CN110741333B - 导电性薄膜、触摸面板及导电性薄膜的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种隔着ACF的与印刷电路板的密合性优异，且即使在长期保管之后隔着ACF与印刷电路板连接时，电阻率也低的导电性薄膜。并且，本发明的课题还在于提供一种导电性薄膜的制造方法及触摸面板。导电性薄膜具备：支撑体；检测电极，配置于支撑体的至少一个主表面上；连接部，配置于主表面上，且用于与外部端子电连接；及引出配线，配置于主表面上，在一个端部与检测电极电连接，且在另一个端部与连接部电连接，连接部含有粘合剂及金属成分，通过X射线光电子能谱法求出的、连接部中的金属成分的含量为0.5～10原子％。

Description

导电性薄膜、触摸面板及导电性薄膜的制造方法
技术领域
本发明涉及一种导电性薄膜、触摸面板及导电性薄膜的制造方法。
背景技术
在支撑体上形成有导电性细线的导电性薄膜可广泛用于太阳能电池、无机EL(电致发光)元件、有机EL元件等各种电子器件的电极、各种显示装置的电磁屏蔽件、触摸面板及透明面状发热体等。尤其，近年来，随着智能手机等的普及，可用作触摸面板用传感器的导电性薄膜的需要正在迅速扩大。
作为这种导电性薄膜，例如，在专利文献1中记载了“一种导电性薄膜，其具有支撑体、配置于支撑体上的、含有粘合剂及金属部的导电性细线，在导电性细线的垂直截面中，使沿着导电性细线的表面X的表面形状的轮廓线从导电性细线的与支撑体侧相反的一侧的表面X向支撑体侧移动的情况下，将轮廓线到达导电性细线中所含的金属部的位置作为上端位置，从上端位置朝向支撑体侧至100nm的区域中的金属部的平均面积率VA为1％以上且小于50％，在使轮廓线移动至比上端位置更靠支撑体侧的情况下，将在导电性细线中不包含金属部的位置作为下端位置，从上端位置与下端位置的中间位置朝向支撑体侧至50nm及朝向表面X侧至50nm的区域中的金属部的平均面积率VM1为50％以上。”。
并且，在专利文献2中记载了“一种带导电图案的基材，其具备：基材；导电图案，设置于基材上，且具有成为外部连接用端子的规定部分；及树脂固化膜，设置于导电图案上，规定部分的25％以上的面积不与树脂固化膜重叠。”。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/157585号
专利文献2：日本特开2017-107426号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人隔着ACF(Anisotropic Conductive Film：异向导电胶膜)将专利文献1中所记载的导电性薄膜的连接部与挠性印刷电路板的端子(相当于外部端子)进行压接接合而获得了层叠物。接着，对该层叠物中的各部件的密合性进行评价的结果，发现了需要进一步的改善。
而且，本发明人长期保管专利文献2中所记载的带导电图案的基材，然后隔着ACF与挠性印刷电路板的端子进行压接的结果，发现了电阻率会增加。
因此，本发明提供一种隔着ACF的与印刷电路板的密合性优异，且即使在长期保管之后隔着ACF与印刷电路板连接时，电阻率也低的导电性薄膜。
并且，本发明还提供一种导电性薄膜的制造方法及触摸面板。
用于解决技术课题的手段
为了实现上述课题，本发明人等进行深入研究的结果，发现了能够通过以下结构来实现上述课题。
[1]一种导电性薄膜，其具备：支撑体；检测电极，配置于支撑体的至少一个主表面上；连接部，配置于主表面上，且用于与外部端子电连接；及引出配线，配置于主表面上，在一个端部与检测电极电连接，且在另一个端部与连接部电连接，连接部含有粘合剂及金属成分，通过X射线光电子能谱法求出的、连接部中的金属成分的含量为0.5～10原子％。
[2]根据[1]所述的导电性薄膜，其中，选自包括引出配线及检测电极的组中的至少1种还含有粘合剂及金属成分。
[3]根据[1]或[2]所述的导电性薄膜，其中，检测电极由含有粘合剂及金属成分的网格状的导电性细线构成。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的导电性薄膜，其中，金属成分含有选自包括金、银、铜、镍、钯、钨、钼及铬的组中的至少1种原子。
[5]根据[1]至[4]中任一项所述的导电性薄膜，其中，在使用扫描型电子显微镜观察连接部的截面时，从连接部的表面至以表面作为基准的厚度方向上的5nm位置的区域中的金属成分的面积率为0.5～8％。
[6]一种触摸面板，其具有[1]至[5]中任一项所述的导电性薄膜。
[7]一种导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜为粘合剂含有高分子，且金属成分含有金属银的[1]至[5]中任一项所述的导电性薄膜，该导电性薄膜制造方法包括：在支撑体上同时重叠涂布含有卤化银、明胶及与明胶不同的高分子的含卤化银涂布液以及含有与明胶不同的高分子的组成调整涂布液，而形成含卤化银感光性层的工序；对含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影处理而形成含有金属银的连接部的工序；及去除连接部的明胶，而获得导电性薄膜的工序。
发明效果
根据本发明，能够提供一种隔着ACF的与挠性印刷电路板的密合性(以下，还称为“ACF密合可靠性”。)优异，且即使在长期保管之后隔着ACF与印刷电路板连接时，电阻率也低的(以下，还称为“环境耐久性”。)导电性薄膜。
并且，本发明还能够提供一种导电性薄膜的制造方法及触摸面板。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜的示意性俯视图。
图2是配置于支撑体的主表面上的第1检测电极的局部放大图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式来进行的，但本发明并不限定于这种实施方式。
另外，本说明书中，使用“～”来表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
[导电性薄膜]
本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜为如下导电性薄膜，其具备：支撑体；检测电极，配置于支撑体的一个主表面上；连接部，配置于上述主表面上，且用于与外部端子电连接；及引出配线，配置于上述主表面上，在一个端部与检测电极电连接，且在另一个端部与连接部电连接，连接部含有粘合剂及金属成分，通过X射线光电子能谱法求出的、连接部中的金属成分的含量为0.5～10原子％。
作为上述实施方式所涉及的导电性薄膜的特征之一，通过X射线光电子能谱法求出的连接部中的金属成分的含量为0.5～10原子％。
本发明人在恒定湿度及温度条件下保管隔着ACF将导电性薄膜的连接部与外部端子进行压接接合而得的层叠物的结果，发现了：若连接部中的金属成分的含量为0.5原子％以上，则即使在保管之后，电阻率也难以上升，可获得具有优异的ACF密合可靠性的导电性薄膜。
作为其理由，认为是因为：若连接部中的金属成分的含量为0.5原子％以上，则在保管期间难以引起连接部与ACF之间的剥离。
另一方面，发现了：若连接部中的金属成分的含量为10原子％以下，则即使在恒定湿度及温度条件下保管导电性薄膜，然后隔着ACF与挠性印刷电路板的端子进行压接，电阻率也足够低，可获得具有优异的环境耐久性的导电性薄膜。
作为其理由，本发明人推测是因为：例如，在专利文献2中所记载的带导电图案的基材中，在保管期间，所暴露的导电图案部腐蚀，与外部端子的连接部分的电阻率上升。
另外，作为金属成分的含量，优选9.5原子％以下，更优选8.0原子％以下。
另外，本说明书中，基于X射线光电子能谱法的金属成分的含量是指通过实施例中所记载的方法测定出的金属暴露率(原子％)。并且，通过上述方法求出的金属暴露率成为反映了从导电性薄膜的表面至厚度方向上的10nm的区域中的金属成分的含量(原子％)的值。
以下，利用附图，对本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜进行说明。
图1是本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜的示意性俯视图。在导电性薄膜10中，触摸区域S1被划分在支撑体11，周边区域S2被划分在触摸区域S1的外侧。在支撑体11的一个主表面上，在触摸区域S1内配置有沿D1方向延伸且在与D1方向正交的D2方向上并列配置的多个第1检测电极。并且，在周边区域S2中，与多个第1检测电极12电连接的多个第1引出配线13相互靠近地排列。并且，在周边区域S2中，与多个第1引出配线13电连接，且与外部端子(典型地是挠性布线基板)连接的第1连接部14相互靠近地排列。即，第1引出配线13中，在一个端部与第1检测电极电连接，且在另一个端部分别与第1连接部14电连接。
同样地，在支撑体11的另一个主表面上，在触摸区域S1内配置分别沿第2方向D2延伸且在D1方向上并列配置的多个第2检测电极15，在周边区域S2中与多个第2检测电极15电连接的多个第2引出配线16相互靠近地排列。并且，在周边区域S2内，与多个第2引出配线16电连接且与外部端子连接的第2连接部17相互靠近地排列。
另外，本说明书中，主表面是指支撑体中的各表面中面积大于其他表面的表面。例如，板状的支撑体具有表面和背面这2个对置的主表面。
另外，图1的导电性薄膜中，在支撑体的各主表面上分别配置有检测电极、引出配线及连接部，但是作为本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜，并不限制与此。即，导电性薄膜只要在其至少一个表面上具有检测电极、引出配线及连接部即可。
优选本实施方式所涉及的检测电极、引出配线及连接部(以下，有时将这些部件统称为“导电部”。)含有银和粘合剂。
在本实施方式所涉及的连接部含有银和粘合剂的情况下，容易将金属暴露率调整在规定的范围内。并且，在引出配线及检测电极含有银和粘合剂的情况下，能够通过后述的制造方法容易地制造。
本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜中，作为导电部的材料，并不限制于上述，能够使用含有金属成分的公知的导电性材料。作为金属成分，例如，可举出金、银、铂、铜、镍、钯、钨、钼、铬及它们的合金等。并且，作为具有导电性的材料，除此以外，还可举出氧化铟(还包括在氧化铟中掺杂有氧化锡和/或氧化锌的物质)、氧化锌、氧化锡及氧化钛等。
其中，作为导电部的材料，优选含有金属成分和粘合剂，作为金属成分，优选选自包括金(金属金)、银(金属银)、铜(金属铜)、镍(金属镍)、钯(金属钯)及铬的组中的至少1种，从导电特性更优异的观点出发，更优选选自包括金、银、铜、镍及钯的组中的至少1种，尤其优选银(金属银)。
作为粘合剂，并无特别限制，但是优选含有高分子。高分子的种类并无特别限制，可举出公知的高分子。其中，优选与明胶不同的高分子。另外，关于与明胶不同的高分子，将在后面进行叙述。
(检测电极)
在图2中示出了配置于支撑体11的主表面上的第1检测电极12的局部放大图。
第1检测电极通过由含有金属银和粘合剂的第1导电性细线21形成的网格图案而形成，配置于支撑体11的另一个主表面上的含有金属银和粘合剂的第2检测电极15也通过由第2导电性细线22形成的网格图案而形成。并且，使用上述导电性薄膜形成触摸面板，并由用户观察触摸区域时(以下，还将其称为“视觉辨认时”。)，第1导电性细线21和第2导电性细线22配置成相互交叉。
本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜中，作为第1导电性细线及第2导电性细线的形态，并不限制于上述。即，作为由多个导电性细线形成的图案，优选为组合正三角形、等腰三角形及直角三角形等三角形；正方形、矩形、菱形、平行四边形及梯形等四边形；(正)六边形及(正)八边形等(正)n边形；圆；椭圆；星形等而成的几何图形，尤其，进一步优选为由这些几何图形构成的网格状。另外，网格状是指包含由所交叉的导电性细线构成的多个正方形网格的形状。
作为除了上述以外的导电性细线的形态的具体例，例如，可举出如下形态：由分别一边重复弯曲一边相互并排前进的多个第1导电性细线形成第1检测电极，并且由分别一边重复弯曲一边相互并排前进的多个第2导电性细线形成第2检测电极，视觉辨认时，多个第1导电性细线和多个第2导电性细线相互重叠而形成由多边形构成的多个网格。
本实施方式所涉及的第1导电性细线及第2导电性细线所形成的网格的一边的长度Pa并无特别限制，但是优选为50～500μm，更优选为150～300μm。在单位网格的边的长度在上述范围内的情况下，更难被触摸面板的用户视觉辨认到导电性细线的存在。
从可见光透射率的观点出发，由导电性细线形成的导电部的开口率优选为85％以上，更优选为90％以上，最优选为95％以上。开口率相当于除了具有导电性细线的区域以外的支撑体上的区域占整体的比例。
导电性细线的线宽并无特别限制，但是优选30μm以下，更优选15μm以下，进一步优选10μm以下，尤其优选9μm以下，最优选7μm以下，优选0.5μm以上，更优选1.0μm以上。若在上述范围内，则能够相对容易地形成低电阻的电极。
并且，导电性细线的厚度并无特别限制，但是优选0.01μm以上，更优选0.05μm以上，优选20μm以下，更优选5μm以下，进一步优选3μm以下，尤其优选2μm以下，最优选1.5μm以下。若在上述范围内，则能够相对容易地形成低电阻，金属细线的可见少，且耐久性优异的电极。
(引出配线)
本实施方式所涉及的导电性薄膜中，优选引出配线由含有银和粘合剂的导电性细线构成。
引出配线配置于周边区域S2中，且在具有上述导电性薄膜的触摸面板中，用户无法视觉辨认。因此，关于形成引出配线的导电性细线的宽度，无论是否可视觉辨认，都能够适当地确定为充分实现导电的程度。其中，从可获得具有更优异的本发明的效果的导电性薄膜的观点出发，导电性细线的线宽优选500μm以下，更优选50μm以下，尤其优选30μm以下。
并且，本实施方式所涉及的导电性薄膜中，引出配线分别由具有规定的线宽的一个导电性细线形成。但是，作为本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜，并不限制于上述，与已说明的检测电极同样地，各引出配线可以是由导电性细线形成的网格状。
(连接部)
本实施方式所涉及的导电性薄膜中，连接部为宽度比引出配线宽的线性形状。连接部也与引出配线同样地，由于配置于周边区域S2中，因此其形状等能够根据外部端子的形状等而适当地确定。
本实施方式所涉及的导电性薄膜中，连接部分别由1个线性形状形成，且为具有规定的宽度及长度的膜状，但是并不限制于此，与检测电极同样地，可以是由多个导电性细线形成的网格状。
作为连接部中的金属成分的分布状态，并无特别限制。其中，从可获得具有更优异的本发明的效果的导电性薄膜的观点出发，使用扫描型电子显微镜观测连接部截面时，从连接部的表面至以表面作为基准的厚度方向上的5nm位置的区域(换言之，为表面与从表面至厚度方向上的5nm位置之间的区域，以下还称为“表层区域”。)中的金属成分的面积率(以下，还称为“金属面积率”。)优选0.1％以上，更优选0.5％以上，优选20％以下，更优选8％以下。
若金属成分的面积率为0.5～8％，则导电性薄膜具有更优异的环境耐久性及更优异的ACF密合可靠性。
另外，表层区域的金属面积率的测定方法如实施例所记载。
＜支撑体＞
关于支撑体，只要能够支撑导电部，则其种类并无限制。作为支撑体，优选透明支撑体，更优选塑料薄膜。通过使用透明支撑体，导电性薄膜能够优选用作透明导电性薄膜。
作为构成支撑体的材料的具体例，优选PET(聚对苯二甲酸乙二酯，258℃)、聚环烯烃(134℃)、聚碳酸酯(250℃)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，269℃)、PE(聚乙烯，135℃)、PP(聚丙烯，163℃)、聚苯乙烯(230℃)、聚氯乙烯(180℃)、聚偏二氯乙烯(212℃)或TAC(三乙酰纤维素，290℃)等熔点约为290℃以下的塑料薄膜，更优选PET、聚环烯烃或聚碳酸酯。()内的数值为熔点。支撑体的总光线透射率优选85～100％。
作为除了上述以外的支撑体，例如，还可举出合成石英玻璃、碱石灰系玻璃、铝硅酸盐玻璃及化学强化玻璃等玻璃板。从可获得具有优异的耐冲击性及优异的耐划伤性的导电性薄膜的观点出发，优选化学强化玻璃。
支撑体的厚度可以根据用途而适当地确定，并无特别限制。例如，作为用于触摸面板的厚度，通常，优选25～500μm。
作为支撑体的优选形态之一，可举出实施了选自包括大气压等离子体处理、电晕放电处理及紫外线照射处理的组中的至少1种处理的经处理的支撑体。通过实施上述处理，将OH基等亲水性基团导入到经处理的支撑体表面上，从而后述的导电部的密合性得到进一步提高。
上述处理中，从导电部的密合性得到进一步提高的观点出发，优选大气压等离子体处理。
作为支撑体的其他优选形态，优选在其表面上具有含有后述的与明胶不同的高分子的底涂层的带底涂层的支撑体。形成于带底涂层的支撑体上的导电部具有更优异的与底涂层的密合性。
底涂层的形成方法并无特别限制，但是例如，可举出将含有与明胶不同的高分子的底涂层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理的方法。根据需要，在底涂层形成用组合物中可以包含溶剂。溶剂的种类并无特别限制，可例示后述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。并且，作为包含与明胶不同的高分子的底涂层形成用组合物，可以使用包含与明胶不同的高分子的微粒的胶乳。
底涂层的厚度并无特别限制，但是从导电部的密合性更优异的观点出发，优选0.02～0.3μm，更优选0.03～0.2μm。
[导电性薄膜的制造方法]
导电性薄膜的制造方法并无特别限制，但是其中，在导电性薄膜含有银(金属银)作为金属成分的情况下，从生产率优异的观点出发，优选包括以下工序的制造方法。
·第1工序：
在支撑体上同时重叠涂布含有卤化银、明胶及与明胶不同的高分子的含卤化银涂布液以及含有与明胶不同的高分子的组成调整涂布液，而形成含卤化银感光性层的工序。
·第2工序：
对含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影处理而形成含有金属银的导电部的工序。
·第3工序：
去除导电部中的明胶，而获得导电性薄膜的工序。
另外，若附记导电性薄膜含有银时的第1实施方式，则如下。
一种导电性薄膜，其具备：
支撑体；
检测电极，配置于所述支撑体的至少一个主表面上；
连接部，配置于所述主表面上，且用于与外部端子电连接；及
引出配线，配置于所述主表面上，在一个端部与所述检测电极电连接，且在另一个端部与所述连接部电连接，
所述检测电极、所述引出配线及所述连接部含有粘合剂及银，
通过X射线光电子能谱法求出的、所述连接部中的所述金属成分的含量为0.5～10原子％。
＜第1工序＞
第1工序为在支撑体上同时重叠涂布含有卤化银、明胶及与明胶不同的高分子的含卤化银涂布液以及含有与明胶不同的高分子的组成调整涂布液，而形成含卤化银感光性层的工序。
另外，为了制造上述的导电性薄膜的第1实施方式，优选以从支撑体侧依次层叠含卤化银涂布液及组成调整涂布液的方式进行同时重叠涂布。另外，本说明书中，“涂布于支撑体上”还包括直接涂布于支撑体表面上的情况及在支撑体上配置其他层并涂布于该层上的情况。
以下，首先，对本工序中所使用的材料进行详细叙述。
(卤化银)
卤化银中所含有的卤原子可以是氯原子、溴原子、碘原子及氟原子中的任一个，也可以是它们的组合。例如，优选以氯化银、溴化银或碘化银作为主体的卤化银，而且，更优选以溴化银或氯化银作为主体的卤化银。作为卤化银，还优选氯溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银。其中，进一步优选氯溴化银、溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银，尤其优选含有50摩尔％以上的氯化银的氯溴化银或碘氯溴化银。
另外，在此，“以溴化银作为主体的卤化银”是指卤化银组成中所占的溴化物离子的摩尔分数为50％以上的卤化银。除了溴化物离子以外，以该溴化银作为主体的卤化银粒子还可以含有碘化物离子或氯化物离子。
卤化银为固体粒子状，卤化银的平均粒子尺寸以球当量直径计优选为0.1～1000nm(1μm)，更优选为0.1～300nm，进一步优选为1～200nm。
另外，卤化银粒子的球当量直径是指粒子形状为球形且具有相同体积的粒子的直径。
卤化银粒子的形状并无特别限制。作为形状，例如，可举出球、立方体、平板(6角平板、三角形平板及4边形平板等)、八面体及14面体等。
并且，关于用于卤化银的稳定化和/或高灵敏化的铑化合物及铱化合物等属于VIII族或VIIB族的金属化合物、以及钯化合物的用途，能够参考日本特开2009-188360号的0039段～0042段的记载。而且，关于化学增感，能够参考日本特开2009-188360号的0043段的技术记载。
(明胶)
明胶的种类并无特别限制，例如，除了石灰处理明胶以外，也可以使用酸处理明胶，还可以使用明胶的水解物、明胶酶分解物、以及用氨基及羧基等进行了修饰的明胶(例如，邻苯二甲酰化明胶及乙酰化明胶等)。
(与明胶不同的高分子(以下，还简称为“高分子”。))
关于所使用的高分子的种类，只要与明胶不同，则并无特别限制，但是优选后述的不会被分解明胶的氧化剂分解的高分子。另外，含卤化银涂布液中所含有的高分子与组成调整涂布液中所含有的高分子可以是相同种类，也可以是不同种类。
作为上述高分子，例如，可举出疎水性高分子(疎水性树脂)等，更具体而言，可举出选自包括丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、乙烯基系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚二烯系树脂、环氧系树脂、硅酮系树脂、纤维素系聚合物及壳聚糖系聚合物的组中的至少1种树脂或含有构成这些树脂的单体的共聚物等。
并且，优选高分子具有与后述的交联剂进行反应的反应性基团。
而且，作为高分子的其他优选形态，从能够进一步防止水分的浸入的观点出发，优选由以下通式(1)表示的聚合物(共聚物)。
通式(1)：-(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
另外，通式(1)中，A、B、C及D分别表示下述重复单元。
[化学式1]
Figure BDA0002310661990000121
R1表示甲基或卤原子，优选甲基、氯原子或溴原子。p表示0～2的整数，优选0或1，更优选0。
R2表示甲基或乙基，优选甲基。
R3表示氢原子或甲基，优选氢原子。L表示2价的连接基，优选由通式(2)表示的基团。
通式(2)：-(CO-X1)r-X2-
通式(2)中，X1表示氧原子或-NR30-。在此，R30表示氢原子、烷基、芳基或酰基，且分别可以具有取代基(例如，卤原子、硝基及羟基等)。R30优选氢原子、碳原子数1～10的烷基(例如，甲基、乙基、正丁基及正辛基等)或酰基(例如，乙酰基及苯甲酰基等)。作为X1，优选氧原子或-NH-。
X2表示亚烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基、亚芳基亚烷基或亚烷基亚芳基亚烷基，可以在这些基团的中途插入-O-、-S-、-OCO-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO2-、-N(R31)-及-N(R31)SO2-等。在此，R31表示碳原子数1～6的直链或支链的烷基，且具有甲基、乙基及异丙基等。作为X2，优选二亚甲基、三亚甲基、四亚甲基、邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、-CH2CH2OCOCH2CH2-及-CH2CH2OCO(C6H4)-等。
r表示0或1。
q表示0或1，优选0。
R4表示碳原子数5～80的烷基、烯基或炔基，优选碳原子数5～50的烷基，更优选碳原子数5～30的烷基，进一步优选碳原子数5～20的烷基。
R5表示氢原子、甲基、乙基、卤原子或-CH2COOR6，优选氢原子、甲基、卤原子或-CH2COOR6，进一步优选氢原子、甲基或-CH2COOR6，尤其优选氢原子。
R6表示氢原子或碳原子数1～80的烷基，可以与R4相同，也可以不同，R6的碳原子数优选1～70，进一步优选1～60。
通式(1)中，x、y、z及w表示各重复单元的摩尔比率。
作为x，优选3～60摩尔％，更优选3～50摩尔％，进一步优选3～40摩尔％。
作为y，优选30～96摩尔％，更优选35～95摩尔％，进一步优选40～90摩尔％。
作为z，优选0.5～25摩尔％，更优选0.5～20摩尔％，进一步优选1～20摩尔％。
作为w，优选0.5～40摩尔％，更优选0.5～30摩尔％。
其中，通式(1)中，尤其优选x为3～40摩尔％、y为40～90摩尔％、z为0.5～20摩尔％及w为0.5～10摩尔％的情况。
作为由通式(1)表示的聚合物，优选由下述通式(2)或通式(3)表示的聚合物。
[化学式2]
Figure BDA0002310661990000131
通式(2)中，x、y、z及w如上述定义所述。
[化学式3]
Figure BDA0002310661990000132
上述式中，a1、b1、c1、d1及e1表示各单体单元的摩尔比率，a1表示3～60(摩尔％)，b1表示30～95(摩尔％)，c1表示0.5～25(摩尔％)，d1表示0.5～40(摩尔％)，且e1表示1～10(摩尔％)。
a1的优选范围与上述x的优选范围相同，b1的的优选范围与上述y的优选范围相同，c1的优选范围与上述z的优选范围相同，d1的优选范围与上述w的优选范围相同。
e1优选1～10摩尔％，更优选2～9摩尔％，进一步优选2～8摩尔％。
由通式(1)表示的聚合物的重均分子量优选1000～100万，更优选2000～75万，进一步优选3000～50万。
关于由通式(1)表示的聚合物，例如，能够参考日本专利第3305459号及日本专利第3754745号公报等进行合成。
〔溶剂〕
在含卤化银涂布液及组成调整涂布液中包含溶剂。
作为所使用的溶剂，例如，可举出水、有机溶剂(例如，甲醇等醇类；丙酮等酮类；甲酰胺等酰胺类；二甲基亚砜等亚砜类；乙酸乙酯等酯类；醚类等)、离子液体或它们的混合溶剂。
(其他)
根据需要，在含卤化银涂布液及组成调整涂布液中可以包含除了上述的材料以外的其他材料。例如，优选含有用于使上述高分子彼此进行交联的交联剂。通过含有交联剂，进行高分子彼此之间的交联，即使在后述的工序中分解去除明胶时，也可保持导电性细线中的金属银彼此的连结，其结果，导电性薄膜具有更优异的导电特性。
(步骤)
同时重叠涂布含卤化银涂布液和组成调整涂布液的方法并无特别限制，能够采用公知的方法，例如，优选口模式涂布方式。在口模式涂布方式中具有滑动涂布方式、挤出涂布方式及帘式涂布方式，但是优选滑动涂布方式或挤出涂布，更优选薄层涂布适性高的挤出涂布。
并且，在实施同时重叠涂布之后，可以根据需要对所获得的涂膜实施干燥处理。通过实施干燥处理，能够容易地去除由含卤化银涂布液获得的涂膜及由组成调整涂布液获得的涂膜中所包含的溶剂。
作为由组成制备涂布液形成的涂膜中的、高分子的含量(g/m2)与明胶的含量(g/m2)的含有质量比，优选超过0.1，更优选0.2以上，进一步优选0.3以上，另外，作为上限，优选小于2.0，更优选1.8以下，进一步优选1.5以下，尤其优选1.0以下。
若高分子的含量与明胶的含量的含有质量比超过0.1，则金属暴露率容易成为10原子％以上。并且，若高分子的含量与明胶的含量的含有质量比小于2.0，则金属暴露率容易成为0.5原子％以上。
并且，由组成调整涂布液形成的涂膜中的、高分子的含量并无特别限制，但是优选超过0.01g/m2，更优选超过0.03g/m2，进一步优选0.1g/m2以上，更优选小于0.3g/m2。
作为由含卤化银涂布液形成的涂膜中的、高分子的含量(g/m2)与明胶的含量(g/m2)的含有质量比，优选0.1以上，更优选0.2以上，优选2.0以下，更优选1.0以下，进一步优选小于0.5。若高分子的含量与明胶的含量的含有质量比小于0.5，则金属暴露率容易成为0.5原子％以上。
并且，由含卤化银涂布液形成的涂膜中的高分子的含量优选0.04g/m2以上，更优选0.08g/m2以上，进一步优选0.1g/m2以上，最优选超过0.12g/m2，优选2.0g/m2以下，更优选0.4g/m2以下。
若由含卤化银涂布液形成的涂膜中的高分子的含量超过0.12g/m2，则金属暴露率容易成为10原子％以下。
由含卤化银涂布液形成的涂膜中的卤化银的含量并无特别限制，但是从导电性细线的导电特性更优异的观点出发，以银换算计优选3.0～20.0g/m2，更优选5.0～15.0g/m2。
＜第2工序＞
第2工序为对含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影而形成含有金属银的导电部的工序。通过实施本工序，还原卤化银，并形成含有金属银的导电部。另外，通常，曝光以图案状实施，在曝光部中形成含有金属银的导电部。另一方面，在未曝光部中，通过后述的显影处理溶出卤化银，并形成含有上述明胶及上述高分子的非导电部。非导电部实质上不含金属银。非导电部是指不显示导电性的区域。以下，对在本工序中实施的曝光处理和显影处理进行详细叙述。
若将含卤化银感光性层曝光成图案状，则在曝光部中，含卤化银感光性层中的卤化银形成潜像。曝光部被显影而形成导电部。另一方面，在未曝光部中，卤化银在显影时溶出，其结果，成为透明膜(非导电部)。
曝光的光源并无特别限制，能够使用可见光线及紫外线等光线或X射线等放射线。
图案曝光的方法并无特别限制，可以是隔着光掩模的表面曝光，也可以是基于激光束的扫描曝光。另外，图案的形状并无特别限制，可根据欲形成的导电性细线而适当地调整。
显影方法并无特别限制，但是例如，能够使用用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模等的公知的方法。
显影液并无特别限制，但是例如，还能够使用PQ(phenidone hydroquinone：菲尼酮对苯二酚)显影液、MQ(Metol hydroquinone：米吐尔对苯二酚)显影液及MAA(米吐尔抗坏血酸)显影液等。
本工序还可以具备为了去除未曝光部分的银盐并使其稳定化而进行的定影工序。定影工序可与显影同时和/或在显影之后实施。定影方法能够使用用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模等的方法。
定影温度优选20～50℃，更优选25～45℃。并且，定影时间优选5秒～1分钟，更优选7秒～50秒。
经过了显影及定影工序的含卤化银感光性层还可以进行水洗和/或进行稳定化。
＜第3工序＞
第3工序为去除在第2工序中获得的导电部中的明胶，而获得导电性薄膜的工序。若经过本工序，则从曝光及显影后的含卤化银感光性层(曝光部及未曝光部)分解明胶，并进一步去除，而形成导电性薄膜。尤其，从导电部去除明胶，金属银的密度进一步增加。但是，在即使没有第3工序，导电性也足够等的情况下，还能够适当地省略第3工序。
本工序的步骤并无特别限制，只要能够去除明胶即可。例如，可举出使用蛋白水解酶分解去除明胶的方法及使用规定的氧化剂分解去除明胶的方法。
另外，作为使用蛋白水解酶分解去除明胶的方法，例如，能够采用日本特开2014-209332号公报的0084～0087段中所记载的方法。
并且，作为使用氧化剂分解去除明胶的方法，例如，能够采用日本特开2014-112512号公报的0064～0066段中所记载的方法。
＜变形例＞
作为变形例，可举出如下方式：在上述的第1工序中，以从支撑体侧依次层叠其他组成调整涂布液、含卤化银涂布液及组成调整涂布液的方式进行同时重叠涂布。
根据需要，在其他组成调整涂布液中可以加入规定的添加剂(例如，色素)。并且，根据需要，可以同时重叠涂布或独立地涂布其他功能层而设置。
由其他组成调整涂布液形成的涂膜中，作为明胶的含量与总固体成分的含有质量比(明胶的含量/总固体成分)，优选0.05以上，更优选0.1以上，进一步优选超过0.2，优选0.6以下，更优选0.5以下。
若为0.05以上，则适当地含有明胶，因此在第3工序中容易去除明胶，其结果，可获得低电阻率和/或电化学迁移得到了抑制的导电性薄膜。
并且，作为由其他组成调整涂布液形成的涂膜中的高分子的含量，并无特别限制，但是优选0.03～0.3g/m2，更优选0.05～0.10g/m2。
并且，作为其他变形例，还可举出使用非金属微粒来代替组成调整涂布液中的高分子的方式或者除此之外还使用非金属微粒的方式。
并且，根据需要，还可以实施除了上述第1工序～第3工序以外的其他工序。
例如，为了提高导电性细线的导电特性，可以在第3工序之后实施日本特开2014-209332号公报的0098～0100段中所记载的实施压延处理的平滑工序。
并且，可以在第3工序之后实施日本特开2015-005495号公报的0165～0183段中所记载的实施将表面凹凸转印到导电性细线上的压延处理的压延工序。在该情况下，由于表面的凹凸化而难以视觉辨认导电性细线的好转效果协同地发挥作用，因此更优选。
并且，为了提高导电性细线的导电特性，可以在第3工序之后实施日本特开2014-209332号公报的0101～0103段中所记载的实施加热处理的加热工序。
另外，从本发明的效果更优异的观点出发，优选在上述第3工序之后，实施对导电性细线进行平滑化的平滑工序(优选为通过压延处理来对导电性细线进行平滑化的平滑工序)，然后，进一步实施对导电性薄膜实施加热处理的加热工序。
另外，作为本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜的制造方法，并不限制于上述，例如，可以通过含有金属成分和粘合剂的油墨，将所期望的导电性细线印刷(作为印刷方法，例如，可举出喷墨法等。)在支撑体上。并且，作为本发明的实施方式所涉及的导电性薄膜的制造方法，可以是如下方法：预先在支撑体上制作含有金属成分和粘合剂的被膜，并通过公知的光学平版刻法对上述被膜进行图案化。
实施例
以下，列举本发明的实施例来对本发明进行进一步具体的说明。另外，关于以下的实施例中所示的材料、用量、比例、处理内容、处理步骤等，只要不脱离本发明的主旨，则能够进行适当变更。因此，本发明的范围不应由以下所示的具体例限定性地进行解释。
[实施例1]
〔卤化银乳剂的制备〕
＜粒子的形成＞
准备下述1液，保持为30℃、pH4.5。接着，以下述组成及量准备下述2液及3液，一边搅拌相当于各自的总量的90质量％的量，一边经20分钟同时加入到1液中，从而获得了混合液。在混合液中，形成有以球当量直径平均为0.12μm的核粒子。接着，经8分钟在混合液中加入下述4液及5液，进一步经2分钟加入了2液及3液的余量(10质量％)。此时，在混合液中，粒子生长至以球当量直径平均为0.15μm。接着，在混合液中加入碘化钾0.15g，并熟化5分钟，结束了粒子形成。另外，以下简称为明胶时，是指1液中的高分子量明胶及低分子量明胶这两者。
1液；
·水：750ml
·高分子量明胶(分子量为30万)：9g
·低分子量明胶(分子量为1万5000)：4.5g
·氯化钠：3g
·1,3-二甲基咪唑烷-2-硫酮：20mg
·苯硫代磺酸鈉：10mg
·柠檬酸：0.7g
2液；
·水：300ml
·硝酸银：150g
3液；
·水：300ml
·氯化钠：38g
·溴化钾：32g
·六氯铱(III)酸钾(六氯铱(III)酸钾的含量为20质量％，而且，含有0.005质量％的KCl。)：8ml
·六氯铑酸铵(六氯铑酸铵的含量为20质量％，而且，含有0.001质量％的NaCl。)：10ml
4液；
·水：100ml
·硝酸银：50g
5液；
·水：100ml
·氯化钠：13g
·溴化钾：11g
·亚铁氰化钾(六氰合铁(II)酸钾)：5mg
＜乳剂的制备＞
接着，根据常规方法，通过絮凝法水洗了所获得的粒子。具体而言，将混合液的温度降低至35℃，加入硫酸，并降低了pH(pH在3.6±0.2的范围内)直至卤化银沉淀。接着，去除了混合液的上清部分(约为3升)(第1水洗)。接着，在混合液中加入3升蒸馏水，进一步加入了硫酸直至卤化银沉淀。接着，去除了混合液的上清部分(3升)(第2水洗)。接着，进一步重复进行1次与第2水洗相同的操作(第3水洗)，获得乳剂，并结束了水洗·脱盐工序。接着，将所获得的乳剂的pH调整至6.4，并将pAg调整至7.5，在乳剂中加入高分子量明胶3.9g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，并在55℃条件下实施了化学增感，以获得最佳灵敏度。接着，在乳剂中加入了作为稳定剂的1,3,3a,7-四氮茚100mg、作为防腐剂的PROXEL(商品名称，ICI Co.,Ltd.制造)100mg。最终获得的乳剂为含有0.08摩尔％的碘化银，并将氯溴化银的比率设为70摩尔％的氯化银、30摩尔％的溴化银，且平均粒径为0.15μm、变动系数为10％的碘氯溴化银立方体粒子乳剂。
〔含卤化银涂布液1的制备〕
在上述乳剂中添加1,3,3a,7-四氮茚(1.2×10-4摩尔/摩尔Ag)、氢醌(1.2×10-2摩尔/摩尔Ag)、柠檬酸(3.0×10-4摩尔/摩尔Ag)、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐(0.90g/摩尔Ag)及微量的坚膜剂，从而获得了组合物。接着，使用柠檬酸来将组合物的pH调整至5.6。
在上述组合物中添加含有由下述(P-1)表示的聚合物(以下称为“P-1”。)、包含二烷基苯基PEO(PEO为聚环氧乙烷的简称。)硫酸酯的分散剂及水的聚合物胶乳(分散剂的含量与P-1的含量的含有质量比(分散剂/P-1，单位为g/g)为2.0/100＝0.02，且固体成分含量为22质量％。)，以使P-1的含量与组合物中的明胶的含量的含有质量比(P-1/明胶，单位为g/g)成为0.2/1，从而获得了含聚合物胶乳的组合物。在此，含聚合物胶乳的组合物中，P-1的含量与卤化银的含量的含有质量比R1(P-1/卤化银，单位为g/g。)为0.024(另外，关于上述R1，在最终获得的含卤化银涂布液1中也相同)。
[化学式4]
Figure BDA0002310661990000201
而且，在含聚合物胶乳的组合物中添加EPOXY RESIN DY 022(商品名称，NagaseChemteX Corporation.制造)作为交联剂，从而获得了含卤化银涂布液1。另外，将交联剂的添加量调整成后述的含卤化银感光性层中的交联剂的量成为0.09g/m2。
另外，关于P-1，参考日本专利第3305459号及日本专利第3754745号进行了合成。
〔导电性薄膜的形成〕
经过以下各工序，形成了导电性薄膜。
＜感光性层形成工序(其1)＞
在厚度为40μm的双轴取向PET(聚对苯二甲酸乙二酯)支撑体的一个表面上涂布后述的底涂层形成用组合物，以使干燥后的膜厚成为60nm，并在90℃条件下干燥1分钟，从而制作了带底涂层的支撑体。另外，底涂层的厚度使用ANRITSU CORPORATION制造的电子显微镜膜厚度仪进行了测定。
(底涂层形成用组合物(固化性组合物)的组成)
底涂层形成用组合物的组成如下。
·丙烯酸系聚合物：66.4质量份
(“AS-563A”，DAICEL FINECHEM LTD.制造，固体成分：27.5质量％)
·碳二亚胺系交联剂：16.6质量份
(“CARBODILITE V-02-L2”，Nisshinbo Co.,Ltd.制造，固体成分：10质量％)
·胶体二氧化硅：4.4质量份
(“SNOWTEX XL”，Nissan Chemical Corporation制造，固体成分：10质量％，水稀释液)
·润滑剂：27.7质量份
(巴西棕榈蜡，“Cellosol 524”，CHUKYO YUSHI CO.,LTD.制造，固体成分：3质量％，水稀释液)
·阴离子性表面活性剂：23.3质量份
(“RAPISOL A-90”，NOF CORPORATION.制造，固体成分：1质量％，水溶液)
·阴离子性表面活性剂：14.6质量份
(“NAROACTY CL95”，SANYO CHEMICAL,LTD.制造，固体成分：1质量％，水溶液)
·蒸馏水：847.0质量份
接着，在带底涂层的支撑体的底涂层上，以涂液流量比(组成调整涂布液1/含卤化银涂布液1/组成调整涂布液2)25/25/1，从底涂层侧依次同时重叠涂布后述的组成调整涂布液1、上述含卤化银涂布液1及后述的组成调整涂布液2，从而在支撑体上形成了含卤化银感光性层。将其作为薄膜A。
组成调整涂布液1通过在以上述P-1的含量与明胶的含量的含有质量比(P-1的含量/明胶的含量，单位为g/g)成为3/1的方式混合明胶和聚合物胶乳而成的混合液中进一步加入光学浓度约为1.0且通过后述的显影液的碱进行脱色的染料而获得。
并且，将组成调整涂布液1的浓度调整成由该组成调整涂布液1形成的层中的P-1的含量(涂设量)成为0.65g/m2。另外，在由组成调整涂布液1形成的层中含有染料，因此具有防光晕的功能。
并且，组成调整涂布液2通过以明胶的含量、P-1的含量及胶体二氧化硅(SNOWTEXST-C，Nissan Chemical Corporation制造)的含量的含有质量比(P-1的含量/胶体二氧化硅的含量/明胶的含量、单位g/g/g)成为0.5/1.5/1的方式将它们混合而成。并且，将组成调整涂布液2的浓度调整成由该组成调整涂布液2形成的层中的明胶的含量成为0.10g/m2。
并且，由含卤化银涂布液1形成的层中，银的含量为7.4g/m2，P-1的含量为0.26g/m2，明胶的含量为1.02g/m2。
＜曝光显影工序＞
在上述薄膜A的一个表面上(含卤化银感光性层侧)配置具有以下开口部的光掩模，并隔着上述光掩模，使用将高压汞灯作为光源的平行光进行了曝光。使用下述显影液对曝光后的薄膜A进行显影，进一步使用定影液(商品名称：CN16X用N3X-R，FujifilmCorporation制造)进行了处理。接着，用纯水冲洗处理后的薄膜A，并进行干燥，从而获得了在支撑体上形成有由含有Ag的导电性细线(线宽3μm)构成的导电性网格和含有明胶及P-1的层的薄膜(薄膜B)。另外，含有明胶及P-1的层形成于含有Ag的导电性细线之间。
(光掩模)
上述光掩模具有以下开口部1～3。
·开口部1：
一种开口部，其用于形成网格状导电性细线，该开口部中，与导电性细线相对应的线状开口部的线宽为1.0μm，线状开口部的间距(间隔)为300μm，由上述多个线形成的网格呈正方形(2cm见方)。
关于上述开口部1，在1个光掩模中配置有5个。
·开口部2：
一种开口部，其用于形成多个引出配线，该开口部形成为所形成的引出配线在其一端上与通过开口部1形成的网格状导电性细线电连接，所形成的引出配线的宽度成为10μm，且所形成的引出配线彼此的间隔成为10μm。
·开口部3：
·一种开口部，其用于形成连接部，该开口部用于形成用于在通过开口部2形成的引出配线中的与和通过开口部1形成的网格状导电性细线电连接的侧相反的一侧的端上与挠性印刷电路板连接的连接部(尺寸为0.2mm×3mm)。
(显影液的组成)
显影液的组成如下。
·氢醌：0.037mol/L
·N-甲基氨基苯酚：0.016mol/L
·偏硼酸钠：0.140mol/L
·氢氧化钠：0.360mol/L
·溴化钠：0.031mol/L
·焦亚硫酸钾：0.187mol/L
＜明胶去除工序＞
经120秒钟将薄膜B浸渍于蛋白水解酶(Nagase ChemteX Corporation.制造的“BIOPRASE AL-15FG”)的水溶液(蛋白水解酶的含量：0.5质量％，液温：40℃)中。接着，从蛋白水解酶的水溶液中取出浸渍后的薄膜B，在热水(液温：50℃)中浸渍120秒钟，并进行清洗，获得了具有由含有Ag的导电性细线(线宽为3μm)构成的导电性网格和从含有明胶及P-1的层中去除了明胶的导电部的薄膜C(相当于导电性薄膜)。
(低电阻化处理)
使用基于金属辊和树脂制辊的组合的压延装置，以30kN的压力对上述薄膜C进行压延处理之后，经120秒钟通过150℃的过热水蒸气槽，并进行了加热。将所获得的薄膜作为薄膜D。
〔金属暴露率(金属成分的含量)的测定〕
关于薄膜D的连接部，利用X射线光电子能谱法(XPS)，求出了金属暴露率。另外，XPS的测定条件如下。
装置：ULVAC-PHI,Inc.制造的Versa ProbeII
X射线源：单色化Al-Ka射线(100μmf，25W，15kV)
光电子拾取角度：45°
通能(Pass Energy)：46.95eV
台阶能(Step Energy)：0.05eV
每步时间(time per step)：20ms带电校正：有(同时使用电子枪·低速离子枪)
测定原子(跟踪扫描(Sweep))：C 1s(2)、O 1s(2)、Ag 3d(2)、Si 2s(3)、I 3d5/2(3)、N 1s(2)(按以上测定顺序)
测定面积：500mm2(区域分析)
XPS的深度分辨率是距表面约10nm。金属暴露率作为总金属原子数/总原子数而进行了计算。另外，金属原子是指属于周期表的第4～12族的原子，总原子数是指金属原子数加上B、C、N、O、F、Si、P、S、Cl、Br及I的原子数而得的原子数。
另外，金属暴露率的计算中，忽略了在利用XPS检测到的原子内其含量小于0.02原子％的原子。即，由金属原子以及B、C、N、O、F、Si、P、S、Cl、Br及I中其含量为0.02原子％以上的原子，计算了金属暴露率。
上述薄膜D的连接部的金属暴露率为5原子％。
[表层区域中的金属面积率的计算]
接着，利用以下方法并使用切片机切割薄膜D的连接部，使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的扫描电子显微镜S-5500型(加速电压为2kV，观察倍率为3万倍，反射电子像)观察切割面，并拍摄了截面SEM(扫描型电子显微镜)像。所获得的连接部的垂直截面像中，求出了使沿着连接部的表面X的表面形状的轮廓线从连接部的与支撑体侧相反的一侧的表面X朝向支撑体侧移动了5nm的区域中的金属成分的面积率(％)({(金属成分的面积)/(观察对象区域的面积)}×100))。另外，在任意10处进行上述测定，并将它们进行算数平均，而求出了平均面积率(相当于表层区域的金属面积率。)。
另外，在计算上述面积率时使用图像处理软件ImageJ，将截面SEM照片的金属成分二值化为白色(灰度值＝255)，且将粘合剂部二值化为黑色(灰度值＝0)，并测定观察对象区域的Mean gray value(平均灰度值)，将对将测定值除以255而得的值乘以100而得的值设为金属面积率(％)。将结果记载于表1的“表层区域中的金属面积率(％)”一栏中。
[实施例2]
实施例1中，使用以明胶的含量、P-1的含量及胶体二氧化硅的含量的含有质量比(P-1的含量/胶体二氧化硅的含量/明胶的含量，单位为g/g/g)成为1.3/1.5/1的方式混合上述聚合物胶乳、明胶及胶体二氧化硅而得的组成制备涂布液3来代替组成调整涂布液2，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了低电阻化处理后的导电性薄膜(相当于薄膜D)。该导电性薄膜的连接部的金属暴露率为0.5原子％。
[实施例3]
实施例1中，使用以明胶的含量、P-1的含量及胶体二氧化硅的含量的含有质量比(P-1的含量/胶体二氧化硅的含量/明胶的含量，单位为g/g/g)成为0.3/0.9/1的方式混合上述聚合物胶乳、明胶及胶体二氧化硅而得的组成制备涂布液4来代替组成调整涂布液2，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了低电阻化处理后的导电性薄膜(相当于薄膜D)。该导电性薄膜的连接部的金属暴露率为9.5原子％。
[比较例1]
实施例1中，使用以明胶的含量、P-1的含量及胶体二氧化硅的含量的含有质量比(P-1的含量/胶体二氧化硅的含量/明胶的含量，单位为g/g/g)成为2/1.5/1的方式混合上述聚合物胶乳、明胶及胶体二氧化硅而得的组成制备涂布液5来代替组成调整涂布液2，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了低电阻化处理后的导电性薄膜(相当于薄膜D)。该导电性薄膜的连接部的金属暴露率为0.1原子％。
[比较例2]
实施例1中，使用以明胶的含量、P-1的含量及胶体二氧化硅的含量的含有质量比(P-1的含量/胶体二氧化硅的含量/明胶的含量，单位为g/g/g)成为0/0.1/1的方式混合上述聚合物胶乳、明胶及胶体二氧化硅而得的组成制备涂布液6来代替组成调整涂布液2，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得了低电阻化处理后的导电性薄膜(相当于薄膜D)。该导电性薄膜的连接部的金属暴露率为25.0原子％。
[实施例4]
在比较例2的导电性薄膜上涂布包含上述聚合物胶乳的水溶液，而设置了外涂层。连接部的金属暴露率为0.5原子％。
[环境耐久性的测定]
关于所获得的各导电性薄膜，通过以下方法测定了环境耐久性。
在环境耐久性低的情况下，连接部表面的金属被空气中的氧、氯及硫等腐蚀，隔着ACF的印刷电路基板与薄膜D(或相当于其的比较例的导电性薄膜)的连接部之间的电阻率上升。关于刚制造薄膜D(或相当于其的比较例的导电性薄膜)之后(新)和在常温常湿的室内静放2个月之后(经时后)中的每一种，隔着CP920CM-25AC(Dexerials Corporation制造的AFC)，将TAIYO KOGYO CORPORATION制造的印刷电路基板与连接部进行了压接接合。将压接接合条件设为150℃、1.0MPa、10秒钟(制造商推荐条件)。根据经时后相对于新的印刷电路基板-薄膜D(或相当于其的比较例的导电性薄膜)连接部中的电阻值的上升率评价了薄膜D的环境耐久性。判定基准如下。将结果示于表1。
A：电阻值的上升率小于10％。
B：电阻值的上升率为10％以上且小于20％。
C：电阻值的上升率为20％以上。
[ACF密合可靠性]
隔着CP920CM―25AC(Dexerials Corporation制造的ACF)，将TAIYO KOGYOCORPORATION制造的印刷电路基板与薄膜D(新)的连接部进行压接接合而获得了层叠物。但是，为了强制评价ACF密合可靠性，将压接接合条件设定为压接比制造商推荐条件弱的100℃、0.5MPa、10秒钟。测定了刚压接接合之后的印刷电路基板与薄膜D(或相当于其的比较例的导电性薄膜)的连接部之间的电阻值。接着，关于上述层叠物，实施湿热可靠性试验(60℃、90％、10天)，然后，测定了印刷电路基板与薄膜D(或相当于其的比较例的导电性薄膜)的连接部之间的电阻值。根据该湿热可靠性试验之前和之后的电阻值的上升率，评价了ACF密合可靠性。判定基准如下。将结果示于表1。
A：电阻值的上升率小于5％。
B：电阻值的上升率为5％以上且小于10％。
C：电阻值的上升率为10％以上。
另外，在湿热可靠性试验之后电阻值上升，这表示导电性薄膜的连接部与ACF的密合可靠性低，即在湿热可靠性试验之后引起导电性薄膜的连接部与ACF的剥离。
[表1]
Figure BDA0002310661990000271
根据表1中所示的结果，实施例1～实施例4的导电性薄膜具有本发明的效果。另一方面，金属暴露率为0.10原子％的比较例1的导电性薄膜中，ACF密合可靠性差。并且，金属暴露率为25原子％的比较例2的导电性薄膜中，环境耐久性差。
并且，与金属暴露率为9.5原子％的实施例3的导电性薄膜相比，金属暴露率为8.0原子％以下的实施例1的导电性薄膜具有更优异的环境耐久性。
并且，与实施例4的导电性薄膜相比，金属成分的面积率在0.5～8％的范围内的实施例2的导电性薄膜具有更优异的ACF密合可靠性。并且，与实施例3的导电性薄膜相比，具有更优异的环境耐久性。
符号说明
10-导电性薄膜，11-支撑体，12-第1检测电极，13-第1引出配线，14-第1连接部，15-第2检测电极，16-第2引出配线，17-第2连接部，21-第1导电性细线，22-第2导电性细线。

Claims (7)

1.一种导电性薄膜，其具备：
支撑体；
检测电极，配置于所述支撑体的至少一个主表面上；
连接部，配置于所述主表面上，且用于与外部端子电连接；及
引出配线，配置于所述主表面上，在一个端部与所述检测电极电连接，且在另一个端部与所述连接部电连接，
所述连接部含有粘合剂及金属成分，
通过X射线光电子能谱法求出的、所述连接部中的所述金属成分的含量为0.5～10原子％。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，
选自包括所述引出配线及所述检测电极的组中的至少1种还含有所述粘合剂及所述金属成分。
3.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，
所述检测电极由含有所述粘合剂及所述金属成分的网格状的导电性细线构成。
4.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，
所述金属成分含有：选自包括金、银、铜、镍、钯、钨、钼及铬的组中的至少1种原子。
5.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，
在使用扫描型电子显微镜观察所述连接部的截面时，
从所述连接部的表面至以所述表面作为基准的厚度方向上的5nm位置的区域中的所述金属成分的面积率为0.5～8％。
6.一种触摸面板，其具有权利要求1至5中任一项所述的导电性薄膜。
7.一种导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜为所述粘合剂含有高分子，且所述金属成分含有银的权利要求1至5中任一项所述的导电性薄膜，该导电性薄膜制造方法包括：
在支撑体上同时重叠涂布含有卤化银、明胶及与所述明胶不同的高分子的含卤化银涂布液以及含有与所述明胶不同的高分子的组成调整涂布液，而形成含卤化银感光性层的工序；
对所述含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影处理而形成含有银的所述连接部的工序；及
去除所述连接部的所述明胶，而获得所述导电性薄膜的工序。
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