TWI567237B - 電極及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關使用於輸入裝置等之電極，及其製造方法。在以下中，作為輸入裝置之代表例而舉例說明觸控面板感測器，但本發明並不限定於此。
觸控面板感測器係於液晶顯示裝置或有機EL裝置等之顯示裝置的顯示畫面上，作為輸入裝置而貼合加以使用。觸控面板感測器係從使用方便度，而加以使用於銀行的ATM或票劵販賣機，導航機，PDA(Personal Digital Assistants、個人用的攜帶資訊終端)、影印機之操作畫面等，在近年中，加以廣泛使用至行動電話或平板電腦。對於其輸入點的檢測方式，係可舉出電阻膜方式，靜電電容方式，光學式，超音波表面彈性波方式，壓電式等。此等之中，對於行動電話或平板電腦PC，係靜電電容方式則從回應性佳，未耗成本，構造單純等理由，而被最佳加以使用。
靜電電容方式之觸控面板感測器係作為一例，具有於玻璃基板等之透明基板上，正交加以配置有二
方向之透明電極，於其表面，加以被覆保護玻璃等之絕緣體的蓋體之構造。當以手指或筆等觸碰上述構成之觸控面板感測器表面時，兩透明電極間的靜電電容則產生變化之故，經由感測器而感測藉由該靜電電容而流動之電流量的變化之時，可把握所觸碰之處者。
作為使用於上述構成之觸控面板感測器之透明基板，使用觸控面板感測器專用的基板亦可，而亦可採用使用於顯示裝置之透明基板者。具體而言，例如，可舉出使用於液晶顯示裝置之彩色濾光片基板，或使用於有機EL裝置之玻璃基板等。經由如此之顯示裝置用透明基板的使用，成為可對應於觸控面板感測器所要求之特性，例如，顯示器之對比的提升，亮度的提升，智慧型手機等之薄型化等。
在最近中，使用上述透明電極情況，為了接觸敏感度提升或雜訊降低，而檢討有作為電極，使用低電阻之金屬電極。
但，金屬電極係反射率高，而可由使用者的肉眼所看到，即所辨識之故，有著對比降低之問題。因此，對於使用金屬電極之情況，係採用有對於金屬膜施以黑色化處理而使反射率降低等之方法。
例如，對於專利文獻1，係記載有為了解決在相互連接導電性透明圖案單元之辨識性的問題，而於加以形成於導電性圖案單元之絕緣層上，使用黑色的導電材料，形成橋接電極之方法。具體而言，係例示有作為橋接
電極，使Al、Au、Ag、Sn、Cr、Ni、Ti或Mg的金屬，經由與藥品的反應而黑色化為氧化物，氮化物，氟化物等之方法。但在專利文獻1中，不過是揭示經由金屬之黑色化處理的橋接電極之反射率降低化技術，對於電性阻抗率的降低係完全未留意。因此，對於上述例示之中，係包含有如金屬之氧化物的高電性阻抗率的構成，無法適用於低電性阻抗率配線用電極者。另外，對於上述專利文獻1，係亦包含有如Ag之氮化物或Mg之氧化物等反應性高之危險的物質，而缺乏實用性。
[專利文獻1]日本特開2013-127792號公報
本發明係有鑑於上述情事所作為的構成，其目的係提供：使用於理想係由靜電電容方式之觸控面板感測器等所代表之輸入裝置的電極，薄片阻抗低，且反射率低之新穎的電極；及其製造方法。
可解決上述課題之本發明的電極係在具有Al膜或Al合金膜所成之第1層，及包含Al，和選自Mn、
Cu、Ti、及Ta所成的群之至少一種元素的Al合金，一部分氮化之第2層之層積構造時，具有要點之構成。
在本發明之理想的實施形態中，前述層積構造係作為第3層，更具有透明導電膜。
在本發明之理想的實施形態中，前述第2層係具有波長450nm、波長550nm、及波長650nm之消衰係數則為0.15以上。
在本發明之理想的實施形態中，前述第2層係包含14原子%以上57原子%以下的氮原子。
在本發明之理想的實施形態中，前述電極係於前述第1層之至少一方的面，具有Mo膜。
在本發明之理想的實施形態中，記載於前述第2層之Al合金係包含Al，和選自Mn，Cu所成的群之至少一種的元素。
在本發明之理想的實施形態中，前述第3層係至少包含In與Sn之氧化物所成之透明導電膜，或至少包含In與Zn之氧化物所成之透明導電膜。
在本發明之理想的實施形態中，前述第1層之電性阻抗率係20μΩ‧cm以下。
在本發明之理想的實施形態中，前述第1層之Al合金膜係包含Al，和選自Nd、Cu、Mn、Ta、Ge、La、Zr、及Ni所成的群之至少一種的元素。
在本發明之理想的實施形態中，前述電極係對於使用磷硝醋酸系蝕刻液的濕蝕刻加工性優越者。
在本發明之理想的實施形態中，前述第1層之膜厚係50~400nm。
對於本發明係亦包含有具有上述任一項記載之電極的輸入裝置。
在本發明之理想的實施形態中，上述輸入裝置係觸控面板感測器。
對於本發明係亦包含使用於構成上述任一項記載之電極的第2層之成膜的觸控面板感測器，其中，包含選自Mn、Cu、Ti、及Ta所成的群之至少一種元素，殘留部：Al及不可避之不純物之觸控面板感測器。
另外，有關可解決上述課題之本發明的電極之製造方法，係對於經由包含氮氣之反應性濺鍍法而將上述第2層進行成膜時，具有要點。
有關本發明的電極係在具有Al膜或Al合金膜所成之第1層，及包含Al，和選自Mn、Cu、Ti、及Ta所成的群之至少一種元素的Al合金，一部分氮化之第2層之層積構造之故，可達成低薄片阻抗及低反射率雙方。因而，如將上述層積構造之本發明電極，作為輸入裝置用電極而使用時，可得到具備兼具低薄片阻抗，和在金屬膜單獨中為不可能之低反射率之電極的輸入裝置。
1‧‧‧液晶顯示裝置
2‧‧‧TFT基板
3‧‧‧對向基板
4‧‧‧彩色濾光片基板
5A、5B、5C‧‧‧彩色濾光片
6‧‧‧黑色矩陣
7‧‧‧液晶層
8‧‧‧液晶封閉材
10‧‧‧輸入裝置
11‧‧‧第1金屬電極、驅動用電極
12‧‧‧第2金屬電極、檢測用電極
13‧‧‧絕緣層
13A‧‧‧第1絕緣層
13B‧‧‧第2絕緣層
14‧‧‧外蓋玻璃
15‧‧‧背光
20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G、20H、20I、20J、20K、20L、20M‧‧‧電極構造
21‧‧‧第1層
22‧‧‧第2層
23‧‧‧第3層
24‧‧‧透明基板
25‧‧‧Mo膜
26‧‧‧透明電極
30‧‧‧輸入裝置
31A‧‧‧第1電極圖案
31B‧‧‧第1橋接電極
31C‧‧‧第1電極之外周配線
32A‧‧‧第2電極圖案
32B‧‧‧第2橋接電極
32C‧‧‧第2電極之外周配線
33‧‧‧透明基板
40‧‧‧液晶顯示裝置
41‧‧‧外蓋玻璃
42‧‧‧觸控面板
43‧‧‧顯示器
44‧‧‧接著層
50‧‧‧剖面構造
52A‧‧‧第1透明電極
52B‧‧‧第1橋接電極
53‧‧‧第2透明電極
54‧‧‧絕緣層
圖1係模式性地顯示一般的液晶顯示裝置之構成的概略剖面圖。
圖2係顯示在靜電電容型之觸控面板之輸入裝置的一例之概略平面圖。
圖3係顯示在前述圖2的點線Al-Al之剖面構造的一例之概略剖面圖。
圖4係顯示本發明之電極的一構造例，即，有關實施形態1A之電極的概略剖面圖。
圖5係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態1B之電極的概略剖面圖。
圖6係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態1C之電極的概略剖面圖。
圖7係顯示在前述圖2的點線Al-Al之剖面構造的另外一例之概略剖面圖。
圖8係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態2A之電極的概略剖面圖。
圖9係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態2B之電極的概略剖面圖。
圖10係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態2C之電極的概略剖面圖。
圖11係顯示在靜電電容型之觸控面板之輸入裝置的另外一例之概略平面圖。
圖12係顯示輸入裝置外裝型之液晶顯示裝置的一例
之概略剖面圖。
圖13係顯示前述圖12之剖面構造的一例之概略剖面圖。
圖14係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態3A之電極的概略剖面圖。
圖15係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態3B之電極的概略剖面圖。
圖16係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態3C之電極的概略剖面圖。
圖17係顯示前述圖12之剖面構造的其他例之概略剖面圖。
圖18係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態4A之電極的概略剖面圖。
圖19係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態4B之電極的概略剖面圖。
圖20係顯示本發明之電極的另外構造例，即，有關實施形態4C之電極的概略剖面圖。
圖21係顯示以磷硝醋酸系蝕刻液而圖案化表2之No.4的層積膜(本發明例)時之剖面形狀的圖。
圖22係顯示以磷硝醋酸系蝕刻液而圖案化表2之No.16的層積膜(本發明例)時之剖面形狀的圖。
圖23係顯示以磷硝醋酸系蝕刻液而圖案化表2之No.21的層積膜(比較例)時之剖面形狀的圖。
首先，對於在觸控面板構造之液晶顯示裝置部分加以說明。然而，在以下中，作為顯示器，即顯示裝置而舉例液晶顯示裝置，但本發明並不限於此，而作為其他的顯示裝置，例如，亦可適用於有機EL裝置等。
圖1係模式性地顯示一般的液晶顯示裝置1之構成的概略剖面圖。圖1所示之液晶顯示裝置1係具有TFT(Thin Film Transistor)基板2。TFT基板2係例如為陣列基板。對於TFT基板2係對向加以配置有對向基板3。對向基板3係例如為彩色濾光片(CF、Color Filter)基板4，而加以配置於所辨識側。對於對向基板3，係加以形成有綠色，藍色，紅色之彩色濾光片5A、5B、5C、黑色矩陣(Black Matrix、BM)6、彩色濾光片基板4。對於TFT基板2與對向基板3之間係夾持有導入液晶之液晶層7，而液晶層7係經由液晶封閉材8而加以封閉。更且，對於對向基板3外側的面，係加以設置有未圖示之偏光板及相位差板等。另外，於液晶顯示面板之反辨識側，即，在圖1之TFT基板2下方，係加以配設有未圖示之背光單元等。
包含本發明之電極的輸入裝置，特別是觸控面板感測器係加以配置於上述液晶顯示裝置1之彩色濾光片基板4上方，即，操作面側。
以下，例示上述輸入裝置之圖案之同時，對於本發明之電極的理想實施形態加以說明。詳細而言，例
示在輸入裝置例其1之實施形態1及2，和在輸入裝置例其2之實施形態3及4同時，對於本發明之電極加以說明。
圖2係顯示在靜電電容型之觸控面板之輸入裝置的一例之概略平面圖。圖2所示之輸入裝置10係配線則成為格子形狀。詳細而言，對於透明基板之一種的彩色濾光片基板4上部，加以設置有於各行加以配置於X方向之軀動用的複數之金屬電極11，和於各列加以配置於Y方向之檢測用的複數之金屬電極12。驅動用電極11與檢側用電極12係加以設置於各不同的層，經由絕緣層13而相互加以絕緣。
在圖2的構成中，經由對於驅動用電極11之電壓的施加，根據產生於驅動用電極11與檢側用電極12之間的電容器之變化，檢測操作者之觸控位置。
本構成係從作為驅動用電極11及檢側用電極12而使用阻抗小之金屬電極之情況，可作為寬度窄之配線而形成各電極者。因此，具有可充分提高主動領域之透過率之特徵。
作為在前述圖2的點線Al-Al之剖面構造的一例，舉例有圖3之剖面構造。圖3係顯示將圖2之輸入裝置
10，搭載於圖1所示之液晶顯示裝置1之彩色濾光片基板4構造之一例的概略剖面圖。
如圖3所示，對於彩色濾光片基板4之上部，係將在各行加以配置於X方向之複數的第1金屬電極11，加以配置於同一層。更且，將在各列加以配置於Y方向之複數的第2金屬電極12，加以配置於與第1金屬電極11不同的層。此複數之第1金屬電極11與第2金屬電極12係為了不使顯示裝置之辨識性降低，而配置於未圖示之黑色矩陣之正上方者為佳。對於複數之第1金屬電極11之間，複數之第2金屬電極12之間，及第1金屬電極11與第2金屬電極12之間，係加以配置有第1絕緣層13A，第2絕緣層13B。對於第1絕緣層13A與第2絕緣層13B，係例如可使用公知的透光性絕緣樹脂等。並且，呈被覆設置有第2絕緣層13B的面地，加以設置外蓋玻璃14。然而，在圖3之15係顯示背光。
在前述圖3中，作為第1金屬電極11或第2金屬電極12，可最佳使用本發明之電極者。在以下中，將前述圖3之第1金屬電極11作為例，於圖4，圖5及圖6顯示其理想的具體例之同時，詳細說明本發明之電極的理想實施形態。但本發明之電極係未限定於此等圖。然而，在圖4，圖5及圖6中，未將基板，作為圖3之彩色濾光片基板4，而作為透明基板24。基板係未意圖加以特別限定。適用於液晶顯示裝置之情況，係作為透明基板而使用彩色濾光片基板，但將本發明之電極使用於有機EL
顯示裝置之情況，係彩色濾光片基板係無須的情況為多，而可使用如外蓋玻璃之玻璃基板等之透明基板者。使用於本發明之透明基板的種類係在之後詳述之。
圖4係顯示本發明之電極的一構造例之概略剖面圖。在圖4之電極構造20A中，透明基板24係可使用由玻璃或塑料等所成之基板者。對於透明基板24上，係至少加以形成有由Al膜或Al合金膜所成之第1層21，一部份氮化之Al合金所成之第2層22。在層積構造中，第1層21係作為使用於電極之配線用膜而作用，而第2層22係作為光學調整層而作用。
圖5係顯示本發明之電極的另外構造例之概略剖面圖。在圖5之電極構造20B中，電極係具有至少加以形成有由Al膜或Al合金膜所成之第1層21，一部份氮化之Al合金所成之第2層22，及透明導電膜所成之第3層23的層積構造。在層積構造中，第1層21係作為使用於電極之配線用膜而作用，而第2層22及第3層23係作為光學調整層而作用。然而，在此層積構造中，第2層22與第3層23的順序係加以替換亦可。
在以下中，對於前述第1層21，第2層22及
第3層23之各層，加以詳述。首先，對於第1層加以說明。
使用於本發明之第1層係由Al膜或Al合金膜(以下，有著略記為Al/Al合金膜之情況)而加以構成。經由作為配線用金屬而使用上述Al/Al合金膜之時，經由磷硝醋酸系之蝕刻液的濕蝕刻加工性則提升。在此，上述磷硝醋酸系蝕刻液係指意味著至少含有磷酸與硝酸與醋酸之混合液。對此，作為第1層，使用上述以外之Ag或Cu，或此等合金之情況，於作為層積構造時可得到低薄片阻抗，但對於磷硝醋酸系蝕刻液而言之濕蝕刻加工性不佳，而蝕刻速率變快之故，無法得到良好之圖案形狀(參照後述之圖23)。
具體而言，使用第1層單膜之電性阻抗率為20μΩ‧cm以下之上述Al/Al合金膜者為佳。上述第1層之電性阻抗率係與電性阻抗率為1kΩ‧cm以下之第2層，或電性阻抗率為數百μΩ‧cm之第3層做比較，電性阻抗率則為相當低之故，電荷之流動係第1層成為支配，而亦加以降低層積構造之薄片阻抗。
作為電極層所使用之上述第1層之Al合金膜係作為合金成分，含有高熔點金屬元素，稀土類金屬元素之至少一種以上者為佳。經由此，加以發揮熱凝集抑制效果。在此，高熔點金屬元素係意味Mo、Ti、Ta、W、Cr、Mn等之熔點為1200℃以上之金屬。另外，稀土類金屬元素係指意味包含：鑭系元素，即自La至Lu為止之
15元素及鈧與釔。此等之中，經由使用特別含有Ti、Ta、Mn之高熔點金屬元素之Al合金之時而提高耐熱性，更且對於經由使用環境而存在之鹵素，鹽水等之腐蝕而言之耐蝕性亦提升。另外，作為合金成分，含有對於Cu、Ge、Zr、Ni等之Al而言具有貴的電極電位之元素者亦佳。經由此，例如，如後述之實施形態3，使用Al合金電極與透明電極所接觸之構造之情況，抑制在Al合金薄膜與透明電極之連接界面的電池反應，進而可抑制電解腐蝕者。
在此等之中，更為理想係包含選自Nd、Cu、Mn、Ta、Ge、La、Zr、及Ni所成的群之至少一種的元素之Al合金膜。
上述第1層之Al合金膜的合金元素含有量係作為如以下所述者為佳。即，該合金元素含有量之下限係為了確保上述之耐熱性與耐蝕性，而合計含有0.1原子%以上前述高熔點金屬元素，稀土類金屬元素，及具有較Al為貴的電極電位之元素之中之至少一種以上元素者為佳，更理想為0.2原子%以上。
另一方面，上述合金元素含有量的上限係為了實現低薄片阻抗，而作為如以下所述者為佳。即，對於含有前述稀土類金屬元素或前述高熔點金屬元素之情況，將該稀土類金屬元素之合計含有量的上限，與該高熔點金屬元素之合計含有量的上限，各作為2原子%以下者為佳，而各作為1原子%以下者為更佳。對於含有較前述Al
為貴的電極電位之元素之情況，係將該元素之合計含有量的上限，作為3原子%以下者為佳，而更理想為作為2原子%以下。另外前述高熔點金屬元素，稀土類金屬元素，及具有較Al為貴的電極電位之元素的合計含有量係作為3原子%以下者為佳，而更理想為作為2原子%以下。
上述第1層之膜厚係將作為層積構造時之薄片阻抗值降低至特定範圍為止之故，50nm以上者為佳。當第1層之膜厚降低50nm時，得到作為期望之薄片阻抗值者則為困難。更理想係100nm以上。但上述第1層之膜厚超過400nm時，經由磷硝醋酸系蝕刻液的濕蝕刻加工性或製造性則有下降之虞之故，而將第1層的膜厚作為400nm以下者為佳。更理想係300nm以下。
使用於本發明之第2層係包含Al，和選自Mn、Cu、Ti、及Ta所成的群之至少一種元素(以下，有著稱作X群元素的情況)的Al合金(以下，有著稱作Al-X合金之情況)之一部分氮化(以下，有著略記為Al-X合金-N層之情況)的層。作為上述Al-X合金，從包含選自Mn及Cu所成的群之至少一種元素的Al合金之使用則對於鹵素，鹽水等而言，耐蝕性提升的觀點為佳。
前述第2層係波長450nm、波長550nm、及波長650nm之消衰係數則滿足0.15以上者為佳。另外，前述第2層係波長450nm、波長550nm、及波長650nm之折射率為1.0以上者為佳。作為前述第2層，使用如此，消衰係數高，且折射率高之Al-X合金-N層之時，可降低
層積構造全體的反射率者。
更且，上述第2層之電性阻抗率係理想為1.0kΩ‧cm以下。第2層之電性阻抗率則經由如此加以抑制之時，將本發明之電極，例如適用於觸控面板之情況，與接收觸控感測器信號之IC(Integrated Circuit)接合時，可充分縮小串聯阻抗，未對於信號強度帶來不良影響。上述第2層之電性阻抗率則較1.0kΩ‧cm為大之情況，經由層積構造之膜厚而對於與IC之接觸帶來不良影響，信號接收強度則小，成為容易受到雜訊等的影響。
對此，如專利文獻1，當使用金屬的氧化物時，即使作為可降低反射率，電性阻抗率亦增加。另外，並非為上述Al-X合金，而使用加以氮化純Al之一部分的Al-N層之情況，消衰係數則變低，而層積構造全體的反射率則下降(參照後述之實施例)。
在本說明書中，「加以氮化其一部分」係指如呈有效地加以發揮期望的效果，於上述Al合金中，至少具有氮素原子即可，未必須要滿足化學計量組成之氮化物。
例如，以Al-X-Ny而表示上述Al-X合金之氮化物的情況，加以舉例有將Al原子與X群元素原子與氮素原子之總和作為分母時之氮素原子的含有比率y，係作為14原子%以上57原子%以下之範圍內者。以下，有將此「氮素原子的含有比率y」稱作「氮素原子比率」者。如後述之實施例的表1之No.D、10及W所示，氮素原子
比率為58原子%之情況，有著無法得到作為期望之消衰係數，但經由將氮素原子比率作為57原子%以下之時，成為可容易得到作為期望之消衰係數。對於更確實地得到作為期望之消衰係數，係將前述氮素原子比率的下限作為20原子%以上者為佳，另外，理想係將上限作為56原子%以下，而更理想為50原子%以下，再更理想為作為40原子%以下者為佳。Al係形成經由氮化而Al與氮素原子則以1對1而化合之AlN。因此，對於加以氮化至化學計量組成係成為必須為50原子%以上之氮素元素。在本發明中，包含未到達至化學計量組成程度之氮素原子者為更佳，也就是，於膜中，作為金屬而分散有金屬Al或X群元素，而金屬狀態之Al或X群元素，和Al或X群元素之氮化物則混在的狀態者為更佳。
上述第2層之膜厚係因應依據Al-X合金的組成等所決定之消衰係數，呈可得到作為期望之消衰係數或低電性阻抗率而適當地控制者為佳。如後述之表1所示，於Al中包含相同X群元素的情況，X群元素之含有量越多，在Al-X合金-N層之消衰係數亦變大之故，即使薄化該Al-X合金-N層之膜厚，亦可降低抑制層積構造全體之反射率者。相反地，X群元素之含有量越少，在Al-X合金-N層之消衰係數亦變小之故，未加厚該Al-X合金-N層之膜厚時，無法降低抑制層積構造全體之反射率者。例如，在後述之實施例中，當比較使用於第2層之Al-7原子% Cu合金的氮化物「於表2，3，5及6記載「Al-7at%
Cu-N」」與Al-17原子% Cu合金之氮化物「於表2或3記載Al-17at% Cu-N」)之消衰係數時，如後述之表1所示，Al-17at% Cu-N者則比較於Al-7at% Cu-N為大。因此，使用消衰係數大之Al-17at% Cu-N的情況，係對於由僅將其膜厚至少作為超過10nm者，可確保作為層積構造時之低反射率而言，使用消衰係數小之Al-7at% Cu-N的情況，係將其膜厚至少未作為超過100nm時，無法確保作為層積構造時之高反射率者(參照後述之表2)。
包含於上述第2層之X群元素之理想含有量係經由元素的種類而有所不同，但如為Cu，含有5原子%以上30原子%以下者為佳，而更理想為7原子%以上20原子%以下。而如為Mn時，含有30原子%以上80原子%以下者為佳，而更理想為40原子%以上80原子%以下。而如為Ti時，含有1原子%以上20原子%以下者為佳，而更理想為2原子%以上15原子%以下。如為Ta時，含有5原子%以上30原子%以下者為佳。各元素的含有量即使超過理想之上限值，亦滿足光學特性或電性阻抗率，但從容易製造使用於薄膜形成之濺鍍標靶之觀點，另外從容易進行第1層，第2層及第3層之層積膜之配線加工的觀點，係作為上述之組成範圍者為佳。
另外，上述第2層中之氮素原子比率或Al合金中的X群元素的含有量係在第2層內之膜厚方向中，亦可為一定，而變化亦可，即，具有濃度分布亦可。在本發明中，上述第2層係擔負作為層積構造之光學調整的作
用，只要具有作為期望的消衰係數，不問第2層中的氮素原子比率或合金元素的分布。
使用於本發明之第3層係由透明導電膜而加以構成。上述第3層係與前述第2層配合，作為有關本發明之層積構造之光學調整層而有效作用的層，經由此而可實現低反射率者。作為上述透明導電膜，係如為在本發明之技術範圍而通常所使用之構成者，並無特別加以限定，但理想使用至少包含In與Sn之氧化物所成之透明導電膜，或至少含有In與Zn之氧化物所成之透明導電膜，例如，ITO(In-Sn-O)、IZO(In-Zn-O)等。
上述第3層之膜厚係調整自前述第1層與第2層之反射光的相位，而層積膜之反射率呈成為最小地，或呈加以確保有濕蝕刻加工性等地，適當地進行控制者為佳。
透明基板係通常加以使用於本發明之技術領域，如為具有透明性之構成，並無特別加以限定，例如，可舉出彩色濾光片基板或構成外蓋玻璃，玻璃基板，薄片基板，塑料基板，石英基板等。
本發明之電極係將作為期望之低薄片阻抗及低反射率之更近一步提升，作為目的，或將其他特性提升作為目的，亦可使公知的膜加以介入存在者。於以下，說明五層構造所成之本發明電極之理想的實施形態，但本發明係並未加以限定與此等。
圖6係顯示本發明之電極的另外構造例之概略剖面圖。此電極構造20C係有關本發明之電極之理想實施形態之一，在上述之圖5的電極構造20B中，於構成第1層21之Al/Al合金膜的上下，層積Mo膜25之構成(五層構造)。Mo膜25係作為使密著性或耐熱性等之提升的膜而被知道，在本發明亦被理想加以使用。然而，在圖6中，第1層21之上下同時層積Mo膜25，但於第1層21之上或下任一方，加以形成Mo膜25亦可。
以下，對於實施形態2~4加以說明，但對於第1層21、第2層22、第3層23、其他層或透明基板20，係與上述實施形態1同樣。
作為在前述圖2的點線Al-Al之剖面構造的其他一例，舉例有圖7之剖面構造。圖7係顯示將圖2之輸入裝置10，搭載於圖1所示之液晶顯示裝置之彩色濾光片基板4構造之另外一例的概略剖面圖。
在圖7中，複數之第2金屬電極12係呈接觸於外蓋玻璃14之背面地加以設置，而複數之第1金屬電極11係並非在彩色濾光片基板4正上方，而呈接觸於第2絕緣層13B地加以設置。此點係與圖3不同。
詳細係在圖7中，於彩色濾光片基板4上，
加以配置有第1絕緣層13A。於第1絕緣層13A之上部，並未與彩色濾光片基板接觸，而於各行，加以配置有配置於X方向之複數的第1金屬電極11。對於複數之第1金屬電極11上，係加以配置有第2絕緣層13B。更且，將在各列加以配置於Y方向之複數的第2金屬電極12，加以配置於與第2絕緣層13B之上部。複數的第2金屬電極12係呈接觸於外蓋玻璃14地加以配置。
在前述圖7中，作為第1金屬電極11或第2金屬電極12，可最佳使用本發明之電極者。在以下中，將前述圖7之第2金屬電極12作為例，將其電極構造之具體例，如圖8，圖9及圖10顯示同時，詳細說明有關本發明之電極的理想實施形態。圖8~10之透明基板24係相當於前述圖7之外蓋玻璃14。但本發明之電極係未限定於此等圖。
圖8係顯示本發明之電極的另外構造例之概略剖面圖。在圖8之電極構造20E中，對於透明基板24，係至少加以形成有一部分氮化之Al合金所成之第2層22，Al膜或Al合金膜所成之第1層21。在本形態中，呈未加以辨識第1層21之Al合金膜層地，光學調整層之第2層22則加以設置於較透明基板24側為近的位置。
圖9係顯示本發明之電極的另外構造例之概略剖面圖。在圖9之電極構造20F中，對於透明基板24，係至少加以形成有透明導電膜所成之第3層23，一部分氮化之Al合金所成之第2層22，並且Al膜或Al合金膜所成之第1層21。在此層積構造中，第2層22，第3層23的順序係加以替換亦可。
圖10係顯示本發明之電極的另外構造例之概略剖面圖。圖10的電極構造20G係有關本發明之電極之理想實施形態之一，在上述之圖9的電極構造20F中，於構成第1層21之Al/Al合金膜的上下，層積Mo膜25之五層構造。Mo膜25之效果係如在上述圖6所說明。在此圖10中，第1層21之上下同時層積Mo膜25，但於第1層21之上或下任一方，加以形成Mo膜亦可。
圖11係顯示在靜電電容型之觸控面板之輸入裝置的另外一例之概略平面圖。在圖11之輸入裝置30中，電極則成為鑽石形狀之透明電極。詳細而言，加以設置有透明基板33，和於透明基板33上部，在各行具有加以配置於X方向之鑽石形狀之複數的第1電極圖案31A，和連接第
1透明電極31A間之第1橋接電極31B，和在各列，具有加以配置於Y方向之鑽石形狀之複數的第2電極圖案32A，和連接第2透明電極32A間之第2橋接電極32B。第1電極圖案31A及橋接電極31B所成之第1透明電極，和第2透明電極32A及橋接電極32B所成之第2透明電極係經由未圖示之絕緣層而加以相互絕緣。各電極圖案係藉由外周配線31C或32C，而加以連接於未圖示之控制部。
在圖11之構成中，在對於螢幕接觸指等時，通過產生於第1電極圖案31A與第2電極圖案32A之間的電容器之變化而檢測操作者之觸碰位置。
對於第1電極圖案31A及第2電極圖案32A，係一般而言使用透明導電性材料。具體而言，例如，可舉出ITO(In-Sn-O)、或IZO(In-Zn-O)等之金屬氧化物。
本構成係具有於連接各電極圖案間之橋接電極31B、32B或輸入裝置之外周配線31C、32C，經由使用阻抗小之金屬電極之時，可形成檢出能高之輸入裝置之特徵。
然而，本構成係可在將輸入裝置，與液晶單元個別地形成之輸入裝置外裝型，即，外掛構造型之液晶顯示裝置而適用。外掛型構造係因各自個別地做成外蓋玻璃，觸控面板，顯示器而接著之故，製造方法則具有單純的特徵，一般被廣泛所使用。
圖12係顯示輸入裝置外裝型之液晶顯示裝置的構成之一例之概略剖面圖。圖12所示之液晶顯示裝置40係具有：外蓋玻璃41，觸控面板42，顯示器43。作為觸控面板42而可使用上述圖11之構造的輸入裝置。各外蓋玻璃41，觸控面板42，顯示器43係經由OCA(Optically Clear Adhesive、光學透明兩面)膠帶，或OCR(Optical clear resin、光學透明樹脂)等之接著層44而加以接著。對於顯示器43係雖未圖示，但加以配設有彩色濾光片基板，液晶，TFT基板，背光單元等。
作為前述圖12之剖面構造的一例，可舉出圖13之剖面構造50。此圖13係顯示在前述圖12之外蓋玻璃41，與此外蓋玻璃41接觸之接著層44，及觸控面板42之剖面構造的一例者。在圖13之箭頭係顯示從表面側而視的方向。如圖13所示，對於相當於第1透明基板之彩色濾光片基板4，係加以設置有配置於X方向之第1透明電極52，和配置於Y方向之第2透明電極53。座標的檢測係依據在相互之透明電極52，53間的靜電電容的變化而進行。第1透明電極52A、及第2透明電極53係呈各自未接觸，經由絕緣層54而加以分離。在圖13中，第1橋接電極52B係電性連接第1透明電極52A間。接著層44係接合第2透明基板之外蓋玻璃41，和各透明電極及橋接電極等的層。接著層係OCA或OCR等之透明黏著層，而
加以使用丙烯酸系黏著材料等。
作為在前述圖13之第1橋接電極52B，可最佳使用本發明之電極。在以下中，作為在前述圖13之A2-A2的剖面構造之理想例，圖示圖14，圖15及圖16的構造之同時，詳細說明有關本發明之電極的理想實施形態。
圖14係顯示本發明之電極的另外構造例之圖。在圖14之電極構造20H中，對於透明基板24上，係至少加以形成有由形成靜電電容之透明電極26，Al膜或Al合金膜所成之第1層21，一部分氮化之Al合金所成之第2層22。
圖15係顯示本發明之電極的另外構造例之圖。在圖15之電極構造20I中，對於透明基板24上，係加以形成有由透明電極26，Al膜或Al合金膜所成之第1層21，一部分氮化之Al合金所成之第2層22，透明導電膜23所成之第3層。然而，在此層積構造中，替換第2層22，第3層23的順序亦可。
圖16係顯示本發明之電極的另外構造例之圖。圖16之電極構造20J係在前述之圖15的電極構造20I中，於構成第1層21之Al/Al合金膜之上下，層積Mo膜25的五層構造。Mo膜25之效果係如在上述圖6所說明。在此圖16中，第1層21之上下同時層積Mo膜25，但於第1層21之上或下任一方，加以形成Mo膜25亦可。
然而，前述圖14，圖15及圖16所示之電極的層積構造係顯示介入存在有透明電極26於透明基板24與本發明之電極之間的例，但並未加以限定於此，而例如，亦包含有取代透明電極26，或與透明電極26同時，介入存在有絕緣層或接著層等之情況，或透明基板與本發明之電極直接接觸之情況。
作為前述圖12之剖面構造的其他一例，可舉出圖17之剖面構造60。在圖17中，對於與前述圖12同一處所，係附上同一符號。在圖17之剖面構造60中，於第2透明基板，即外蓋玻璃41之背面側，作為透明電極52A或53，絕緣層54，及第1橋接電極52B而加以設置有金屬電極，此點則與前述實施形態3不同。在圖13之箭頭係顯示從表面側而視的方向。如圖17所示，接著層44係作為接合第1透明基板之彩色濾光片基板，和對向於此之第1，第2透明電極52A、53及第1橋接電極52B的層而
加以設置。
作為在前述圖17之第1橋接電極52B，可最佳使用本發明之電極。在以下中，作為在前述圖17之A3-A3的剖面構造之理想例，圖示圖18，圖19及圖20的構造之同時，詳細說明有關本發明之電極的理想實施形態。
圖18係顯示本發明之電極的另外構造例之圖。在圖18之電極構造20K中，對於透明基板24，係至少加以形成有形成靜電電容之透明電極26，一部分氮化之Al合金所成之第2層22，Al膜或Al合金膜所成之第1層21。在本形態中，呈未加以辨識第1層21之Al/Al合金膜地，光學調整層之第2層22則加以設置於所辨識側，即較透明基板為近的位置。
圖19係顯示本發明之電極的另外構造例之圖。在圖19之電極構造20L中，對於透明基板24，係至少加以形成有形成靜電電容之透明電極26，透明導電膜所成之第3層23，一部分氮化之Al合金所成之第2層22，即Al膜或Al合金膜所成之第1層21。在本形態中，呈未加以辨識第1層21之Al合金膜層地，光學調整層之第2層
22，第3層23則加以設置於所辨識側，即較透明基板24為近的位置。然而，在此層積構造中，第2層22，第3層23的順序係加以替換亦可。
圖20係顯示本發明之電極的另外構造例之圖。圖20之電極構造20M係在前述之圖19的電極構造20L中，於構成第1層21之Al/Al合金膜之上下，層積Mo膜25的五層構造。Mo膜25之效果係如在上述圖6所說明。在此圖20中，第1層21之上下同時層積Mo膜25，但於第1層21之上或下任一方，加以形成Mo膜25亦可。
以上，對於本發明之電極加以詳述。
在本說明書中，「電極」係亦包含加工為電極形狀之前的配線。如上述，本發明之電極係兼備低薄片阻抗與低的反射率之故，不僅使用於輸入裝置之輸入範圍的電極，而延長該電極，對於面板外周部之配線範圍，亦可適用。
在前述之實施形態1及實施形態2中，係例示經由金屬電極而形成檢測用電極及驅動用電極，形成輸入裝置於液晶之彩色濾光片與外蓋玻璃之間，所謂適用於內嵌式型構造(on-cell)的例，而其構成詳細說明過，但本發明並不限定於此等。
另外，在前述之實施形態3及實施形態4
中，係例示將檢測用電極及驅動用電極作為透明電極，經由金屬電極而形成前述透明電極間的橋接電極的輸入裝置，與液晶單元個別地形成，所謂適用於外掛型構造的例，而其構成詳細說明過，但本發明並不限定於此等。
本發明之電極係例如，亦可適用於將輸入裝置的電極組裝於液晶顯示裝置內，例如TFT基板與彩色濾光片基板之間的所謂內嵌式型構造(in-cell)者。如此，本發明係未加以限定於前述實施形態者，在不脫離其內容的範圍，當然可做種種變更。
另外，對於本發明之電極所適用之輸入裝置，係包含有如觸控面板等，具備輸入手段於顯示裝置之輸入裝置；未具有如觸控板之顯示裝置之輸入裝置雙方。具體而言，對於組合上述各種顯示裝置與位置輸入手段，由按壓畫面上之顯示者而操作機器的輸入裝置，或對於應於位置輸入手段上之輸入位置而操作另外加以設置之顯示裝置之輸入裝置的電極，亦可使用本發明之電極者。對於上述輸入裝置，係加上於本發明之電極，如上述所例示，可包含有透明基板，透明電極，接著層，絕緣膜等，但此等係可採用在觸控面板或觸控板等所使用之構成者。
接著，對於製造本發明之電極的方法加以說明。在以下中，將前述之實施形態1A，以例說明製造方法。
對於製造具有上述層積構造之電極，從細線化或膜內之合金成分的均一化，更且容易控制添加元素量
等之觀點，使用濺鍍標靶，以濺鍍法進行成膜者為佳。
對於特別將本發明的電極，構成付與特徵之第2層之Al-X合金-N層進行成膜，例如，亦如之後所述，可舉出Al濺鍍標靶與包含所期望之X群元素之濺鍍標靶的共濺鍍法；於Al濺鍍標靶上，載晶包含所期望元素之金屬晶片而加以成膜之方法等。或者，呈成為所期望之組成，使用合金標靶亦可。
當考慮生產性及膜質控制等之觀點時，採用包含氮素氣體之反應性濺鍍法者為佳。即，有關本發明之電極的製造方法，係對於經由包含氮素氣體之反應性濺鍍法，將構成上述第2層之Al-X合金-N層加以成膜時，有著特徵。
為了將上述第2層進行成膜之反應性濺鍍法的條件，係例如，如對應於所使用之Al合金之種類或欲導入之氮素原子比率等而適當地進行控制即可，如以下進行控制者為佳。
‧基板溫度：室溫~400℃
‧環境氣體：氮素氣體、Ar氣體
‧成膜時之氮素氣體流量：Ar氣體之5~50%
‧濺鍍功率：100~500W
‧到達真空度：1×10-6Torr以下
所使用之濺鍍標靶係如使用對應於欲成膜之第2層之Al或Al合金的濺鍍標靶即可。將Al-X合金-N層進行成膜之情況，作為所使用之濺鍍標靶，使用包含構
成欲成膜之第2層的金屬元素之複數的濺鍍標靶亦可。濺鍍標靶之形狀係無特別加以限定，因應於濺鍍裝置之形狀或構造而可使用任意形狀，例如，加工成角型板狀，圓形板狀，環形板狀，圓筒狀等之構成者。
但，第2層之成膜方法係未加以限定於上述方法。例如，使用預先加以氮化處理之Al氮化物或Al合金氮化物之濺鍍標靶，在僅包含Ar等稀氣體元素之環境，即未導入氮素氣體，進行濺鍍，而將作為期望之第2層進行成膜亦可。另外，使用與所期望之Al合金相同組成之合金濺鍍標靶，且作為環境氣體而使用氮素氣體，進行濺鍍，將作為期望之第2層進行成膜亦可。另外，取代前述合金濺鍍標靶，而使用組成不同之兩個以上之純金屬標靶或合金標靶，使此等同時進行放電，而將第2層進行成膜亦可。作為控制第2層中之氮素原子比率的方法，例如，可舉出變更X群元素的種類或添加量，以及調整成膜時之處理氣體中的氮素氣體流量，及調整Al合金氮化物標靶之氮素原子的含有量者。
本發明係對於上述第2層之成膜方法有著特徵，除此以外之各層的成膜方法係可適宜採用在本發明之技術領域通常加以使用之方法者。
在上述製造方法中，作為例而顯示過有關前述實施形態1A之電極的製造方法，但在其他的實施形態，亦可替換上述第1層與第2層之形成順序來製造者。另外，可由公知的方法而形成第3層之透明導電膜，或更
加層積之Mo膜，構成透明電極之氧化物層等者。
本申請係依據於2013年11月12日所提出申請之日本國專利申請第2013-234388號，及於2014年5月30日所提出申請之日本國專利申請第2014-113283號，主張優先權之利益者。於2013年11月12日所提出申請之日本國專利申請第2013-234388號之說明書的全內容，及於2014年5月30日所提出申請之日本國專利申請第2014-113283號之說明書的全內容則為了本申請之參考而加以援用。
以下，舉出實施例，更具體說明本發明，但本發明係未經由下記實施例而加以限制，亦可在可適合於前‧後記內容之範圍，加上變更而實施者，此等係均包含於本發明之技術範圍。即，在以下中，顯示有關前述實施形態1與實施形態2的例，將本發明之電極適用於其他實施形態的情況，亦得到同樣的效果。
在本實施例中，製作從透明基板側依序，使第1層、第2層及第3層層積之構造的試料。作為前述第2層，使用表1所記載之Al-N層或Al-X合金-N層，將表2或表3所示之層積膜的試料進行成膜，測定反射率及薄片阻抗，另外，進行經由磷酸硝醋酸系蝕刻液的濕蝕刻加工性的評
估。在以下中，依序說明從透明基板側，依序將第1層、第2層、第3層進行成膜的方法。
首先，作為透明基板，使用無鹼玻璃板(板厚0.7mm、直徑4英吋)，於其表面，經由DC磁控濺鍍法，將表2或表3所示之第1層進行成膜。對於成膜係於成膜前，將處理室內的環境，暫時調整為到達真空度：3×10-6Torr之後，使用具有與上述金屬膜同一成分組成之直徑4英吋之圓盤型濺鍍標靶，以下記條件，進行濺鍍。
‧Ar氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：30sccm
‧濺鍍功率：250W
‧基板溫度：室溫
第2層則呈成為表1所記載之組成，使用所期望組成之合金標靶，由以下的條件，進行經由與氮素氣體之反應性濺鍍法的成膜，或取代前述合金標靶，而使用純Al標靶與X群元素所成之標靶，進行與氮素氣體之反應性濺
鍍，經由共濺鍍法而進行成膜，作為Al-N層、或Al-X合金-N層，形成Al-Ti合金-N層、Al-Ta合金-N層、Al-Mn合金-N層或Al-Cu合金-N層。在本實施例中，在表2中，將第2層成膜時之Ar氣體流量作為一定，將氮素氣體流量，作成如下記。另外，在表3中，係如下記，第2層成膜時之Ar氣體流量與氮素氣體流量係作成一定。在表1之「成膜方法」的欄中，將使用前述合金標靶而成膜情況，顯示為「1標靶」，而將經由前述共濺鍍法而成膜之情況，顯示為「共濺鍍」。
‧氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：10sccm
‧氮素氣體流量：表2的No.1~22係3sccm、表3係5sccm
‧濺鍍功率：500W
‧基板溫度：室溫
使用純Al與Al-20原子%Ti標靶，呈成為表1之組成地，變更成膜功率比而經由共濺鍍法，形成薄膜。其他的濺鍍條件係如以下
‧氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：14sccm
‧氮素氣體流量：7sccm
‧濺鍍功率：500W
‧基板溫度：室溫
使用純Al與Al-30原子%Ti標靶，呈成為表1之組成地，變更成膜功率比而由共濺鍍法，形成薄膜。其他的濺鍍條件係如以下
‧氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：14sccm
‧氮素氣體流量：7sccm
‧濺鍍功率：500W
‧基板溫度：室溫
使用Al-17原子% Cu合金標靶，以氣壓：2mTorr、濺鍍功率：500W、對於Ar氣體與氮素氣體之合計流量而言之氮素氣體流量的比率：9%~44%、基板溫度：室溫的條件進行成膜。
使用Al-12原子% Cu合金標靶，以氣壓：2mTorr、濺鍍功率：500W、對於Ar氣體與氮素氣體之合計流量而言之氮素氣體流量的比率：9%~44%、基板溫度：室溫的
條件進行成膜。
使用Al-7原子% Cu合金標靶，以氣壓：2mTorr、濺鍍功率：500W、對於Ar氣體與氮素氣體之合計流量而言之氮素氣體流量的比率：9%~44%、基板溫度：室溫的條件進行成膜。
然而，對於後述之第2層的光學常數及電性阻抗率的測定，以及第2層之氮素原子比率的分析，係作為試料，使用於無鹼玻璃板(板厚0.7mm、直徑4英吋)，僅將前述第2層，以前述條件進行成膜者。另外，於第1層之電性阻抗率的測定用，亦準備僅將前述第1層，以前述條件進行成膜者。
如上述作為，將第2層之Al-N層或Al-X合金-N層進行成膜之後，接著於其表面，經由DC磁控濺鍍法，以下記之濺鍍條件，作為透明導電膜而將IZO膜進行成膜。對於透明導電膜之成膜，係在成膜前，將處理室內之環境，暫時調整為到達真空度：3×10-6Torr之後，使用與透明導電膜同一組成，直徑4英吋之圓盤型之IZO濺鍍標靶。
‧氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：18sccm
‧O2氣體流量：1sccm
‧濺鍍功率：250W
‧基板溫度：室溫
如以下作為而測定如此作為所得到之層積膜的反射率，薄片阻抗，及濕蝕刻加工性。另外，如以下作為而測定第2層之氮素原子比率，作為光學常數，折射率與消衰係數，及電性阻抗率。
為了調查表1所示之第2層之一部分的氮化狀態，使用日本PerkinElmer公司製之PHI650掃描型歐傑電子光譜裝置，將能量：3keV、電流：約50nA的電子束，以角度75°，照射至第2層表面，測定AES(Auger Electron Spectroscopy)光譜(亦稱作歐傑光譜)對於第2層之深度方向，係以Ar+之離子濺鍍進行蝕刻的同時，以上述條件同樣地進行測定。將以上述方法測定之Al原子與X群元素原子與窒素原子的總量作為分母時之氮素原子的含有比率，作為第2層中的氮素原子比率而求得。其結果，記載於表1之「氮素原子比率」的欄。
對於以上述方法所得到之第2層的單膜，使用
J.A.Woollam.Japan公司製，分光橢圓偏光儀M-2000U，而測定作為光學常數，折射率與消衰係數。並且，在本實施例中，在λ=450nm、550nm、650nm任一波長域，以及所有消衰係數為0.15以上，且λ=450nm、550nm、650nm任一波長域，所有折射率亦為1.0以上之情況，作為合格。
以4端子法而測定電性阻抗率。然而，在表1中，例如，No.1之「4.22E-03」係意味4.22×10-3。
以4端子法而測定電性阻抗率。在本實施例中，第1層電性阻抗率為20μΩ‧cm以下者，評估為合格。將其結果示於表4。從表4了解到，在本實施例所使用之Al合金膜係任何電性阻抗率為20μΩ‧cm以下者。
對於以上述方法所得到之層積膜的反射率，使用日本分光公司製V-570分光光度計，測定在450nm、550nm、650nm之絕對反射率而求得。波長在450nm、550nm、650nm之反射率則均為50%以下者，評估為合格，即評估為對於低反射率優越，而即使為一個超過50%者，評估為不合格。
以4端子法而測定薄片阻抗。在本實施例中，薄片阻抗為2.0Ω/□以下者，評估為合格。
混合磷酸375mL、硝酸15.7mL、醋酸72.9mL、水36.3mL而調整磷硝醋酸系蝕刻液。使用如此作為所得到之磷硝醋酸系蝕刻液而蝕刻加工上述層積膜，得到如圖21及圖22所示之順推拔形狀之構成，評估為OK，即評估為對於濕蝕刻加工性優越，而未得到順推拔形狀之構成，評估為NG。
將其結果示於表1~4。於表1之最右欄，設置「評估」的欄，折射率與消衰係數所有為合格者係評估為「OK」，而任一個不合格者係評估為「NG」。
首先，參照表1。對於表1係顯示氮化純Al或各種之Al-X合金(X合金=Ti、Ta、Mn或Cu)之一部分的Al-N層或Al-X合金-N層之折射率及消衰係數的結果。然而，亦合併顯示電性阻抗率之結果。
自表1，了解到X群元素為相同元素之情況，伴隨著含於Al中之X群元素的含有量變多，消衰係數係增加者。此等之中，作為X群元素而包含43原子%以上的Mn之Al-Mn-N層係了解到即使在任一之波長域中，消衰係數亦高，而作為在本發明之第2層被最佳使用者。
對此，氮化純Al之一部分的Al-N層之消衰係數係即使在任一之波長域中，而亦為低。即，了解到AlN係作為本發明之第2層並不適合者。
接著，依據表2及表3，進行調查。
表2之No.2~6、8、9、11~16、19、b、c、e~i、k~m、o~q及表3之27~48係均滿足本發明之要件的本發明例，可降低抑制層積膜之反射率及薄片阻抗雙方者。另外，濕蝕刻加工性亦為良好。
對此，表2之No.1係第1層的膜厚則脫離本發明之理想下限的50nm而為薄之故，薄片阻抗則增加。
表2之No.7係作為第2層，而使用表1之No.5的Al-36原子% Mn-N的例。在No.7之膜厚200nm中，對於無法將層積膜之反射率作為50%以下，而縮小反射率，係必須作為如No.8之層積膜厚400nm。
另外，表2之No.a、d、j、n、及r係如表1所示，使用消衰係數小的第2層之故，無法將層積膜之反射率作為50%以下者。從此等情況，在表2之上述例所形成之表1之No.A、D、M、R、及X係了解到作為本發明之第2層並不適合者。
表2之No.10係與No.11~15同樣，作為第2層而使用Al-17原子% Cu-N的例，但比較於No.11~15，第2層的膜厚為薄之故，作為層積膜時之反射率則增加。
表2之No.20係作為第2層而使用Al-N之故，在450nm、550nm及650nm之所有波長域的層積膜之反射率則增加。
表2之No.21及No.22係作為第2層及第3
層而使用滿足規定於本發明之要件者，但作為第1層，各使用Ag及Cu之故，而濕蝕刻加工性則下降。詳細而言，此等係反射率及薄片阻抗係均滿足本發明之合格基準，但對於磷硝醋酸系蝕刻液的溶解性為高之故，而加以過蝕刻第1層部分，加工性則降低。
另外，表2之No.g~j係將第2層之Al-17原子% Cu-N薄膜，變更氮素氣體流量而加以成膜的例，如表1所示，第2層之氮素原子比率則不同。從此No.g~j的對比，了解到即使為比較多含有X群元素而容易得到大消衰係數之Al-17原子% Cu-N，當第2層之氮素原子比率變多時，而有消衰係數變小之傾向，充分抑制反射率者則為困難。當第2層之氮素原子比率變多時，消衰係數變小之傾向係即使在第2層為Al-12原子% Cu-N之表2的No.k~n，和第2層為Al-7原子% Cu-N之No.o~r，亦被看到。
在表3中，形成各種成分之第1層，但No.27與No.38、No.28與No.39…係形成相同成分之第1層，而作為第2層，在表3之No.27~37中，形成Al-17原子% Cu-N，在No.38~48中，形成Al-7原子% Cu-N的例。然而，No.27~48係均第3層之成分，第1層~第3層之膜厚，及第2層之成膜方法係作為相同。在此表3中，例如，如No.27和No.38、No.28和No.39、…No.37和No.48之組合，當比較第1層為同一膜而第2層為不同的例時，了解到作為第2層，如前述表1，形成在450nm、
550nm及650nm所有波長域之消衰係數為大之Al-17原子% Cu-N的No.27~37者，則較No.38~48之層積膜，加以抑制反射率。
於圖21~圖23，顯示對於各表2之No.4(本發明例、圖21)、No.16(本發明例、圖22)、及No.21(比較例、圖23)，顯示經由磷硝醋酸系蝕刻液之濕蝕刻加工後之剖面形狀。如此等圖所示，了解到經由第1層之種類，濕蝕刻加工後之剖面形狀係有大的差異者。詳細來說，如對於第1層，使用Al-1.0原子% Cu-1.0原子% Mn之表2的No.4及No.16，了解到經由使用在本發明最佳所採用之第1層之時，均可得到順推拔形狀，而對於濕蝕刻加工性優越者。對此，如表2之No.21，作為第1層而使用Ag時，了解到大幅度加以過蝕刻Ag薄膜部分者。
在本實施例中，如以下所述而製作從透明基板側，依序使第3層、第2層及第1層層積構造，另外，從透明基板側，依序使第2層及第1層層積之構造的試料。
首先，作為透明基板，使用無鹼玻璃板(板厚0.7mm、直徑4英吋)，於其表面，經由DC磁控濺鍍
法，將表5或表6所示之第3層進行成膜。對於成膜係於成膜前，將處理室內的環境，暫時調整為到達真空度：3×10-6Torr之後，使用具有與透明導電膜同一成分組成之直徑4英吋之圓盤型IZO濺鍍標靶，以下記條件，進行濺鍍。
‧氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：18sccm
‧O2氣體流量：1sccm
‧濺鍍功率：250W
‧基板溫度：室溫
第2層則呈成為表5或表6所記載之組成，使用所期望組成之合金標靶，由以下的條件，進行經由與氮素氣體之反應性濺鍍法之成膜。
‧Ar氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：10sccm
‧氮素氣體流量：5sccm
‧濺鍍功率：500W
‧基板溫度：室溫
如上述，作為第2層之Al-X合金-N層而將Al-Cu合金-N層進行成膜之後，接著於其表面，經由DC磁控濺鍍法，將表5或表6所示之第1層進行成膜。對於成膜係於成膜前，將處理室內的環境，一旦調整為到達真空度：3×10-6Torr之後，使用具有與上述金屬膜同一成分組成之直徑4英吋之圓盤型濺鍍標靶，以下記條件，進行濺鍍。
‧Ar氣壓：2mTorr
‧Ar氣體流量：30sccm
‧濺鍍功率：250W
‧基板溫度：室溫
並且，使用所得到之試料，與實施例1同樣作為，測定層積膜之反射率與層積膜之薄片阻抗之同時，進行經由層積膜之磷酸硝醋酸系蝕刻液的濕蝕刻加工性的評估。將其結果，併記於表5或表6
自表5及表6，No.1~22任一，作為第1層及第2層，使用滿足規定於本發明之要件的構成，更且形成滿足所推薦之要件的第3層之故，可降低抑制層積膜之反射率及薄片阻抗雙方者。另外，濕蝕刻加工性亦為良好。
另外，在表5中，特別變更第2層與第3層之膜厚而形成層積膜。自表5的結果，了解到波長越短，反射率由變大的傾向者。波長550nm或波長650nm之反射率係認為不僅第3層，而亦受到第2層之影響。在此表5的例中，第3層之膜厚為在45~60nm，且第2層之膜厚為在40~60nm之範圍內，更低抑制波長550nm或波長650nm之反射率者。
20A‧‧‧電極構造
21‧‧‧第1層
22‧‧‧第2層
24‧‧‧透明基板
Claims (11)
- 一種電極，其特徵為具有：Al膜或Al合金膜所成之第1層，及，包含Al，和選自Mn、Cu、Ti、及Ta所成的群之至少一種元素的Al合金，一部分氮化，包含14原子%以上57原子%以下之氮素元素且，波長450nm、波長550nm、及波長650nm之消衰係數則具有0.15以上之第2層之層積構造；前述第1層之Al合金膜係包含Al，和選自Nd、Cu、Mn、Ta、Ge、La、Zr、及Ni所成的群之至少一種的元素者。
- 如申請專利範圍第1項記載之電極，其中，在前述層積構造中，作為第3層而更具有透明導電膜者。
- 如申請專利範圍第1項記載之電極，其中，於前述第1層之至少一方的面，具有Mo膜。
- 如申請專利範圍第1項記載之電極，其中，記載於前述第2層之Al合金係包含Al，和選自Mn及Cu所成的群之至少一種的元素。
- 如申請專利範圍第2項記載之電極，其中，前述第3層係至少包含In與Sn之氧化物所成之透明導電膜，或至少包含In與Zn之氧化物所成之透明導電膜。
- 如申請專利範圍第1項記載之電極，其中，前述第1層之電性阻抗率係20μΩ‧cm以下者。
- 如申請專利範圍第1項記載之電極，其中，前述第1層之膜厚為50~400nm者。
- 一種輸入裝置，其特徵為具有如申請專利範圍第1項記載之電極。
- 一種觸控面板感測器，其特徵為具有如申請專利範圍第1項記載之電極。
- 一種濺鍍靶材，係使用於構成如申請專利範圍第1項記載之電極的第2層之成膜的濺鍍靶材，其特徵為包含選自Mn、Cu、Ti、及Ta所成的群之至少一種元素，殘留部：Al及不可避之不純物者。
- 一種電極之製造方法，係製造如申請專利範圍第1項記載之電極的方法，其特徵為經由包含氮素氣體之反應性濺鍍法，而將前述第2層進行成膜者。
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