JP2023035785A - 導電性基板、タッチパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】導電性細線部の硫化耐性に優れる導電性基板を提供することを課題とする。【解決手段】基材と、基材上に配置された導電性層と、を有する導電性基板であって、導電性層が、金属を含む導電性細線部と、導電性細線部に隣接し、金属を含まない透明絶縁部とを有し、導電性層が式（１）で表される化合物を含む、導電性基板。【選択図】図１
Description
本発明は、導電性基板およびタッチパネルに関する。
導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス：Electro luminescence）素子等種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。
例えば、特許文献１には、金属からなる導通パターンと該導通パターンと接続した周辺配線部を有する画像単位と、隣り合う画像単位を接続不能とする非導電部からなる繰り返し単位を複数個有する電極パターンシートの製造方法に関する技術が開示されており、導通パターン及び周辺配線部の形成方法として、印刷方式、フォトリソグラフィー方式、及び、銀塩写真感光材料を導電性材料前駆体として用いる方法などが記載されている。
このようなタッチパネルには、導電性基板とともに、その周辺に様々な部材が搭載されている。それら周辺部材に使用されているクッション材及び接着剤等には、硫黄含有化合物が混入していることがある。また、タッチパネルの使用環境中にもＨ２Ｓ及びＳＯ２等の硫黄成分が存在している。
本発明者は、特許文献１を参照しながら導電性細線を有する導電性基板について検討した結果、導電性基板の周囲に存在するこれらの硫黄源により、配線を構成する金属細線の硫化反応が生じることにより、配線の導電性が低下し、タッチパネルの感度低下及び動作不良等の故障が引き起こされるという問題があることを知見した。
本発明者は、特許文献１を参照しながら導電性細線を有する導電性基板について検討した結果、導電性基板の周囲に存在するこれらの硫黄源により、配線を構成する金属細線の硫化反応が生じることにより、配線の導電性が低下し、タッチパネルの感度低下及び動作不良等の故障が引き起こされるという問題があることを知見した。
本発明は、上記実情に鑑みて、導電性細線部の硫化耐性に優れる導電性基板を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
〔１〕 基材と、上記基材上に配置された導電性層と、を有する導電性基板であって、上記導電性層が、金属を含む導電性細線部と、上記導電性細線部に隣接し、金属を含まない透明絶縁部とを有し、上記導電性層が後述する式（１）で表される化合物を含む、導電性基板。
〔２〕 式（１）中のＲが、水素原子、炭素数１～３のアルキル基、または、炭素数１～３のアルコキシ基を表す、〔１〕に記載の導電性基板。
〔３〕 上記化合物が、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、および、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールからなる群より選択される少なくとも１つを含む、〔１〕または〔２〕に記載の導電性基板。
〔４〕 上記導電性層の面積あたりの上記化合物の含有量が０．１～１０μｇ／ｃｍ２である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔５〕 上記金属が銀を含む、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔６〕 上記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、〔１〕～〔５〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔７〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の導電性基板を有する、タッチパネル。
〔２〕 式（１）中のＲが、水素原子、炭素数１～３のアルキル基、または、炭素数１～３のアルコキシ基を表す、〔１〕に記載の導電性基板。
〔３〕 上記化合物が、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、および、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールからなる群より選択される少なくとも１つを含む、〔１〕または〔２〕に記載の導電性基板。
〔４〕 上記導電性層の面積あたりの上記化合物の含有量が０．１～１０μｇ／ｃｍ２である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔５〕 上記金属が銀を含む、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔６〕 上記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、〔１〕～〔５〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔７〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の導電性基板を有する、タッチパネル。
本発明によれば、導電性細線部の硫化耐性に優れる導電性基板を提供できる。
以下、図面を参照しながら、本発明の導電性基板について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされるものであり、本発明はそのような実施形態に制限されない。また、以下に示す図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図によって本発明は制限されない。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
本明細書において、「ｇ」および「ｍｇ」は、「質量ｇ」および「質量ｍｇ」をそれぞれ表す。
本明細書において、「高分子」または「高分子化合物」は、重量平均分子量が２０００以上である化合物を意味する。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
本明細書において、具体的な数値で表された角度、並びに、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度に関する表記は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされるものであり、本発明はそのような実施形態に制限されない。また、以下に示す図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図によって本発明は制限されない。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
本明細書において、「ｇ」および「ｍｇ」は、「質量ｇ」および「質量ｍｇ」をそれぞれ表す。
本明細書において、「高分子」または「高分子化合物」は、重量平均分子量が２０００以上である化合物を意味する。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
本明細書において、具体的な数値で表された角度、並びに、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度に関する表記は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
［導電性基板］
本発明に係る導電性基板は、基材と、基材上に配置された導電性層とを有する。導電性層は、導電性細線部と、導電性細線部に隣接する透明絶縁部とを有する。導電性細線部は金属を含み、透明絶縁部は金属を含まない。また、導電性層は、更に、後述する式（１）で表される化合物を含む。
本発明に係る導電性基板は、基材と、基材上に配置された導電性層とを有する。導電性層は、導電性細線部と、導電性細線部に隣接する透明絶縁部とを有する。導電性細線部は金属を含み、透明絶縁部は金属を含まない。また、導電性層は、更に、後述する式（１）で表される化合物を含む。
図１は、本発明に係る導電性基板の構成の一例を示す模式的断面図である。
図１に示す導電性基板１０は、基材１２と、基材１２の表面上に配置された導電性層１４とを有する。導電性層１４は、導電性細線部１６と、導電性細線部１６に隣接する透明絶縁部１８とで構成されている。なお、図１では、紙面に対して垂直方向に延びる導電性細線部１６が２つ示されているが、導電性細線部１６の配置形態、および、その数は特に制限されない。
図１に示す導電性基板１０は、基材１２と、基材１２の表面上に配置された導電性層１４とを有する。導電性層１４は、導電性細線部１６と、導電性細線部１６に隣接する透明絶縁部１８とで構成されている。なお、図１では、紙面に対して垂直方向に延びる導電性細線部１６が２つ示されているが、導電性細線部１６の配置形態、および、その数は特に制限されない。
〔基材〕
基材は、感光性層および導電性細線部を支持できる部材であれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板および金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
基材としては、得られる導電性部材の折り曲げ性に優れる点で、可撓性を有する基材が好ましい。可撓性を有する基材としては、上記プラスチック基板が挙げられる。
基材の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、基材表面をタッチ面として用いる場合は、基材の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
基材は、感光性層および導電性細線部を支持できる部材であれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板および金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
基材としては、得られる導電性部材の折り曲げ性に優れる点で、可撓性を有する基材が好ましい。可撓性を有する基材としては、上記プラスチック基板が挙げられる。
基材の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、基材表面をタッチ面として用いる場合は、基材の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
基材を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、アクリルフィルム（１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（２６９℃）、ポリエチレン（１３５℃）、ポリプロピレン（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（２９０℃）等の融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、または、ポリカーボネートがより好ましい。なかでも、導電性細線部との密着性が優れることから、ＰＥＴが特に好ましい。上記の（ ）内の数値は融点またはガラス転移温度である。
基材の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。全光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
基材の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。全光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
基材の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性層の基材に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、後述する特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の基材に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性層の基材に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、後述する特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の基材に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
〔導電性層〕
導電性層は、導電性細線部と透明絶縁部とを有する。即ち、導電性基板の基材の表面上には、導電性層として、金属を含む導電性細線部と、金属を含まない透明絶縁部が配置されている。
導電性層は、導電性細線部と透明絶縁部とを有する。即ち、導電性基板の基材の表面上には、導電性層として、金属を含む導電性細線部と、金属を含まない透明絶縁部が配置されている。
導電性層における導電性細線部および透明絶縁部の配置は特に制限されない。
導電性層は、導電性細線部および透明絶縁部によって形成されたパターンを有してもよい。そのパターンは特に制限されず、例えば、正三角形、二等辺三角形および直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形および台形等の四角形、（正）六角形および（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、星形、並びに、これらの図形を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
導電性層は、導電性細線部および透明絶縁部によって形成されたパターンを有してもよい。そのパターンは特に制限されず、例えば、正三角形、二等辺三角形および直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形および台形等の四角形、（正）六角形および（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、星形、並びに、これらの図形を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
図２は、導電性層が有するメッシュパターンの一例を示す平面図である。
メッシュ状とは、図２に示すように、交差する導電性細線部１６により、透明絶縁部１８により構成され、それぞれが互いに離間している複数の非細線部（格子）２０を含む形状を意図する。図２において、非細線部２０は、一辺の長さがＬである正方形の形状を有しているが、メッシュパターンの非細線部は、他の形状であってもよく、例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形（ひし形、長方形等）、六角形、および、ランダムな多角形）であってもよい。また、辺の形状は、直線以外の湾曲した形状であってもよいし、円弧状であってもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
メッシュ状とは、図２に示すように、交差する導電性細線部１６により、透明絶縁部１８により構成され、それぞれが互いに離間している複数の非細線部（格子）２０を含む形状を意図する。図２において、非細線部２０は、一辺の長さがＬである正方形の形状を有しているが、メッシュパターンの非細線部は、他の形状であってもよく、例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形（ひし形、長方形等）、六角形、および、ランダムな多角形）であってもよい。また、辺の形状は、直線以外の湾曲した形状であってもよいし、円弧状であってもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
非細線部２０の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下が更に好ましい。長さＬの下限値は特に制限されないが、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上が更に好ましい。非細線部の一辺の長さが上述の範囲である場合には、更に透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、導電性細線部により形成されるメッシュパターンの開口率は、９０％以上が好ましく、９５％以上がより好ましく、９９％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、導電性基板のメッシュパターンが形成された領域において、透明絶縁部が占める領域のメッシュパターンが占める領域全体に対する割合（面積比）を意味する。
開口率とは、導電性基板のメッシュパターンが形成された領域において、透明絶縁部が占める領域のメッシュパターンが占める領域全体に対する割合（面積比）を意味する。
導電性層の厚みは特に制限されないが、０．５～３．０μｍが好ましく、１．０～２．０μｍがより好ましい。
導電性層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線部の厚みに相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の厚みに相当する部分の算術平均値を算出することにより、求められる。
導電性層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線部の厚みに相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の厚みに相当する部分の算術平均値を算出することにより、求められる。
＜導電性細線部＞
導電性細線部は、金属を含むことにより導電性基板の導電特性を担保する部分である。
金属としては、導電特性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）およびパラジウム（金属パラジウム）からなる群より選択される１つ以上の金属との混合物が好ましく、銀単体、または、銀と銅の混合物がより好ましく、銀単体が更に好ましい。
導電性細線部は、金属を含むことにより導電性基板の導電特性を担保する部分である。
金属としては、導電特性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）およびパラジウム（金属パラジウム）からなる群より選択される１つ以上の金属との混合物が好ましく、銀単体、または、銀と銅の混合物がより好ましく、銀単体が更に好ましい。
本明細書において、導電性細線部は、基材の表面に配置され、金属を含む材料で一体的に形成された細線状の領域を意図する。例えば、後述する工程Ｈにより形成されるハロゲン化銀不含有層、および、後述する工程Ｉにより形成される保護層は、後述する工程Ａおよび工程Ｂにより形成される細線状の金属含有層（銀含有層）とともに、導電性細線部を構成する。
また、導電性細線部は、導電性基板の外部の部材と電気的に接続していてもよく、電気的に接続していなくてもよい。導電性細線部の一部は、外部と電気的に絶縁されたダミー電極であってもよい。
また、導電性細線部は、導電性基板の外部の部材と電気的に接続していてもよく、電気的に接続していなくてもよい。導電性細線部の一部は、外部と電気的に絶縁されたダミー電極であってもよい。
導電性細線部に含まれる金属は、通常、固体粒子状である。金属の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましい。なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径であり、金属粒子の平均粒子径は、１００個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均した平均値として得られる。
金属粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状、八面体状、および、十四面体状等の形状が挙げられる。また、金属粒子が融着により一部または全体にわたって結合していてもよい。
導電性細線部は、複数の金属が後述する高分子化合物中に分散してなる構造を有してもよく、高分子化合物中で金属粒子が凝集して凝集体として存在してもよい。また、導電性細線部に含まれる複数の金属の少なくとも一部同士が、後述するめっき処理に用いる金属イオンに由来する金属によって接合されていてもよい。
導電性細線部における金属の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。
金属粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状、八面体状、および、十四面体状等の形状が挙げられる。また、金属粒子が融着により一部または全体にわたって結合していてもよい。
導電性細線部は、複数の金属が後述する高分子化合物中に分散してなる構造を有してもよく、高分子化合物中で金属粒子が凝集して凝集体として存在してもよい。また、導電性細線部に含まれる複数の金属の少なくとも一部同士が、後述するめっき処理に用いる金属イオンに由来する金属によって接合されていてもよい。
導電性細線部における金属の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。
導電性細線部は、金属に加えて高分子化合物を含んでいてもよい。
導電性細線部に含まれる高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が使用できる。なかでも、強度がより優れる銀含有層および導電性細線部を形成できる点で、ゼラチンとは異なる高分子化合物（以下、「特定高分子」とも記載する。）が好ましい。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、導電性細線部は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
導電性細線部に含まれる高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が使用できる。なかでも、強度がより優れる銀含有層および導電性細線部を形成できる点で、ゼラチンとは異なる高分子化合物（以下、「特定高分子」とも記載する。）が好ましい。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、導電性細線部は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
Ｒ１１は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ１２は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ１３は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ１）ｒ－Ｘ２－
一般式（２）中、Ｘ１は、酸素原子または－ＮＲ３０－を表す。ここでＲ３０は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ３０としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ１としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
Ｘ２は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒ３１）－、または、－Ｎ（Ｒ３１）ＳＯ２－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ３１は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ２としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２－、または、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（Ｃ６Ｈ４）－が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
Ｒ１２は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ１３は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ１）ｒ－Ｘ２－
一般式（２）中、Ｘ１は、酸素原子または－ＮＲ３０－を表す。ここでＲ３０は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ３０としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ１としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
Ｘ２は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒ３１）－、または、－Ｎ（Ｒ３１）ＳＯ２－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ３１は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ２としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２－、または、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（Ｃ６Ｈ４）－が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
Ｒ１４は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基が更に好ましい。
Ｒ１５は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｒ１６は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ１４と同じでも異なってもよく、Ｒ１６の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
Ｒ１５は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｒ１６は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ１４と同じでも異なってもよく、Ｒ１６の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。
一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上述の定義の通りである。
一般式（１）で表される高分子は、上述の一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
上述の式中、ＬＥはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基が更に好ましい。
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。
上述の式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、およびｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
ａ１の好ましい範囲は上述のｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上述のｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上述のｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上述のｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
ａ１の好ましい範囲は上述のｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上述のｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上述のｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上述のｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。
導電性細線部には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
例えば、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
また、導電性細線部には、上述の特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、導電性細線部中の金属同士の連結が保たれる。
例えば、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
また、導電性細線部には、上述の特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、導電性細線部中の金属同士の連結が保たれる。
導電性細線部の線幅Ｗａは、導電性細線部が視認されにくい点から、５．０μｍ未満が好ましく、２．５μｍ以下がより好ましく、２．０μｍ以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線部の導電性がより優れる点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．２μｍ以上がより好ましい。なお、導電性細線部の線幅とは、基材の表面に沿った方向のうち、導電性細線部が延在する方向に対して直交する方向における導電性細線部の全長を意味する。
上述の導電性細線部の線幅Ｗａは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線部の線幅に相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Ｗａとする。
上述の導電性細線部の線幅Ｗａは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線部の線幅に相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Ｗａとする。
導電性細線部の厚みＴは特に制限されないが、０．５～３．０μｍが好ましく、１．０～２．０μｍがより好ましい。
上述の導電性細線部の厚みＴは、導電性層の厚みの測定方法に準じて測定できる。
上述の導電性細線部の厚みＴは、導電性層の厚みの測定方法に準じて測定できる。
導電性細線部の線抵抗値は、２００Ω／ｍｍ未満であることが好ましい。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、１００Ω／ｍｍ未満であることがより好ましく、６０Ω／ｍｍ未満が更に好ましい。
線抵抗値とは、４探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線部の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を該切り離された導電性細線部に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
線抵抗値とは、４探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線部の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を該切り離された導電性細線部に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
＜透明絶縁部＞
導電性層は、導電性細線部に隣接する透明絶縁部を有する。図１に示すように、導電性細線部と透明絶縁部とは、基板の表面上において面内方向に並んで配置されている。
透明絶縁部は、導電性の金属を含まず、導電性を示さない領域である。ここで、透明絶縁部が「金属を含まない」とは、透明絶縁部における金属の含有量が、透明絶縁部の総質量に対して０．１質量％以下であることを意味する。透明絶縁部における金属の含有量は、透明絶縁部の総質量に対して０．０５質量％以下が好ましい。
また、本明細書において「透明」とは、波長４００～７００ｎｍの可視光の平均透過率が８０％以上であることを意味する。透明絶縁部の上記可視光の平均透過率は、９０％以上が好ましい。上限値は特に制限されず、例えば９９％以下である。透過率は、分光光度計を用いて測定できる。
導電性層は、導電性細線部に隣接する透明絶縁部を有する。図１に示すように、導電性細線部と透明絶縁部とは、基板の表面上において面内方向に並んで配置されている。
透明絶縁部は、導電性の金属を含まず、導電性を示さない領域である。ここで、透明絶縁部が「金属を含まない」とは、透明絶縁部における金属の含有量が、透明絶縁部の総質量に対して０．１質量％以下であることを意味する。透明絶縁部における金属の含有量は、透明絶縁部の総質量に対して０．０５質量％以下が好ましい。
また、本明細書において「透明」とは、波長４００～７００ｎｍの可視光の平均透過率が８０％以上であることを意味する。透明絶縁部の上記可視光の平均透過率は、９０％以上が好ましい。上限値は特に制限されず、例えば９９％以下である。透過率は、分光光度計を用いて測定できる。
透明絶縁部は、高分子化合物を主成分として含むことが好ましい。
透明絶縁部に含まれる高分子化合物としては、導電性細線部に含まれる高分子化合物が挙げられ、特定高分子が好ましい。なかでも、導電性細線部に含まれる高分子化合物（好ましくは特定高分子）と同じ高分子化合物を含むことがより好ましい。
透明絶縁部が高分子化合物を「主成分として含む」とは、高分子化合物の含有量が透明絶縁部の総質量に対して５０質量％以上であることを意味する。透明絶縁部における高分子化合物の含有量は、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましい。上限値は特に制限されず、１００質量％であってよい。
透明絶縁部に含まれる高分子化合物としては、導電性細線部に含まれる高分子化合物が挙げられ、特定高分子が好ましい。なかでも、導電性細線部に含まれる高分子化合物（好ましくは特定高分子）と同じ高分子化合物を含むことがより好ましい。
透明絶縁部が高分子化合物を「主成分として含む」とは、高分子化合物の含有量が透明絶縁部の総質量に対して５０質量％以上であることを意味する。透明絶縁部における高分子化合物の含有量は、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましい。上限値は特に制限されず、１００質量％であってよい。
透明絶縁部の形成方法は、特に制限されず、例えば、後述する導電性基板の製造方法において、ハロゲン化銀含有感光性層をパターン状に露光する露光処理を施すことにより未露光部を形成し、続いて未露光部に対して現像処理を実施することにより、高分子化合物を主成分とする透明絶縁部が形成される。また、必要に応じてゼラチンを除去する処理を実施することにより、特定高分子を主成分とする透明絶縁部が形成される。
＜他の部材＞
導電性基板は、上述の基材および導電性細線部以外に他の部材を有してもよい。
導電性基板が有してもよい他の部材としては、後述する導電性細線部とは構成が異なる導電部が挙げられる。
導電性基板は、上述の基材および導電性細線部以外に他の部材を有してもよい。
導電性基板が有してもよい他の部材としては、後述する導電性細線部とは構成が異なる導電部が挙げられる。
＜特定化合物＞
導電性層は、後述する式（１）で表される化合物（以下、「特定化合物」ともいう。）を含む。
導電性層は、後述する式（１）で表される化合物（以下、「特定化合物」ともいう。）を含む。
式（１）中、Ｒは、水素原子、炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、または、スルホ基もしくはその塩を表す。
本発明に係る導電性基板は、導電性層が特定化合物を含むことにより、導電性細線部の硫化耐性が向上する。より具体的には、上記のとおり、タッチパネル等の電子機器に搭載された導電性基板において、その周辺の部材又は周囲の環境に由来する硫黄化合物は、導電性層内に浸透し、導電性細線部の金属細線と反応して硫化物を形成する結果、導電性細線部の導電性が低減すると考えられる。それに対して、導電性層が特定化合物を含む場合、外部から導電性層内に浸透した硫黄化合物が特定化合物と反応して結合するため、導電性細線部において金属細線の硫化を抑制する硫化耐性が向上するものと推測される。
以下、本明細書において、導電性細線部の硫化耐性が優れることを「本発明の効果が優れる」とも記載する。
以下、本明細書において、導電性細線部の硫化耐性が優れることを「本発明の効果が優れる」とも記載する。
Ｒで表されるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。
Ｒで表されるスルホ基の塩としては、スルホ基と金属原子またはアンモニア（ＮＨ３）との塩が挙げられる。金属原子としては、例えば、リチウム、ナトリウムおよびカリウム等のアルカリ金属原子が挙げられる。なかでも、スルホ基もしくはその塩としては、スルホン酸ナトリウム基が好ましい。
Ｒで表されるスルホ基の塩としては、スルホ基と金属原子またはアンモニア（ＮＨ３）との塩が挙げられる。金属原子としては、例えば、リチウム、ナトリウムおよびカリウム等のアルカリ金属原子が挙げられる。なかでも、スルホ基もしくはその塩としては、スルホン酸ナトリウム基が好ましい。
Ｒとしては、本発明の効果がより優れる点で、水素原子、炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、塩素原子、アミノ基、または、スルホン酸ナトリウム基が好ましく、水素原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のアルコキシ基、または塩素原子がより好ましく、水素原子、メチル基、または、メトキシ基が更に好ましい。
特定化合物としては、例えば、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－クロロ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－アミノ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－ニトロ－２－メルカプトベンゾイミダゾールおよび２－メルカプト－５－ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムが挙げられる。
なかでも、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールまたは５－クロロ－２－メルカプトベンゾイミダゾールが好ましく、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールまたは５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールがより好ましい。
なかでも、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－エトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールまたは５－クロロ－２－メルカプトベンゾイミダゾールが好ましく、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールまたは５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールがより好ましい。
なお、式（１）で表される化合物のプロトン互変異性体として、下記式（１ａ）で表される化合物が挙げられる。本明細書における特定化合物は、特に言及しない限り、式（１）で表される化合物とともに、式（１ａ）に代表される式（１）で表される化合物のプロトン互変異性体をも含むものとする。
式（１ａ）におけるＲは、上記式（１）におけるＲと同じである。
一方、式（１）で表される化合物の中には、導電性細線部において金属配線を構成する銀等の金属と反応し、チオール基の硫黄原子が水素原子の代わりに銀等の金属と結合する化合物が存在すると推測される。このような式（１）で表される化合物が金属に結合してなる化合物は、式（１）で表される化合物及び特定化合物のいずれにも含まれず、また、硫黄化合物との反応性が低いため、硫化耐性の向上にも寄与しないと考えられる。
一方、式（１）で表される化合物の中には、導電性細線部において金属配線を構成する銀等の金属と反応し、チオール基の硫黄原子が水素原子の代わりに銀等の金属と結合する化合物が存在すると推測される。このような式（１）で表される化合物が金属に結合してなる化合物は、式（１）で表される化合物及び特定化合物のいずれにも含まれず、また、硫黄化合物との反応性が低いため、硫化耐性の向上にも寄与しないと考えられる。
導電性層に含まれる特定化合物は、１種のみであってもよく、２種以上であってもよい。
導電性層に含まれる特定化合物の含有量は、本発明の効果がより優れる点で、導電性層の面積あたり０．０１μｇ／ｃｍ２以上が好ましく、０．１μｇ／ｃｍ２以上がより好ましく、０．２μｇ／ｃｍ２以上が更に好ましい。
特定化合物の含有量の上限値は特に制限されないが、長期保管後の導電性基板の色味変化を抑制する効果がより優れる点で、導電性層の面積あたり１５．０μｇ以下が好ましく、１０．０μｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、８．０μｇ／ｃｍ２以下が更に好ましい。
特定化合物を２種以上用いる際の混合比は、導電性層中に含まれる特定化合物の含有量が上述の範囲ならば、任意に調整してよい。導電性層が２種以上の特定化合物を含む場合、１種の特定化合物の含有量に対する他の特定化合物の含有量の比率は、例えば、質量比で０．０１～２００であってよい。
特定化合物は、導電性層を構成する導電性細線部および透明絶縁部のいずれにも含まれていてよいが、少なくとも透明絶縁部に含まれていることが好ましい。
導電性層に含まれる特定化合物の含有量は、本発明の効果がより優れる点で、導電性層の面積あたり０．０１μｇ／ｃｍ２以上が好ましく、０．１μｇ／ｃｍ２以上がより好ましく、０．２μｇ／ｃｍ２以上が更に好ましい。
特定化合物の含有量の上限値は特に制限されないが、長期保管後の導電性基板の色味変化を抑制する効果がより優れる点で、導電性層の面積あたり１５．０μｇ以下が好ましく、１０．０μｇ／ｃｍ２以下がより好ましく、８．０μｇ／ｃｍ２以下が更に好ましい。
特定化合物を２種以上用いる際の混合比は、導電性層中に含まれる特定化合物の含有量が上述の範囲ならば、任意に調整してよい。導電性層が２種以上の特定化合物を含む場合、１種の特定化合物の含有量に対する他の特定化合物の含有量の比率は、例えば、質量比で０．０１～２００であってよい。
特定化合物は、導電性層を構成する導電性細線部および透明絶縁部のいずれにも含まれていてよいが、少なくとも透明絶縁部に含まれていることが好ましい。
導電性層に含まれる特定化合物の含有量は、導電性層を有する導電性基板を溶媒に浸漬し、特定化合物を抽出した後、溶媒中の特定化合物の含有量を定量することにより、測定できる。特定化合物の含有量の詳しい測定方法は、後述する実施例に記載する。
導電性層は、特定化合物以外の他の化合物を含んでいてもよい。特定化合物以外の化合物としては、チオール基を含む硫黄化合物が好ましく、例えば、２－メルカプトベンゾオキサゾール、および、２－メルカプトベンゾチアゾールが挙げられる。
特定化合物と上記他の化合物を併用する場合の混合比は、導電性層中に含まれる特定化合物の含有量が上述の含有量の範囲ならば、任意に調整してよい。特定化合物の含有量に対する他の化合物の含有量の比率は、例えば、質量比で０．０１～２００であってよい。
特定化合物以外の他の化合物の含有量は、特定化合物の含有量の測定方法として記載する方法に従って測定できる。
特定化合物と上記他の化合物を併用する場合の混合比は、導電性層中に含まれる特定化合物の含有量が上述の含有量の範囲ならば、任意に調整してよい。特定化合物の含有量に対する他の化合物の含有量の比率は、例えば、質量比で０．０１～２００であってよい。
特定化合物以外の他の化合物の含有量は、特定化合物の含有量の測定方法として記載する方法に従って測定できる。
導電性層に特定化合物を含有させる方法は特に制限されないが、基材上に導電性細線部と透明絶縁部とを有する導電性層を形成して導電性基板を製造する途中または製造した後において、導電性層に特定化合物を接触させる方法が好ましい。なかでも、後述する工程Ｐにより、特定化合物を導電性層に接触させる方法がより好ましい。
また、上記の方法に従って、特定化合物以外の他の化合物を導電性層に含有させることができる。
また、上記の方法に従って、特定化合物以外の他の化合物を導電性層に含有させることができる。
〔導電性基板の製造方法〕
次に、導電性基板の製造方法について説明する。
導電性基板の製造方法は、上述した構成の導電性基板が製造できれば特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法、支持体の全面に金属含有層を形成した後、レジストパターンを用いて金属含有層の一部を除去して、細線状の金属含有層を形成する方法、並びに、金属および樹脂を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して細線状の金属含有層を形成する方法が挙げられる。
なかでも、生産性および導電性細線部の導電性がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法が好ましい。具体的には、後述する工程Ａ～工程Ｄをこの順に有する導電性基板の製造方法が挙げられる。
以下、工程Ａ～工程Ｄを有する導電性基板の製造方法について詳述するが、本発明に係る導電性基板の製造方法は、下記の製造方法に制限されない。
次に、導電性基板の製造方法について説明する。
導電性基板の製造方法は、上述した構成の導電性基板が製造できれば特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法、支持体の全面に金属含有層を形成した後、レジストパターンを用いて金属含有層の一部を除去して、細線状の金属含有層を形成する方法、並びに、金属および樹脂を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して細線状の金属含有層を形成する方法が挙げられる。
なかでも、生産性および導電性細線部の導電性がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法が好ましい。具体的には、後述する工程Ａ～工程Ｄをこの順に有する導電性基板の製造方法が挙げられる。
以下、工程Ａ～工程Ｄを有する導電性基板の製造方法について詳述するが、本発明に係る導電性基板の製造方法は、下記の製造方法に制限されない。
＜工程Ａ＞
工程Ａは、基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子（ゼラチンとは異なる高分子化合物）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基材が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
なお、工程Ａで使用される基材、および、特定高分子については上述の通りである。
工程Ａは、基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子（ゼラチンとは異なる高分子化合物）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基材が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
なお、工程Ａで使用される基材、および、特定高分子については上述の通りである。
（ハロゲン化銀）
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀またはヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀またはヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀またはヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀またはヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線部の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上述のハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上述のハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状等）、八面体状、および、１４面体状等の形状が挙げられる。
（ゼラチン）
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
感光性層には、上述の特定高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線部および透明絶縁部の強度がより向上する。
（工程Ａの手順）
工程Ａにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基材上に接触させ、基材上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
工程Ａにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基材上に接触させ、基材上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
溶剤としては、水、有機溶剤（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類およびエーテル類）、イオン性液体、並びに、これらの混合溶剤が挙げられる。
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
溶剤としては、水、有機溶剤（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類およびエーテル類）、イオン性液体、並びに、これらの混合溶剤が挙げられる。
感光性層形成用組成物と基材とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を基材上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に基材を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
（ハロゲン化銀含有感光性層）
上述の手順により形成された感光性層には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ２が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ２がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ２が更に好ましい。
上述の手順により形成された感光性層には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ２が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ２がより好ましい。銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ２が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ２がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ２が更に好ましい。
＜工程Ｂ＞
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線部からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線部からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有してもよい。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
上述の処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成されるとともに、金属銀を含まず、ゼラチンと特定高分子とを含む絶縁層が形成される。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を１．０μｍ以上５．０μｍ未満にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線部の線幅を調整できる。
更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を１．０μｍ以上５．０μｍ未満にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線部の線幅を調整できる。
更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の幅は、１．０μｍ以上５．０μｍ未満が好ましく、形成される導電性細線部が視認されにくい点から、２．０μｍ以下がより好ましい。
なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
＜工程Ｃ＞
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層および絶縁層（以下、両者を「銀含有層等」ともいう。）に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層等中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層等の強度が向上する。
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層および絶縁層（以下、両者を「銀含有層等」ともいう。）に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層等中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層等の強度が向上する。
加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層等に過熱蒸気を接触させる方法、および、温度調整装置（例えば、ヒーター）で加熱する方法が挙げられ、銀含有層等と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層等との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
過熱蒸気と銀含有層等との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
温度調整装置で銀含有層等を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。
＜工程Ｄ＞
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層等中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層等からゼラチンが除去され、銀含有層等の内部に空間が形成される。
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層等中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層等からゼラチンが除去され、銀含有層等の内部に空間が形成される。
ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層等と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層等とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層等を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層等上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、水が含まれることが多い。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度が好ましい。具体的には２０～４５℃が好ましい。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層等と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層等とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層等を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層等上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、水が含まれることが多い。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度が好ましい。具体的には２０～４５℃が好ましい。
なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層等を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層等と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層等を浸漬する方法、および、銀含有層等上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層等との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層等と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層等を浸漬する方法、および、銀含有層等上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層等との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
方法２における手順としては、銀含有層等と上述の酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層等と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層等を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層等上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶剤の種類は特に制限されず、水、および、有機溶剤が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶剤の種類は特に制限されず、水、および、有機溶剤が挙げられる。
＜工程Ｅ＞
導電性基板の製造方法は、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施す工程Ｅを有してもよい。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された銀含有層の内部の空間に金属（めっき金属）を充填し、導電性細線部の導電性を向上させることができる。
導電性基板の製造方法は、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施す工程Ｅを有してもよい。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された銀含有層の内部の空間に金属（めっき金属）を充填し、導電性細線部の導電性を向上させることができる。
めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、または、置換めっき）および電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線部の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線部の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
上述のめっき処理の手順は特に制限されず、銀含有層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法、および、めっき液を銀含有層に塗布する方法が挙げられる。
銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線部の導電性がより優れる点および生産性の点から、２０秒間～３０分間が好ましい。
銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線部の導電性がより優れる点および生産性の点から、２０秒間～３０分間が好ましい。
＜工程Ｆ＞
導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層等に、更に平滑化処理を施す工程Ｆを有してもよい。
導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層等に、更に平滑化処理を施す工程Ｆを有してもよい。
平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、銀含有層等を有する基材を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
＜工程Ｇ＞
導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層等に加熱処理を施す工程Ｇを有してもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線部が得られる。
導電性細線部に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層等に加熱処理を施す工程Ｇを有してもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線部が得られる。
導電性細線部に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
＜工程Ｈ＞
導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、基材上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有してもよい。本工程を実施することにより、基材とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電性層と基材との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線部の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、基材上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有してもよい。本工程を実施することにより、基材とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電性層と基材との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線部の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線部の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線部の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
＜工程Ｉ＞
導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有してもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ２超０．３ｇ／ｍ２以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ２がより好ましい。
導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有してもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ２超０．３ｇ／ｍ２以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ２がより好ましい。
保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
なお、上述した工程Ｈ、工程Ａおよび工程Ｉは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
＜工程Ｐ＞
導電性基板の製造方法は、上記の基材上に形成された導電性層に特定化合物を接触させ、導電性層に特定化合物が含まれている本発明の導電性基板を作製する工程Ｐを有する。
導電性層と特定化合物とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、特定化合物を含む処理液中に導電性層が形成された基材を浸漬する方法、および、特定化合物を含む処理液を導電性層が形成された基材の表面に塗布する方法が挙げられる。
工程Ｐを実施し、特定化合物が導電性層を構成する導電性細線部および透明絶縁部に浸透および吸着させることにより、導電性細線部の硫化耐性が向上する。
導電性基板の製造方法は、上記の基材上に形成された導電性層に特定化合物を接触させ、導電性層に特定化合物が含まれている本発明の導電性基板を作製する工程Ｐを有する。
導電性層と特定化合物とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、特定化合物を含む処理液中に導電性層が形成された基材を浸漬する方法、および、特定化合物を含む処理液を導電性層が形成された基材の表面に塗布する方法が挙げられる。
工程Ｐを実施し、特定化合物が導電性層を構成する導電性細線部および透明絶縁部に浸透および吸着させることにより、導電性細線部の硫化耐性が向上する。
上記の特定化合物を含む処理液は、特定化合物を溶剤に溶解させてなる溶液であることが好ましい。使用される溶剤の種類は特に制限されず、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が挙げられる。好ましい溶剤としては、アルコール類、および、エーテル類が挙げられる。好ましい溶剤の具体例としては、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、エチレングリコールプロピルエーテル（より好ましくはエチレングリコールモノプロピルエーテル）、エチレングリコールブチルエーテル（より好ましくはエチレングリコールモノブチルエーテル）、プロピレングリコールプロピルエーテル（より好ましくはプロピレングリコールモノプロピルエーテル）、ジエチレングリコールブチルエーテル（より好ましくはジエチレングリコールモノブチルエーテル）が挙げられる。
上記の処理液における特定化合物の含有量は、目的とする導電性層に含有させる特定化合物の量、および、処理条件に応じて適宜すればよいが、処理液の総質量に対して、０．０１～２質量％が好ましく、０．１～０．５質量％がより好ましい。
上記処理液を導電性層に接触させる際の処理液の温度は、例えば、２５～６０℃である。
特定化合物と導電性層との接触時間は特に制限されないが、０．１～１０分間が好ましく、０．２～３分間がより好ましい。
上記の処理液における特定化合物の含有量は、目的とする導電性層に含有させる特定化合物の量、および、処理条件に応じて適宜すればよいが、処理液の総質量に対して、０．０１～２質量％が好ましく、０．１～０．５質量％がより好ましい。
上記処理液を導電性層に接触させる際の処理液の温度は、例えば、２５～６０℃である。
特定化合物と導電性層との接触時間は特に制限されないが、０．１～１０分間が好ましく、０．２～３分間がより好ましい。
〔導電性基板の用途〕
上述のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボード等の用途に適用できる。なかでも、本導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本導電性基板を有するタッチパネルにおいて、上述した導電性細線部は、検出電極として有効に機能し得る。本導電性基板をタッチパネルに用いる場合、導電性基板と組み合わせて使用する表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、および、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルが挙げられ、ＯＬＥＤパネルとの組合せが好ましい。
上述のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボード等の用途に適用できる。なかでも、本導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本導電性基板を有するタッチパネルにおいて、上述した導電性細線部は、検出電極として有効に機能し得る。本導電性基板をタッチパネルに用いる場合、導電性基板と組み合わせて使用する表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、および、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルが挙げられ、ＯＬＥＤパネルとの組合せが好ましい。
なお、導電性基板は、導電性細線部を有する導電性層とは別に、導電性層とは構成が異なる導電部を有してもよい。この導電部は、上述した導電性細線部と電気的に接続して、導通していてもよい。導電部としては、例えば、上述した導電性細線部に電圧を印加する機能を有する周辺配線、および、導電性基板と積層する部材の位置を調整するアライメントマーク等が挙げられる。
本導電性基板の上記以外の用途としては、例えば、パーソナルコンピュータおよびワークステーション等の電子機器から発生する電波およびマイクロ波（極超短波）等の電磁波を遮断し、かつ静電気を防止する電磁波シールドが挙げられる。このような電磁波シールドは、パーソナルコンピュータ本体以外に、映像撮影機器および電子医療機器等の電子機器にも使用できる。
本導電性基板は、透明発熱体にも使用できる。
本導電性基板は、透明発熱体にも使用できる。
本導電性基板は、取り扱い時および搬送時において、導電性基板と、粘着シートおよび剥離シート等の他の部材とを有する積層体の形態で用いられてもよい。剥離シートは、積層体の搬送時に、導電性基板における傷の発生を防止するための保護シートとして機能する。
また、導電性基板は、例えば、導電性基板、粘着シートおよび保護層をこの順で有する複合体の形態で取り扱われてもよい。
また、導電性基板は、例えば、導電性基板、粘着シートおよび保護層をこの順で有する複合体の形態で取り扱われてもよい。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。本発明の導電性基板について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更を行ってもよい。
以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
［実施例１］
〔ハロゲン化銀乳剤の調製〕
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
〔ハロゲン化銀乳剤の調製〕
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上述の得られた溶液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、得られた溶液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。次に、上澄み液を除去した溶液に、３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第３水洗）、水洗および脱塩工程を終了した。水洗および脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇおよび塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、さらに、得られた乳剤に、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、および、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）２００ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
〔感光性層形成用組成物の調製〕
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
〔下塗り層の形成〕
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）からなる基材の表面に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）からなる基材の表面に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
〔工程Ｈ１、工程Ａ１、工程Ｉ１〕
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
〔工程Ｂ１〕
作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した（以下、「メッシュパターン電極」ともいう。）。フォトマスクとしてはパターン形成用のマスクを用いており、図２に示すような格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した（以下、「メッシュパターン電極」ともいう。）。フォトマスクとしてはパターン形成用のマスクを用いており、図２に示すような格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った。その後、２５℃の純水でリンスし、乾燥して、金属銀を含む導電性細線部および透明絶縁部を含む導電性層を有し、導電性細線部がくし型パターン状に形成されてなるサンプルＡと、金属銀を含む導電性細線部および透明絶縁部を含む導電性層を有し、導電性細線部がメッシュパターン状に形成されてなるサンプルＢを得た。サンプルＢにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
得られた上述のサンプルを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
〔工程Ｃ１〕
工程Ｂ１で得られたサンプルを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
工程Ｂ１で得られたサンプルを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
〔工程Ｄ１〕
工程Ｃ１で得られたサンプルを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に３０秒間浸漬した。サンプルをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、サンプルを自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミンおよび硫酸を加えてｐＨを８．５に調整した。
工程Ｃ１で得られたサンプルを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に３０秒間浸漬した。サンプルをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、サンプルを自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミンおよび硫酸を加えてｐＨを８．５に調整した。
〔工程Ｇ１〕
工程Ｄ１で得られたサンプルを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽内に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
工程Ｄ１で得られたサンプルを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽内に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
〔工程Ｐ１〕
工程Ｇ１で得られたサンプルを、処理液Ａ（２５℃）に９０秒間浸漬した。サンプルを処理液Ａから取り出し、サンプルを２５℃の水に３０秒間浸漬して、洗浄した。処理液Ａ（全量１２００ｇ）の組成は、以下の通りであった。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
（処理液Ａの組成）
・２－メルカプトベンゾイミダゾール ２．４ｇ
・エタノール ６００ｇ
・水 残部
工程Ｇ１で得られたサンプルを、処理液Ａ（２５℃）に９０秒間浸漬した。サンプルを処理液Ａから取り出し、サンプルを２５℃の水に３０秒間浸漬して、洗浄した。処理液Ａ（全量１２００ｇ）の組成は、以下の通りであった。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
（処理液Ａの組成）
・２－メルカプトベンゾイミダゾール ２．４ｇ
・エタノール ６００ｇ
・水 残部
〔乾燥工程〕
工程Ｐ１で得られたサンプルを、６５℃で９０秒間加熱し、乾燥させた。
上記工程により、メッシュパターン電極を有するサンプルを作製した。
工程Ｐ１で得られたサンプルを、６５℃で９０秒間加熱し、乾燥させた。
上記工程により、メッシュパターン電極を有するサンプルを作製した。
［実施例２～１８］
実施例２～１８において、上記工程Ｐ１においてサンプルを浸漬する処理液として、後述する表１に示す処理液をそれぞれ調製した。
実施例２～１１では、２－メルカプトベンゾイミダゾールに代えて、後述する表１に記載の特定化合物を使用した。
実施例１２では、特定化合物として、２－メルカプトベンゾイミダゾールおよび５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールを、２－メルカプトベンゾイミダゾール／５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールの質量比が９０／１０となる量で使用した。
実施例１３では、特定化合物として、２－メルカプトベンゾイミダゾールおよび２－メルカプト－５－ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムを、２－メルカプトベンゾイミダゾール／２－メルカプト－５－ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムの質量比が８５／１５ととなる量で使用した。
実施例１４では、２－メルカプトベンゾイミダゾールに加えて、特定化合物以外の他の硫黄化合物である２－メルカプトベンゾオキサゾールを使用した。
実施例２～１８において、上記工程Ｐ１においてサンプルを浸漬する処理液として、後述する表１に示す処理液をそれぞれ調製した。
実施例２～１１では、２－メルカプトベンゾイミダゾールに代えて、後述する表１に記載の特定化合物を使用した。
実施例１２では、特定化合物として、２－メルカプトベンゾイミダゾールおよび５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールを、２－メルカプトベンゾイミダゾール／５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールの質量比が９０／１０となる量で使用した。
実施例１３では、特定化合物として、２－メルカプトベンゾイミダゾールおよび２－メルカプト－５－ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムを、２－メルカプトベンゾイミダゾール／２－メルカプト－５－ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムの質量比が８５／１５ととなる量で使用した。
実施例１４では、２－メルカプトベンゾイミダゾールに加えて、特定化合物以外の他の硫黄化合物である２－メルカプトベンゾオキサゾールを使用した。
また、実施例１２～１８では、後述する表１に記載の溶剤を使用して、処理液を調製した。実施例１２～１４では、水およびエタノールを含み、水／エタノールの混合比率（質量比）が８５／１５である混合溶剤を使用した。実施例１５～１８では、水、エタノールおよび後述する表１に記載の各エーテルを含み、水／エタノール／各エーテルの混合比率（質量比）が８５／７．５／７．５である混合溶剤を使用した。
工程Ｐ１において使用する処理液を調製する際、処理液に含まれる特定化合物および溶剤の種類および含有量を、導電性層の面積あたりの特定化合物の含有量が後述する表１に記載の数値となるように適宜調整したこと以外は、実施例１に記載の手順に従って、実施理２～１３および１５～１８の導電性基板のサンプルをそれぞれ作製した。
同様に、工程Ｐ１において使用する処理液を調製する際、処理液に含まれる特定化合物、他の硫黄化合物および溶剤の種類および含有量を、導電性層の面積あたりの特定化合物および他の硫黄化合物の含有量が後述する表１に記載の数値となるように適宜調整したこと以外は、実施例１に記載の手順に従って、実施理１４の導電性基板のサンプルを作製した。
使用した処理液の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
同様に、工程Ｐ１において使用する処理液を調製する際、処理液に含まれる特定化合物、他の硫黄化合物および溶剤の種類および含有量を、導電性層の面積あたりの特定化合物および他の硫黄化合物の含有量が後述する表１に記載の数値となるように適宜調整したこと以外は、実施例１に記載の手順に従って、実施理１４の導電性基板のサンプルを作製した。
使用した処理液の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
［実施例１９］
〔工程Ｅ１〕
実施例１の工程Ｄ１で得られたサンプルを、下記の組成のめっき液（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルをめっき液から取り出し、温水（５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
めっき液（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液のｐＨは９．９であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
〔工程Ｅ１〕
実施例１の工程Ｄ１で得られたサンプルを、下記の組成のめっき液（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルをめっき液から取り出し、温水（５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
めっき液（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液のｐＨは９．９であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
（めっき液の組成）
・ＡｇＮＯ３ ２．１ｇ
・亜硫酸ナトリウム ８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６０ｇ
・アロンＴ－５０（東亞合成(株)製、固形分濃度４０％） ３６ｇ
・メチルヒドロキノン １３ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
・ＡｇＮＯ３ ２．１ｇ
・亜硫酸ナトリウム ８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６０ｇ
・アロンＴ－５０（東亞合成(株)製、固形分濃度４０％） ３６ｇ
・メチルヒドロキノン １３ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
工程Ｐ１において、工程Ｄ１で得られたサンプルに代えて上記の工程Ｅ１で得られたサンプルを用いること以外は実施例１に記載の手順に従って、導電性基板のサンプルを作製した。
［実施例２０～２１］
上記工程Ｐ１においてサンプルを浸漬する処理液として、２－メルカプトベンゾイミダゾールに代えて、後述する表１に示す特定化合物を含む処理液をそれぞれ調製した。工程Ｐ１において使用する処理液に含まれる特定化合物の種類および含有量を適宜調整したこと以外は、実施例１２に記載の手順に従って導電性基板のサンプルをそれぞれ作製した。
上記工程Ｐ１においてサンプルを浸漬する処理液として、２－メルカプトベンゾイミダゾールに代えて、後述する表１に示す特定化合物を含む処理液をそれぞれ調製した。工程Ｐ１において使用する処理液に含まれる特定化合物の種類および含有量を適宜調整したこと以外は、実施例１２に記載の手順に従って導電性基板のサンプルをそれぞれ作製した。
［比較例１～２］
工程Ｄ１で得られたサンプルに対して、工程Ｐ１を実施せずに工程Ｇ１を実施したこと以外は実施例１に記載の手順に従って、導電性基板のサンプルを作製した（比較例１）。
また、工程Ｅ１で得られたサンプルに対して、工程Ｐ１を実施せずに工程Ｇ１を実施したこと以外は実施例１２に記載の手順に従って、導電性基板のサンプルを作製した（比較例２）。
工程Ｄ１で得られたサンプルに対して、工程Ｐ１を実施せずに工程Ｇ１を実施したこと以外は実施例１に記載の手順に従って、導電性基板のサンプルを作製した（比較例１）。
また、工程Ｅ１で得られたサンプルに対して、工程Ｐ１を実施せずに工程Ｇ１を実施したこと以外は実施例１２に記載の手順に従って、導電性基板のサンプルを作製した（比較例２）。
［測定および評価］
〔特定化合物の定量〕
実施例及び比較例で作製された各導電性基板に含まれる特定化合物の含有量を、以下の方法で定量した。
作製されたサンプルを１ｃｍ×１ｃｍのサイズにカットした。１５枚のカットされたサンプルを１００ｍＬのエタノール（温度３０℃）中に浸漬し、２４時間静置することにより、サンプルに含まれる特定化合物を抽出した。
エタノール溶液からサンプルを取り出した後、抽出された特定化合物を含むエタノール溶液を、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ：High Performance Liquid Chromatography-Mass Spectrometry）法により下記の測定条件で測定し、絶対検量線法にて特定化合物を定量した。
後述する表１に、各サンプルに含まれる特定化合物の含有量（単位：μｇ／ｃｍ２）を示す。
なお、各導電性基板の作製に用いた上記の厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムについて、上記の方法でフィルムに含まれる特定化合物の定量を実施したところ、特定化合物の含有量は検出限界以下であった。
〔特定化合物の定量〕
実施例及び比較例で作製された各導電性基板に含まれる特定化合物の含有量を、以下の方法で定量した。
作製されたサンプルを１ｃｍ×１ｃｍのサイズにカットした。１５枚のカットされたサンプルを１００ｍＬのエタノール（温度３０℃）中に浸漬し、２４時間静置することにより、サンプルに含まれる特定化合物を抽出した。
エタノール溶液からサンプルを取り出した後、抽出された特定化合物を含むエタノール溶液を、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ：High Performance Liquid Chromatography-Mass Spectrometry）法により下記の測定条件で測定し、絶対検量線法にて特定化合物を定量した。
後述する表１に、各サンプルに含まれる特定化合物の含有量（単位：μｇ／ｃｍ２）を示す。
なお、各導電性基板の作製に用いた上記の厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムについて、上記の方法でフィルムに含まれる特定化合物の定量を実施したところ、特定化合物の含有量は検出限界以下であった。
（ＨＰＬＣ測定条件）
カラム：ＯＤＳ（Octadecyl Silyl）カラム（４．６ｍｍ×５０ｍｍ）（ジーエルサイエンス株式会社製「ＩｎｅｒｔＳｕｓｔａｉｎ ＡＱ－Ｃ１８」）
溶離液：０．１％リン酸水溶液／０．１％リン酸アセトニトリル（混合比：５０／５０）
流 速：０．７ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：フォトダイオードアレイ
試料注入量：１０μＬ
カラム：ＯＤＳ（Octadecyl Silyl）カラム（４．６ｍｍ×５０ｍｍ）（ジーエルサイエンス株式会社製「ＩｎｅｒｔＳｕｓｔａｉｎ ＡＱ－Ｃ１８」）
溶離液：０．１％リン酸水溶液／０．１％リン酸アセトニトリル（混合比：５０／５０）
流 速：０．７ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：フォトダイオードアレイ
試料注入量：１０μＬ
〔硫化耐性〕
実施例及び比較例で作製された各導電性基板の硫化耐性を、以下の方法で評価した。
作製されたメッシュ型のパターン形状を有するサンプルの抵抗値（Ｒ０）を測定した。測定では、各サンプルについて、Ａｇｉｌｅｎｔ ３４４０５Ａマルチメータ装置を用いて距離４ｃｍの端子間の電気抵抗（単位：ｋΩ）を測定した。
次いで、加硫されたＥＰＤＭ（エチレンプロピレンジエンゴム）「Ｅ－４４０８」（株式会社イノアックコーポレーション社製）を長さ３．５ｃｍ、幅３ｍｍ、厚さ１ｍｍにカットし、ＥＰＤＭの切片が導電性層側の表面と接するようにサンプルに固定した。切片を固定したサンプルを８０℃で５日間静置した後、切片をサンプルから取り除き、上記の方法でサンプルの抵抗値（Ｒ１）を測定した。
測定された抵抗値から、抵抗変化率＝（Ｒ１／Ｒ０－１）×１００［％］の式により抵抗変化率を算出した。算出された抵抗変化率から、以下の基準に従って各サンプルの硫化耐性を評価した。硫化耐性の評価がＡ又はＢであれば、実用上問題ないと考えられる。
実施例及び比較例で作製された各導電性基板の硫化耐性を、以下の方法で評価した。
作製されたメッシュ型のパターン形状を有するサンプルの抵抗値（Ｒ０）を測定した。測定では、各サンプルについて、Ａｇｉｌｅｎｔ ３４４０５Ａマルチメータ装置を用いて距離４ｃｍの端子間の電気抵抗（単位：ｋΩ）を測定した。
次いで、加硫されたＥＰＤＭ（エチレンプロピレンジエンゴム）「Ｅ－４４０８」（株式会社イノアックコーポレーション社製）を長さ３．５ｃｍ、幅３ｍｍ、厚さ１ｍｍにカットし、ＥＰＤＭの切片が導電性層側の表面と接するようにサンプルに固定した。切片を固定したサンプルを８０℃で５日間静置した後、切片をサンプルから取り除き、上記の方法でサンプルの抵抗値（Ｒ１）を測定した。
測定された抵抗値から、抵抗変化率＝（Ｒ１／Ｒ０－１）×１００［％］の式により抵抗変化率を算出した。算出された抵抗変化率から、以下の基準に従って各サンプルの硫化耐性を評価した。硫化耐性の評価がＡ又はＢであれば、実用上問題ないと考えられる。
（硫化耐性評価基準）
「Ａ」：抵抗変化率が３０％以下。
「Ｂ」：抵抗変化率が３０％超５０％以下。
「Ｃ」：抵抗変化率が５０％超。
「Ａ」：抵抗変化率が３０％以下。
「Ｂ」：抵抗変化率が３０％超５０％以下。
「Ｃ」：抵抗変化率が５０％超。
〔色味変化Δｂ＊〕
実施例及び比較例で作製された各導電性基板の色味変化Δｂ＊を、以下の方法で評価した。
作製されたサンプルを３ｃｍ×３ｃｍにカットし、反射濃度計（Ｇｒｅｔａｇ Ｍａｃｂｅｔｈ製「ＳｐｅｃｔｒｏＥｙｅ（登録商標）ＬＴ」）を用いて、カットされたサンプルの導電性層側の表面のｂ＊値（ｂ＊０）を測定した。なおｂ＊値は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における指数の１つであり、ｂ＊値が正方向に大きくなるほど、黄色味が強くなる。
次いで、カットされたサンプルに対して、温度６０℃、湿度９０ＲＨ％の環境下で１０日間静置した。保管試験を行ったサンプルを室温に戻し、再び反射濃度計を用いてサンプルの導電性層側の表面のｂ＊値（ｂ＊１）を測定した。
保管試験前後のｂ＊値の変化量（Δｂ＊）を、Δｂ＊＝ｂ＊１－ｂ＊０の式を用いて計算した。Δｂ＊が０に近いほど、経時による導電性基板の色味変化が少なく、実際の使用において問題が起こり難い。
実施例及び比較例で作製された各導電性基板の色味変化Δｂ＊を、以下の方法で評価した。
作製されたサンプルを３ｃｍ×３ｃｍにカットし、反射濃度計（Ｇｒｅｔａｇ Ｍａｃｂｅｔｈ製「ＳｐｅｃｔｒｏＥｙｅ（登録商標）ＬＴ」）を用いて、カットされたサンプルの導電性層側の表面のｂ＊値（ｂ＊０）を測定した。なおｂ＊値は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における指数の１つであり、ｂ＊値が正方向に大きくなるほど、黄色味が強くなる。
次いで、カットされたサンプルに対して、温度６０℃、湿度９０ＲＨ％の環境下で１０日間静置した。保管試験を行ったサンプルを室温に戻し、再び反射濃度計を用いてサンプルの導電性層側の表面のｂ＊値（ｂ＊１）を測定した。
保管試験前後のｂ＊値の変化量（Δｂ＊）を、Δｂ＊＝ｂ＊１－ｂ＊０の式を用いて計算した。Δｂ＊が０に近いほど、経時による導電性基板の色味変化が少なく、実際の使用において問題が起こり難い。
下記表１に、導電性基板の作製におけるめっき処理（工程Ｅ１）の実施の有無、導電性基板に含まれる特定化合物の種類および含有量、並びに、硫化耐性および色味変化Δｂ＊の各評価結果を示す。
表中、「溶剤」の「名称」欄において、「ＤＥＧＭＢＥ」、「ＰＧＭＰＥ」、「ＥＧＭＰＥ」および「ＥＧＭＢＥ」は、それぞれ、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、および、エチレングリコールモノブチルエーテルを意味する。
表中、「溶剤」の「名称」欄において、「ＤＥＧＭＢＥ」、「ＰＧＭＰＥ」、「ＥＧＭＰＥ」および「ＥＧＭＢＥ」は、それぞれ、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、および、エチレングリコールモノブチルエーテルを意味する。
表１に示すように、本発明の導電性基板によれば、所望の効果が得られることが確認された。
また、含有量が同程度である実施例１～３および５の対比から、特定化合物が２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾールまたは５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールである場合、本発明の効果がより優れることが確認された。
また、特定化合物の含有量が導電性層の面積あたりで０．１～１０μｇ／ｃｍ２である場合、本発明の効果と色味変化Δｂ＊の抑制効果とがバランス良く優れることが確認された。
また、特定化合物の含有量が導電性層の面積あたりで０．１～１０μｇ／ｃｍ２である場合、本発明の効果と色味変化Δｂ＊の抑制効果とがバランス良く優れることが確認された。
１０ 導電性基板
１２ 基材
１４ 導電性層
１６ 導電性細線部
１８ 透明絶縁部
２０ 非細線部
１２ 基材
１４ 導電性層
１６ 導電性細線部
１８ 透明絶縁部
２０ 非細線部
Claims (7)
- 基材と、
前記基材上に配置された導電性層と、を有する導電性基板であって、
前記導電性層が、金属を含む導電性細線部と、前記導電性細線部に隣接し、金属を含まない透明絶縁部とを有し、
前記導電性層が下記式（１）で表される化合物を含む、導電性基板。
- 前記Ｒが、水素原子、炭素数１～３のアルキル基、または、炭素数１～３のアルコキシ基を表す、請求項１に記載の導電性基板。
- 前記化合物が、２－メルカプトベンゾイミダゾール、５－メチル－２－メルカプトベンゾイミダゾール、および、５－メトキシ－２－メルカプトベンゾイミダゾールからなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の導電性基板。
- 前記導電性層の面積あたりの前記化合物の含有量が０．１～１０μｇ／ｃｍ２である、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性基板。
- 前記金属が銀を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性基板。
- 前記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基板。
- 請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性基板を有する、タッチパネル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/861,968 US11581106B1 (en) | 2021-08-31 | 2022-07-11 | Conductive substrate and touch panel |
| CN202210839920.7A CN115734466A (zh) | 2021-08-31 | 2022-07-18 | 导电性基板、触摸面板 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021140623 | 2021-08-31 | ||
| JP2021140623 | 2021-08-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023035785A true JP2023035785A (ja) | 2023-03-13 |
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ID=85504047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022015662A Pending JP2023035785A (ja) | 2021-08-31 | 2022-02-03 | 導電性基板、タッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023035785A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024043032A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 富士フイルム株式会社 | 導電性基板、タッチパネル |
-
2022
- 2022-02-03 JP JP2022015662A patent/JP2023035785A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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