CN115734466A - 导电性基板、触摸面板 - Google Patents

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CN115734466A CN202210839920.7A CN202210839920A CN115734466A CN 115734466 A CN115734466 A CN 115734466A CN 202210839920 A CN202210839920 A CN 202210839920A CN 115734466 A CN115734466 A CN 115734466A
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Abstract

本发明涉及导电性基板、触摸面板，课题在于提供一种导电性细线部的耐硫化性优异的导电性基板。一种导电性基板，其具有：基材；及导电性层，配置于基材上，所述导电性基板中，导电性层具有：导电性细线部，包含金属；及透明绝缘部，与导电性细线部相邻且不含金属，导电性层包含由式(1)表示的化合物。

Description

导电性基板、触摸面板
技术领域
本发明涉及一种导电性基板及触摸面板。
背景技术
具有导电性细线(显示导电性的细线状的配线)的导电性基板广泛用于触摸面板、太阳能电池及EL(电致发光：Electro luminescence)元件等各种用途。尤其，近年来，触摸面板在移动电话及便携式游戏机上的搭载率上升，能够多点检测的静电电容方式的触摸面板用导电性基板的需求迅速扩大。
例如，在专利文献1中公开了一种与具有多个重复单元的电极图案片材的制造方法有关的技术，该重复单元包括具有包含金属的导电图案和与该导电图案连接的周边配线部的图像单元及无法连接相邻的图像单元的非导电部，作为导电图案及周边配线部的形成方法，记载了印刷方式、光刻方式及将银盐照片感光材料用作导电性材料前体的方法等。
专利文献1：日本特开2015-133239号公报
在这种触摸面板中，与导电性基板一同在其周边搭载有各种部件。在这些周边部件中所使用的缓冲材料及粘结剂等中有时混入有含硫化合物。并且，在触摸面板的使用环境中也存在H2S及SO2等硫成分。
本发明人参考专利文献1对具有导电性细线的导电性基板进行研究的结果，发现了由于存在于导电性基板的周围的这些硫源，产生构成配线的金属细线的硫化反应，由此配线的导电性下降，存在引起触摸面板的灵敏度降低及动作不良等故障的问题。
发明内容
鉴于上述实际情况，本发明的课题在于提供一种导电性细线部的耐硫化性优异的导电性基板。
本发明人对上述课题进行深入研究的结果，发现了能够通过以下结构来解决上述课题。
〔1〕一种导电性基板，其具有：基材；及导电性层，配置于上述基材上，上述导电性基板中，上述导电性层具有：导电性细线部，包含金属；及透明绝缘部，与上述导电性细线部相邻且不含金属，上述导电性层包含由后述的式(1)表示的化合物。
〔2〕根据〔1〕所述的导电性基板，其中，
式(1)中的R表示氢原子、碳原子数1～3的烷基或碳原子数1～3的烷氧基。
〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的导电性基板，其中，
上述化合物包含：选自包括2-巯基苯并咪唑、5-甲基-2-巯基苯并咪唑及5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑的组中的至少1种。
〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的导电性基板，其中，
上述导电性层的每单位面积的上述化合物的含量为0.1～10μg/cm2。
〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的导电性基板，其中，
上述金属包括银。
〔6〕根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的导电性基板，其具有由上述导电性细线形成的网格图案。
〔7〕一种触摸面板，其具有〔1〕至〔6〕中任一项所述的导电性基板。
发明效果
根据本发明，能够提供一种导电性细线部的耐硫化性优异的导电性基板。
附图说明
图1是表示本发明的导电性基板的构成的一例的示意性剖视图。
图2是表示本发明的导电性基板的导电性层所具有的网格图案的一例的俯视图。
具体实施方式
以下，参考附图，对本发明的导电性基板详细地进行说明。
以下所记载的构成要件的说明是基于本发明的代表性实施方式来进行的，但本发明并不限制于这种实施方式。并且，以下所示的图是用于说明本发明的示例，本发明不受以下所示的图限制。
在本说明书中，使用“～”来表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
在本说明书中，在某种成分存在2种以上的情况下，该成分的“含量”是指这些2种以上的成分的总含量。
在本说明书中，“g”及“mg”分别表示“质量g”及“质量mg”。
在本说明书中，“高分子”或“高分子化合物”是指重均分子量为2000以上的化合物。在此，重均分子量被定义为基于GPC(Gel Permeation Chromatography：凝胶渗透色谱法)测定的聚苯乙烯换算值。
在本说明书中，只要无特别记载，则与由具体数值表示的角度、以及“平行”、“垂直”及“正交”等角度有关的标记，包括该技术领域中通常容许的误差范围。
本说明书中的“有机基团”是指包含至少1个碳原子的基团。
[导电性基板]
本发明所涉及的导电性基板具有基材和配置于基材上的导电性层。导电性层具有导电性细线部和与导电性细线部相邻的透明绝缘部。导电性细线部包含金属，透明绝缘部不含金属。并且，导电性层还包含由后述的式(1)表示的化合物。
图1是表示本发明所涉及的导电性基板的构成的一例的示意性剖视图。
图1所示的导电性基板10具有基材12和配置于基材12的表面上的导电性层14。导电性层14由导电性细线部16和与导电性细线部16相邻的透明绝缘部18构成。另外，在图1中，示出了沿着与纸面垂直的方向延伸的2个导电性细线部16，但是导电性细线部16的配置形态及其数量并无特别限制。
〔基材〕
关于基材，只要是能够支撑感光性层及导电性细线部的部件，则其种类并无特别限制，可举出塑料基板、玻璃基板及金属基板，优选塑料基板。
作为基材，从所获得的导电性部件的折弯性优异的观点出发，优选具有挠性的基材。作为具有挠性的基材，可举出上述塑料基板。
基材的厚度并无特别限制，通常为25～500μm。另外，在将导电性基板应用于触摸面板时，将基材表面用作触摸面的情况下，基材的厚度可以超过500μm。
作为构成基材的材料，优选聚对苯二甲酸乙二酯(PET)(258℃)、聚环烯烃(134℃)、聚碳酸酯(250℃)、丙烯酸薄膜(128℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(269℃)、聚乙烯(135℃)、聚丙烯(163℃)、聚苯乙烯(230℃)、聚氯乙烯(180℃)、聚偏二氯乙烯(212℃)及三乙酰纤维素(290℃)等熔点约为290℃以下的树脂，更优选PET、聚环烯烃或聚碳酸酯。其中，从与导电性细线部的密合性优异的观点出发，尤其优选PET。上述()内的数值为熔点或玻璃化转变温度。
基材的总透光率优选85～100％。关于总透光率，使用JIS(日本工业标准)K7375：2008中所规定的“塑料-总透光率及总光线反射率的求出方法”来测定。
可以在基材的表面上配置底涂层。
底涂层优选包含后述的特定高分子。若使用该底涂层，则后述的导电性层对基材的密合性进一步提高。
底涂层的形成方法并无特别限制，例如，可举出如下方法：将包含后述的特定高分子的底涂层形成用组合物涂布于基材上，并根据需要实施加热处理。根据需要，在底涂层形成用组合物中可以包含溶剂。溶剂的种类并无特别限制，可例示后述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。并且，作为包含特定高分子的底涂层形成用组合物，可以使用包含特定高分子的粒子的胶乳。
底涂层的厚度并无特别限制，从导电层对基材的密合性更优异的观点出发，优选0.02～0.3μm，更优选0.03～0.2μm。
〔导电性层〕
导电性层具有导电性细线部和透明绝缘部。即，在导电性基板的基材的表面上配置有包含金属的导电性细线部和不含金属的透明绝缘部作为导电性层。
导电性层中的导电性细线部及透明绝缘部的配置并无特别限制。
导电性层可以具有由导电性细线部及透明绝缘部形成的图案。该图案并无特别限制，例如，优选为正三角形、等腰三角形及直角三角形等三角形、正方形、矩形、菱形、平行四边形及梯形等四边形、(正)六边形及(正)八边形等(正)n边形、圆、椭圆、星形以及将这些图形组合而成的几何图形，更优选为网格状(网格图案)。
图2是表示导电性层所具有的网格图案的一例的俯视图。
如图2所示，网格状是指包括由透明绝缘部18构成且通过交叉的导电性细线部16各自相互分开的多个非细线部(格栅)20的形状。在图2中，非细线部20具有一边的长度为L的正方形形状，但是网格图案的非细线部部可以是其他形状，例如可以是多边形(例如，三角形、四边形(菱形、矩形等)、六边形及不规则的多边形)。并且，边的形状可以是除了直线以外的弯曲的形状，也可以是圆弧状。在设为圆弧状的情况下，例如，可以对于对置的两边，设为向外凸出的圆弧状，对于另外对置的两边，设为向内凸出的圆弧状。并且，也可以将各边的形状设为向外凸出的圆弧和向内凸出的圆弧连续的波浪线形状。当然，可以将各边的形状设为正弦曲线。
非细线部20的一边的长度L并无特别限制，但是优选1500μm以下，更优选1300μm以下，进一步优选1000μm以下。长度L的下限值并无特别限制，但是优选5μm以上，更优选30μm以上，进一步优选80μm以上。在非细线部的一边的长度在上述范围内的情况下，还能够进一步良好地保持透明性，将导电性基板安装于显示装置的前表面时，能够无违和感地视觉辨认显示。
从可见光透射率的观点出发，由导电性细线部形成的网格图案的开口率优选90％以上，更优选95％以上，进一步优选99％以上。上限并无特别限制，但是可举出小于100％。
开口率是指，在导电性基板的形成有网格图案的区域中，透明绝缘部所占的区域相对于网格图案所占的整个区域的比例(面积比)。
导电性层的厚度并无特别限制，但是优选0.5～3.0μm，更优选1.0～2.0μm。
导电性层的厚度通过如下方式来求出：使用扫描型电子显微镜选择相当于1个导电性细线部的厚度的任意5个部位，计算相当于5个部位的厚度的部分的算术平均值。
＜导电性细线部＞
导电性细线部为通过包含金属来确保导电性基板的导电特性的部分。
作为金属，从导电特性更优异的观点出发，优选与选自包括银(金属银)、铜(金属铜)、金(金属金)、镍(金属镍)及钯(金属钯)的组中的1个以上的金属的混合物，更优选银单体或银与铜的混合物，进一步优选银单体。
在本说明书中，导电性细线部是指配置于基材的表面并且由包含金属的材料形成为一体的细线状的区域。例如，通过后述的工序H形成的不含卤化银层及通过后述的工序I形成的保护层与通过后述的工序A及工序B形成的细线状的含金属层(含银层)一同构成导电性细线部。
并且，导电性细线部可以与导电性基板的外部部件电连接，也可以不电连接。导电性细线部的一部分可以是与外部电绝缘的虚设电极。
导电性细线部中所包含的金属通常为固体粒子状。金属的平均粒径以球当量直径计优选10～1000nm，更优选10～200nm。另外，球当量直径是指具有相同体积的球形粒子的直径，金属粒子的平均粒径作为测定100个对象物的球当量直径并将它们进行算术平均而得的平均值获得。
金属粒子的形状并无特别限制，例如，可举出球状、立方体状、平板状、八面体状及十四面体状等形状。并且，金属粒子可以通过熔接而在一部分或整体上结合。
导电性细线部可以具有多种金属分散于后述的高分子化合物中而成的结构，也可以在高分子化合物中金属粒子凝聚而作为凝聚体存在。并且，导电性细线部中所包含的多种金属的至少一部分彼此可以通过源自后述的镀覆处理中所使用的金属离子的金属而接合。
导电性细线部中的金属的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，优选3.0～20.0g/m2，更优选5.0～15.0g/m2。
导电性细线部除了金属以外，还可以包含高分子化合物。
导电性细线部中所包含的高分子化合物的种类并无特别限制，能够使用公知的高分子化合物。其中，从能够形成强度更优异的含银层及导电性细线部的观点出发，优选与明胶不同的高分子化合物(以下，还记载为“特定高分子”。)。
关于特定高分子的种类，只要与明胶不同，则并无特别限制，优选不会被后述的分解明胶的蛋白水解酶或氧化剂分解的高分子。
作为特定高分子，可举出疏水性高分子(非水溶性高分子)，例如，可举出选自包含(甲基)丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、乙烯基系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚二烯系树脂、环氧系树脂、硅酮系树脂、纤维素系聚合物及壳聚糖系聚合物的组中的至少任一个树脂或包含构成这些树脂的单体的共聚物等。
并且，特定高分子优选具有与后述的交联剂进行反应的反应性基团。
特定高分子优选为粒子状。即，导电性细线部优选包含特定高分子的粒子。
作为特定高分子，优选由以下通式(1)表示的高分子(共聚物)。
通式(1)：-(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
另外，通式(1)中，A、B、C及D分别表示由下述通式(A)至(D)表示的重复单元。
[化学式1]
Figure BDA0003750429090000071
R11表示甲基或卤原子，优选甲基、氯原子或溴原子。p表示0～2的整数，优选0或1，更优选0。
R12表示甲基或乙基，优选甲基。
R13表示氢原子或甲基，优选氢原子。L表示2价的连结基团，优选由下述通式(2)表示的基团。
通式(2)：-(CO-X1)r-X2-
通式(2)中，X1表示氧原子或-NR30-。在此，R30表示氢原子、烷基、芳基或酰基，且分别可以具有取代基(例如，卤原子、硝基及羟基)。作为R30，优选氢原子、碳原子数1～10的烷基(例如，甲基、乙基、正丁基及正辛基)或酰基(例如，乙酰基及苯甲酰基)。作为X1，优选氧原子或-NH-。
X2表示亚烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基、亚芳基亚烷基或亚烷基亚芳基亚烷基，可以在这些基团的中途插入-O-、-S-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO2-、-N(R31)-或-N(R31)SO2-等。R31表示碳原子数1～6的直链状或支链状烷基。作为X2，优选二亚甲基、三亚甲基、四亚甲基、邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、-CH2CH2OCOCH2CH2-或-CH2CH2OCO(C6H4)-。
r表示0或1。
q表示0或1，优选0。
R14表示烷基、烯基或炔基，优选碳原子数5～50的烷基，更优选碳原子数5～30的烷基，进一步优选碳原子数5～20的烷基。
R15表示氢原子、甲基、乙基、卤原子或-CH2COOR16，优选氢原子、甲基、卤原子或-CH2COOR16，更优选氢原子、甲基或-CH2COOR16，进一步优选氢原子。
R16表示氢原子或碳原子数1～80的烷基，可以与R14相同，也可以不同，R16的碳原子数优选1～70，更优选1～60。
通式(1)中，x、y、z及w表示各重复单元的摩尔比率。
x为3～60摩尔％，优选3～50摩尔％，更优选3～40摩尔％。
y为30～96摩尔％，优选35～95摩尔％，更优选40～90摩尔％。
z为0.5～25摩尔％，优选0.5～20摩尔％，更优选1～20摩尔％。
w为0.5～40摩尔％，优选0.5～30摩尔％。
通式(1)中，优选x为3～40摩尔％、y为40～90摩尔％、z为0.5～20摩尔％、w为0.5～10摩尔％的情况。
作为由通式(1)表示的高分子，优选由下述通式(2)表示的高分子。
[化学式2]
Figure BDA0003750429090000081
通式(2)中，x、y、z及w如上述定义。
由通式(1)表示的高分子可以包含除了由上述通式(A)至(D)表示的重复单元以外的其他重复单元。
作为用于形成其他重复单元的单体，例如，可举出丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、乙烯基酯类、烯烃类、巴豆酸酯类、衣康酸二酯类、马来酸二酯类、富马酸二酯类、丙烯酰胺类、不饱和羧酸类、烯丙基化合物、乙烯基醚类、乙烯基酮类、乙烯基杂环化合物、缩水甘油酯类及不饱和腈类。作为这些单体，也记载于日本专利第3754745号公报的0010～0022段中。从疏水性的观点出发，优选丙烯酸酯类或甲基丙烯酸酯类，更优选甲基丙烯酸羟烷基酯或丙烯酸羟烷基酯。
由通式(1)表示的高分子优选包含由通式(E)表示的重复单元。
[化学式3]
Figure BDA0003750429090000091
上述式中，LE表示亚烷基，优选碳原子数1～10的亚烷基，更优选碳原子数2～6的亚烷基，进一步优选碳原子数2～4的亚烷基。
作为由通式(1)表示的高分子，尤其优选由下述通式(3)表示的高分子。
[化学式4]
Figure BDA0003750429090000092
上述式中，a1、b1、c1、d1及e1表示各重复单元的摩尔比率，a1表示3～60(摩尔％)，b1表示30～95(摩尔％)，c1表示0.5～25(摩尔％)，d1表示0.5～40(摩尔％)，e1表示1～10(摩尔％)。
a1的优选范围与上述x的优选范围相同，b1的优选范围与上述y的优选范围相同，c1的优选范围与上述z的优选范围相同，d1的优选范围与上述w的优选范围相同。
e1为1～10摩尔％，优选2～9摩尔％，更优选2～8摩尔％。
特定高分子例如能够参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报等而合成。
特定高分子的重均分子量并无特别限制，优选1000～1000000，更优选2000～750000，进一步优选3000～500000。
根据需要，在导电性细线部中可以包含除了上述的材料以外的其他材料。
例如，还可举出如特开2009-004348号公报的0220～0241段中所记载的抗静电剂、造核促进剂、光谱增感色素、表面活性剂、防雾剂、硬膜剂、防黑点剂、氧化还原化合物、单次甲基化合物及二羟基苯类。而且，在感光性层中可以包含物理显影核。
并且，在导电性细线部中可以包含用于使上述特定高分子彼此交联的交联剂。通过包含交联剂，进行特定高分子彼此之间的交联，可保持导电性细线部中的金属彼此的连结。
从不易视觉辨认导电性细线部的观点出发，导电性细线部的线宽Wa优选小于5.0μm，更优选2.5μm以下，进一步优选2.0μm以下。下限并无特别限制，但是从导电性细线部的导电性更优异的观点出发，优选0.5μm以上，更优选1.2μm以上。另外，导电性细线部的线宽是指沿着基材的表面的方向中与导电性细线部延伸的方向正交的方向上的导电性细线部的全长。
关于上述导电性细线部的线宽Wa，使用扫描型电子显微镜选择相当于1个导电性细线部的线宽的任意5个部位，将相当于5个部位的线宽的算术平均值作为线宽Wa。
导电性细线部的厚度T并无特别限制，但是优选0.5～3.0μm，更优选1.0～2.0μm。
上述导电性细线部的厚度T能够遵照导电性层的厚度的测定方法来测定。
导电性细线部的线电阻值优选小于200Ω/mm。其中，从用作触摸面板时的操作性的观点出发，更优选小于100Ω/mm，进一步优选小于60Ω/mm。
线电阻值是指将利用四探针法测定的电阻值除以测定端子之间的距离而得的值。更具体而言，使构成网格图案的任意1个导电性细线部的两端断开而从网格图案分离之后，使4个(A、B、C、D)微探针(Micro Support Co.,Ltd制造的钨探针(直径为0.5μm))与该分离的导电性细线部接触，使用源表(KEITHLEY制造的源表2400型通用源表)对最外探针A、D施加恒流I，以使内部探针B、C之间的电压V达到5mV，测定电阻值Ri＝V/I，将所获得的电阻值Ri除以B、C之间的距离而求出线电阻值。
＜透明绝缘部＞
导电性层具有与导电性细线部相邻的透明绝缘部。如图1所示，导电性细线部和透明绝缘部在基板的表面上沿着面内方向排列配置。
透明绝缘部为不含导电性金属且不显示导电性的区域。在此，透明绝缘部“不含金属”是指，相对于透明绝缘部的总质量，透明绝缘部中的金属的含量为0.1质量％以下。相对于透明绝缘部的总质量，透明绝缘部中的金属的含量优选0.05质量％以下。
并且，在本说明书中，“透明”是指波长400～700nm的可见光的平均透射率为80％以上。透明绝缘部的上述可见光的平均透射率优选90％以上。上限值并无特别限制，例如为99％以下。透射率能够使用分光光度计来测定。
透明绝缘部优选包含高分子化合物作为主要成分。
作为透明绝缘部中所包含的高分子化合物，可举出导电性细线部中所包含的高分子化合物，优选特定高分子。其中，更优选包含与导电性细线部中所包含的高分子化合物(优选为特定高分子)相同的高分子化合物。
透明绝缘部“作为主要成分包含”高分子化合物是指，高分子化合物的含量相对于透明绝缘部的总质量为50质量％以上。透明绝缘部中的高分子化合物的含量优选90质量％以上，更优选95质量％以上。上限值并无特别限制，可以是100质量％。
透明绝缘部的形成方法并无特别限制，例如，在后述的导电性基板的制造方法中，通过实施将含卤化银的感光性层以图案状进行曝光的曝光处理来形成未曝光部，接着对未曝光部实施显影处理，由此形成以高分子化合物为主要成分的透明绝缘部。并且，根据需要实施去除明胶的处理，由此形成以特定高分子为主要成分的透明绝缘部。
＜其他部件＞
导电性基板除了上述基材及导电性细线部以外，还可以具有其他部件。
作为导电性基板可以具有的其他部件，可举出结构与后述的导电性细线部不同的导电部。
＜特定化合物＞
导电性层包含由后述的式(1)表示的化合物(以下，还称为“特定化合物”。)。
[化学式5]
Figure BDA0003750429090000121
式(1)中，R表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基、卤原子、氨基、硝基或者磺基或其盐。
本发明所涉及的导电性基板中，导电性层包含特定化合物，由此导电性细线部的耐硫化性得到提高。更具体而言，如上所述，在触摸面板等搭载于电子设备的导电性基板中，源自其周边部件或周围环境的硫化合物渗透到导电性层内，与导电性细线部的金属细线进行反应而形成硫化物，其结果，认为导电性细线部的导电性降低。对此，推测为在导电性层包含特定化合物的情况下，从外部渗透到导电性层内的硫化合物与特定化合物进行反应而结合，因此在导电性细线部中抑制金属细线的硫化的耐硫化性得到提高。
以下，在本说明书中，也将导电性细线部的耐硫化性优异记载为“本发明的效果优异”。
作为由R表示的卤原子，例如，可举出氯原子、溴原子及碘原子，优选氯原子。
作为由R表示的磺基的盐，可举出磺基与金属原子或氨(NH3)的盐。作为金属原子，例如，可举出锂、钠及钾等碱金属原子。其中，作为磺基或其盐，优选磺酸钠基。
作为R，从本发明的效果更优异的观点出发，优选氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基、氯原子、氨基或磺酸钠基，更优选氢原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基或氯原子，进一步优选氢原子、甲基或甲氧基。
作为特定化合物，例如，可举出2-巯基苯并咪唑、5-甲基-2-巯基苯并咪唑、5-乙基-2-巯基苯并咪唑、5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑、5-乙氧基-2-巯基苯并咪唑、5-氯-2-巯基苯并咪唑、5-氨基-2-巯基苯并咪唑、5-硝基-2-巯基苯并咪唑及2-巯基-5-苯并咪唑磺酸钠。
其中，优选2-巯基苯并咪唑、5-甲基-2-巯基苯并咪唑、5-乙基-2-巯基苯并咪唑、5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑、5-乙氧基-2-巯基苯并咪唑或5-氯-2-巯基苯并咪唑，更优选2-巯基苯并咪唑、5-甲基-2-巯基苯并咪唑或5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑。
另外，作为由式(1)表示的化合物的质子互变异构体，可举出由下述式(1a)表示的化合物。关于本说明书中的特定化合物，只要无特别说明，则与由式(1)表示的化合物一同还包含由以式(1a)为代表的式(1)表示的化合物的质子互变异构体。
[化学式6]
Figure BDA0003750429090000131
式(1a)中的R与上述式(1)中的R相同。
另一方面，推测为在由式(1)表示的化合物中存在如下化合物，即，在导电性细线部中与构成金属配线的银等金属进行反应，硫醇基的硫原子代替氢原子与银等金属结合的化合物。这种由式(1)表示的化合物与金属结合而成的化合物不包含在由式(1)表示的化合物及特定化合物中的任一个中，并且与硫化合物的反应性低，因此认为不会有助于提高耐硫化性。
导电性层中所包含的特定化合物可以仅是1种，也可以是2种以上。
从本发明的效果更优异的观点出发，导电性层中所包含的特定化合物的含量以导电性层的每单位面积计优选0.01μg/cm2以上，更优选0.1μg/cm2以上，进一步优选0.2μg/cm2以上。
特定化合物的含量的上限值并无特别限制，但是从抑制长期保管后的导电性基板的色调变化的效果更优异的观点出发，以导电性层的每单位面积计优选15.0μg以下，更优选10.0μg/cm2以下，进一步优选8.0μg/cm2以下。
关于使用2种以上的特定化合物时的混合比，若导电性层中所包含的特定化合物的含量在上述范围内，则可以任意调整。在导电性层包含2种以上的特定化合物的情况下，1种特定化合物的含量与另一种特定化合物的含量的比率例如以质量比计可以是0.01～200。
特定化合物可以包含在构成导电性层的导电性细线部及透明绝缘部中的任一个中，但是优选至少包含在透明绝缘部中。
关于导电性层中所包含的特定化合物的含量，能够通过将具有导电性层的导电性基板浸渍于溶剂中并提取特定化合物之后，对溶剂中的特定化合物的含量进行定量来测定。特定化合物的含量的详细测定方法记载于后述的实施例中。
导电性层可以包含除了特定化合物以外的其他化合物。作为除了特定化合物以外的化合物，优选包含硫醇基的硫化合物，例如，可举出2-巯基苯并噁唑及2-巯基苯并噻唑。
关于并用特定化合物和上述其他化合物时的混合比，若导电性层中所包含的特定化合物的含量在上述含量的范围内，则可以任意调整。其他化合物的含量与特定化合物的含量的比率例如以质量比计可以是0.01～200。
关于除了特定化合物以外的其他化合物的含量，能够根据作为特定化合物的含量的测定方法记载的方法来测定。
在导电性层中含有特定化合物的方法并无特别限制，但是优选在基材上形成具有导电性细线部和透明绝缘部的导电性层来制造导电性基板的中途或制造之后，使特定化合物与导电性层接触的方法。其中，更优选通过后述的工序P而使特定化合物与导电性层接触的方法。
并且，根据上述方法，能够在导电性层中含有除了特定化合物以外的其他化合物。
〔导电性基板的制造方法〕
接着，对导电性基板的制造方法进行说明。
关于导电性基板的制造方法，只要能够制造上述的结构的导电性基板，则并无特别限制，能够采用公知的方法。例如，可举出使用卤化银进行曝光及显影的方法、在支撑体的整个表面形成含金属层之后使用抗蚀剂图案去除含金属层的一部分而形成细线状的含金属层的方法、以及通过喷墨等公知的印刷方法将包含金属及树脂的组合物吐出到基材上而形成细线状的含金属层的方法。
其中，从生产率及导电性细线部的导电性更优异的观点出发，优选使用卤化银进行曝光及显影的方法。具体而言，可举出依次包括后述的工序A～工序D的导电性基板的制造方法。
以下，对包括工序A～工序D的导电性基板的制造方法进行详细叙述，但是本发明所涉及的导电性基板的制造方法并不限制于下述制造方法。
＜工序A＞
工序A为在基材上形成包含卤化银、明胶及特定高分子(与明胶不同的高分子化合物)的含卤化银的感光性层(以下，还称为“感光性层”。)的工序。通过本工序来制造实施了后述的曝光处理的带感光性层的基材。
首先，对工序A中所使用的材料及部件进行详细叙述，然后，对工序A的步骤进行详细叙述。
另外，关于工序A中所使用的基材及特定高分子，如上所述。
(卤化银)
卤化银中所包含的卤原子可以是氯原子、溴原子、碘原子及氟原子中的任一个，也可以是它们的组合。例如，优选以氯化银、溴化银或碘化银作为主体的卤化银，更优选以氯化银或溴化银作为主体的卤化银。另外，还可优选使用氯溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银。
在此，例如，“以氯化银为主体的卤化银”是指在卤化银组成中总卤化物离子中所占的氯化物离子的摩尔分数为50％以上的卤化银。以该氯化银为主体的卤化银除了氯化物离子以外，还可以包含溴化物离子和/或碘化物离子。
卤化银通常为固体粒子状，卤化银的平均粒径以球当量直径计优选10～1000nm，更优选10～200nm，从在湿热环境下导电性细线部的电阻值的变化更小的观点出发，进一步优选50～150nm。
另外，球当量直径是指具有相同体积的球形粒子的直径。
用作上述卤化银的平均粒径的“球当量直径”为平均值，并且通过测定100个卤化银的球当量直径，并将它们进行算术平均而获得。
卤化银的粒子的形状并无特别限制，例如，可举出球状、立方体状、平板状(六边平板状、三角形平板状、四边形平板状等)、八面体状及十四面体状等形状。
(明胶)
明胶的种类并无特别限制，例如，可举出石灰处理明胶及酸处理明胶。并且，可以使用明胶的水解物、明胶的酶分解物、以及用氨基和/或羧基改性的明胶(邻苯二甲酰化明胶及乙酰化明胶)等。
在感光性层中包含上述特定高分子。通过在感光性层中包含该特定高分子，由感光性层形成的导电性细线部及透明绝缘部的强度进一步提高。
(工序A的步骤)
在工序A中形成包含上述成分的感光性层的方法并无特别限制，但是从生产率的观点出发，优选在基材上接触包含卤化银、明胶及特定高分子的感光性层形成用组合物，并在基材上形成感光性层的方法。
以下，对该方法中所使用的感光性层形成用组合物的形态进行详细叙述，然后，对工序的步骤进行详细叙述。
(感光性层形成用组合物中所包含的材料)
在感光性层形成用组合物中包含上述的卤化银、明胶及特定高分子。另外，根据需要，特定高分子可以以粒子状的形态包含在感光性层形成用组合物中。
根据需要，在感光性层形成用组合物中可以包含溶剂。
作为溶剂，可举出水、有机溶剂(例如，醇类、酮类、酰胺类、亚砜类、酯类及醚类)、离子性液体以及它们的混合溶剂。
使感光性层形成用组合物与基材接触的方法并无特别限制，例如，可举出将感光性层形成用组合物涂布于基材上的方法及将基材浸渍于感光性层形成用组合物中的方法等。
另外，上述处理之后，根据需要，可以实施干燥处理。
(含卤化银的感光性层)
在通过上述步骤形成的感光性层中包含卤化银、明胶及特定高分子。
感光性层中的卤化银的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，以银换算计优选3.0～20.0g/m2，更优选5.0～15.0g/m2。银换算是指换算成卤化银全部被还原而生成的银的质量。
感光性层中的特定高分子的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，优选0.04～2.0g/m2，更优选0.08～0.40g/m2，进一步优选0.10～0.40g/m2。
＜工序B＞
工序B为如下工序：对感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成包含金属银、明胶及特定高分子的细线状的含银层。
通过对感光性层实施曝光处理，在曝光区域中形成潜像。
曝光可以实施为图案状，例如，为了获得由后述的导电性细线部构成的网格图案，可举出经由具有网格状的开口图案的掩模而曝光的方法、及扫描激光束而曝光成网格状的方法。
曝光时所使用的光的种类并无特别限制，只要能够在卤化银上形成潜像即可，例如，可举出可见光线、紫外线及X射线。
通过对经曝光的感光性层实施显影处理，在曝光区域(形成了潜像的区域)中析出金属银。
显影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的公知的方法。
在显影处理中，通常使用显影液。显影液的种类并无特别限制，例如，可举出PQ(phenidone hydroquinone：菲尼酮对苯二酚)显影液、MQ(Metol hydroquinone:米吐尔对苯二酚)显影液及MAA(米吐尔抗坏血酸)显影液。
该工序还可以包括为了去除未曝光部分的卤化银并使其稳定化而进行的定影处理。
关于定影处理，与显影同时实施和/或在显影之后实施。定影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的方法。
在定影处理中，通常使用定影液。定影液的种类并无特别限制，例如，可举出“照片的化学”(笹井著，照片工业出版社)p321中所记载的定影液。
通过实施上述处理，形成包含金属银、明胶及特定高分子的细线状含银层，并且形成不含金属银而包含明胶和特定高分子的绝缘层。
作为调整含银层的宽度的方法，例如，可举出调整曝光时所使用的掩模的开口宽度的方法。例如，能够通过将掩模的开口宽度设为1.0μm以上且小于5.0μm来调整曝光区域。
并且，在曝光时使用掩模的情况下，还能够通过调整曝光量来调整所形成的含银层的宽度。例如，在掩模的开口宽度比目标含银层的宽度窄的情况下，能够通过使曝光量比通常增加来调整形成潜像的区域的宽度。即，能够通过曝光量来调整导电性细线部的线宽。
而且，在使用激光束的情况下，能够通过调整激光束的聚光范围和/或扫描范围来调整曝光区域。
含银层的宽度优选1.0μm以上且小于5.0μm，从不易视觉辨认所形成的导电性细线部的观点出发，更优选2.0μm以下。
另外，通过上述步骤获得的含银层为细线状，含银层的宽度是指与细线状的含银层延伸的方向正交的方向上的含银层的长度(宽度)。
＜工序C＞
工序C为对工序B中所获得的含银层及绝缘层(以下，也将两者称为“含银层等”。)实施加热处理的工序。通过实施本工序，进行含银层等中的特定高分子之间的熔接，从而含银层等的强度得到提高。
加热处理的方法并无特别限制，可举出使过热蒸汽与含银层等接触的方法及使用温度调节装置(例如，加热器)进行加热的方法，优选使含银层等与过热蒸汽接触的方法。
作为过热蒸汽，可以是过热水蒸汽，也可以是在过热水蒸汽中混合其他气体而得的蒸汽。
过热蒸汽与含银层等的接触时间并无特别限制，优选10～70秒钟。
过热蒸汽的供给量优选500～600g/m3，过热蒸汽的温度在1个大气压下优选100～160℃(优选为100～120℃)。
作为使用温度调节装置对含银层等进行加热的方法中的加热条件，优选在100～200℃(优选为100～150℃)下加热1～240分钟(优选为60～150分钟)的条件。
＜工序D＞
工序D为去除工序C中所获得的含银层等中的明胶的工序。通过实施本工序，可从含银层等中去除明胶，在含银层等的内部形成空间。
去除明胶的方法并无特别限制，例如，可举出使用蛋白水解酶的方法(以下，还称为“方法1”。)及使用氧化剂来分解去除明胶的方法(以下，还称为“方法2”。)。
作为在方法1中使用的蛋白水解酶，可举出能够水解明胶等蛋白质的植物性或动物性酶中公知的酶。
作为蛋白水解酶，例如，可举出胃蛋白酶、凝乳酶、胰蛋白酶、糜蛋白酶、组织蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶、凝血酶、肾素、胶原蛋白酶、菠罗蛋白酶及细菌蛋白酶，优选胰蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶或细菌蛋白酶。
作为方法1中的步骤，只要是使含银层等与上述蛋白水解酶接触的方法即可，例如，可举出使含银层等与包含蛋白水解酶的处理液(以下，还称为“酶液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层等浸渍于酶液中的方法及在含银层等上涂布酶液的方法。
酶液中的蛋白水解酶的含量并无特别限制，从容易控制明胶的分解去除程度的观点出发，相对于酶液总量，优选0.05～20质量％，更优选0.5～10质量％。
在酶液中除了上述蛋白水解酶以外，通常还包含水。
根据需要，在酶液中可以包含其他添加剂(例如，pH缓冲剂、抗菌性化合物、润湿剂及防腐剂)。
关于酶液的pH，以最大限度地获得酶的作用的方式进行选择，但是优选5～9。
酶液的温度优选酶的作用提高的温度。具体而言，优选20～45℃。
另外，根据需要，可以在使用酶液进行的处理之后，实施用热水清洗所获得的含银层等的清洗处理。
清洗方法并无特别限制，优选使含银层等与热水接触的方法，例如，可举出将含银层等浸渍于热水中的方法及在含银层等上涂布热水的方法。
热水的温度可根据所使用的蛋白水解酶的种类来适当地选择最佳的温度，从生产率的观点出发，优选20～80℃，更优选40～60℃。
热水与含银层等的接触时间(清洗时间)并无特别限制，从生产率的观点出发，优选1～600秒钟，更优选30～360秒钟。
作为方法2中所使用的氧化剂，只要是能够分解明胶的氧化剂即可，优选标准电极电位为+1.5V以上的氧化剂。另外，在此，标准电极电位是指氧化剂在水溶液中对标准氢电极的标准电极电位(25℃，E0)。
作为上述氧化剂，例如，可举出过硫酸、过碳酸、过磷酸、HClO5、过乙酸、间氯过苯甲酸、双氧水、高氯酸、过碘酸、高锰酸钾、过硫酸铵、臭氧、次氯酸或其盐等，但是从生产率、经济性的观点出发，优选双氧水(标准电极电位：1.76V)、次氯酸或其盐，更优选次氯酸钠。
作为方法2中的步骤，只要是使含银层等与上述氧化剂接触的方法即可，例如，可举出使含银层等与包含氧化剂的处理液(以下，还称为“氧化剂液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层等浸渍于氧化剂液中的方法及在含银层等上涂布氧化剂液的方法。
氧化剂液中所包含的溶剂的种类并无特别限制，可举出水及有机溶剂。
＜工序E＞
导电性基板的制造方法可以包括对工序D中所获得的含银层实施镀覆处理的工序E。通过实施本工序，在通过去除明胶而形成的含银层的内部空间填充金属(镀覆金属)，从而能够提高导电性细线部的导电性。
镀覆处理的种类并无特别限制，但是可举出非电解镀覆(化学还原镀覆或置换镀覆)及电解镀覆，优选非电解镀覆。作为非电解镀覆，可使用公知的非电解镀覆技术。
作为镀覆处理，例如，可举出镀银处理、镀铜处理、镀镍处理及镀钴处理，从导电性细线部的导电性更优异的观点出发，优选镀银处理或镀铜处理，更优选镀银处理。
在镀覆处理中使用的镀覆液中所包含的成分并无特别限制，但是通常，除了溶剂(例如，水)以外，还主要包含1.镀覆用金属离子、2.还原剂、3.提高金属离子的稳定性的添加剂(稳定剂)、4.pH调节剂。在该镀覆液中除了这些以外，还可以包含镀覆液的稳定剂等公知的添加剂。
镀覆液中所包含的镀覆用金属离子的种类能够根据欲析出的金属种类来适当地选择，例如，可举出银离子、铜离子、镍离子及钴离子。
上述镀覆处理的步骤并无特别限制，只要是使含银层与镀覆液接触的方法即可，例如，可举出将含银层浸渍于镀覆液中的方法及将镀覆液涂布于含银层的方法。
含银层与镀覆液的接触时间并无特别限制，从导电性细线部的导电性更优异的观点及生产率的观点出发，优选20秒钟～30分钟。
＜工序F＞
导电性基板的制造方法可以包括对上述工序中所获得的含银层等进一步实施平滑处理的工序F。
平滑处理的方法并无特别限制，例如，优选使具有含银层等的基材在加压下通过至少一对辊之间的压延处理工序。以下，将使用了压延辊的平滑处理称为压延处理。
作为压延处理中所使用的辊，可举出塑料辊及金属辊，从防褶的观点出发，优选塑料辊。
辊之间的压力并无特别限制，优选2MPa以上，更优选4MPa以上，优选120MPa以下。另外，关于辊之间的压力，能够使用Fujifilm Corporation制造的Prescale(高压用)来测定。
平滑处理的温度并无特别限制，优选10～100℃，更优选10～50℃。
＜工序G＞
导电性基板的制造方法可以包括对上述工序中所获得的含银层等实施加热处理的工序G。通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线部。
对导电性细线部实施加热处理的方法并无特别限制，可举出在工序C中叙述的方法。
＜工序H＞
导电性基板的制造方法中，在工序A之前，可以包括在基材上形成包含明胶及特定高分子的不含卤化银层的工序H。通过实施本工序，在基材与含卤化银的感光性层之间形成不含卤化银层。该不含卤化银层发挥所谓的防光晕层的作用的同时有助于提高导电性层与基材的密合性。
在不含卤化银层中包含上述的明胶和特定高分子。另一方面，在不含卤化银层中不含卤化银。
不含卤化银层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选0.1～5.0，更优选1.0～3.0。
不含卤化银层中的特定高分子的含量并无特别限制，通常为0.03g/m2以上，从导电性细线部的密合性更优异的观点出发，优选1.0g/m2以上。上限并无特别限制，但是通常为1.63g/m2以下。
不含卤化银层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将含有明胶和特定高分子的层形成用组合物涂布于基材上，并根据需要实施加热处理的方法。
根据需要，在层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。
不含卤化银层的厚度并无特别限制，通常为0.05μm以上，从导电性细线部的密合性更优异的观点出发，优选超过1.0μm，更优选1.5μm以上。上限并无特别限制，但是优选为小于3.0μm。
＜工序I＞
导电性基板的制造方法中，在工序A之后且工序B之前，可以包括在含卤化银的感光性层上形成包含明胶和特定高分子的保护层的工序I。通过设置保护层，能够防止感光性层的擦伤及改善力学特性。
保护层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选超过0且2.0以下，更优选超过0且1.0以下。
并且，保护层中的特定高分子的含量并无特别限制，优选超过0g/m2且0.3g/m2以下，更优选0.005～0.1g/m2。
保护层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将包含明胶和特定高分子的保护层形成用组合物涂布于含卤化银的感光性层上，并根据需要实施加热处理的方法。
根据需要，在保护层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。
保护层的厚度并无特别限制，优选0.03～0.3μm，更优选0.075～0.20μm。
另外，关于上述的工序H、工序A及工序I，可以通过同时重层涂布来同时实施。
＜工序P＞
导电性基板的制造方法包括工序P，该工序P中，使特定化合物与形成于上述基材上的导电性层接触，制作在导电性层中包含特定化合物的本发明的导电性基板。
使导电性层与特定化合物接触的方法并无特别限制，例如，可举出在包含特定化合物的处理液中浸渍形成有导电性层的基材的方法及将包含特定化合物的处理液涂布于形成有导电性层的基材的表面上的方法。
实施工序P，使特定化合物渗透及吸附在构成导电性层的导电性细线部及透明绝缘部，由此导电性细线部的耐硫化性得到提高。
包含上述特定化合物的处理液优选为将特定化合物溶解于溶剂中而成的溶液。所使用的溶剂的种类并无特别限制，可举出上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。作为优选的溶剂，可举出醇类及醚类。作为优选的溶剂的具体例，可举出乙醇、1-丙醇、2-丙醇、乙二醇丙醚(更优选为乙二醇单丙醚)、乙二醇丁醚(更优选为乙二醇单丁醚)、丙二醇丙醚(更优选为丙二醇单丙醚)、二乙二醇丁醚(更优选为二乙二醇单丁醚)。
关于上述处理液中的特定化合物的含量，只要根据目标导电性层中所含有的特定化合物的量及处理条件来适当设定即可，但是相对于处理液的总质量，优选0.01～2质量％，更优选0.1～0.5质量％。
使上述处理液与导电性层接触时的处理液的温度例如为25～60℃。
特定化合物与导电性层的接触时间并无特别限制，但是优选0.1～10分钟，更优选0.2～3分钟。
〔导电性基板的用途〕
以上述方式获得的导电性基板能够适用于各种用途，能够适用于触摸面板(或触摸面板传感器)、半导体芯片、各种电气配线板、FPC(Flexible Printed Circuits：挠性电路板)、COF(Chip on Film：覆晶薄膜)、TAB(Tape Automated Bonding：卷带自动结合)、天线、多层配线基板及母板等用途。其中，本导电性基板优选用于触摸面板(静电电容式触摸面板)。
在具有本导电性基板的触摸面板中，上述的导电性细线部能够作为检测电极而有效地发挥作用。在将本导电性基板用于触摸面板的情况下，作为与导电性基板组合使用的显示面板，例如，可举出液晶面板及OLED(Organic Light Emitting Diode：有机电致发光二极管)面板，优选与OLED面板的组合。
另外，导电性基板中，与具有导电性细线部的导电性层不同，还可以具有结构与导电性层不同的导电部。该导电部可以与上述的导电性细线部电连接而导电。作为导电部，例如，可举出具有对上述的导电性细线部施加电压的功能的周边配线及调整与导电性基板层叠的部件的位置的对准标记等。
作为本导电性基板的上述以外的用途，例如，可举出切断从个人电脑及工作站等电子设备产生的电波及微波(超短波)等电磁波并且防止静电的电磁波屏蔽件。这种电磁波屏蔽件除了个人电脑主体以外，还能够用于影像拍摄设备及电子医疗器械等电子设备。
本导电性基板还能够用于透明发热体。
关于本导电性基板，在处理时及输送时，可以以具有导电性基板和粘合片及剥离片等其他部件的层叠体的形态使用。剥离片作为用于在输送层叠体时防止在导电性基板中产生划痕的保护片发挥作用。
并且，导电性基板例如可以以依次具有导电性基板、粘合片及保护层的复合体的形态处理。
本发明基本上是以上述方式构成的。对本发明的导电性基板详细地进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种改进或变更。
实施例
以下，举出本发明的实施例来对本发明进行进一步具体的说明。另外，关于以下的实施例中所示的材料、用量、比例、处理内容及处理步骤等，只要不脱离本发明的主旨，则能够进行适当变更。因此，本发明的范围不应由以下所示的具体例限定性地进行解释。
[实施例1]
〔卤化银乳剂的制备〕
在保持为38℃、pH4.5的下述1液中，一边搅拌1液，一边经20分钟加入相当于下述2液及3液的各90％的量，从而形成了0.16μm的核粒子。接着，经8分钟在所获得的溶液中加入下述4液及5液，进一步经2分钟加入下述2液及3液的剩余10％的量，使核粒子生长至0.21μm。而且，在所获得的溶液中加入碘化钾0.15g，熟化5分钟，结束了粒子形成。
1液：
Figure BDA0003750429090000251
2液：
水 300ml
硝酸银 150g
3液：
Figure BDA0003750429090000252
4液：
水 100ml
硝酸银 50g
5液：
Figure BDA0003750429090000253
Figure BDA0003750429090000261
然后，按照常规方法通过絮凝法进行了水洗。具体而言，将上述获得的溶液的温度降低至35℃，使用硫酸降低了pH(pH在3.6±0.2的范围内)直至卤化银沉淀。接着，从所获得的溶液中去除了约3升的上清液(第1水洗)。接着，在去除了上清液的溶液中加入3升的蒸馏水之后，加入了硫酸，直至卤化银沉淀。再次，从所获得的溶液中去除了3升的上清液(第2水洗)。进一步反复进行1次与第2水洗相同的操作(第3水洗)，结束了水洗及脱盐工序。将水洗及脱盐之后的乳剂调整至pH6.4、pAg7.5，加入明胶2.5g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，并在55℃下实施了化学增感，以获得最佳灵敏度。然后，进一步在所获得的乳剂中加入了作为稳定剂的1,3,3a,7-四氮茚100mg及作为防腐剂的PROXEL(商品名称，ICI Co.,Ltd.制造)100mg。最终获得的乳剂为包含0.08摩尔％的碘化银，并将氯溴化银的比率设为70摩尔％的氯化银、30摩尔％的溴化银且平均粒径(球当量直径)为200nm、变动系数为9％的氯溴化银立方体粒子乳剂。
〔感光性层形成用组合物的制备〕
在上述乳剂中添加1,3,3a,7-四氮茚(1.2×10-4摩尔/摩尔Ag)、氢醌(1.2×10-2摩尔/摩尔Ag)、柠檬酸(3.0×10-4摩尔/摩尔Ag)、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐(0.90g/摩尔Ag)及微量的坚膜剂，从而获得了组合物。接着，使用柠檬酸来将组合物的pH调整至5.6。
在上述组合物中添加含有由下述(P-1)表示的高分子(以下，还称为“高分子1”。)、包含二烷基苯基PEO(PEO为聚环氧乙烷的简称。)硫酸酯的分散剂及水的聚合物胶乳(分散剂的质量与高分子1的质量之比(分散剂的质量/高分子1的质量，单位为g/g)为0.02，并且固体成分含量为22质量％。)，以使组合物中的高分子1的质量与明胶的总质量之比(高分子1的质量/明胶的质量，单位为g/g)成为0.25/1，从而获得了含有聚合物胶乳的组合物。在此，在含有聚合物胶乳的组合物中，明胶的质量与源自卤化银的银的质量之比(明胶的质量/源自卤化银的银的质量，单位为g/g。)为0.11。
而且，作为交联剂而添加了EPOXY RESIN DY 022(商品名称：agase ChemteXCorporation制造)。另外，将交联剂的添加量调整为后述的含卤化银的感光性层中的交联剂的量成为0.09g/m2。
以上述方式制备了感光性层形成用组合物。
另外，关于高分子1，参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报进行了合成。
[化学式7]
Figure BDA0003750429090000271
〔底涂层的形成〕
在包含厚度为40μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(“Fujifilm Corporation制造的辊状的长条薄膜”)的基材的表面上涂布上述聚合物胶乳，而设置了厚度为0.05μm的底涂层。该处理是通过辊对辊来进行的，以下各处理(工序)也是与其同样地通过辊对辊来进行的。另外，此时的辊宽度为1m，长度为1000m。
〔工序H1、工序A1、工序I1〕
接着，在底涂层上同时重层涂布混合了上述聚合物胶乳和明胶的不含卤化银层形成用组合物、上述感光性层形成用组合物及混合了聚合物胶乳和明胶的保护层形成用组合物，在底涂层上形成了不含卤化银层、含卤化银的感光性层及保护层。
另外，不含卤化银层的厚度为2.0μm，不含卤化银层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为2/1，高分子1的含量为1.3g/m2。
并且，含卤化银的感光性层的厚度为2.5μm，含卤化银的感光性层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.25/1，高分子1的含量为0.19g/m2。
并且，保护层的厚度为0.15μm，保护层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.1/1，高分子1的含量为0.015g/m2。
〔工序B1〕
使用以高压汞灯为光源的平行光，经由格栅状的光掩模对所制作的上述感光性层进行了曝光(以下，还称为“网格图案电极”。)。作为光掩模而使用图案形成用掩模，形成如图2所示的格栅的单位方形网格的线宽为1.2μm，格栅(开口部)的一边的长度L为600μm。
曝光之后，对于所获得的样品，用后述的显影液进行显影，进一步使用定影液(商品名称：CN16X用N3X-R：Fujifilm Corporation制造)进行了显影处理。然后，用25℃的纯水进行冲洗，并进行干燥，获得了样品A和样品B，该样品A具有包括包含金属银的导电性细线部及透明绝缘部的导电性层，且导电性细线部形成为梳型图案状而成，该样品B具有包括包含金属银的导电性细线部及透明绝缘部的导电性层，且导电性细线部形成为网格图案状而成。在样品B中，形成了大小为21.0cm×29.7cm的导电性网格图案区域。
(显影液的组成)
在显影液1升(L)中包含以下化合物。
Figure BDA0003750429090000281
将所获得的上述样品在50℃的热水中浸渍了180秒钟。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。
〔工序C1〕
将工序B1中所获得的样品运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。
〔工序D1〕
将工序C1中所获得的样品在蛋白水解酶水溶液(40℃)中浸渍了30秒钟。从蛋白水解酶水溶液中取出样品，将样品在热水(液温：50℃)中浸渍120秒钟，并进行了清洗。然后，利用空气淋浴进行脱水，使样品自然干燥。
另外，所使用的蛋白水解酶水溶液是按照以下步骤来制备的。
在蛋白水解酶(agase ChemteX Corporation制造的BIOPRASE 30L)的水溶液(蛋白水解酶的浓度：0.5质量％)中加入三乙醇胺及硫酸来将pH调整至8.5。
〔工序G1〕
将工序D1中所获得的样品运入110℃的过热水蒸汽处理槽内，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。
〔工序P1〕
将工序G1中所获得的样品在处理液A(25℃)中浸渍了90秒钟。从处理液A中取出样品，将样品在25℃的水中浸渍30秒钟，并进行了清洗。处理液A(总量为1200g)的组成如下述。并且，所使用的以下成分均使用了FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造。
(处理液A的组成)
·2-巯基苯并咪唑 2.4g
·乙醇 600g
·水 剩余部分
〔干燥工序〕
将工序P1中所获得的样品在65℃下加热90秒钟而使其干燥。
通过上述工序，制作了具有网格图案电极的样品。
[实施例2～实施例18]
在实施例2～实施例18中，作为在上述工序P1中浸渍样品的处理液，分别制备了后述的表1所示的处理液。
在实施例2～实施例11中，使用了后述的表1中所记载的特定化合物来代替2-巯基苯并咪唑。
在实施例12中，作为特定化合物，以2-巯基苯并咪唑/5-甲基-2-巯基苯并咪唑的质量比成为90/10的量使用了2-巯基苯并咪唑及5-甲基-2-巯基苯并咪唑。
在实施例13中，作为特定化合物，以2-巯基苯并咪唑/2-巯基-5-苯并咪唑磺酸钠的质量比成为85/15的量使用了2-巯基苯并咪唑及2-巯基-5-苯并咪唑磺酸钠。
在实施例14中，使用了作为除了特定化合物以外的其他硫化合物的2-巯基苯并噁唑来代替2-巯基苯并咪唑。
并且，在实施例12～实施例18中，使用后述的表1中所记载的溶剂制备了处理液。在实施例12～实施例14中，使用了包含水及乙醇且水/乙醇的混合比率(质量比)为85/15的混合溶剂。在实施例15～实施例18中，使用了包含水、乙醇及后述的表1中所记载的各醚且水/乙醇/各醚的混合比率(质量比)为85/7.5/7.5的混合溶剂。
制备在工序P1中使用的处理液时，适当调整了处理液中所包含的特定化合物及溶剂的种类及含量，以使导电性层的每单位面积的特定化合物的含量成为后述的表1中所记载的数值，除此以外，按照实施例1中所记载的步骤，分别制作了实施例2～实施例13及实施例15～实施例18的导电性基板的样品。
同样地，制备在工序P1中使用的处理液时，适当调整了处理液中所包含的特定化合物、其他硫化合物及溶剂的种类及含量，以使导电性层的每单位面积的特定化合物及其他硫化合物的含量成为后述的表1中所记载的数值，除此以外，按照实施例1中所记载的步骤，制作了实施例14的导电性基板的样品。
所使用的处理液的成分均使用了FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造。
[实施例19]
〔工序E1〕
将实施例1的工序D1中所获得的样品在下述组成的镀覆液(30℃)中浸渍了5分钟。从镀覆液中取出样品，在热水(50℃)中浸渍120秒钟，并进行了清洗。
镀覆液(总量1200ml)的组成如下述。另外，镀覆液的pH为9.9，通过加入规定量的碳酸钾(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)来调整。并且，所使用的以下成分均使用了FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造。
(镀覆液的组成)
Figure BDA0003750429090000301
在工序P1中，使用上述工序E1中所获得的样品来代替工序D1中所获得的样品，使用5-甲基-2-巯基苯并咪唑来代替2-巯基苯并咪唑，除此以外，按照实施例1中所记载的步骤，制作了导电性基板的样品。
[实施例20～实施例21]
作为在上述工序P1中浸渍样品的处理液，分别制备了包含后述的表1所示的特定化合物来代替2-巯基苯并咪唑的处理液。适当调整了在工序P1中使用的处理液中所包含的特定化合物的种类及含量，除此以外，按照实施例12中所记载的步骤，分别制作了导电性基板的样品。
[比较例1～比较例2]
对于工序D1中所获得的样品，不实施工序P1，而实施了工序G1，除此以外，按照实施例1中所记载的步骤，制作了导电性基板的样品(比较例1)。
并且，对于工序E1中所获得的样品，不实施工序P1，而实施了工序G1，除此以外，按照实施例12中所记载的步骤，制作了导电性基板的样品(比较例2)。
[测定及评价]
〔特定化合物的定量〕
通过以下方法对实施例及比较例中所制作的各导电性基板中所包含的特定化合物的含量进行了定量。
将所制作的样品切成1cm×1cm的尺寸。将15个切出的样品浸渍于100ml的乙醇(温度为30℃)中，并静置24小时，由此提取了样品中所包含的特定化合物。
从乙醇溶液中取出样品之后，通过高速液相色谱(HPLC：High PerformanceLiquid Chromatography)在下述测定条件下测定包含所提取的特定化合物的乙醇溶液，并通过绝对校准曲线法对特定化合物进行了定量。
在后述的表1中示出各样品中所包含的特定化合物的含量(单位：μg/cm2)。
另外，对于用于制作各导电性基板的上述厚度为40μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜，通过上述方法实施薄膜中所包含的特定化合物的定量的结果，特定化合物的含量为检测限以下。
(HPLC测定条件)
柱：ODS(Octadecyl Silyl：十八烷基甲硅烷基)柱(4.6mm×50mm)(GL SciencesInc.制造的“InertSustain AQ-C18”)
洗脱液：0.1％磷酸水溶液/0.1％磷酸乙腈(混合比：50/50)
流速：0.7ml/min
检测器：光电二极管阵列
试样注入量：10μL
〔耐硫化性〕
通过以下方法对实施例及比较例中所制作的各导电性基板的耐硫化性进行了评价。
测定了所制作的具有网格型图案形状的样品的电阻值(R0)。在测定中，对于各样品，使用Agilent 34405A万用表装置测定了距离4cm的端子之间的电阻(单位：kΩ)。
接着，将经硫化的EPDM(乙烯丙烯二烯橡胶)“E-4408”(INOAC CORPORATION制造)切成长度3.5cm、宽度3mm、厚度1mm，并固定于样品上，以使EPDM的切片与导电性层侧的表面接触。将固定了切片的样品在80℃下静置5天之后，从样品中去除切片，通过上述方法测定了样品的电阻值(R1)。
由测定出的电阻值，根据电阻变化率＝(R1/R0-1)×100[％]的式计算出电阻变化率。由计算出的电阻变化率，根据以下标准对各样品的耐硫化性进行了评价。若耐硫化性的评价为A或B，则认为在实际使用上没有问题。
(耐硫化性评价标准)
“A”：电阻变化率为30％以下。
“B”：电阻变化率超过30％且为50％以下。
“C”：电阻变化率超过50％。
〔色调变化Δb*〕
通过以下方法对实施例及比较例中所制作的各导电性基板的色调变化Δb*进行了评价。
将所制作的样品切成3cm×3cm，使用反射浓度计(Gretag Macbeth制造“SpectroEye(注册商标)LT”)，测定了切出的样品的导电性层侧的表面的b*值(b*0)。另外，b*值为L*a*b*表色系中的指数之一，b*值在正方向上越大，则黄色越强。
接着，对于切出的样品，在温度为60℃、湿度为90RH％的环境下静置了10天。使进行了保管试验的样品恢复到室温，再次使用反射浓度计测定了样品的导电性层侧的表面的b*值(b*1)。
使用Δb*＝b*1-b*0的公式计算出保管试验前后的b*值的变化量(Δb*)。Δb*越靠近0，则随时间经过而导电性基板色调变化越小，在实际使用中不易引起问题。
在下述表1中示出是否实施了制作导电性基板时的镀覆处理(工序E1)、导电性基板中所包含的特定化合物的种类及含量、以及耐硫化性及色调变化Δb*的各评价结果。
表中，在“溶剂”的“名称”一栏中，“DEGMBE”、“PGMPE”、“EGMPE”及“EGMBE”分别是指二乙二醇单丁醚、丙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚及乙二醇单丁醚。
Figure BDA0003750429090000341
Figure BDA0003750429090000351
如表1所示确认到，根据本发明的导电性基板，可获得所期望的效果。
并且，根据含量相同的实施例1～实施例3及实施例5的对比确认到，在特定化合物为2-巯基苯并咪唑、5-甲基-2-巯基苯并咪唑或5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑的情况下，本发明的效果更优异。
并且，确认到在特定化合物的含量以导电性层的每单位面积计为0.1～10μg/cm2的情况下，本发明的效果与色调变化Δb*的抑制效果均衡地优异。
符号说明
10-导电性基板，12-基材，14-导电性层，16-导电性细线部，18-透明绝缘部，20-非细线部。

Claims (7)

1.一种导电性基板，其具有：
基材；及
导电性层，配置于所述基材上，
所述导电性基板中，
所述导电性层具有：导电性细线部，包含金属；及透明绝缘部，与所述导电性细线部相邻且不含金属，
所述导电性层包含由下述式(1)表示的化合物，
[化学式1]
Figure FDA0003750429080000011
式(1)中，R表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基、卤原子、氨基、硝基或者磺基或其盐。
2.根据权利要求1所述的导电性基板，其中，
所述R表示氢原子、碳原子数1～3的烷基或碳原子数1～3的烷氧基。
3.根据权利要求1所述的导电性基板，其中，
所述化合物包含：选自包括2-巯基苯并咪唑、5-甲基-2-巯基苯并咪唑及5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑的组中的至少1种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性基板，其中，
所述导电性层的每单位面积的所述化合物的含量为0.1～10μg/cm2。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性基板，其中，
所述金属包括银。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性基板，其具有由所述导电性细线形成的网格图案。
7.一种触摸面板，其具有权利要求1至6中任一项所述的导电性基板。
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