１種または複数種の金属
の酸化物とからなる複合酸化物であって、全金属元素に
占めるＩｎの割合が５５〜８０モル％であるものからな
り、前記金属薄膜層がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡ
ｌからなる群より選択された１種または複数種からなる
ことを特徴とするものである。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。まず本発
明の導電性積層体について説明すると、この導電性積層
体は上述したように第１の非晶質複合酸化物層の上に金
属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層が順次積層さ
れてなる層構成を有しており、第１の非晶質複合酸化物
層および第２の非晶質複合酸化物層は共にＩｎ酸化物と
Ｓｎ，ＧａおよびＺｎからなる群より選択された１種ま
たは複数種の金属の酸化物とからなる複合酸化物であっ
て、全金属元素に占めるＩｎの割合が５５〜８０モル％
であるものからなる。
明の導電性積層体について説明すると、この導電性積層
体は上述したように第１の非晶質複合酸化物層の上に金
属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層が順次積層さ
れてなる層構成を有しており、第１の非晶質複合酸化物
層および第２の非晶質複合酸化物層は共にＩｎ酸化物と
Ｓｎ，ＧａおよびＺｎからなる群より選択された１種ま
たは複数種の金属の酸化物とからなる複合酸化物であっ
て、全金属元素に占めるＩｎの割合が５５〜８０モル％
であるものからなる。
【００１１】Ｓｎ，ＧａおよびＺｎからなる群より選択
された１種または複数種の金属の酸化物（例えばＳｎＯ
2 ，Ｇａ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＳｎＯ2 −ＺｎＯ，ＳｎＯ2
−Ｇａ2 Ｏ3 ，Ｇａ2 Ｏ3 −ＺｎＯ）は、導電性および
耐アルカリ性に優れた複合酸化物を得るうえで有用であ
る。また、Ｉｎ酸化物（例えばＩｎ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ）
は低電気抵抗の複合酸化物を得るうえで有用であるが、
複合酸化物中に占めるＩｎ酸化物の割合が多すぎたり少
なすぎたりすると、成膜条件によっては当該複合酸化物
が結晶化しやすくなる。そして、結晶化した複合酸化物
はエッチング性に劣る。したがって、第１の非晶質複合
酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層は、全金属元
素（複合酸化物を構成する全ての金属元素）に占めるＩ
ｎの割合が５５〜８０モル％の範囲内であるものに限定
される。全金属元素に占めるＩｎの割合は６０〜８０モ
ル％の範囲内であることが好ましく、特に６５〜８０モ
ル％の範囲内であることが好ましい。なお、第１の非晶
質複合酸化物層の組成および第２の非晶質複合酸化物層
の組成は共に上述した条件を満たすものであればよく、
これらの組成は同じであっても異なっていてもよい。
された１種または複数種の金属の酸化物（例えばＳｎＯ
2 ，Ｇａ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＳｎＯ2 −ＺｎＯ，ＳｎＯ2
−Ｇａ2 Ｏ3 ，Ｇａ2 Ｏ3 −ＺｎＯ）は、導電性および
耐アルカリ性に優れた複合酸化物を得るうえで有用であ
る。また、Ｉｎ酸化物（例えばＩｎ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ）
は低電気抵抗の複合酸化物を得るうえで有用であるが、
複合酸化物中に占めるＩｎ酸化物の割合が多すぎたり少
なすぎたりすると、成膜条件によっては当該複合酸化物
が結晶化しやすくなる。そして、結晶化した複合酸化物
はエッチング性に劣る。したがって、第１の非晶質複合
酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層は、全金属元
素（複合酸化物を構成する全ての金属元素）に占めるＩ
ｎの割合が５５〜８０モル％の範囲内であるものに限定
される。全金属元素に占めるＩｎの割合は６０〜８０モ
ル％の範囲内であることが好ましく、特に６５〜８０モ
ル％の範囲内であることが好ましい。なお、第１の非晶
質複合酸化物層の組成および第２の非晶質複合酸化物層
の組成は共に上述した条件を満たすものであればよく、
これらの組成は同じであっても異なっていてもよい。
【００１２】第１の非晶質複合酸化物層の膜厚および第
２の非晶質複合酸化物層の膜厚は、共に１００〜１００
０オングストロームの範囲内に限定される。膜厚が１０
０オングストローム未満では金属薄膜層との密着性が低
下する結果、導電性積層体全体のエッチング性が低下す
る。また、膜厚が１０００オングストロームを超えると
導電性積層体全体の光透過性や経済性が低下する。第１
の非晶質複合酸化物層の膜厚および第２の非晶質複合酸
化物層の膜厚はそれぞれ独立に前記の範囲内の所望値に
設定され、これらの膜厚は同じであっても異なっていて
もよい。好ましい膜厚は、第１の非晶質複合酸化物層お
よび第２の非晶質複合酸化物層の両者ともに１５０〜８
００オングストロームの範囲内であり、特に好ましい膜
厚は両者ともに２００〜６００オングストロームの範囲
内である。
２の非晶質複合酸化物層の膜厚は、共に１００〜１００
０オングストロームの範囲内に限定される。膜厚が１０
０オングストローム未満では金属薄膜層との密着性が低
下する結果、導電性積層体全体のエッチング性が低下す
る。また、膜厚が１０００オングストロームを超えると
導電性積層体全体の光透過性や経済性が低下する。第１
の非晶質複合酸化物層の膜厚および第２の非晶質複合酸
化物層の膜厚はそれぞれ独立に前記の範囲内の所望値に
設定され、これらの膜厚は同じであっても異なっていて
もよい。好ましい膜厚は、第１の非晶質複合酸化物層お
よび第２の非晶質複合酸化物層の両者ともに１５０〜８
００オングストロームの範囲内であり、特に好ましい膜
厚は両者ともに２００〜６００オングストロームの範囲
内である。
【００１３】本発明の導電性積層体では、その表層は上
述した第１の非晶質複合酸化物層および／または第２の
非晶質複合酸化物層によって形成される。第１の非晶質
複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚の
下限は、上述したようにエッチング性の点から１００オ
ングストロームに限定されるが、表層に位置する非晶質
複合酸化物層は金属薄膜層の保護層としても機能するの
で、保護層としての効果の点からもその膜厚の下限は１
００オングストロームに限定される。
述した第１の非晶質複合酸化物層および／または第２の
非晶質複合酸化物層によって形成される。第１の非晶質
複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚の
下限は、上述したようにエッチング性の点から１００オ
ングストロームに限定されるが、表層に位置する非晶質
複合酸化物層は金属薄膜層の保護層としても機能するの
で、保護層としての効果の点からもその膜厚の下限は１
００オングストロームに限定される。
【００１４】また、表層に位置する非晶質複合酸化物層
は導電層としても機能するので、その抵抗率は１×１０
2 Ω・ｃｍ以下であることが望まれる。この抵抗率が１
×１０2 Ω・ｃｍを超えると導電性積層体の導電性が著
しく低下する。表層が前述した第１の非晶質複合酸化物
層および／または第２の非晶質複合酸化物層であれば、
その抵抗率は１×１０2 Ω・ｃｍ以下となる。これら第
１の非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物
層の抵抗率は、組成や成膜時の基板温度を適宜変更する
ことにより１×１０2 Ω・ｃｍ以下の範囲内で種々制御
することができる。表層に位置する非晶質複合酸化物層
の好ましい抵抗率は１０Ω・ｃｍ以下であり、特に１Ω
・ｃｍ以下であることが好ましい。なお、本発明の導電
性積層体は、通常、所定の基板上に第１の非晶質複合酸
化物層、金属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層を
順次積層することで形成され、この場合の導電性積層体
の表層は第２の非晶質複合酸化物層によって形成され
る。
は導電層としても機能するので、その抵抗率は１×１０
2 Ω・ｃｍ以下であることが望まれる。この抵抗率が１
×１０2 Ω・ｃｍを超えると導電性積層体の導電性が著
しく低下する。表層が前述した第１の非晶質複合酸化物
層および／または第２の非晶質複合酸化物層であれば、
その抵抗率は１×１０2 Ω・ｃｍ以下となる。これら第
１の非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物
層の抵抗率は、組成や成膜時の基板温度を適宜変更する
ことにより１×１０2 Ω・ｃｍ以下の範囲内で種々制御
することができる。表層に位置する非晶質複合酸化物層
の好ましい抵抗率は１０Ω・ｃｍ以下であり、特に１Ω
・ｃｍ以下であることが好ましい。なお、本発明の導電
性積層体は、通常、所定の基板上に第１の非晶質複合酸
化物層、金属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層を
順次積層することで形成され、この場合の導電性積層体
の表層は第２の非晶質複合酸化物層によって形成され
る。
【００１５】一方、上述した第１の非晶質複合酸化物層
と第２の非晶質複合酸化物層との間に設けられる金属薄
膜層は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる群
より選択された１種または複数種からなる。金属薄膜層
を前記の群から選択された１種の金属により形成する場
合は、光透過性の点からＡｕまたはＡｇにより形成する
ことが好ましく、特にＡｇにより形成することが好まし
い。また、前記の群から選択された複数種の金属により
形成する場合は、ＡｇにＡｕまたはＣｕを１〜５０ｗｔ
％添加したものにより形成することが好ましく、特に１
０〜４０ｗｔ％添加したものにより形成することが好ま
しい。
と第２の非晶質複合酸化物層との間に設けられる金属薄
膜層は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる群
より選択された１種または複数種からなる。金属薄膜層
を前記の群から選択された１種の金属により形成する場
合は、光透過性の点からＡｕまたはＡｇにより形成する
ことが好ましく、特にＡｇにより形成することが好まし
い。また、前記の群から選択された複数種の金属により
形成する場合は、ＡｇにＡｕまたはＣｕを１〜５０ｗｔ
％添加したものにより形成することが好ましく、特に１
０〜４０ｗｔ％添加したものにより形成することが好ま
しい。
【００１６】いずれの場合においても、金属薄膜層の膜
厚は１０〜５０オングストロームの範囲内に限定され
る。膜厚が１０オングストローム未満では十分な導電性
を有する導電性積層体を得ることが困難である。また、
膜厚が５０オングストロームを超えると導電性積層体全
体のエッチング性や光透過性が低下する。金属薄膜層の
好ましい膜厚は２０〜５０オングストロームの範囲内で
あり、特に好ましい膜厚は３０〜５０オングストローム
の範囲内である。
厚は１０〜５０オングストロームの範囲内に限定され
る。膜厚が１０オングストローム未満では十分な導電性
を有する導電性積層体を得ることが困難である。また、
膜厚が５０オングストロームを超えると導電性積層体全
体のエッチング性や光透過性が低下する。金属薄膜層の
好ましい膜厚は２０〜５０オングストロームの範囲内で
あり、特に好ましい膜厚は３０〜５０オングストローム
の範囲内である。
【００１７】以上説明した第１の非晶質複合酸化物層、
金属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層からなる本
発明の導電性積層体の全体の膜厚は、その用途に等に応
じて適宜変更可能であるが、いずれの場合でも各層の膜
厚は前述したそれぞれの範囲内で適宜選択される。各層
の膜厚が前述したそれぞれの範囲内であれば、各層の膜
厚がどのような値であっても導電性透明材料として利用
可能な光透過性（可視光の透過率で概ね７０〜９０％、
あるいは波長５５０ｎｍの光の透過率で概ね８０〜９０
％）を有する導電性積層体を得ることができる。
金属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層からなる本
発明の導電性積層体の全体の膜厚は、その用途に等に応
じて適宜変更可能であるが、いずれの場合でも各層の膜
厚は前述したそれぞれの範囲内で適宜選択される。各層
の膜厚が前述したそれぞれの範囲内であれば、各層の膜
厚がどのような値であっても導電性透明材料として利用
可能な光透過性（可視光の透過率で概ね７０〜９０％、
あるいは波長５５０ｎｍの光の透過率で概ね８０〜９０
％）を有する導電性積層体を得ることができる。
【００１８】本発明の導電性積層体では、第１の非晶質
複合酸化物層と金属薄膜層との密着性および第２の非晶
質複合酸化物層と金属薄膜層との密着性が共に良好であ
ることから、エッチング時には第１の非晶質複合酸化物
層および第２の非晶質複合酸化物層が金属薄膜層を取り
込みながらエッチングされる。また、第１の非晶質複合
酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層は共に非晶質
複合酸化物からなるため、これらのエッチング性は良好
である。これらの結果、本発明の導電性積層体は優れた
エッチング性を示す。
複合酸化物層と金属薄膜層との密着性および第２の非晶
質複合酸化物層と金属薄膜層との密着性が共に良好であ
ることから、エッチング時には第１の非晶質複合酸化物
層および第２の非晶質複合酸化物層が金属薄膜層を取り
込みながらエッチングされる。また、第１の非晶質複合
酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層は共に非晶質
複合酸化物からなるため、これらのエッチング性は良好
である。これらの結果、本発明の導電性積層体は優れた
エッチング性を示す。
【００１９】また、第１の非晶質複合酸化物層および第
２の非晶質複合酸化物層は、Ｓｎ，ＧａおよびＺｎから
なる群より選択された１種または複数種の金属の酸化物
をその成分として含有しており、前記金属の酸化物は耐
アルカリ性に優れている。したがって、エッチング時に
使用したマスクをアルカリ性溶液で除去する場合でも当
該アルカリ性溶液により積層体表面が劣化することが抑
制されるので、本発明の導電性積層体をエッチング法に
より所望形状に成形した場合でも導電性の高い成形物が
得られる。
２の非晶質複合酸化物層は、Ｓｎ，ＧａおよびＺｎから
なる群より選択された１種または複数種の金属の酸化物
をその成分として含有しており、前記金属の酸化物は耐
アルカリ性に優れている。したがって、エッチング時に
使用したマスクをアルカリ性溶液で除去する場合でも当
該アルカリ性溶液により積層体表面が劣化することが抑
制されるので、本発明の導電性積層体をエッチング法に
より所望形状に成形した場合でも導電性の高い成形物が
得られる。
【００２０】このような特性を有する本発明の導電性積
層体は、液晶表示素子用等の透明電極材料や太陽電池用
の電極材料として好適である他、透明静電遮蔽体、熱線
反射フィルム、透明面発熱体、発光素子、エレクトロク
ロミック表示素子、自動車用ガラスアンテナ等の材料と
しも利用することができる。
層体は、液晶表示素子用等の透明電極材料や太陽電池用
の電極材料として好適である他、透明静電遮蔽体、熱線
反射フィルム、透明面発熱体、発光素子、エレクトロク
ロミック表示素子、自動車用ガラスアンテナ等の材料と
しも利用することができる。
【００２１】本発明の導電性積層体は、所定の金属薄膜
の片面に第１の非晶質複合酸化物層を成膜した後に残り
の片面に第２の非晶質複合酸化物層を成膜することで形
成することも可能であるが、実用上は、所定の基板上に
直接またはアンダーコート層を介して第１の非晶質複合
酸化物層、金属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層
を順次積層することで形成することが好ましい。上記の
基板としては透明基板を用いてもよし非透明基板を用い
てもよいが、いずれの場合でも電気絶縁性のものを用い
ることが好ましい。また、基板表面にアンダーコート層
を設ける場合、このアンダーコート層の材料としてはエ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウ
レタン樹脂、エポキシウレタン樹脂等の有機物やＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 等の無機物からなる膜厚１００〜１０００
０オングストロームのものを用いることができる。
の片面に第１の非晶質複合酸化物層を成膜した後に残り
の片面に第２の非晶質複合酸化物層を成膜することで形
成することも可能であるが、実用上は、所定の基板上に
直接またはアンダーコート層を介して第１の非晶質複合
酸化物層、金属薄膜層および第２の非晶質複合酸化物層
を順次積層することで形成することが好ましい。上記の
基板としては透明基板を用いてもよし非透明基板を用い
てもよいが、いずれの場合でも電気絶縁性のものを用い
ることが好ましい。また、基板表面にアンダーコート層
を設ける場合、このアンダーコート層の材料としてはエ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウ
レタン樹脂、エポキシウレタン樹脂等の有機物やＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 等の無機物からなる膜厚１００〜１０００
０オングストロームのものを用いることができる。
【００２２】有機物系のアンダーコート層は、例えば、
上記の有機物を水または有機溶剤に溶かしてなるコーテ
ィング溶液を用いての印刷法、塗布乾燥法等により形成
することができる。また、無機物系のアンダーコート層
は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等の物理的
蒸着法、ＣＶＤ法、シランカップリング剤やチタンカッ
プリング剤等を用いた塗布乾燥法等により形成すること
ができる。なお、これらのアンダーコート層に対して熱
処理や紫外線照射処理等を行うこともある。
上記の有機物を水または有機溶剤に溶かしてなるコーテ
ィング溶液を用いての印刷法、塗布乾燥法等により形成
することができる。また、無機物系のアンダーコート層
は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等の物理的
蒸着法、ＣＶＤ法、シランカップリング剤やチタンカッ
プリング剤等を用いた塗布乾燥法等により形成すること
ができる。なお、これらのアンダーコート層に対して熱
処理や紫外線照射処理等を行うこともある。
【００２３】基板として透明基板を用い、この透明基板
の所定面上に直接またはアンダーコート層を介して前述
の導電性積層体を形成した場合には、本発明の導電性透
明基板が得られる。このときの透明基板としては透明ガ
ラス、石英、透明プラスチック、透明セラミックス等か
らなる板状物やフィルム状物を用いることができる。前
記透明ガラスの具体例としてはソーダ石灰ガラス、鉛硅
酸塩ガラス、硼硅酸塩ガラス、硅酸塩ガラス、高硅酸ガ
ラス、無アルカリガラス、燐酸塩ガラス、アルカリ硅酸
塩ガラス、石英ガラス、アルミノ硼硅酸ガラス、バリウ
ム硼硅酸ガラス、ナトリウム硼硅酸ガラス等が挙げられ
る。また、前記透明プラスチックの具体例としてはポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリス
チレン、ポリエーテルスルホン系樹脂、アモルファスポ
リオレフィン、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリホスフ
ァゼン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポ
リアセタール系樹脂等が挙げられる。そして、前記透明
セラミックスの具体例としてはサファイア、ＰＬＺＴ、
ＣａＦ2 、ＭｇＦ2 、ＺｎＳ等が挙げられる。
の所定面上に直接またはアンダーコート層を介して前述
の導電性積層体を形成した場合には、本発明の導電性透
明基板が得られる。このときの透明基板としては透明ガ
ラス、石英、透明プラスチック、透明セラミックス等か
らなる板状物やフィルム状物を用いることができる。前
記透明ガラスの具体例としてはソーダ石灰ガラス、鉛硅
酸塩ガラス、硼硅酸塩ガラス、硅酸塩ガラス、高硅酸ガ
ラス、無アルカリガラス、燐酸塩ガラス、アルカリ硅酸
塩ガラス、石英ガラス、アルミノ硼硅酸ガラス、バリウ
ム硼硅酸ガラス、ナトリウム硼硅酸ガラス等が挙げられ
る。また、前記透明プラスチックの具体例としてはポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリス
チレン、ポリエーテルスルホン系樹脂、アモルファスポ
リオレフィン、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリホスフ
ァゼン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポ
リアセタール系樹脂等が挙げられる。そして、前記透明
セラミックスの具体例としてはサファイア、ＰＬＺＴ、
ＣａＦ2 、ＭｇＦ2 、ＺｎＳ等が挙げられる。
【００２４】透明基板の材質や厚さ等は、目的とする導
電性透明基板の用途や当該導電性透明基板に要求される
透明性等に応じて適宜選択される。この導電性透明基板
は液晶パネル等の材料として利用することができる。
電性透明基板の用途や当該導電性透明基板に要求される
透明性等に応じて適宜選択される。この導電性透明基板
は液晶パネル等の材料として利用することができる。
【００２５】第１の非晶質複合酸化物層および第２の非
晶質複合酸化物層の形成は、ＲＦマグネトロンスパッタ
リング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法等のスパ
ッタリング法（反応性スパッタリング法を含む）や、イ
オンプレーティング法（反応性イオンプレーティング法
を含む）等の物理蒸着法により行うことができる。この
とき、得られる複合酸化物層の結晶性は複合酸化物の組
成や成膜時の基板温度を変えることにより制御すること
ができ、成膜時の基板温度を５０℃以下とした場合には
非晶質複合酸化物層を容易に形成することができる。
晶質複合酸化物層の形成は、ＲＦマグネトロンスパッタ
リング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法等のスパ
ッタリング法（反応性スパッタリング法を含む）や、イ
オンプレーティング法（反応性イオンプレーティング法
を含む）等の物理蒸着法により行うことができる。この
とき、得られる複合酸化物層の結晶性は複合酸化物の組
成や成膜時の基板温度を変えることにより制御すること
ができ、成膜時の基板温度を５０℃以下とした場合には
非晶質複合酸化物層を容易に形成することができる。
【００２６】なお、成膜条件は成膜方法や目的とする非
晶質複合酸化物層の組成等に応じて適宜設定される。例
えば複合酸化物からなるターゲット材料を用いた一元の
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により第１の非晶質
複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層を形成す
る場合の成膜条件の一例としては、次の条件が挙げられ
る。すなわち、スパッタリング時の真空度は５×１０-2
〜１×１０-4Torr程度、より好ましくは１×１０-2〜５
×１０-4Torr、更に好ましくは５×１０-3〜１×１０-3
Torrとし、雰囲気ガスはアルゴンガス等の不活性ガスと
酸素ガスとの混合ガスが好ましく、酸素分圧は雰囲気ガ
ス圧の０．１〜１０％の範囲内とする。ＲＦ出力は１０
０〜５００Ｗが好ましく、基板温度は基板の耐熱性に応
じて当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度の
範囲内で適宜選択されるが、できるだけ低温とする。
晶質複合酸化物層の組成等に応じて適宜設定される。例
えば複合酸化物からなるターゲット材料を用いた一元の
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により第１の非晶質
複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層を形成す
る場合の成膜条件の一例としては、次の条件が挙げられ
る。すなわち、スパッタリング時の真空度は５×１０-2
〜１×１０-4Torr程度、より好ましくは１×１０-2〜５
×１０-4Torr、更に好ましくは５×１０-3〜１×１０-3
Torrとし、雰囲気ガスはアルゴンガス等の不活性ガスと
酸素ガスとの混合ガスが好ましく、酸素分圧は雰囲気ガ
ス圧の０．１〜１０％の範囲内とする。ＲＦ出力は１０
０〜５００Ｗが好ましく、基板温度は基板の耐熱性に応
じて当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度の
範囲内で適宜選択されるが、できるだけ低温とする。
【００２７】一方、金属薄膜層も真空蒸着法、ＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法やＤＣマグネトロンスパッタ
リング法等のスパッタリング法、イオンプレーティング
法等の物理蒸着法により成膜することができる。この場
合の成膜条件も成膜方法や目的とする金属薄膜層（合金
薄膜層を含む）の組成等に応じて適宜設定される。例え
ば金属または合金からなるターゲット材料を用いた一元
のＲＦマグネトロンスパッタリング法により金属薄膜層
（合金薄膜層を含む）を形成する場合の成膜条件の一例
としては、次の条件が挙げられる。すなわち、スパッタ
リング時の真空度は５×１０-2〜１×１０-4Torr程度、
より好ましくは１×１０-2〜５×１０-4Torr、更に好ま
しくは５×１０-3〜１×１０-3Torrとし、雰囲気ガスは
アルゴンガス等の不活性ガスとする。ＲＦ出力は１０〜
１００Ｗが好ましく、基板温度は基板の耐熱性に応じて
当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度の範囲
内で適宜選択されるが、できるだけ低温とする。
ネトロンスパッタリング法やＤＣマグネトロンスパッタ
リング法等のスパッタリング法、イオンプレーティング
法等の物理蒸着法により成膜することができる。この場
合の成膜条件も成膜方法や目的とする金属薄膜層（合金
薄膜層を含む）の組成等に応じて適宜設定される。例え
ば金属または合金からなるターゲット材料を用いた一元
のＲＦマグネトロンスパッタリング法により金属薄膜層
（合金薄膜層を含む）を形成する場合の成膜条件の一例
としては、次の条件が挙げられる。すなわち、スパッタ
リング時の真空度は５×１０-2〜１×１０-4Torr程度、
より好ましくは１×１０-2〜５×１０-4Torr、更に好ま
しくは５×１０-3〜１×１０-3Torrとし、雰囲気ガスは
アルゴンガス等の不活性ガスとする。ＲＦ出力は１０〜
１００Ｗが好ましく、基板温度は基板の耐熱性に応じて
当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度の範囲
内で適宜選択されるが、できるだけ低温とする。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ まず、透明基板としてコーニング社製のガラス基板（＃
７０５９）を用意し、このガラス基板の一主表面にＩｎ
2 Ｏ3 −ＺｎＯ系複合酸化物からなる第１の複合酸化物
層をＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成し
た。このとき、スパッタリングターゲットとしてはＩｎ
2 Ｏ3 とＺｎＯとからなる焼結体（ＩｎとＺｎのモル比
はＩｎ／Ｚｎ＝２）を用い、スパッタリング時の真空度
は１×１０-3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素ガ
スとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力は
１００Ｗ、基板温度は２０℃、スパッタリング時間は
７．５分とした。次に、スパッタリングターゲットとし
てＡｕを用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3To
rr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、Ｒ
Ｆ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１
分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、上
記第１の複合酸化物層上にＡｕ薄膜層を形成した。最後
に、上記第１の複合酸化物層の形成と同条件でＲＦマグ
ネトロンスパッタリングを行い、上記のＡｕ薄膜層上に
Ｉｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系複合酸化物からなる第２の複合酸
化物層を形成した。
７０５９）を用意し、このガラス基板の一主表面にＩｎ
2 Ｏ3 −ＺｎＯ系複合酸化物からなる第１の複合酸化物
層をＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成し
た。このとき、スパッタリングターゲットとしてはＩｎ
2 Ｏ3 とＺｎＯとからなる焼結体（ＩｎとＺｎのモル比
はＩｎ／Ｚｎ＝２）を用い、スパッタリング時の真空度
は１×１０-3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素ガ
スとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力は
１００Ｗ、基板温度は２０℃、スパッタリング時間は
７．５分とした。次に、スパッタリングターゲットとし
てＡｕを用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3To
rr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、Ｒ
Ｆ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１
分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、上
記第１の複合酸化物層上にＡｕ薄膜層を形成した。最後
に、上記第１の複合酸化物層の形成と同条件でＲＦマグ
ネトロンスパッタリングを行い、上記のＡｕ薄膜層上に
Ｉｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系複合酸化物からなる第２の複合酸
化物層を形成した。
【００２９】上述のようにしてガラス基板の一主表面上
に第１の複合酸化物層、Ａｕ薄膜層および第２の複合酸
化物層を順次積層することで目的とする積層体が得ら
れ、同時に目的とする透明基板が得られた。このように
して得られた積層体では、ＸＲＤ（Ｘ線回折）測定を行
った結果、Ａｕのピークしか認められず、第１の複合酸
化物層および第２の複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＺ
ｎＯとからなる非晶質複合酸化物であることがわかっ
た。また、積層体のＩＣＰ分析（誘導結合プラズマ発光
分光分析）結果より、いずれの非晶質複合酸化物層にお
いても全金属元素に占めるＩｎの割合は６６．７モル％
であった。さらに、積層体のＡＥＳ（オージェ電子分光
分析）デプスプロファイルによる測定結果から、第１の
非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層の
膜厚は共に３００オングストローム、Ａｕ薄膜層の膜厚
は５０オングストロームであることが確認された。
に第１の複合酸化物層、Ａｕ薄膜層および第２の複合酸
化物層を順次積層することで目的とする積層体が得ら
れ、同時に目的とする透明基板が得られた。このように
して得られた積層体では、ＸＲＤ（Ｘ線回折）測定を行
った結果、Ａｕのピークしか認められず、第１の複合酸
化物層および第２の複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＺ
ｎＯとからなる非晶質複合酸化物であることがわかっ
た。また、積層体のＩＣＰ分析（誘導結合プラズマ発光
分光分析）結果より、いずれの非晶質複合酸化物層にお
いても全金属元素に占めるＩｎの割合は６６．７モル％
であった。さらに、積層体のＡＥＳ（オージェ電子分光
分析）デプスプロファイルによる測定結果から、第１の
非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層の
膜厚は共に３００オングストローム、Ａｕ薄膜層の膜厚
は５０オングストロームであることが確認された。
【００３０】この積層体の４端子法により測定した表面
抵抗は１０Ω／□であった。また、第１の非晶質複合酸
化物層の成膜後に表面抵抗を測定したところ１９０Ω／
□であり、その膜厚３００オングストロームから計算し
た抵抗率が５．７×１０-4Ω・ｃｍであることより、導
電性積層体の表層である第２の非晶質複合酸化物層の抵
抗率も５．７×１０-4Ω・ｃｍであると予想された。こ
の導電性積層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過
率）は８０％であった。
抵抗は１０Ω／□であった。また、第１の非晶質複合酸
化物層の成膜後に表面抵抗を測定したところ１９０Ω／
□であり、その膜厚３００オングストロームから計算し
た抵抗率が５．７×１０-4Ω・ｃｍであることより、導
電性積層体の表層である第２の非晶質複合酸化物層の抵
抗率も５．７×１０-4Ω・ｃｍであると予想された。こ
の導電性積層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過
率）は８０％であった。
【００３１】得られた導電性積層体を王水系エッチング
液（ＨＣｌ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ＝１：０．０８：１（モ
ル比））に一定時間浸漬し、取出した後に水洗、乾燥し
てから４端子法で当該積層体の電気抵抗値を測定し、電
気抵抗値が２ＭΩ以上になる（導通がなくなる）のに要
する浸漬時間を測定することで、そのエッチング性を評
価した。この結果、導通がなくなるのに要した浸漬時間
は１分であり、このことから当該導電性積層体のエッチ
ング性は良好であることが確認された。また、導電性透
明基板をＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４０℃）に５分間
浸漬し、浸漬後における導電性積層体の表面抵抗の変化
から当該導電性積層体の耐アルカリ性を調べた。この結
果、浸漬後の表面抵抗は浸漬前の値（１０Ω／□）から
０．１Ω／□増えただけの１０．１Ω／□であり、この
ことから当該導電性積層体の耐アルカリ性は良好である
ことが確認された。
液（ＨＣｌ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ＝１：０．０８：１（モ
ル比））に一定時間浸漬し、取出した後に水洗、乾燥し
てから４端子法で当該積層体の電気抵抗値を測定し、電
気抵抗値が２ＭΩ以上になる（導通がなくなる）のに要
する浸漬時間を測定することで、そのエッチング性を評
価した。この結果、導通がなくなるのに要した浸漬時間
は１分であり、このことから当該導電性積層体のエッチ
ング性は良好であることが確認された。また、導電性透
明基板をＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４０℃）に５分間
浸漬し、浸漬後における導電性積層体の表面抵抗の変化
から当該導電性積層体の耐アルカリ性を調べた。この結
果、浸漬後の表面抵抗は浸漬前の値（１０Ω／□）から
０．１Ω／□増えただけの１０．１Ω／□であり、この
ことから当該導電性積層体の耐アルカリ性は良好である
ことが確認された。
【００３２】実施例２ 金属薄膜層としてＡｇ薄膜層を形成した以外は実施例１
と同様にして、ガラス基板（コーニング社製のガラス基
板（＃７０５９））の一主表面上に第１の複合酸化物
層、金属薄膜層（Ａｇ薄膜層）および第２の複合酸化物
層を順次積層し、これにより目的とする積層体を得、同
時に目的とする透明基板を得た。なお、第１の複合酸化
物層および第２の複合酸化物層は共に実施例１と同条件
で形成し、Ａｇ薄膜層はスパッタリングターゲットとし
てＡｇを用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3To
rr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、Ｒ
Ｆ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１
分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを行うこと
で形成した。
と同様にして、ガラス基板（コーニング社製のガラス基
板（＃７０５９））の一主表面上に第１の複合酸化物
層、金属薄膜層（Ａｇ薄膜層）および第２の複合酸化物
層を順次積層し、これにより目的とする積層体を得、同
時に目的とする透明基板を得た。なお、第１の複合酸化
物層および第２の複合酸化物層は共に実施例１と同条件
で形成し、Ａｇ薄膜層はスパッタリングターゲットとし
てＡｇを用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3To
rr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、Ｒ
Ｆ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１
分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを行うこと
で形成した。
【００３３】このようにして得られた積層体では、ＸＲ
Ｄ測定結果よりＡｇのピークしか認められず、実施例１
で得た導電性積層体と同様に、第１の複合酸化物層およ
び第２の複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＺｎＯとから
なる非晶質複合酸化物によって形成されていることがわ
かった。また、積層体のＩＣＰ測定結果より、いずれの
非晶質複合酸化物層においても全金属元素に占めるＩｎ
の割合は６６．７モル％であった。さらに、ＡＥＳデプ
スプロファイルによる測定結果から、第１の非晶質複合
酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚は共に
３００オングストローム、Ａｇ薄膜層の膜厚は５０オン
グストロームであることが確認された。
Ｄ測定結果よりＡｇのピークしか認められず、実施例１
で得た導電性積層体と同様に、第１の複合酸化物層およ
び第２の複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＺｎＯとから
なる非晶質複合酸化物によって形成されていることがわ
かった。また、積層体のＩＣＰ測定結果より、いずれの
非晶質複合酸化物層においても全金属元素に占めるＩｎ
の割合は６６．７モル％であった。さらに、ＡＥＳデプ
スプロファイルによる測定結果から、第１の非晶質複合
酸化物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚は共に
３００オングストローム、Ａｇ薄膜層の膜厚は５０オン
グストロームであることが確認された。
【００３４】この積層体の４端子法により測定した表面
抵抗は５Ω／□であった。また、実施例１と同様、表層
である第２の非晶質複合酸化物層の抵抗率は５．７×１
０-4Ω・ｃｍであると予想された。この導電性積層体の
光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は８９％であ
った。得られた導電性積層体のエッチング性を実施例１
と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに要した
浸漬時間は１分であり、このことから当該導電性積層体
のエッチング性は良好であることが確認された。また、
この導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同様にし
て調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４０℃）
に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（５Ω／□）から
０．２Ω／□増えただけの５．２Ω／□であり、このこ
とから当該導電性積層体の耐アルカリ性は良好であるこ
とが確認された。
抵抗は５Ω／□であった。また、実施例１と同様、表層
である第２の非晶質複合酸化物層の抵抗率は５．７×１
０-4Ω・ｃｍであると予想された。この導電性積層体の
光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は８９％であ
った。得られた導電性積層体のエッチング性を実施例１
と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに要した
浸漬時間は１分であり、このことから当該導電性積層体
のエッチング性は良好であることが確認された。また、
この導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同様にし
て調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４０℃）
に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（５Ω／□）から
０．２Ω／□増えただけの５．２Ω／□であり、このこ
とから当該導電性積層体の耐アルカリ性は良好であるこ
とが確認された。
【００３５】実施例３ まず、透明基板としてコーニング社製のガラス基板（＃
７０５９）を用意し、このガラス基板の一主表面にＩｎ
2 Ｏ3 −Ｇａ2 Ｏ3 系複合酸化物からなる第１の複合酸
化物層をＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成
した。このとき、スパッタリングターゲットとしてはＩ
ｎ2 Ｏ3 とＧａ2 Ｏ3 とからなる焼結体（ＩｎとＧａの
モル比はＩｎ／Ｇａ＝２）を用い、スパッタリング時の
真空度は１×１０-3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと
酸素ガスとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ
出力は１００Ｗ、基板温度は２０℃、スパッタリング時
間は７．５分とした。次に、スパッタリングターゲット
としてＡｇを用い、スパッタリング時の真空度１×１０
-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０
％）、ＲＦ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリン
グ時間１分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを
行い、上記第１の複合酸化物層上にＡｇ薄膜層を形成し
た。最後に、上記第１の複合酸化物層の形成と同条件で
ＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、上記のＡｇ薄
膜層上にＩｎ2 Ｏ3 −Ｇａ2 Ｏ3 系複合酸化物からなる
第２の複合酸化物層を形成した。
７０５９）を用意し、このガラス基板の一主表面にＩｎ
2 Ｏ3 −Ｇａ2 Ｏ3 系複合酸化物からなる第１の複合酸
化物層をＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成
した。このとき、スパッタリングターゲットとしてはＩ
ｎ2 Ｏ3 とＧａ2 Ｏ3 とからなる焼結体（ＩｎとＧａの
モル比はＩｎ／Ｇａ＝２）を用い、スパッタリング時の
真空度は１×１０-3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと
酸素ガスとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ
出力は１００Ｗ、基板温度は２０℃、スパッタリング時
間は７．５分とした。次に、スパッタリングターゲット
としてＡｇを用い、スパッタリング時の真空度１×１０
-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０
％）、ＲＦ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリン
グ時間１分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを
行い、上記第１の複合酸化物層上にＡｇ薄膜層を形成し
た。最後に、上記第１の複合酸化物層の形成と同条件で
ＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、上記のＡｇ薄
膜層上にＩｎ2 Ｏ3 −Ｇａ2 Ｏ3 系複合酸化物からなる
第２の複合酸化物層を形成した。
【００３６】上述のようにしてガラス基板の一主表面上
に第１の複合酸化物層、Ａｇ薄膜層および第２の複合酸
化物層を順次積層することで目的とする積層体が得ら
れ、同時に目的とする透明基板が得られた。このように
して得られた積層体では、ＸＲＤ測定結果よりＡｇのピ
ークしか認められず、第１の複合酸化物層および第２の
質複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＧａ2 Ｏ3 とからな
る非晶質複合酸化物によって形成されていることがわか
った。また、積層膜のＩＣＰ測定結果より、いずれの非
晶質複合酸化物層においても全金属元素に占めるＩｎの
割合は６６．７モル％であった。さらに、ＡＥＳデプス
プロファイルによる測定結果から、第１の非晶質複合酸
化物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚は共に３
００オングストローム、Ａｇ薄膜層の膜厚は５０オング
ストロームであることが確認された。
に第１の複合酸化物層、Ａｇ薄膜層および第２の複合酸
化物層を順次積層することで目的とする積層体が得ら
れ、同時に目的とする透明基板が得られた。このように
して得られた積層体では、ＸＲＤ測定結果よりＡｇのピ
ークしか認められず、第１の複合酸化物層および第２の
質複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＧａ2 Ｏ3 とからな
る非晶質複合酸化物によって形成されていることがわか
った。また、積層膜のＩＣＰ測定結果より、いずれの非
晶質複合酸化物層においても全金属元素に占めるＩｎの
割合は６６．７モル％であった。さらに、ＡＥＳデプス
プロファイルによる測定結果から、第１の非晶質複合酸
化物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚は共に３
００オングストローム、Ａｇ薄膜層の膜厚は５０オング
ストロームであることが確認された。
【００３７】この積層体の４端子法により測定した表面
抵抗は６Ω／□であった。また、第１の非晶質複合酸化
物層の成膜後にその表面抵抗を測定したところ３９０Ω
／□であり、その膜厚３００オングストロームから計算
した抵抗率が１．２×１０-3Ω・ｃｍであることより、
導電性積層体の表層である第２の非晶質複合酸化物層の
抵抗率も１．２×１０-3Ω・ｃｍであると予想された。
この導電性積層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透
過率）は８８％であった。得られた導電性積層体のエッ
チング性を実施例１と同様にして調べたところ、導通が
なくなるのに要した浸漬時間は１分であり、このことか
ら当該導電性積層体のエッチング性は良好であることが
確認された。また、この導電性積層体の耐アルカリ性を
実施例１と同様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％
溶液（液温４０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の
値（６Ω／□）から０．２Ω／□増えただけの６．２Ω
／□であり、このことから当該導電性積層体の耐アルカ
リ性は良好であることが確認された。
抵抗は６Ω／□であった。また、第１の非晶質複合酸化
物層の成膜後にその表面抵抗を測定したところ３９０Ω
／□であり、その膜厚３００オングストロームから計算
した抵抗率が１．２×１０-3Ω・ｃｍであることより、
導電性積層体の表層である第２の非晶質複合酸化物層の
抵抗率も１．２×１０-3Ω・ｃｍであると予想された。
この導電性積層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透
過率）は８８％であった。得られた導電性積層体のエッ
チング性を実施例１と同様にして調べたところ、導通が
なくなるのに要した浸漬時間は１分であり、このことか
ら当該導電性積層体のエッチング性は良好であることが
確認された。また、この導電性積層体の耐アルカリ性を
実施例１と同様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％
溶液（液温４０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の
値（６Ω／□）から０．２Ω／□増えただけの６．２Ω
／□であり、このことから当該導電性積層体の耐アルカ
リ性は良好であることが確認された。
【００３８】実施例４ まず、透明基板としてコーニング社製のガラス基板（＃
７０５９）を用意し、このガラス基板の一主表面にＩｎ
2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系複合酸化物からなる第１の複合酸化
物層をＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成し
た。このとき、スパッタリングターゲットとしてはＩｎ
2 Ｏ3 とＳｎＯ2 とからなる焼結体（ＩｎとＳｎのモル
比はＩｎ／Ｓｎ＝２）を用い、スパッタリング時の真空
度は１×１０-3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素
ガスとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力
は１００Ｗ、基板温度は２０℃、スパッタリング時間は
７．５分とした。次に、スパッタリングターゲットとし
てＡｇを用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3To
rr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、Ｒ
Ｆ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１
分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、上
記第１の複合酸化物層上にＡｇ薄膜層を形成した。最後
に、上記第１の複合酸化物層の形成と同条件でＲＦマグ
ネトロンスパッタリングを行い、上記のＡｇ薄膜層上に
Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系複合酸化物からなる第２の複合
酸化物層を形成した。
７０５９）を用意し、このガラス基板の一主表面にＩｎ
2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系複合酸化物からなる第１の複合酸化
物層をＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成し
た。このとき、スパッタリングターゲットとしてはＩｎ
2 Ｏ3 とＳｎＯ2 とからなる焼結体（ＩｎとＳｎのモル
比はＩｎ／Ｓｎ＝２）を用い、スパッタリング時の真空
度は１×１０-3Torr、雰囲気ガスはアルゴンガスと酸素
ガスとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力
は１００Ｗ、基板温度は２０℃、スパッタリング時間は
７．５分とした。次に、スパッタリングターゲットとし
てＡｇを用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3To
rr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、Ｒ
Ｆ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１
分の条件でＲＦマグネトロンスパッタリングを行い、上
記第１の複合酸化物層上にＡｇ薄膜層を形成した。最後
に、上記第１の複合酸化物層の形成と同条件でＲＦマグ
ネトロンスパッタリングを行い、上記のＡｇ薄膜層上に
Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系複合酸化物からなる第２の複合
酸化物層を形成した。
【００３９】上述のようにしてガラス基板の一主表面上
に第１の複合酸化物層、Ａｇ薄膜層および第２の複合酸
化物層を順次積層することで目的とする積層体が得ら
れ、同時に目的とする透明基板が得られた。このように
して得られた積層体では、ＸＲＤ測定結果よりＡｇのピ
ークしか認められず、第１の複合酸化物層および第２の
複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 とからなる非
晶質複合酸化物によって形成されていることがわかっ
た。また、積層膜のＩＣＰ測定結果より、いずれの非晶
質複合酸化物層においても全金属元素に占めるＩｎの割
合は６６．７モル％であった。さらに、ＡＥＳデプスプ
ロファイルによる測定結果から、第１の非晶質複合酸化
物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚は共に３０
０オングストローム、Ａｇ薄膜層の膜厚は５０オングス
トロームであることが確認された。
に第１の複合酸化物層、Ａｇ薄膜層および第２の複合酸
化物層を順次積層することで目的とする積層体が得ら
れ、同時に目的とする透明基板が得られた。このように
して得られた積層体では、ＸＲＤ測定結果よりＡｇのピ
ークしか認められず、第１の複合酸化物層および第２の
複合酸化物層は共にＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 とからなる非
晶質複合酸化物によって形成されていることがわかっ
た。また、積層膜のＩＣＰ測定結果より、いずれの非晶
質複合酸化物層においても全金属元素に占めるＩｎの割
合は６６．７モル％であった。さらに、ＡＥＳデプスプ
ロファイルによる測定結果から、第１の非晶質複合酸化
物層および第２の非晶質複合酸化物層の膜厚は共に３０
０オングストローム、Ａｇ薄膜層の膜厚は５０オングス
トロームであることが確認された。
【００４０】この積層体の４端子法により測定した表面
抵抗は６．２Ω／□であった。また、第１の非晶質複合
酸化物層の成膜後にその表面抵抗を測定したところ１８
０Ω／□であり、その膜厚３００オングストロームから
計算した抵抗率が５．４×１０-4Ω・ｃｍであることよ
り、導電性積層体の表層である第２の非晶質複合酸化物
層の抵抗率も５．４×１０-4Ω・ｃｍであると予想され
た。この導電性積層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光
の透過率）は８９％であった。得られた導電性積層体の
エッチング性を実施例１と同様にして調べたところ、導
通がなくなるのに要した浸漬時間は１分であり、このこ
とから当該導電性積層体のエッチング性は良好であるこ
とが確認された。また、この導電性積層体の耐アルカリ
性を実施例１と同様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗ
ｔ％溶液（液温４０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬
前の値（６．２Ω／□）から０．１Ω／□変化しただけ
の６．１Ω／□であり、このことから当該導電性積層体
の耐アルカリ性は良好であることが確認された。
抵抗は６．２Ω／□であった。また、第１の非晶質複合
酸化物層の成膜後にその表面抵抗を測定したところ１８
０Ω／□であり、その膜厚３００オングストロームから
計算した抵抗率が５．４×１０-4Ω・ｃｍであることよ
り、導電性積層体の表層である第２の非晶質複合酸化物
層の抵抗率も５．４×１０-4Ω・ｃｍであると予想され
た。この導電性積層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光
の透過率）は８９％であった。得られた導電性積層体の
エッチング性を実施例１と同様にして調べたところ、導
通がなくなるのに要した浸漬時間は１分であり、このこ
とから当該導電性積層体のエッチング性は良好であるこ
とが確認された。また、この導電性積層体の耐アルカリ
性を実施例１と同様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗ
ｔ％溶液（液温４０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬
前の値（６．２Ω／□）から０．１Ω／□変化しただけ
の６．１Ω／□であり、このことから当該導電性積層体
の耐アルカリ性は良好であることが確認された。
【００４１】実施例５ 透明基板としてポリカーボネートフィルム（厚さ１００
μｍ）を用いた以外は実施例２と同様にして目的とする
積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。なお、
第１の複合酸化物層、金属薄膜層（Ａｇ薄膜層）および
第２の複合酸化物層はいずれも実施例２と同条件で形成
した。このようにして得られた積層体では、実施例２で
得た導電性積層体と同様に、ＸＲＤ測定結果より第１の
複合酸化物層および第２の複合酸化物層は共にＩｎ2Ｏ
3 とＺｎＯとからなる非晶質複合酸化物によって形成さ
れていることがわかった。また、積層膜のＩＣＰ測定結
果より、いずれの非晶質複合酸化物層においても全金属
元素に占めるＩｎの割合は６６．７モル％であった。さ
らに、ＡＥＳデプスプロファイルによる測定結果から、
第１の非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化
物層の膜厚は共に３００オングストローム、Ａｇ薄膜層
の膜厚は５０オングストロームであることが確認され
た。
μｍ）を用いた以外は実施例２と同様にして目的とする
積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。なお、
第１の複合酸化物層、金属薄膜層（Ａｇ薄膜層）および
第２の複合酸化物層はいずれも実施例２と同条件で形成
した。このようにして得られた積層体では、実施例２で
得た導電性積層体と同様に、ＸＲＤ測定結果より第１の
複合酸化物層および第２の複合酸化物層は共にＩｎ2Ｏ
3 とＺｎＯとからなる非晶質複合酸化物によって形成さ
れていることがわかった。また、積層膜のＩＣＰ測定結
果より、いずれの非晶質複合酸化物層においても全金属
元素に占めるＩｎの割合は６６．７モル％であった。さ
らに、ＡＥＳデプスプロファイルによる測定結果から、
第１の非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複合酸化
物層の膜厚は共に３００オングストローム、Ａｇ薄膜層
の膜厚は５０オングストロームであることが確認され
た。
【００４２】この積層体の４端子法により測定した表面
抵抗は５．３Ω／□であった。また、表層である第２の
非晶質複合酸化物層の抵抗率は、実施例２と同様に５．
７×１０-4Ω・ｃｍであると予想された。この導電性積
層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は８７
％であった。得られた導電性積層体のエッチング性を実
施例１と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに
要した浸漬時間は１分であり、このことから当該導電性
積層体のエッチング性は良好であることが確認された。
また、この導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同
様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４
０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（５．３Ω
／□）から０．１Ω／□変化しただけの５．２Ω／□で
あり、このことから当該導電性積層体の耐アルカリ性は
良好であることが確認された。
抵抗は５．３Ω／□であった。また、表層である第２の
非晶質複合酸化物層の抵抗率は、実施例２と同様に５．
７×１０-4Ω・ｃｍであると予想された。この導電性積
層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は８７
％であった。得られた導電性積層体のエッチング性を実
施例１と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに
要した浸漬時間は１分であり、このことから当該導電性
積層体のエッチング性は良好であることが確認された。
また、この導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同
様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４
０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（５．３Ω
／□）から０．１Ω／□変化しただけの５．２Ω／□で
あり、このことから当該導電性積層体の耐アルカリ性は
良好であることが確認された。
【００４３】実施例６ 金属薄膜層としてＡｇとＡｕとからなる合金薄膜層（以
下、Ａｇ−Ａｕ合金薄膜層と表記する）を形成した以外
は実施例２と同様にして、ガラス基板（コーニング社製
のガラス基板（＃７０５９））の一主表面上に第１の複
合酸化物層、金属薄膜層（Ａｇ−Ａｕ合金薄膜層）およ
び第２の複合酸化物層を順次積層し、これにより目的と
する積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。な
お、第１の複合酸化物層および第２の複合酸化物層は共
に実施例２と同条件で形成し、Ａｇ−Ａｕ薄膜層はスパ
ッタリングターゲットとしてＡｇとＡｕとからなる合金
（Ａｇの含有量＝７０ｗｔ％）を用い、スパッタリング
時の真空度１×１０-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガス
（酸素濃度は０％）、ＲＦ出力５０Ｗ、基板温度２０
℃、スパッタリング時間１分の条件でＲＦマグネトロン
スパッタリングを行うことで形成した。
下、Ａｇ−Ａｕ合金薄膜層と表記する）を形成した以外
は実施例２と同様にして、ガラス基板（コーニング社製
のガラス基板（＃７０５９））の一主表面上に第１の複
合酸化物層、金属薄膜層（Ａｇ−Ａｕ合金薄膜層）およ
び第２の複合酸化物層を順次積層し、これにより目的と
する積層体を得、同時に目的とする透明基板を得た。な
お、第１の複合酸化物層および第２の複合酸化物層は共
に実施例２と同条件で形成し、Ａｇ−Ａｕ薄膜層はスパ
ッタリングターゲットとしてＡｇとＡｕとからなる合金
（Ａｇの含有量＝７０ｗｔ％）を用い、スパッタリング
時の真空度１×１０-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガス
（酸素濃度は０％）、ＲＦ出力５０Ｗ、基板温度２０
℃、スパッタリング時間１分の条件でＲＦマグネトロン
スパッタリングを行うことで形成した。
【００４４】このようにして得られた積層体では、実施
例２で得た導電性積層体と同様に、ＸＲＤ測定結果より
第１の複合酸化物層および第２の複合酸化物層は共にＩ
ｎ2Ｏ3 とＺｎＯとからなる非晶質複合酸化物によって
形成されていることがわかった。また、積層膜のＩＣＰ
測定結果より、いずれの非晶質複合酸化物層においても
全金属元素に占めるＩｎの割合は６６．７モル％であっ
た。さらに、ＡＥＳデプスプロファイルによる測定結果
から、第１の非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複
合酸化物層の膜厚は共に３００オングストローム、Ａｇ
−Ａｕ薄膜層の膜厚は５０オングストロームであること
が確認された。
例２で得た導電性積層体と同様に、ＸＲＤ測定結果より
第１の複合酸化物層および第２の複合酸化物層は共にＩ
ｎ2Ｏ3 とＺｎＯとからなる非晶質複合酸化物によって
形成されていることがわかった。また、積層膜のＩＣＰ
測定結果より、いずれの非晶質複合酸化物層においても
全金属元素に占めるＩｎの割合は６６．７モル％であっ
た。さらに、ＡＥＳデプスプロファイルによる測定結果
から、第１の非晶質複合酸化物層および第２の非晶質複
合酸化物層の膜厚は共に３００オングストローム、Ａｇ
−Ａｕ薄膜層の膜厚は５０オングストロームであること
が確認された。
【００４５】この積層体の４端子法により測定した表面
抵抗は５．３Ω／□であった。また、表層である第２の
非晶質複合酸化物層の抵抗率は、実施例２と同様に５．
７×１０-4Ω・ｃｍであると予想された。この導電性積
層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は８７
％であった。得られた導電性積層体のエッチング性を実
施例１と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに
要した浸漬時間は１分であり、このことから当該導電性
積層体のエッチング性は良好であることが確認された。
また、この導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同
様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４
０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（５．３Ω
／□）から０．１Ω／□変化しただけの５．２Ω／□で
あり、このことから当該導電性積層体の耐アルカリ性は
良好であることが確認された。
抵抗は５．３Ω／□であった。また、表層である第２の
非晶質複合酸化物層の抵抗率は、実施例２と同様に５．
７×１０-4Ω・ｃｍであると予想された。この導電性積
層体の光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は８７
％であった。得られた導電性積層体のエッチング性を実
施例１と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに
要した浸漬時間は１分であり、このことから当該導電性
積層体のエッチング性は良好であることが確認された。
また、この導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同
様にして調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４
０℃）に浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（５．３Ω
／□）から０．１Ω／□変化しただけの５．２Ω／□で
あり、このことから当該導電性積層体の耐アルカリ性は
良好であることが確認された。
【００４６】比較例１ 透明基板としてコーニング社製のガラス基板（＃７０５
９）を用意し、このガラス基板の一主表面に第１のＴｉ
Ｏ2 層、Ａｇ薄膜層および第２のＴｉＯ2 層を順次積層
することで積層体を得た。なお、第１のＴｉＯ2 層およ
び第２のＴｉＯ2 層はスパッタリングターゲットとして
ＴｉＯ2 を用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3
Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガ
ス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力１００Ｗ、基板
温度２０℃、スパッタリング時間５分の条件のＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法により形成し、これらの層の
膜厚は共に３００オングストロームであった。また、Ａ
ｇ薄膜層はスパッタリングターゲットとしてＡｇを用
い、スパッタリング時の真空度１×１０-3Torr、雰囲気
ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、ＲＦ出力５０
Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１分の条件の
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成し、その
膜厚は５０オングストロームであった。
９）を用意し、このガラス基板の一主表面に第１のＴｉ
Ｏ2 層、Ａｇ薄膜層および第２のＴｉＯ2 層を順次積層
することで積層体を得た。なお、第１のＴｉＯ2 層およ
び第２のＴｉＯ2 層はスパッタリングターゲットとして
ＴｉＯ2 を用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3
Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガ
ス（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力１００Ｗ、基板
温度２０℃、スパッタリング時間５分の条件のＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法により形成し、これらの層の
膜厚は共に３００オングストロームであった。また、Ａ
ｇ薄膜層はスパッタリングターゲットとしてＡｇを用
い、スパッタリング時の真空度１×１０-3Torr、雰囲気
ガス＝アルゴンガス（酸素濃度は０％）、ＲＦ出力５０
Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時間１分の条件の
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成し、その
膜厚は５０オングストロームであった。
【００４７】このようにして得られた積層体についてＸ
ＲＤ測定を行った結果、Ａｇのピークの他にＴｉＯ2 の
ピークが認められた。このことから、第１のＴｉＯ2 層
および第２のＴｉＯ2 層は結晶質であることが確認され
た。この積層体の表面抵抗を４端子法により測定したと
ころ、１１Ω／□であった。また、この導電性積層体の
光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は７３％であ
った。得られた導電性積層体のエッチング性を実施例１
と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに要した
浸漬時間は５分であり、このことから当該導電性積層体
のエッチング性は実施例１〜実施例６で得られた各導電
性積層体よりも大幅に劣ることが確認された。また、こ
の導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同様にして
調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４０℃）に
浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（１１Ω／□）から
５．９Ω／□も増えた１６．９Ω／□であり、このこと
から当該導電性積層体の耐アルカリ性は実施例１〜実施
例６で得られた各導電性積層体よりも大幅に劣ることが
確認された。
ＲＤ測定を行った結果、Ａｇのピークの他にＴｉＯ2 の
ピークが認められた。このことから、第１のＴｉＯ2 層
および第２のＴｉＯ2 層は結晶質であることが確認され
た。この積層体の表面抵抗を４端子法により測定したと
ころ、１１Ω／□であった。また、この導電性積層体の
光透過率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は７３％であ
った。得られた導電性積層体のエッチング性を実施例１
と同様にして調べたところ、導通がなくなるのに要した
浸漬時間は５分であり、このことから当該導電性積層体
のエッチング性は実施例１〜実施例６で得られた各導電
性積層体よりも大幅に劣ることが確認された。また、こ
の導電性積層体の耐アルカリ性を実施例１と同様にして
調べたところ、ＮａＯＨ５ｗｔ％溶液（液温４０℃）に
浸漬した後の表面抵抗は浸漬前の値（１１Ω／□）から
５．９Ω／□も増えた１６．９Ω／□であり、このこと
から当該導電性積層体の耐アルカリ性は実施例１〜実施
例６で得られた各導電性積層体よりも大幅に劣ることが
確認された。
【００４８】比較例２ 第１の複合酸化物層および第２の複合酸化物層として、
組成が本発明の限定範囲外の複合酸化物であるＴｉＯ2
−ＳｎＯ2 系複合酸化物の層を形成した以外は実施例２
と同様にして、ガラス基板（コーニング社製のガラス基
板（＃７０５９））の一主表面上に第１の複合酸化物
層、Ａｇ薄膜層および第２の複合酸化物層を順次積層
し、これにより積層体を得た。なお、第１の複合酸化物
層および第２の複合酸化物層はスパッタリングターゲッ
トとしてＴｉＯ2 とＳｎＯ2 とからなる焼結体（Ｔｉと
Ｓｎのモル比はＴｉ／Ｓｎ＝２）を用い、スパッタリン
グ時の真空度１×１０-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガ
スと酸素ガスとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、
ＲＦ出力１００Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時
間７．５分の条件のＲＦマグネトロンスパッタリング法
により形成し、これらの層の膜厚はＡＥＳ測定結果より
共に３００オングストロームであった。また、Ａｇ薄膜
層は実施例２と同条件で形成し、その膜厚は５０オング
ストロームである。このようにして得られた積層体の表
面抵抗を４端子法により測定したところ、２ＭΩ／□以
上と極めて高かった。なお、この積層体の光透過率（波
長５５０ｎｍの光の透過率）は８０％であった。
組成が本発明の限定範囲外の複合酸化物であるＴｉＯ2
−ＳｎＯ2 系複合酸化物の層を形成した以外は実施例２
と同様にして、ガラス基板（コーニング社製のガラス基
板（＃７０５９））の一主表面上に第１の複合酸化物
層、Ａｇ薄膜層および第２の複合酸化物層を順次積層
し、これにより積層体を得た。なお、第１の複合酸化物
層および第２の複合酸化物層はスパッタリングターゲッ
トとしてＴｉＯ2 とＳｎＯ2 とからなる焼結体（Ｔｉと
Ｓｎのモル比はＴｉ／Ｓｎ＝２）を用い、スパッタリン
グ時の真空度１×１０-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガ
スと酸素ガスとの混合ガス（酸素濃度は０．２８％）、
ＲＦ出力１００Ｗ、基板温度２０℃、スパッタリング時
間７．５分の条件のＲＦマグネトロンスパッタリング法
により形成し、これらの層の膜厚はＡＥＳ測定結果より
共に３００オングストロームであった。また、Ａｇ薄膜
層は実施例２と同条件で形成し、その膜厚は５０オング
ストロームである。このようにして得られた積層体の表
面抵抗を４端子法により測定したところ、２ＭΩ／□以
上と極めて高かった。なお、この積層体の光透過率（波
長５５０ｎｍの光の透過率）は８０％であった。
【００４９】比較例３ 透明基板としてコーニング社製のガラス基板（＃７０５
９）を用意し、このガラス基板の一主表面に第１のＩＴ
Ｏ層（全金属元素に占めるＩｎの割合は、積層膜のＩＣ
Ｐ測定結果より、本発明の限定範囲外である９５モル
％）、Ａｇ薄膜層および第２のＩＴＯ層（全金属元素に
占めるＩｎの割合は、第１のＩＴＯ層同様、本発明の限
定範囲外である９５モル％）を順次積層することで積層
体を得た。なお、第１のＩＴＯ層および第２のＩＴＯ層
はスパッタリングターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2 ＝
５ｗｔ％，全金属元素に占めるＩｎの割合＝９５モル
％）を用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3Tor
r、雰囲気ガス＝アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス
（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力１００Ｗ、基板温
度２０℃、スパッタリング時間５分の条件のＲＦマグネ
トロンスパッタリング法により形成し、これらの層の膜
厚は積層体のＡＥＳ測定結果より共に３００オングスト
ロームであった。また、Ａｇ薄膜層はスパッタリングタ
ーゲットとしてＡｇを用い、スパッタリング時の真空度
１×１０-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度
は０％）、ＲＦ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタ
リング時間１分の条件のＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法により形成し、その膜厚は積層体のＡＥＳ測定結果
より５０オングストロームであった。
９）を用意し、このガラス基板の一主表面に第１のＩＴ
Ｏ層（全金属元素に占めるＩｎの割合は、積層膜のＩＣ
Ｐ測定結果より、本発明の限定範囲外である９５モル
％）、Ａｇ薄膜層および第２のＩＴＯ層（全金属元素に
占めるＩｎの割合は、第１のＩＴＯ層同様、本発明の限
定範囲外である９５モル％）を順次積層することで積層
体を得た。なお、第１のＩＴＯ層および第２のＩＴＯ層
はスパッタリングターゲットとしてＩＴＯ（ＳｎＯ2 ＝
５ｗｔ％，全金属元素に占めるＩｎの割合＝９５モル
％）を用い、スパッタリング時の真空度１×１０-3Tor
r、雰囲気ガス＝アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス
（酸素濃度は０．２８％）、ＲＦ出力１００Ｗ、基板温
度２０℃、スパッタリング時間５分の条件のＲＦマグネ
トロンスパッタリング法により形成し、これらの層の膜
厚は積層体のＡＥＳ測定結果より共に３００オングスト
ロームであった。また、Ａｇ薄膜層はスパッタリングタ
ーゲットとしてＡｇを用い、スパッタリング時の真空度
１×１０-3Torr、雰囲気ガス＝アルゴンガス（酸素濃度
は０％）、ＲＦ出力５０Ｗ、基板温度２０℃、スパッタ
リング時間１分の条件のＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法により形成し、その膜厚は積層体のＡＥＳ測定結果
より５０オングストロームであった。
【００５０】このようにして得られた積層体についてＸ
ＲＤ測定を行った結果、Ａｇのピークの他にＩＴＯのピ
ークが認められた。このことから、第１のＩＴＯ層およ
び第２のＩＴＯ層は結晶質であることが確認された。こ
の積層体の表面抵抗を４端子法により測定したところ、
１２Ω／□であった。また、この導電性積層体の光透過
率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は７５％であった。
得られた導電性積層体のエッチング性を実施例１と同様
にして調べたところ、導通がなくなるのに要した浸漬時
間は５分であり、このことから当該導電性積層体のエッ
チング性は実施例１〜実施例６で得られた各導電性積層
体よりも大幅に劣ることが確認された。
ＲＤ測定を行った結果、Ａｇのピークの他にＩＴＯのピ
ークが認められた。このことから、第１のＩＴＯ層およ
び第２のＩＴＯ層は結晶質であることが確認された。こ
の積層体の表面抵抗を４端子法により測定したところ、
１２Ω／□であった。また、この導電性積層体の光透過
率（波長５５０ｎｍの光の透過率）は７５％であった。
得られた導電性積層体のエッチング性を実施例１と同様
にして調べたところ、導通がなくなるのに要した浸漬時
間は５分であり、このことから当該導電性積層体のエッ
チング性は実施例１〜実施例６で得られた各導電性積層
体よりも大幅に劣ることが確認された。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性積
層体はエッチング性および耐アルカリ性に優れている。
したがって、本発明によればエッチング法により精細な
パターンに成形することが容易で、かつエッチングの前
後で導電性の変化が小さい導電性積層体およびこの導電
性積層体を利用した導電性透明基板が提供される。
層体はエッチング性および耐アルカリ性に優れている。
したがって、本発明によればエッチング法により精細な
パターンに成形することが容易で、かつエッチングの前
後で導電性の変化が小さい導電性積層体およびこの導電
性積層体を利用した導電性透明基板が提供される。
Claims (8)
- 【請求項１】 膜厚１００〜１０００オングストローム
の第１の非晶質複合酸化物層の上に膜厚１０〜５０オン
グストロームの金属薄膜層と膜厚１００〜１０００オン
グストロームの第２の非晶質複合酸化物層とが順次積層
されてなる層構成を有し、前記第１の非晶質複合酸化物
層および前記第２の非晶質複合酸化物層が共にＩｎ酸化
物とＳｎ，ＧａおよびＺｎからなる群より選択された１
種または複数種の金属の酸化物とからなる複合酸化物で
あって、全金属元素に占めるＩｎの割合が５５〜８０モ
ル％であるものからなり、前記金属薄膜層がＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡｌからなる群より選択された１
種または複数種からなることを特徴とする導電性積層
体。 - 【請求項２】 金属薄膜層がＡｇ薄膜層またはＡｇとＡ
ｕとの合金薄膜層である、請求項１に記載の導電性積層
体。 - 【請求項３】 表層の非晶質複合酸化物層の抵抗率が１
×１０2 Ω・ｃｍ以下である、請求項１または請求項２
に記載の導電性積層体。 - 【請求項４】 波長５５０ｎｍの光の透過率が８０〜９
０％である、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の導
電性積層体。 - 【請求項５】 透明基板と、この透明基板の所定面上に
直接またはアンダーコート層を介して形成された導電性
積層体とを備え、前記導電性積層体が膜厚１００〜１０
００オングストロームの第１の非晶質複合酸化物層の上
に膜厚１０〜５０オングストロームの金属薄膜層と膜厚
１００〜１０００オングストロームの第２の非晶質複合
酸化物層とを順次積層してなる層構成を有するととも
に、前記第１の非晶質複合酸化物層および前記第２の非
晶質複合酸化物層が共にＩｎ酸化物とＳｎ，Ｇａおよび
Ｚｎからなる群より選択された１種または複数種の金属
の酸化物とからなる複合酸化物であって、全金属元素に
占めるＩｎの割合が５５〜８０モル％であるものからな
り、前記金属薄膜層がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｔおよびＡ
ｌからなる群より選択された１種または複数種からなる
ことを特徴とする導電性透明基板。 - 【請求項６】 金属薄膜層がＡｇ薄膜層またはＡｇとＡ
ｕとの合金薄膜層である、請求項５に記載の導電性透明
基板。 - 【請求項７】 導電性積層体における表層の抵抗率が１
×１０2 Ω・ｃｍ以下である、請求項５または請求項６
に記載の導電性透明基板。 - 【請求項８】 導電性積層体における波長５５０ｎｍの
光の透過率が８０〜９０％である、請求項５〜請求項７
のいずれかに記載の導電性透明基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11781594A JP3725908B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 導電性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11781594A JP3725908B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 導電性積層体 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005239255A Division JP3850865B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | 導電性積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07325313A true JPH07325313A (ja) | 1995-12-12 |
| JP3725908B2 JP3725908B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=14720950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11781594A Expired - Lifetime JP3725908B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 導電性積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251161A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 表示素子用基板 |
| WO1998004406A1 (fr) * | 1996-07-26 | 1998-02-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicule conductrice transparente et procede pour former une electrode transparente |
| US6040056A (en) * | 1996-06-07 | 2000-03-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent electrically conductive film-attached substrate and display element using it |
| JP2003077352A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toppan Printing Co Ltd | 導電パターン膜の製造方法 |
| KR100406442B1 (ko) * | 2001-05-17 | 2003-11-19 | 한국과학기술연구원 | 파장선택형 다층 구조의 투명 도전막 |
| JP2006334787A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fts Corporation:Kk | 透明断熱積層体とその製造方法 |
| US7245341B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| JP2008226581A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター |
| US7534500B2 (en) * | 2001-10-05 | 2009-05-19 | Bridgestone Corporation | Transparent electroconductive film, method for manufacture thereof, and touch panel |
| US9513747B2 (en) | 2010-11-04 | 2016-12-06 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and touch panel |
| KR20220100856A (ko) | 2019-11-15 | 2022-07-18 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 적층 구조체 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6409588B2 (ja) * | 2015-01-21 | 2018-10-24 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP11781594A patent/JP3725908B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6221520B1 (en) | 1996-07-26 | 2001-04-24 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and process for forming a transparent electrode |
| US6465117B2 (en) | 1996-07-26 | 2002-10-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and process for forming a transparent electrode |
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| US7245341B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US8963417B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-02-24 | Sony Corporation | Organic light emitting device, display unit, and device comprising a display unit |
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| US9513747B2 (en) | 2010-11-04 | 2016-12-06 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and touch panel |
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