JP5975713B2 - タッチパネルおよびその製造方法ならびに表示装置ならびに表示モジュール - Google Patents
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Description
図1は本発明に係る表示装置100の全体構成を示す平面図であり、図2は、図1におけるA−A線での断面図である。
以下、タッチパネル12の断面構成を用いて、本発明に係る実施の形態1について説明する。図3は、図1に示すB−B線でのタッチパネル12の断面構成を示す図である。
以上の説明では、非結晶質のITO膜でキャップ膜を構成する例を示したが、これに限定されるものではなく、キャップ膜除去時に低反射膜と低抵抗導電膜がダメージを受けない方法で除去できる材質のキャップ膜を選択すれば良い。例えば、キャップ膜として非結晶質のIZO(Indium Zinc Oxide)を用いた場合は蓚酸系の液で除去することができ、Cr(クロム)を用いた場合は、硝酸第2セリウムアンモニウム系の液で除去することができ、何れも低反射膜と低抵抗導電膜にダメージを与えない。
次に、本発明に係る実施の形態2について、図11および図12を用いて説明する。図11は、下層配線30Aと層間絶縁膜21を形成した状態のタッチパネル12の構成を示す断面図である。
なお、上記では下層配線が透明キャップ膜を有した積層構造として説明したが、上層配線が透明キャップ膜を有した積層構造であっても良く、また、下層配線、上層配線共に透明キャップ膜を有した積層構造であっても良い。
次に、本発明に係る実施の形態3について、図13〜図25を用いて説明する。図13は、下層配線30Bと層間絶縁膜21を形成した状態のタッチパネル12の構成を示す断面図であり、図14は、下層配線30Bを透明キャップ膜33B側から見た平面図である。
図20にはレジストマスクRM1の除去後に、アルカリ溶液を用いた低反射膜32のエッチングを行うことで、低抵抗導電膜31の端縁より配線外側に位置する低反射膜32の端縁の突出量を軽減する工程を示している。
次に、本発明に係る実施の形態4について、図26〜図35を用いて説明する。図26〜図30は、タッチパネル12の製造工程を順に示す断面図である。
以上説明した実施の形態4においてはキャップ膜は単層膜で構成した例を示したが、多層膜で構成しても良い。以下、図31〜図35を用いて、キャップ膜を多層膜で構成する場合の製造方法について説明する。
Claims (19)
- 下地層上に順に配設された、導電膜、Alを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜および透明膜で構成される積層配線と、
前記積層配線を覆う絶縁膜と、を備え、
前記透明膜は、平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記窒化金属膜上に配設された、タッチパネル。 - 前記透明膜は、前記絶縁膜よりも屈折率が高い、請求項1記載のタッチパネル。
- 前記透明膜は、屈折率が1.7〜2.4の材料から選択され、膜厚が30〜70nmに設定される、請求項2記載のタッチパネル。
- 前記積層配線は、その終端部が外部との電気的接続のための端子部として使用され、
前記端子部は、
前記絶縁膜、前記透明膜および前記窒化金属膜を貫通して前記導電膜に達する開口部を有する、請求項1記載のタッチパネル。 - 前記窒化金属膜の面内の膜厚分布の最大膜厚と最小膜厚との比率(最小膜厚/最大膜厚)が、0.6を超えるように設定される、請求項1記載のタッチパネル。
- 前記タッチパネルは、投射容量方式のタッチパネルであり、
前記積層配線は、
前記タッチパネルを構成する静電容量検出のための検知用配線である、請求項1記載のタッチパネル。 - 前記窒化金属膜は、窒化度が窒素の組成比で30〜50at%である、請求項1記載のタッチパネル。
- 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のタッチパネルを備えた表示装置。
- 下地層上に順に配設された、導電膜、Alを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜および透明膜で構成される積層配線と、
前記積層配線を覆う絶縁膜と、を備え、
前記透明膜は、平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記窒化金属膜上に配設された、表示モジュール。 - (a)下地層上に導電膜と、Alを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜と、キャップ膜とを順に形成する工程と、
(b)前記キャップ膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
(c)前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記キャップ膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
(d)前記工程(c)の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、を備え、
前記所定のパターンは配線パターンを含み、該配線パターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層配線を備えたタッチパネルの製造方法。 - (e)前記工程(d)の後に、前記キャップ膜を除去する工程と、
(f)前記キャップ膜を除去した後、前記積層配線上を絶縁膜で覆う工程と、を備える、請求項10記載のタッチパネルの製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記キャップ膜を透明膜で形成する工程を含み、
(e)前記工程(d)の後に、前記キャップ膜を含む前記積層配線上を絶縁膜で覆う工程と、を備える、請求項10記載のタッチパネルの製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記キャップ膜を透明膜で形成する工程を含み、
(e)前記工程(c)の後に、
前記透明膜の平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記透明膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項10記載のタッチパネルの製造方法。 - (f)前記工程(e)の後に、
前記窒化金属膜の平面視での端縁の位置を、前記導電膜の端縁の位置に近づけるように前記窒化金属膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項13記載のタッチパネルの製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記キャップ膜を反射率が30%以上の膜で形成する工程を含み、
前記所定のパターンは識別記号のパターンを含み、
前記工程(c)は、
前記識別記号のパターンによって前記キャップ膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程を含み、
前記識別記号のパターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層体で前記識別記号が構成される、請求項10記載のタッチパネルの製造方法。 - (a)下地層上に導電膜と、Alを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜と、透明膜と、反射率が30%以上の非低反射膜とを順に形成する工程と、
(b)前記非低反射膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
(c)前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記非低反射膜、前記透明膜、
前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
(d)前記工程(c)の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、
(e)前記工程(d)の後に、前記非低反射膜を除去する工程と、を備え、
前記所定のパターンは配線パターンを含み、該配線パターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層配線を備えたタッチパネルの製造方法。 - 前記所定のパターンは識別記号のパターンを含み、
前記工程(c)は、
前記識別記号のパターンによって前記非低反射膜、前記透明膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程を含み、
前記識別記号のパターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層体で前記識別記号が構成される、請求項16記載のタッチパネルの製造方法。 - (f)前記工程(c)の後に、
前記透明膜の平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記透明膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項16記載のタッチパネルの製造方法。 - (g)前記工程(f)の後に、
前記窒化金属膜の平面視での端縁の位置を、前記導電膜の端縁の位置に近づけるように前記窒化金属膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項18記載のタッチパネルの製造方法。
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