JP6409588B2 - 透明導電体及びタッチパネル - Google Patents

Description

本開示は、透明導電体及びこれを用いたタッチパネルに関する。

透明導電体は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、及びエレクトロルミネッセンスパネル（有機ＥＬ、無機ＥＬ）などのディスプレイ、並びに、太陽電池などの透明電極として使用されている。また、これらの他に、電磁波遮断膜及び赤外線防止膜等にも使用されている。透明導電体における金属酸化物層の材料としては、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）に錫（Ｓｎ）を添加したＩＴＯが広く用いられている。

近年、スマートフォン及びタブレット端末等、タッチパネルを備えた端末が急速に普及している。これらは、液晶パネルの上にタッチセンサー部を設け、最表面にカバーガラスを備えた構成を有している。タッチセンサー部は、ガラス又はフィルム基材の片面、或いは両面にスパッタリングでＩＴＯ膜を成膜したものを、１枚又は２枚貼り合わせて構成される。

タッチパネルの大型化とタッチセンサー機能の高精度化に伴い、高透過率を有するとともに低抵抗である透明導電体が求められている。ＩＴＯ膜を用いた透明導電体の抵抗を低くするためには、ＩＴＯ膜の膜厚を厚くする、又は、熱アニールによりＩＴＯ膜の結晶化を行う必要がある。しかし、ＩＴＯ膜を厚膜化すると透過率が低下してしまう。また、フィルム基材を高温で熱アニールすることは通常困難である。このため、フィルム基材上に設けたＩＴＯ膜の場合、高い透過率を維持しつつ抵抗を低くすることは難しい状況にあった。

このような事情の下、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物層と金属層との積層構造を有する透明導電膜が提案されている（例えば、特許文献１）。

特開平９−２９１３５５号公報

タッチパネル等の用途では、透明導電膜を導電部分と絶縁部分とにパターニングを行いタッチした位置の検出を行う。このため、金属酸化物層と金属層との積層構造を有する透明導電体においては、金属酸化物層と金属層とは、エッチングで一括して除去可能であることが求められる。しかしながら、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物層と金属層との積層構造においては、金属酸化物層と金属層とをエッチングで一括して除去することが難しいという事情があった。

そこで、本開示では、主成分として酸化亜鉛を含有する金属酸化物層と金属層との積層構造を有する透明導電体において、金属酸化物層と金属層とを容易にパターニングすることが可能な透明導電体を提供する。また、本開示では、そのような透明導電体を用いることによって、容易に製造することが可能なタッチパネルを提供する。

本発明は、一つの側面において、透明樹脂基材、第１の金属酸化物層、銀合金を含む金属層、及び第２の金属酸化物層がこの順で積層されており、第２の金属酸化物層は、主成分としてＺｎＯを含有し、副成分としてＩｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含有し、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が１２ｍｏｌ％以下である透明導電体を提供する。

このような透明導電体は、最表面を構成する第２の金属酸化物層と、銀合金を含む金属層と、を備える積層構造を有する。この第２の金属酸化物層と金属層とは、エッチングによって一括して容易に除去される。また、高い透明性、高い導電性、及び優れた耐腐食性を有する透明導電体とすることができる。したがって、タッチパネル等のエッチングが必要な用途に好適に用いることができる。

幾つかの実施形態では、第２の金属酸化物層において、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＺｎＯの含有量は７２〜８５ｍｏｌ％であってもよい。上記５成分の合計に対するＩｎ_２Ｏ_３の含有量が４〜１３ｍｏｌ％であってもよい。上記５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が３〜１２ｍｏｌ％であってもよい。上記５成分の合計に対するＧａ_２Ｏ_３の含有量が３〜９ｍｏｌ％であってもよい。上記５成分の合計に対するＧｅＯ_２の含有量が３〜１２ｍｏｌ％であってもよい。上述の割合でＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含有することによって、第２の金属酸化物層の透明性、導電性、耐腐食性及びエッチング性を十分に高くすることができる。

また、幾つかの実施形態では、第２の金属酸化物層は所定の結晶性を有していても良い。このことにより、第２の金属酸化物層はエッチング性に加えてアルカリ耐性を有する。湿式法による透明導電膜のパターニングプロセスにおいては、レジストを用いてパターン形成し、最後にレジスト剥離を行うが、このレジスト剥離ではアルカリ溶液を用いる。よって、湿式法にてパターニングを行うには、金属酸化物層は、酸に溶解してエッチング可能なことと、アルカリには溶解しないアルカリ耐性の両立することが望ましい。

幾つかの実施形態では、第１の金属酸化物層は、主成分としてＺｎＯを含有し、副成分としてＩｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含有し、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が１２ｍｏｌ％以下であってもよい。これによって、第１の金属酸化物層、第２の金属酸化物層及び金属層を、エッチングによって一括して容易に除去することができる。また、高い透明性、高い導電性、及び優れた耐腐食性を有する透明導電体とすることができる。

幾つかの実施形態では、金属層の厚みが４〜１１ｎｍであってもよい。これにより、透明導電体の透明性を十分に高くしつつ、表面抵抗を低くすることができる。幾つかの実施形態では、銀合金が、Ａｇと、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｉｎ，Ｓｎ及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属との合金であってもよい。

本発明は、別の側面において、パネル板の上にセンサフィルムを有するタッチパネルであって、センサフィルムが上述の透明導電体で構成されるタッチパネルを提供する。このようなタッチパネルは、上述の透明導電体で構成されるセンサフィルムを有することから、容易に製造することができる。

本開示によれば、主成分として酸化亜鉛を含有する金属酸化物層と金属層との積層構造を有する透明導電体において、金属酸化物層と金属層とを容易にパターニングすることが可能な透明導電体を提供することができる。また、本開示では、そのような透明導電体を用いることによって、容易に製造することが可能なタッチパネルを提供することができる。

図１は、透明導電体の一実施形態を模式的に示す断面図である。 図２は、透明導電体の別の実施形態を模式的に示す断面図である。 図３は、タッチパネルの一実施形態における断面の一部を拡大して示す模式断面図である。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、タッチパネルの一実施形態を構成するセンサフィルムの平面図である。

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではない。なお、図面において同一又は同等の要素には同一の符号を付し、場合により重複する説明は省略する。

図１は、透明導電体の一実施形態を示す模式断面図である。透明導電体１００は、フィルム状の透明樹脂基材１０と、第１の金属酸化物層１２と、金属層１６と、第２の金属酸化物層１４とがこの順に配置された積層構造を有する。

本明細書における「透明」とは、可視光が透過することを意味しており、光をある程度散乱してもよい。光の散乱度合いについては、透明導電体１００の用途によって要求されるレベルが異なる。一般に半透明といわれるような光の散乱があるものも、本明細書における「透明」の概念に含まれる。光の散乱度合いは小さい方が好ましく、透明性は高い方が好ましい。透明導電体１００全体の全光線透過率は、例えば８０％以上であり、好ましくは８３％以上であり、より好ましくは８５％以上である。この全光線透過率は、積分球を用いて求められる、拡散透過光を含む透過率であり、市販のヘイズメーターを用いて測定される。

透明樹脂基材１０としては、特に限定されず、可撓性を有する有機樹脂フィルムであってもよい。有機樹脂フィルムは有機樹脂シートであってもよい。有機樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルム、ポリエチレン及びポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、ノルボルネンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、並びにトリアセチルセルロースフィルム等が挙げられる。これらのうち、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルムが好ましい。

透明樹脂基材１０は、剛性の観点からは厚い方が好ましい。一方、透明樹脂基材１０は、透明導電体１００を薄膜化する観点からは薄い方が好ましい。このような観点から、透明樹脂基材１０の厚みは、例えば１０〜２００μｍである。透明樹脂基材１０の屈折率は、光学特性に優れる透明導電体とする観点から、例えば１．５０〜１．７０である。なお、本明細書における屈折率は、λ＝６３３ｎｍ、温度２０℃の条件下で測定される値である。

透明樹脂基材１０は、加熱時の寸法安定性が高いことが好ましい。一般に、可撓性の有機樹脂フィルムはフィルム作製過程において、加熱によって膨張又は収縮による寸法変化を生じる。１軸延伸又は２軸延伸では、低コストで厚みが薄い透明樹脂基材１０を作製することができる。引出し電極を形成する際に、透明導電体１００を加熱すると、熱収縮することによって寸法変化が生じる。このような寸法変化は、ＡＳＴＭ Ｄ１２０４−０２又はＪＩＳ−Ｃ−２１５１に準拠して測定することができる。加熱処理前後の寸法変化率は、加熱前の寸法をＬｏ、加熱後の寸法をＬとしたとき、以下の式で求められる。
寸法変化率（％）＝１００×（Ｌ−Ｌｏ）／Ｌｏ

寸法変化率（％）がプラスの場合は、加熱処理によって膨張したことを表し、マイナスの場合は、加熱処理によって収縮したことを表す。２軸延伸された透明樹脂基材１０の寸法変化率は、延伸時の進行方向（ＭＤ方向）と横方向（ＴＤ方向）の両方において測定することができる。透明樹脂基材１０の寸法変化率は、例えばＭＤ方向にて−１．０〜−０．３％、ＴＤ方向にて−０．１〜＋０．１％である。

透明樹脂基材１０は、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、及びオゾン処理からなる群より選ばれる少なくとも一つの表面処理が施されたものであってもよい。透明樹脂基材１０は、樹脂フィルムであってもよい。樹脂フィルムを用いることによって、透明導電体１００を柔軟性に優れたものとすることができる。これによって、タッチパネル用途の透明導電体に限らず、フレキシブルな有機ＥＬ照明等の透明電極用、又は電磁波シールドとしても用いることできる。

例えば、透明導電体１００を、タッチパネルを構成するセンサフィルムとして用いる場合、指及びペン等の外部入力に対して適度に変形できるように、透明樹脂基材１０は可撓性を有する有機樹脂フィルムを用いてもよい。

第２の金属酸化物層１４は、酸化物を含む透明の層であり、主成分としてＺｎＯを含有し、副成分としてＩｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含み、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が１２ｍｏｌ％以下である。ここでいう主成分とは、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分において、モル基準の含有量が最も多い成分である。副成分とは、上記５成分のうち、主成分ではない成分である。第２の金属酸化物層１４は、主成分としてＺｎＯを含有することから経済性に優れる。また、ＩＴＯを用いずに、高い導電性と高い透明性を兼ね備えた第２の金属酸化物層１４を形成することができる。このため、熱アニールを行わずとも、低い表面抵抗を有する第２の金属酸化物層１４とすることができる。

ここで、第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量は、エッチング性を十分に高くする観点から、１２ｍｏｌ％以下であり、好ましくは１０ｍｏｌ％以下である。また、第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量は、保存安定性を十分に高くする観点から、好ましくは３ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは４ｍｏｌ％以上である。ＴｉＯ_２の含有量が多すぎると、第２の金属酸化物層１４と金属層１６との積層構造のエッチングが不可能となる。また、抵抗値も悪化する。一方、ＴｉＯ_２の含有量が少なすぎると、上記の積層構造の保存安定性が低下する。

第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＺｎＯの含有量は、透過率と導電性とを十分に高くする観点から、例えば７２ｍｏｌ％以上であり、好ましくは７５ｍｏｌ％以上である。第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＺｎＯの含有量は、保存安定性を十分に高くする観点から、例えば８５ｍｏｌ％以下であり、好ましくは８２ｍｏｌ％以下である。ＺｎＯの含有量が多すぎると、高温高湿環境下で保存した場合に、白濁が発生しやすくなる傾向にある。一方、ＺｎＯの含有量が少なすぎると、透過率及び導電性が低下する傾向にある。

第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＩｎ_２Ｏ_３の含有量は、表面抵抗を十分に低くしつつ透過率を十分に高くする観点から、例えば１３ｍｏｌ％以下であり、好ましくは１１ｍｏｌ％以下である。第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＩｎ_２Ｏ_３の含有量は、保存安定性を十分に高くする観点から、例えば４ｍｏｌ％以上であり、好ましくは６ｍｏｌ％以上である。Ｉｎ_２Ｏ_３の含有量が多すぎると、表面抵抗が高くなる傾向、及び透過率が低下する傾向にある。一方、Ｉｎ_２Ｏ_３の含有量が少なすぎると、高温高湿環境下で保存した場合に、白濁が発生しやすくなるとともに表面抵抗が高くなる傾向にある。

第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＧａ_２Ｏ_３の含有量は、表面抵抗を十分に低くしつつ透過率を十分に高くする観点から、例えば９ｍｏｌ％以下であり、好ましくは７ｍｏｌ％以下である。第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＧａ_２Ｏ_３の含有量は、保存安定性を十分に高くする観点から、例えば３ｍｏｌ％以上であり、好ましくは３．５ｍｏｌ％以上である。Ｇａ_２Ｏ_３の含有量が多すぎると、表面抵抗が高くなる傾向にある。一方、Ｇａ_２Ｏ_３の含有量が少なすぎると、高温高湿環境下で保存した場合に、白濁が発生しやすくなるとともに表面抵抗が高くなる傾向にある。

第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＧｅＯ_２の含有量は、表面抵抗を十分に低くしつつ透過率を十分に高くする観点から、例えば１２ｍｏｌ％以下であり、好ましくは１０ｍｏｌ％以下である。第２の金属酸化物層１４において、上記５成分の合計に対するＧｅＯ_２の含有量は、保存安定性を十分に高くする観点から、例えば３ｍｏｌ％以上であり、好ましくは３．５ｍｏｌ％以上である。ＧｅＯ_２の含有量が多すぎると、表面抵抗が高くなる傾向、及び透過率が低下する傾向にある。一方、ＧｅＯ_２の含有量が少なすぎると、高温高湿環境下に保存した場合に、表面抵抗が高くなる傾向にある。

第２の金属酸化物層１４は所定の結晶性を有していることが好ましい。所定の結晶性を有していることで、第２の金属酸化物層はエッチング性に加えてアルカリ耐性を有する。第２の金属酸化物層１４の結晶性は、形成された第２の金属酸化物層１４の薄膜についてＸ線回折（ＸＲＤ）分析を行うことにより得られ、本発明における所定の結晶性とは、ＺｎＯに起因するＸＲＤの回折ピークのピーク強度を、第２の金属酸化物層１４の薄膜の膜厚（ｎｍ単位）で除した値が、５０以上となる結晶性をいう。この値が５０を下回る低い結晶性の第２の金属酸化物層１４では、十分なアルカリ耐性を示さない。

第２の金属酸化物層１４は、光学特性の調整、金属層１６の保護、及び導電性の確保といった機能を兼ね備える。第２の金属酸化物層１４は、その機能を大きく損なわない範囲で、上記５成分の他に、微量成分又は不可避的成分を含んでいてもよい。ただし、十分に高い特性を有する透明導電体１００とする観点から、第２の金属酸化物層１４における該５成分の合計の割合は高い方が好ましい。その割合は、例えば９５ｍｏｌ％以上であり、好ましくは９７ｍｏｌ％以上である。また、第２の金属酸化物層１４は、ＩＴＯを含まないことが好ましい。

第１の金属酸化物層１２と、第２の金属酸化物層１４とは、厚み、構造及び組成の点で、同一であってもよく、異なっていてもよい。第２の金属酸化物層１４の組成に関する記載は、第１の金属酸化物層１２にも、そのまま適用することができる。第１の金属酸化物層１２が、第２の金属酸化物層１４と同一の組成を有することによって、第１の金属酸化物層１２、金属層１６、及び第２の金属酸化物層１４を、エッチングによって一括して除去することができる。また、透明性、及び、耐腐食性をさらに高くすることができる。

第１の金属酸化物層１２は、第２の金属酸化物層１４とは異なる組成を有していてもよい。この場合、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６のみをエッチングして除去し、第１の金属酸化物層１２をそのまま残存させることができる。なお、第１の金属酸化物層１２についても所定の結晶性を有していることが好ましい。

第１の金属酸化物層１２及び第２の金属酸化物層１４の厚さは、種々のタッチパネルに適した厚さとする観点から、例えば１０〜７０ｎｍである。

第１の金属酸化物層１２及び第２の金属酸化物層１４は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はＣＶＤ法などの真空成膜法によって作製することができる。これらのうち、成膜室を小型化できる点、及び、成膜速度が速い点で、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、ＤＣマグネトロンスパッタリングが挙げられる。ターゲットとしては、酸化物ターゲット、金属又は半金属ターゲットを用いることができる。

第２の金属酸化物層１４の上には配線電極等が設けられてもよい。後述する金属層１６を導通する電流は、第２の金属酸化物層１４の上に設けられる配線電極等から、第２の金属酸化物層１４を経由して、導かれる。このため、第２の金属酸化物層１４は、高い導電性を有することが好ましい。このような観点から、第２の金属酸化物層１４単膜での表面抵抗値は、例えば１．０×１０^＋７Ω／□（＝１．０Ｅ＋７Ω／ｓｑ．）以下であることが好ましく、５．０×１０^＋６Ω／□以下であることがより好ましい。

金属層１６は、主成分として銀合金を含む層である。金属層１６が高い導電性を有することによって、透明導電体１００の表面抵抗を十分に低くすることができる。銀合金を構成する金属元素としては、Ａｇと、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＳｂから選ばれる少なくとも１種と、が挙げられる。銀合金の例としては、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ、及びＡｇ−Ｓｎ−Ｓｂが挙げられる。

金属層１６は、銀合金の他に、添加物を含有していてもよい。添加物は、エッチング液によって容易に除去されるものであることが好ましい。金属層１６における銀合金の含有量は、例えば９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよい。金属層１６の厚さは、例えば１〜３０ｎｍである。透明導電体１００の表面抵抗を十分に低くしつつ全光線透過率を十分に高くする観点から、金属層１６の厚さは好ましくは４〜１１ｎｍである。金属層１６の厚さが大きすぎると全光線透過率が低下する傾向にある。一方、金属層１６の厚さが小さすぎると表面抵抗が高くなる傾向がある。

金属層１６は、透明導電体１００の全光線透過率及び表面抵抗を調整する機能を有している。金属層１６は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はＣＶＤ法などの真空成膜法によって作製することができる。これらのうち、成膜室を小型化できる点、及び成膜速度が速い点で、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、ＤＣマグネトロンスパッタリングが挙げられる。ターゲットとしては、金属ターゲットを用いることができる。

透明導電体１００における第１の金属酸化物層１２及び第２の金属酸化物層１４の少なくとも一部、及び、金属層１６の少なくとも一部は、エッチング等によって除去されていてもよい。

図２は、透明導電体の別の実施形態を示す模式断面図である。透明導電体１０１は、透明樹脂基材１０を挟むようにして一対のハードコート層２０を備える点で、透明導電体１００と異なっている。その他の構成は、透明導電体１００と同様である。

透明導電体１０１は、一対のハードコート層２０として、透明樹脂基材１０の第１の金属酸化物層１２側の主面上に第１のハードコート層２２と、透明樹脂基材１０の第１の金属酸化物層１２側とは反対側の主面上に第２のハードコート層２４とを備える。すなわち、透明導電体１０１は、第２のハードコート層２４、透明樹脂基材１０、第１のハードコート層２２、第１の金属酸化物層１２、金属層１６及び第２の金属酸化物層１４がこの順に積層された積層構造を有している。第１のハードコート層２２と第２のハードコート層２４の厚み、構造及び組成は、同一であってもよく異なっていてもよい。また、必ずしも第１のハードコート層２２と第２のハードコート層２４の両方を備える必要はなく、どちらか一方のみを備えていてもよい。

ハードコート層２０を設けることによって、透明樹脂基材１０に発生する傷を十分に抑制することができる。ハードコート層２０は、樹脂組成物を硬化させて得られる樹脂硬化物を含有する。樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物、紫外線硬化性樹脂組成物、及び電子線硬化性樹脂組成物から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂、及びメラミン系樹脂から選ばれる少なくとも一種を含んでもよい。

樹脂組成物は、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基等のエネルギー線反応性基を有する硬化性化合物を含む組成物である。なお、（メタ）アクリロイル基なる表記は、アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を含む意味である。硬化性化合物は、１つの分子内に２つ以上、好ましくは３つ以上のエネルギー線反応性基を含む多官能モノマー又はオリゴマーを含んでいることが好ましい。

硬化性化合物は、好ましくはアクリル系モノマーを含有する。アクリル系モノマーとしては、具体的には、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、及び３−（メタ）アクリロイルオキシグリセリンモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。ただし、必ずしもこれらに限定されるものではない。例えば、ウレタン変性アクリレート、及びエポキシ変性アクリレート等も挙げられる。

硬化性化合物として、ビニル基を有する化合物を用いてもよい。ビニル基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ヒドロキノンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、及び、ジトリメチロールプロパンポリビニルエーテル等が挙げられる。ただし、必ずしもこれらに限定されるものではない。

樹脂組成物は、硬化性化合物を紫外線によって硬化させる場合、光重合開始剤を含む。光重合開始剤としては、種々のものを用いることができる。例えば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、及びチオキサントン系等の公知の化合物から適宜選択すればよい。より具体的には、ダロキュア１１７３、イルガキュア６５１、イルガキュア１８４、イルガキュア９０７（以上商品名、チバスペシャルティケミカルズ社製）、及び、ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓ（商品名、日本化薬（株）製）が挙げられる。

光重合開始剤は、硬化性化合物の質量に対して、０．０１〜２０質量％、又は０．５〜５質量％程度とすればよい。樹脂組成物は、アクリル系モノマーに光重合開始剤を加えた公知のものであってもよい。アクリル系モノマーに光重合開始剤を加えたものとしては、例えば、紫外線硬化型樹脂であるＳＤ−３１８（商品名、大日本インキ化学工業（株）製）、及び、ＸＮＲ５５３５（商品名、長瀬産業（株）製）等が挙げられる。

樹脂組成物は、塗膜の強度を高めること、及び／又は、屈折率を調整すること等のために、有機微粒子及び／又は無機微粒子を含んでいてもよい。有機微粒子としては、例えば、有機珪素微粒子、架橋アクリル微粒子、及び架橋ポリスチレンン微粒子等が挙げられる。無機微粒子としては、例えば、酸化珪素微粒子、酸化アルミニウム微粒子、酸化ジルコニウム微粒子、酸化チタン微粒子、及び酸化鉄微粒子等が挙げられる。これらのうち、酸化珪素微粒子が好ましい。

微粒子は、その表面がシランカップリング剤で処理され、（メタ）アクリロイル基、及び／又はビニル基等のエネルギー線反応性基が表面に膜状に存在しているものも好ましい。このような反応性を有する微粒子を用いると、エネルギー線照射の際に、微粒子同士が反応したり、微粒子と多官能モノマー又はオリゴマーとが反応したりして、膜の強度を強くすることができる。（メタ）アクリロイル基を含有するシランカップリング剤で処理された酸化珪素微粒子が好ましく用いられる。

微粒子の平均粒径は、ハードコート層２０の厚みよりも小さく、十分な透明性を確保する観点から、１００ｎｍ以下であってもよく、２０ｎｍ以下であってもよい。一方、コロイド溶液の製造上の観点から、５ｎｍ以上であってもよく、１０ｎｍ以上であってもよい。有機微粒子及び／又は無機微粒子を用いる場合、有機微粒子及び無機微粒子の合計量は、硬化性化合物１００質量部に対して、例えば５〜５００質量部であってもよく、２０〜２００質量部であってもよい。

エネルギー線で硬化する樹脂組成物を用いると、紫外線等のエネルギー線を照射することによって、樹脂組成物を硬化させることができる。したがって、このような樹脂組成物を用いることが製造工程上の観点からも好ましい。

第１のハードコート層２２は、樹脂組成物の溶液又は分散液を、透明樹脂基材１０の一方面上に塗布して乾燥し、樹脂組成物を硬化させて作製することができる。この際の塗布は、公知の方法により行うことができる。塗布方法としては、例えば、エクストルージョンノズル法、ブレード法、ナイフ法、バーコート法、キスコート法、キスリバース法、グラビアロール法、ディップ法、リバースロール法、ダイレクトロール法、カーテン法、及びスクイズ法などが挙げられる。第２のハードコート層２４も、第１のハードコート層２２と同様にして、透明樹脂基材１０の他方面上に作製することができる。

第１のハードコート層２２及び第２のハードコート層２４の厚みは、例えば０．５〜１０μｍである。厚みが１０μｍを超えると、厚みムラやシワなどが生じ易くなる傾向にある。一方、厚みが０．５μｍを下回ると、透明樹脂基材１０中に可塑剤又はオリゴマー等の低分子量成分が相当量含まれている場合に、これらの成分のブリードアウトを十分に抑制することが困難になる場合がある。なお、反りを抑制する観点から、第１のハードコート層２２及び第２のハードコート層２４の厚みは、同程度にすることが好ましい。

第１のハードコート層２２及び第２のハードコート層２４の屈折率は、例えば１．４０〜１．６０である。透明樹脂基材１０と第１のハードコート層２２の屈折率の差の絶対値が０．１以下であること好ましい。透明樹脂基材１０と第２のハードコート層２４の屈折率の差の絶対値も０．１以下であること好ましい。第１のハードコート層２２及び第２のハードコート層２４と透明樹脂基材１０との屈折率の差の絶対値を小さくすることで、第１のハードコート層２２及び第２のハードコート層２４の厚みのムラによって発生する干渉ムラの強度を抑制することができる。

透明導電体１００，１０１を構成する各層の厚みは、以下の手順で測定することができる。集束イオンビーム装置（ＦＩＢ，Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によって透明導電体１００，１０１を切断して断面を得る。透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて当該断面を観察し、各層の厚みを測定する。測定は、任意に選択された１０箇所以上の位置で測定を行い、その平均値を求めることが好ましい。断面を得る方法として、集束イオンビーム装置以外の装置としてミクロトームを用いてもよい。厚みを測定する方法としては、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてもよい。また蛍光Ｘ線装置を用いても膜厚を測定することが可能である。

透明導電体１００，１０１の厚みは、２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以下であってもよい。このような厚みであれば、薄化の要求レベルを十分に満足することができる。透明導電体１００，１０１の全光線透過率は、例えば８５％以上もの高い値とすることができる。また、透明導電体１００，１０１の表面抵抗値（４端子法）は、第１の金属酸化物層１２及び第２の金属酸化物層１４の熱アニールをしなくても、例えば３０Ω／□以下にすることが可能であり、２５Ω／□以下にすることもできる。

上述の構成を備える透明導電体１００，１０１は、第１の金属酸化物層１２、金属層１６及び第２の金属酸化物層１４が積層された積層構造を有する。この積層構造は、通常のエッチング液を用いて、容易に一括して除去することができる。また、高い透過率を有するとともに、熱アニールを行わなくても高い導電性を有する。このため、タッチパネルのセンサフィルム用として好適に用いることができる。

図３は、一対のセンサフィルムを備えるタッチパネル２００の断面の一部を拡大して示す模式断面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、上述の透明導電体１００を用いたセンサフィルム１００ａ及び１００ｂの平面図である。タッチパネル２００は、光学のり１８を介して対向配置される一対のセンサフィルム１００ａ，１００ｂを備える。タッチパネル２００は、接触体のタッチ位置を、画面となるパネル板７０に平行な二次元座標（Ｘ−Ｙ座標）平面における座標位置（横方向位置と縦方向位置）として算出することが可能なように構成されている。

具体的には、タッチパネル２００は、光学のり１８を介して貼り合わせられた、縦方向位置検出用のセンサフィルム１００ａ（以下、「Ｙ用センサフィルム」と言う）と、横方向位置検出用のセンサフィルム１００ｂ（以下、「Ｘ用センサフィルム」と言う）とを備える。Ｘ用センサフィルム１００ｂの下面側には、Ｘ用センサフィルム１００ｂと、表示装置のパネル板７０との間に、スペーサ９２が設けられている。

Ｙ用センサフィルム１００ａの上面側（パネル板７０側とは反対側）には、光学のり１７を介して、カバーグラス１９が設けられている。すなわち、タッチパネル２００は、パネル板７０の上に、パネル板７０側から、Ｘ用センサフィルム１００ｂ、Ｙ用センサフィルム１００ａ、及びカバーグラス１９がこの順に配置された積層構造を有する。

縦方向位置を検出するＹ用センサフィルム１００ａと、横方向位置を検出するＸ用センサフィルム１００ｂは、上述の透明導電体１００で構成される。Ｙ用センサフィルム１００ａ及びＸ用センサフィルム１００ｂは、カバーグラス１９と対向するように、導電部であるセンサ電極１５ａ及びセンサ電極１５ｂを有する。

このセンサ電極１５ａは、第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６で構成される。図４（Ａ）に示すように、センサ電極１５ａは、縦方向（ｙ方向）のタッチ位置を検出できるように、縦方向（ｙ方向）に複数本延在している。複数本のセンサ電極１５ａは、縦方向（ｙ方向）に沿って、互いに平行に並べて配置されている。センサ電極１５ａの一端は、銀ペーストで形成される導体線路５０を介して、駆動用ＩＣ側の電極８０と接続されている。

横方向位置を検出するＸ用センサフィルム１００ｂは、Ｙ用センサフィルム１００ａとの対向面に、センサ電極１５ｂを有する。このセンサ電極１５ｂは、第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６で構成される。図４（Ｂ）に示すように、センサ電極１５ｂは、横方向（ｘ方向）のタッチ位置を検出できるように、横方向（ｘ方向）に複数本延在している。複数本のセンサ電極１５ｂは、横方向（ｘ方向）に沿って、互いに平行に並べて配置されている。センサ電極１５ｂの一端は、銀ペーストで形成される導体線路５０を介して、駆動用ＩＣ側の電極８０と接続されている。

Ｙ用センサフィルム１００ａとＸ用センサフィルム１００ｂとは、Ｙ用センサフィルム１００ａとＸ用センサフィルム１００ｂとの積層方向からみたときに、それぞれのセンサ電極１５ａ，１５ｂが互いに直交するように、光学のり１８を介して重ね合わせられている。Ｙ用センサフィルム１００ａのＸ用センサフィルム１００ｂ側とは反対側には、光学のり１７を介してカバーグラス１９が設けられている。光学のり１７，１８、カバーグラス１９、及びパネル板７０は、通常のものを用いることができる。

図４（Ａ），（Ｂ）における導体線路５０及び電極８０は、金属（例えばＡｇ）等の導電性材料によって構成される。導体線路５０及び電極８０は、例えば、スクリーン印刷によってパターン形成される。

各センサフィルム１００ａ，１００ｂにおけるセンサ電極１５ａ，１５ｂの形状及び数は、図３、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す形態に限定されるものではない。例えば、センサ電極１５ａ，１５ｂの数を増やしてタッチ位置の検出精度を高めてもよい。

Ｘ用センサフィルム１００ｂのＹ用センサフィルム１００ａ側とは反対側には、スペーサ９２を介してパネル板７０が設けられる。スペーサ９２は、センサ電極１５ａ，１５ｂの形状に対応する位置と、センサ電極１５ａ，１５ｂの全体を取り囲む位置とに設けることができる。スペーサ９２は、透光性を有する材料、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂で形成されていてもよい。スペーサ９２の一端は、光学のり或いはアクリル系又はエポキシ系等の透光性を有する接着剤９０によって、Ｘ用センサフィルム１００ｂの下面に接着される。スペーサ９２の他端は、接着剤９０によって表示装置のパネル板７０に接着される。このように、スペーサ９２を介してＸ用センサフィルム１００ｂとパネル板７０とを対向配置することによって、Ｘ用センサフィルム１００ｂと表示装置のパネル板７０との間に隙間Ｓを設けることができる。

電極８０には、制御部（ＩＣ）が電気的に接続される。指先とタッチパネル２００のＹ用センサフィルム１００ａとの間における静電容量の変化によって生じる各センサ電極１５ａ，１５ｂの容量変化がそれぞれ測定される。制御部は、測定結果に基づいて接触体のタッチ位置を座標位置（Ｘ軸方向の位置とＹ軸方向の位置の交点）として算出することができる。なお、センサ電極の駆動方法、及び、座標位置の算出方法は、上述の他に、公知の各種の方法を採用することが可能である。

タッチパネル２００は以下の手順で製造することができる。透明導電体１００を準備した後、第１の金属酸化物層１２、金属層１６及び第２の金属酸化物層１４のエッチングを行って、パターニングを行う。具体的には、フォトリソグラフィーの技術を用いて第２の金属酸化物層１４の表面にスピンコーティングによりレジスト材料を塗布する。その後、密着性を向上させるためにプリベークを行ってもよい。続いて、マスクパターンを配置して露光し、現像液で現像することによって、レジストパターンを形成する。レジストパターンの形成は、フォトリソグラフィーに限定されず、スクリーン印刷等によって形成することも可能である。

次に、酸性のエッチング液に、レジストパターンを形成した透明導電体１００を浸漬し、レジストパターンが形成されていない部分における第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６を溶解除去する。その後、レジストを除去して、センサ電極１５ａが形成されたＹ用センサフィルム１００ａと、センサ電極１５ｂが形成されたＸ用センサフィルム１００ｂが得られる。

第１の金属酸化物層１２と第２の金属酸化物層１４とを異なる組成とし、第１の金属酸化物層１２はエッチングで除去されない組成にすれば、金属層１６と第２の金属酸化物層１４とを一括エッチングし、第１の金属酸化物層１２をエッチング後もそのまま残存させることも可能である。エッチング液としては、無機酸系のエッチング液を用いることができる。例えば、リン酸系のエッチング液が好適である。

続いて、例えば銀合金ペーストなどの金属ペーストを塗布して、導体線路５０及び電極８０を形成する。このようにして、制御部（図示せず）とセンサ電極１５ａ，１５ｂとが電気的に接続される。次に、Ｙ用センサフィルム１００ａとＸ用センサフィルム１００ｂを、光学のり１８を用いて、それぞれのセンサ電極１５ａ，１５ｂが同一方向に向くようにして貼り合わせる。この場合、Ｙ用センサフィルム１００ａとＸ用センサフィルム１００ｂの積層方向からみたときに、センサ電極１５ａ，１５ｂが互いに直行するように貼り合わせる。そして、光学のり１７を用いてカバーグラス１９とＹ用センサフィルム１００ａとを貼り合わせる。このようにして、タッチパネル２００を製造することができる。

タッチパネル２００は、Ｙ用センサフィルム１００ａ及びＸ用センサフィルム１００ｂとして、透明導電体１００を用いている。透明導電体１００は、エッチングによって第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６を一括して除去することができる。このため、タッチパネル２００の製造プロセスを簡略化して、タッチパネル２００を容易に製造することができる。

なお、Ｙ用センサフィルム１００ａ及びＸ用センサフィルム１００ｂの双方に、透明導電体１００を用いる必要はなく、どちらか一方は、別の透明導電体を用いてもよい。このようなタッチパネルであっても、表示を十分に鮮明にすることができる。また、センサフィルムとして、透明導電体１００ではなく、透明導電体１０１を用いてもよい。

このように、透明導電体１００，１０１は、タッチパネル用に好適に用いることができる。ただし、その用途はタッチパネルに限定されるものではなく、例えば、第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６をエッチングによって所定形状に加工して、第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６を有する部分（導電部）と、第１の金属酸化物層１２、第２の金属酸化物層１４及び金属層１６を有しない部分（非導電部）とを形成し、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンスパネル（有機ＥＬ、無機ＥＬ）、エレクトロクロミック素子、及び電子ペーパーなどの各種表示装置において、透明電極用、帯電防止用、電磁波シールド用として用いることができる。また、アンテナとして用いることもできる。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の透明導電体１０１は一対のハードコート層２０を有しているが、第１のハードコート層２２及び第２のハードコート層２４のどちらか一方のみを備えていてもよい。また、透明樹脂基材１０の一方面上にハードコート層を設け、他方面上に塗布により複数の光学調整層を設けてもよい。この場合、第１の金属酸化物層１２、金属層１６及び第２の金属酸化物層１４は、この光学調整層の上に設けてもよい。さらに、透明導電体１００，１０１には、その機能が大きく損なわれない範囲で、上述の層以外に任意の位置に任意の層を設けてもよい。

以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［実施例１〜１８］
（透明導電体１０１の作製）
図２に示すような透明導電体を作製した。透明導電体は、一対のハードコート層に挟まれた透明樹脂基材、第１の金属酸化物層、金属層及び第２の金属酸化物層がこの順で積層された積層構造を有している。各実施例の透明導電体を以下の要領で作製した。

厚さが１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ株式会社製、品番：Ｕ４８）を準備した。このＰＥＴフィルムを透明樹脂基材として用いた。第１のハードコート層、及び第２のハードコート層作製用の塗料を以下の手順で調製した。

まず、以下の原材料を準備した。
・反応性基装飾コロイダルシリカ（分散媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、不揮発分：４０重量％）：１００重量部
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：４８重量部
・１，６−ヘキサンジオールジアクリレート：１２重量部
・光重合開始剤（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン）：２．５重量部

上述の原材料を、溶剤（プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＡ））で希釈して混合し、各成分を溶剤中に分散させた。これによって、不揮発分（ＮＶ）が２５．５重量％の塗料を調整した。このようにして得られた塗料を、第１のハードコート層及び第２のハードコート層作製用の塗料として用いた。

透明樹脂基材の一方面上に、第１のハードコート層作製用の塗料を塗布して、塗布膜を作製した。８０℃に設定した熱風乾燥炉において塗布膜中の溶剤を除去した後、ＵＶ処理装置を用いて積算光量４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して塗布膜を硬化させた。このようにして、透明樹脂基材の一方面に、厚さ５μｍの第１のハードコート層を作製した。同様にして、透明樹脂基材の他方面上に、厚さ５μｍの第２のハードコート層を作製した。

第１のハードコート層上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによって、第１の金属酸化物層、金属層及び第２の金属酸化物層を順次形成した。第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層は、表１に示す組成を有するＺｎＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３−ＧｅＯ_２ターゲットを用いて形成した。それぞれの実施例における第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層は、同一組成を有するターゲットを用いて形成した。各実施例における第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層の組成は、表１に示すとおりであった。各実施例における第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層の厚さは５０ｎｍとした。

表１に示す全ての実施例において、金属層は、ＡｇＰｄＣｕ（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９９．０：０．５：０．５（質量％））ターゲットを用いて形成した。金属層１６の厚さは５ｎｍとした。

（透明導電体１０１の評価）
以下の手順でエッチング特性を評価した。まず、リン酸、酢酸、硝酸を含有するＰＡＮ系エッチング液を準備した。このエッチング液に各実施例の透明導電体を室温で１分間浸漬してエッチングを行った。その後、全光線透過率測定を行って、第１の金属酸化物層、金属層及び第２の金属酸化物層が溶解されているか否かを判定した。具体的には、エッチング後のサンプルの全光線透過率が、透明樹脂基材のみの全光線透過率と一致した場合は「Ａ」、一致しなかった場合は「Ｂ」と判定した。全光線透過率（透過率）は、ヘイズメーター（商品名：ＮＤＨ−７０００、日本電色工業社製）を用いて測定した。評価結果は表１に示すとおりであった。

各実施例の表面抵抗を、４端子抵抗率計（商品名：ロレスタＧＰ、三菱化学株式会社製）を用いて測定した。結果を表１に示す。表１中、「表面抵抗（１）」は、透明導電体を８５℃，８５％ＲＨ（相対湿度８５％）の環境下に５０時間保存する前の表面抵抗値であり、「表面抵抗（２）」は、上記環境下に保存した後の表面抵抗値である。

各実施例の透明導電体を８５℃，８５％ＲＨの環境下に保存した後、目視にて、保存安定性の評価を行った。透明導電体に白濁が見られた場合は「Ｂ」、見られなかった場合は「Ａ」と判定した。結果は表１に示すとおりであった。

表１に示すとおり、全ての実施例において、エッチング特性の評価は「Ａ」であった。このことから、実施例１〜１８の透明導電体における金属酸化物層及び金属層は、容易に除去できることが確認された。実施例１３，１４の透明導電体は、全光線透過率が最も高かったが、保存安定性の評価がＢであった。この保存安定性についても、それほど高いレベルの透明性が求められない、例えばノイズシート等の用途（例えば、ノイズシールド等）であれば、十分に使用可能な水準である。また、実施例１５、１６の透明導電体は、全光線透過率がやや低かったが、これは、Ｉｎ_２Ｏ_３の含有率が高めであったために、吸収率が増加したためである。しかし、この全光線透過率であれば、第２の金属酸化物層に配線電極を取り付けて導通させる必要がない用途では実用上問題とはならない。さらに、実施例１７、１８の透明導電体も、全光線透過率がやや低かったが、これは、ＧｅＯ_２の含有率が高めであったために、吸収率が増加したためである。

金属酸化物層の特性を評価するため、上述の手順と同様にして、金属酸化物層のみ（単層）のサンプルを作製した。このサンプルの評価を、上述の手順と同様にして行った。評価結果を表２に示す。なお、表２の吸収率は、分光器を用いて測定した透過率及び反射率の測定結果を用いて、１００−透過率―反射率＝吸収率の式で求めた値である。この吸収率は、波長３８０ｎｍにおける値である。

表２に示すとおり、各実施例の金属酸化物層は、吸収率が十分に低いことが確認された。また、ＺｎＯを主成分として含有しても、副成分としてＩｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含有し、所定のＴｉＯ_２含有率であることによって、エッチング特性及び導電性を向上できることが確認された。

［実施例１９〜２９］
金属層を作製する際のターゲットの組成を変えて、表３に示すとおり、金属層の組成を変更したこと、及び／又は、金属層の厚みを変更したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電体を作製した。すなわち、実施例１９〜２５では、金属層の厚みを変更した。実施例２６では、ＡｇＮｄＣｕ（Ａｇ：Ｎｄ：Ｃｕ＝９９．０：０．５：０．５（質量％））ターゲットを用いて金属層を形成した。実施例２７では、ＡｇＩｎＳｎ（Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｎ＝９９．０：０．５：０．５（質量％））ターゲットを用いて金属層を形成した。実施例２８では、ＡｇＳｎＳｂ（Ａｇ：Ｓｎ：Ｓｂ＝９９．０：０．５：０．５（質量％））ターゲットを用いて金属層を形成した。実施例２９では、ＡｇＣｕ（Ａｇ：Ｃｕ＝９９．５：０．５（質量％））ターゲットを用いて金属層を形成した。

作製した実施例１９〜２９の透明導電体の評価を、実施例１と同様にして行った。評価結果は表３に示すとおりであった。なお、実施例１９〜２９の金属酸化物層の組成及び厚みは、実施例１と同一である。

表３に示す結果から、いずれの実施例においても、エッチング特性の評価は「Ａ」であった。このことから、実施例１９〜２９の透明導電体における金属酸化物層及び金属層は、容易に除去できることが確認された。また、金属層の厚みが大きくなると、表面抵抗が小さくなる傾向、及び、全光線透過率が低下する傾向が確認された。また、銀合金がＰｄを含有する場合、保存安定性に特に優れることが確認された。

［実施例３０〜３２］
実施例３０においては、第１のハードコート層上にＤＣマグネトロンスパッタリングによって第１の金属酸化物層、金属層及び第２の金属酸化物層を順次形成する際に、第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層は、表４に示す組成を有するＺｎＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３−ＧｅＯ_２ターゲットを用いた以外は実施例１と同様とし、同様にスパッタリングガスはアルゴンのみを用いた。そして、実施例３１及び３２においては、第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層は、実施例３０と同一組成を有するターゲットを用いると共に、スパッタリングガスは、表４に示すようにアルゴンと酸素との混合ガスを用いて形成した。

各実施例における透明導電体について、以下の手順でアルカリ耐性を評価した。濃度３ｗｔ％のＫＯＨ溶液を準備した。このアルカリ溶液に各実施例の透明導電体を室温で２分間浸漬した。その後、全光線透過率測定を行って、第１の金属酸化物層、金属層及び第２の金属酸化物層が溶解されているか否かを判定した。具体的には、アルカリ溶液浸漬後のサンプルの全光線透過率が、浸漬前の全光線透過率と一致した場合は「Ａ」、一致しなかった場合は「Ｂ」と判定した。全光線透過率（透過率）は、ヘイズメーター（商品名：ＮＤＨ−７０００、日本電色工業社製）を用いて測定した。評価結果は表４に示すとおりであった。

また、実施例３０〜３２における第２の金属酸化物層と同様の単層の第２の金属酸化物層（厚さ７０ｎｍ）をそれぞれ用意し、ＺｎＯに起因する２θ＝３２．２ｄｅｇ付近のＸＲＤピーク強度を測定した。その測定結果、ＸＲＤピーク強度を第２の金属酸化物層で除した値、及びＸＲＤピークの半値幅を表４に示す。このように、所定の結晶性を有する金属酸化物を備えた透明導電体は、優れたエッチング性に加え、良好なアルカリ耐性を有していた。

［比較例１〜２］
第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を形成する際のターゲットとして、表５に示す組成を有するターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜２の透明導電体を作製した。それぞれの比較例において、第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層は、同一組成を有するターゲットを用いて形成した。各比較例における第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層の組成は、表５に示すとおりであった。各比較例の透明導電体の諸特性を、実施例１と同様にして評価した。結果は、表５に示すとおりであった。

表５に示すとおり、ＺｎＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２−Ｇａ_２Ｏ_３−ＧｅＯ_２の５成分を含有するが、ＴｉＯ_２の含有率が本願発明の範囲を外れる金属酸化物層を有する透明導電体は、十分にエッチングできないことが確認された。

本開示によれば、金属酸化物層と金属層を容易にパターニングすることが可能な透明導電体が提供される。また、本開示によれば、そのような透明導電体を用いることによって、容易に製造することが可能なタッチパネルが提供される。

１０…透明樹脂基材、１２…第１の金属酸化物層、１４…第２の金属酸化物層、１６…金属層、１５ａ，１５ｂ…センサ電極、２０…ハードコート層、２２…第１のハードコート層、２４…第２のハードコート層、５０…導体線路、７０…パネル板、８０…電極、９０…接着剤、９２…スペーサ、１００，１０１…透明導電体、１００ａ…Ｙ用センサフィルム、１００ｂ…Ｘ用センサフィルム、２００…タッチパネル。

Claims (7)

1. 透明樹脂基材、第１の金属酸化物層、銀合金を含む金属層、及び第２の金属酸化物層がこの順で積層されており、
   前記第２の金属酸化物層は、主成分としてＺｎＯを含有し、副成分としてＩｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含有し、
   ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が１２ｍｏｌ％以下である透明導電体。
2. 前記第２の金属酸化物層において、
   ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＺｎＯの含有量が７２〜８５ｍｏｌ％であり、
   前記５成分の合計に対するＩｎ_２Ｏ_３の含有量が４〜１３ｍｏｌ％であり、
   前記５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が３〜１２ｍｏｌ％であり、
   前記５成分の合計に対するＧａ_２Ｏ_３の含有量が３〜９ｍｏｌ％であり、
   前記５成分の合計に対するＧｅＯ_２の含有量が３〜１２ｍｏｌ％である、
   請求項１に記載の透明導電体。
3. 前記第２の金属酸化物層が所定の結晶性を有する請求項１又は２に記載の透明導電体。
4. 前記金属層の厚みが４〜１１ｎｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電体。
5. 前記第１の金属酸化物層は、主成分としてＺｎＯを含有し、副成分としてＩｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２を含有し、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３及びＧｅＯ_２の５成分の合計に対するＴｉＯ_２の含有量が１２ｍｏｌ％以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明導電体。
6. 前記銀合金が、Ａｇと、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｉｎ，Ｓｎ及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属との合金である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明導電体。
7. パネル板の上にセンサフィルムを有するタッチパネルであって、
   前記センサフィルムが請求項１〜６のいずれか一項に記載の透明導電体で構成されるタッチパネル。
   

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