WO2021059812A1 - めっき液、めっきセット、導電性基板の製造方法 - Google Patents

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WO2021059812A1
WO2021059812A1 PCT/JP2020/031550 JP2020031550W WO2021059812A1 WO 2021059812 A1 WO2021059812 A1 WO 2021059812A1 JP 2020031550 W JP2020031550 W JP 2020031550W WO 2021059812 A1 WO2021059812 A1 WO 2021059812A1
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plating solution
polymer
conductive thin
salt
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基 原田
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富士フイルム株式会社
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    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material

Definitions

  • the present invention relates to a plating solution, a plating set, and a method for manufacturing a conductive substrate.
  • Conductive substrates having conductive thin wires are widely used in various applications such as touch panels, solar cells, and EL (electroluminescence) elements.
  • touch panels thin wire-like wiring indicating conductivity
  • EL electroluminescence
  • the mounting rate of touch panels on mobile phones and mobile game devices has been increasing, and the demand for conductive substrates for capacitive touch panels capable of detecting multiple points is rapidly expanding.
  • Patent Document 1 discloses a plating solution containing silver ions and an aminocarboxylic acid compound.
  • the present invention can form conductive thin wires exhibiting excellent conductivity, and short circuits occur between the formed conductive thin wires (particularly, between conductive thin wires having an interval of 30 ⁇ m or less). It is an object of the present invention to provide a plating solution capable of suppressing the above. Another object of the present invention is to provide a plating set and a method for manufacturing a conductive substrate.
  • the plating solution according to any one of (1) to (3) wherein the ratio of the silver-equivalent mass of the silver salt to the mass of the polymer having a carboxyl group or a salt thereof is 0.10 to 5.0.
  • the plating solution according to any one of (1) to (4) which further contains a reducing agent.
  • a plating set comprising the plating solution according to any one of (1) to (4) and a reducing solution containing a reducing agent.
  • a method for manufacturing a conductive substrate having a step of forming (8) A plurality of conductive thin wires are arranged in parallel with each other. The method for manufacturing a conductive substrate according to (7), wherein there is a region where the distance between adjacent conductive thin wires is 30 ⁇ m or less. (9) A mesh pattern is formed by conductive thin wires. The method for manufacturing a conductive substrate according to (7), wherein the line width of the conductive thin wire is 0.5 ⁇ m or more and less than 4.0 ⁇ m.
  • the present invention it is possible to form conductive thin wires exhibiting excellent conductivity, and it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the formed conductive thin wires (particularly, between conductive thin wires having an interval of 30 ⁇ m or less).
  • a plating solution can be provided. Further, according to the present invention, it is possible to provide a plating set and a method for manufacturing a conductive substrate.
  • the numerical range represented by using "-" means a range including the numerical values before and after "-" as the lower limit value and the upper limit value.
  • a feature of the present invention is that a predetermined amount of a polymer having a carboxyl group or a salt thereof is used.
  • the reduction of silver ions proceeded in the plating solution to generate agglomerates containing silver, and these agglomerates were formed. It has been found that it adheres between the conductive thin wires and grows during the plating process, causing a short circuit between the conductive thin wires. Therefore, by using a predetermined amount of a polymer having a carboxyl group or a salt thereof, the generation and growth of agglomerates containing silver in the plating solution are suppressed, and as a result, the formed conductive thin wires have excellent conductivity. It has been found that the occurrence of a short circuit between conductive thin wires (particularly, between conductive thin wires having an interval of 30 ⁇ m or less) can be suppressed while maintaining the above.
  • the plating solution of the present invention (hereinafter, also simply referred to as “plating solution”) contains a silver salt, a polymer having a carboxyl group or a salt thereof, and water, and contains a polymer having a carboxyl group or a salt thereof. However, it is 5.0% by mass or less with respect to the total mass of the plating solution.
  • plating solution will be described in detail first, and then the method for manufacturing the conductive substrate will be described in detail.
  • the plating solution contains silver salt.
  • the type of silver salt is not particularly limited, and known silver salts can be used.
  • As the silver salt a water-soluble silver salt is preferable.
  • the water-soluble silver salt means a silver salt that is dissolved in water in an amount of 0.1% by mass or more.
  • Examples of the silver salt include an inorganic silver salt and an organic silver salt, and the inorganic silver salt is preferable.
  • the inorganic silver salt include silver nitrate, silver fluoride, silver perchlorate, and silver sulfate.
  • the content of the silver salt in the plating solution is not particularly limited, and at least one of the effects of more excellent conductivity of the conductive thin wires and more suppression of the occurrence of short circuits between the conductive thin wires can be obtained.
  • points hereinafter, also simply referred to as “points where the effect of the present invention is more excellent”
  • 0.01 to 5.0 mol / L is preferable, and 0.10 to 3.0 mol / L is more preferable.
  • As the silver salt only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • the plating solution contains a polymer having a carboxyl group or a salt thereof (hereinafter, also simply referred to as “acid group-containing polymer”).
  • the salt of a carboxylic xyl group represents a group represented by the general formula (X).
  • General formula (X) -COO - M + M + represents a monovalent cation. Examples of the monovalent cations, e.g., alkali metal ions (e.g., sodium ion, potassium ion, and lithium ion), ammonium ion (e.g., NH 4 +), and include pyridinium ions.
  • the acid group-containing polymer may have a carboxyl group or a salt thereof, and its structure is not particularly limited. Among them, the acid group-containing polymer preferably has a repeating unit having a carboxyl group or a salt thereof. As the repeating unit having a carboxyl group or a salt thereof, a repeating unit represented by the general formula (Y) or a repeating unit represented by the general formula (Z) is preferable.
  • R a1 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
  • La1 represents a single bond or a divalent linking group.
  • the divalent linking group include a divalent hydrocarbon group (for example, an alkylene group, an alkenylene group, and a divalent aliphatic hydrocarbon group such as an alkynylene group, and a divalent fragrance such as an arylene group.
  • Group hydrocarbon group divalent heterocyclic group, -O-, -S-, -NH-, -N (Q)-, -CO-, or a group combining these (for example, -O-2).
  • Valuable hydrocarbon groups-,-(O-2 valent hydrocarbon groups) m- O- (m represents an integer of 1 or more), and -2 valent hydrocarbon groups-O-CO-, etc.) Can be mentioned.
  • Q represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • R a2 represents a carboxyl group or a salt thereof.
  • R b1 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
  • L b1 independently represents a single bond or a divalent linking group.
  • the definition of the divalent linking group represented by L b1 is the same as the definition of the divalent linking group represented by La 1.
  • R b2 independently represents a carboxyl group or a salt thereof.
  • the content of the repeating unit having a carboxyl group or a salt thereof in the acid group-containing polymer is not particularly limited, but is preferably 50 mol% or more, more preferably 75 mol% or more, based on all the repeating units in the acid group-containing polymer. preferable.
  • the upper limit is not particularly limited, but 100 mol% can be mentioned.
  • the acid group-containing polymer may have a repeating unit other than the repeating unit having a carboxyl group or a salt thereof.
  • the weight average molecular weight of the acid group-containing polymer is not particularly limited, but 2000 to 1000000 is preferable, and 2000 to 500000 is more preferable, because the effect of the present invention is more excellent.
  • the weight average molecular weight is defined as a polystyrene-equivalent value measured by GPC (Gel Permeation Chromatography).
  • GPC Gel Permeation Chromatography
  • HLC-8121GPC manufactured by Tosoh Co., Ltd.
  • two TSKgel GMH HR- H (20) HT manufactured by Tosoh Co., Ltd., 7.8 mm ID ⁇ 30 cm
  • 1, 2,4-Trichlorobenzene is used.
  • the conditions are as follows: the sample concentration is 0.02% by mass, the flow rate is 1.0 ml / min, the sample injection amount is 300 ⁇ l, the measurement temperature is 160 ° C., and an IR (infrared) detector is used.
  • the content of the acid group-containing polymer in the plating solution is 5.0% by mass or less with respect to the total mass of the plating solution. Among them, 0.01 to 5.0% by mass is preferable, and 0.05 to 5.0% by mass is more preferable, because the effect of the present invention is more excellent. Only one kind of acid group-containing polymer may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • the ratio of the silver-equivalent mass of the silver salt to the mass of the acid group-containing polymer is not particularly limited, and is often 0.01 to 20. 0.10 to 5.0 is preferable because the effect is more excellent.
  • the silver reduced mass means the mass of silver produced by reducing all silver salts.
  • the plating solution contains water.
  • the content of water in the plating solution is not particularly limited, but is preferably 60 to 95% by mass, more preferably 80 to 90% by mass, based on the total mass of the plating solution.
  • the plating solution may contain components other than the silver salt, the acid group-containing polymer, and water described above.
  • the plating solution may contain a complexing agent.
  • the complexing agent include sulfites, thiosulfates, and organic compounds having an imide group or an amide group.
  • the complexing agent include sodium sulfite, potassium sulfite, ammonium sulfite, sodium thiosulfate, potassium thiosulfite, ammonium thiosulfate, hydantoin compound, and imide compound.
  • the content of the complexing agent in the plating solution is not particularly limited, but is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 5 to 20% by mass, based on the total mass of the plating solution. Only one kind of complexing agent may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • the plating solution may contain a reducing agent.
  • Reducing agents include ascorbic acid compounds such as ascorbic acid and isoascorbic acid or salts thereof, hydrazines, hydrazine monohydrates, hydrazines such as hydrazine sulfate and hydrazine chloride or salts thereof, hydroquinones such as hydroquinone and methylhydroquinone or their salts.
  • Derivatives include pyrogallol, pyrogallol monomethyl ether, pyrogallol-4-carboxylic acid, pyrogallol-4,6-dicarboxylic acid and pyrogallol or derivatives thereof.
  • the content of the reducing agent in the plating solution is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5% by mass, more preferably 0.1 to 3% by mass, based on the total mass of the plating solution.
  • the reducing agent only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • a reducing agent containing a reducing agent may be prepared separately.
  • the plating solution may contain other additives (for example, pH adjuster, potassium iodide) in addition to the above. Potassium iodide contributes to the improvement of plating speed.
  • the pH of the plating solution is not particularly limited, but 8.0 to 13.0 is preferable, and 9.0 to 11.0 is more preferable, because the effect of the present invention is more excellent.
  • the pH is a value measured at 25 ° C.
  • the plating solution may be a plating set composed of this plating solution and a reducing solution containing a reducing agent.
  • the plating treatment can be performed by using the above reducing solution.
  • the types of reducing agents contained in the reducing solution are as described above.
  • the content of the reducing agent in the reducing solution is not particularly limited, but is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 20% by mass, based on the total mass of the reducing solution.
  • the reducing agent only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • the method for manufacturing a conductive substrate of the present invention includes the following steps 1 and 2.
  • Step 1 A step of forming a fine linear silver-containing layer on the support
  • Step 2 A step of forming a conductive thin wire by subjecting a fine wire-shaped silver-containing layer to a plating treatment using the above plating solution or the above plating set. The procedure of each step will be described in detail below.
  • Step 1 is a step of forming a fine linear silver-containing layer on the support. By this step, a fine linear silver-containing layer to be plated is formed.
  • the type of support used in this step is not particularly limited, and examples thereof include a plastic substrate, a glass substrate, and a metal substrate, and a plastic substrate is preferable.
  • the thickness of the support is not particularly limited and is often 25 to 500 ⁇ m. When the surface of the support is used as the touch surface when the conductive substrate is applied to the touch panel, the thickness of the support may exceed 500 ⁇ m.
  • Materials constituting the support include polyethylene terephthalate (PET) (melting point: 258 ° C.), polycycloolefin (melting point: 134 ° C.), polycarbonate (melting point: 250 ° C.), acrylic film (melting point: 128 ° C.), and polyethylene na.
  • PET polyethylene terephthalate
  • polycycloolefin melting point: 134 ° C.
  • polycarbonate melting point: 250 ° C.
  • acrylic film melting point: 128 ° C.
  • polyethylene na polyethylene na.
  • Phtalate (melting point: 269 ° C), polyethylene (melting point: 135 ° C), polypropylene (melting point: 163 ° C), polystyrene (melting point: 230 ° C), polyvinyl chloride (melting point: 180 ° C), polyvinylidene chloride (melting point: 212 ° C) ), And resins having a melting point of about 290 ° C. or lower, such as triacetyl cellulose (melting point: 290 ° C.), are preferable, and PET, polycycloolefin, and polycarbonate are more preferable.
  • the total light transmittance of the support is preferably 85 to 100%.
  • An undercoat layer may be arranged on the surface of the support.
  • the undercoat layer preferably contains a specific polymer described later. When this undercoat layer is used, the adhesion of the conductive thin wire described later to the support is further improved.
  • the method for forming the undercoat layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming an undercoat layer containing a specific polymer is applied onto a support and heat treatment is performed as necessary.
  • the undercoat layer forming composition may contain a solvent, if necessary.
  • the type of the solvent is not particularly limited, and examples thereof include the solvent used in the composition for forming a photosensitive layer described later.
  • the composition for forming the undercoat layer containing the specific polymer latex containing the particles of the specific polymer may be used.
  • the thickness of the undercoat layer is not particularly limited, and is preferably 0.02 to 0.3 ⁇ m, more preferably 0.03 to 0.2 ⁇ m, in that the adhesiveness of the conductive thin wire to the support is more excellent.
  • the width of the fine linear silver-containing layer formed on the support is not particularly limited and is often 0.1 to 30 ⁇ m, preferably 0.5 to 20 ⁇ m from the viewpoint of thinning, and 0.5 to 15 ⁇ m. Is more preferable.
  • the fine line-shaped silver-containing layer may form a predetermined pattern, for example, the pattern is not particularly limited, and a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, and a right triangle, or a quadrangle (for example, a square).
  • Rectangle, rhombus, parallelogram, and trapezoid (regular) hexagon, (regular) octagon, and other (regular) n-sided, circle, ellipse, star, and geometric figures that combine them. Is preferable, and it is more preferable that the shape is a mesh (mesh pattern).
  • the mesh shape includes a shape including a plurality of openings 12 composed of intersecting fine line-shaped silver-containing layers 10.
  • the length L of one side of the opening 12 is not particularly limited, but is preferably 1500 ⁇ m or less, more preferably 1300 ⁇ m or less, further preferably 1000 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 30 ⁇ m or more, still more preferably 80 ⁇ m or more.
  • the width of the fine line-shaped silver-containing layer forming the mesh pattern is not particularly limited, but is preferably 0.5 ⁇ m or more and less than 4.0 ⁇ m from the viewpoint of visible light transmittance.
  • the opening 12 has a rhombus shape, but may have another shape.
  • it may be a polygon (for example, a triangle, a quadrangle, a hexagon, and a random polygon).
  • the shape of one side may be a curved shape or an arc shape in addition to a straight line shape.
  • arcuate shape for example, the two opposing sides may have an arcuate shape that is convex outward, and the other two opposite sides may have an arcuate shape that is convex inward.
  • the shape of each side may be a wavy line shape in which an arc convex outward and an arc convex inward are continuous.
  • the shape of each side may be a sine curve.
  • the aperture ratio of the mesh pattern formed from the fine linear silver-containing layer is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, and more preferably 95% or more. More preferred.
  • the aperture ratio corresponds to the ratio of the region on the support excluding the region having the fine linear silver-containing layer to the whole.
  • the plurality of fine linear silver-containing layers may be arranged in parallel with each other. More specifically, as shown in FIG. 2, the plurality of fine line-shaped silver-containing layers 10 may be arranged along a direction orthogonal to the direction in which the fine line-shaped silver-containing layer 10 extends. At that time, the extending directions of the plurality of fine linear silver-containing layers are arranged so as to be parallel to each other.
  • Such a thin line-shaped silver-containing layer arranged in parallel is used as a lead wiring arranged in a non-display portion in a touch panel, for example, and the width of the non-display portion, the so-called frame portion, is from the viewpoint of design. In recent years, it is often designed narrowly.
  • the line width of the fine linear silver-containing layer is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is often 5 ⁇ m or more.
  • the interval between the fine linear silver-containing layers is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is often 5 ⁇ m or more.
  • the method for forming the fine linear silver-containing layer on the support is not particularly limited, and a known method is adopted. For example, a method of performing exposure and development using silver halide, and after forming a silver layer on the entire surface of a support, a part of the silver layer is removed using a resist pattern to form a fine linear silver-containing layer. There is a method of forming. Among them, the method of exposure and development using silver halide is preferable because the effect of the present invention is more excellent. Hereinafter, this method will be described in detail.
  • the method of exposing and developing with silver halide preferably has the following steps.
  • Step step D to heat-treat the silver-containing layer obtained in step B.
  • Step of removing gelatin in the silver-containing layer obtained in step C The procedure of each step will be described in detail below.
  • Step A a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter, “photosensitive layer”) containing silver halide, gelatin, and a polymer different from gelatin (hereinafter, also referred to as “specific polymer”) is contained on the support. It is also a process of forming).
  • photosensitive layer a silver halide-containing photosensitive layer
  • specific polymer a polymer different from gelatin
  • the halogen atom contained in silver halide may be any of chlorine atom, bromine atom, iodine atom and fluorine atom, and these may be combined.
  • silver halide mainly composed of silver chloride, silver bromide, or silver iodide is preferable, and silver halide mainly composed of silver chloride or silver bromide is more preferable.
  • silver salt bromide, silver iodide bromide, or silver iodide bromide is also preferably used.
  • silver halide mainly composed of silver chloride refers to silver halide in which the mole fraction of chloride ions in the total halide ions in the silver halide composition is 50% or more.
  • the silver halide mainly composed of silver chloride may contain bromide ion and / or iodide ion in addition to chloride ion.
  • the silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle size of silver halide is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, which is equivalent to a sphere, and is the resistance value of the conductive thin wire in a moist heat environment. 50-150 nm is even more preferred in that the variation is smaller.
  • the spherical equivalent diameter is the diameter of spherical particles having the same volume.
  • the "sphere-equivalent diameter" used as the average particle size of the silver halide is an average value, and the sphere-equivalent diameters of 100 silver halides are measured and arithmetically averaged.
  • the shape of the silver halide particles is not particularly limited, and is, for example, spherical, cubic, flat plate (hexagonal flat plate, triangular flat plate, tetragonal flat plate, etc.), octahedron, tetradecahedron, or the like. The shape can be mentioned.
  • gelatin The type of gelatin is not particularly limited, and examples thereof include lime-treated gelatin and acid-treated gelatin. Further, a hydrolyzate of gelatin, an enzymatic decomposition product of gelatin, and gelatin modified with an amino group and / or a carboxyl group (phthalated gelatin and acetylated gelatin) may be used.
  • the photosensitive layer contains a polymer different from gelatin.
  • the type of the specific polymer is not particularly limited as long as it is different from gelatin, and a polymer that decomposes gelatin described later and is not decomposed by a proteolytic enzyme or an oxidizing agent is preferable.
  • the specific polymer include hydrophobic polymers (water-insoluble polymers), for example, (meth) acrylic resin, styrene resin, vinyl resin, polyolefin resin, polyester resin, polyurethane resin, etc.
  • the specific polymer preferably has a reactive group that reacts with a cross-linking agent described later.
  • the specific polymer is preferably in the form of particles. That is, the photosensitive layer preferably contains particles of a specific polymer.
  • a polymer (copolymer) represented by the following general formula (1) is preferable.
  • General formula (1) -( A) x-(B) y- (C) z- (D) w-
  • A, B, C, and D each represent a repeating unit represented by the following general formulas (A) to (D).
  • R 1 represents a methyl group or a halogen atom, and a methyl group, a chlorine atom, or a bromine atom is preferable.
  • p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, more preferably 0.
  • R 2 represents a methyl group or an ethyl group, and a methyl group is preferable.
  • R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, and a hydrogen atom is preferable.
  • L represents a divalent linking group, and a group represented by the following general formula (3) is preferable.
  • X 1 represents an oxygen atom or -NR 30- .
  • R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, and may have a substituent (for example, a halogen atom, a nitro group, and a hydroxyl group), respectively.
  • R 30 includes a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, and an n-octyl group), or an acyl group (for example, an acetyl group and an acyl group). Benzoyl group) is preferred.
  • oxygen atom or ⁇ NH ⁇ is preferable.
  • X 2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylene arylene group, an arylene alkylene group, or an alkylene arylene alkylene group, and these groups include -O-, -S-, -CO-, -COO-, and -NH.
  • -, - SO 2 -, - N (R 31) -, or, -N (R 31) SO 2 - and the like may be inserted in the middle.
  • R 31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • X 2 includes a dimethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, an o-phenylene group, an m-phenylene group, a p-phenylene group, -CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2- , or -CH 2 CH 2 OCO ( C 6 H 4 )-is preferable.
  • r represents 0 or 1.
  • q represents 0 or 1, preferably 0.
  • R 4 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, preferably an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, and further preferably an alkyl group having 5 to 20 carbon atoms.
  • R 5 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom, or a -CH 2 COOR 6, a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a -CH 2 COOR 6 is preferably a hydrogen atom, a methyl group , Or -CH 2 COOR 6 is more preferred, and a hydrogen atom is even more preferred.
  • R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms, and may be the same as or different from R 4, and the carbon number of R 6 is preferably 1 to 70, more preferably 1 to 60.
  • x, y, z, and w represent the molar ratio of each repeating unit.
  • x is 3 to 60 mol%, preferably 3 to 50 mol%, more preferably 3 to 40 mol%.
  • y is 30 to 96 mol%, preferably 35 to 95 mol%, and more preferably 40 to 90 mol%.
  • z is 0.5 to 25 mol%, preferably 0.5 to 20 mol%, and more preferably 1 to 20 mol%.
  • w is 0.5 to 40 mol%, preferably 0.5 to 30 mol%.
  • x is preferably 3 to 40 mol%
  • y is 40 to 90 mol%
  • z is 0.5 to 20 mol%
  • w is 0.5 to 10 mol%.
  • the polymer represented by the general formula (1) the polymer represented by the following general formula (2) is preferable.
  • x, y, z and w are as defined above.
  • the polymer represented by the general formula (1) may contain a repeating unit other than the repeating units represented by the general formulas (A) to (D).
  • the monomer for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonic acid esters, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, and fumaric acid diesters. Classes, acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, vinyl heterocyclic compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745.
  • the polymer represented by the general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by the general formula (E).
  • L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.
  • the polymer represented by the general formula (1) the polymer represented by the following general formula (3) is particularly preferable.
  • a1, b1, c1, d1, and e1 represent the molar ratio of each repeating unit, a1 is 3 to 60 (mol%), b1 is 30 to 95 (mol%), and c1 is 0.5 to 0.5. 25 (mol%), d1 represents 0.5 to 40 (mol%), and e1 represents 1 to 10 (mol%).
  • the preferred range of a1 is the same as the preferred range of x
  • the preferred range of b1 is the same as the preferred range of y
  • the preferred range of c1 is the same as the preferred range of z
  • the preferred range of d1 is. It is the same as the preferable range of w above.
  • e1 is 1 to 10 mol%, preferably 2 to 9 mol%, more preferably 2 to 8 mol%.
  • the specific polymer can be synthesized by referring to, for example, Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
  • the weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, and is preferably 1000 to 1000000, more preferably 2000 to 750000, and even more preferably 3000 to 500,000.
  • the photosensitive layer may contain a material other than the above-mentioned materials, if necessary.
  • a material other than the above-mentioned materials examples thereof include metal compounds belonging to Groups 8 and 9 such as rhodium compounds and iridium compounds used for stabilizing and increasing sensitivity of silver halide.
  • metal compounds belonging to Groups 8 and 9 such as rhodium compounds and iridium compounds used for stabilizing and increasing sensitivity of silver halide.
  • antistatic agent such as rhodium compounds and iridium compounds used for stabilizing and increasing sensitivity of silver halide.
  • nucleation accelerator such as described in paragraphs 0220-0241 of JP-A-2009-004348
  • spectral sensitizing dye such as described in paragraphs 0220-0241 of JP-A-2009-004348
  • surfactant antifog agent
  • dural agent dural agent
  • black spot prevention As described in paragraphs 0220-0241 of JP-A-2009-004348
  • the photosensitive layer may contain a cross-linking agent used for cross-linking the specific polymers.
  • a cross-linking agent used for cross-linking the specific polymers.
  • step A The method for forming the photosensitive layer containing the above components in the step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, a composition for forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin and a specific polymer is placed on the support. A method of contacting them to form a photosensitive layer on the support is preferable.
  • the form of the composition for forming a photosensitive layer used in this method will be described in detail, and then the procedure of the process will be described in detail.
  • the composition for forming a photosensitive layer contains the above-mentioned silver halide, gelatin, and a specific polymer. If necessary, the specific polymer may be contained in the composition for forming a photosensitive layer in the form of particles.
  • the composition for forming a photosensitive layer may contain a solvent, if necessary. Examples of the solvent include water, organic solvents (for example, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.
  • the method of contacting the photosensitive layer forming composition with the support is not particularly limited, and for example, a method of applying the photosensitive layer forming composition on the support and a method of applying the photosensitive layer forming composition onto the support, and in the photosensitive layer forming composition. Examples thereof include a method of immersing the support. After the above treatment, a drying treatment may be carried out if necessary.
  • the photosensitive layer formed by the above procedure contains silver halide, gelatin, and a specific polymer.
  • the content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g / m 2 in terms of silver, preferably 5.0 to 15 in terms of more excellent conductivity of the conductive substrate. .0 g / m 2 is more preferable.
  • the silver conversion means that all the silver halide is reduced and converted into the mass of silver produced.
  • the content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited, and 0.04 to 2.0 g / m 2 is preferable, and 0.08 to 0.40 g / m 2 is preferable in that the conductivity of the conductive substrate is more excellent. m 2 is more preferable, and 0.10 to 0.40 g / m 2 is even more preferable.
  • Step B is a step of exposing the photosensitive layer and then developing it to form a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer.
  • a latent image is formed in the exposed region.
  • the exposure may be carried out in a pattern. For example, in order to obtain a mesh pattern composed of conductive thin lines, which will be described later, an exposure method and a laser beam are scanned through a mask having a mesh-like aperture pattern. Then, a method of exposing in a mesh shape can be mentioned.
  • the type of light used for exposure is not particularly limited as long as it can form a latent image on silver halide, and examples thereof include visible light, ultraviolet light, and X-ray.
  • the method of development processing is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate making films, and emulsion masks for photomasks.
  • a developing solution is usually used.
  • the type of developer is not particularly limited, and examples thereof include a PQ (phenidone hydroquinone) developer, an MQ (Metol hydroquinone) developer, and a MAA (methol ascorbic acid) developer.
  • This step may further include a fixing process performed for the purpose of removing and stabilizing the unexposed portion of silver halide.
  • the fixing process is carried out simultaneously with the development and / or after the development.
  • the method of fixing treatment is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate making films, and emulsion masks for photomasks.
  • a fixing solution is usually used.
  • the type of fixer is not particularly limited, and examples thereof include the fixer described in "Chemistry of Photographs" (written by Sasai, Photograph Industry Publishing Co., Ltd.) p321.
  • Examples of the method of adjusting the width of the silver-containing layer include a method of adjusting the opening width of the mask used at the time of exposure. Further, when a mask is used at the time of exposure, the width of the formed silver-containing layer can be adjusted by adjusting the exposure amount. For example, when the opening width of the mask is narrower than the target width of the silver-containing layer, the width of the region where the latent image is formed can be adjusted by increasing the exposure amount more than usual. Further, when laser light is used, the exposure area can be adjusted by adjusting the focusing range and / or scanning range of the laser light.
  • Step C is a step of heat-treating the silver-containing layer obtained in Step B. By carrying out this step, fusion between specific polymers in the silver-containing layer proceeds, and the strength of the silver-containing layer is improved.
  • the method of heat treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method of bringing the silver-containing layer into contact with superheated steam and a method of heating the silver-containing layer with a temperature control device (for example, a heater).
  • a temperature control device for example, a heater.
  • the method of contacting with is preferable.
  • the superheated steam may be superheated steam or a mixture of superheated steam and another gas.
  • the contact time between the superheated steam and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 10 to 70 seconds.
  • the supply amount of superheated steam is preferably 500 to 600 g / m 3 , and the temperature of superheated steam is preferably 100 to 160 ° C. (preferably 100 to 120 ° C.) at 1 atm.
  • the heating conditions in the method of heating the silver-containing layer with the temperature control device the conditions of heating at 100 to 200 ° C. (preferably 100 to 150 ° C.) for 1 to 240 minutes (preferably 60 to 150 minutes) are preferable.
  • Step D is a step of removing gelatin in the silver-containing layer obtained in Step C. By carrying out this step, gelatin is removed from the silver-containing layer, and a space is formed in the silver-containing layer.
  • the method for removing gelatin is not particularly limited, and for example, a method using a proteolytic enzyme (hereinafter, also referred to as “method 1”) and a method for decomposing and removing gelatin using an oxidizing agent (hereinafter, “method 2”). It is also called.).
  • proteolytic enzyme used in Method 1 examples include enzymes known as plant or animal enzymes capable of hydrolyzing proteins such as gelatin.
  • examples of the proteolytic enzyme include pepsin, rennin, trypsin, chimotripsin, catepsin, papain, ficin, trombine, renin, collagenase, bromelain, and bacterial protease, and trypsin, papain, ficin, or bacterial protease is preferable. ..
  • the procedure in Method 1 may be a method in which the silver-containing layer and the above-mentioned proteolytic enzyme are brought into contact with each other.
  • a treatment solution containing the silver-containing layer and the proteolytic enzyme (hereinafter, also referred to as “enzyme solution”).
  • enzyme solution There is a method of contacting.
  • the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the enzyme solution and a method of applying the enzyme solution on the silver-containing layer.
  • the content of the proteolytic enzyme in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, preferably 0.5 to 20% by mass, based on the total amount of the enzyme solution, in that the degree of decomposition and removal of gelatin is easily controlled. 10% by mass is more preferable.
  • the enzyme solution usually contains water in addition to the above-mentioned proteolytic enzyme.
  • the enzyme solution may contain other additives (eg, pH buffers, antibacterial compounds, wetting agents, and retention agents), if desired.
  • the pH of the enzyme solution is selected so as to maximize the action of the enzyme, but is generally preferably 5 to 9.
  • the temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the action of the enzyme is enhanced, specifically 25 to 45 ° C.
  • a washing treatment may be carried out in which the obtained silver-containing layer is washed with warm water after the treatment with the enzyme solution.
  • the cleaning method is not particularly limited, and a method of bringing the silver-containing layer into contact with hot water is preferable, and examples thereof include a method of immersing the silver-containing layer in warm water and a method of applying hot water on the silver-containing layer.
  • the temperature of the hot water is appropriately selected depending on the type of proteolytic enzyme used, and is preferably 20 to 80 ° C., more preferably 40 to 60 ° C. from the viewpoint of productivity.
  • the contact time (washing time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 30 to 360 seconds from the viewpoint of productivity.
  • the oxidizing agent used in Method 2 may be any oxidizing agent capable of decomposing gelatin, and an oxidizing agent having a standard electrode potential of + 1.5 V or more is preferable.
  • the standard electrode potential is intended to be the standard electrode potential (25 ° C., E0) with respect to the standard hydrogen electrode in the aqueous solution of the oxidizing agent.
  • the oxidizing agent include persulfuric acid, percarbonic acid, perphosphoric acid, subperchloric acid, peracetic acid, metachloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide solution, perchloric acid, perioic acid, potassium permanganate, and excess. Examples include ammonium sulfate, ozone, hypochloric acid or salts thereof. Among them, hydrogen peroxide solution (standard electrode potential: 1.76 V), hypochlorous acid or a salt thereof is preferable, and sodium hypochlorite is more preferable, from the viewpoint of productivity and economy.
  • the procedure in Method 2 may be a method in which the silver-containing layer and the above-mentioned oxidizing agent are brought into contact with each other.
  • a treatment liquid containing the silver-containing layer and the oxidizing agent hereinafter, also referred to as “oxidizing agent liquid”.
  • oxidizing agent liquid a treatment liquid containing the silver-containing layer and the oxidizing agent
  • the type of solvent contained in the oxidizing agent solution is not particularly limited, and examples thereof include water and organic solvents.
  • the step 2 is a step of forming a conductive fine wire by subjecting the fine wire-shaped silver-containing layer obtained in the step 1 to a plating treatment using the above plating solution or the above plating set. By carrying out this step, plating is deposited on and inside the fine linear silver-containing layer. In particular, since there is a space formed by removing gelatin in the silver-containing layer obtained by the above-mentioned steps A to D, the space is filled with metal (plated metal) by carrying out this step. Conductive thin wires are formed.
  • the plating solution and plating set used in this process are as described above.
  • the procedure of the plating treatment is not particularly limited, and when a plating solution is used, a method of bringing the silver-containing layer into contact with the plating solution may be used. For example, a method of immersing the silver-containing layer in the plating solution can be mentioned. ..
  • the contact time between the silver-containing layer and the plating solution is not particularly limited, and is preferably 30 seconds to 30 minutes from the viewpoint of more excellent conductivity and productivity of the conductive thin wire.
  • the plating solution and the reducing solution are sequentially or simultaneously applied to the silver-containing layer, and the silver-containing layer is brought into contact with the plating solution and the reducing solution to plate on and inside the silver-containing layer.
  • the method for manufacturing a conductive substrate of the present invention may include steps other than the above steps 1 and 2.
  • the method for manufacturing a conductive substrate of the present invention may include a step 3 in which the conductive thin wire obtained in the step 2 is further smoothed after the step 2. By carrying out this step, a conductive thin wire having more excellent conductivity can be obtained.
  • the method of smoothing treatment is not particularly limited, and for example, a calendering treatment step in which a support having conductive thin wires is passed between at least a pair of rolls under pressure is preferable.
  • the smoothing process using the calendar roll will be referred to as a calendar process.
  • the roll used for the calendering process include a plastic roll and a metal roll, and the plastic roll is preferable from the viewpoint of preventing wrinkles.
  • the pressure between the rolls is not particularly limited, and is preferably 2 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and preferably 120 MPa or less.
  • the pressure between the rolls can be measured using a prescale (for high pressure) manufactured by FUJIFILM Corporation.
  • the temperature of the smoothing treatment is not particularly limited, and is preferably 10 to 100 ° C, more preferably 10 to 50 ° C.
  • the method for manufacturing a conductive substrate of the present invention may further include a step 4 of subjecting the conductive thin wire obtained in the step 3 to a heat treatment after the step 3. By carrying out this step, a conductive thin wire having more excellent conductivity can be obtained.
  • the method of heat-treating the conductive thin wire is not particularly limited, and the method described in step C can be mentioned.
  • the method for producing a conductive substrate of the present invention may include a step E of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer on a support before the step A.
  • a silver halide-free layer is formed between the support and the silver halide-containing photosensitive layer.
  • This silver halide-free layer serves as a so-called antihalation layer and contributes to improving the adhesion between the conductive thin wire and the support.
  • the silver halide-free layer contains the above-mentioned gelatin and a specific polymer. On the other hand, the silver halide-free layer does not contain silver halide.
  • the ratio of the mass of the specific polymer to the mass of the gelatin in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 5.0. 0 to 3.0 is more preferable.
  • the content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.03 g / m 2 or more, and 1.0 g / m 2 in that the adhesiveness of the conductive thin wire is more excellent. The above is preferable.
  • the upper limit is not particularly limited, but it is often 1.63 g / m 2 or less.
  • the method for forming the silver halide-free layer is not particularly limited.
  • the layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. Examples of the type of solvent include the solvent used in the above-mentioned composition for forming a photosensitive layer.
  • the thickness of the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.05 ⁇ m or more, and is preferably more than 1.0 ⁇ m, more preferably 1.5 ⁇ m or more, in that the adhesiveness of the conductive thin wire is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, but it is often 3.0 ⁇ m or less.
  • the method for producing a conductive substrate of the present invention includes a step F of forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer on a silver halide-containing photosensitive layer after the step A and before the step B. You may.
  • the ratio of the mass of the specific polymer to the mass of the gelatin in the protective layer is not particularly limited, and is preferably more than 0 and 2.0 or less, and more than 0 and 1.0 or less. More preferable.
  • the content of the specific polymer in the protective layer is not particularly limited, and is preferably more than 0 g / m 2 and 0.3 g / m 2 or less, more preferably 0.005 to 0.1 g / m 2 .
  • the method for forming the protective layer is not particularly limited.
  • a method in which a composition for forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer is applied onto a silver halide-containing photosensitive layer and heat-treated as necessary. Can be mentioned.
  • the composition for forming a protective layer may contain a solvent, if necessary. Examples of the type of solvent include the solvent used in the above-mentioned composition for forming a photosensitive layer.
  • the thickness of the protective layer is not particularly limited, and is preferably 0.03 to 0.3 ⁇ m, more preferably 0.075 to 0.20 ⁇ m.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of the first embodiment of the conductive substrate of the present invention.
  • the conductive substrate 20 includes a support 14 and a conductive thin wire 16 arranged on the support 14. Although two conductive thin lines 16 are shown in FIG. 1, the number thereof is not particularly limited.
  • the line width of the conductive thin wire is not particularly limited, and is often 0.1 to 30 ⁇ m. From the viewpoint of thinning, 0.5 to 20 ⁇ m is preferable, and 0.5 to 15 ⁇ m is more preferable.
  • the conductive thin wire may form a predetermined pattern. Examples of the pattern formed by the conductive thin wire include the pattern formed by the above-mentioned fine wire-shaped silver-containing layer, and a mesh shape (mesh pattern) is preferable. The mesh shape is the form shown in FIG. 1 described above.
  • the preferred range of the length of one side of the opening of the mesh pattern formed by the conductive thin wire is the same as the preferred range of the length of one side of the opening of the mesh pattern formed by the above-mentioned fine wire-like silver-containing layer.
  • the preferable range of the aperture ratio of the mesh pattern formed by the conductive thin wire is the same as the preferable range of the aperture ratio of the mesh pattern formed by the fine wire-shaped silver-containing layer described above.
  • the line width of the conductive thin lines forming the mesh pattern is not particularly limited, but is preferably 0.5 ⁇ m or more and less than 4.0 ⁇ m from the viewpoint of visible light transmittance.
  • a plurality of conductive thin wires may be arranged in parallel with each other. More specifically, as in the case of the thin line-shaped silver-containing layer shown in FIG. 2, the plurality of conductive thin lines may be arranged along a direction orthogonal to the direction in which the conductive thin lines extend. At that time, the extending directions of the plurality of conductive thin wires are arranged so as to be parallel to each other.
  • Such conductive thin wires arranged in parallel are used, for example, as a lead wire arranged in a non-display portion in a touch panel, and the width of the non-display portion, the so-called frame portion, has been designed to be narrow in recent years from the viewpoint of design. Often done.
  • the line width of the conductive thin wire is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is often 5 ⁇ m or more.
  • the distance between the conductive thin wires is preferably 30 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is often 5 ⁇ m or more.
  • the conductive substrate obtained as described above can be applied to various applications, such as a touch panel (or touch panel sensor), a semiconductor chip, various electric wiring boards, FPC (Flexible Printed Circuits), COF (Chip on Film), and the like. It can be applied to various applications such as TAB (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards.
  • the conductive substrate of the present invention is preferably used for a touch panel (capacitive touch panel).
  • the above-mentioned conductive thin wire can effectively function as a detection electrode.
  • Example 1> (Preparation of silver halide emulsion) To the following 1st solution kept at 38 ° C. and pH 4.5, an amount corresponding to 90% of each of the following 2nd and 3rd solutions was added simultaneously for 20 minutes while stirring the 1st solution, and 0.16 ⁇ m nuclei particles were added. Formed. Subsequently, the following 4 and 5 solutions were added to the obtained solution over 8 minutes, and the remaining 10% of the following 2 and 3 solutions were added over 2 minutes to grow the nuclear particles to 0.21 ⁇ m. I let you. Further, 0.15 g of potassium iodide was added to the obtained solution, and the mixture was aged for 5 minutes to complete particle formation.
  • Liquid 1 750 ml of water Gelatin 8.6g Sodium chloride 3g 1,3-Dimethylimidazolidine-2-thione 20 mg Sodium benzenethiosulfonate 10 mg Citric acid 0.7g 2nd liquid: 300 ml of water Silver nitrate 150g Liquid 3: 300 ml of water Sodium chloride 38g Potassium bromide 32g Potassium hexachloroiridium (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml Ammonium hexachlororodium (0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7 ml Liquid 4: 100 ml of water Silver nitrate 50g Liquid 5: 100 ml of water Sodium chloride 13g Potassium bromide 11g Yellow blood salt 5 mg
  • the emulsion was adjusted to pH 6.4 and pAg 7.5, and gelatin 2.5 g, sodium benzenethiosulfonate 10 mg, sodium benzenethiosulfinate 3 mg, sodium thiosulfate 15 mg and gold chloride acid 10 mg were added. Chemical sensitization was performed at 55 ° C. to obtain optimum sensitivity. Then, 100 mg of 1,3,3a, 7-tetraazaindene as a stabilizer and 100 mg of Proxel (trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.) were further added to the obtained emulsion as a preservative.
  • Proxel trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.
  • the finally obtained emulsion contains 0.08 mol% of silver iodide, and the ratio of silver bromide is 70 mol% of silver chloride and 30 mol% of silver bromide. It was a silver chloride cubic particle emulsion having a variation coefficient of 9% at 200 nm.
  • composition for forming a photosensitive layer 1,3,3a above emulsion, 7-tetraazaindene (1.2 ⁇ 10 -4 mol / mol Ag), hydroquinone (1.2 ⁇ 10 -2 mol / mol Ag), citric acid (3.0 ⁇ 10-4 mol / mol Ag), 2,4-dichloro-6-hydroxy-1,3,5-triazine sodium salt (0.90 g / mol Ag), and a trace amount of dural agent were added to the composition.
  • Got The pH of the composition was then adjusted to 5.6 with citric acid.
  • P-1 a polymer represented by the following (P-1) (hereinafter, also referred to as “polymer 1”.
  • Numerical values in the formula (“8.6”, “58.9”, “2”, “2”, “ 25.4 ”and“ 5.1 ”) represent the molar ratio of each repeating unit) and dialkylphenyl PEO (PEO is an abbreviation for polyethylene oxide)
  • PEO is an abbreviation for polyethylene oxide
  • Polymer latex containing a dispersant consisting of sulfate ester and water (The ratio of the mass of the dispersant to the mass of the polymer 1 (mass of the dispersant / mass of the polymer 1, the unit is g / g) is 0.02, and the solid content is 22% by mass.
  • a polymer latex-containing composition was obtained.
  • the ratio of the mass of gelatin to the mass of silver derived from silver halide (mass of gelatin / mass of silver derived from silver halide, the unit is g / g) is 0. It was 11. Further, EPOXY RESIN DY 022 (trade name: manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was added as a cross-linking agent.
  • the amount of the cross-linking agent added was adjusted so that the amount of the cross-linking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described later was 0.09 g / m 2.
  • the composition for forming a photosensitive layer was prepared as described above.
  • the polymer 1 was synthesized with reference to Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
  • the above polymer latex was applied to a 40 ⁇ m polyethylene terephthalate film (“long roll film manufactured by FUJIFILM Corporation”) to provide an undercoat layer having a thickness of 0.05 ⁇ m.
  • This process was performed roll-to-roll, and each of the following processes (steps) was also performed roll-to-roll in the same manner.
  • the roll width at this time was 1 m, and the length was 1000 m.
  • Step E-1, Step A-1, Step F-1) Next, on the undercoat layer, a silver halide-free layer forming composition in which the polymer latex and gelatin are mixed, a protective layer forming in which the photosensitive layer forming composition, and the polymer latex and gelatin are mixed is formed.
  • the composition for use was simultaneously applied in multiple layers to form a silver halide-free layer, a silver halide-containing photosensitive layer, and a protective layer on the undercoat layer.
  • the thickness of the silver halide-free layer is 2.0 ⁇ m
  • the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the silver halide-free layer is 2/1, which is high.
  • the content of molecule 1 was 1.3 g / m 2 .
  • the thickness of the silver halide-containing photosensitive layer is 2.5 ⁇ m, and the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer is 0.25 / 1.
  • the content of the polymer 1 was 0.19 g / m 2 .
  • the thickness of the protective layer is 0.15 ⁇ m, the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the protective layer is 0.1 / 1, and the content of polymer 1 is It was 0.015 g / m 2.
  • Step B-1 The photosensitive layer prepared above was exposed to light through a grid-like photomask using parallel light using a high-pressure mercury lamp as a light source.
  • a mask for forming a mesh pattern as shown in FIG. 1 is used as the photomask.
  • the line width of the unit square grid forming the grid is 1.2 ⁇ m, and the length L of one side of the grid (opening) is 600 ⁇ m. I tried to become.
  • Sample A having a silver-containing layer containing metallic silver formed in a mesh pattern.
  • a conductive mesh pattern region having a size of 21.0 cm ⁇ 29.7 cm was formed.
  • composition of developer The following compounds are contained in 1 liter (L) of the developing solution. Hydroquinone 0.037 mol / L N-Methylaminophenol 0.016 mol / L Sodium metaborate 0.140 mol / L Sodium hydroxide 0.360 mol / L Sodium bromide 0.031 mol / L Potassium metabisulfate 0.187 mol / L
  • the sample A obtained above was immersed in warm water at 50 ° C. for 180 seconds. After that, the water was drained with an air shower and allowed to air dry.
  • Step C-1 The sample A obtained in step B-1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110 ° C. and allowed to stand for 30 seconds to perform superheated steam treatment.
  • the steam flow rate at this time was 100 kg / h.
  • Step D-1 The sample A obtained in step C-1 was immersed in a hypochlorous acid-containing aqueous solution (25 ° C.) for 30 seconds. Sample A was taken out from the aqueous solution, and sample A was immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds for washing. After that, the water was drained with an air shower and allowed to air dry.
  • the hypochlorous acid-containing aqueous solution used was prepared by diluting Kao's kitchen highter twice and then using it.
  • Step 2-1 The sample A obtained in step D-1 was immersed in a plating solution A (30 ° C.) having the following composition for 3 minutes. Sample A was taken out from the plating solution A, and the sample A was immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds for washing.
  • the composition of the plating solution A (total amount 1200 g) was as follows. The pH of the plating solution A was 10, and the pH was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The following ingredients used were all manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • composition of plating solution A ⁇ AgNO 3 1.0 mol / l ⁇ Sodium sulfite 72g ⁇ Sodium thiosulfate pentahydrate 42 g ⁇ Potassium iodide 0.004g ⁇ Sodium polyacrylate 12g ⁇ Methyl hydroquinone 3.7g ⁇ Potassium carbonate Prescribed amount ⁇ Water balance
  • Step 3-1 The sample A obtained in step 2-1 was calendar-processed at a pressure of 30 kN using a calendar device using a combination of a metal roll and a resin roll. Calendering was performed at room temperature.
  • Step 4-1 The sample A obtained in step 3-1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110 ° C. and allowed to stand for 30 seconds to perform superheated steam treatment.
  • the steam flow rate at this time was 100 kg / h.
  • sample A obtained in step 4-1 the conductive thin wires formed a mesh pattern.
  • the line width of the conductive thin wire was 1.5 ⁇ m.
  • 100 samples B in which the comb-tooth pattern region shown in FIG. 4 was formed on the support were prepared according to the same procedure as above except that the photomask in the above (step B-1) was changed. ..
  • the width W of the pattern was 10 ⁇ m
  • the pattern interval I was 10 ⁇ m
  • the pattern length L was 30 cm.
  • Examples 2 to 12 Comparative Examples 1 to 4> Samples A and B follow the same procedure as in Example 1 except that the concentration of silver salt in the plating solution, the type, concentration and molecular weight of the acid group-containing polymer, and the silver / polymer ratio were changed as shown in Table 1. Was produced.
  • Example 13> In the preparation of sample B, the evaluation was carried out in the same manner as in Example 1 except that the pattern interval I in the comb-tooth pattern region shown in FIG. 4 was set to 5 ⁇ m.
  • the linear resistance value of the conductive mesh pattern region of the obtained sample A was measured.
  • the linear resistance value is the resistance value measured by the four-ended needle method divided by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of any one conductive thin wire constituting the mesh pattern from the mesh pattern, four (A, B, C, D) microprobes (Microsupport Co., Ltd.) Tungsten probe (diameter 0.5 ⁇ m)) was brought into contact with the separated conductive thin wire, and the outermost probes A and D were set at 250 ⁇ m intervals using a source meter (KEITHLEY source meter, 2400 type general-purpose source meter).
  • the line resistance value is less than 60 ⁇ / mm. 4: The line resistance value is 60 ⁇ / mm or more and less than 80 ⁇ / mm. 3: The line resistance value is 80 ⁇ / mm or more and less than 100 ⁇ / mm. 2: The line resistance value is 100 ⁇ / mm or more and less than 200 ⁇ / mm. 1: The line resistance value is 200 ⁇ / mm or more.
  • Short-circuit rate (%) ⁇ (number of samples B in which short-circuits occur) / 100 ⁇ ⁇ 1005: The short-circuit rate is 0%. 4: The short rate is 1%. 3: The short rate is 2 to 3%. 2: The short rate is 4 to 10%. 1: The short-circuit rate is 11% or more.
  • the "concentration” column in the “acid group-containing polymer” column represents the mass% of the acid group-containing polymer with respect to the total mass of the plating solution.
  • the "Molecular Weight” column represents the weight average molecular weight of the acid group-containing polymer.
  • Silver / polymer ratio represents the ratio of silver-equivalent mass of silver salt to mass of acid group-containing polymer.

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Abstract

優れた導電性を示す導電性細線を形成でき、かつ、形成される導電性細線間（特に、間隔が３０μｍ以下の導電性細線間）での短絡の発生を抑制できる、めっき液、めっきセット、および、導電性基板の製造方法の提供。めっき液は、銀塩と、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーと、水と、を含む、めっき液であって、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの含有量が、めっき液全質量に対して、５．０質量％以下である。

Description

めっき液、めっきセット、導電性基板の製造方法
　本発明は、めっき液、めっきセット、および、導電性基板の製造方法に関する。
　導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子などの種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。
　導電性細線を製造する方法として、めっき法が挙げられる。特許文献１においては、銀イオンと、アミノカルボン酸化合物とを含むめっき液が開示されている。
特開２００５－０４２１６６号公報
　一方で、近年、導電性細線の細線化が進んでおり、導電性細線間のスペース幅もより狭く設計される場合が増えている。
　本発明者らは、特許文献１に記載のめっき液を用いて、上記のような導電性細線間のスペース幅が狭い導電性パターンを形成しようとすると、導電性細線の導電性は優れるものの、導電性細線間での短絡が生じやすいことを知見した。
　本発明は、上記実情に鑑みて、優れた導電性を示す導電性細線を形成でき、かつ、形成される導電性細線間（特に、間隔が３０μｍ以下の導電性細線間）での短絡の発生を抑制できる、めっき液を提供することを課題とする。
　また、本発明は、めっきセット、および、導電性基板の製造方法を提供することも課題とする。
　本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
（１）　銀塩と、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーと、水と、を含む、めっき液であって、
　カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの含有量が、めっき液全質量に対して、５．０質量％以下である、めっき液。
（２）　カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの重量平均分子量が２０００～１００００００である、（１）に記載のめっき液。
（３）　カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの重量平均分子量が２０００～５０００００である、（１）または（２）に記載のめっき液。
（４）　カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの質量に対する、銀塩の銀換算質量の比が０．１０～５．０である、（１）～（３）のいずれかに記載のめっき液。
（５）　さらに、還元剤を含む、（１）～（４）のいずれかに記載のめっき液。
（６）　（１）～（４）のいずれかに記載のめっき液と、還元剤を含む還元液とからなるめっきセット。
（７）　支持体上に、細線状の銀含有層を形成する工程と、
　細線状の銀含有層に対して、（１）～（５）のいずれかに記載のめっき液、または、（６）に記載のめっきセットを用いて、めっき処理を施して、導電性細線を形成する工程と、を有する導電性基板の製造方法。
（８）　複数の導電性細線が互いに平行に配置され、
　隣り合う導電性細線間の間隔が３０μｍ以下である領域がある、（７）に記載の導電性基板の製造方法。
（９）　導電性細線によってメッシュパターンが形成されており、
　導電性細線の線幅が０．５μｍ以上４．０μｍ未満である、（７）に記載の導電性基板の製造方法。
　本発明によれば、優れた導電性を示す導電性細線を形成でき、かつ、形成される導電性細線間（特に、間隔が３０μｍ以下の導電性細線間）での短絡の発生を抑制できる、めっき液を提供できる。
　また、本発明によれば、めっきセット、および、導電性基板の製造方法を提供できる。
メッシュパターンを示す一部平面図である。 細線状の銀含有層が平行に配列している状態を示す一部平面図である。 導電性基板の断面図である。 櫛歯状パターン領域を説明するための図である。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されない。
　なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本発明の特徴点としては、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーを所定量使用している点が挙げられる。
　本発明者は、従来技術の問題点について検討したところ、従来のめっき液においては、めっき液中にて銀イオンの還元が進行して銀を含む凝集物を生成しており、この凝集物が導電性細線間に付着し、めっき処理の際に成長して、導電性細線間を短絡させる原因となっていることを知見している。そこで、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーを所定量使用することにより、めっき液中での銀を含む凝集物の発生および成長が抑制され、結果として、形成される導電性細線の優れた導電性が維持されたまま、導電性細線間（特に、間隔が３０μｍ以下の導電性細線間）の短絡の発生を抑制できることを知見している。
　本発明のめっき液（以下、単に「めっき液」ともいう。）は、銀塩と、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーと、水と、を含み、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの含有量が、めっき液全質量に対して、５．０質量％以下である。
　以下では、まず、めっき液について詳述し、その後、導電性基板の製造方法について詳述する。
＜めっき液＞
（銀塩）
　めっき液は、銀塩を含む。
　銀塩の種類は特に制限されず、公知の銀塩を使用できる。銀塩としては、水溶性の銀塩が好ましい。水溶性の銀塩とは、水に対して０．１質量％以上溶解する銀塩を意味する。
　銀塩としては、無機銀塩、および、有機銀塩が挙げられ、無機銀塩が好ましい。
　無機銀塩としては、例えば、硝酸銀、フッ化銀、過塩素酸銀、および、硫酸銀が挙げられる。
　めっき液中における銀塩の含有量は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点、および、導電性細線間の短絡の発生がより抑制される点の少なくとも一方の効果が得られる点（以下、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう。）で、０．０１～５．０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．１０～３．０ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
　銀塩は、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
（カルボキシル基またはその塩を有するポリマー）
　めっき液は、カルボキシル基またはその塩を有するポリマー（以下、単に「酸基含有ポリマー」ともいう。）を含む。
　カルボンキシル基の塩とは、一般式（Ｘ）で表される基を表す。
　一般式（Ｘ）　　－ＣＯＯ－Ｍ＋
　Ｍ＋は、１価のカチオンを表す。１価のカチオンとしては、例えば、アルカリ金属イオン（例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン、および、リチウムイオン）、アンモニウムイオン（例えば、ＮＨ4 ＋）、および、ピリジニウムイオンが挙げられる。
　酸基含有ポリマーは、カルボキシル基またはその塩を有していればよく、その構造は特に制限されない。なかでも、酸基含有ポリマーは、カルボキシル基またはその塩を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
　カルボキシル基またはその塩を有する繰り返し単位としては、一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位、または、一般式（Ｚ）で表される繰り返し単位が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　Ｒa1は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１がさらに好ましい。
　Ｌa1は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、および、アルキニレン基などの２価の脂肪族炭化水素基、並びに、アリーレン基などの２価の芳香族炭化水素基）、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（Ｑ）－、－ＣＯ－、または、これらを組み合わせた基（例えば、－Ｏ－２価の炭化水素基－、－（Ｏ－２価の炭化水素基）m－Ｏ－（ｍは、１以上の整数を表す）、および、－２価の炭化水素基－Ｏ－ＣＯ－など）が挙げられる。Ｑは、水素原子またはアルキル基を表す。
　Ｒa2は、カルボキシル基またはその塩を表す。
　Ｒb1は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１がさらに好ましい。
　Ｌb1は、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。Ｌb1で表される２価の連結基の定義は、Ｌa1で表される２価の連結基の定義と同じである。
　Ｒb2は、それぞれ独立に、カルボキシル基またはその塩を表す。
　酸基含有ポリマー中におけるカルボキシル基またはその塩を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、酸基含有ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５０モル％以上が好ましく、７５モル％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％が挙げられる。
　酸基含有ポリマーは、カルボキシル基またはその塩を有する繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を有していてもよい。
　酸基含有ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、２０００～１００００００が好ましく、２０００～５０００００がより好ましい。
　本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
　例えば、ＧＰＣ測定は、ＨＬＣ－８１２１ＧＰＣ（東ソー社製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　ＧＭＨＨＲ－Ｈ（２０）　ＨＴ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ×３０ｃｍ）を２本用い、溶離液として１，２，４－トリクロロベンゼンを用いる。また、条件としては、試料濃度を０．０２質量％、流速を１．０ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を３００μｌ、測定温度を１６０℃とし、ＩＲ（ｉｎｆｒａｒｅｄ）検出器を用いて行う。
　めっき液中における酸基含有ポリマーの含有量は、めっき液全質量に対して、５．０質量％以下である。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、０．０１～５．０質量％が好ましく、０．０５～５．０質量％がより好ましい。
　酸基含有ポリマーは、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　酸基含有ポリマーの質量に対する、銀塩の銀換算質量の比（銀塩の銀換算質量／酸基含有ポリマーの質量）は特に制限されず、０．０１～２０の場合が多く、本発明の効果がより優れる点で、０．１０～５．０が好ましい。
　なお、銀換算質量とは、銀塩が全て還元されて生成される銀の質量を意味する。
（水）
　めっき液は、水を含む。
　めっき液中の水の含有量は特に制限されないが、めっき液全質量に対して、６０～９５質量％が好ましく、８０～９０質量％がより好ましい。
（他の成分）
　めっき液は、上述した、銀塩、酸基含有ポリマー、および、水以外の他の成分を含んでいてもよい。
　めっき液は、錯化剤を含んでいてもよい。錯化剤としては、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、または、イミド基もしくはアミド基を有する有機化合物が挙げられる。錯化剤としては、例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸アンモニウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム、ヒダントイン化合物、および、イミド化合物が挙げられる。
　めっき液中の錯化剤の含有量は特に制限されないが、めっき液全質量に対して、１～３０質量％が好ましく、５～２０質量％がより好ましい。
　錯化剤は、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　めっき液は、還元剤を含んでいてもよい。還元剤としては、アスコルビン酸およびイソアスコルビン酸などのアスコルビン酸化合物またはその塩、ヒドラジン、ヒドラジン・１水和物、硫酸ヒドラジンおよび塩化ヒドラジンなどのヒドラジンまたはその塩、ヒドロキノンおよびメチルヒドロキノンなどのヒドロキノンまたはその誘導体、並びに、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール－４－カルボン酸、ピロガロール－４，６－ジカルボン酸および没食子酸などのピロガロールまたはその誘導体が挙げられる。
　めっき液中の還元剤の含有量は特に制限されないが、めっき液全質量に対して、０．０１～５質量％が好ましく、０．１～３質量％がより好ましい。
　還元剤は、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　なお、後述するように、めっき液が還元剤を含まない場合、還元剤を含む還元液を別途用意してもよい。
　めっき液は、上記以外にも、他の添加剤（例えば、ｐＨ調整剤、ヨウ化カリウム）を含んでいてもよい。なお、ヨウ化カリウムは、めっき速度の向上に寄与する。
　めっき液のｐＨは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、８．０～１３．０が好ましく、９．０～１１．０がより好ましい。
　ｐＨは、２５℃で測定した値である。
＜めっきセット＞
　上記めっき液は、このめっき液と、還元剤を含む還元液とからなるめっきセットとしてもよい。特に、めっき液に還元剤が含まれない場合、上記還元液を使用することにより、めっき処理を行うことができる。
　還元液中に含まれる還元剤の種類は、上述した通りである。
　還元液中の還元剤の含有量は特に制限されないが、還元液全質量に対して、１～３０質量％が好ましく、３～２０質量％がより好ましい。
　還元剤は、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
＜導電性基板の製造方法＞
　本発明の導電性基板の製造方法は、以下の工程１および工程２を有する。
工程１：支持体上に、細線状の銀含有層を形成する工程と、
工程２：細線状の銀含有層に対して、上記めっき液、または、上記めっきセットを用いて、めっき処理を施して、導電性細線を形成する工程
　以下、各工程の手順について詳述する。
（工程１）
　工程１は、支持体上に、細線状の銀含有層を形成する工程である。本工程によってめっき処理が施される細線状の銀含有層が形成される。
　本工程で使用される支持体の種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板、および、金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
　支持体の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、支持体表面をタッチ面として用いる場合は、支持体の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
　支持体を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（融点：２５８℃）、ポリシクロオレフィン（融点：１３４℃）、ポリカーボネート（融点：２５０℃）、アクリルフィルム（融点：１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（融点：２６９℃）、ポリエチレン（融点：１３５℃）、ポリプロピレン（融点：１６３℃）、ポリスチレン（融点：２３０℃）、ポリ塩化ビニル（融点：１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（融点：２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（融点：２９０℃）などの融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、および、ポリカーボネートがより好ましい。
　支持体の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。
　支持体の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
　下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の支持体に対する密着性がより向上する。
　下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
　下塗り層の厚みは特に制限されず、導電性細線の支持体に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
　支持体上に形成される細線状の銀含有層の幅は特に制限されず、０．１～３０μｍの場合が多く、細線化の点から、０．５～２０μｍが好ましく、０．５～１５μｍがより好ましい。
　また、細線状の銀含有層は所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、および、直角三角形などの三角形、四角形（例えば、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、および、台形など）、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、星形、ならびに、これらを組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
　メッシュ状とは、図１に示すように、交差する細線状の銀含有層１０により構成される複数の開口部１２を含んでいる形状が挙げられる。開口部１２の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。
　メッシュパターンを形成している細線状の銀含有層の幅は特に制限されないが、可視光透過率の点から、０．５μｍ以上４．０μｍ未満が好ましい。
　図１において、開口部１２は、ひし形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、および、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
　可視光透過率の点から、細線状の銀含有層より形成されるメッシュパターンの開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。開口率とは、細線状の銀含有層がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合に相当する。
　また、複数の細線状の銀含有層は、互いに平行に配置されていてもよい。より具体的には、図２に示すように、複数の細線状の銀含有層１０は、細線状の銀含有層１０が延びる方向と直交する方向に沿って配置されていてもよい。その際、複数の細線状の銀含有層の延在方向が、互いに平行になるように配置されている。このような平行に配置される細線状の銀含有層は、例えば、タッチパネルにおいては非表示部に配置される引出配線として使用され、この非表示部、いわゆる額縁部の幅は意匠性の観点から近年狭く設計されることが多い。このように配線配置の省スペース化のため、細線状の銀含有層の線幅は３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、５μｍ以上の場合が多い。また、同様の観点から、細線状の銀含有層の間隔は３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、５μｍ以上の場合が多い。
　支持体上に細線状の銀含有層を形成する方法は特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法、および、支持体の全面に銀層を形成した後、レジストパターンを用いて銀層の一部を除去して、細線状の銀含有層を形成する方法が挙げられる。
　なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法が好ましい。
　以下、この方法について詳述する。
　ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法は、以下の工程を有することが好ましい。
工程Ａ：支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程
工程Ｂ：ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程
工程Ｃ：工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程
工程Ｄ：工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程
　以下、各工程の手順について詳述する。
（工程Ａ）
　工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子（以下、「特定高分子」ともいう。）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き支持体が製造される。
　本工程で使用される支持体は、上述した通りである。
［ハロゲン化銀］
　ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、または、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、または、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
　ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成物中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
　ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍがさらに好ましい。
　なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
　上記ハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
　ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、および、１４面体状などの形状が挙げられる。
［ゼラチン］
　ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）などを用いてもよい。
［ゼラチンとは異なる高分子］
　感光性層には、ゼラチンと異なる高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより優れる。
　特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
　特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系樹脂、および、キトサン系樹脂からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体などが挙げられる。
　また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
　特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
　特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
　　一般式（１）：　－（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
　なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　Ｒ1は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
　Ｒ2は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
　Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（３）で表される基が好ましい。
　一般式（３）：－（ＣＯ－Ｘ1）ｒ－Ｘ2－
　一般式（３）中、Ｘ1は、酸素原子または－ＮＲ30－を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
　Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ2－、－Ｎ（Ｒ31）－、または、－Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2－などが途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2－、または、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）－が好ましい。
　ｒは０または１を表す。
　ｑは０または１を表し、０が好ましい。
　Ｒ4は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基がさらに好ましい。
　Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
　Ｒ6は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
　一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
　ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
　ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
　ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
　ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
　一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
　一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上記の定義の通りである。
　一般式（１）で表される高分子は、上記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
　他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
　一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
一般式（Ｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　上記式中、ＬEはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基がさらに好ましい。
　一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　上記式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、およびｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
　ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
　ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
　特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報などを参照して合成できる。
　特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００がさらに好ましい。
　感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
　例えば、ハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物などの８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。または、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。さらには、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
　また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも導電性細線中の金属銀同士の連結が保たれる。
［工程Ａの手順］
　工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に感光性層を形成する方法が好ましい。
　以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
［感光性層形成用組成物に含まれる材料］
　感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
　感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
　溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、および、エーテル類）、イオン性液体、および、これらの混合溶媒が挙げられる。
　感光性層形成用組成物と支持体とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を支持体上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に支持体を浸漬する方法などが挙げられる。
　なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
［ハロゲン化銀含有感光性層］
　上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
　感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ2が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ2がより好ましい。
　銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
　感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ2がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ2がさらに好ましい。
（工程Ｂ）
　工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
　感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
　露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
　露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
　露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
　現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
　現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（ｐｈｅｎｉｄｏｎｅ　ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、ＭＱ（Ｍｅｔｏｌ　ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
　本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理をさらに有していてもよい。
　定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
　定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、写真工業出版社（株））ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
　上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層が形成される。
　なお、銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。
　また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
　さらに、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
（工程Ｃ）
　工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
　加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、および、温調装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
　過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
　過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
　過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
　温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。
（工程Ｄ）
　工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。
　ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
　方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチンなどのタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
　タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
　方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
　酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
　酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
　酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
　酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
　酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２５～４５℃が好ましい。
　なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
　洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
　温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
　温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
　方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
　上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩などが挙げられる。なかでも、生産性、経済性の点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
　方法２における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
　酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、および、有機溶媒が挙げられる。
（工程２）
　工程２は、工程１で得られた細線状の銀含有層に対して、上記めっき液、または、上記めっきセットを用いて、めっき処理を施して、導電性細線を形成する工程である。
　本工程を実施することにより、細線状の銀含有層上および内部にめっきが析出する。特に、上述した工程Ａ～工程Ｄによって得られる銀含有層内にはゼラチンを除去することによって形成された空間があるため、本工程を実施することにより空間に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。
　本工程で使用されるめっき液およびめっきセットは、上述した通りである。
　上記めっき処理の手順は特に制限されず、めっき液を用いる場合は、銀含有層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法が挙げられる。
　銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点から、３０秒間～３０分間が好ましい。
　また、めっきセットを用いる場合、銀含有層に対してめっき液および還元液を順次または同時に付与して、銀含有層とめっき液および還元液とを接触させて、銀含有層上および内部にめっきを析出される方法が挙げられる。
（その他の工程）
　本発明の導電性基板の製造方法は、上記工程１および工程２以外の他の工程を有していてもよい。
　本発明の導電性基板の製造方法は、工程２の後に、工程２で得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程３を有していてもよい。
　本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
　平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、導電性細線を有する支持体を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
　カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
　ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
　平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
　本発明の導電性基板の製造方法は、工程３の後に、さらに、工程３で得られた導電性細線に加熱処理を施す工程４を有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
　導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
　本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｅを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電性細線と支持体との密着性向上に寄与する。
　ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
　ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
　ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
　ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
　層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
　ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ以下の場合が多い。
　本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｆを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
　保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
　また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
　保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
　保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
　保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
＜導電性基板＞
　以下に、本発明の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板の構造について説明する。
　図３に、本発明の導電性基板の第１実施形態の断面図を示す。
　導電性基板２０は、支持体１４と、支持体１４上に配置された導電性細線１６とを含む。なお、図１中は、導電性細線１６が２つ記載されているが、その数は特に制限されない。
　導電性細線の線幅は特に制限されず、０．１～３０μｍの場合が多く、細線化の点から、０．５～２０μｍが好ましく、０．５～１５μｍがより好ましい。
　導電性細線は所定のパターンを形成していてもよい。導電性細線によって形成されるパターンとしては、上述した細線状の銀含有層によって形成されるパターンが挙げられ、メッシュ状（メッシュパターン）が好ましい。
　メッシュ状とは、上述した図１に示す形態である。
　導電性細線により形成されるメッシュパターンの開口部の一辺の長さの好適範囲は、上述した細線状の銀含有層によって形成されるメッシュパターンの開口部の一辺の長さの好適範囲と同じである。
　導電性細線により形成されるメッシュパターンの開口率の好適範囲は、上述した細線状の銀含有層によって形成されるメッシュパターンの開口率の好適範囲と同じである。
　また、メッシュパターンを形成している導電性細線の線幅は特に制限されないが、可視光透過率の点から、０．５μｍ以上４．０μｍ未満が好ましい。
　また、複数の導電性細線は、互いに平行に配置されていてもよい。より具体的には、図２で示した細線状の銀含有層の場合と同様に、複数の導電性細線は、導電性細線が延びる方向と直交する方向に沿って配置されていてもよい。その際、複数の導電性細線の延在方向が、互いに平行になるように配置されている。このような平行に配置される導電性細線は、例えば、タッチパネルにおいては非表示部に配置される引出配線として使用され、この非表示部、いわゆる額縁部の幅は意匠性の観点から近年狭く設計されることが多い。このように配線配置の省スペース化のため、導電性細線の線幅は３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、５μｍ以上の場合が多い。また、同様の観点から、導電性細線の間隔は３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、５μｍ以上の場合が多い。
＜用途＞
　上記のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
　本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
　以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
＜実施例１＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
　３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
　１液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７５０ｍｌ
　　　ゼラチン　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．６ｇ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　３ｇ
　　　１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン　２０ｍｇ
　　　ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム　　　　　　１０ｍｇ
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．７ｇ
　２液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｍｌ
　　　硝酸銀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５０ｇ
　３液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｍｌ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　３８ｇ
　　　臭化カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　３２ｇ
　　　ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
　　　　（０．００５％ＫＣｌ　２０％水溶液）　　　　５ｍｌ
　　　ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
　　　　　（０．００１％ＮａＣｌ　２０％水溶液）　　７ｍｌ
　４液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｍｌ
　　　硝酸銀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０ｇ
　５液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｍｌ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１３ｇ
　　　臭化カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　１１ｇ
　　　黄血塩　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５ｍｇ
　その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上記で得られた溶液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、得られた溶液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。次に、上澄み液を除去した溶液に、３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第３水洗）、水洗および脱塩工程を終了した。水洗および脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇおよび塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、さらに、得られた乳剤に、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、および、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）２００ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
（感光性層形成用組成物の調製）
　上記乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
　上記組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。式中の数値（「８．６」、「５８．９」、「２」、「２５．４」、「５．１」）は各繰り返し単位のモル比率を表す。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含むポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
　さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ　ＲＥＳＩＮ　ＤＹ　０２２（商品名：ナガセケムテックス社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
　以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
　なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）に上記ポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
（工程Ｅ－１、工程Ａ－１、工程Ｆ－１）
　次に、下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上記感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
　なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
　また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
　また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
（工程Ｂ－１）
　上記で作製した感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしては図１のようなメッシュパターンを形成するためのマスクを用いており、格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
　露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＡを得た。サンプルＡにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
（現像液の組成）
　現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
　　　　ハイドロキノン　　　　　　　　　　０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
　　　　Ｎ－メチルアミノフェノール　　　　０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
　　　　メタホウ酸ナトリウム　　　　　　　０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
　　　　水酸化ナトリウム　　　　　　　　　０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
　　　　臭化ナトリウム　　　　　　　　　　０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
　　　　メタ重亜硫酸カリウム　　　　　　　０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
　上記で得られたサンプルＡを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
（工程Ｃ－１）
　工程Ｂ－１で得られたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
（工程Ｄ－１）
　工程Ｃ－１で得られたサンプルＡを、次亜塩素酸含有水溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡを水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
　なお、使用した次亜塩素酸含有水溶液は、花王社製キッチンハイターを２倍に希釈してから使用することで調製した。
（工程２－１）
　工程Ｄ－１で得られたサンプルＡを、以下組成のめっき液Ａ（３０℃）に３分間浸漬した。サンプルＡをめっき液Ａから取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
　めっき液Ａ（全量１２００ｇ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液ＡのｐＨは１０であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬（株）製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ａの組成）
・ＡｇＮＯ３　　　　　　　　　　　１．０ｍｏｌ／ｌ
・亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物　　　４２ｇ
・ヨウ化カリウム　　　　　　　　　０．００４ｇ
・ポリアクリル酸ナトリウム　　　　１２ｇ
・メチルヒドロキノン　　　　　　　３．７ｇ
・炭酸カリウム　　　　　　　　　　所定量
・水　　　　　　　　　　　　　　　残部
（工程３－１）
　工程２－１で得られたサンプルＡに対して、金属ロールと樹脂製のロールとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
（工程４－１）
　工程３－１で得られたサンプルＡに対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
　工程４－１によって得られたサンプルＡにおいては、導電性細線はメッシュパターンを形成していた。導電性細線の線幅は、１．５μｍであった。
　また、上記（工程Ｂ－１）でのフォトマスクを変更した以外は、上記と同様の手順に従って、支持体上に図４に示す櫛歯状パターン領域が形成されたサンプルＢを１００個作製した。図４中、パターンの幅Ｗは１０μｍであり、パターン間隔Ｉは１０μｍであり、パターン長さＬは３０ｃｍであった。
＜実施例２～１２、比較例１～４＞
　めっき液中の銀塩の濃度、酸基含有ポリマーの種類、濃度および分子量、並びに、銀／ポリマー比を表１のように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、サンプルＡおよびＢを作製した。
＜実施例１３＞
　サンプルＢの作製において、図４に示す櫛歯状パターン領域におけるパターン間隔Iを５μｍとした以外は、実施例１と同様にして評価を実施した。
＜評価＞
（導電性）
　得られたサンプルＡの導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定した。線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター、２４００型汎用ソースメーター）を用いて２５０μｍ間隔とした内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求めた。得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値とし、任意の１０箇所の測定値の平均値を、以下の基準に従って、導電性として評価した。結果を表１にまとめて示す。
５：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ未満である。
４：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ以上、８０Ω／ｍｍ未満である。
３：線抵抗値が８０Ω／ｍｍ以上、１００Ω／ｍｍ未満である。
２：線抵抗値が１００Ω／ｍｍ以上、２００Ω／ｍｍ未満である。
１：線抵抗値が２００Ω／ｍｍ以上である。
（ショート率）
　櫛歯状パターン領域が形成されているサンプルＢにおいて、櫛歯状パターン領域の両端部の抵抗を、東洋計測器（株）製ＰＩＣＯＴＥＳＴデジタルマルチメータ Ｍ３５００Ａを用いて測定した。ショートが起こらない場合には、櫛歯状パターン領域の両端部は導通していないため抵抗値はオーバーロード（無限大）を示すが、ショートが発生した場合には導通し測定により抵抗値が示される。上記手法により１００個のサンプルＢにおけるショート発生個数をカウントし、ショート率を求めた。結果を表１にまとめて示す。
　なお、以下のショート率は、以下の式より求めた。
ショート率（％）＝｛（ショートが発生しているサンプルＢの数）／１００｝×１００５：ショート率が０％である。
４：ショート率が１％である。
３：ショート率が２～３％である。
２：ショート率が４～１０％である。
１：ショート率が１１％以上である。
　表１中、「酸基含有ポリマー」欄の「濃度」欄は、酸基含有ポリマーのめっき液全質量に対する質量％を表す。
　「分子量」欄は、酸基含有ポリマーの重量平均分子量を表す。
　「銀／ポリマー比」は、酸基含有ポリマーの質量に対する銀塩の銀換算質量の比を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表１に示すように、本発明のめっき液を用いると、所望の効果が得られることが確認された。
　なお、実施例１～４の比較より、酸基含有ポリマーの重量平均分子量が２０００～５０００００である場合、より効果が優れることが確認された。
　また、実施例５～９の比較より、銀／ポリマー比が０．１０～５．０である場合、より効果が優れることが確認された。
　１０　　細線状の銀含有層
　１２　　開口部
　１４　　支持体
　１６　　導電性細線
　２０　　導電性基板
 

Claims (9)

  1. 　銀塩と、カルボキシル基またはその塩を有するポリマーと、水と、を含む、めっき液であって、
    　前記カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの含有量が、前記めっき液全質量に対して、５．０質量％以下である、めっき液。
  2. 　前記カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの重量平均分子量が２０００～１００００００である、請求項１に記載のめっき液。
  3. 　前記カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの重量平均分子量が２０００～５０００００である、請求項１または２に記載のめっき液。
  4. 　前記カルボキシル基またはその塩を有するポリマーの質量に対する、前記銀塩の銀換算質量の比が０．１０～５．０である、請求項１～３のいずれか１項に記載のめっき液。
  5. 　さらに、還元剤を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載のめっき液。
  6. 　請求項１～４のいずれか１項に記載のめっき液と、還元剤を含む還元液とからなるめっきセット。
  7. 　支持体上に、細線状の銀含有層を形成する工程と、
    　前記細線状の銀含有層に対して、請求項１～５のいずれか１項に記載のめっき液、または、請求項６に記載のめっきセットを用いて、めっき処理を施して、導電性細線を形成する工程と、を有する導電性基板の製造方法。
  8. 　複数の前記導電性細線が互いに平行に配置され、
    　隣り合う前記導電性細線間の間隔が３０μｍ以下である領域がある、請求項７に記載の導電性基板の製造方法。
  9. 　前記導電性細線によってメッシュパターンが形成されており、
    　前記導電性細線の線幅が０．５μｍ以上４．０μｍ未満である、請求項７に記載の導電性基板の製造方法。
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