CN108779552A - 抗静电膜和显示器输入装置 - Google Patents

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Abstract

一种抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，其含有In、Zn、Sn和O。

Description

抗静电膜和显示器输入装置
技术领域
本发明涉及具有透光性的抗静电膜和使用了它的显示器输入装置。
背景技术
智能手机、平板电脑或笔记本PC等之中，作为输入装置，广泛使用的是搭载有触控面板的显示器。作为搭载有触控面板的显示器，例如，可列举电阻膜式或静电容式，根据显示器的用途等选择。
在专利文献1中，提出有使用也作为触摸驱动或敏感电极起作用的含In-Cell黑色矩阵材料的In-Cell触摸传感器构成元件的显示器，或含On-Cell黑色矩阵材料的On-Cell触摸传感器构成元件的显示器(专利文献1)。
在专利文献2中，关于带In-Cell型的静电容式触摸传感器的液晶显示器，提出有经过简化的结构(专利文献2)。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特表2014－532192号公报
【专利文献2】日本特开2014－41603号公报
在静电容式的触控面板中，需要有用于防止显示器邻域的因低频噪声造成显示器的错误操作的抗静电功能、和能够透过充分量的显示器的光的透明(透光性)导电膜，即抗静电膜。抗静电膜的薄膜电阻过低时，存在作为触控面板的灵敏度(电容)的高频信号也被遮断的问题。这一问题在In-Cell型的触控面板中会更多地发生。因此，抗静电膜要求有大致1×107Ω/□以上的薄膜电阻。但是，专利文献1和2所公开的显示器中，没有对于上述的问题进行研究。
作为一般所使用的透明(透光性)导电膜，有ITO(In－Sn－O)薄膜，但实用膜厚的薄膜电阻为104Ω/□左右，具有高电阻的透明导电膜难以实现。
发明内容
本发明的实施方式着眼于上述的问题点，其目的在于，提供一种具有高薄膜电阻和高透射率(透光率)的抗静电膜。另外，其目的还在于，提供一种具备这样的抗静电膜的显示器输入装置。
本发明的实施方式的抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，含有In、Zn、Sn和O。
本发明的实施方式的抗静电膜，可以再含有从V、Mn、Co和Mo所构成的群中选择的至少一种。
本发明的实施方式的抗静电膜，在一侧的面设有滤色片的作为所述透光性构件的透明基板中，所述抗静电膜设于其另一侧的面。
本发明的实施方式的抗静电膜，薄膜电阻可以为1×107～1×1013Ω/□，在膜厚10nm下，波长450nm的光的透射率可以为82％以上。
本发明的实施方式的显示器输入装置，具备本发明的实施方式的抗静电膜。
本发明的实施方式的抗静电膜，具有高薄膜电阻和高透射率。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式中，实施方式的显示器输入装置的构成的分解立体图。
图2是示意性地表示本发明的实施方式中，实施方式的显示器输入装置的构成的分解立体图。
图3是表示本发明的实施方式中，实施方式的抗静电膜的薄膜电阻、与抗静电膜成膜时的载气的氧分压的关系的图解。
图4是表示本发明的实施方式中，实施方式的抗静电膜的薄膜电阻、与抗静电膜的膜厚的关系的图解。
图5是表示本发明的实施方式中，实施方式的抗静电膜的薄膜电阻、与抗静电膜成膜时的载气的氧分压的关系的图解。
图6是表示本发明的实施方式中，实施方式的抗静电膜的450nm的光的透射率、与抗静电膜成膜时的载气的氧分压的关系的图解。
具体实施方式
本发明的实施方式的抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，其中，含有In、Zn、Sn和O。以下，对于本发明的实施方式的抗静电膜进行详述。
＜1.抗静电膜＞
[抗静电膜的组成]
本发明的实施方式的抗静电膜，含有In、Zn、Sn和O。另外，本发明的实施方式的抗静电膜中，可以再含有从V、Mn、Co和Mo所构成的群中选择的至少一种。
以下对于各金属元素进行详述。
本说明书中，所谓金属元素的含量，意思是构成抗静电膜的金属元素在合计100原子％[at％]中的比例。
(1)In
In对于控制薄膜的载流子密度是有效的元素。在室温下成膜抗静电膜时，若薄膜的载流子密度低，则电阻容易增加，特别是溅射时的氧分压低，这一倾向变大。另外，薄膜的载流子密度越低，透射率越高，特别是红外区域的透射率越高。因此，通过调整In的含量，能够控制薄膜的载流子密度，能够使优异的透射率和薄膜电阻并立。
从恰当控制薄膜的载流子密度的观点出发，In的含量例如能够为21.2原子％。
(2)Zn
Zn是对湿蚀刻速率造成影响的元素，若Zn过少，则使用氧化物半导体加工用湿蚀刻液时的湿蚀刻速率变慢。从取得良好的湿蚀刻速率的观点出发，In的含量优选的下限为5原子％，更优选为15原子％。
另一方面，若Zn含量过多，则氧化物半导体加工用湿蚀刻液相应的湿蚀刻速率过快，有难以成为希望的图案形状的情况，因此Zn的含量优选的上限为55原子％，更优选为45原子％。
(3)Sn
Sn对于湿蚀刻耐受性提高是有效的元素。若Sn的含量过少，则湿蚀刻速度增加，对于抗静电膜进行湿法蚀刻时，抗氧化膜的膜厚的减少或对其表面的损伤增加，因此抗静电膜的薄膜电阻等的特性降低。另外氧化物半导体加工用湿蚀刻液相应的湿蚀刻性也变差。因此，Sn的含量优选的下限为8原子％，更优选为15原子％。
另一方面，若Sn的含量过多，则氧化物半导体加工用湿蚀刻液所对应的湿蚀刻速率降低(湿蚀刻性降低)。特别是其在作为氧化物半导体加工用湿蚀刻液通用的草酸等的有机酸中不溶，不能进行抗静电膜的加工。
另外，在室温下成膜抗静电膜时，若Sn的含量过多，则薄膜的载流子密度变低，由此容易电阻容易增加。特别是溅射时的氧分压低时，这一倾向变大。另外，薄膜的载流子密度越低，透射率越高，特别是在红外区域的透射率越高。
因此，Sn的含量优选的上限为40原子％，更优选为30原子％。
(4)V、Mn、Co和Mn
如后述，在抗静电膜的制造时，可知在载气中导入氧，调整载气中的氧分压，但所形成的抗静电膜的薄膜电阻，依存于溅射时的氧分压。
为了得到高薄膜电阻，有效的是提高氧分压。但是，氧分压高时，薄膜电阻会高于希望的值，薄膜电阻的控制困难。另一方面，氧分压低时，抗静电膜的薄膜电阻容易变动，因此与该变动相应的氧分压的调整困难。
V、Mn、Co和Mn，具有将用于得到高薄膜电阻所需要的氧分压降低的效果，薄膜电阻难以变动，氧分压的调整变得容易。因此，通过含有V、Mn、Co和Mn中的至少一种，能够更稳定地制造具有高薄膜电阻的抗静电膜。
从使氧分压降低，使氧分压易于调整的观点出发，V的含量优选的下限为0.2原子％，更优选为0.5原子％，优选的上限为5.0原子％，更优选为3.0原子％。
从同样的观点出发，Mn的含量优选的下限为0.5原子％，更优选为0.8原子％，优选的上限为6.0原子％，更优选为4.0原子％。
从同样的观点出发，Co的含量优选的下限为0.7原子％，更优选为1.0原子％，优选的上限为15原子％，更优选为12原子％。
从同样的观点出发，Mo的含量优选的下限为1.0原子％，更优选为2.0原子％，优选的上限为10.0原子％，更优选为8.0原子％。
另外，从既使氧分压易于调整，又得到高透射率的观点出发，更优选为V、Mn和Co。
本发明的实施方式的抗静电膜中，含有不可避免的杂质，会因原料、物资或制造设备等的状况而混入。作为不可避免的杂质，例如，可列举Fe、Ni、Ti、Mg、Cr和Zr等。不可避免的杂质的含量优选的上限为0.05wt％。
另外，从使高温高湿条件下的耐久性(耐环境性)良好的观点出发，优选调整抗静电膜的密度，抗静电膜的密度的优选的下限为5.5g/cm3，更优选为6.0g/cm3。
在本说明书中，所谓薄膜电阻，是使用电阻率计测量的值。
从使更良好的抗静电性和触控面板的灵敏度并立的观点出发，本发明的实施方式的抗静电膜的薄膜电阻的优选的下限为1×107Ω/□，更优选为1×108Ω/□，优选的上限为1×1013Ω/□，更优选为1×1012Ω/□。
膜厚可以通过段差计或截面观察测量。
从使更良好的透射率和薄膜电阻并立的观点出发，本发明的实施方式的抗静电膜的膜厚的优选的下限为10nm，更优选为15nm，优选的上限为50nm，更优选为40nm。
透射率(透光率)，是使用紫外分光光度计测量光谱反射率的值，是抗静电膜的透射光强度相对于标准反射镜的透射光强度的比率。
在抗静电膜中，膜厚10nm下的450nm的光的透射率的优选的下限为82％，更优选为90％，进一步优选为95％。通过测量450nm的光的透射率，能够评价显示器的透射率的特性。
本发明的实施方式的抗静电膜，因为具有高薄膜电阻和高透射率，所以可优选用于显示器，其发挥着优异的抗静电性，并且电磁屏蔽性也优异。另外，本发明的实施方式的抗静电膜，在制造工序中，蚀刻时残渣少，能够高效率地制造。
[抗静电膜的制造方法]
本发明的实施方式的抗静电膜，能够使用溅射靶，通过公知的溅射法，例如磁控管溅射法制造。
另外，在本发明的实施方式的抗静电膜中，构成抗静电膜的金属元素的组成，与用于该抗静电膜的成膜的溅射靶不同。例如，Zn的蒸气压与其他的金属元素相比来说较高，因此在成膜时的真空条件下，Zn比其他的金属元素更容易蒸发，抗静电膜中的Zn的比率，比用于成膜的溅射靶中的更小。因此，为了得到具有希望的组成的抗静电膜，可以适当调整溅射靶的组成。
以溅射法成膜抗静电膜时，希望保持真空状态连续地形成薄膜。这是由于，若成膜抗静电膜时曝露在大气中，则空气中的水分或有机成分附着在薄膜的表面，成为污染(品质不良)的原因。
以溅射法成膜时，优选适当控制成膜时的气压、气体中的氧添加量(氧分压)、对溅射靶的投入功率、基板温度、T－S间距(溅射靶与基板的距离)等。具体来说，例如，优选以下述溅射条件成膜。
以溅射法成膜时，优选将基板温度控制在室温～200℃左右，适当控制氧添加量而进行。
氧添加量(氧分压)，以能够得到作为抗静电膜优选的薄膜电阻和/或透射率，例如5.0×106～1×1014Ω/□的薄膜电阻和/或80％以上的透射率的方式，根据溅射装置的构成或溅射靶的组成等，对其加以适当控制即可。
另外，适当控制溅射成膜时的气压、对溅射靶的投入功率、TS间距(溅射靶与基板的距离)等，如上述，从使高温高湿条件下的耐久性(耐环境性)良好的观点出发，优选调整抗静电膜的密度。
为了得到上述这样的密度，例如成膜时的气压，优选大致在1～3mTorr的范围内。另外投入功率也越高越好，优选设定在大致200W以上。
另外，抗静电膜的密度根据成膜后的热处理条件也会受到影响，因此优选也适当控制成膜后的热处理条件。作为成膜后的热处理，可列举预退火处理(对于抗静电膜层进行湿蚀刻后的图案化后的热处理)，在大气气氛下或水蒸气气氛下，以120℃进行5分钟左右即可。
＜2.显示器输入装置＞
本发明的实施方式的抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，可用于任意的显示器，另外能够适用于具备触摸传感器的显示器输入装置。作为透光性构件，例如，可列举后述这样的透明基板等。
本发明的实施方式的显示器输入装置，具备本发明的实施方式的抗静电膜，此外还有后述这样的触摸传感器，由此可以通过使用者的指尖等进行显示器输入装置的操作。由于具备有着优异的抗静电性和透光率的该抗静电膜，该显示器输入装置，误操作少，且对于显示器的光具有优异的透射率。
还有，在以下的说明中参照的附图，在本发明的实施方式中，概略性地表示实施方式，因此存在各构件的比例、间隔和位置关系等夸张，或者，构件的一部分的图示被省略的情况。另外，在以下的说明中，对于相同的名称和符号，原则上表示相同或同质的构件，并适宜省略详细说明。
图1是示意性地表示本发明的实施方式中，实施方式的显示器输入装置100的构成的分解立体图。该显示器输入装置100是In-Cell型，触摸传感器4设于第一透明基板2与第二透明基板3之间。
另外，触摸传感器4设于第一透明基板2上。
抗静电膜1在设有滤色片5的第二透明基板3的相反侧的面上设置。
图2是示意性地表示本发明的实施方式中，实施方式的显示器输入装置100A的构成的分解立体图。该显示器输入装置100A是In-Cell型，触摸传感器4设于第一透明基板2与第二透明基板3之间。
另外，触摸传感器4与显示器输入装置100不同，设于液晶层6上。
抗静电膜1与显示器输入装置100不同，在设有触摸传感器4的第二透明基板3的相反侧的面上设置。
以下，对于各结构构件进行说明。
第一透明基板2是玻璃基板，设有TFT。
作为构成TFT的材料，例如，可列举In－Zn－Sn－O系氧化物半导体薄膜(IZTO)、In－Ga－Sn－O系氧化物半导体薄膜(IGTO)、In－Ga－Zn－Sn－O系氧化物半导体薄膜(IGZTO)、In－Ga－Zn－O系氧化物半导体薄膜(IGZO)、非晶硅或低温多晶硅等，可以根据显示器的构成或用途等适当选择。
滤色片5和液晶层6设于第一透明基板2的TFT上。
滤色片5例如可以使红色、绿色或蓝色的光透过而构成。作为液晶的种类，可以根据TN方式、VA方式、FFS方式或IPS方式等的液晶驱动方式而适当选择，但从得到大视场角的观点出发，更优选FFS方式或IPS方式。
第二透明基板3是玻璃基板，是设于滤色片5和液晶层6上的、与第一透明基板2对置的透明基板，在与该透明基板之间配置滤色片5和液晶层6，并形成显示器显示装置100的主体。
触摸传感器4是含有触摸驱动电极、介电层和触摸传感电极的静电容式，通过捕捉在与指尖等的导体之间的静电容量的变化，从而检测位置。
触摸传感器4可以像图1或图2所示的实施方式的显示器输入装置100和100A那样，配置在第一透明基板2与第二透明基板3之间，构成In-Cell型的显示器输入装置。另外，触摸传感器4，也可以根据显示器输入装置的构成，配置在第一透明基板2与第二透明基板3之间的外侧，构成On-Cell型的显示器输入装置。
除上述以外，显示器输入装置100，还含有偏振板7和背光8。
另外，显示器输入装置100和100A，根据其构成，可以包含适当配置的透明电极、取向膜、黑色矩阵、间隔件，绝缘膜、粘附层或薄膜层等，可以适当配置在各构成构件之间。
【实施例】
[实施例1]
(1)抗静电膜的制作
将具有In:Zn:Sn＝20.0原子％:56.6原子％:23.4原子％的组成的溅射靶，安装在アルバック社制DC磁控管溅射装置“CS200”的腔室内的电极上后，将室内的压力调整为1mTorr。接着，将载气(Ar和O2的混合气体，氧分压：O2/(O2+Ar)＝4％)导入腔室内，将室内的压力调整为2mTorr。其后，在室温下，向溅射靶外加DC300W的溅射功率，在玻璃基板(コーニング社制イーグルXG，直径2英寸×厚度0.7mm)上，制作膜厚40nm的表1的No.1的抗静电膜。
如表1这样使载气的氧分压在8～20％之间变化，除此以外，均与上述同样地制作No.2～6的抗静电膜。
(2)组成分析
通过ICP发光分析法，计算以金属元素的合计作为100原子％时的各金属元素的组成时，No.1～6的抗静电膜的组成均为In:Zn:Sn＝21.2原子％:54.7原子％:24.1原子％。
(3)热过程试验
使用三菱化学アナリテック社制电阻率计“ハイレスタUP”(型号：MCP－HT450，测量方式：环形电极方式)，测量上述(1)中得到的No.1～6的抗静电膜的薄膜电阻。
其后，以120℃进行5分钟的烘烤，施加相当于实际的制造工序的热过程，测量薄膜电阻。薄膜电阻的测量结果显示在表1中。另外，表示薄膜电阻与氧分压的关系的图解显示在图3中。
【表1】
如表1和图3所示，No.1～6的抗静电膜全部含有In、Zn、Sn、O，不管抗静电膜成膜时的载气的氧分压，无论在热过程试验前和热过程试验后，都具有薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□的优异的薄膜电阻。
另外，关于No.2～4的抗静电膜，薄膜电阻为8.0×108～8.4×1012Ω/□，能够使更良好的抗静电性和触控面板的灵敏度并立。
[实施例2]
(1)抗静电膜的制作
使氧分压为8％，除此以外，均与实施例1同样地制作表2所示的膜厚(10～40nm)的No.7～10的抗静电膜。
(2)组成分析
通过ICP发光分析法，计算以金属元素的合计作为100原子％时的各金属元素的组成时，No.7～9的抗静电膜的组成，均为In:Zn:Sn＝21.2原子％:54.7原子％:24.1原子％。
(3)热过程试验
与实施例1同样，测量上述(1)中得到的No.7～10的抗静电膜的薄膜电阻。
其后，以120℃进行5分钟的烘烤，施加相当于实际的制造工序的热过程，测量薄膜电阻。薄膜电阻的测量结果显示在表2中。另外，表示薄膜电阻与膜厚的关系的图解显示在图4中。
(4)对于抗蚀剂剥离工序的耐受性试验[耐受性试验1]
对于经上述(1)得到的No.7～10的抗静电膜，模拟实际的抗蚀剂剥离工序的条件，进行对于抗蚀剂剥离液的耐受性试验。
首先，对于经上述(1)得到的No.7～10的抗静电膜，以120℃进行5分钟的烘烤，模拟相当于实际的制造工序的热过程。
其后，将该抗静电膜，以70℃浸渍在东京应化社制抗蚀剂剥离液“TOK104”中10分钟。接着，水洗该抗静电膜5分钟，以120℃进行30分钟的烘烤。之后，冷却至常温，测量薄膜电阻。薄膜电阻的测量结果显示在表2中。另外，表示薄膜电阻与膜厚的关系的图解显示在图4中。
(5)对于蚀刻工序的耐受性试验[耐受性试验2]
对于由上述(1)得到的No.7～10的抗静电膜，模拟实际的蚀刻工序的条件，按下述的步骤，进行对于蚀刻液和抗蚀剂剥离液的耐受性试验。
首先，对于由上述(1)得到的No.7～9的抗静电膜，以120℃进行5分钟的烘烤，施加相当于实际的制造工序的热过程。
其后，在该抗静电膜上成膜Al电极，在蚀刻液(磷酸：70质量％，硝酸1.9质量％，醋酸：10质量％，水：18.1质量％)中以室温浸渍。浸渍时间为，Al电极全部被蚀刻的时间的120％的时间。
然后，将该抗静电膜，在东京应化社制抗蚀剂剥离液“TOK104”中，以80℃浸渍10分钟。接着，水洗该抗静电膜5分钟，以120℃进行30分钟的烘烤。其后，冷却至常温，测量薄膜电阻。薄膜电阻的测量结果显示在表2中。另外，表示薄膜电阻与膜厚的关系的图解显示在图4中。
【表2】
如表2和图4所示，No.7～10的抗静电膜全部含有In、Zn、Sn和O，不管抗静电膜的膜厚，无论在热过程试验前、热过程试验后、耐受性试验1后和耐受性试验2后，均具有薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□的优异的薄膜电阻，能够使更良好的抗静电性和触控面板的灵敏度并立。
[实施例3]
(1)抗静电膜的制作
与实施例2同样，制作表2的No.7的抗静电膜，以120℃进行5分钟的烘烤，施加相当于实际的制造工序的热过程。
(2)蚀刻性试验
使用KLA－TENCOR社制“α－STEP”，测量蚀刻前的抗静电膜的膜厚。接着，使用光致抗蚀剂，在由上述(1)得到的抗静电膜上进行掩蔽，使用关东科学社制草酸“ITO－07N”，以25℃进行数分钟蚀刻。其后，测量蚀刻后的抗静电膜的膜厚，以下式计算蚀刻速度。
蚀刻速度[nm/min]＝(蚀刻前的抗静电膜的膜厚－蚀刻后的抗静电膜的膜厚)/(向蚀刻液的浸渍时间)
其结果是，蚀刻速度为10.5nm/min，且无残渣，可确认到良好的蚀刻性。
[实施例4]
(1)抗静电膜的制作
与实施例2同样，制作表2的No.10的抗静电膜，以120℃进行5分钟的烘烤，施加相当于实际的制造工序的热过程。
(2)耐久性试验
与实施例1同样，测量由上述(1)得到的抗静电膜的薄膜电阻。其后，使用高温高湿试验机，在湿度85％和80℃之下进行96小时的耐久性试验，测量耐久性试验后的薄膜电阻。
其是结果，在耐久性试验前，薄膜电阻为1.6×1011Ω/□，相对于此，在耐久性试验后，薄膜电阻为1.4×1011Ω/□，能够得到优异的薄膜电阻和耐久性。
(3)透射率测量
使用日本分光株式会社制可见·紫外分光光度计“V－570”(日本分光株式会社制)，对成膜于玻璃板上的抗静电膜，测量850～250nm的范围的光谱透射率。
其结果是，在耐久性试验前，波长450nm的光的透射率为96.2％，相对于此，耐久性试验后，波长450nm的光的透射率为96.0％，能够得到优异的透射率和耐久性。
[实施例5]
(1)抗静电膜的制作
使膜厚为20nm，以及如表3所示这样，使载气的氧分压在0～8％的间变化，除此以外，均与实施例1同样地制作No.11～15的抗静电膜。
另外，在In、Zn和Sn中添加V，使用具有In:Zn:Sn:V＝19.6原子％:55.5原子％:22.9原子％:2.0原子％的这一组成的溅射靶，除此以外，均与上述同样地制作No.16～19的抗静电膜。
另外，如表3这样将V置换成Mn、Co或Mo，除此以外，均与上述同样制作No.20～31的抗静电膜。
其后，对于No.11～31的抗静电膜，以120℃进行5分钟的烘烤，施加相当于实际的制造工序的热过程。
(2)组成分析
通过ICP发光分析法，计算以金属元素的合计作为100原子％时的各金属元素的组成。
No.11～15的抗静电膜的组成，均为In:Zn:Sn＝21.2原子％:54.7原子％:24.1原子％。
No.16～19的抗静电膜的组成，均为In:Zn:Sn:V＝22.0原子％:51.8原子％:24.7原子％:1.5原子％。
No.20～23的抗静电膜的组成，均为In:Zn:Sn:Mn＝22.7原子％:49.2原子％:25.1原子％:3.0原子％。
No.24～27的抗静电膜的组成，均为In:Zn:Sn:Co＝20.7原子％:45.9原子％:23.1原子％:10.3原子％。
No.28～31的抗静电膜的组成，均为In:Zn:Sn:Mo＝21.7原子％:49.7原子％:23.9原子％:4.7原子％。
(3)薄膜电阻和透射率试验
与实施例1同样，测量由上述(1)得到的No.11～31的抗静电膜的薄膜电阻。
另外，与实施例4同样，对于由上述(1)得到的No.11～31的抗静电膜，测量450nm的光的透射率。
薄膜电阻和450nm的光的透射率的测量结果显示在表3中。另外，表示薄膜电阻与氧分压的关系和透射率与氧分率的关系的图解，分别显示在图5和图6中。
还有，表3以及图5和6中，No.11～15、No.16～19、No.20～23、No.24～27和No.28～31的抗静电膜，分别表示为“IZTO”、“IZTO+V”、“IZTO+Mn”、“IZTO+Co”和“IZTO+Mo”。
【表3】
如表3及图5和6所示，添加有V、Mn、Co或Mo的抗静电膜，与没有添加的抗静电膜比较，即使在低氧分压下，也能够得到高薄膜电阻。因为氧分压低，所以抗静电膜的薄膜电阻难以变动，氧分压的调整容易。
此外，添加有V、Mn或Co的抗静电膜，与添加Mo的抗静电膜相比较，能够得到高透射率，更容易使高薄膜电阻和高透射率并立。
本说明书的开示内容，包括以下的方式。
方式1：
一种抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，其含有In、Zn、Sn和O。
方式2：
根据方式1所述的抗静电膜，其中，含有从V、Mn、Co和Mo所构成的群中选择的至少一种。
方式3：
根据方式2所述的抗静电膜，其中，含有从V、Mn或Co所构成的群中选择的至少一种。
方式4：
根据方式1～3中任一项所述的抗静电膜，其中，在一侧的面上设有滤色片的作为所述透光性构件的透明基板中，其设于另一侧的面上。
方式5：
根据方式1～4中任一项所述的抗静电膜，其中，
薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□，
在膜厚10nm下，波长450nm的光的透射率为95％以上。
方式6：
一种显示器输入装置，其具备方式1～5中任一项所述的抗静电膜。
本申请伴随以申请日为2016年3月28日的日本国专利申请，专利申请第2016－064482号为基础申请的优先权主张。专利申请2016－064482号因参照而编入本说明书。
【符号的说明】
1 抗静电膜
2 第一透明基板
3 第二透明基板
4 触摸传感器
5 滤色片
6 液晶层
7 偏振板
8 背光
100、100A 显示器输入装置

Claims (9)

1.一种抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，其含有In、Zn、Sn和O。
2.根据权利要求1所述的抗静电膜，其中，还含有从V、Mn、Co和Mo所构成的群中选择的至少一种。
3.根据权利要求1所述的抗静电膜，其中，在一侧的面上设有滤色片的作为所述透光性构件的透明基板中，所述抗静电膜设于另一侧的面。
4.根据权利要求2所述的抗静电膜，其中，在一侧的面上设有滤色片的作为所述透光性构件的透明基板中，所述抗静电膜设于另一侧的面。
5.根据权利要求1所述的抗静电膜，其中，
薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□，
在膜厚10nm下，波长450nm的光的透射率为82％以上。
6.根据权利要求2所述的抗静电膜，其中，
薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□，
在膜厚10nm下，波长450nm的光的透射率为82％以上。
7.根据权利要求3所述的抗静电膜，其中，
薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□，
在膜厚10nm下，波长450nm的光的透射率为82％以上。
8.根据权利要求4所述的抗静电膜，其中，
薄膜电阻为1×107～1×1013Ω/□，
在膜厚10nm下，波长450nm的光的透射率为82％以上。
9.一种显示器输入装置，其具备权利要求1～8中任一项所述的抗静电膜。
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