WO2023120297A1 - 導電性基板、導電性基板の製造方法 - Google Patents

導電性基板、導電性基板の製造方法 Download PDF

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WO2023120297A1
WO2023120297A1 PCT/JP2022/045813 JP2022045813W WO2023120297A1 WO 2023120297 A1 WO2023120297 A1 WO 2023120297A1 JP 2022045813 W JP2022045813 W JP 2022045813W WO 2023120297 A1 WO2023120297 A1 WO 2023120297A1
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WO
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conductive substrate
conductive
depth position
group
depth
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Application number
PCT/JP2022/045813
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English (en)
French (fr)
Inventor
大悟 澤木
Original Assignee
富士フイルム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Definitions

  • the present invention relates to a conductive substrate and a method for manufacturing a conductive substrate.
  • Conductive substrates with conductive thin wires are widely used in various applications such as touch panels, solar cells, and EL (electro luminescence) elements.
  • touch panels solar cells
  • EL electro luminescence
  • the mounting rate of touch panels on mobile phones and mobile game devices has been increasing, and the demand for conductive substrates for capacitive touch panels capable of multi-point detection is rapidly expanding.
  • Patent Document 1 discloses that a conductive material having a mesh-like metal fine line pattern formed of silver is coated on a support by a specific formula.
  • a technique related to a method for treating a conductive material is disclosed, which is characterized by treating with a surface treatment liquid containing the represented mercaptobenzothiazole-based compound.
  • the inventors of the present invention have studied a conductive substrate having conductive fine wires with reference to Patent Document 1. As a result, the conductive substrate can suppress migration, and has been used for various optical members. It has been found that there is room for further improvement with respect to the light resistance of the case. In addition, the said light resistance means the performance by which blackening or discoloration is suppressed by irradiation of light.
  • a substrate having a conductive fine line disposed on the base material and containing a metal and a thiol compound, Depth at which secondary ion intensity derived from the metal is observed when time-of-flight secondary ion mass spectrometry is performed along the depth direction from the surface of the conductive thin wire opposite to the base material.
  • the position is defined as a depth position D1
  • the depth position at which the secondary ion intensity derived from the metal is no longer observed is defined as a depth position D2
  • the depth position intermediate between the depth position D1 and the depth position D2 is defined as
  • the depth position is DM
  • the average value A1 of the secondary ion intensity derived from the thiol compound in the region from the depth position D1 to the depth position DM is the depth position from the depth position DM to the depth position.
  • a conductive substrate that is excellent in suppressing migration between conductive fine wires and has excellent light resistance. Moreover, according to the present invention, a method for manufacturing a conductive substrate can also be provided.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of the configuration of a conductive substrate of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of the mesh pattern of the conductive layer of the conductive substrate of the present invention
  • It is an example of a profile obtained by subjecting the conductive substrate of the present invention to time-of-flight secondary ion mass spectrometry.
  • a numerical range represented by "to” means a range including the numerical values before and after "to” as lower and upper limits.
  • the “content” of the component means the total content of the two or more kinds of components.
  • “g” and “mg” represent “mass g” and “mass mg” respectively.
  • polymer or “polymer compound” means a compound having a weight average molecular weight of 2000 or more.
  • the weight average molecular weight is defined as a polystyrene-equivalent value by GPC (Gel Permeation Chromatography) measurement.
  • GPC Gel Permeation Chromatography
  • angles represented by specific numerical values, and expressions relating to angles such as “parallel”, “perpendicular” and “perpendicular” are generally accepted in the relevant technical field unless otherwise specified. including the margin of error.
  • an "organic group” refers to a group containing at least one carbon atom.
  • a conductive substrate according to the present invention is a conductive substrate having a substrate and conductive wires disposed on the substrate and containing a metal and a thiol compound, the conductive wires being opposite to the substrate.
  • time-of-flight secondary ion mass spectrometry TOF-SIMS analysis: Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry
  • the depth position where the secondary ion intensity derived from the metal is no longer observed is defined as the depth position D1
  • the depth position where the secondary ion intensity derived from the metal is no longer observed is defined as the depth position D2.
  • the average value A1 of the secondary ion intensity derived from the thiol compound in the region from the depth position D1 to the depth position DM is the thiol from the depth position DM to the depth position D2 It is smaller than the average value A2 of the secondary ion intensity derived from the compound.
  • the inclusion of the thiol compound in the conductive thin wires has the effect of suppressing migration.
  • a conductive thin wire containing a thiol compound is exposed to ultraviolet light (for example, ultraviolet light from xenon irradiation), the thiol compound decomposes, and the decomposition product reacts with a metal such as silver contained in the conductive thin wire.
  • Metal sulfides such as silver sulfide can be produced.
  • the conductive thin wire is blackened or discolored due to the metal sulfide, resulting in poor light resistance.
  • the present inventors have found that the average values A1 and A2, which mean the amounts of thiol compounds contained in the conductive fine wires in a predetermined region of the conductive substrate, are smaller than the average value A2, so that the thiol
  • the inventors have found that the light resistance of the conductive substrate can be improved while maintaining the function of suppressing migration by the compound, and completed the present invention.
  • excellent effects of the present invention the fact that at least one of the effects of excellent migration suppression performance and excellent light resistance of the conductive substrate is obtained is also described as "excellent effects of the present invention”.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing one example of the configuration of a conductive substrate according to the present invention.
  • the conductive substrate 10 shown in FIG. 1 has a base material 12 and conductive fine lines 14 arranged on a surface 12 a of the base material 12 .
  • conductive thin wires 14 extending in one direction are shown in FIG. 1, the arrangement form and number of the conductive thin wires 14 are not particularly limited.
  • Average value A1 is smaller than average value A2.
  • the ratio of the average value A1 to the average value A2 is less than 1.00, preferably 0.90 or less, more preferably 0.80 or less.
  • the lower limit is not particularly limited, it is often 0 or more, and more than 0 is preferable.
  • Measurement of average A1 and average A2 is performed by analyzing a cross-section of the conductive substrate using TOF-SIMS analysis.
  • a sample for analysis is prepared.
  • a sample for analysis is prepared by obliquely cutting a conductive substrate having a base material and a conductive thin line using an oblique cutting apparatus (SAICAS (registered trademark): Surface And Interfacial Cutting Analysis System).
  • SAICAS oblique cutting apparatus
  • the cutting is performed so that the cutting direction of the conductive substrate (direction in which the cutting edge advances) is included in a plane including the thickness direction of the conductive fine wires and the direction in which the conductive fine wires extend.
  • the cross section of the conductive thin wire is exposed, in which the direction including the width direction of the conductive thin wire and perpendicular to the width direction corresponds to the thickness direction of the conductive thin wire.
  • FIG. 3 shows an example of a profile obtained by TOF-SIMS analysis.
  • the horizontal axis (the axis extending in the left-right direction of the paper surface in FIG. 3) is the depth based on the surface of the conductive fine wire on the opposite side to the base material.
  • the vertical axis (the axis extending vertically in FIG.
  • the secondary ion intensity derived from each component represents the secondary ion intensity derived from each component.
  • the broken line indicates the secondary ion intensity derived from the metal
  • the solid line indicates the secondary ion intensity derived from the thiol compound.
  • the secondary ionic strength derived from metal means the strength of fragment ions derived from metal
  • the secondary ionic strength derived from thiol compound means the strength of fragment ions derived from thiol compound.
  • the secondary ion intensity originating from the metal begins to be observed at a predetermined depth position from the surface opposite to the base material, and thereafter, the metal ion intensity reaches the predetermined depth position. A secondary ion intensity derived from is observed.
  • the depth position where the secondary ion intensity derived from the metal contained in the conductive thin wire in the analysis sample is observed is defined as the depth position D1, and the secondary ion intensity derived from the metal is observed.
  • the depth position where it disappears be the depth position D2.
  • the secondary ion strength derived from the metal is derived from the zero-valent metal (for example, metallic silver or the like) contained in the conductive thin wire. In other words, the secondary ion strength is not derived from a metal compound composed of metal cations and anions.
  • TOF-SIMS analysis is performed on the analysis sample to obtain the secondary ion intensity profile derived from the metal.
  • the average value of secondary ion intensities derived from metals is 2 derived from metals.
  • the secondary ion intensity A when performing time-of-flight secondary ion mass spectrometry along the depth direction from the surface of the conductive thin wire opposite to the base material, 0.1 times the secondary ion intensity A
  • the depth position located on the surface side opposite to the base material of the conductive fine wire is the depth position D1
  • the depth position is 0.1 times the secondary ion intensity A.
  • the depth position closest to the substrate is defined as a depth position D2.
  • the intermediate (average value) depth position between the obtained depth position D1 and the depth position D2 is defined as the depth position DM.
  • the secondary ion intensity has a maximum value between the depth position D1 and the depth position D2.
  • the TOF-SIMS analysis of the analysis sample shows a profile of the secondary ion intensity derived from the metal having a convex peak shape.
  • the average value A1 of the secondary ion intensity derived from the thiol compound in the region from the depth position D1 to the depth position DM, and the thiol compound in the region from the depth position DM to the depth position D2 An average value A2 of secondary ion intensities is calculated. That is, in FIG. 3, the secondary ion intensity derived from the thiol compound at each depth position (depth position every 10 nm) from the depth position D1 to the depth position DM is calculated, and the arithmetic average value is Calculate and set as average value A1. Further, the secondary ion intensity derived from the thiol compound at each depth position (depth position every 10 nm) from the depth position DM to the depth position D2 is calculated, the arithmetic average value is calculated, and the average value A2.
  • TOF-SIMS analyzer examples include known devices such as TOF-SIMS4 (manufactured by ION-TOF).
  • An ion gun for TOF-SIMS analysis includes, for example, a Bi ion gun (Bi 3 + ).
  • the type of the substrate is not particularly limited as long as it is a member capable of supporting the photosensitive layer and the conductive thin wires, and examples thereof include plastic substrates, glass substrates and metal substrates, with plastic substrates being preferred.
  • the base material a base material having flexibility is preferable because the obtained conductive member is excellent in bendability.
  • flexible substrates include the plastic substrates described above.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, and is often 25 to 500 ⁇ m. When applying the conductive substrate to a touch panel and using the surface of the substrate as a touch surface, the thickness of the substrate may exceed 500 ⁇ m.
  • Materials constituting the substrate include polyethylene terephthalate (PET) (258°C), polycycloolefin (134°C), polycarbonate (250°C), acrylic film (128°C), polyethylene naphthalate (269°C), polyethylene ( 135°C), polypropylene (163°C), polystyrene (230°C), polyvinyl chloride (180°C), polyvinylidene chloride (212°C), triacetyl cellulose (290°C), etc.
  • Certain resins are preferred, more preferably PET, polycycloolefin or polycarbonate. Among them, PET is particularly preferable because of its excellent adhesion to the conductive thin wires.
  • the numbers in parentheses above are melting points or glass transition temperatures.
  • the total light transmittance of the substrate is preferably 85-100%.
  • the total light transmittance is measured using "Plastics - Determination of total light transmittance and total light reflectance" defined in JIS (Japanese Industrial Standards) K 7375:2008.
  • An undercoat layer may be disposed on the surface of the substrate.
  • the undercoat layer preferably contains a specific polymer, which will be described later.
  • the use of this undercoat layer further improves the adhesion of the conductive layer to the substrate, which will be described later.
  • the method for forming the undercoat layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which an undercoat layer-forming composition containing a specific polymer described below is applied onto a substrate, and heat treatment is performed as necessary.
  • the undercoat layer-forming composition may contain a solvent, if necessary.
  • the type of solvent is not particularly limited, and examples thereof include solvents used in the composition for forming a photosensitive layer, which will be described later.
  • grains of a specific polymer as a composition for undercoat formation containing a specific polymer.
  • the thickness of the undercoat layer is not particularly limited, and is preferably from 0.02 to 0.3 ⁇ m, more preferably from 0.03 to 0.2 ⁇ m, in terms of better adhesion of the conductive fine wires to the substrate.
  • a conductive wire is disposed on a substrate and includes a metal (zero-valent metal) and a thiol compound. That is, a conductive thin wire containing a metal and a thiol compound is arranged on the surface of the base material of the conductive substrate.
  • the conductive thin line is a portion that secures the conductive properties of the conductive substrate by containing metal.
  • a metal selected from the group consisting of silver (metallic silver), copper (metallic copper), gold (metallic gold), nickel (metallic nickel), and palladium (metallic palladium) is selected from the viewpoint of superior conductive properties. Elements as well as mixtures (alloys) of two or more metals selected from the above group are preferred.
  • a metal containing silver is more preferable, silver alone or a mixture (alloy) of silver and copper is more preferable, and silver alone is particularly preferable.
  • the conductive thin wire may or may not be electrically connected to a member outside the conductive substrate.
  • a part of the conductive thin wire may be a dummy electrode electrically insulated from the outside.
  • the metal contained in the conductive fine wire is usually in the form of solid particles.
  • the average particle diameter of the metal is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, in terms of equivalent spherical diameter.
  • the equivalent sphere diameter is the diameter of spherical particles having the same volume, and the average particle diameter of metal particles is the average value obtained by measuring the equivalent sphere diameters of 100 objects and arithmetically averaging them. be done.
  • the shape of the metal particles is not particularly limited, and examples thereof include spherical, cubic, tabular, octahedral, and tetradecahedral shapes. Also, the metal particles may be partially or wholly bonded by fusion.
  • the conductive fine wire may have a structure in which a plurality of metals are dispersed in a polymer compound to be described later, or may exist as an aggregate in which metal particles are aggregated in the polymer compound. Moreover, at least some of the plurality of metals contained in the conductive fine wire may be joined together by metal derived from metal ions used in the plating treatment described below.
  • the content of the metal in the conductive fine wire is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g/m 2 , more preferably 5.0 to 15.0 g/m 2 in terms of better conductivity of the conductive substrate. more preferred.
  • the conductive fine wire may contain a polymer compound in addition to the metal.
  • the type of polymer compound contained in the conductive fine wire is not particularly limited, and known polymer compounds can be used. Among them, a polymer compound different from gelatin (hereinafter, also referred to as "specific polymer”) is preferable in that it can form a silver-containing layer and a conductive fine wire having higher strength.
  • the type of the specific polymer is not particularly limited as long as it is different from gelatin, and a polymer that decomposes gelatin and is not decomposed by a proteolytic enzyme or an oxidizing agent, which will be described later, is preferable.
  • specific polymers include hydrophobic polymers (water-insoluble polymers), such as acrylic resins, methacrylic resins, styrene resins, vinyl resins, polyolefin resins, polyester resins, and polyurethane resins. , polyamide-based resins, polycarbonate-based resins, polydiene-based resins, epoxy-based resins, silicone-based resins, cellulose-based resins, and chitosan-based resins. and copolymers composed of monomers that Moreover, the specific polymer preferably has a reactive group that reacts with a cross-linking agent, which will be described later. The specific polymer is preferably particulate. In other words, the conductive thin wire preferably contains particles of the specific polymer.
  • a polymer (copolymer) represented by general formula (1) is preferable.
  • A, B, C and D each independently represent a repeating unit represented by any one of general formulas (A) to (D).
  • R 11 represents a methyl group or a halogen atom, preferably a methyl group, a chlorine atom or a bromine atom.
  • p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, more preferably 0;
  • R 12 represents a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
  • R 13 represents a hydrogen atom or a methyl group, preferably a hydrogen atom.
  • L represents a divalent linking group, preferably a group represented by general formula (2).
  • X 1 represents an oxygen atom or -NR 30 -.
  • R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, each optionally having a substituent (eg, a halogen atom, a nitro group, and a hydroxyl group).
  • R 30 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, n-butyl group, and n-octyl group), or an acyl group (e.g., acetyl group, and benzoyl group) is preferred.
  • X 1 is preferably an oxygen atom or -NH-.
  • X 2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylenearylene group, an arylenealkylene group, or an alkylenearylenealkylene group, and these groups include -O-, -S-, -CO-, -COO-, -NH -, -SO 2 -, -N(R 31 )-, or -N(R 31 )SO 2 - may be inserted in the middle.
  • R 31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • X 2 is a dimethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, —CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2 —, or —CH 2 CH 2 OCO ( C 6 H 4 )— is preferred.
  • r represents 0 or 1;
  • q represents 0 or 1, with 0 being preferred.
  • R 14 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, preferably an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, and 5 carbon atoms. Alkyl groups of -20 are more preferred.
  • R 15 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom, or —CH 2 COOR 16 , preferably a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, or —CH 2 COOR 16 , a hydrogen atom, a methyl group; , or —CH 2 COOR 16 is more preferred, and a hydrogen atom is even more preferred.
  • R 16 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms and may be the same as or different from R 14 .
  • R 16 preferably has 1 to 70 carbon atoms, more preferably 1 to 60 carbon atoms.
  • x, y, z and w mean the molar ratio of each repeating unit.
  • x is 3 to 60 (mol%), preferably 3 to 50 (mol%), more preferably 3 to 40 (mol%).
  • y is 30 to 96 (mol%), preferably 35 to 95 (mol%), more preferably 40 to 90 (mol%).
  • z is 0.5 to 25 (mol%), preferably 0.5 to 20 (mol%), more preferably 1 to 20 (mol%).
  • w is 0.5 to 40 (mol%), preferably 0.5 to 30 (mol%).
  • x is 3 to 40 (mol%)
  • y is 40 to 90 (mol%)
  • z is 0.5 to 20 (mol%)
  • w is 0.5 to 10 (mol%). is preferred.
  • a polymer represented by general formula (2) is preferable as the polymer represented by general formula (1).
  • the polymer represented by general formula (1) may contain repeating units other than the repeating units represented by any of the above general formulas (A) to (D).
  • monomers for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonic acid esters, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, and fumaric acid diesters. , acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, vinyl heterocyclic compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745.
  • the polymer represented by general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by general formula (E).
  • L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.
  • a polymer represented by general formula (3) is more preferable.
  • a1, b1, c1, d1 and e1 mean the molar ratio of each repeating unit.
  • a1 is 3 to 60 (mol%)
  • b1 is 30 to 95 (mol%)
  • c1 is 0.5 to 25 (mol%)
  • d1 is 0.5 to 40 (mol%)
  • e1 is 1 to 10 ( mol %).
  • the preferred range of a1 is the same as the preferred range of x above
  • the preferred range of b1 is the same as the preferred range of y above
  • the preferred range of c1 is the same as the preferred range of z above
  • the preferred range of d1 is the same as the preferred range of y above.
  • the preferred range is the same as the preferred range of w above.
  • e1 is 1 to 10 (mol %), preferably 2 to 9 (mol %), more preferably 2 to 8 (mol %).
  • the specific polymer can be synthesized with reference to, for example, Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
  • the weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, and is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 2,000 to 750,000, and even more preferably 3,000 to 500,000.
  • the conductive thin wire may further contain materials other than those mentioned above, if necessary.
  • antistatic agents for example, antistatic agents, nucleation accelerators, spectral sensitizing dyes, surfactants, antifoggants, hardeners, anti-black spots described in paragraphs 0220 to 0241 of JP-A-2009-004348, redox compounds, monomethine compounds, and dihydroxybenzenes.
  • the photosensitive layer may contain physical development nuclei.
  • the conductive thin wire may contain a cross-linking agent used for cross-linking the specific polymers described above. By containing the cross-linking agent, cross-linking between the specific polymers proceeds, and the connection between the metals in the conductive thin wire is maintained.
  • the line width Wa of the conductive thin line is preferably less than 5.0 ⁇ m, more preferably 2.5 ⁇ m or less, even more preferably 2.0 ⁇ m or less, because the conductive thin line is difficult to see.
  • the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 ⁇ m or more, more preferably 1.2 ⁇ m or more, from the viewpoint of better conductivity of the conductive thin wire.
  • the line width Wa of the conductive thin line described above is obtained by selecting arbitrary five points corresponding to the line width of one conductive thin line using a scanning electron microscope, and calculating the arithmetic mean value corresponding to the line width of the five points. Let the line width be Wa.
  • the width direction of the conductive fine line means a direction orthogonal to the direction in which the conductive fine line extends, among the directions along the surface of the base material. means the total length of the conductive thin wire in the width direction.
  • the thickness T of the conductive thin wire is not particularly limited, it is preferably 0.5 to 3.0 ⁇ m, more preferably 1.0 to 2.0 ⁇ m.
  • the thickness T of the conductive thin wire described above can be measured according to the method for measuring the thickness of the conductive layer.
  • the wire resistance value of the conductive fine wire is preferably less than 200 ⁇ /mm. Among these, from the viewpoint of operability when used as a touch panel, it is more preferably less than 100 ⁇ /mm, and even more preferably less than 60 ⁇ /mm. Although the lower limit is not particularly limited, it is more than 0 ⁇ /mm in many cases.
  • the line resistance value is obtained by dividing the resistance value measured by the 4-probe method by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of any one conductive fine wire constituting the mesh pattern and separating it from the mesh pattern, four (A, B, C, D) microprobes (Micro Co., Ltd.
  • the conductive thin wires may form a predetermined pattern. That is, the conductive substrate may have a pattern formed by conductive fine lines.
  • the pattern is not particularly limited, for example, triangles such as equilateral triangles, isosceles triangles and right triangles, quadrilaterals such as squares, rectangles, rhombuses, parallelograms and trapezoids, (regular) hexagons and (regular) octagons, etc. It is preferably a (regular) n-sided polygon, a circle, an ellipse, a star, or a geometric figure obtained by combining these figures, and more preferably a mesh shape (mesh pattern). n represents an integer of 5 or more.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a mesh pattern formed by conductive fine lines of a conductive substrate according to the present invention.
  • mesh-like is intended a shape including a plurality of openings (lattice) 20 constituted by intersecting thin conductive wires 14B, as shown in FIG.
  • the openings 20 have a rhombus (square) shape with a side length L, but the openings of the mesh pattern may have other shapes, such as a polygonal shape. (eg, triangles, squares, hexagons, and random polygons).
  • the shape of the side may be a curved shape other than a straight line, or may be an arc shape.
  • each side may be arcuately convex outward, and the other two opposing sides may be arcuately convex inward.
  • the shape of each side may be a wavy line shape in which an outwardly convex circular arc and an inwardly convex circular arc are continuous.
  • the shape of each side may be a sine curve.
  • the length L of one side of the opening 20 is not particularly limited, it is preferably 1500 ⁇ m or less, more preferably 1300 ⁇ m or less, and even more preferably 1000 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the length L is not particularly limited, it is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 30 ⁇ m or more, and even more preferably 80 ⁇ m or more.
  • the aperture ratio of the mesh pattern formed by the conductive thin wires is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and even more preferably 99% or more. Although the upper limit is not particularly limited, it is often less than 100%.
  • the aperture ratio corresponds to the area ratio of the area excluding the area where the conductive fine lines are present in the mesh pattern area to the entire mesh pattern area when observed from the normal direction of the surface of the conductive substrate.
  • the conductive thin wire contains a thiol compound.
  • the thiol compound contained in the conductive thin wire is not particularly limited as long as it is an organic compound having at least one thiol group (mercapto group).
  • the thiol compound may be a monofunctional thiol compound having one thiol group, or a polyfunctional thiol compound having two or more thiol groups. Further, the thiol compound may be an aromatic thiol compound having an aromatic group, or an aliphatic thiol compound having no aromatic group and having an aliphatic hydrocarbon group.
  • the thiol compound at least one compound selected from the group consisting of the compound represented by the general formula (S1), the compound represented by the general formula (S2), and the compound represented by the general formula (S3) is preferred.
  • R 1 and R 2 each independently represent an optionally substituted aliphatic hydrocarbon group.
  • R 1 and R 2 may combine with each other to form an optionally substituted nitrogen-containing heterocyclic ring together with the nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 .
  • the aliphatic hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and linear or branched. It is more preferable to have The number of carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1-10, more preferably 1-5.
  • the above aliphatic hydrocarbon group may further have a substituent.
  • Substituents that the aliphatic hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 may have include, for example, an aryl group, a hydroxy group, an oxo group, a carboxy group, a thiol group, a thioxo group, and a thiocarbonyl sulfide.
  • a phenyl group, a hydroxy group, a carboxy group, or a thiol group is preferred, and a phenyl group or a hydroxy group is more preferred.
  • the number of substituents is not particularly limited, but is preferably one or two, more preferably one.
  • the above aliphatic hydrocarbon group may have -S- or -O- in place of the methylene group (-CH 2 -) constituting the aliphatic hydrocarbon group.
  • the aliphatic hydrocarbon groups represented by R 1 and R 2 are preferably saturated aliphatic hydrocarbon groups.
  • Nitrogen-containing heterocyclic groups formed by bonding R 1 and R 2 together to form a nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 include, for example, nitrogen-containing non-aromatic heterocycles.
  • the number of ring members of the nitrogen-containing heterocyclic group is, for example, 5 to 8, preferably 5 to 7, more preferably 5 or 6.
  • As the nitrogen-containing heterocyclic group a 1-pyrrolidine ring group or a 1-piperidine ring group is preferable.
  • substituents that the nitrogen-containing heterocyclic group may have include aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 5 carbon atoms and aliphatic hydrocarbon groups represented by R 1 and R 2 above.
  • the groups mentioned as the substituents which may be possessed may be mentioned, preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.
  • the number of substituents is not particularly limited, but is preferably one or two, more preferably one.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group preferably has no substituents.
  • R 1 and R 2 each represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may have the above substituent (more preferably a phenyl group or a hydroxy group), or are bonded to each other to form a methyl group or an ethyl group It is preferable to form a nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic ring having 5 to 7 ring members, which represents a methyl group or an ethyl group, or is bonded to each other to form a 1-pyrrolidine ring or 1- Forming a piperidine ring is more preferred.
  • R 1 and R 2 do not form a ring, R 1 and R 2 may be the same or different, but are preferably the same.
  • R 3 to R 5 each independently represent a hydrogen atom or an organic group.
  • R 4 and R 5 may combine with each other to form an optionally substituted nitrogen-containing heterocyclic ring together with the two nitrogen atoms and carbon atoms represented by the general formula (S2) .
  • R3 represents a hydrogen atom or the above organic group.
  • the organic group represented by R 3 to R 5 is a monovalent group selected from the group consisting of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group formed by combining two or more of these groups. is mentioned.
  • the number of carbon atoms in the organic groups represented by R 3 to R 5 is, for example, 1-20, preferably 1-15, more preferably 1-10.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, more preferably linear.
  • the number of carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1-8, more preferably 1-5.
  • the aromatic hydrocarbon group is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, more preferably a phenyl group.
  • the above aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, and group formed by combining two or more of these groups may further have a substituent.
  • substituents include hydroxy, oxo, carboxy, thiol, thioxo, thiocarbonylsulfide, optionally substituted amino, phosphate, sulfo, cyano, nitro and aryl groups, with hydroxy, oxo, or carboxy groups being preferred.
  • the number of the above substituents is, for example, 1 to 3, preferably 1.
  • the above aliphatic hydrocarbon group may have -S- or -O- instead of the methylene group (-CH 2 -) constituting the aliphatic hydrocarbon group.
  • the organic group represented by R 3 to R 5 above is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, or a cyclohexyl group. 1 to 5 alkyl groups, acetyl groups, or phenyl groups are more preferred. These groups preferably have no substituents.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group formed by combining R 4 and R 5 together with two nitrogen atoms and carbon atoms represented by the general formula (S2) is not particularly limited, and is aromatic and non-aromatic.
  • the number of ring members of the nitrogen-containing heterocyclic group is, for example, 5 or 6, preferably 5.
  • an imidazole ring or an imidazoline ring is preferable.
  • substituents that the above nitrogen-containing heterocyclic group may have include aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 5 carbon atoms and aliphatic hydrocarbon groups represented by R 3 to R 5 above. may be exemplified as substituents, preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.
  • the number of substituents is, for example, 1 to 3, preferably 1 or 2.
  • the hydrogen atoms of the adjacent carbon atoms and the substituted substituents may combine with each other to form an optionally substituted phenyl group.
  • R 4 and R 5 may combine with each other to form an optionally substituted benzimidazole ring together with two nitrogen atoms and carbon atoms represented by the above formula (S2).
  • Substituents which this benzimidazole ring may have include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms and amino groups, and methyl, ethyl, methoxy or amino groups. is preferred.
  • 1 to 3 preferably represent a hydrogen atom, more preferably 2 represent a hydrogen atom.
  • R3 preferably represents a hydrogen atom.
  • R 3 to R 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a phenyl group. , a benzyl group, or a cyclohexyl group, and when R 4 and R 5 are combined to form a nitrogen-containing heterocyclic ring, the nitrogen-containing heterocyclic group has a methyl group or an ethyl group as a substituent.
  • R 3 and R 6 are a hydrogen atom. It is preferable to have
  • thiol compound represented by the general formula (S2) other than the above include 5-ethyl-2-mercaptobenzimidazole, 5-ethoxy-2-mercaptobenzimidazole, 5-chloro-2-mercaptobenzimidazole, 5-nitro-2-mercaptobenzimidazole and 2-mercapto-5-benzimidazole sodium sulfonate.
  • R6 and R7 each independently represent a hydrogen atom or an organic group. R 6 and R 7 may combine with each other to form an optionally substituted heterocyclic ring together with the sulfur atom, nitrogen atom and carbon atom represented by the general formula (S3).
  • the organic groups represented by R 6 and R 7 may be the same as R 4 and R 5 in general formula (S2) above, including preferred embodiments thereof.
  • the heterocyclic ring formed by bonding R 6 and R 7 together with the sulfur atom, nitrogen atom and carbon atom represented by the general formula (S3) is not particularly limited, and is aromatic and non-aromatic. may be either. Moreover, the number of ring members of the above heterocyclic ring is, for example, 5 or 6, preferably 5. As the above heterocyclic ring, a thiazole ring or a thiazoline ring is preferable.
  • substituents that the heterocyclic ring may have include aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 5 carbon atoms and aliphatic hydrocarbon groups represented by R 3 to R 5 above.
  • substituents include the groups exemplified as the substituents which may be substituted, preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.
  • the number of substituents is, for example, 1 to 3, preferably 1 or 2.
  • Aromatic rings include aromatic hydrocarbon rings such as benzene rings and aromatic heterocyclic rings.
  • R 6 and R 7 may combine with each other to form an optionally substituted benzothiazole ring together with the sulfur atom, nitrogen atom and carbon atom represented by the general formula (S3). good.
  • Substituents which the benzothiazole ring may have include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms and amino groups, and methyl, ethyl, methoxy or amino groups. is preferred.
  • the compound represented by the general formula (S3) includes a thiazole ring in which R 6 and R 7 are bonded to each other and may have a methyl group or an ethyl group as a substituent, or a thiazole ring having 1 carbon atom as a substituent.
  • a compound formed by forming a benzothiazole ring which may have an alkyl group of up to 5, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms or an amino group is preferred, and the substituent is a methyl group, an ethyl group, a methoxy group or an amino group.
  • a compound forming a benzothiazole ring which may have is more preferred.
  • Examples of the thiol compound represented by the general formula (S3) include 2-mercaptobenzothiazole, 5-methyl-2-mercaptobenzothiazole, 5-ethyl-2-mercaptobenzothiazole, 5-methoxy-2-mercaptobenzo Thiazole, 5-ethoxy-2-mercaptobenzothiazole, 5-chloro-2-mercaptobenzothiazole, 5-amino-2-mercaptobenzothiazole, 5-nitro-2-mercaptobenzothiazole and 2-mercapto-5-benzothiazole sodium sulfonate;
  • thiol compounds represented by the general formula (S3) include 2-mercaptobenzothiazole, 5-methyl-2-mercaptobenzothiazole, 5-ethyl-2-mercaptobenzothiazole, 5-methoxy-2-mercapto Benzothiazole, 5-ethoxy-2-mercaptobenzothiazole or 5-chloro-2-mercaptobenzothiazole are preferred, 2-mercap
  • thiol compounds including the compounds represented by the general formulas (S1) to (S3) may have proton tautomers.
  • the term "thiol compound” includes its proton tautomers.
  • the thiol compound is preferably a compound represented by the general formula (S3), more preferably a compound exemplified as a more preferred embodiment among the compounds represented by the general formula (S3), and 2-mercaptobenzothiazole. is more preferred.
  • a compound in which R 1 and R 2 in general formula (S1) are bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocyclic ring which may have a substituent together with the nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 includes, for example, compounds represented by general formula (S1-1).
  • W represents a nitrogen-containing heterocyclic ring containing the above nitrogen atom.
  • R 4 and R 5 are bonded to each other and together with two nitrogen atoms and carbon atoms represented in the general formula (S2), a nitrogen-containing heterogeneous group optionally having a substituent
  • Examples of the ring-forming compound include compounds represented by general formula (S2-1).
  • Ar represents an aromatic ring.
  • R 6 and R 7 are bonded together to form a heterocyclic ring which may have a substituent together with the sulfur atom, nitrogen atom and carbon atom represented in general formula (S3) above.
  • a compound represented by general formula (S3-1) can be mentioned.
  • Ar represents an aromatic ring.
  • the conductive substrate may have other members in addition to the above base material and conductive thin wires.
  • Other members that the conductive substrate may have include a conductive portion having a different configuration from the conductive thin wire described later.
  • the method for manufacturing the conductive substrate is not particularly limited as long as the conductive substrate having the above configuration can be manufactured, and known methods are employed. For example, a method of exposing and developing using a silver halide, a method of forming a metal-containing layer on the entire surface of the support, and then removing a part of the metal-containing layer using a resist pattern to form a thin line-shaped metal-containing layer. and a method of ejecting a composition containing a metal and a resin onto a substrate by a known printing method such as inkjet to form a fine-line metal-containing layer.
  • Embodiments 1 to 3 are preferred, Embodiment 2 or 3 is more preferred, and Embodiment 2 is even more preferred.
  • Embodiment 1 A method for manufacturing a conductive substrate, comprising steps A to E and step P in this order.
  • Embodiment 2 A method for manufacturing a conductive substrate, comprising steps A to E, step P, and step G in this order.
  • Embodiment 3 A method for manufacturing a conductive substrate, comprising steps A to E, step G, step P, and step G in this order.
  • the content distribution of the thiol compound in the conductive substrate can be adjusted, and the average value A1 is smaller than the average value A2. Prone.
  • step A a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter also referred to as "photosensitive layer”) containing silver halide, gelatin, and a specific polymer (a polymer compound different from gelatin) is formed on a substrate. It is a process of forming. Through this step, a substrate with a photosensitive layer to which an exposure treatment to be described later is applied is manufactured. First, the materials and members used in step A are described in detail, and then the procedure of step A is described in detail. The base material and specific polymer used in step A are as described above.
  • the halogen atoms contained in the silver halide may be chlorine, bromine, iodine or fluorine atoms, or may be a combination thereof.
  • silver halide mainly composed of silver chloride, silver bromide or silver iodide is preferable, and silver halide mainly composed of silver chloride or silver bromide is more preferable.
  • Silver chlorobromide, silver iodochlorobromide and silver iodobromide are also preferably used.
  • “silver halide composed mainly of silver chloride” refers to silver halide in which the mole fraction of chloride ions in all halide ions is 50% or more in the silver halide composition.
  • the silver halide composed mainly of silver chloride may contain bromide ions and/or iodide ions in addition to chloride ions.
  • Silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle diameter of the silver halide is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, in terms of diameter equivalent to a sphere. 50 to 150 nm is more preferable because the change is smaller.
  • the equivalent sphere diameter is the diameter of a spherical particle having the same volume.
  • the "equivalent sphere diameter" used as the average grain diameter of the silver halide described above is an average value obtained by measuring the equivalent sphere diameters of 100 silver halide grains and averaging them arithmetically.
  • the shape of the silver halide grains is not particularly limited, and examples include spherical, cubic, tabular (hexagonal tabular, triangular tabular, quadrangular tabular, etc.), octahedral, and tetradecahedral forms. shape.
  • gelatin The type of gelatin is not particularly limited, and examples thereof include lime-processed gelatin and acid-processed gelatin. Hydrolysates of gelatin, enzymatic hydrolysates of gelatin, and gelatins modified with amino groups and/or carboxyl groups (phthalated gelatin and acetylated gelatin) may also be used.
  • the photosensitive layer contains the above-mentioned specific polymer.
  • this specific polymer By including this specific polymer in the photosensitive layer, the strength of the conductive thin line formed from the photosensitive layer is further improved.
  • the method of forming a photosensitive layer containing the above-described components in step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, a composition for forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a specific polymer is coated on a substrate. and forming a photosensitive layer on the substrate is preferred.
  • a composition for forming a photosensitive layer used in this method will be described in detail, and then the procedure of the steps will be described in detail.
  • the photosensitive layer-forming composition contains the above-described silver halide, gelatin, and specific polymer.
  • the specific polymer may be contained in the composition for forming a photosensitive layer in the form of particles, if necessary.
  • the composition for forming a photosensitive layer may contain a solvent, if necessary. Solvents include water, organic solvents (eg, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.
  • the method of contacting the composition for forming a photosensitive layer with the substrate is not particularly limited. A method of immersing the substrate and the like can be mentioned. In addition, after the above-described treatment, a drying treatment may be performed as necessary.
  • the photosensitive layer formed by the above procedure contains silver halide, gelatin and a specific polymer.
  • the content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g/m 2 , more preferably 5.0 to 15 g/m 2 in terms of silver in terms of better conductivity of the conductive substrate. 0 g/ m2 is more preferred.
  • the term "in terms of silver” means that the amount is converted into the mass of silver produced by reducing all the silver halide.
  • the content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited. m 2 is more preferred, and 0.10 to 0.40 g/m 2 is even more preferred.
  • Step B is a step of exposing the photosensitive layer and then developing it to form a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer.
  • a latent image is formed in the exposed areas.
  • the exposure may be carried out in a pattern.
  • a method of exposing through a mask having a mesh-like opening pattern and scanning with a laser beam are used. and a method of exposing in a mesh pattern.
  • the type of light used for exposure is not particularly limited as long as it can form a latent image on silver halide, and examples thereof include visible light, ultraviolet rays, and X-rays.
  • the method of development processing is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver salt photographic films, photographic papers, printing plate-making films, and emulsion masks for photomasks.
  • a developing solution is usually used in the development processing.
  • the type of developer is not particularly limited, and examples thereof include PQ (phenidone hydroquinone) developer, MQ (Metol hydroquinone) developer, and MAA (methol ascorbic acid) developer.
  • This step may further include a fixing treatment for the purpose of removing and stabilizing the silver halide in the unexposed areas.
  • a fixing process is performed simultaneously with and/or after development.
  • the fixing treatment method is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate-making films, and emulsion masks for photomasks.
  • a fixing solution is usually used in the fixing process.
  • the type of fixing solution is not particularly limited, and examples thereof include the fixing solution described in "Shinshin no Kagaku" (written by Sasai, Shashin Kogyo Publishing Co., Ltd.) p321.
  • a thin-line silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer is formed, and an insulating layer containing gelatin and a specific polymer, but not containing metallic silver, is formed. It is formed.
  • Methods for adjusting the width of the silver-containing layer include, for example, adjusting the opening width of the mask used during exposure.
  • the exposure region can be adjusted by setting the opening width of the mask to 1.0 ⁇ m or more and less than 5.0 ⁇ m.
  • the width of the formed silver-containing layer can also be adjusted by adjusting the amount of exposure.
  • the width of the region where the latent image is formed can be adjusted by increasing the exposure dose more than usual. That is, the line width of the conductive thin line can be adjusted by the amount of exposure. Furthermore, when laser light is used, the exposure area can be adjusted by adjusting the condensing range and/or scanning range of the laser light.
  • the width of the silver-containing layer is preferably 1.0 ⁇ m or more and less than 5.0 ⁇ m, and more preferably 1.0 to 2.0 ⁇ m from the viewpoint that the formed conductive fine lines are hardly visible.
  • the silver-containing layer obtained by the above-described procedure is in the form of fine lines, and the width of the silver-containing layer is the length (width) of the silver-containing layer in the direction orthogonal to the direction in which the fine line-shaped silver-containing layer extends. means.
  • Step C is a step of subjecting the silver-containing layer obtained in step B to heat treatment. By carrying out this step, the fusion between the specific polymers in the silver-containing layer and the like progresses, and the strength of the silver-containing layer and the like is improved.
  • the method of heat treatment is not particularly limited, and includes a method of contacting the silver-containing layer or the like with superheated steam, and a method of heating with a temperature control device (e.g., a heater).
  • a temperature control device e.g., a heater
  • the superheated steam may be superheated steam or a mixture of superheated steam and other gas.
  • the contact time between the superheated steam and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 10 to 150 seconds.
  • the amount of superheated steam supplied is preferably 500 to 600 g/m 3 , and the temperature of the superheated steam is preferably 100 to 160°C (preferably 100 to 120°C) at 1 atmospheric pressure.
  • the heating conditions in the method of heating the silver-containing layer or the like with a temperature control device are preferably 100 to 200°C (preferably 100 to 150°C) for 1 to 240 minutes (preferably 60 to 150 minutes).
  • Step D is a step of removing gelatin from the silver-containing layer and the like obtained in Step C. By carrying out this step, gelatin is removed from the silver-containing layer and the like, and a space is formed inside the silver-containing layer and the like.
  • the method for removing gelatin is not particularly limited. "Also called.).
  • proteolytic enzyme used in method 1 examples include known vegetable or animal enzymes that can hydrolyze proteins such as gelatin.
  • Proteolytic enzymes include, for example, pepsin, rennin, trypsin, chymotrypsin, cathepsin, papain, ficin, thrombin, renin, collagenase, bromelain and bacterial proteases, preferably trypsin, papain, ficin or bacterial proteases.
  • the procedure in method 1 may be any method as long as it is a method of contacting the silver-containing layer or the like with the above-described protease. .) and a method of contacting.
  • Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer and the like in the enzyme solution, and a method of coating the silver-containing layer and the like with the enzyme solution.
  • the content of the proteolytic enzyme in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, preferably 0.5 to 0.5%, based on the total amount of the enzyme solution in terms of easy control of the degree of gelatin decomposition and removal. 10% by mass is more preferred.
  • the enzyme solution often contains water in addition to the proteolytic enzymes described above.
  • the enzyme solution may optionally contain other additives (eg, pH buffers, antimicrobial compounds, wetting agents, and preservatives).
  • the pH of the enzyme solution is selected so that the action of the enzyme can be maximized, preferably 5-9.
  • the temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the activity of the enzyme increases. Specifically, 20 to 45°C is preferable.
  • the obtained silver-containing layer and the like may be washed with warm water.
  • the washing method is not particularly limited, and is preferably a method of contacting the silver-containing layer or the like with warm water. mentioned.
  • the temperature of the hot water is appropriately selected depending on the type of protease used, and is preferably 20 to 80°C, more preferably 40 to 60°C, from the viewpoint of productivity.
  • the contact time (washing time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 30 to 360 seconds, from the viewpoint of productivity.
  • the oxidizing agent used in Method 2 may be any oxidizing agent capable of decomposing gelatin, and an oxidizing agent having a standard electrode potential of +1.5 V or higher is preferable.
  • the standard electrode potential means the standard electrode potential (25° C., E0) with respect to the standard hydrogen electrode in the aqueous solution of the oxidizing agent.
  • oxidizing agents include persulfuric acid, percarbonic acid, superphosphoric acid, hypoperchloric acid, peracetic acid, meta-chloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide solution, perchloric acid, periodic acid, potassium permanganate, Ammonium persulfate, ozone, hypochlorous acid or salts thereof, etc., but from the viewpoint of productivity and economy, hydrogen peroxide water (standard electrode potential: 1.76 V), hypochlorous acid or salts thereof are preferred. , sodium hypochlorite is more preferred.
  • the procedure in method 2 may be a method of bringing the silver-containing layer and the like into contact with the above-described oxidizing agent. ) can be brought into contact with each other.
  • Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer and the like in an oxidizing agent liquid, and a method of coating the silver-containing layer and the like with an oxidizing agent liquid.
  • the type of solvent contained in the oxidizing agent liquid is not particularly limited, and examples include water and organic solvents.
  • Step E is a step of plating the substrate having the silver-containing layer obtained in Step D.
  • Step E is a step of plating the substrate having the silver-containing layer obtained in Step D.
  • the space inside the silver-containing layer formed by removing the gelatin is filled with a metal (plating metal), and the conductivity of the conductive fine wire can be improved.
  • the type of plating treatment is not particularly limited, but includes electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating) and electroplating, with electroless plating being preferred.
  • electroless plating a known electroless plating technique is used.
  • the plating treatment includes, for example, silver plating treatment, copper plating treatment, nickel plating treatment, and cobalt plating treatment, and silver plating treatment or copper plating treatment is preferable in that the conductivity of the conductive thin wire is more excellent. Silver plating is more preferred.
  • the components contained in the plating solution used in the plating treatment are not particularly limited. metal ions for plating;2. reducing agent;3. 4. Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions; It mainly contains pH adjusters.
  • the plating bath may contain known additives such as plating bath stabilizers.
  • the type of metal ions for plating contained in the plating solution can be appropriately selected according to the metal species to be deposited, and examples thereof include silver ions, copper ions, nickel ions, and cobalt ions.
  • the procedure of the plating treatment described above is not particularly limited, and any method may be used as long as the silver-containing layer is brought into contact with the plating solution.
  • a method of immersing the silver-containing layer in the plating solution A method of applying to The contact time between the silver-containing layer and the plating solution is not particularly limited, and is preferably 20 seconds to 30 minutes from the standpoint of better conductivity of the conductive thin wire and productivity.
  • the method for producing a conductive substrate may have a step F of further smoothing the silver-containing layer and the like obtained in the above steps.
  • the method of smoothing treatment is not particularly limited, and for example, a calendering step of passing a substrate having a silver-containing layer or the like through at least a pair of rolls under pressure is preferred.
  • the smoothing treatment using the calender roll is hereinafter referred to as calender treatment.
  • rolls used for calendering include plastic rolls and metal rolls, and plastic rolls are preferred from the viewpoint of preventing wrinkles.
  • the pressure between the rolls is not particularly limited, and is preferably 2 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and preferably 120 MPa or less. In addition, the pressure between rolls can be measured using Prescale (for high pressure) manufactured by FUJIFILM Corporation.
  • the temperature of the smoothing treatment is not particularly limited, preferably 10 to 100°C, more preferably 10 to 50°C.
  • the method for producing a conductive substrate may have a step G of heat-treating the silver-containing layer or the like obtained in the above steps. By carrying out this step, a conductive thin wire having excellent conductivity can be obtained.
  • the method of heat-treating the conductive fine wire is not particularly limited, and the method described in step C can be mentioned.
  • the method for producing a conductive substrate may have, before step A, step H of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer on the substrate.
  • a silver halide-free layer is formed between the substrate and the silver halide-containing photosensitive layer.
  • This silver halide-free layer plays the role of a so-called antihalation layer and contributes to improving the adhesion between the conductive layer and the substrate.
  • the silver halide-free layer contains gelatin and the specific polymer described above. On the other hand, the silver halide-free layer does not contain silver halide.
  • the ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin (mass of the specific polymer/mass of gelatin) in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 5.0. 0 to 3.0 is more preferable.
  • the content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.03 g/m 2 or more . The above is preferable. Although the upper limit is not particularly limited, it is often 1.63 g/m 2 or less.
  • the method of forming the silver halide-free layer is not particularly limited, and for example, a method of coating a substrate with a layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer and, if necessary, subjecting it to heat treatment. mentioned.
  • the layer-forming composition may contain a solvent, if necessary.
  • the type of solvent is exemplified by the solvent used in the photosensitive layer-forming composition described above.
  • the thickness of the silver halide-free layer is not particularly limited and is often 0.05 ⁇ m or more, preferably 0.5 ⁇ m or more from the viewpoint of better adhesion of the conductive thin wires. Although the upper limit is not particularly limited, it is preferably less than 3.0 ⁇ m.
  • the method for producing a conductive substrate may have, after step A and before step B, a step I of forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer.
  • a protective layer By providing a protective layer, the scratch resistance and mechanical properties of the photosensitive layer can be improved.
  • the ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin in the protective layer is not particularly limited, and is preferably more than 0 and 2.0 or less, more than 0 and 1.0 or less. more preferred.
  • the content of the specific polymer in the protective layer is not particularly limited, and is preferably more than 0 g/m 2 and 0.3 g/m 2 or less, more preferably 0.005 to 0.1 g/m 2 .
  • the method of forming the protective layer is not particularly limited, and for example, a method of coating a protective layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer and, if necessary, heat-treating it. is mentioned.
  • the protective layer-forming composition may contain a solvent, if necessary.
  • the type of solvent is exemplified by the solvent used in the photosensitive layer-forming composition described above.
  • the thickness of the protective layer is not particularly limited, and is preferably 0.03 to 0.3 ⁇ m.
  • Step H, Step A, and Step I may be performed simultaneously by simultaneous multi-layer coating.
  • Step P is a step of bringing the substrate obtained in Step E into contact with a solution containing a thiol compound and a monoalcohol (hereinafter also referred to as "specific solution").
  • a solution containing a thiol compound and a monoalcohol hereinafter also referred to as "specific solution”.
  • This step is preferably performed after step E and before step F.
  • a conductive substrate having conductive fine lines containing a metal and a thiol compound can be produced by bringing the substrate obtained in step E into contact with a specific solution.
  • the method of contacting the substrate obtained in step E with the specific solution is not particularly limited, and for example, a method of immersing the substrate in the specific solution, and a method of applying the specific solution to the surface of the substrate. is mentioned.
  • the temperature of the specific solution when the specific solution is brought into contact is, for example, 15 to 60°C.
  • the contact time of the specific solution is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 10 minutes, more preferably 0.2 to 3 minutes.
  • a particular solution contains a thiol compound and a monoalcohol.
  • the thiol compound is as described above.
  • a monoalcohol is a compound with one hydroxyl group.
  • Monoalcohols include, for example, methanol, ethanol, propanol, 1-butanol, 1-dodecanol, and isopropyl alcohol, with ethanol being preferred.
  • the specific solution may contain other components in addition to the thiol compound and the monoalcohol.
  • Other components include, for example, water, organic solvents other than monoalcohols (e.g., alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, sulfoxide solvents, ester solvents and ether solvents), ionic liquids, and mixed solvents thereof.
  • organic solvents other than monoalcohols e.g., alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, sulfoxide solvents, ester solvents and ether solvents
  • ionic liquids e.g., ionic liquids, and mixed solvents thereof.
  • the specific solution does not contain any alcohol solvent other than monoalcohol.
  • the content of the thiol compound is preferably 0.05 to 5.0% by mass, more preferably 0.1 to 2.0% by mass, and 0.2 to 1.0% by mass with respect to the total mass of the specific solution. is more preferred.
  • the monoalcohol content is preferably 10 to 99.9% by mass, more preferably 20 to 90% by mass, and even more preferably 30 to 70% by mass, relative to the total mass of the specific solution.
  • the total content of the thiol compound and monoalcohol is preferably 40-100% by mass, more preferably 50-100% by mass, relative to the total mass of the specific solution.
  • the method for manufacturing a conductive substrate may have other steps in addition to the steps described above.
  • Other processes include, for example, a polymer cross-linking treatment process.
  • the polymer cross-linking treatment is a step of immersion in a solution containing a polymer.
  • the polymer cross-linking treatment is preferably performed after step D and before step E.
  • Examples of the polymer include a polymer having a carbodiimide group (Carbodilite V-02-L2, manufactured by Nisshinbo).
  • the conductive substrate obtained as described above can be applied to various applications such as touch panels (or touch panel sensors), semiconductor chips, various electric wiring boards, FPCs (Flexible Printed Circuits), COFs (Chip on Film), It can be applied to applications such as TAB (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards.
  • the present conductive substrate is preferably used for a touch panel (capacitive touch panel).
  • the conductive thin wires described above can effectively function as detection electrodes.
  • the display panel used in combination with the conductive substrate includes, for example, a liquid crystal panel and an OLED (Organic Light Emitting Diode) panel, and combination with an OLED panel is preferable.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • the conductive substrate may have, apart from the conductive thin wire, a conductive portion having a different configuration from the conductive thin wire.
  • This conductive portion may be electrically connected to the conductive thin wire described above to conduct.
  • Examples of the conductive portion include a peripheral wiring having a function of applying a voltage to the conductive thin wire described above, and an alignment mark for adjusting the position of a member laminated on the conductive substrate.
  • an electromagnetic shield that blocks electromagnetic waves such as radio waves and microwaves (ultrashort waves) generated from electronic devices such as personal computers and workstations, and prevents static electricity. be done.
  • electromagnetic waves such as radio waves and microwaves (ultrashort waves) generated from electronic devices such as personal computers and workstations, and prevents static electricity.
  • Such an electromagnetic wave shield can be used not only for personal computers but also for electronic equipment such as video imaging equipment and electronic medical equipment.
  • the conductive substrate can also be used for transparent heating elements.
  • the present conductive substrate may be used in the form of a laminate having a conductive substrate and other members such as an adhesive sheet and a release sheet during handling and transportation.
  • the release sheet functions as a protective sheet for preventing the conductive substrate from being damaged during transportation of the laminate.
  • the conductive substrate may be handled in the form of a composite having, for example, a conductive substrate, an adhesive sheet and a protective layer in this order.
  • the present invention is basically configured as described above.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention.
  • Example 1 [Preparation of silver halide emulsion] To liquid 1 below maintained at 38° C. and pH 4.5, 90% of each of liquids 2 and 3 below was added simultaneously with stirring over 20 minutes to form core particles of 0.16 ⁇ m. Subsequently, Liquids 4 and 5 below were added over 8 minutes, and the remaining 10% of Liquids 2 and 3 below were added over 2 minutes to grow to 0.21 ⁇ m. Further, 0.15 g of potassium iodide was added and ripened for 5 minutes to complete grain formation.
  • Liquid 1 750 ml of water 8.6g gelatin 3 g of sodium chloride 1,3-dimethylimidazolidine-2-thione 20 mg Sodium benzenethiosulfonate 10mg 0.7 g of citric acid
  • Two liquids 300ml water 150g of silver nitrate 3 fluids: 300ml water 38g sodium chloride Potassium bromide 32g Potassium hexachloroiridate (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml Ammonium hexachlororhodate (0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7 ml 4 fluids: 100ml water 50g silver nitrate 5 fluids: 100ml water 13 g sodium chloride Potassium bromide 11g yellow blood salt 5mg
  • the emulsion was adjusted to pH 6.4 and pAg 7.5, and 2.5 g of gelatin, 10 mg of sodium benzenethiosulfonate, 3 mg of sodium benzenethiosulfinate, 15 mg of sodium thiosulfate and 10 mg of chloroauric acid were added. Chemically sensitized at 55° C. to obtain optimum sensitivity, 100 mg of 1,3,3a,7-tetraazaindene as a stabilizer and 100 mg of Proxel (trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.) as a preservative were added. rice field.
  • the finally obtained emulsion contained 0.08 mol % of silver iodide, the ratio of silver chlorobromide was 70 mol % of silver chloride and 30 mol % of silver bromide, the average grain size was 0.22 ⁇ m, and the variation was It was a silver iodochlorobromide cubic grain emulsion with a modulus of 9%.
  • the coating liquid contains a polymer represented by the following formula (P-1) (hereinafter also referred to as "polymer 1”) and a dispersant composed of a dialkylphenyl PEO sulfate ester for gelatin contained.
  • P-1 polymer represented by the following formula
  • EPOXYRESINDY022 trade name: manufactured by Nagase ChemteX Corporation was added as a cross-linking agent.
  • the amount of the cross-linking agent added was adjusted so that the amount of the cross-linking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described later was 0.09 g/m 2 .
  • a composition for forming a photosensitive layer was prepared as described above. Polymer 1 was synthesized with reference to Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
  • a silver halide-free layer-forming composition comprising a mixture of the polymer latex and gelatin was coated on the undercoat layer to form a silver halide-free layer having a thickness of 1.0 ⁇ m.
  • the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1/gelatin) was 2/1, and the content of polymer 1 was 0.65 g/m 2 .
  • the composition for forming a photosensitive layer was applied onto the silver halide-free layer to form a silver halide-containing photosensitive layer having a thickness of 2.5 ⁇ m.
  • the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1/gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer was 0.5/1, and the content of polymer 1 was 0.22 g/m 2 . Met.
  • the composition for forming a protective layer which is a mixture of the polymer latex and gelatin, was coated on the silver halide-containing photosensitive layer to form a protective layer having a thickness of 0.15 ⁇ m.
  • the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1/gelatin) was 0.1/1, and the content of polymer 1 was 0.015 g/m 2 .
  • Step B1 The above-prepared photosensitive layer was exposed to parallel light from a high-pressure mercury lamp as a light source through a photomask capable of giving a developed silver image of the test pattern shown in FIG.
  • the migration test pattern is a pattern conforming to IPC-TM650 or SM840, having a line width of 50 ⁇ m, a space width of 50 ⁇ m, and 17/18 lines (hereinafter also referred to as “comb pattern electrode”).
  • the separately prepared photosensitive layer was exposed through a grid-like photomask with parallel light from a high-pressure mercury lamp as a light source (hereinafter also referred to as "mesh pattern electrode").
  • a mask for pattern formation is used as the photomask, and the line width of the unit square lattice forming the lattice shown in FIG. I made it
  • each sample obtained was developed with a developer described later, and further developed using a fixer (trade name: N3X-R for CN16X: manufactured by Fuji Film Co., Ltd.). ° C. of pure water, then dried, sample A having a silver-containing layer containing metallic silver formed in a comb pattern, and a silver-containing layer containing metallic silver formed in a mesh pattern.
  • composition of developer The following compounds are contained in 1 liter (L) of developer. Hydroquinone 0.037mol/L N-methylaminophenol 0.016mol/L Sodium metaborate 0.140mol/L Sodium hydroxide 0.360mol/L Sodium bromide 0.031mol/L Potassium metabisulfite 0.187mol/L
  • Step C1 The sample obtained in step B1 was carried into a superheated steam treatment tank at 120° C. and allowed to stand still for 130 seconds for superheated steam treatment.
  • Step D1 The sample obtained in step C1 was immersed in an aqueous protease solution (40°C) for 120 seconds.
  • the sample was removed from the protease aqueous solution, and washed by immersing the sample in hot water (liquid temperature: 50°C) for 120 seconds. After that, water was removed by an air shower, and the sample was naturally dried.
  • the protease aqueous solution used was prepared according to the following procedures. Triethanolamine and sulfuric acid were added to an aqueous solution (concentration of protease: 0.5% by mass) of protease (Bioplase 30 L manufactured by Nagase ChemteX Corporation) to adjust the pH to 8.5.
  • step D1 The sample obtained in step D1 was further immersed in a 1% by mass aqueous solution of Carbodilite V-02-L2 (trade name: manufactured by Nisshinbo) for 30 seconds, removed from the aqueous solution, immersed in pure water (room temperature) for 60 seconds, washed.
  • Carbodilite V-02-L2 (trade name: manufactured by Nisshinbo)
  • Step E1 A sample obtained by polymer cross-linking treatment was immersed in a plating solution (30° C.) having the following composition for 5 minutes. The sample was removed from the plating solution and washed by immersing the sample in hot water (50° C.) for 120 seconds.
  • the composition of the plating solution (1200 ml in total) was as follows. The pH of the plating solution was 9.9, and was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate (manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). In addition, all of the following components used were manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • composition of plating solution AgNO3 2.1g ⁇ Sodium sulfite 86g ⁇ Sodium thiosulfate pentahydrate 60g ⁇ Aron T-50 (manufactured by Toagosei Co., Ltd., solid content concentration 40%) 36 g ⁇ Methylhydroquinone 13g ⁇ Potassium carbonate prescribed amount ⁇ Remainder of water
  • Step P1 The sample obtained in step E1 was immersed in a first solution (30° C.) containing 2-mercaptobenzothiazole as a thiol compound for 60 seconds.
  • the sample taken out from the first solution was immersed in pure water at 30°C for 60 seconds, washed, and dried in an oven at 65°C for 15 minutes.
  • the composition of the first solution (total amount: 1000 g) was as follows.
  • all of the following components used were manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd. (Composition of first solution) ⁇ 2.0 g of 2-mercaptobenzothiazole ⁇ Ethanol 499g ⁇ 499g of water
  • Step G1 The sample obtained in step P1 was carried into a superheated steam treatment tank at 85° C. and a humidity of 85% RH and allowed to stand still for 1 hour for superheated steam treatment.
  • the steam flow rate at this time was 100 kg/h.
  • Example 2 A sample was fabricated by the same procedure from the beginning to the step E1 in the fabrication procedure of Example 1 above. The sample obtained in the step E1 was subjected to the following step G2, the step P1 and the step G1 in this order to obtain a conductive substrate of Example 2.
  • Step G2 The sample obtained in step E1 was carried into a superheated steam treatment tank at 85° C. and 85% RH, and allowed to stand still for 10 minutes for superheated steam treatment.
  • the steam flow rate at this time was 100 kg/h.
  • Comparative Example 1 A conductive substrate of Comparative Example 1 was produced according to the procedure described in Example 1, except that the ethanol contained in the first solution in step P1 was changed to propylene glycol.
  • Average value A1 and average value A2 of the conductive substrates obtained in each example and each comparative example were measured by the following method.
  • the obtained profile of Example 1 is shown in FIG.
  • the obtained conductive substrate was obliquely cut using an oblique cutting device SAICAS NN-04 (manufactured by Daipla-Wintes Co.) to obtain a sample for analysis.
  • the conductive substrate was cut so that the cutting direction (direction in which the cutting blade advances) was included in a plane including the thickness direction of the conductive thin wire and the extending direction of the conductive thin wire.
  • the cross section of the conductive thin wire was exposed, in which the direction including the width direction of the conductive thin wire and perpendicular to the width direction corresponds to the thickness direction of the conductive thin wire.
  • the conditions for the above oblique cutting are as follows: cutting edge: single crystal diamond, edge width 0.3 mm, rake angle 20°, relief angle 10°, cutting conditions: constant speed mode (vertical 5 nm/sec, horizontal 500 nm/sec) carried out.
  • cutting edge single crystal diamond
  • edge width 0.3 mm rake angle 20°
  • relief angle 10° cutting conditions: constant speed mode (vertical 5 nm/sec, horizontal 500 nm/sec) carried out.
  • TOF-SIMS analyzer in the cross section exposed by oblique cutting of the sample for analysis, along the depth direction from the surface opposite to the base material of the conductive fine wire in the sample for analysis TOF-SIMS analysis was performed.
  • the depth direction is synonymous with the thickness direction of the conductive substrate.
  • the conditions for the TOF-SIMS analysis were a Bi 3 + primary ion gun (30 kV), a measurement range of 500 ⁇ m, 256 ⁇ 256 pixels, and 16 frames. From the obtained profile shown in FIG.
  • the average value of the secondary ion intensity derived from the metal which is the third to eighth largest among all the secondary ion intensities derived from the metal (average value of a total of 6 points) is a secondary ion intensity derived from a metal
  • time-of-flight secondary ion mass spectrometry is performed along the depth direction from the surface of the conductive thin wire opposite to the base material
  • the secondary ion intensity is The depth position located on the surface side opposite to the base material of the conductive thin wire at the depth position that is 0.1 times A is the depth position D1
  • the secondary ion intensity is 0.1 times A.
  • the depth position closest to the base material was defined as the depth position D2.
  • An intermediate depth position between the obtained depth positions D1 and D2 was defined as the depth position DM. Furthermore, the secondary ion intensity of the thiol compound at each depth position (depth position every 10 nm) from the depth position D1 to the depth position DM is calculated, the arithmetic average value is calculated, and the average value A1 and do. Further, the secondary ion intensity of the thiol compound at each depth position (depth position every 10 nm) from the depth position DM to the depth position D2 is calculated, the arithmetic average value is calculated, and the average value A2 and bottom.
  • Half of the evaluation surface of the obtained laminate was covered with aluminum foil to shield from light.
  • a xenon lamp inner filter: quartz, outer filter: #275
  • a xenon lamp inner filter: quartz, outer filter: #275
  • Irradiation was performed for 80 hours under the condition of 50% RH. Irradiation was performed from the glass surface side (evaluation surface side) of the laminate. After 80 hours from the irradiation, the aluminum foil was removed, and the gray value was measured for each of the light-shielded portion shielded by the aluminum foil and the exposed portion irradiated by the xenon lamp without light shielding.
  • the difference in color tone cannot be visually confirmed, and if the ⁇ Gray value is more than 5 and 10 or less (evaluation B), a high-brightness LED When the ⁇ Gray value is more than 10 (evaluation C), the difference in color tone can be visually confirmed even under a fluorescent lamp.
  • MTT 2-mercaptobenzothiazole.
  • PG indicates propylene glycol.
  • A1/A2 indicates the ratio of the average value A1 to the average value A2.

Landscapes

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本発明は、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能に優れ、耐光性にも優れる導電性基板および導電性基板の製造方法の提供を課題とする。本発明の導電性基板は、基材と、基材上に配置され、金属およびチオール化合物を含む導電性細線と、を有する、導電性基板であって、導電性細線の基材とは反対側の表面から深さ方向に沿って飛行時間型２次イオン質量分析を行った際に、金属に由来する２次イオン強度が観察される深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、金属に由来する２次イオン強度が観察されなくなる深さ位置を深さ位置Ｄ２とし、深さ位置Ｄ１と深さ位置Ｄ２との中間の深さ位置を深さ位置ＤＭとした際に、深さ位置Ｄ１から深さ位置ＤＭまでの領域におけるチオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ１が、深さ位置ＤＭから深さ位置Ｄ２までの領域におけるチオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ２よりも小さい。

Description

導電性基板、導電性基板の製造方法
　本発明は、導電性基板および導電性基板の製造方法に関する。
　導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス：Electro luminescence）素子等種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。
　導電性基板が有する導電性細線の劣化を防止する技術として、例えば、特許文献１には、支持体上に、銀により形成された網目状金属細線パターンを有する導電性材料を、特定の式で表されるメルカプトベンゾチアゾール系化合物を含有する表面処理液で処理することを特徴とする導電性材料の処理方法に関する技術が開示されている。
特開２０１９－０１６４８８号公報
　近年、導電性細線のより一層の細線化が求められているところ、このような導電性細線を用いて形成される金属導電性パターンでは、マイグレーションがより発生しやすいという問題がある。マイグレーションが導電性細線間で起こると、導電性細線間が導通してしまい、回路機能を果たさなくなるため、マイグレーションの抑制性能が向上した導電性基板が求められている。
　本発明者らは、特許文献１を参照しながら導電性細線を有する導電性基板について検討した結果、上記導電性基板は、マイグレーションは抑制可能である一方で、各種光学部材の用途で利用された場合の耐光性について、更なる改善の余地があることを知見した。なお、上記耐光性とは、光の照射により黒化または変色が抑制される性能を意味する。
　本発明は、上記実情に鑑みて、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能に優れ、耐光性にも優れる導電性基板を提供することを課題とする。また、本発明は、導電性基板の製造方法を提供することも課題とする。
　本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
　〔１〕
　基材と、
　上記基材上に配置され、金属およびチオール化合物を含む導電性細線と、を有する、導電性基板であって、
　上記導電性細線の上記基材とは反対側の表面から深さ方向に沿って飛行時間型２次イオン質量分析を行った際に、上記金属に由来する２次イオン強度が観察される深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、上記金属に由来する２次イオン強度が観察されなくなる深さ位置を深さ位置Ｄ２とし、上記深さ位置Ｄ１と上記深さ位置Ｄ２との中間の深さ位置を深さ位置ＤＭとした際に、上記深さ位置Ｄ１から上記深さ位置ＤＭまでの領域における上記チオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ１が、上記深さ位置ＤＭから上記深さ位置Ｄ２までの領域における上記チオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ２よりも小さい、導電性基板。
　〔２〕
　上記チオール化合物が、後述する一般式（Ｓ３）で表される化合物である、〔１〕に記載の導電性基板。
　〔３〕
　上記チオール化合物が、２－メルカプトベンゾチアゾールである、〔１〕または〔２〕に記載の導電性基板。
　〔４〕
　上記金属が、銀を含む、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の導電性基板。
　〔５〕
　上記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、〔１〕～〔４〕のいずれか１つに記載の導電性基板。
　〔６〕
　〔１〕～〔５〕のいずれか１つに記載の導電性基板の製造方法であって、
　銀含有層を有する基材をめっき処理する工程Ｅと、
　上記工程Ｅで得られた基材に、上記チオール化合物およびモノアルコールを含む溶液を接触させる工程Ｐと、を有する、導電性基板の製造方法。
　本発明によれば、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能に優れ、耐光性にも優れる導電性基板を提供できる。また、本発明によれば、導電性基板の製造方法も提供できる。
本発明の導電性基板の構成の一例を示す模式的斜視図である。 本発明の導電性基板の導電性層が有するメッシュパターンの一例を示す平面図である。 本発明の導電性基板を飛行時間型２次イオン質量分析して得られるプロファイルの一例である。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされるものであり、本発明はそのような実施形態に制限されない。また、以下に示す図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図によって本発明は制限されない。
　本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
　本明細書において、「ｇ」および「ｍｇ」は、「質量ｇ」および「質量ｍｇ」をそれぞれ表す。
　本明細書において、「高分子」または「高分子化合物」は、重量平均分子量が２０００以上である化合物を意味する。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
　本明細書において、具体的な数値で表された角度、並びに、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度に関する表記は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
　本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１つの炭素原子を含む基をいう。
［導電性基板］
　本発明に係る導電性基板は、基材と、基材上に配置され、金属およびチオール化合物を含む導電性細線と、を有する、導電性基板であって、導電性細線の基材とは反対側の表面から深さ方向に沿って飛行時間型２次イオン質量分析（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）を行った際に、金属に由来する２次イオン強度が観察される深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、金属に由来する２次イオン強度が観察されなくなる深さ位置を深さ位置Ｄ２とし、深さ位置Ｄ１と深さ位置Ｄ２との中間の深さ位置を深さ位置ＤＭとした際に、深さ位置Ｄ１から深さ位置ＤＭまでの領域におけるチオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ１が、深さ位置ＤＭから深さ位置Ｄ２までのチオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ２よりも小さい。
　導電性基板において、チオール化合物が導電性細線に含まれることにより、マイグレーションを抑制する効果が得られる。
　その一方、チオール化合物を含む導電性細線に紫外線（例えば、キセノン照射による紫外線等）が当たると、チオール化合物が分解し、その分解生成物が導電性細線に含まれる銀等の金属と反応して硫化銀等の金属硫化物が生成され得る。その結果、上記金属硫化物に起因して、導電性細線が黒化または変色してしまい、耐光性が劣ると推測される。
　本発明者らは、導電性基板の所定の領域において導電性細線に含まれるチオール化合物の量を意味する平均値Ａ１およびＡ２を、上記平均値Ａ１が平均値Ａ２よりも小さくすることによって、チオール化合物によるマイグレーションの抑制の機能を維持しながら、導電性基板の耐光性を向上できることを見出し、本発明を完成させた。
　以下、本明細書において、マイグレーションの抑制性能が優れること、および、導電性基板の耐光性が優れることの少なくとも一方の効果が得られることを「本発明の効果が優れる」とも記載する。
　以下、図面を参照しながら、本発明の導電性基板について詳細に説明する。
　図１は、本発明に係る導電性基板の構成の一例を示す模式的斜視図である。
　図１に示す導電性基板１０は、基材１２と、基材１２の表面１２ａ上に配置された導電性細線１４とを有する。なお、図１では、一方向に延びる導電性細線１４が２つ示されているが、導電性細線１４の配置形態、および、その数は特に制限されない。
〔平均値Ａ１および平均値Ａ２〕
　平均値Ａ１は、平均値Ａ２よりも小さい。
　言い換えると、平均値Ａ２に対する平均値Ａ１の比（平均値Ａ１／平均値Ａ２）は、１．００未満であり、０．９０以下が好ましく、０．８０以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、０以上の場合が多く、０超が好ましい。
　以下、平均値Ａ１および平均値Ａ２の具体的な測定手順について詳述する。
　平均値Ａ１および平均値Ａ２の測定は、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析を用いて導電性基板の断面を分析することにより、行われる。
　まず、分析用サンプルを作製する。
　分析用サンプルは、基材および導電性細線を有する導電性基板を、斜め切削装置（ＳＡＩＣＡＳ（登録商標）：Surface And Interfacial Cutting Analysis System）を用いて斜めに切削して作製する。このとき、導電性基板の切削方向（切り刃の進行方向）が導電性細線の厚さ方向と導電性細線が延びる方向とを含む平面に含まれるように、切削する。これにより、導電性細線の幅方向を含み、幅方向と直交する方向が導電性細線の厚さ方向に対応している導電性細線の断面が露出する。
　ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析装置を用いて、上記分析用サンプルの斜め切削により露出した断面において、上記分析用サンプル中の導電性細線の基材とは反対側の表面から深さ方向に沿ってＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析を行う。なお、深さ方向とは、導電性基板の厚さ方向と同義である。
　図３に、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析して得られるプロファイルの一例を示す。図３中に記載される深さ方向のプロファイルにおいては、横軸（図３中の紙面の左右方向に延びる軸）は、導電性細線の基材とは反対側の表面を基準とした深さを表し、縦軸（図３中の紙面の上下方向に延びる軸）は各成分由来の２次イオン強度を表す。
　図３に示す深さ方向のプロファイルにおいては、破線にて金属に由来する２次イオン強度を、実線にてチオール化合物に由来する２次イオン強度の結果を示す。なお、金属に由来する２次イオン強度とは金属に由来するフラグメントイオンの強度を意味し、チオール化合物に由来する２次イオン強度とはチオール化合物に由来するフラグメントイオンの強度を意味する。
　図３に示すように、導電性細線においては、基材とは反対側の表面から所定の深さ位置において金属に由来する２次イオン強度が観測されはじめて、その後、所定の深さ位置まで金属に由来する２次イオン強度が観察される。その際に、上記分析用サンプル中の導電性細線に含まれる金属に由来する２次イオン強度が観察される深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、上記金属に由来する２次イオン強度が観察されなくなる深さ位置を深さ位置Ｄ２とする。
　なお、上記金属に由来する２次イオン強度は、導電性細線に含まれる０価の金属（例えば、金属銀等）に由来する。つまり、上記２次イオン強度は、金属カチオンとアニオンとから構成される金属化合物に由来しない。
　深さ位置Ｄ１および深さ位置Ｄ２の具体的な算出方法について詳述する。
　上述したとおり、上記分析用サンプルをＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析して金属に由来する２次イオン強度のプロファイルが得られる。上記プロファイルにおいて、金属に由来する全ての２次イオン強度のうち、３番目から８番目に大きい、金属に由来する２次イオン強度の平均値（計６点の平均値）を金属に由来する２次イオン強度Ａとし、導電性細線の基材とは反対側の表面から深さ方向に沿って飛行時間型２次イオン質量分析を行った際に、上記２次イオン強度Ａの０．１倍となる深さ位置で最も導電性細線の基材とは反対側の表面側に位置する深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、上記２次イオン強度Ａの０．１倍となる深さ位置で最も基材側に位置する深さ位置を深さ位置Ｄ２とする。
　得られた上記深さ位置Ｄ１と上記深さ位置Ｄ２との中間（平均値）の深さ位置を深さ位置ＤＭとする。
　なお、深さ位置Ｄ１および深さ位置Ｄ２の間には、２次イオン強度の極大値を有することが好ましい。上記分析用サンプルをＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析して金属に由来する２次イオン強度のプロファイルが、凸状のピーク形状であることが好ましい。
　次いで、上記深さ位置Ｄ１から上記深さ位置ＤＭまでの領域におけるチオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ１、および、深さ位置ＤＭから深さ位置Ｄ２までの領域におけるチオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ２を算出する。つまり、図３中における、深さ位置Ｄ１から深さ位置ＤＭまでの各深さ位置（１０ｎｍ毎の深さ位置）でのチオール化合物に由来する２次イオン強度を算出し、その算術平均値を算出し、平均値Ａ１とする。また、深さ位置ＤＭから深さ位置Ｄ２までの各深さ位置（１０ｎｍ毎の深さ位置）でのチオール化合物に由来する２次イオン強度を算出し、その算術平均値を算出し、平均値Ａ２とする。
　ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析装置としては、例えば、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ４（ＩＯＮ－ＴＯＦ社製）等の公知の装置が挙げられる。
　ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析におけるイオン銃としては、例えば、Ｂｉイオン銃（Ｂｉ３ ＋）が挙げられる。
　平均値Ａ１および平均値Ａ２を調整する方法としては、例えば、後述する工程Ｐを実施することが好ましい。つまり、後述する工程Ｐを実施することにより、図３に示すような、導電性細線の基材側にチオール化合物が偏在しやすい領域を形成しやすい。
　以下、導電性基板を構成し得る各部材について詳述する。
〔基材〕
　基材は、感光性層および導電性細線を支持できる部材であれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基材、ガラス基材および金属基材が挙げられ、プラスチック基材が好ましい。
　基材としては、得られる導電性部材の折り曲げ性に優れる点で、可撓性を有する基材が好ましい。可撓性を有する基材としては、上記プラスチック基材が挙げられる。
　基材の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、基材表面をタッチ面として用いる場合は、基材の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
　基材を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、アクリルフィルム（１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（２６９℃）、ポリエチレン（１３５℃）、ポリプロピレン（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（２９０℃）等の融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、または、ポリカーボネートがより好ましい。なかでも、導電性細線との密着性が優れることから、ＰＥＴが特に好ましい。上記のかっこ内の数値は融点またはガラス転移温度である。
　基材の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。全光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格）　Ｋ　７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
　基材の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
　下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性層の基材に対する密着性がより向上する。
　下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、後述する特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
　下塗り層の厚みは特に制限されず、導電性細線の基材に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
〔導電性細線〕
　導電性細線は、基材上に配置され、金属（０価の金属）およびチオール化合物を含む。
　すなわち、導電性基板の基材の表面上には、金属およびチオール化合物を含む導電性細線が配置されている。導電性細線は、金属を含むことにより導電性基板の導電特性を担保する部分である。
　金属としては、導電特性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）およびパラジウム（金属パラジウム）からなる群より選択される金属の単体、並びに、上記群より選択される２つ以上の金属の混合物（合金）が好ましい。なかでも、金属としては、銀を含む金属がより好ましく、銀単体、または、銀と銅の混合物（合金）が更に好ましく、銀単体が特に好ましい。
　また、導電性細線は、導電性基板の外部の部材と電気的に接続していてもよく、電気的に接続していなくてもよい。導電性細線の一部は、外部と電気的に絶縁されたダミー電極であってもよい。
　導電性細線に含まれる金属は、通常、固体粒子状である。金属の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましい。なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径であり、金属粒子の平均粒子径は、１００個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均した平均値として得られる。
　金属粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状、八面体状、および、十四面体状等の形状が挙げられる。また、金属粒子が融着により一部または全体にわたって結合していてもよい。
　導電性細線は、複数の金属が後述する高分子化合物中に分散してなる構造を有してもよく、高分子化合物中で金属粒子が凝集して凝集体として存在してもよい。また、導電性細線に含まれる複数の金属の少なくとも一部同士が、後述するめっき処理に用いる金属イオンに由来する金属によって接合されていてもよい。
　導電性細線における金属の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。
　導電性細線は、金属に加えて高分子化合物を含んでいてもよい。
　導電性細線に含まれる高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が使用できる。なかでも、強度がより優れる銀含有層および導電性細線を形成できる点で、ゼラチンとは異なる高分子化合物（以下、「特定高分子」ともいう。）が好ましい。
　特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
　特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系樹脂、および、キトサン系樹脂からなる群より選択される少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
　また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
　特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、導電性細線は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
　特定高分子としては、一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
　　一般式（１）：　－（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
　一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、および、Ｄは、それぞれ独立に、一般式（Ａ）～（Ｄ）のいずれかで表される繰り返し単位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　一般式（Ａ）中、Ｒ１１は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
　一般式（Ｂ）中、Ｒ１２は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
　一般式（Ｃ）中、Ｒ１３は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、一般式（２）で表される基が好ましい。
　　一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ１）ｒ－Ｘ２－
　一般式（２）中、Ｘ１は、酸素原子または－ＮＲ３０－を表す。Ｒ３０は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ３０としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ１としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
　Ｘ２は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒ３１）－、または、－Ｎ（Ｒ３１）ＳＯ２－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ３１は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ２としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２－、または、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（Ｃ６Ｈ４）－が好ましい。
　ｒは、０または１を表す。
　ｑは、０または１を表し、０が好ましい。
　一般式（Ｄ）中、Ｒ１４は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基が更に好ましい。
　Ｒ１５は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
　Ｒ１６は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ１４と同じでも異なってもよく、Ｒ１６の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
　一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、および、ｗは、各繰り返し単位のモル比率を意味する。
　ｘは、３～６０（モル％）であり、３～５０（モル％）が好ましく、３～４０（モル％）がより好ましい。
　ｙは、３０～９６（モル％）であり、３５～９５（モル％）が好ましく、４０～９０（モル％）がより好ましい。
　ｚは、０．５～２５（モル％）であり、０．５～２０（モル％）が好ましく、１～２０（モル％）がより好ましい。
　ｗは、０．５～４０（モル％）であり、０．５～３０（モル％）が好ましい。
　一般式（１）において、ｘは３～４０（モル％）、ｙは４０～９０（モル％）、ｚは０．５～２０（モル％）、ｗは０．５～１０（モル％）の場合が好ましい。
　一般式（１）で表される高分子としては、一般式（２）で表される高分子が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上述の定義の通りである。
　一般式（１）で表される高分子は、上述の一般式（Ａ）～（Ｄ）のいずれかで表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
　他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
　一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　一般式（Ｅ）中、ＬＥはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基が更に好ましい。
　一般式（１）で表される高分子としては、一般式（３）で表される高分子が更に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　一般式（３）中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１およびｅ１は、各繰り返し単位のモル比率を意味する。
　ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
　ａ１の好ましい範囲は上述のｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上述のｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上述のｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上述のｗの好ましい範囲と同じである。
　ｅ１は、１～１０（モル％）であり、２～９（モル％）好ましく、２～８（モル％）より好ましい。
　特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報等を参照して合成できる。
　特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。
　導電性細線には、必要に応じて、更に、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
　例えば、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載される、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類が挙げられる。更には、感光性層は、物理現像核を含んでいてもよい。
　また、導電性細線には、上述の特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、導電性細線中の金属同士の連結が保たれる。
　導電性細線の線幅Ｗａは、導電性細線が視認されにくい点から、５．０μｍ未満が好ましく、２．５μｍ以下がより好ましく、２．０μｍ以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．２μｍ以上がより好ましい。
　上述の導電性細線の線幅Ｗａは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の線幅に相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Ｗａとする。
　本明細書において、導電性細線の幅方向とは、基材の表面に沿った方向のうち、導電性細線が延在する方向に対して直交する方向を意味し、導電性細線の線幅とは、幅方向における導電性細線の全長を意味する。
　導電性細線の厚みＴは特に制限されないが、０．５～３．０μｍが好ましく、１．０～２．０μｍがより好ましい。
　上述の導電性細線の厚みＴは、導電性層の厚みの測定方法に準じて測定できる。
　導電性細線の線抵抗値は、２００Ω／ｍｍ未満が好ましい。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、１００Ω／ｍｍ未満がより好ましく、６０Ω／ｍｍ未満が更に好ましい。下限は特に制限されないが、０Ω／ｍｍ超の場合が多い。
　線抵抗値とは、４探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター　２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるように定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
　導電性細線は所定のパターンを形成していてもよい。すなわち、導電性基板は、導電性細線によって形成されたパターンを有していてもよい。そのパターンは特に制限されず、例えば、正三角形、二等辺三角形および直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形および台形等の四角形、（正）六角形および（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、星形、並びに、これらの図形を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。ｎは、５以上の整数を表す。
　図２は、本発明に係る導電性基板の導電性細線により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。
　メッシュ状とは、図２に示すように、交差する導電性細線１４Ｂにより構成される複数の開口部（格子）２０を含む形状を意図する。図２において、開口部２０は、一辺の長さがＬであるひし形（正方形）の形状を有しているが、メッシュパターンの開口部は、他の形状であってもよく、例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、および、ランダムな多角形）であってもよい。また、辺の形状は、直線以外の湾曲した形状であってもよいし、円弧状であってもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
　開口部２０の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下が更に好ましい。長さＬの下限値は特に制限されないが、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上が更に好ましい。開口部の一辺の長さが上述の範囲である場合には、更に透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
　可視光透過率の点から、導電性細線により形成されるメッシュパターンの開口率は、９０％以上が好ましく、９５％以上がより好ましく、９９％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満の場合が多い。
　開口率とは、導電性基板の表面の法線方向から観察したときの、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた領域のメッシュパターン領域全体に占める割合の面積比に相当する。
＜チオール化合物＞
　導電性細線は、チオール化合物を含む。
　導電性細線に含まれるチオール化合物は、チオール基（メルカプト基）を少なくとも１つ有する有機化合物であれば、特に制限されない。
　チオール化合物は、チオール基を１つ有する単官能チオール化合物であってもよく、チオール基を２つ以上有する多官能チオール化合物であってもよい。また、チオール化合物は、芳香族基を有する芳香族チオール化合物であってもよく、芳香族基を有さず、脂肪族炭化水素基を有する脂肪族チオール化合物であってもよい。
　チオール化合物としては、一般式（Ｓ１）で表される化合物、一般式（Ｓ２）で表される化合物、および、一般式（Ｓ３）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１つの化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　一般式（Ｓ１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基を表す。また、Ｒ１およびＲ２は、互いに結合して、Ｒ１およびＲ２の両者と結合する窒素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有複素環を形成してもよい。
　Ｒ１およびＲ２で表される脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。脂肪族炭化水素基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　上記の脂肪族炭化水素基は、更に置換基を有してもよい。
　Ｒ１およびＲ２で表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基としては、例えば、アリール基、ヒドロキシ基、オキソ基、カルボキシ基、チオール基、チオキソ基、および、チオカルボニルスルフィド基が挙げられ、フェニル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、または、チオール基が好ましく、フェニル基、または、ヒドロキシ基がより好ましい。
　上記脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合の置換基の個数は特に制限されないが、１個または２個が好ましく、１個がより好ましい。
　また、上記の脂肪族炭化水素基は、その脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基（－ＣＨ２－）に代えて、－Ｓ－、または、－Ｏ－を有してもよい。
　Ｒ１およびＲ２で表される脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
　Ｒ１およびＲ２が互いに結合して、Ｒ１およびＲ２の両者と結合する窒素原子とともに形成される窒素含有複素環基としては、例えば、窒素含有非芳香族複素環が挙げられる。
　上記窒素含有複素環基の環員数は、例えば５～８個であり、５～７個が好ましく、５個または６個がより好ましい。
　上記窒素含有複素環基としては、１－ピロリジン環基または１－ピペリジン環基が好ましい。
　上記窒素含有複素環基が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～５の脂肪族炭化水素基、および、上記のＲ１およびＲ２で表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基として挙げた基が挙げられ、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
　上記窒素含有複素環基が置換基を有する場合の置換基の個数は、特に制限されないが、１個または２個が好ましく、１個がより好ましい。
　上記窒素含有複素環基は、置換基を有さないことが好ましい。
　Ｒ１およびＲ２は、上記置換基（より好ましくはフェニル基またはヒドロキシ基）を有してもよい炭素数１～５のアルキル基を表すか、または、互いに結合して、メチル基もしくはエチル基を有してもよい環員数が５～７個の窒素含有非芳香族複素環を形成することが好ましく、メチル基もしくはエチル基を表すか、または、互いに結合して１－ピロリジン環もしくは１－ピペリジン環を形成することがより好ましい。
　Ｒ１およびＲ２が環を形成しない場合、Ｒ１およびＲ２は同じであっても異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　一般式（Ｓ２）中、Ｒ３～Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子または有機基を表す。
　Ｒ４およびＲ５は、互いに結合して、上記一般式（Ｓ２）において表される２個の窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有複素環を形成してもよい。
　ただし、Ｒ４およびＲ５が互いに結合して上記窒素含有複素環を形成する場合、Ｒ３は水素原子または上記有機基を表す。
　Ｒ３～Ｒ５で表される有機基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、これらの基を２個以上組み合わせてなる基からなる群より選択される１価の基が挙げられる。
　Ｒ３～Ｒ５で表される有機基の炭素数は、例えば１～２０であり、１～１５が好ましく、１～１０がより好ましい。
　脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。脂肪族炭化水素基の炭素数は、１～８が好ましく、１～５がより好ましい。
　芳香族炭化水素基としては、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
　上記の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、これらの基を２個以上組み合わせてなる基は、更に置換基を有してもよい。
　上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、オキソ基、カルボキシ基、チオール基、チオキソ基、チオカルボニルスルフィド基、置換基を有してもよいアミノ基、リン酸基、スルホ基、シアノ基、ニトロ基、および、アリール基が挙げられ、ヒドロキシ基、オキソ基、または、カルボキシ基が好ましい。
　上記の置換基の個数は、例えば１～３個であり、１個が好ましい。
　また、上記の脂肪族炭化水素基は、その脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基（－ＣＨ２－）に代えて、－Ｓ－、または、－Ｏ－、を有してもよい。
　上記のＲ３～Ｒ５で表される有機基としては、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルキルカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、または、シクロヘキシル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基、アセチル基、または、フェニル基がより好ましい。これらの基は置換基を有さないことが好ましい。
　また、Ｒ４およびＲ５が互いに結合して、上記一般式（Ｓ２）において表される２個の窒素原子および炭素原子とともに形成される窒素含有複素環基は、特に制限されず、芳香族性および非芳香族性のいずれであってもよい。また、上記の窒素含有複素環基の環員数は、例えば５個または６個であり、５個が好ましい。上記の窒素含有複素環基としては、イミダゾール環またはイミダゾリン環が好ましい。
　上記の窒素含有複素環基が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～５の脂肪族炭化水素基、および、上記のＲ３～Ｒ５で表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基として挙げた基が挙げられ、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
　上記置換基の個数は、例えば１～３個であり、１個または２個が好ましい。
　上記窒素含有複素環基において、隣接する炭素原子がそれぞれ有する水素原子と置換した置換基が互いに結合して、置換基を有してもよいフェニル基を形成してもよい。即ち、Ｒ４およびＲ５は、互いに結合して、上記式（Ｓ２）において表される２個の窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよいベンゾイミダゾール環を形成してもよい。このベンゾイミダゾール環が有してもよい置換基としては、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基およびアミノ基が挙げられ、メチル基、エチル基、メトキシ基またはアミノ基が好ましい。
　上記一般式（Ｓ２）におけるＲ３～Ｒ５のうち、１～３個が水素原子を表すことが好ましく、２個が水素原子を表すことがより好ましい。
　Ｒ４およびＲ５が互いに結合して窒素含有複素環基を形成する場合、Ｒ３が水素原子を表すことが好ましい。
　上記一般式（Ｓ２）で表される化合物としては、Ｒ３～Ｒ５が、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルキルカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、または、シクロヘキシル基を表し、Ｒ４およびＲ５が互いに結合して窒素含有複素環を形成する場合、その窒素含有複素環基が、置換基としてメチル基もしくはエチル基を有してもよいイミダゾリン環、または、置換基としてメチル基、エチル基、メトキシ基もしくはアミノ基を有してもよいベンゾイミダゾール環であり、かつ、Ｒ３およびＲ６の少なくとも一方が水素原子を表す化合物であることが、好ましい。
　上記一般式（Ｓ２）で表される化合物の具体例を以下に示す。上記一般式（Ｓ２）で表される化合物は、下記の具体例に制限されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　上記以外の一般式（Ｓ２）で表されるチオール化合物の具体例としては、５－エチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－クロロ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－ニトロ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、および、２－メルカプト－５－ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　一般式（Ｓ３）中、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、水素原子または有機基を表す。
　Ｒ６およびＲ７は、互いに結合して、上記一般式（Ｓ３）において表される硫黄原子、窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい複素環を形成してもよい。
　Ｒ６およびＲ７で表される有機基としては、その好ましい態様も含めて、上記一般式（Ｓ２）中のＲ４およびＲ５と同じであってよい。
　Ｒ６およびＲ７が互いに結合して、上記一般式（Ｓ３）において表される硫黄原子、窒素原子および炭素原子とともに形成される複素環は、特に制限されず、芳香族性および非芳香族性のいずれであってもよい。また、上記の複素環の環員数は、例えば５個または６個であり、５個が好ましい。上記の複素環としては、チアゾール環またはチアゾリン環が好ましい。
　上記の複素環が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～５の脂肪族炭化水素基、および、上記のＲ３～Ｒ５で表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基として挙げた基が挙げられ、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
　上記置換基の個数は、例えば１～３個であり、１個または２個が好ましい。
　上記複素環が２個以上の置換基を有する場合、２個の置換基が互いに結合して、置換基を有してもよい芳香環を形成してもよい。芳香環としては、ベンゼン環などの芳香族炭化水素環および芳香族複素環が挙げられる。すなわち、Ｒ６およびＲ７は、互いに結合して、上記一般式（Ｓ３）において表される硫黄原子、窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよいベンゾチアゾール環を形成してもよい。このベンゾチアゾール環が有してもよい置換基としては、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基およびアミノ基が挙げられ、メチル基、エチル基、メトキシ基またはアミノ基が好ましい。
　上記一般式（Ｓ３）で表される化合物としては、Ｒ６およびＲ７が互いに結合して、置換基としてメチル基もしくはエチル基を有してもよいチアゾール環、または、置換基として炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基もしくはアミノ基を有してもよいベンゾチアゾール環を形成してなる化合物が好ましく、置換基として、メチル基、エチル基、メトキシ基もしくはアミノ基を有してもよいベンゾチアゾール環を形成してなる化合物がより好ましい。
　一般式（Ｓ３）で表されるチオール化合物としては、例えば、２－メルカプトベンゾチアゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－エチル－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－エトキシ－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－クロロ－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－アミノ－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－ニトロ－２－メルカプトベンゾチアゾールおよび２－メルカプト－５－ベンゾチアゾールスルホン酸ナトリウムが挙げられる。
　なかでも、一般式（Ｓ３）で表されるチオール化合物としては、２－メルカプトベンゾチアゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－エチル－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾチアゾール、５－エトキシ－２－メルカプトベンゾチアゾールまたは５－クロロ－２－メルカプトベンゾチアゾールが好ましく、２－メルカプトベンゾチアゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾチアゾールまたは５－メトキシ－２－メルカプトベンゾチアゾールがより好ましく、２－メルカプトベンゾチアゾールが更に好ましい。
　なお、上記一般式（Ｓ１）～（Ｓ３）で表される化合物を含むチオール化合物には、プロトン互変異性体が存在する場合がある。本明細書では、特に言及しない限り、「チオール化合物」との表記は、そのプロトン互変異性体を含むものとする。
　チオール化合物は、１種のみであってもよく、２種以上であってもよい。
　チオール化合物としては、上記一般式（Ｓ３）で表される化合物が好ましく、上記一般式（Ｓ３）で表される化合物のうちより好ましい態様として挙げられている化合物がより好ましく、２－メルカプトベンゾチアゾールが更に好ましい。
　一般式（Ｓ１）中、Ｒ１およびＲ２が、互いに結合して、Ｒ１およびＲ２の両者と結合する窒素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有複素環を形成する化合物としては、例えば、一般式（Ｓ１－１）で表される化合物が挙げられる。一般式（Ｓ１－１）中、Ｗは、上記窒素原子を含む窒素含有複素環を表す。
　一般式（Ｓ２）中、Ｒ４およびＲ５が、互いに結合して、上記一般式（Ｓ２）において表される２個の窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有複素環を形成する化合物としては、例えば、一般式（Ｓ２－１）で表される化合物が挙げられる。一般式（Ｓ２－１）中、Ａｒは、芳香環を表す。
　一般式（Ｓ３）中、Ｒ６およびＲ７が、互いに結合して、上記一般式（Ｓ３）において表される硫黄原子、窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい複素環を形成する場合、例えば、一般式（Ｓ３－１）で表される化合物が挙げられる。一般式（Ｓ３－１）中、Ａｒは、芳香環を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
〔他の部材〕
　導電性基板は、上述の基材および導電性細線以外に他の部材を有してもよい。
　導電性基板が有してもよい他の部材としては、後述する導電性細線とは構成が異なる導電部が挙げられる。
〔導電性基板の製造方法〕
　次に、導電性基板の製造方法について説明する。
　導電性基板の製造方法は、上述した構成の導電性基板が製造できれば特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法、支持体の全面に金属含有層を形成した後、レジストパターンを用いて金属含有層の一部を除去して、細線状の金属含有層を形成する方法、並びに、金属および樹脂を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して細線状の金属含有層を形成する方法が挙げられる。
　なかでも、生産性および導電性細線の導電性がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法が好ましい。
　具体的には、実施形態１～３が好ましく、実施形態２又は３がより好ましく、実施形態２が更に好ましい。
　実施形態１：工程Ａ～工程Ｅと、工程Ｐと、をこの順で有する、導電性基板の製造方法。
　実施形態２：工程Ａ～工程Ｅと、工程Ｐと、工程Ｇと、をこの順で有する、導電性基板の製造方法。
　実施形態３：工程Ａ～工程Ｅと、工程Ｇと、工程Ｐと、工程Ｇと、をこの順で有する、導電性基板の製造方法。
　実施形態２は、工程Ｐの前に工程Ｇを実施しないことが好ましい。工程Ｅによりめっき処理された基材に工程Ｇを実施する前に、工程Ｐを実施することで、導電性基板においてチオール化合物の含有量分布を調整でき、平均値Ａ１が平均値Ａ２よりも小さくなりやすい。
　以下、各工程について詳述する。
＜工程Ａ＞
　工程Ａは、基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子（ゼラチンとは異なる高分子化合物）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基材が製造される。
　まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
　なお、工程Ａで使用される基材、および、特定高分子については上述の通りである。
（ハロゲン化銀）
　ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀またはヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀またはヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
　ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
　ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
　なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
　上述のハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
　ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状等）、八面体状、および、１４面体状等の形状が挙げられる。
（ゼラチン）
　ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
　感光性層には、上述の特定高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより向上する。
（工程Ａの手順）
　工程Ａにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基材上に接触させ、基材上に感光性層を形成する方法が好ましい。
　以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
　感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
　感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
　溶剤としては、水、有機溶剤（例えば、アルコール、ケトン、アミド、スルホキシド、エステルおよびエーテル）、イオン性液体、並びに、これらの混合溶剤が挙げられる。
　感光性層形成用組成物と基材とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を基材上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に基材を浸漬する方法等が挙げられる。
　なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
（ハロゲン化銀含有感光性層）
　上述の手順により形成された感光性層には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
　感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
　感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ２が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ２がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ２が更に好ましい。
＜工程Ｂ＞
　工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
　感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
　露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
　露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
　露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
　現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
　現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
　本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有してもよい。
　定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
　定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
　上述の処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成されるとともに、金属銀を含まず、ゼラチンと特定高分子とを含む絶縁層が形成される。
　銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を１．０μｍ以上５．０μｍ未満にすることにより、露光領域を調整できる。
　また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線の線幅を調整できる。
　更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
　銀含有層の幅は、１．０μｍ以上５．０μｍ未満が好ましく、形成される導電性細線が視認されにくい点から、１．０～２．０μｍがより好ましい。
　なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
＜工程Ｃ＞
　工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層等中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層等の強度が向上する。
　加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層等に過熱蒸気を接触させる方法、および、温度調整装置（例えば、ヒーター）で加熱する方法が挙げられ、銀含有層等と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
　過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
　過熱蒸気と銀含有層等との接触時間は特に制限されず、１０～１５０秒間が好ましい。
　過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ３が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
　温度調整装置で銀含有層等を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。
＜工程Ｄ＞
　工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層等中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層等からゼラチンが除去され、銀含有層等の内部に空間が形成される。
　ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
　方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
　タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
　方法１における手順としては、銀含有層等と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層等とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層等を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層等上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
　酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
　酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、水が含まれることが多い。
　酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
　酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、５～９が好ましい。
　酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度が好ましい。具体的には２０～４５℃が好ましい。
　なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層等を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
　洗浄方法は特に制限されず、銀含有層等と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層等を浸漬する方法、および、銀含有層等上に温水を塗布する方法が挙げられる。
　温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
　温水と銀含有層等との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
　方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
　上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
　方法２における手順としては、銀含有層等と上述の酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層等と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層等を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層等上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
　酸化剤液に含まれる溶剤の種類は特に制限されず、水、および、有機溶剤が挙げられる。
＜工程Ｅ＞
　工程Ｅは、工程Ｄで得られた銀含有層を有する基材をめっき処理する工程である。
　本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された銀含有層の内部の空間に金属（めっき金属）を充填し、導電性細線の導電性を向上させることができる。
　めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、または、置換めっき）および電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
　めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
　めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
　めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
　上述のめっき処理の手順は特に制限されず、銀含有層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法、および、めっき液を銀含有層に塗布する方法が挙げられる。
　銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点から、２０秒間～３０分間が好ましい。
＜工程Ｆ＞
　導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層等に、更に平滑化処理を施す工程Ｆを有してもよい。
　平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、銀含有層等を有する基材を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
　カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
　ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
　平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
＜工程Ｇ＞
　導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層等に加熱処理を施す工程Ｇを有してもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
　導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
＜工程Ｈ＞
　導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、基材上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有してもよい。本工程を実施することにより、基材とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすとともに、導電性層と基材との密着性向上に寄与する。
　ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
　ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
　ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、０．５０ｇ／ｍ２以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ２以下の場合が多い。
　ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
　層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
　ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
＜工程Ｉ＞
　導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有してもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
　保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
　また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ２超０．３ｇ／ｍ２以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ２がより好ましい。
　保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
　保護層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
　保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましい。
　なお、上述した工程Ｈ、工程Ａおよび工程Ｉは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
＜工程Ｐ＞
　工程Ｐは、工程Ｅで得られた基材に、チオール化合物およびモノアルコールを含む溶液（以下、「特定溶液」ともいう。）を接触させる工程である。本工程を実施することにより、チオール化合物の含有量、平均値Ａ１および平均値Ａ２を調整でき、本発明の効果が優れる導電性基板を製造できる。本工程は、工程Ｅの後、かつ、工程Ｆの前に実施することが好ましい。また、工程Ｅの後、かつ、工程Ｇの前に実施することも好ましい。
　工程Ｐは、工程Ｅで得られた基材に特定溶液を接触させることにより、金属およびチオール化合物を含む導電性細線を有する導電性基板を製造できる。
　工程Ｅで得られた基材と特定溶液とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、特定溶液中に上記基材を浸漬する方法、および、特定溶液を上記基材の表面に塗布する方法が挙げられる。
　特定溶液を接触させる際の特定溶液の温度は、例えば、１５～６０℃である。
　特定溶液の接触時間は特に制限されないが、０．１～１０分間が好ましく、０．２～３分間がより好ましい。
　上記特定溶液の温度および上記特定溶液の接触時間を制御することで、平均値Ａ１および平均値Ａ２を調整できる。
　特定溶液は、チオール化合物およびモノアルコールを含む。
　チオール化合物は、上述したとおりである。
　モノアルコールは、１つの水酸基を有する化合物である。
　モノアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、１－ブタノール、１－ドデカノール、および、イソプロピルアルコールが挙げられ、エタノールが好ましい。
　特定溶液は、上記チオール化合物および上記モノアルコール以外に、その他成分を含んでいてもよい。
　その他成分としては、例えば、水、モノアルコール以外の有機溶媒（例えば、アルコール溶媒、ケトン溶媒、アミド溶媒、スルホキシド溶媒、エステル溶媒およびエーテル溶媒）、イオン性液体、並びに、これらの混合溶媒が挙げられる。
　特定溶液は、モノアルコール以外のアルコール溶媒を含まないことも好ましい。
　チオール化合物の含有量は、特定溶液の全質量に対して、０．０５～５．０質量％が好ましく、０．１～２．０質量％がより好ましく、０．２～１．０質量％が更に好ましい。
　モノアルコールの含有量は、特定溶液の全質量に対して、１０～９９．９質量％が好ましく、２０～９０質量％がより好ましく、３０～７０質量％が更に好ましい。
　チオール化合物およびモノアルコールの合計含有量は、特定溶液の全質量に対して、４０～１００質量％が好ましく、５０～１００質量％がより好ましい。
＜その他工程＞
　導電性基板の製造方法は、上記の工程以外に、その他工程を有してもよい。
　その他工程としては、例えば、高分子架橋処理工程が挙げられる。上記高分子架橋処理は、高分子を含む溶液に、浸漬させる工程である。上記高分子架橋処理は、工程Ｄの後、かつ、工程Ｅの前に実施することが好ましい。
　上記高分子としては、例えば、カルボジイミド基を有する高分子（カルボジライトＶ－０２－Ｌ２、日清紡社製）が挙げられる。
〔導電性基板の用途〕
　上述のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボード等の用途に適用できる。なかでも、本導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
　本導電性基板を有するタッチパネルにおいて、上述した導電性細線は、検出電極として有効に機能し得る。本導電性基板をタッチパネルに用いる場合、導電性基板と組み合わせて使用する表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、および、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルが挙げられ、ＯＬＥＤパネルとの組合せが好ましい。
　なお、導電性基板においては、導電性細線とは別に、導電性細線とは構成が異なる導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と電気的に接続して、導通していてもよい。導電部としては、例えば、上述した導電性細線に電圧を印加する機能を有する周辺配線、および、導電性基板と積層する部材の位置を調整するアライメントマーク等が挙げられる。
　本導電性基板の上記以外の用途としては、例えば、パーソナルコンピュータおよびワークステーション等の電子機器から発生する電波およびマイクロ波（極超短波）等の電磁波を遮断し、かつ静電気を防止する電磁波シールドが挙げられる。このような電磁波シールドは、パーソナルコンピュータ本体以外に、映像撮影機器および電子医療機器等の電子機器にも使用できる。
　本導電性基板は、透明発熱体にも使用できる。
　本導電性基板は、取り扱い時および搬送時において、導電性基板と、粘着シートおよび剥離シート等の他の部材とを有する積層体の形態で用いられてもよい。剥離シートは、積層体の搬送時に、導電性基板における傷の発生を防止するための保護シートとして機能する。
　また、導電性基板は、例えば、導電性基板、粘着シートおよび保護層をこの順で有する複合体の形態で取り扱われてもよい。
　本発明は、基本的に以上のように構成される。本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更を行ってもよい。
　以下に本発明の実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
［実施例１］
〔ハロゲン化銀乳剤の調製〕
　３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて下記４液および５液を８分間にわたって加え、更に、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、０．２１μｍまで成長させた。更に、ヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し粒子形成を終了した。
　１液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７５０ｍｌ
　　　ゼラチン　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．６ｇ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　３ｇ
　　　１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン　２０ｍｇ
　　　ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム　　　　　　１０ｍｇ
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．７ｇ
　２液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｍｌ
　　　硝酸銀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５０ｇ
　３液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｍｌ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　３８ｇ
　　　臭化カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　３２ｇ
　　　ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
　　　　（０．００５％ＫＣｌ　２０％水溶液）　　　　５ｍｌ
　　　ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
　　　　　（０．００１％ＮａＣｌ　２０％水溶液）　　７ｍｌ
　４液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｍｌ
　　　硝酸銀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０ｇ
　５液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｍｌ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１３ｇ
　　　臭化カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　１１ｇ
　　　黄血塩　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５ｍｇ
　その後、常法にしたがってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。更に３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第二水洗と同じ操作を更に１回繰り返して（第３水洗）、水洗・脱塩工程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇと塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩＣｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径０．２２μｍ、変動係数９％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
〔感光性層形成用組成物の調製〕
　上記乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１．２×１０－４モル／モルＡｇ、ハイドロキノン１．２×１０－２モル／モルＡｇ、クエン酸３．０×１０－４モル／モルＡｇ、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩０．９０ｇ／モルＡｇ、微量の硬膜剤を添加し、クエン酸を用いて塗布液ｐＨを５．６に調整した。
　上記塗布液に、含有するゼラチンに対して、下記式（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ硫酸エステルからなる分散剤を含有するポリマーラテックス（分散剤／高分子１の質量比が２．０／１００＝０．０２）とを高分子１／ゼラチン（質量比）＝０．５／１になるように添加した。更に、架橋剤としてＥＰＯＸＹＲＥＳＩＮＤＹ０２２（商品名：ナガセケムテックス社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ２となるように調整した。以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号および特許第３７５４７４５号を参照して合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
〔下塗り層の形成〕
　厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）からなる基材の表面に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
〔工程Ｈ１、工程Ａ１、工程Ｉ１〕
　次に、下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物を塗布して、厚み１．０μｍのハロゲン化銀不含有層を設けた。なお、高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は０．６５ｇ／ｍ２であった。
　次に、ハロゲン化銀不含有層上に、上記感光性層形成用組成物を塗布し、厚み２．５μｍのハロゲン化銀含有感光性層を設けた。なお、ハロゲン化銀含有感光性層中の高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．５／１であり、高分子１の含有量は０．２２ｇ／ｍ２であった。
　次に、ハロゲン化銀含有感光性層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物を塗布して、厚み０．１５μｍの保護層を設けた。なお、高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ２であった。
〔工程Ｂ１〕
　作製した上述の感光性層に、図１に示す試験パターンの現像銀像を与え得るフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。マイグレーション試験パターンは、ＩＰＣ－ＴＭ６５０ｏｒＳＭ８４０に準拠したパターンであって、ライン幅が５０μｍ、スペース幅が５０μｍで、ライン数は１７本／１８本である（以下、「くし型パターン電極」ともいう。）。
　また、別途作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した（以下、「メッシュパターン電極」ともいう。）。フォトマスクとしてはパターン形成用のマスクを用いており、図２に示すような格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
　露光後、得られた各サンプルに対して、後述する現像液で現像し、更に定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、くし型パターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＡと、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＢを得た。サンプルＢにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
（現像液の組成）
　現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
　　　　ハイドロキノン　　　　　　　　　　０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
　　　　Ｎ－メチルアミノフェノール　　　　０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
　　　　メタホウ酸ナトリウム　　　　　　　０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
　　　　水酸化ナトリウム　　　　　　　　　０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
　　　　臭化ナトリウム　　　　　　　　　　０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
　　　　メタ重亜硫酸カリウム　　　　　　　０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
〔工程Ｃ１〕
　工程Ｂ１で得られたサンプルを、１２０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、１３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。
〔工程Ｄ１〕
　工程Ｃ１で得られたサンプルを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に１２０秒間浸漬した。サンプルをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、サンプルを自然乾燥させた。
　なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
　タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミンおよび硫酸を加えてｐＨを８．５に調整した。
〔高分子架橋処理〕
　工程Ｄ１で得られたサンプルを、更に、カルボジライトＶ－０２－Ｌ２（商品名：日清紡社製）１質量％水溶液に３０秒浸漬し、水溶液から取り出し、純水（室温）に６０秒間浸漬し、洗浄した。
〔工程Ｅ１〕
　高分子架橋処理で得られたサンプルを、以下組成のめっき液（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルをめっき液から取り出し、サンプルを温水（５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
　めっき液（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液のｐＨは９．９であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
（めっき液の組成）
・ＡｇＮＯ３　　　　　　　　　　　２．１ｇ
・亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物　　　６０ｇ
・アロンＴ－５０（東亞合成（株）製、固形分濃度４０％）　　３６ｇ
・メチルヒドロキノン　　　　　　　１３ｇ
・炭酸カリウム　　　　　　　　　　所定量
・水　　　　　　　　　　　　　　　残部
〔工程Ｐ１〕
　工程Ｅ１で得られたサンプルを、チオール化合物として２－メルカプトベンゾチアゾールを含む第１溶液（３０℃）に６０秒間浸漬した。上記第１溶液から取り出したサンプルを、３０℃の純水に６０秒間浸漬して、洗浄し、６５℃のオーブン内で１５分間乾燥を実施した。上記第１溶液（全量１０００ｇ）の組成は、以下の通りであった。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
（第１溶液の組成）
・２－メルカプトベンゾチアゾール　　　２．０ｇ
・エタノール　　　　　　　　　　　　　４９９ｇ
・水　　　　　　　　　　　　　　　　　４９９ｇ
〔工程Ｇ１〕
　工程Ｐ１で得られたサンプルを、８５℃、湿度８５％ＲＨの過熱水蒸気処理槽内に搬入し、１時間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
［実施例２］
　上記実施例１における作製手順において、初めから工程Ｅ１までは、同じ手順により、サンプルを作製した。
　工程Ｅ１で得られたサンプルに、下記工程Ｇ２、上記工程Ｐ１および上記工程Ｇ１の順で実施して、実施例２の導電性基板を得た。
〔工程Ｇ２〕
　工程Ｅ１で得られたサンプルを、８５℃、湿度８５％ＲＨの過熱水蒸気処理槽内に搬入し、１０分間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
［比較例１］
　工程Ｐ１における第１溶液に含まれるエタノールを、プロピレングリコールに変更した以外は、実施例１に記載の手順に従って、比較例１の導電性基板を作製した。
［測定および評価］
〔平均値Ａ１および平均値Ａ２の測定〕
　各実施例および各比較例で得られた導電性基板の平均値Ａ１および平均値Ａ２を、以下の方法で測定した。得られた実施例１のプロファイルを図３に示す。
　まず、得られた導電性基板を、斜め切削装置ＳＡＩＣＡＳ　ＮＮ－０４型（ダイプラ・ウィンテス社製）を用いて斜めに切削して分析用サンプルを得た。このとき、導電性基板の切削方向（切り刃の進行方向）が導電性細線の厚さ方向と導電性細線が延びる方向とを含む平面に含まれるように、切削した。これにより、導電性細線の幅方向を含み、幅方向と直交する方向が導電性細線の厚さ方向に対応している導電性細線の断面が露出した。
　なお、上記斜め切削の条件は、切刃：単結晶ダイヤモンド、刃幅０．３ｍｍ、スクイ角２０°、ニゲ角１０°、切削条件：定速度モード（垂直５ｎｍ／ｓｅｃ、水平５００ｎｍ／ｓｅｃ）で実施した。
　次に、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析装置を用いて、上記分析用サンプルの斜め切削により露出した断面において、上記分析用サンプル中の導電性細線の基材とは反対側の表面から深さ方向に沿ってＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析を行った。なお、深さ方向とは、導電性基板の厚さ方向と同義である。
　なお、上記ＴＯＦ－ＳＩＭＳ分析の条件は、Ｂｉ３ ＋の１次イオン銃（３０ｋＶ）、測定範囲５００μｍ、２５６×２５６ｐｉｘｅｌｓ、１６ｆｒａｍｅｓで実施した。
　得られた図３に示すプロファイルから、金属に由来する全ての２次イオン強度のうち、３番目から８番目に大きい、金属に由来する２次イオン強度の平均値（計６点の平均値）を金属に由来する２次イオン強度Ａとし、導電性細線の基材とは反対側の表面から深さ方向に沿って飛行時間型２次イオン質量分析を行った際に、上記２次イオン強度Ａの０．１倍となる深さ位置で最も導電性細線の基材とは反対側の表面側に位置する深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、上記２次イオン強度Ａの０．１倍となる深さ位置で最も基材側に位置する深さ位置を深さ位置Ｄ２とした。得られた深さ位置Ｄ１と深さ位置Ｄ２との中間の深さ位置を深さ位置ＤＭとした。
　更に、深さ位置Ｄ１から深さ位置ＤＭまでの各深さ位置（１０ｎｍ毎の深さ位置）でのチオール化合物の２次イオン強度を算出し、その算術平均値を算出し、平均値Ａ１とする。また、深さ位置ＤＭから深さ位置Ｄ２までの各深さ位置（１０ｎｍ毎の深さ位置）でのチオール化合物の２次イオン強度を算出し、その算術平均値を算出し、平均値Ａ２とした。
〔マイグレーション抑制性評価〕
　温度８５℃および湿度８５％ＲＨの湿熱雰囲気下に各くし型パターン電極を有する導電性基板を静置し、上記導電性基板中のくし型パターン電極の両端に配線を接続し、片側から直流５Ｖの電流を連続的に印加した。電流を印加してから所定時間を経過した後、湿熱雰囲気下から連続印加処理が施された上記導電性基板を取り出した。次に、アドバンテスト社製のＲ８３４０Ａを用い、上記導電性基板に直流５Ｖの印加電圧をかけ、上記導電性基板の絶縁抵抗値（くし型パターン電極中のライン部間の絶縁抵抗値）を測定した。以下の基準に従って、評価した。
「Ａ」：６００時間の連続印加処理後でも、上記導電性基板の絶縁抵抗値が１０１０Ω以上であった場合
「Ｂ」：５００時間以上６００時間未満の連続印加処理によって、上記導電性基板の絶縁抵抗値が１０１０Ω未満まで低下した場合
「Ｃ」：５００時間未満の連続印加処理によって、上記導電性基板の絶縁抵抗値が１０１０Ω未満まで低下した場合
〔耐光性〕
　作製したメッシュパターン電極を有する導電性基板を用いて、評価面を上にして、上から順番に、「ガラス／ＯＣＡ／メッシュパターン電極を有する導電性基板／ＯＣＡ／偏光板１／ＯＣＡ／偏光板２（偏光板１に対して互いの偏光軸が直交するように配置した）／黒ＰＥＴ」の順番で貼り合わせて、積層体を得た。積層体のサイズは２０ｃｍ×２８ｃｍであった。
　ＯＣＡ：３Ｍ株式会社製、光学粘着剤８１４６－２
　黒ＰＥＴ：（パナック株式会社製、工業用黒ＰＥＴ（ＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４））
　得られた積層体について、評価面の半分の領域に上からアルミホイルを被せて遮光した。積層体に対して、スガ試験機株式会社製Ｘ７５Ｌを用いて、キセノンランプ（インナーフィルタ：石英、アウターフィルタ：＃２７５）を、波長３４０ｎｍの照度が７０Ｗ／ｍ２、ブラックパネル温度３０℃、湿度５０％ＲＨの条件で８０時間照射した。照射は積層体のガラス面側（評価面側）から行った。
　照射から８０時間後、アルミホイルを取り外して、アルミホイルで遮光されていた遮光部と、遮光されずにキセノンランプで照射されていた露光部のそれぞれについて、Ｇｒａｙ値を測定した。
　Ｇｒａｙ値は以下の方法で測定した。ＬＥＤライトを照度８５０で積層体のガラス面に対して入射角度８°で照射し、ガラス面の法線方向から検出器を用いて積層体を観測した。得られた画像をＩｍａｇｅＪにて白黒２５６階調化してＧｒａｙ値を取得した。２５６階調の値は毎回標準校正板で補正した値であった。
　このようにして測定された遮光部のＧｒａｙ値および露光部のＧｒａｙ値から両者の差分であるΔＧｒａｙ値を算出し、下記の基準に従って、メッシュパターン電極を有する導電性基板の耐光性を評価した。
　　（ΔＧｒａｙ値）＝（遮光部のＧｒａｙ値）－（露光部のＧｒａｙ値）
（耐光性評価基準）
「Ａ」：ΔＧｒａｙ値が５以下
「Ｂ」：ΔＧｒａｙ値が５超１０以下
「Ｃ」：ΔＧｒａｙ値が１０超
　なお、ΔＧｒａｙ値が５以下である場合（評価Ａである場合）、色調の違いを目視では確認できず、ΔＧｒａｙ値が５超１０以下である場合（評価Ｂである場合）、高輝度のＬＥＤを照射することにより色調の違いを目視で確認でき、ΔＧｒａｙ値が１０超である場合（評価Ｃである場合）、蛍光灯下でも色調の違いを目視で確認できた。
　表中、「ＭＢＴ」は、２－メルカプトベンゾチアゾールを示す。
　「ＰＧ」は、プロピレングリコールを示す。
　「Ａ１／Ａ２」は、平均値Ａ２に対する平均値Ａ１の比を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　表１に示すように、本発明の導電性基板によれば、所望の効果が得られることが確認された。
　１０　　　　　導電性基板
　１２　　　　　基材
　１２ａ　　　　表面
　１４、１４Ｂ　導電性細線
　２０　　　　　開口部
 

Claims (6)

  1. 　基材と、
    　前記基材上に配置され、金属およびチオール化合物を含む導電性細線と、を有する、導電性基板であって、
    　前記導電性細線の前記基材とは反対側の表面から深さ方向に沿って飛行時間型２次イオン質量分析を行った際に、前記金属に由来する２次イオン強度が観察される深さ位置を深さ位置Ｄ１とし、前記金属に由来する２次イオン強度が観察されなくなる深さ位置を深さ位置Ｄ２とし、前記深さ位置Ｄ１と前記深さ位置Ｄ２との中間の深さ位置を深さ位置ＤＭとした際に、前記深さ位置Ｄ１から前記深さ位置ＤＭまでの領域における前記チオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ１が、前記深さ位置ＤＭから前記深さ位置Ｄ２までの領域における前記チオール化合物に由来する２次イオン強度の平均値Ａ２よりも小さい、導電性基板。
  2. 　前記チオール化合物が、一般式（Ｓ３）で表される化合物である、請求項１に記載の導電性基板。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　一般式（Ｓ３）中、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、水素原子または有機基を表す。Ｒ６およびＲ７は、互いに結合して、前記一般式（Ｓ３）において表される硫黄原子、窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい複素環を形成してもよい。前記複素環が２個以上の置換基を有する場合、２つの前記置換基は互いに結合して、芳香環を形成してもよい。
  3. 　前記チオール化合物が、２－メルカプトベンゾチアゾールである、請求項１に記載の導電性基板。
  4. 　前記金属が、銀を含む、請求項１に記載の導電性基板。
  5. 　前記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、請求項１に記載の導電性基板。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法であって、
    　銀含有層を有する基材をめっき処理する工程Ｅと、
    　前記工程Ｅで得られた基材に、前記チオール化合物およびモノアルコールを含む溶液を接触させる工程Ｐと、を有する、導電性基板の製造方法。
     
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