TWI446246B - 觸控面板及其製作方法 - Google Patents

Description

觸控面板及其製作方法

本發明是有關於一種觸控面板及其製作方法，且特別是有關於一種觸控單元的側邊與基板側邊之間具有間距的觸控面板。

觸控面板為目前相當普及的人機介面裝置。觸控的基本原理為當使用者觀察觸控面板後方螢幕中的文字或圖形而觸控對應位置時，觸控面板會感測這些觸控訊號，並傳送到控制器進行處理，以產生對應位置的輸出信號。常見的感測方式有電阻式、電容式、紅外線式和超音波式等。

常見的觸控面板包括一層或多層的感測電極、一片支撐感測電極用的基板、導電線路、遮蔽元件和可提供防刮、防炫光或反射等功能的另一片基板。製造此類觸控面板時，需於兩片基板上分別製造部分的元件再予以結合。然而，使用兩片基板的製造方式不但會產生厚度較厚的觸控面板，且觸控面板的重量也會增加。此外，使用兩片基板的觸控面板在製造的過程中，需要進行多次的貼合製程，因而增加生產時的複雜度。

有鑑於此，單一基板之觸控面板(One Glass Solution Touch Panel，簡稱OGS Touch Panel)因應而生，此類型的觸控面板的特色在於單片基板同時具有支撐與保護的作用，適用於各種不同的顯示器。為達成薄型化的觸控面板設計，也有將上述感測電極、導電線路、遮蔽元件和其它元件製造於單一的基板的作法，並可直接此種單一基板的觸控面板直接與顯示器結合，如此可省略一片基板的厚度與成本，亦可省略接合兩片基板的生產步驟而更有效率。

請參照圖1，其為習知單一基板之觸控面板上視示意圖。從圖中可以清楚看出，觸控面板1主要是在基板10上透過半導體製程而形成觸控區11以及周邊區12。由於基板10為具有一定透明度的非導電基材，因此，觸控區11為具有透明的可視區域，用以觀看其下方的顯示器所顯示的資訊。而位於觸控區11與基板10邊緣100之間的周邊區12為具有遮光層(如黑色樹脂層)的不可透視區域，一般會將容易遮蔽視線的元件設置在周邊區12。

請同時參照圖1與圖2，其中圖2為沿圖1之A-A線所見之觸控面板1之周邊區12的剖面示意圖。從圖中可以清楚看出，周邊區12的結構為在基板10上依照順序疊置有緩衝層101、遮光層102以及絕緣層103、104、105。在習知單一基板之觸控面板1之周邊區12結構中，基板10邊緣100會與遮光層102切齊，因此，習知觸控面板1在進行後續切割製程時(例如是為了調整周邊區12形狀的異形切割製程)，會對周邊區12結構中的遮光層102造成直接的傷害，而使得遮光層102會有剝落(Peeling)的現象，進而造成觸控面板1之周邊區12遮光不完全的情況。而如何對此一缺失進行改善，為發展本案之目的之一。

本發明的目的之一就是在提供一種觸控面板，其包括基板與觸控單元，且基板側邊與觸控單元側邊之間具有間距，用以防止觸控單元在製程中遭受破壞，進而提高良率。

本發明的再一目的是提供一種觸控面板製作方法，使得觸控面板的基板側邊與觸控單元側邊之間具有間距的構造，以利於觸控面板的基板進行切割，以避免觸控單元在製程中遭受破壞，進而提高良率。

為達上述優點，本發明提出一種觸控面板包括基板以及觸控單元。基板具有至少一第一側邊。觸控單元配置於基板上，且該觸控單元具有至少一第二側邊。至少一第二側邊面對於至少一第一側邊，且至少第一側邊與至少一第二側邊之間具有間距。

在本發明之一實施例中，上述之間距之範圍為介於25微米至500微米之間。

在本發明之實施例中，上述之觸控單元包括：第一緩衝層，設置於基板上；第一遮光層，設置於第一緩衝層上；第一絕緣層，設置於第一遮光層上；第一導電層，設置於第一絕緣層上；第二絕緣層，設置於第一絕緣層、第一緩衝層與第一導電層上，並覆蓋第一絕緣層與第一遮光層之側緣；第二導電層，設置於第二絕緣層上並電性連接於第一導電層；以及第三絕緣層，設置於第二絕緣層與第二導電層上。

在本發明之實施例中，上述之觸控面板更包括至少一標記，配置於基板上並位於至少一第一側邊與至少一第二側邊之間，並且至少一標記至少部份不與觸控結構接觸，至少一標記包括：第二緩衝層，設置於基板上；第二遮光層，設置於第二緩衝層上；第四絕緣層，設置於第二遮光層上；第五絕緣層，設置於第四絕緣層上，並覆蓋於第四絕緣層、該第二遮光層與該第二緩衝層之側緣；以及第六絕緣層，設置於第五絕緣層上並覆蓋於該第五絕緣層之側緣。

本發明之實施例中，上述之第六絕緣層與觸控單元之間具有間隔。

本發明之實施例中，上述之第二緩衝層與第一緩衝層同層，第二遮光層與第一遮光層同層，第四絕緣層與第一絕緣層同層，第五絕緣層與第二絕緣層同層，第六絕緣層與第三絕緣層同層。

本發明之實施例中，上述之觸控面板更包括至少一標記，配置於基板上並位於至少一第一側邊與至少一第二側邊之間，其中至少一標記與觸控單元之間具有間隔。

本發明之實施例中，上述之觸控單元包括有周邊區與觸控區，周邊區環繞於觸控區。

本發明之實施例中，上述之基板為強化玻璃基板。

為達上述優點，本發明提出一種觸控面板製作方法，包括下列步驟：提供基板；於基板上形成觸控單元，且觸控單元包括第一區與第二區；移除第二區之觸控單元，並暴露出基板，並且使觸控單元形成第一側邊；以及切割第二區下之基板，使基板具有至少一切割邊緣，其中至少一切割邊緣與第一側邊具有間距。

本發明之另一實施例中，上述之觸控面板製作方法，更包括下列步驟：保留部分第二區之觸控單元，進而形成至少一標記。

本發明之另一實施例中，上述之觸控面板製作方法，更包括下列步驟：以至少一標記為研磨界線來對基板進行研磨製程。

本發明之另一實施例中，上述之至少一標記之形成方法包括下列步驟：於該基板上形成緩衝層；於緩衝層上形成遮光層，遮光層為圖案化遮光層，圖案化遮光層露出部分緩衝層；於緩衝層與遮光層上形成第一絕緣層；於第一絕緣層上形成第二絕緣層；以光罩於第二絕緣層定義出圖形；根據圖形對第二絕緣層進行蝕刻製程而去除部分第二絕緣層而形成第一圖案化絕緣層；以及持續對緩衝層與第一絕緣層進行蝕刻製程而定義出間距與至少一標記。

本發明之另一實施例中，上述之間距之範圍介於25微米至500微米之間。

在本發明中，觸控面板包括基板以及觸控單元。觸控單元的側邊面對於基板的側邊，且觸控單元的側邊與基板的側邊之間具有間距。在這樣的結構下，本發明之觸控面板在進行後續的切割或研磨的製程時，可以有效避免觸控單元遭受到破壞。另外，本發明提出一種觸控面板製作方法，使得觸控面板的基板側邊與觸控單元側邊之間具有間距的構造，以利於觸控面板的基板進行切割，以避免觸控單元在製程中遭受破壞，進而提高良率。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照圖3，其為本發明之一實施例所述之觸控面板上視示意圖。從圖3中可以清楚看出，本實施例所述之觸控面板2例如是單片式基板觸控面板。如圖3所示，觸控面板2包括基板20，例如是強化玻璃基板。觸控面板2之基板20上具有觸控區21與周邊區22。由於基板20為具有一定透明度的非導電基材，因此，觸控區21為具有透明的可視區域，用以觀看其下方的顯示器所顯示的資訊。而位於觸控區21與基板20邊緣之間的周邊區22為具有遮光層(如黑色樹脂層)的不可透視區域，一般會將容易遮蔽視線的元件設置在周邊區22。

請參照圖4，其為沿圖3之B-B線所見之觸控面板2之周邊區22的剖面示意圖。從圖4中可以清楚看出，本實施例所述之周邊區22包括基板20的一部分以及觸控單元23的一部分。基板20具有至少一第一側邊201。觸控單元23配置於基板20上，且觸控單元23具有至少一第二側邊230。觸控單元23之第二側邊230面對於基板20的第一側邊201，且基板20之第一側邊201與觸控單元23之第二側邊230之間具有間距200，而此間距200範圍中例如是不具有觸控單元23而曝露出基板20表面202的區域，也就是說基板20之第一側邊201是沒有切齊觸控單元23之第二側邊230。

承上述，如圖4所示，在本實施例中，基板20曝露出的表面202的寬度範圍例如是介於25微米至500微米之間。舉例來說，基板20曝露出的表面202的寬度範圍，也就是基板20之第一側邊201與觸控單元23之第二側邊230之間距200例如是設定在500微米。而本實施例中所述之觸控面板2在進行切割與研磨(異形切割加工)製程時，一般來說，將基板20切割與研磨去除的寬度範圍例如是介於270微米至320微米之間，也就是切割基板20時最佳去除的寬度範圍例如是70微米左右，而研磨基板20時最佳去除的寬度範圍例如是介於200微米至250微米之間。因此，在間距200的寬度範圍為500微米時，在進行切割製程時的最大容許切割寬度範圍200a例如是設定在100微米。而在進行研磨製程時的最大容許研磨寬度範圍200b例如是設定在375微米，如此一來，可確保切割刀與研磨刀具不會接觸到觸控單元23。以下再就本實施例所述之觸控面板2之觸控單元23詳細的結構做進一步的說明。

請參照圖5，其為沿圖3之C-C線所見之觸控面板的剖面示意圖。從圖5中可以清楚看出，本實施例所述之觸控單元23設置於如圖3所示之觸控區21與周邊區22中。觸控單元23包括第一緩衝層231、第一遮光層232、第一絕緣層233、第一導電層234、第二絕緣層235、第二導電層236以及第三絕緣層237。第一緩衝層231設置於基板20上。第一遮光層232設置於第一緩衝層231上。第一絕緣層233設置於第一遮光層232上。第一導電層234設置於第一絕緣層233上。第二絕緣層235設置於第一絕緣層233、第一緩衝層231與第一導電層234上，且第二絕緣層235覆蓋第一絕緣層233與第一遮光層232之側緣。第二導電層236設置於第二絕緣層235上，且第二導電層236電性連接於第一導電層234。第三絕緣層237設置於第二絕緣層235與第二導電層236上。其中第一導電層234例如是金屬導電層，金屬導電層之材料選自鋁金屬、鉬金屬、鈦金屬、鎢金屬、氮化鋁、氮化鉬及一氮化鈦至少其中之一。第二導電層236例如是透明導電層，透明導電層之材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或透明導電氧化物(TCO)。第一緩衝層231、第一絕緣層233、第二絕緣層235與該第三絕緣層237之材料包括氮化合物、氧化合物、氮氧化合物或有機複合物。而第一遮光層232例如是採用不同透明度的材料包括黑色或其它顏色不透明之光阻、樹脂或油墨等材料。於一實施例中，基板20之第一側邊201與觸控單元23之第二側邊230之間距200，也就是基板20曝露出的表面202上也可以設置第一遮光層232。而上述觸控單元23的結構僅為本發明其中之一實施例，本發明所述之觸控單元23結構不限於此。

請參照圖6，其為本發明之另一實施例所述之觸控面板之周邊區剖面示意圖。本實施例所述之觸控面板之周邊區22a類似於圖4所述之觸控面板之周邊區22，現針對不同處進行說明。從圖6中可以清楚看出，本實施例所述之之周邊區22a結構包括基板20、觸控單元23以及標記24、25。標記24、25配置於基板20的第一側邊201與觸控單元23的第二側邊230之間，也就是位在不具有觸控單元23而曝露出基板20表面202的間距200區域之中。而標記24與觸控單元23之間具有間隔300，標記24與標記25之間也同樣具有間隔300a。

承上述，如圖6所示，在本實施例中，基板20曝露出的表面202寬度範圍例如是介於25微米至500微米之間。舉例來說，基板20曝露出的表面202寬度範圍，也就是基板20之第一側邊201與觸控單元23之第二側邊230之間距200例如是設定在500微米。而本實施中例所述之觸控面板2在進行切割與研磨(異形切割加工)製程時，一般來說，將基板20切割與研磨去除的寬度範圍例如是介於270微米至320微米之間，也就是切割基板20時最佳去除的寬度範圍例如是70微米左右，而研磨基板20時最佳去除的寬度範圍例如是介於200微米至250微米之間。因此，在間距200的寬度範圍為500微米時，在進行切割製程時的最大容許切割寬度範圍200c例如是設定在100微米。而在進行研磨製程時的最大容許研磨寬度範圍200d例如是設定在350微米。標記24與觸控單元23之間的間隔300、標記24與標記25之間的間隔300a以及標記25與最大容許切割寬度範圍200c的邊界之間的間隔300b例如是設定在50微米。如圖6所示，標記24、25例如是設置在最大容許研磨範圍200d之中，因此，本實施例中所述之標記24、25結構例如是製作成125微米的寬度範圍W1，且標記25位於標記24與第一側邊201之間，如此一來，在基板20進行研磨製程時，便能夠以標記24、25為監控的基準來進行研磨，例如：當基板20在進行切割製程時，倘若標記25在切割的過程中完全被切除，則代表在切割基板20時的下刀位置已偏差約175微米的寬度範圍W2，由於最大容許切割寬度範圍200c設定為100微米(理想寬度範圍為70微米內)，此時若再繼續進行研磨製程有絕大機會會破壞觸控單元23，則判定已超過最大的容許切割範圍，此基板20作廢。當基板20在進行研磨製程時，倘若標記24在研磨的過程中已被完全磨除，則代表基板20已有約350微米被磨除(如圖6中200d的寬度範圍)，由於最大容許研磨範圍200d設定為350微米，此時，應立即停止研磨，以防止觸控單元23被破壞。

承上述，如圖6所示，標記24與標記25之結構包括第二緩衝層241、第二遮光層242、第四絕緣層243、第五絕緣層244以及第六絕緣層245。第二緩衝層241設置於基板20上。第二遮光層242設置於該第二緩衝層241上。第四絕緣層243設置於第二遮光層242上。第五絕緣層244設置於第四絕緣層243上，且第五絕緣層244覆蓋第四絕緣層243、第二遮光層242與第二緩衝層241之側緣。第六絕緣層245設置於第五絕緣層244上，且第六絕緣層245覆蓋於第五絕緣層244之側緣。再請參照圖5與圖6。在本實施例中，圖6所示之觸控單元23結構與圖5所示之觸控單元23結構相同。由於間隔300、300a、300b(也就是基板20之表面202曝露出的區域)是透過微影蝕刻製程將部分的觸控單元23進行蝕刻後形成，因此，圖6所示之標記24、25的結構中，第二緩衝層241例如是與第一緩衝層231同層。第二遮光層242例如是與第一遮光層232同層。第四絕緣層243例如是與第一絕緣層233同層。第五絕緣層244例如是與第二絕緣層235同層。第六絕緣層245例如是與第三絕緣層237同層。而上述標記24、25的結構僅為本發明其中之一實施例，本發明所述之標記24、25結構不限於此。此外，由於標記24、25具有第二遮光層241，在監控系統的攝影鏡頭攝影下，可由監控系統的螢幕中清楚看出標記24、25在基板20上的位置，藉此，當基板20進行切割研磨製程時，可根據標記24、25的位置來進一步設定出最大容許切割寬度範圍200c以及最大容許研磨寬度範圍200d。

請參照圖7A，其為圖6所示之觸控面板周邊區22a之上視示意圖。從圖7A中可以清楚看出，標記24、25例如是連續不斷而環繞於觸控單元23進行設置。此外，也可以如圖7B所示，在觸控單元23的周圍設置多個標記24a與多個標記25a，而各個標記24a與各個標記25a之間都具有間隔300c、300d。

請參照圖8A至圖8D，其為本發明之一實施所述之觸控面板製作方法示意圖。從圖中可以清楚看出，本實施例所述之觸控面板製作方法包括下列步驟：首先，提供基板30(如圖8A所示)。接著，於基板30上形成觸控單元33，觸控單元33包括第一區3301與第二區3302(如圖8B所示)。然後，移除位在第二區3302之觸控單元33並曝露出基板30，同時使觸控單元33形成側邊330(如圖8C所示)。之後，切割基板30的第二區3302，使得基板30具有至少一切割邊緣301，且基板30之切割邊緣301與觸控單元33之側邊330之間具有間距3000(如圖8D所示)。而圖8D中所示之結構為觸控面板之周邊區結構，類似於圖4所示之觸控面板之周邊區結構。以下再就形成觸控單元33以及移除第二區3302之觸控單元33之詳細製作流程做進一步的描述。

請參照圖9A至圖9G，其為圖8所示之形成觸控單元33以及移除第二區3302之觸控單元33之詳細製作流程示意圖。從圖可以清楚看出，首先，於基板30上形成緩衝層331(如圖9A所示)。接著，於緩衝層331上形成一遮光層332，遮光層332例如是使用光罩於遮光層上332定義出所需之圖形，再透過蝕刻製程將部分遮光層332移除而形成圖案化遮光層，圖案化遮光層露出部分緩衝層331(如圖9B所示)。接著，於緩衝層331與遮光層332上形成一第一絕緣層333(如圖9C所示)。接著，於第一絕緣層333上形成第一導電層334，第一導電層334例如是使用光罩於第一導電層上334定義出所需之圖形，再透過蝕刻製程將部分第一導電層334移除而形成第一圖案化導電層，第一圖案化導電層露出部分第一絕緣層333(如圖9D所示)。接著，於第一絕緣層333與第一導電層334上形成第二絕緣層335，第二絕緣層335例如是使用光罩於第二絕緣層上335上定義出所需之圖形，再透過蝕刻製程將部分第二絕緣層335移除而形成第一圖案化絕緣層，在透過蝕刻製程將部分第二絕緣層335移除的同時，會一併將下方部分的第一絕緣層333以及部分的緩衝層331移除進而定義出間距3000(如圖9E所示)。接著，於第二絕緣層335上形成第二導電層336，第二導電層336例如是使用光罩於第二導電層上336上定義出所需之圖形，再透過蝕刻製程將部分第二導電層336移除而形成第二圖案化導電層，第二圖案化導電層露出部分第二絕緣層335，且第二導電層336藉由第一圖案化絕緣層定義出之貫穿孔338與第一導電層334完成電性連接(如圖9F所示)。之後，於第二絕緣層335、第二導電層上形成第三絕緣層337，第三絕緣層例如是使用光罩於第三絕緣層上337上定義出所需之圖形，再透過蝕刻製程將部分第三絕緣層337移除而形成第二圖案化絕緣層(如圖9G所示)。而圖9G中所示之結構為觸控面板之周邊區結構，類似於圖5所示之觸控面板之周邊區結構，也就是圖5所示之觸控面板之周邊區結構同樣可以透過如圖9A至圖9G的製程來製作。

請參照圖10A至圖10D，其為本發明之另一實施例所述之觸控面板製作方法示意圖。從圖中可以清楚看出，本實施例所述之觸控面板製作方法包括下列步驟：首先，提供基板40(如圖10A所示)。接著，於基板40上形成觸控單元43，觸控單元43包括第一區4301與第二區4302(如圖10B所示)。然後，移除位在第二區4302之部分觸控單元43曝露出部分基板40，進而形成標記44、45，並使觸控單元43形成側邊430(如圖10C所示)。之後，切割基板40的第二區4302，使得基板40具有至少一切割邊緣401，且基板40之切割邊緣401與觸控單元43之側邊430之間具有間距4000(如圖10D所示)。而圖10D中所示之結構為觸控面板之周邊區結構，類似於圖5所示之觸控面板之周邊區結構。而在本實施例中，形成觸控單元43與移除第二區4302之觸控單元43之詳細製作流程與圖9所示之製作流程類似，故在本段不詳述。

綜上所述，在本發明實施例所述之觸控面板包括基板以及觸控單元。觸控單元的側邊面對於基板的側邊，且觸控單元的側邊與基板的側邊之間具有間距，而在此間距區域中可設置標記。在這樣的結構下，本發明之觸控面在進行後續的切割或研磨的製程時，可以有效避免觸控單元中的遮光層遭受到破壞。另外，本發明提出一種觸控面板製作方法，使得觸控面板的基板側邊與觸控單元側邊之間具有間距的構造，以利於觸控面板的基板進行切割，來對觸控面板的基板進行切割，以避免觸控單元中的遮光層在製程中遭受破壞，進而提高良率。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1、2．．．觸控面板

10、20、30、40．．．基板

11、21．．．觸控區

12、22、22a．．．周邊區

100．．．基板邊緣

101．．．緩衝層

102．．．遮光層

103、104、105．．．絕緣層

23、33、43．．．觸控單元

24、25、24a、25a．．．標記

201．．．第一側邊

202．．．表面

230．．．第二側邊

200．．．間距

231．．．第一緩衝層

232．．．第一遮光層

233．．．第一絕緣層

234．．．第一導電層

235．．．第二絕緣層

236．．．第二導電層

237．．．第三絕緣層

241．．．第二緩衝層

242．．．第二遮光層

243．．．第四絕緣層

244．．．第五絕緣層

245．．．第六絕緣層

200a．．．最大容許切割寬度範圍

200b．．．最大容許研磨寬度範圍

200c．．．最大容許切割寬度範圍

200d．．．最大容許研磨寬度範圍

300、300a、300b、300c、300d．．．間隔

3000、4000．．．間距

3301、4301．．．第一區

3302、4302．．．第二區

330、430．．．側邊

301、401．．．切割邊緣

331．．．緩衝層

332．．．遮光層

333．．．第一絕緣層

334．．．第一導電層

335．．．第二絕緣層

336．．．第二導電層

337．．．第三絕緣層

338．．．貫穿孔

圖1繪示為習知單一基板之觸控面板上視示意圖。

圖2繪示為沿圖1之A-A線所見之觸控面板之周邊區的剖面示意圖。

圖3繪示為本發明之一實施例所述之觸控面板上視示意圖。

圖4繪示為沿圖3之B-B線所見之觸控面板之周邊區的剖面示意圖。

圖5繪示為沿圖3之C-C線所見之觸控面板的剖面示意圖。

圖6繪示為本發明之另一實施例所述之觸控面板之周邊區剖面示意圖。

圖7A繪示為其為圖6所示之觸控面板周邊區之上視示意圖。

圖7B繪示為本發明實施例所述之標記之另一實施例示意圖。

圖8A至圖8D繪示為本發明之一實施所述之觸控面板製作方法示意圖。

圖9A至圖9G繪示為圖8所示之形成觸控單元以及移除第二區之觸控單元之詳細製作流程示意圖。

圖10A至圖10D繪示為本發明之另一實施例所述之觸控面板製作方法示意圖。

20．．．基板

22．．．周邊區

23．．．觸控單元

200．．．間距

201．．．第一側邊

202．．．表面

230．．．第二側邊

200a．．．最大容許切割寬度範圍

200b．．．最大容許研磨寬度範圍

Claims (13)

1. 一種觸控面板，包括：一基板，具有至少一第一側邊；以及一觸控單元，配置於該基板上，且該觸控單元具有至少一第二側邊，其中該至少一第二側邊面對於該至少一第一側邊，且該至少第一側邊與該至少一第二側邊之間具有一間距；其中該觸控單元包括：一第一緩衝層，設置於該基板上；一第一遮光層，設置於該第一緩衝層上；一第一絕緣層，設置於該第一遮光層上；一第一導電層，設置於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層、該第一緩衝層與該第一導電層上，並覆蓋該第一絕緣層與該第一遮光層之側緣；一第二導電層，設置於該第二絕緣層上並電性連接於該第一導電層；以及一第三絕緣層，設置於該第二絕緣層與該第二導電層上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該間距之範圍為介於25微米至500微米之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，更包括至少一標記，配置於該基板上並位於該至少一第一側邊與該至少一第二側邊之間，並且該至少一標記至少部份不與該觸控單元接觸，該至少一標記包括：一第二緩衝層，設置於該基板上； 一第二遮光層，設置於該第二緩衝層上；一第四絕緣層，設置於該第二遮光層上；一第五絕緣層，設置於該第四絕緣層上，並覆蓋於該第四絕緣層、該第二遮光層與該第二緩衝層之側緣；以及一第六絕緣層，設置於該第五絕緣層上並覆蓋於該第五絕緣層之側緣。
4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控面板，其中該第六絕緣層與該觸控單元之間具有一間隔。
5. 如申請專利範圍第3項所述之觸控面板，其中該第二緩衝層與該第一緩衝層同層，該第二遮光層與該第一遮光層同層，該第四絕緣層與該第一絕緣層同層，該第五絕緣層與該第二絕緣層同層，該第六絕緣層與該第三絕緣層同層。
6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，更包括至少一標記，配置於該基板上並位於該至少一第一側邊與該至少一第二側邊之間，其中該至少一標記與該觸控單元之間具有一間隔。
7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該觸控單元包括有一周邊區與一觸控區，該周邊區環繞於該觸控區。
8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該基板為一強化玻璃基板。
9. 一種觸控面板製作方法，包括下列步驟：提供一基板；於該基板上形成一觸控單元，且該觸控單元包括一第一區與一第二區；移除該第二區之該觸控單元，並暴露出該基板，並且使該觸控單元形成一第一側邊；以及切割該第二區下之該基板，使該基板具有至少一切割邊緣，其中該至少一切割邊緣與該第一側邊具有一間距。
10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板製作方法，更包括下列步驟：保留部分該第二區之該觸控單元，進而形成至少一標記。
11. 如申請專利範圍第10項所述之觸控面板製作方法，更包括下列步驟：以該至少一標記為研磨界線來對該基板進行一研磨製程。
12. 如申請專利範圍第10項所述之觸控面板製作方法，其中該至少一標記之形成方法包括下列步驟：於該基板上形成一緩衝層；於該緩衝層上形成一遮光層，該遮光層為一圖案化遮光層，該圖案化遮光層露出部分該緩衝層；於該緩衝層與該遮光層上形成一第一絕緣層；於該第一絕緣層上形成一第二絕緣層；以一光罩於該第二絕緣層定義出一圖形；根據該圖形對該第二絕緣層進行一蝕刻製程而去除部分 該第二絕緣層而形成一第一圖案化絕緣層；以及持續對該緩衝層與該第一絕緣層進行該蝕刻製程而定義出該間距與該至少一標記。
13. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該間距之範圍介於25微米至500微米之間。