CN114269971B

CN114269971B - 镀敷液、镀敷套装、导电性基板的制造方法

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Publication number: CN114269971B
Application number: CN202080057954.XA
Authority: CN
Inventors: 原田基
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2019-09-25
Filing date: 2020-08-21
Publication date: 2024-05-24
Anticipated expiration: 2040-08-21
Also published as: CN114269971A; JP7324299B2; WO2021059812A1; JPWO2021059812A1

Abstract

本发明提供一种能够形成显示优异的导电性的导电性细线并且能够抑制所形成的导电性细线之间、特别是间隔为30μm以下的导电性细线之间的短路的发生的镀敷液、镀敷套装及导电性基板的制造方法。镀敷液包含银盐、具有羧基或其盐的聚合物及水，该镀敷液中，相对于镀敷液总质量，具有羧基或其盐的聚合物的含量为5.0质量％以下。

Description

镀敷液、镀敷套装、导电性基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种镀敷液、镀敷套装及导电性基板的制造方法。

背景技术

具有导电性细线(显示导电性的细线状的配线)的导电性基板广泛用于触摸面板、太阳能电池及EL(电致发光)元件等各种用途。尤其，近年来，触摸面板在移动电话及便携式游戏机上的搭载率上升，能够多点检测的静电电容方式的触摸面板用导电性基板的需求迅速扩大。

作为制造导电性细线的方法，可举出镀敷法。在专利文献1中公开了一种包含银离子和氨基羧酸化合物的镀敷液。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-042166号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

另一方面，近年来，导电性细线的细线化不断发展，导电性细线之间的空间宽度也被设计成更窄的情况不断增加。

本发明人等发现了，若欲使用专利文献1中所记载的镀敷液来形成如上述的导电性细线之间的空间宽度窄的导电性图案，则虽然导电性细线的导电性优异，但是容易发生导电性细线之间的短路。

鉴于上述情况，本发明的课题在于提供一种能够形成显示优异的导电性的导电性细线并且能够抑制所形成的导电性细线之间(特别是间隔为30μm以下的导电性细线之间)的短路的发生的镀敷液。

并且，本发明的课题还在于提供一种镀敷套装及导电性基板的制造方法。

用于解决技术课题的手段

本发明人等对上述课题进行深入研究的结果，发现了能够通过以下结构来解决上述课题。

(1)一种镀敷液，其包含银盐、具有羧基或其盐的聚合物及水，该镀敷液中，相对于镀敷液总质量，具有羧基或其盐的聚合物的含量为5.0质量％以下。

(2)根据(1)所述的镀敷液，其中，

具有羧基或其盐的聚合物的重均分子量为2000～1000000。

(3)根据(1)或(2)所述的镀敷液，其中，

具有羧基或其盐的聚合物的重均分子量为2000～500000。

(4)根据(1)至(3)中任一项所述的镀敷液，其中，

银盐的银换算质量与具有羧基或其盐的聚合物的质量之比为0.10～5.0。

(5)根据(1)至(4)中任一项所述的镀敷液，其还包含还原剂。

(6)一种镀敷套装，其包含(1)至(4)中任一项所述的镀敷液和含有还原剂的还原液。

(7)一种导电性基板的制造方法，其具有：

在支撑体上形成细线状的含银层的工序；及

使用(1)至(5)中任一项所述的镀敷液或(6)所述的镀敷套装，对细线状的含银层实施镀敷处理而形成导电性细线的工序。

(8)根据(7)所述的导电性基板的制造方法，其中，

将多个导电性细线相互平行地配置，

存在相邻的导电性细线之间的间隔为30μm以下的区域。

(9)根据(7)所述的导电性基板的制造方法，其中，

由导电性细线形成有网格图案，

导电性细线的线宽为0.5μm以上且小于4.0μm。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够形成显示优异的导电性的导电性细线并且能够抑制所形成的导电性细线之间(特别是间隔为30μm以下的导电性细线之间)的短路的发生的镀敷液。

并且，根据本发明，能够提供一种镀敷套装及导电性基板的制造方法。

附图说明

图1是表示网格图案的局部俯视图。

图2是表示细线状的含银层平行排列的状态的局部俯视图。

图3是导电性基板的剖视图。

图4是用于说明梳齿状图案区域的图。

具体实施方式

以下，对本发明进行详细说明。

以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式来进行的，但本发明并不限制于这种实施方式。

另外，在本说明书中，使用“～”来表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值而包括的范围。

作为本发明的特征点，可举出使用规定量的具有羧基或其盐的聚合物的点。

本发明人对以往技术的问题进行研究的结果，发现了在以往的镀敷液中，在镀敷液中进行银离子的还原而生成包含银的凝集物，该凝集物附着于导电性细线之间，在镀敷处理时生长，成为使导电性细线之间短路的原因。因此，通过使用规定量的具有羧基或其盐的聚合物，可抑制镀敷液中的包含银的凝集物的产生及生长，其结果，发现了能够在保持所形成的导电性细线的优异的导电性的状态下，抑制导电性细线之间(特别是间隔为30μm以下的导电性细线之间)的短路的发生。

本发明的镀敷液(以下，也简称为“镀敷液”。)包含银盐、具有羧基或其盐的聚合物及水，相对于镀敷液总质量，具有羧基或其盐的聚合物的含量为5.0质量％以下。

以下，首先对镀敷液进行详细叙述，然后对导电性基板的制造方法进行详细叙述。

＜镀敷液＞

(银盐)

镀敷液包含银盐。

银盐的种类并无特别限制，能够使用公知的银盐。作为银盐，优选水溶性银盐。水溶性银盐是指相对于水溶解0.1质量％以上的银盐。

作为银盐，可举出无机银盐及有机银盐，优选无机银盐。

作为无机银盐，例如，可举出硝酸银、氟化银、高氯酸银及硫酸银。

镀敷液中的银盐的含量并无特别限制，从可获得导电性细线的导电性更优异的观点及可进一步抑制导电性细线之间的短路的发生的观点中的至少一种效果的观点(以下，也简称为“本发明的效果更优异的观点”。)出发，优选0.01～5.0mol/L，更优选0.10～3.0mol/L。

银盐可以仅使用一种，也可以同时使用两种以上。

(具有羧基或其盐的聚合物)

镀敷液包含具有羧基或其盐的聚合物(以下，也简称为“含酸基聚合物”。)。

羧基的盐表示由通式(X)表示的基团。

通式(X)-COO^-M⁺

M⁺表示1价的阳离子。作为1价的阳离子，例如，可举出碱金属离子(例如，钠离子、钾离子及锂离子)、铵离子(例如，NH₄ ⁺)及吡啶鎓离子。

关于含酸基聚合物，只要具有羧基或其盐即可，其结构并无特别限制。其中，含酸基聚合物优选具备具有羧基或其盐的重复单元。

作为具有羧基或其盐的重复单元，优选由通式(Y)表示的重复单元或由通式(Z)表示的重复单元。

[化学式1]

R^a1表示氢原子或烷基。烷基的碳原子数优选1～5，更优选1～3，进一步优选1。

L^a1表示单键或2价的连结基团。作为2价的连结基团，例如，可举出2价的烃基(例如，亚烷基、亚烯基及亚炔基等2价的脂肪族烃基、以及亚芳基等2价的芳香族烃基)、2价的杂环基、-O-、-S-、-NH-、-N(Q)-、-CO-或将它们组合而成的基团(例如，-O-2价的烃基-、-(O-2价的烃基)_m-O-(m表示1以上的整数)及-2价的烃基-O-CO-等)。Q表示氢原子或烷基。

R^a2表示羧基或其盐。

R^b1分别独立地表示氢原子或烷基。烷基的碳原子数优选1～5，更优选1～3，进一步优选1。

L^b1分别独立地表示单键或2价的连结基团。由L^b1表示的2价的连结基团的定义与由L^a1表示的2价的连结基团的定义相同。

R^b2分别独立地表示羧基或其盐。

含酸基聚合物中的具有羧基或其盐的重复单元的含量并无特别限制，但是相对于含酸基聚合物中的所有重复单元，优选50摩尔％以上，更优选75摩尔％以上。上限并无特别限制，但是可举出100摩尔％。

含酸基聚合物可以具有除了具有羧基或其盐的重复单元以外的其他重复单元。

含酸基聚合物的重均分子量并无特别限制，但是从本发明的效果更优异的观点出发，优选2000～1000000，更优选2000～500000。

在本说明书中，重均分子量被定义为基于GPC(Gel Permeation Chromatography：凝胶渗透色谱法)测定的聚苯乙烯换算值。

例如，对于GPC测定，使用HLC-8121GPC(Tosoh Corporation制造)，作为管柱使用2个TSKgel GMH_HR-H(20)HT(Tosoh Corporation制造，7.8mmID×30cm)，作为洗脱液使用1,2,4-三氯苯。并且，作为条件，将试样浓度设为0.02质量％、将流速设为1.0ml/min、将样品注入量设为300μl、将测量温度设为160℃，使用IR(infr ared：红外线)检测器来进行。

相对于镀敷液总质量，镀敷液中的含酸基聚合物的含量为5.0质量％以下。其中，从本发明的效果更优异的观点出发，优选0.01～5.0质量％，更优选0.05～5.0质量％。

含酸基聚合物可以仅使用一种，也可以同时使用两种以上。

银盐的银换算质量与含酸基聚合物的质量之比(银盐的银换算质量/含酸基聚合物的质量)并无特别限制，通常为0.01～20，从本发明的效果更优异的观点出发，优选0.10～5.0。

另外，银换算质量是指银盐全部被还原而生成的银的质量。

(水)

镀敷液包含水。

镀敷液中的水的含量并无特别限制，但是相对于镀敷液总质量，优选60～95质量％，更优选80～90质量％。

(其他成分)

镀敷液可以包含除了上述的银盐、含酸基聚合物及水以外的其他成分。

镀敷液可以包含络合剂。作为络合剂，可举出亚硫酸盐、硫代硫酸盐或者具有酰亚胺基或酰胺基的有机化合物。作为络合剂，例如，可举出亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵、硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫代硫酸铵、乙内酰脲化合物及酰亚胺化合物。

镀敷液中的络合剂的含量并无特别限制，但是相对于镀敷液总质量，优选1～30质量％，更优选5～20质量％。

络合剂可以仅使用一种，也可以同时使用两种以上。

镀敷液可以包含还原剂。作为还原剂，可举出抗坏血酸及异抗坏血酸等抗坏血酸化合物或其盐、肼、一水合肼、硫酸肼及氯化肼等肼或其盐、对苯二酚及甲对苯二酚等对苯二酚或其衍生物、以及邻苯三酚、邻苯三酚单甲醚、邻苯三酚-4-羧酸、邻苯三酚-4,6-二羧酸及没食子酸等邻苯三酚或其衍生物。

镀敷液中的还原剂的含量并无特别限制，但是相对于镀敷液总质量，优选0.01～5质量％，更优选0.1～3质量％。

还原剂可以仅使用一种，也可以同时使用两种以上。

另外，如后述，在镀敷液不含还原剂的情况下，可以单独准备包含还原剂的还原液。

镀敷液除了上述以外，还可以包含其他添加剂(例如，pH调节剂、碘化钾)。另外，碘化钾有助于提高镀敷速度。

镀敷液的pH并无特别限制，但是从本发明的效果更优异的观点出发，优选8.0～13.0，更优选9.0～11.0。

pH为在25℃下测定的值。

＜镀敷套装＞

上述镀敷液可以设为包含该镀敷液和含有还原剂的还原液的镀敷套装。尤其，在镀敷液中不含还原剂的情况下，能够通过使用上述还原液来进行镀敷处理。

还原液中所包含的还原剂的种类如上所述。

还原液中的还原剂的含量并无特别限制，但是相对于还原液总质量，优选1～30质量％，更优选3～20质量％。

还原剂可以仅使用一种，也可以同时使用两种以上。

＜导电性基板的制造方法＞

本发明的导电性基板的制造方法具有以下工序1及工序2。

工序1：在支撑体上形成细线状的含银层的工序；及

工序2：使用上述镀敷液或上述镀敷套装，对细线状的含银层实施镀敷处理而形成导电性细线的工序

以下，对各工序的步骤进行详细叙述。

(工序1)

工序1为在支撑体上形成细线状的含银层的工序。通过本工序形成待实施镀敷处理的细线状的含银层。

本工序中所使用的支撑体的种类并无特别限制，可举出塑料基板、玻璃基板及金属基板，优选塑料基板。

支撑体的厚度并无特别限制，通常为25～500μm。另外，在将导电性基板应用于触摸面板时，将支撑体表面用作触摸面的情况下，支撑体的厚度可以超过500μm。

作为构成支撑体的材料，优选聚对苯二甲酸乙二酯(PET)(熔点：258℃)、聚环烯烃(熔点：134℃)、聚碳酸酯(熔点：250℃)、丙烯酸薄膜(熔点：128℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(熔点：269℃)、聚乙烯(熔点：135℃)、聚丙烯(熔点：163℃)、聚苯乙烯(熔点：230℃)、聚氯乙烯(熔点：180℃)、聚偏二氯乙烯(熔点：212℃)及三乙酰纤维素(熔点：290℃)等熔点约为290℃以下的树脂，更优选PET、聚环烯烃及聚碳酸酯。

支撑体的总透光率优选85～100％。

可以在支撑体的表面上配置底涂层。

底涂层优选包含后述的特定高分子。若使用该底涂层，则后述的导电性细线对支撑体的密合性进一步提高。

底涂层的形成方法并无特别限制，例如，可举出如下方法：将包含特定高分子的底涂层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理。根据需要，在底涂层形成用组合物中可以包含溶剂。溶剂的种类并无特别限制，可例示后述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。并且，作为包含特定高分子的底涂层形成用组合物，可以使用包含特定高分子的粒子的胶乳。

底涂层的厚度并无特别限制，从导电性细线对支撑体的密合性更优异的观点出发，优选0.02～0.3μm，更优选0.03～0.2μm。

形成于支撑体上的细线状的含银层的宽度并无特别限制，通常为0.1～30μm，从细线化的观点出发，优选0.5～20μm，更优选0.5～15μm。

并且，细线状的含银层可以形成规定的图案，例如，该图案并无特别限制，优选为将正三角形、等腰三角形及直角三角形等三角形、四边形(例如，正方形、矩形、菱形、平行四边形及梯形等)、(正)六边形、(正)八边形等(正)n边形、圆、椭圆、星形以及将它们组合而成的几何图形，更优选为网格状(网格图案)。

如图1所示，网格状可举出包括由交叉的细线状的含银层10构成的多个开口部12的形状。开口部12的一边的长度L并无特别限制，但是优选1500μm以下，更优选1300μm以下，进一步优选为1000μm以下，优选5μm以上，更优选30μm以上，进一步优选80μm以上。

形成有网格图案的细线状的含银层的宽度并无特别限制，但是从可见光透射率的观点出发，优选为0.5μm以上且小于4.0μm。

在图1中，开口部12具有菱形形状，但是可以是其他形状。例如，可以设为多边形(例如，三角形、四边形、六边形及不规则的多边形)。并且，一边的形状除了直线状以外，也可以设为弯曲形状，还可以设为圆弧状。在设为圆弧状的情况下，例如，可以对于对置的两边，设为向外凸出的圆弧状，对于另外对置的两边，设为向内凸出的圆弧状。并且，也可以将各边的形状设为向外凸出的圆弧和向内凸出的圆弧连续的波浪线形状。当然，可以将各边的形状设为正弦曲线。

从可见光透射率的观点出发，由细线状的含银层形成的网格图案的开口率优选为85％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。开口率相当于除了具有细线状的含银层的区域以外的支撑体上的区域占整体的比例。

并且，多个细线状的含银层可以相互平行地配置。更具体而言，如图2所示，多个细线状的含银层10可以沿着与细线状的含银层10所延伸的方向正交的方向配置。此时，配置成多个细线状的含银层的延伸方向相互平行。这种平行地配置的细线状的含银层例如可用作配置于触摸面板中的非显示部的引出配线，从外观性的观点出发，近年来该非显示部、所谓的边框部的宽度通常被设计得窄。如此，为了节省配线配置的空间，细线状的含银层的线宽优选30μm以下，更优选20μm以下。下限并无特别限制，但是通常为5μm以上。并且，从相同的观点出发，细线状的含银层的间隔优选30μm以下，更优选20μm以下。下限并无特别限制，但是通常为5μm以上。

在支撑体上形成细线状的含银层的方法并无特别限制，可采用公知的方法。例如，可举出如下方法：使用卤化银进行曝光及显影的方法；及在支撑体的整个表面形成银层之后，使用抗蚀剂图案去除银层的一部分，形成细线状的含银层的方法。

其中，从本发明的效果更优异的观点出发，优选使用卤化银进行曝光及显影的方法。

以下，对该方法进行详细叙述。

使用卤化银进行曝光及显影的方法优选具有以下工序。

工序A：在支撑体上形成包含卤化银、明胶及与明胶不同的高分子的含有卤化银的感光性层的工序

工序B：对含有卤化银的感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成包含金属银、明胶及与明胶不同的高分子的细线状的含银层的工序

工序C：对在工序B中获得的含银层实施加热处理的工序

工序D：去除在工序C中获得的含银层中的明胶的工序

以下，对各工序的步骤进行详细叙述。

(工序A)

工序A为在支撑体上形成包含卤化银、明胶及与明胶不同的高分子(以下，还称为“特定高分子”。)的含卤化银的感光性层(以下，还称为“感光性层”。)的工序。通过本工序来制造实施了后述的曝光处理的带感光性层的支撑体。

本工序中所使用的支撑体如上所述。

[卤化银]

卤化银中所包含的卤素原子可以是氯原子、溴原子、碘原子及氟原子中的任一个，也可以是它们的组合。例如，优选以氯化银、溴化银或碘化银作为主体的卤化银，更优选以氯化银或溴化银作为主体的卤化银。另外，还可优选使用氯溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银。

在此，例如，“以氯化银为主体的卤化银”是指在卤化银组合物中总卤化物离子中所占的氯化物离子的摩尔分数为50％以上的卤化银。以该氯化银为主体的卤化银除了氯化物离子以外，还可以包含溴化物离子和/或碘化物离子。

卤化银通常为固体粒子状，卤化银的平均粒径以球当量直径计优选10～1000nm，更优选10～200nm，从在湿热环境下导电性细线的电阻值的变化更小的观点出发，进一步优选50～150nm。

另外，球当量直径是指具有相同体积的球形粒子的直径。

用作上述卤化银的平均粒径的“球当量直径”为平均值，并且通过测定100个卤化银的球当量直径，并将它们进行算术平均而获得。

卤化银的粒子的形状并无特别限制，例如，可举出球状、立方体状、平板状(六边平板状、三角形平板状、四边形平板状等)、八面体状及十四面体状等形状。

[明胶]

明胶的种类并无特别限制，例如，可举出石灰处理明胶及酸处理明胶。并且，可以使用明胶的水解物、明胶的酶分解物、以及用氨基和/或羧基改性的明胶(邻苯二甲酰化明胶及乙酰化明胶)等。

[与明胶不同的高分子]

在感光性层中包含与明胶不同的高分子。通过在感光性层中包含该特定高分子，由感光性层形成的导电性细线的强度更优异。

关于特定高分子的种类，只要与明胶不同，则并无特别限制，但是优选后述的不会被分解明胶的蛋白水解酶或氧化剂分解的高分子。

作为特定高分子，可举出疏水性高分子(非水溶性高分子)，例如，可举出选自包含(甲基)丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、乙烯基系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚二烯系树脂、环氧系树脂、硅酮系树脂、纤维素系树脂及壳聚糖系树脂的组中的至少任一个树脂或包含构成这些树脂的单体的共聚物等。

并且，特定高分子优选具有与后述的交联剂进行反应的反应性基团。

特定高分子优选为粒子状。即，感光性层优选包含特定高分子的粒子。

作为特定高分子，优选由以下通式(1)表示的高分子(共聚物)。

通式(1)：-(A)_x-(B)_y-(C)_z-(D)_w-

另外，通式(1)中，A、B、C、及D分别表示由下述通式(A)至(D)表示的重复单元。

[化学式2]

R¹表示甲基或卤素原子，优选甲基、氯原子或溴原子。p表示0～2的整数，优选0或1，更优选0。

R²表示甲基或乙基，优选甲基。

R³表示氢原子或甲基，优选氢原子。L表示2价的连结基团，优选由下述通式(3)表示的基团。

通式(3)：-(CO-X¹)_r-X²-

通式(3)中，X¹表示氧原子或-NR³⁰-。在此，R³⁰表示氢原子、烷基、芳基或酰基，且分别可以具有取代基(例如，卤素原子、硝基及羟基)。作为R³⁰，优选氢原子、碳原子数1～10的烷基(例如，甲基、乙基、正丁基及正辛基)或酰基(例如，乙酰基及苯甲酰基)。作为X¹，优选氧原子或-NH-。

X²表示亚烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基、亚芳基亚烷基或亚烷基亚芳基亚烷基，可以在这些基团的中途插入-O-、-S-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO₂-、-N(R³¹)-或-N(R³¹)SO₂-等。R³¹表示碳原子数1～6的直链状或支链状烷基。作为X²，优选二亚甲基、三亚甲基、四亚甲基、邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、-CH₂CH₂OCOCH₂CH₂-或-CH₂CH₂OCO(C₆H₄)-等。

r表示0或1。

q表示0或1，优选0。

R⁴表示烷基、烯基或炔基，优选碳原子数5～50的烷基，更优选碳原子数5～30的烷基，进一步优选碳原子数5～20的烷基。

R⁵表示氢原子、甲基、乙基、卤素原子或-CH₂COOR⁶，优选氢原子、甲基、卤素原子或-CH₂COOR⁶，更优选氢原子、甲基或-CH₂COOR⁶，进一步优选氢原子。

R⁶表示氢原子或碳原子数1～80的烷基，可以与R⁴相同，也可以不同，R⁶的碳原子数优选1～70，更优选1～60。

通式(1)中，x、y、z及w表示各重复单元的摩尔比率。

x为3～60摩尔％，优选3～50摩尔％，更优选3～40摩尔％。

y为30～96摩尔％，优选35～95摩尔％，更优选40～90摩尔％。

z为0.5～25摩尔％，优选0.5～20摩尔％，更优选1～20摩尔％。

w为0.5～40摩尔％，优选0.5～30摩尔％。

通式(1)中，优选x为3～40摩尔％、y为40～90摩尔％、z为0.5～20摩尔％、w为0.5～10摩尔％的情况。

作为由通式(1)表示的高分子，优选由下述通式(2)表示的高分子。

[化学式3]

通式(2)中，x、y、z及w如上述定义。

由通式(1)表示的高分子可以包含除了由上述通式(A)至(D)表示的重复单元以外的其他重复单元。

作为用于形成其他重复单元的单体，例如，可举出丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、乙烯基酯类、烯烃类、巴豆酸酯类、衣康酸二酯类、马来酸二酯类、富马酸二酯类、丙烯酰胺类、不饱和羧酸类、烯丙基化合物、乙烯基醚类、乙烯基酮类、乙烯基杂环化合物、缩水甘油酯类及不饱和腈类。作为这些单体，也记载于日本专利第3754745号公报的0010～0022段中。从疏水性的观点出发，优选丙烯酸酯类或甲基丙烯酸酯类，更优选甲基丙烯酸羟烷基酯或丙烯酸羟烷基酯。

由通式(1)表示的高分子优选包含由通式(E)表示的重复单元。

通式(E)

[化学式4]

上述式中，L_E表示亚烷基，优选碳原子数1～10的亚烷基，更优选碳原子数2～6的亚烷基，进一步优选碳原子数2～4的亚烷基。

作为由通式(1)表示的高分子，尤其优选由下述通式(3)表示的高分子。

[化学式5]

上述式中，a1、b1、c1、d1及e1表示各重复单元的摩尔比率，a1表示3～60(摩尔％)，b1表示30～95(摩尔％)，c1表示0.5～25(摩尔％)，d1表示0.5～40(摩尔％)，e1表示1～10(摩尔％)。

a1的优选范围与上述x的优选范围相同，b1的优选范围与上述y的优选范围相同，c1的优选范围与上述z的优选范围相同，d1的优选范围与上述w的优选范围相同。

e1为1～10摩尔％，优选2～9摩尔％，更优选2～8摩尔％。

特定高分子例如能够参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报等而合成。

特定高分子的重均分子量并无特别限制，优选1000～1000000，更优选2000～750000，进一步优选3000～500000。

根据需要，在感光性层中可以包含除了上述的材料以外的其他材料。

例如，可举出用于卤化银的稳定化及高灵敏度化的铑化合物及铱化合物等属于8族及9族的金属化合物。或者，还可举出如特开2009-004348号公报的0220～0241段中所记载的抗静电剂、造核促进剂、光谱增感色素、表面活性剂、防雾剂、硬膜剂、防黑点剂、氧化还原化合物、单次甲基化合物及二羟基苯类。而且，在感光性层中可以包含物理显影核。

并且，在感光性层中可以包含用于使上述特定高分子彼此交联的交联剂。通过包含交联剂，进行特定高分子彼此之间的交联，分解去除了明胶时也可保持导电性细线中的金属银彼此的连结。

[工序A的步骤]

在工序A中形成包含上述成分的感光性层的方法并无特别限制，但是从生产率的观点出发，优选在支撑体上接触包含卤化银、明胶及特定高分子的感光性层形成用组合物，并在支撑体上形成感光性层的方法。

以下，对该方法中所使用的感光性层形成用组合物的形态进行详细叙述，然后，对工序的步骤进行详细叙述。

[感光性层形成用组合物中所包含的材料]

在感光性层形成用组合物中包含上述的卤化银、明胶及特定高分子。另外，根据需要，特定高分子可以以粒子状的形态包含在感光性层形成用组合物中。

根据需要，在感光性层形成用组合物中可以包含溶剂。

作为溶剂，可举出水、有机溶剂(例如，醇类、酮类、酰胺类、亚砜类、酯类及醚类)、离子性液体及它们的混合溶剂。

使感光性层形成用组合物与支撑体接触的方法并无特别限制，例如，可举出将感光性层形成用组合物涂布于支撑体上的方法及将支撑体浸渍于感光性层形成用组合物中的方法等。

另外，上述处理之后，根据需要，可以实施干燥处理。

[含卤化银的感光性层]

在通过上述步骤形成的感光性层中包含卤化银、明胶及特定高分子。

感光性层中的卤化银的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，以银换算计优选3.0～20.0g/m²，更优选5.0～15.0g/m²。

银换算是指换算成卤化银全部被还原而生成的银的质量。

感光性层中的特定高分子的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，优选0.04～2.0g/m²，更优选0.08～0.40g/m²，进一步优选0.10～0.40g/m²。

(工序B)

工序B为如下工序：对感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成包含金属银、明胶及特定高分子的细线状的含银层。

通过对感光性层实施曝光处理，在曝光区域中形成潜像。

曝光可以实施为图案状，例如，为了获得由后述的导电性细线构成的网格图案，可举出经由具有网格状的开口图案的掩模而曝光的方法、及扫描激光束而曝光成网格状的方法。

曝光时所使用的光的种类并无特别限制，只要能够在卤化银上形成潜像即可，例如，可举出可见光线、紫外线及X射线。

通过对经曝光的感光性层实施显影处理，在曝光区域(形成了潜像的区域)中析出金属银。

显影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的公知的方法。

在显影处理中，通常使用显影液。显影液的种类并无特别限制，例如，可举出PQ(phenidone hydroquinone：菲尼酮对苯二酚)显影液、MQ(Metol hydroquinone：米吐尔对苯二酚)显影液及MAA(米吐尔抗坏血酸)显影液。

该工序还可以具有为了去除未曝光部分的卤化银并使其稳定化而进行的定影处理。

关于定影处理，与显影同时实施和/或在显影之后实施。定影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的方法。

在定影处理中，通常使用定影液。定影液的种类并无特别限制，例如，可举出“照片的化学”(笹井著，照片工业出版社)p321中所记载的定影液。

通过实施上述处理，可形成包含金属银、明胶及特定高分子的细线状的含银层。

另外，作为调节含银层的宽度的方法，例如，可举出调节曝光时所使用的掩模的开口宽度的方法。

并且，在曝光时使用掩模的情况下，还能够通过调节曝光量来调节所形成的含银层的宽度。例如，在掩模的开口宽度比目标含银层的宽度窄的情况下，能够通过使曝光量比通常增加来调节形成潜像的区域的宽度。

而且，在使用激光束的情况下，能够通过调节激光束的聚光范围和/或扫描范围来调节曝光区域。

(工序C)

工序C为对工序B中所获得的含银层实施加热处理的工序。通过实施本工序，进行含银层中的特定高分子之间的熔接，从而含银层的强度得到提高。

加热处理的方法并无特别限制，可举出使含银层与过热蒸汽接触的方法及使用调温装置(例如，加热器)对含银层进行加热的方法，优选使含银层与过热蒸汽接触的方法。

作为过热蒸汽，可以是过热水蒸汽，也可以是在过热水蒸汽中混合其他气体而得的蒸汽。

过热蒸汽与含银层的接触时间并无特别限制，优选10～70秒钟。

过热蒸汽的供给量优选500～600g/m³，过热蒸汽的温度在1个大气压下优选100～160℃(优选为100～120℃)。

作为使用调温装置对含银层进行加热的方法中的加热条件，优选在100～200℃(优选为100～150℃)下加热1～240分钟(优选为60～150分钟)的条件。

(工序D)

工序D为去除工序C中所获得的含银层中的明胶的工序。通过实施本工序，可从含银层中去除明胶，在含银层中形成空间。

去除明胶的方法并无特别限制，例如，可举出使用蛋白水解酶的方法(以下，还称为“方法1”。)及使用氧化剂来分解去除明胶的方法(以下，还称为“方法2”。)。

作为在方法1中使用的蛋白水解酶，可举出能够水解明胶等蛋白质的植物性或动物性酶中公知的酶。

作为蛋白水解酶，例如，可举出胃蛋白酶、凝乳酶、胰蛋白酶、糜蛋白酶、组织蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶、凝血酶、肾素、胶原蛋白酶、菠罗蛋白酶及细菌蛋白酶，优选胰蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶或细菌蛋白酶。

作为方法1中的步骤，只要是使含银层与上述蛋白水解酶接触的方法即可，例如，可举出使含银层与包含蛋白水解酶的处理液(以下，还称为“酶液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层浸渍于酶液中的方法及在含银层上涂布酶液的方法。

酶液中的蛋白水解酶的含量并无特别限制，从容易控制明胶的分解去除程度的观点出发，相对于酶液总量，优选0.05～20质量％，更优选0.5～10质量％。

在酶液中除了上述蛋白水解酶以外，通常还包含水。

根据需要，在酶液中可以包含其他添加剂(例如，pH缓冲剂、抗菌性化合物、润湿剂及防腐剂)。

关于酶液的pH，以最大限度地获得酶的作用的方式进行选择，但是通常，优选5～9。

酶液的温度优选酶的作用提高的温度，具体而言优选25～45℃。

另外，根据需要，可以在使用酶液进行的处理之后，实施用热水清洗所获得的含银层的清洗处理。

清洗方法并无特别限制，优选使含银层与热水接触的方法，例如，可举出将含银层浸渍于热水中的方法及在含银层上涂布热水的方法。

热水的温度可根据所使用的蛋白水解酶的种类来适当地选择最佳的温度，从生产率的观点出发，优选20～80℃，更优选40～60℃。

热水与含银层的接触时间(清洗时间)并无特别限制，从生产率的观点出发，优选1～600秒钟，更优选30～360秒钟。

作为方法2中所使用的氧化剂，只要是能够分解明胶的氧化剂即可，优选标准电极电位为+1.5V以上的氧化剂。另外，在此，标准电极电位是指氧化剂在水溶液中对标准氢电极的标准电极电位(25℃，E0)。

作为上述氧化剂，例如，可举出过硫酸、过碳酸、过磷酸、次过氯酸、过乙酸、间氯过苯甲酸、双氧水、过氯酸、过碘酸、高锰酸钾、过硫酸铵、臭氧、次氯酸或其盐等。其中，从生产率、经济性的观点出发，优选双氧水(标准电极电位：1.76V)、次氯酸或其盐，更优选次氯酸钠。

作为方法2中的步骤，只要是使含银层与上述氧化剂接触的方法即可，例如，可举出使含银层与包含氧化剂的处理液(以下，还称为“氧化剂液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层浸渍于氧化剂液中的方法及在含银层上涂布氧化剂液的方法。

氧化剂液中所包含的溶剂的种类并无特别限制，可举出水及有机溶剂。

(工序2)

工序2为如下工序：使用上述镀敷液或上述镀敷套装，对在工序1中获得的细线状的含银层实施镀敷处理而形成导电性细线。

通过实施本工序，在细线状的含银层上及内部析出镀敷。尤其，在通过上述的工序A～工序D获得的含银层内具有通过去除明胶而形成的空间，因此通过实施本工序而形成在空间填充有金属(镀敷金属)的导电性细线。

本工序中所使用的镀敷液及镀敷套装如上所述。

上述镀敷处理的步骤并无特别限制，在使用镀敷液的情况下，只要是使含银层与镀敷液接触的方法即可，例如，可举出将含银层浸渍于镀敷液中的方法。

含银层与镀敷液的接触时间并无特别限制，从导电性细线的导电性更优异的观点及生产率的观点出发，优选30秒钟～30分钟。

并且，在使用镀敷套装的情况下，可举出如下方法：依次或同时对含银层赋予镀敷液及还原液，使含银层与镀敷液及还原液接触，在含银层上及内部析出镀敷。

(其他工序)

本发明的导电性基板的制造方法可以具有除了上述工序1及工序2以外的其他工序。

本发明的导电性基板的制造方法中，在工序2之后，还可以具有对工序2中所获得的导电性细线实施平滑处理的工序3。

通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线。

平滑处理的方法并无特别限制，例如，优选使具有导电性细线的支撑体在加压下通过至少一对辊之间的压延处理工序。以下，将使用了压延辊的平滑处理称为压延处理。

作为压延处理中所使用的辊，可举出塑料辊及金属辊，从防褶的观点出发，优选塑料辊。

辊之间的压力并无特别限制，优选2MPa以上，更优选4MPa以上，优选120MPa以下。另外，关于辊之间的压力，能够使用Fujifilm Corporation制造的Prescal e(高压用)来测定。

平滑处理的温度并无特别限制，优选10～100℃，更优选10～50℃。

本发明的导电性基板的制造方法中，在工序3之后，还可以具有对工序3中所获得的导电性细线实施加热处理的工序4。通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线。

对导电性细线实施加热处理的方法并无特别限制，可举出在工序C中叙述的方法。

本发明的导电性基板的制造方法中，在工序A之前，可以具有在支撑体上形成包含明胶及特定高分子的不含卤化银层的工序E。通过实施本工序，在支撑体与含卤化银的感光性层之间形成不含卤化银层。该不含卤化银层发挥所谓的防光晕层的作用的同时有助于提高导电性细线与支撑体的密合性。

在不含卤化银层中包含上述的明胶和特定高分子。另一方面，在不含卤化银层中不含卤化银。

不含卤化银层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选0.1～5.0，更优选1.0～3.0。

不含卤化银层中的特定高分子的含量并无特别限制，通常为0.03g/m²以上，从导电性细线的密合性更优异的观点出发，优选1.0g/m²以上。上限并无特别限制，但是通常为1.63g/m²以下。

不含卤化银层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将含有明胶和特定高分子的层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理的方法。

根据需要，在层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。

不含卤化银层的厚度并无特别限制，通常为0.05μm以上，从导电性细线的密合性更优异的观点出发，优选超过1.0μm，更优选1.5μm以上。上限并无特别限制，但是通常为3.0μm以下。

本发明的导电性基板的制造方法中，在工序A之后且工序B之前，可以具有在含卤化银的感光性层上形成包含明胶和特定高分子的保护层的工序F。通过设置保护层，能够防止感光性层的擦伤及改善力学特性。

保护层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选超过0且2.0以下，更优选超过0且1.0以下。

并且，保护层中的特定高分子的含量并无特别限制，优选超过0g/m²且0.3g/m²以下，更优选0.005～0.1g/m²。

保护层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将包含明胶和特定高分子的保护层形成用组合物涂布于含卤化银的感光性层上，并根据需要实施加热处理的方法。

根据需要，在保护层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。

保护层的厚度并无特别限制，优选0.03～0.3μm，更优选0.075～0.20μm。

＜导电性基板＞

以下，对通过本发明的导电性基板的制造方法获得的导电性基板的结构进行说明。

图3表示本发明的导电性基板的第1实施方式的剖视图。

导电性基板20包括支撑体14和配置于支撑体14上的导电性细线16。另外，虽然图1中记载了2个导电性细线16，但是其数量并无特别限制。

导电性细线的线宽并无特别限制，通常为0.1～30μm，从细线化的观点出发，优选0.5～20μm，更优选0.5～15μm。

导电性细线可以形成规定的图案。作为由导电性细线形成的图案，可举出由上述的细线状的含银层形成的图案，优选网格状(网格图案)。

网格状是指上述的图1中所示的形态。

由导电性细线形成的网格图案的开口部的一边的长度的优选范围与由上述的细线状的含银层形成的网格图案的开口部的一边的长度的优选范围相同。

由导电性细线形成的网格图案的开口率的优选范围与由上述的细线状的含银层形成的网格图案的开口率的优选范围相同。

并且，形成有网格图案的导电性细线的线宽并无特别限制，但是从可见光透射率的观点出发，优选为0.5μm以上且小于4.0μm。

并且，多个导电性细线可以相互平行地配置。更具体而言，与图2中所示的细线状的含银层的情况同样地，多个导电性细线可以沿着与导电性细线所延伸的方向正交的方向配置。此时，配置成多个导电性细线的延伸方向相互平行。这种平行地配置的导电性细线例如可用作配置于触摸面板中的非显示部的引出配线，从外观性的观点出发，近年来该非显示部、所谓的边框部的宽度通常设计得窄。如此，为了节省配线配置的空间，导电性细线的线宽优选30μm以下，更优选20μm以下。下限并无特别限制，但是通常为5μm以上。并且，从相同的观点出发，导电性细线的间隔优选30μm以下，更优选20μm以下。下限并无特别限制，但是通常为5μm以上。

＜用途＞

以上述方式获得的导电性基板能够适用于各种用途，能够适用于触摸面板(或触摸面板传感器)、半导体芯片、各种电气配线板、FPC(Flexible Printed Circuits：挠性电路板)、COF(Chip on Film：覆晶薄膜)、TAB(Tape Automated Bonding：卷带自动结合)、天线、多层配线基板及母板等各种用途。其中，本发明的导电性基板优选用于触摸面板(静电电容式触摸面板)。

在将本发明的导电性基板用于触摸面板的情况下，上述的导电性细线能够作为检测电极而有效地发挥作用。

实施例

以下，列举本发明的实施例来对本发明进行进一步具体的说明。另外，关于以下的实施例中所示的材料、用量、比例、处理内容及处理步骤等，只要不脱离本发明的主旨，则能够进行适当变更。因此，本发明的范围不应由以下所示的具体例限定性地进行解释。

＜实施例1＞

(卤化银乳剂的制备)

在保持为38℃、pH4.5的下述1液中，一边搅拌1液，一边经20分钟加入相当于下述2液及3液的各90％的量，从而形成了0.16μm的核粒子。接着，经8分钟在所获得的溶液中加入下述4液及5液，进一步经2分钟加入下述2液及3液的剩余10％的量，使核粒子生长至0.21μm。而且，在所获得的溶液中加入碘化钾0.15g，熟化5分钟，结束了粒子形成。

1液：

2液：

水 300ml

硝酸银 150g

3液：

4液：

水 100ml

硝酸银 50g

5液：

然后，按照常规方法通过絮凝法进行了水洗。具体而言，将上述获得的溶液的温度降低至35℃，使用硫酸降低了pH(pH在3.6±0.2的范围内)直至卤化银沉淀。接着，从所获得的溶液中去除了约3升的上清液(第1水洗)。接着，在去除了上清液的溶液中加入3升的蒸留水之后，加入了硫酸，直至卤化银沉淀。再次，从所获得的溶液中去除了3升的上清液(第2水洗)。进一步反复进行1次与第2水洗相同的操作(第3水洗)，结束了水洗及脱盐工序。将水洗及脱盐之后的乳剂调节至pH6.4、pAg7.5，加入明胶2.5g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，并在55℃下实施了化学增感，以获得最佳灵敏度。然后，进一步在所获得的乳剂中加入了作为稳定剂的1,3,3a,7-四氮茚100mg及作为防腐剂的PROXEL(商品名称，ICI Co.,Ltd.制造)100mg。最终获得的乳剂为包含0.08摩尔％的碘化银，并将氯溴化银的比率设为70摩尔％的氯化银、30摩尔％的溴化银且平均粒径(球当量直径)为200nm、变动系数为9％的氯溴化银立方体粒子乳剂。

(感光性层形成用组合物的制备)

在上述乳剂中添加1,3,3a,7-四氮茚(1.2×10^-4摩尔/摩尔Ag)、氢醌(1.2×10^-2摩尔/摩尔Ag)、柠檬酸(3.0×10^-4摩尔/摩尔Ag)、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐(0.90g/摩尔Ag)及微量的坚膜剂，从而获得了组合物。接着，使用柠檬酸来将组合物的pH调节至5.6。

在上述组合物中添加包含由下述(P-1)表示的高分子(以下，还称为“高分子1”。式中的数值(“8.6”、“58.9”、“2”、“25.4”、“5.1”)表示各重复单元的摩尔比率。)、包含二烷基苯基PEO(PEO为聚环氧乙烷的简称。)硫酸酯的分散剂及水的聚合物胶乳(分散剂的质量与高分子1的质量之比(分散剂的质量/高分子1的质量，单位为g/g)为0.02，并且固体成分含量为22质量％。)，以使组合物中的高分子1的质量与明胶的总质量之比(高分子1的质量/明胶的质量，单位为g/g)成为0.25/1，从而获得了含有聚合物胶乳的组合物。在此，在含有聚合物胶乳的组合物中，明胶的质量与源自卤化银的银的质量之比(明胶的质量/源自卤化银的银的质量，单位为g/g。)为0.11。

而且，作为交联剂而添加了EPOXY RESIN DY 022(商品名称，Nagase ChemteXCorporation制造)。另外，将交联剂的添加量调节成后述的含卤化银的感光性层中的交联剂的量成为0.09g/m²。

以上述方式制备了感光性层形成用组合物。

另外，关于高分子1，参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报进行了合成。

[化学式6]

在40μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(“Fujifilm Corporation制造的辊状的长条薄膜”)上涂布上述聚合物胶乳，设置了厚度为0.05μm的底涂层。该处理是通过辊对辊来进行的，以下各处理(工序)也是与其同样地通过辊对辊来进行的。另外，此时的辊宽度为1m，长度为1000m。

(工序E-1、工序A-1、工序F-1)

接着，在底涂层上同时重层涂布混合了上述聚合物胶乳和明胶的不含卤化银层形成用组合物、上述感光性层形成用组合物及混合了聚合物胶乳和明胶的保护层形成用组合物，在底涂层上形成了不含卤化银层、含卤化银的感光性层及保护层。

另外，不含卤化银层的厚度为2.0μm，不含卤化银层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为2/1，高分子1的含量为1.3g/m²。

并且，含卤化银的感光性层的厚度为2.5μm，含卤化银的感光性层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.25/1，高分子1的含量为0.19g/m²。

并且，保护层的厚度为0.15μm，保护层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.1/1，高分子1的含量为0.015g/m²。

(工序B-1)

使用将高压汞灯作为光源的平行光，在上述制作的感光性层上隔着格栅状的光掩模进行了曝光。作为光掩模而使用用于形成如图1的网格图案的掩模，形成网格的单位方形网格的线宽为1.2μm，网格(开口部)的一边的长度L为600μm。

曝光之后，利用后述的显影液对所获得的样品进行显影，进一步使用定影液(商品名称：CN16X用N3X-R：Fujifilm Corporation制造)进行显影处理之后，利用25℃的纯水进行冲洗，然后进行干燥，获得了形成为网格图案状的、具有包含金属银的含银层的样品A。在样品A中，形成了大小为21.0cm×29.7cm的导电性网格图案区域。

(显影液的组成)

在显影液1升(L)中包含以下化合物。

将上述获得的样品A在50℃的热水中浸渍了180秒钟。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。

(工序C-1)

将工序B-1中所获得的样品A运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。

(工序D-1)

将工序C-1中所获得的样品A在含有次氯酸的水溶液(25℃)中浸渍了30秒钟。从水溶液中取出样品A，将样品A在热水(液温：50℃)中浸渍120秒钟，并进行了清洗。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。

另外，所使用的含有次氯酸的水溶液是通过将Kao Corporation制造的Kitche nHighter稀释为2倍之后使用来制备。

(工序2-1)

将工序D-1中所获得的样品A在以下组成的镀敷液A(30℃)中浸渍了3分钟。从镀敷液A中取出样品A，将样品A在热水(液温：50℃)中浸渍120秒钟，并进行了清洗。

镀敷液A(总量1200g)的组成如下述。另外，镀敷液A的pH为10，通过加入规定量的碳酸钾(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)来调节。并且，所使用的以下成分均使用了FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造。

(镀敷液A的组成)

(工序3-1)

对于工序2-1中所获得的样品A，使用基于金属辊和树脂制辊的组合的压延装置，在30kN的压力下进行了压延处理。在室温下进行了压延处理。

(工序4-1)

对于工序3-1中所获得的样品A，运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。

在通过工序4-1获得的样品A中，导电性细线形成了网格图案。导电性细线的线宽为1.5μm。

并且，变更了上述(工序B-1)中的光掩模，除此以外，按照与上述相同的步骤，制作了100个在支撑体上形成有图4中所示的梳齿状图案区域的样品B。图4中，图案的宽度W为10μm，图案间隔I为10μm，图案长度L为30cm。

＜实施例2～实施例12、比较例1～比较例4＞

如表1那样变更镀敷液中的银盐的浓度、含酸基聚合物的种类、浓度及分子量、以及银/聚合物比，除此以外，按照与实施例1相同的步骤，制作了样品A及B。

＜实施例13＞

在样品B的制作中，将图4中所示的梳齿状图案区域中的图案间隔I设为5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式实施了评价。

＜评价＞

(导电性)

测定了所获得的样品A的导电性网格图案区域的线电阻值。线电阻值是指将利用四端针法测定的电阻值除以测定端子之间的距离而得的值。更具体而言，使构成网格图案的任意1个导电性细线的两端断开而从网格图案分离之后，使4个(A、B、C、D)微探针(MicroSupport Co.,Ltd制造的钨探针(直径为0.5um))与分离的导电性细线接触，使用源表(KEITHLEY制造的源表、2400型通用源表)对最外探针A、D施加恒流I，以使设为250μm间隔的内部探针B、C之间的电压V达到5mV，测定电阻值R＝V/I，将所获得的电阻值R除以B、C之间的距离而求出线电阻值。将所获得的电阻值R除以B、C之间的距离而作为线电阻值，并根据以下标准，将任意10处的测定值的平均值作为导电性进行了评价。将结果汇总示于表1中。

5：线电阻值小于60Ω/mm。

4：线电阻值为60Ω/mm以上且小于80Ω/mm。

3：线电阻值为80Ω/mm以上且小于100Ω/mm。

2：线电阻值为100Ω/mm以上且小于200Ω/mm。

1：线电阻值为200Ω/mm以上。

(短路率)

在形成有梳齿状图案区域的样品B中，使用Toyo Keisokuki Co.,Ltd制造的PICOTEST数字式万用表M3500A测定了梳齿状图案区域的两端部的电阻。在未发生短路的情况下，梳齿状图案区域的两端部不导通，因此电阻值显示过载(无限大)，但是在发生了短路的情况下，导通并通过测定来显示电阻值。通过上述方法，对100个样品B中发生短路的个数进行计数，求出了短路率。将结果汇总示于表1中。

另外，以下短路率通过下式来求出。

短路率(％)＝{(发生了短路的样品B的数量)/100}×100

5：短路率为0％。

4：短路率为1％。

3：短路率为2～3％。

2：短路率为4～10％。

1：短路率为11％以上。

表1中，“含酸基聚合物”一栏的“浓度”一栏表示含酸基聚合物相对于镀敷液总质量的质量％。

“分子量”一栏表示含酸基聚合物的重均分子量。

“银/聚合物比”表示银盐的银换算质量与含酸基聚合物的质量之比。

[表1]

如表1所示确认到，若使用本发明的镀敷液，则可获得所期望的效果。

另外，根据实施例1～实施例4的比较确认到，在含酸基聚合物的重均分子量为2000～500000的情况下，效果更优异。

并且，根据实施例5～实施例9的比较确认到，在银/聚合物比为0.10～5.0的情况下，效果更优异。

符号说明

10-细线状的含银层，12-开口部，14-支撑体，16-导电性细线，20-导电性基板。

Claims

1.一种镀敷液，其包含银盐、具有羧基或其盐的聚合物及水，所述镀敷液中，

相对于所述镀敷液总质量，所述具有羧基或其盐的聚合物的含量为5.0质量％以下，

所述具有羧基或其盐的聚合物是丙烯酸/马来酸共聚物钠，

所述具有羧基或其盐的聚合物的重均分子量为2000～6000。

2.根据权利要求1所述的镀敷液，其中，

所述银盐的银换算质量与所述具有羧基或其盐的聚合物的质量之比为0.10～5.0。

3.根据权利要求1或2所述的镀敷液，其还包含还原剂。

4.一种镀敷套装，其包含：权利要求1或2所述的镀敷液和含有还原剂的还原液。

5.一种导电性基板的制造方法，其具有：

在支撑体上形成细线状的含银层的工序；及

使用权利要求1至3中任一项所述的镀敷液或权利要求4所述的镀敷套装，对所述细线状的含银层实施镀敷处理而形成导电性细线的工序。

6.根据权利要求5所述的导电性基板的制造方法，其中，

多个所述导电性细线被相互平行地配置，

存在相邻的所述导电性细线之间的间隔为30μm以下的区域。

7.根据权利要求5所述的导电性基板的制造方法，其中，

由所述导电性细线形成有网格图案，

所述导电性细线的线宽为0.5μm以上且小于4.0μm。