JP7352643B2 - 導電性基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、導電性細線で構成されたメッシュパターンを有する導電性基板の製造方法および導電性基板に関し、特に、めっき反応液の付与を複数回行い、かつ１回当たりのめっき反応液の接触時間を制限した導電性基板の製造方法および導電性基板に関する。
近年、タッチパネルに用いるタッチセンサーとして金属細線からなるメタルメッシュセンサーが採用されている。メタルメッシュセンサーは、タッチ電極が金属細線からなり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性金属酸化物と比較して抵抗が低いこと、およびフレキシブル性を有する等の特徴を有する。
従来のメタルメッシュセンサーは金属細線の線幅が３～５μｍ、面抵抗値が３０～５０Ω／□であるが、３μｍ以上の線幅においては、表示パネルの透過率の低下、および、表示パネルの表示画素パターンとメッシュパターンのパターン干渉により生じるモアレが生じ、表示画質の低下を招くものであった。
その問題に対し、金属細線の線幅を細くすることで、具体的には１．５μｍ以下にすることで、線幅３～５μｍの時と比較して、透過率の向上とモアレ強度低下が実現できることが知られている。
従来のメタルメッシュセンサーは金属細線の線幅が３～５μｍ、面抵抗値が３０～５０Ω／□であるが、３μｍ以上の線幅においては、表示パネルの透過率の低下、および、表示パネルの表示画素パターンとメッシュパターンのパターン干渉により生じるモアレが生じ、表示画質の低下を招くものであった。
その問題に対し、金属細線の線幅を細くすることで、具体的には１．５μｍ以下にすることで、線幅３～５μｍの時と比較して、透過率の向上とモアレ強度低下が実現できることが知られている。
しかし、その一方で、金属細線の細線化に伴い、タッチ電極の面抵抗値の上昇が生じ、タッチ電極が所定の抵抗値より高くなる影響で、タッチセンサーとしての機能が低下する。すなわち、画質の向上とタッチセンサーの機能維持を両立するためには、タッチ電極の金属線幅を細線化しつつ、タッチ電極の抵抗値を維持することが必要である。
タッチ電極の金属細線の線幅を細くすることは、すなわち、導通に寄与する金属量を減らすことに等しい。金属量が減ることにより上昇する抵抗値を下げるためには、金属量をそのままで金属細線中の金属の密度を上げるか、または線幅の見た目上、太いと認識されない範囲で金属量を上げることが必要である。
後者の対応を取る際の１つの手段としては、金属細線に対する無電解めっき処理が好ましい。
タッチ電極の金属細線の線幅を細くすることは、すなわち、導通に寄与する金属量を減らすことに等しい。金属量が減ることにより上昇する抵抗値を下げるためには、金属量をそのままで金属細線中の金属の密度を上げるか、または線幅の見た目上、太いと認識されない範囲で金属量を上げることが必要である。
後者の対応を取る際の１つの手段としては、金属細線に対する無電解めっき処理が好ましい。
通常、タッチセンサーの電極パターンにはストライプ状の複数の導通メッシュ電極と、隣り合う導通するメッシュ電極間に配置される非導通のダミーメッシュパターンを有する。めっき処理は、大きく分けて電解めっき処理と無電解めっき処理があるが、タッチセンサーのように非導通のダミーメッシュ電極を有する金属パターンの場合、ダミーメッシュ電極への電気的な導通が取れないため、電解めっき処理の適用は容易ではない。めっき処理後の導通メッシュとダミーメッシュの見た目を合わせるためには、無電解めっき処理が適切である。
導電性材料に対し無電解めっき処理を行う製造方法としては特許文献１が知られている。特許文献１には、支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する導電性材料前駆体を用いて製造する導電性材料の製造方法であり、導電性材料前駆体を、ハロゲン化銀乳剤層を構成するバインダーに作用する酵素を含有する酵素含有処理液で処理し、その後めっき処理する導電性材料の製造方法が記載されている。
特許文献２には、支持体と、支持体上の少なくとも一方の面に下地層と、下地層上にレジストパターンを有する導電性パターン前駆体のレジストパターン開口部に、少なくとも無電解銀めっき処理を行う導電性パターン製造方法であって、無電解銀めっき処理時において、導電性パターン前駆体は直線状に搬送されており、搬送上流側の床面からの高さが搬送下流側より高く、かつ導電性パターン前駆体の搬送角度が水平面である床面と平行な方向に対し２０度以上９０度以下であり、アンモニア性硝酸銀溶液を搬送上流側の表側にて、還元剤溶液を搬送下流側の表側にて付与せしめる導電性パターン製造方法が記載されている。
特許文献３には、めっき前処理ラインとめっきラインとを有するめっき装置において、めっきラインは、複数のめっき浴槽を有し、所望のめっき浴槽にはめっき液収納浴槽を設けためっき装置が記載されている。特許文献３では、複数の組み合わせのめっき膜を形成できる。また、同一の浴槽でのめっき液の入れ換えのとき、それぞれのめっき液同士が混入することがなく、めっき液の管理およびめっき浴槽、めっき用設備などのメンテナンスにおける労力も大幅に減らすことができる。
１０インチ以上の画面サイズのタッチパネルに対して、応答性に優れた対応するタッチセンサーを作製する場合、一般にメッシュ電極の電気抵抗はメッシュパターンの面抵抗値が３０Ω／□以下であることが求められる。
本発明者らは、特許文献１の導電性材料の製造方法を参考に、金属細線からなるメッシュパターンの開口率が９８．０％以上となる領域でのメッシュ電極の低抵抗化を試みた。その際、特許文献１では、無電解銅めっき処理の処理条件が、めっき液温度７０℃と高温、かつ１０分間浸漬と長時間であることから、特許文献１の処理条件では工業生産性に乏しいと考えた。そこで、比較的低温でかつ必要となるめっき処理時間が短くて済む、無電解銀めっき処理に切り替えた。その結果、金属細線からなるメッシュパターンの開口率が９８．０％以上においては、メッシュパターンの面抵抗値が３０Ω／□以下になるまでめっき処理を行うと、めっき液中で銀粒子の析出が起こり、銀粒子が本来、透明であるべきメッシュパターン内の開口部に付着することにより透過率の低下を招くことが分かった。
一方、メッシュパターン内の開口部への付着が顕著でない範囲でめっき反応を停止した場合には、メッシュパターンの面抵抗値を３０Ω／□以下にできなかった。
本発明者らは、特許文献１の導電性材料の製造方法を参考に、金属細線からなるメッシュパターンの開口率が９８．０％以上となる領域でのメッシュ電極の低抵抗化を試みた。その際、特許文献１では、無電解銅めっき処理の処理条件が、めっき液温度７０℃と高温、かつ１０分間浸漬と長時間であることから、特許文献１の処理条件では工業生産性に乏しいと考えた。そこで、比較的低温でかつ必要となるめっき処理時間が短くて済む、無電解銀めっき処理に切り替えた。その結果、金属細線からなるメッシュパターンの開口率が９８．０％以上においては、メッシュパターンの面抵抗値が３０Ω／□以下になるまでめっき処理を行うと、めっき液中で銀粒子の析出が起こり、銀粒子が本来、透明であるべきメッシュパターン内の開口部に付着することにより透過率の低下を招くことが分かった。
一方、メッシュパターン内の開口部への付着が顕著でない範囲でめっき反応を停止した場合には、メッシュパターンの面抵抗値を３０Ω／□以下にできなかった。
特許文献２の導電性パターン製造方法に基づき、金属細線からなるメッシュパターンの開口率が９８．０％以上となる領域で追試を試みたところ、開口率においては面抵抗値を３０Ω／□以下とすることができなかった。また、無電解めっき処理の時間を長くするために搬送速度を低下させた場合においては、局所的に面抵抗値を３０Ω／□以下にできることが確認できた。しかしながら、他の場所では面抵抗値が３０Ω／□を超えており、サンプル面内において面抵抗値のばらつきが大きくなる問題が発覚した。これは、無電解銀めっき処理の時間を長くしたことにより、レジストパターン上への析出銀の付着が発生し、レジストパターン上に付着した析出銀へのめっき反応が進むことにより開口部への銀めっき反応が減り、サンプル面内でのメッシュパターンのめっき進行に差が生じたものと推定した。
特許文献３のめっき装置は、めっき浴槽を数種類ライン上に配置しためっき処理方法が記載されており、めっき処理を数回に分ける処理が可能である。特許文献３のめっき装置を、無電解銀めっき処理への適用を試みたところ、処理開始直後においては、低抵抗、かつメッシュパターン内の開口部の透過率が高いメッシュパターンを得ることができた。しかしながら、処理時間が経過する内にめっき浴槽内で銀粒子の析出が始まり、処理後半のメッシュパターンはメッシュパターン内の開口部の透過率が著しく落ちる結果であった。
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、開口率が高く、面抵抗値が低くかつ面抵抗値のばらつきが小さく、メッシュパターン内の開口部の透過率が高いメッシュパターンを有する導電性基板の製造方法および導電性基板を提供することにある。
上述の課題を解決するために、本発明は、支持体上に、導電性細線で構成されたメッシュパターンを形成するためのパターン前駆体を形成する工程と、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与を複数回行い、めっき処理を施す工程とを有し、めっき処理を施す工程では、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与は、１回当たりのパターン前駆体とめっき反応液との接触時間が６０秒未満である、導電性基板の製造方法を提供するものである。
めっき処理を施す工程では、非接触塗布方式によりめっき反応液をパターン前駆体に付与することが好ましい。
めっき処理を施す工程では、パターン前駆体が形成された支持体を浮上搬送して、めっき処理を施すことが好ましい。
めっき処理を施す工程では、非接触塗布方式によりめっき反応液をパターン前駆体に付与することが好ましい。
めっき処理を施す工程では、パターン前駆体が形成された支持体を浮上搬送して、めっき処理を施すことが好ましい。
パターン前駆体を形成する工程は、支持体の表面の少なくとも一方の面に、ハロゲン化銀と、２種類以上のバインダーとを含む感光性のハロゲン化銀乳剤層を形成する工程と、
ハロゲン化銀乳剤層に、メッシュパターンを形成するパターン露光、および現像処理を施し、銀含有層を形成する工程と、銀含有層に対して、２種類以上のバインダーのうち、少なくとも１種のバインダーを除去するバインダー減少処理を施す工程とを有し、めっき処理を施す工程は、バインダー減少処理が施されて得られたパターン前駆体の銀含有層に対するめっき反応液の付与を複数回行うことが好ましい。
支持体は、透明であることが好ましい。
ハロゲン化銀乳剤層に、メッシュパターンを形成するパターン露光、および現像処理を施し、銀含有層を形成する工程と、銀含有層に対して、２種類以上のバインダーのうち、少なくとも１種のバインダーを除去するバインダー減少処理を施す工程とを有し、めっき処理を施す工程は、バインダー減少処理が施されて得られたパターン前駆体の銀含有層に対するめっき反応液の付与を複数回行うことが好ましい。
支持体は、透明であることが好ましい。
また、本発明は、支持体と、支持体上に配置された、導電性細線で構成されたメッシュパターンとを有し、メッシュパターンは、開口率が９８％以上であり、かつ面抵抗値が３０Ω／□以下であり、支持体上においてメッシュパターン内の開口部の透過率が９２％以上である、導電性基板を提供するものである。
導電性細線は、金属と高分子とを含有することが好ましい。
高分子は、ゼラチン以外の高分子である、ことが好ましい。
導電性細線の線幅は、０．５～３．０μｍであることが好ましい。
導電性細線に含まれる金属は、粒子状の形状を有することが好ましい。
導電性細線に含まれる金属は、ニッケル、コバルト、銅、銀、および金からなる群のうち、少なくとも１種類であることが好ましい。
導電性細線は、金属と高分子とを含有することが好ましい。
高分子は、ゼラチン以外の高分子である、ことが好ましい。
導電性細線の線幅は、０．５～３．０μｍであることが好ましい。
導電性細線に含まれる金属は、粒子状の形状を有することが好ましい。
導電性細線に含まれる金属は、ニッケル、コバルト、銅、銀、および金からなる群のうち、少なくとも１種類であることが好ましい。
本発明によれば、開口率が高く、面抵抗値が低くかつ面抵抗値のばらつきが小さく、メッシュパターン内の開口部の透過率が高いメッシュパターンを有する導電性基板を得ることができる。
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の導電性基板の製造方法および導電性基板を詳細に説明する。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α～数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「平行」、および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α～数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
「平行」、および「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
また、光とは、活性光線または放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
また、「（メタ）アクリレート」はアクリレートおよびメタクリレートの双方、または、いずれかを表し、「（メタ）アクリル」はアクリルおよびメタクリルの双方、または、いずれかを表す。
なお、透明とは、特に断りがなければ、可視光に対して透明であることを示す。特に断りがなければ、光透過率が、波長３８０～７８０ｎｍの可視光波長域において、９２％以上であることを透明という。
光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
また、「（メタ）アクリレート」はアクリレートおよびメタクリレートの双方、または、いずれかを表し、「（メタ）アクリル」はアクリルおよびメタクリルの双方、または、いずれかを表す。
なお、透明とは、特に断りがなければ、可視光に対して透明であることを示す。特に断りがなければ、光透過率が、波長３８０～７８０ｎｍの可視光波長域において、９２％以上であることを透明という。
光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定されるものである。
（導電性基板）
図１は本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式図であり、図２は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線の一例を示す模式的断面図である。
図１に示す導電性基板１０は、支持体１２と、支持体１２上に、導電性細線１３で構成されたメッシュパターン１４が配置されている。
メッシュパターン１４は、開口率が９８％以上であり、かつ面抵抗値が３０Ω／□以下である。導電性基板１０において、メッシュパターン１４はパターン部である。導電性基板１０では、支持体１２上においてメッシュパターン１４内の開口部１５の透過率が９２％以上である。
＜導電性細線＞
導電性細線１３は、図２に示すように高分子１６と、複数の金属１８とを含む。導電性細線１３では、複数の金属１８が高分子１６中に分散している場合が多い。
高分子１６の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。なかでも、高分子１６としては、後述する特定高分子が好ましい。特定高分子はゼラチン以外の高分子、すなわち、ゼラチンとは異なる高分子であるが、後に説明する。
導電性細線１３に含まれる金属１８は、導電性細線の導電性を担保する部分である。金属は、高分子中で離散して存在してもよく、凝集して存在してもよい。導電性細線１３に含まれる金属１８は、特に限定されるものではなく、ニッケル（金属ニッケル）、コバルト、銅（金属銅）、銀（金属銀）、および金（金属金）からなる群のうち、少なくとも１種類であることが好ましい。または、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、または、その混合物がより好ましく、銀がさらに好ましい。複数の金属は、全て銀で構成されることが好ましい。金属を全て銀で構成することにより、導電性細線の断線故障の発生が低下する。
金属１８は、図２では粒子状の形状を有するものであるが、金属１８の形状は、粒子状に限定されず、例えば、融着して一部または全体にわたって結合している等の形態であってもよい。
図１は本発明の実施形態の導電性基板の一例を示す模式図であり、図２は本発明の実施形態の導電性基板の導電性細線の一例を示す模式的断面図である。
図１に示す導電性基板１０は、支持体１２と、支持体１２上に、導電性細線１３で構成されたメッシュパターン１４が配置されている。
メッシュパターン１４は、開口率が９８％以上であり、かつ面抵抗値が３０Ω／□以下である。導電性基板１０において、メッシュパターン１４はパターン部である。導電性基板１０では、支持体１２上においてメッシュパターン１４内の開口部１５の透過率が９２％以上である。
＜導電性細線＞
導電性細線１３は、図２に示すように高分子１６と、複数の金属１８とを含む。導電性細線１３では、複数の金属１８が高分子１６中に分散している場合が多い。
高分子１６の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。なかでも、高分子１６としては、後述する特定高分子が好ましい。特定高分子はゼラチン以外の高分子、すなわち、ゼラチンとは異なる高分子であるが、後に説明する。
導電性細線１３に含まれる金属１８は、導電性細線の導電性を担保する部分である。金属は、高分子中で離散して存在してもよく、凝集して存在してもよい。導電性細線１３に含まれる金属１８は、特に限定されるものではなく、ニッケル（金属ニッケル）、コバルト、銅（金属銅）、銀（金属銀）、および金（金属金）からなる群のうち、少なくとも１種類であることが好ましい。または、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、または、その混合物がより好ましく、銀がさらに好ましい。複数の金属は、全て銀で構成されることが好ましい。金属を全て銀で構成することにより、導電性細線の断線故障の発生が低下する。
金属１８は、図２では粒子状の形状を有するものであるが、金属１８の形状は、粒子状に限定されず、例えば、融着して一部または全体にわたって結合している等の形態であってもよい。
導電性細線の金属は、導電性細線の断面を走査型電子顕微鏡により観察することができ、形状等を特定することができる。
上述の走査型電子顕微鏡による測定方法としては、まず、導電性細線の表面への導電性付与のため、導電性細線の表面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて表面形態を観察することにより、導電性細線内部の金属が存在する領域を観察できる。なお、観察条件は、二次電子モードで、加速電圧:１０ｋＶで行う。
この際、導電性細線の断面の観察は、走査型電子顕微鏡にて、高分子と金属粒子とのコントラストがつく加速電圧を選択する。より具体的には、導電性細線の断面の観察方法としては、ミクロトームにて導電性細線の断面を切削した後、導電性付与のため、露出した断面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて断面を観察する。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:５ｋＶで行う。
上述の走査型電子顕微鏡による測定方法としては、まず、導電性細線の表面への導電性付与のため、導電性細線の表面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて表面形態を観察することにより、導電性細線内部の金属が存在する領域を観察できる。なお、観察条件は、二次電子モードで、加速電圧:１０ｋＶで行う。
この際、導電性細線の断面の観察は、走査型電子顕微鏡にて、高分子と金属粒子とのコントラストがつく加速電圧を選択する。より具体的には、導電性細線の断面の観察方法としては、ミクロトームにて導電性細線の断面を切削した後、導電性付与のため、露出した断面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて断面を観察する。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:５ｋＶで行う。
＜メッシュパターン＞
導電性細線１３が構成するメッシュパターン１４は、交差する導電性細線１３により構成される複数の正方形状の開口部１５（格子）を含んでいる形状を意図する。開口部１５は導電性細線１３で囲まれた領域であり、メッシュパターン１４内に存在する。図１において、開口部１５は、ひし形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。開口部１５は、例えば、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、平行四辺形、台形等の四角形、（正）六角形、（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、および、星形等を組み合わせた幾何学図形が好ましい。開口部１５は、また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
導電性細線１３が構成するメッシュパターン１４は、交差する導電性細線１３により構成される複数の正方形状の開口部１５（格子）を含んでいる形状を意図する。開口部１５は導電性細線１３で囲まれた領域であり、メッシュパターン１４内に存在する。図１において、開口部１５は、ひし形の形状を有しているが、他の形状であってもよい。開口部１５は、例えば、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、平行四辺形、台形等の四角形、（正）六角形、（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、および、星形等を組み合わせた幾何学図形が好ましい。開口部１５は、また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
［開口率］
開口部１５の一辺の長さＷｄは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下であることがさらに好ましく、４００μｍ以下がさらに一層好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。開口部の辺の長さが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９８％以上であり、９９．０％以上が好ましく、９９．３％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン１４領域中における導電性細線１３がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合である。すなわち、支持体表面において、メッシュパターン１４内において開口部１５が占める割合である。
開口率は、以下に示すようにして測定することができる。まず、導電性基板について、メッシュパターンを含む支持体画像を５つ取得する。５つの支持体画像は、支持体における取得位置が異なっていれば、大きさは同じでも異なっていてもよい。
各支持体画像において、導電性細線を特定する。特定された導電性細線の線幅と、開口部の一辺の長さＷｄを測定する。これにより、導電性細線の面積を得ることができる。支持体画像の支持体面積と、導電性細線の面積とから、各支持体画像における開口部の比率を、開口部の比率（％）＝｛（支持体画像の面積－導電性細線の面積）／支持体画像面積｝×１００により求めることができる。５つの支持体画像、それぞれについて開口部の比率を求め、５つの開口部の比率の平均値を開口率とする。
開口部１５の一辺の長さＷｄは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下であることがさらに好ましく、４００μｍ以下がさらに一層好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。開口部の辺の長さが上述の範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９８％以上であり、９９．０％以上が好ましく、９９．３％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン１４領域中における導電性細線１３がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合である。すなわち、支持体表面において、メッシュパターン１４内において開口部１５が占める割合である。
開口率は、以下に示すようにして測定することができる。まず、導電性基板について、メッシュパターンを含む支持体画像を５つ取得する。５つの支持体画像は、支持体における取得位置が異なっていれば、大きさは同じでも異なっていてもよい。
各支持体画像において、導電性細線を特定する。特定された導電性細線の線幅と、開口部の一辺の長さＷｄを測定する。これにより、導電性細線の面積を得ることができる。支持体画像の支持体面積と、導電性細線の面積とから、各支持体画像における開口部の比率を、開口部の比率（％）＝｛（支持体画像の面積－導電性細線の面積）／支持体画像面積｝×１００により求めることができる。５つの支持体画像、それぞれについて開口部の比率を求め、５つの開口部の比率の平均値を開口率とする。
［面抵抗値］
メッシュパターンは面抵抗値が３０Ω／□以下であることが求められる。なかでも、メッシュパターンをタッチパネルとして用いた際の操作性の点から、２０Ω／□以下であることが好ましく、１５Ω／□以下がより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。下限は特に制限されないが、１Ω／□以上であることが好ましい。
面抵抗値は、４探針法を用いて測定することができる。まず、１５ｍｍ離れた位置に外側の２本のプローブを導電性細線に当て定電流Ｉを流し、外側２本のプローブの直線上かつ内側で４つの探針が等間隔になる内側２点の位置での２点間の電位差の測定値Ｖを測定する。そのときのメッシュパターンの面抵抗値ρｓ（Ω／□）を下記式を用いて算出する。下記式においてｌｎ２は、２の自然対数である、
ρｓ＝（π／ｌｎ２）・（Ｖ／Ｉ）
メッシュパターンは面抵抗値が３０Ω／□以下であることが求められる。なかでも、メッシュパターンをタッチパネルとして用いた際の操作性の点から、２０Ω／□以下であることが好ましく、１５Ω／□以下がより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。下限は特に制限されないが、１Ω／□以上であることが好ましい。
面抵抗値は、４探針法を用いて測定することができる。まず、１５ｍｍ離れた位置に外側の２本のプローブを導電性細線に当て定電流Ｉを流し、外側２本のプローブの直線上かつ内側で４つの探針が等間隔になる内側２点の位置での２点間の電位差の測定値Ｖを測定する。そのときのメッシュパターンの面抵抗値ρｓ（Ω／□）を下記式を用いて算出する。下記式においてｌｎ２は、２の自然対数である、
ρｓ＝（π／ｌｎ２）・（Ｖ／Ｉ）
［透過率］
メッシュパターン１４内の開口部１５は透過率が９２％以上である。
メッシュパターン内の開口部の透過率が９２％以上であると、タッチセンサーをタッチパネルとした際、表示画像の輝度を損なうことがない。
メッシュパターン内の開口部の透過率は、以下のようにして測定することができる。
まず、メッシュパターンの全光線透過率を、導電性細線を含めて測定する。導電性細線の線幅と、開口部の一辺の長さＷｄとを測定する。メッシュパターン内の開口部の一辺の長さと、導電性細線の線幅とから、パターン遮蔽率％とパターン開口率％（＝１００％－パターン遮蔽率％）を算出する。測定したメッシュパターンの全光線透過率の測定値をパターン開口率の値で割ることにより、メッシュパターン内の開口部の透過率を算出することができる。なお、メッシュパターン内の開口部のことを、単に開口部ともいう。
１つの製品範囲内につき５箇所以上の全光線透過率測定箇所を設定し、各箇所での全光線透過率測定値と、各測定箇所におけるメッシュパターン内の開口率から、各測定箇所におけるメッシュパターン内の開口部の透過率を算出し、各箇所のメッシュパターン内の開口部の透過率の結果からその平均値を求め、１つの製品範囲内のメッシュパターン内の開口部の透過率とする。ロールサンプルの製品ごとのメッシュパターン内の開口部の透過率のばらつきを調べる場合には、ロールサンプル全長のうち、先頭、中央、後尾の範囲においてそれぞれの範囲内の５個以上でかつ同数の製品範囲を抜き出し（例えば先頭範囲から製品範囲６個、中央範囲から製品範囲６個、後尾範囲から製品範囲６個）、各製品範囲について上述のメッシュパターン内の開口部の透過率を測定し、各製品範囲のメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値、標準偏差、変動係数（＝標準偏差÷平均値）を算出する。
メッシュパターン１４内の開口部１５は透過率が９２％以上である。
メッシュパターン内の開口部の透過率が９２％以上であると、タッチセンサーをタッチパネルとした際、表示画像の輝度を損なうことがない。
メッシュパターン内の開口部の透過率は、以下のようにして測定することができる。
まず、メッシュパターンの全光線透過率を、導電性細線を含めて測定する。導電性細線の線幅と、開口部の一辺の長さＷｄとを測定する。メッシュパターン内の開口部の一辺の長さと、導電性細線の線幅とから、パターン遮蔽率％とパターン開口率％（＝１００％－パターン遮蔽率％）を算出する。測定したメッシュパターンの全光線透過率の測定値をパターン開口率の値で割ることにより、メッシュパターン内の開口部の透過率を算出することができる。なお、メッシュパターン内の開口部のことを、単に開口部ともいう。
１つの製品範囲内につき５箇所以上の全光線透過率測定箇所を設定し、各箇所での全光線透過率測定値と、各測定箇所におけるメッシュパターン内の開口率から、各測定箇所におけるメッシュパターン内の開口部の透過率を算出し、各箇所のメッシュパターン内の開口部の透過率の結果からその平均値を求め、１つの製品範囲内のメッシュパターン内の開口部の透過率とする。ロールサンプルの製品ごとのメッシュパターン内の開口部の透過率のばらつきを調べる場合には、ロールサンプル全長のうち、先頭、中央、後尾の範囲においてそれぞれの範囲内の５個以上でかつ同数の製品範囲を抜き出し（例えば先頭範囲から製品範囲６個、中央範囲から製品範囲６個、後尾範囲から製品範囲６個）、各製品範囲について上述のメッシュパターン内の開口部の透過率を測定し、各製品範囲のメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値、標準偏差、変動係数（＝標準偏差÷平均値）を算出する。
［導電性細線の線幅と導電性細線の厚み］
導電線細線１３の線幅Ｗおよび導電性細線１３の厚みＴは、それぞれ、金属１８の存在する部分の幅および厚みのことをいう。
導電性細線の線幅Ｗは、開口率および視認しづらさのバランスの点から、０．５～３．０μｍであることが好ましい。なかでも、開口率が高く、導電性細線が視認されにくい点から、線幅Ｗは２．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１．０μｍ以下であることがさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．５μｍ以上が好ましい。
導電性細線の厚みは特に制限されないが、導電性の点から、０．５～３．０μｍであることが好ましく、厚みは１．０～２．０μｍであることがより好ましい。
上述の導電性細線１３の線幅Ｗは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の線幅に相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Ｗとする。
また、上述の導電性細線１３の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の厚みに相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の厚みに相当する部分の算術平均値を厚みとする。
導電線細線１３の線幅Ｗおよび導電性細線１３の厚みＴは、それぞれ、金属１８の存在する部分の幅および厚みのことをいう。
導電性細線の線幅Ｗは、開口率および視認しづらさのバランスの点から、０．５～３．０μｍであることが好ましい。なかでも、開口率が高く、導電性細線が視認されにくい点から、線幅Ｗは２．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１．０μｍ以下であることがさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．５μｍ以上が好ましい。
導電性細線の厚みは特に制限されないが、導電性の点から、０．５～３．０μｍであることが好ましく、厚みは１．０～２．０μｍであることがより好ましい。
上述の導電性細線１３の線幅Ｗは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の線幅に相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Ｗとする。
また、上述の導電性細線１３の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて、１本の導電性細線の厚みに相当する任意の５箇所を選択し、５箇所の厚みに相当する部分の算術平均値を厚みとする。
（タッチセンサー）
図３は本発明の実施形態の導電性パターンを有するタッチセンサーの一例を示す模式的平面図であり、図４は発明の実施形態の導電性パターンを有するタッチセンサーの一例を示す模式的断面図である。なお、図３および図４において、図１および図２と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図３に示すタッチセンサー２０は、例えば、複数の第１検出電極２２と複数の第２検出電極２６とを有する。複数の第１検出電極２２と複数の第２検出電極２６とにより、指等の接触を検出する検出部２７が構成される。なお、検出部２７は、タッチセンサー２０の入力領域であり、アクティブエリアともいう。
第１検出電極２２と第２検出電極２６とは、導電性細線３０がメッシュパターン状に配置されたものである。第１検出電極２２は、導電性細線３０で構成されたメッシュパターン１４ａを有し、第２検出電極２６は、導電性細線３０で構成されたメッシュパターン１４ａを有する。メッシュパターン１４ａとメッシュパターン１４ｂとは同じ構成である。
図３は本発明の実施形態の導電性パターンを有するタッチセンサーの一例を示す模式的平面図であり、図４は発明の実施形態の導電性パターンを有するタッチセンサーの一例を示す模式的断面図である。なお、図３および図４において、図１および図２と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図３に示すタッチセンサー２０は、例えば、複数の第１検出電極２２と複数の第２検出電極２６とを有する。複数の第１検出電極２２と複数の第２検出電極２６とにより、指等の接触を検出する検出部２７が構成される。なお、検出部２７は、タッチセンサー２０の入力領域であり、アクティブエリアともいう。
第１検出電極２２と第２検出電極２６とは、導電性細線３０がメッシュパターン状に配置されたものである。第１検出電極２２は、導電性細線３０で構成されたメッシュパターン１４ａを有し、第２検出電極２６は、導電性細線３０で構成されたメッシュパターン１４ａを有する。メッシュパターン１４ａとメッシュパターン１４ｂとは同じ構成である。
複数の第１検出電極２２は、互いに平行にｘ方向に延びる帯状の電極であり、互いにｘ方向と直交するｙ方向に間隔２３をあけて、互いにｙ方向において電気的に絶縁された状態で支持体１２の表面１２ａ上に設けられている。複数の第２検出電極２６は、互いに平行にｙ方向に延びる帯状の電極であり、互いにｘ方向に間隔２３をあけて、互いにｘ方向において電気的に絶縁された状態で支持体１２の裏面１２ｂ上に設けられている。複数の第１検出電極２２と複数の第２検出電極２６とは、直交して設けられているが、支持体１２により互いに電気的に絶縁されている。
なお、第１検出電極２２および第２検出電極２６における間隔２３は、第１検出電極２２または第２検出電極２６と分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極２２は互いにｙ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極２６は互いにｘ方向において電気的に絶縁された状態である。
検出部２７における第１検出電極２２および第２検出電極２６の数は、特に限定されるものではなく、タッチセンサーの大きさ等により適宜決定されるものであり、複数であることが多い。
なお、第１検出電極２２および第２検出電極２６における間隔２３は、第１検出電極２２または第２検出電極２６と分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第１検出電極２２は互いにｙ方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第２検出電極２６は互いにｘ方向において電気的に絶縁された状態である。
検出部２７における第１検出電極２２および第２検出電極２６の数は、特に限定されるものではなく、タッチセンサーの大きさ等により適宜決定されるものであり、複数であることが多い。
取出し配線部２４は、第１検出電極２２および第２検出電極２６に電圧の印加等、電気信号の授受の役割を担う部材である。取出し配線部２４は、一端が第１検出電極２２または第２検出電極２６に電気的に接続されている。他端である終端部２４ｂに外部接続端子２８が設けられている。外部接続端子２８にフレキシブル回路基板２９が接続される。
取出し配線部２４は、複数の取出し線２５により構成されている。取出し線２５は、それぞれ、一端が上述の第１検出電極２２または第２検出電極２６と電気的に接続されている。取出し線２５の他端は、まとめて１つの外部接続端子２８に電気的に接続されている。複数の取出し線２５の他端は取出し配線部２４の終端部２４ｂである。なお、取出し配線部２４の取出し線２５の数は、電気的に接続される検出電極の数と同じである。
また、１つの外部接続端子２８にまとめることにより、接続するフレキシブル回路基板２９を１つにでき、コストダウンが図れ、かつスペースを小さくすることができる。
取出し配線部２４は、複数の取出し線２５により構成されている。取出し線２５は、それぞれ、一端が上述の第１検出電極２２または第２検出電極２６と電気的に接続されている。取出し線２５の他端は、まとめて１つの外部接続端子２８に電気的に接続されている。複数の取出し線２５の他端は取出し配線部２４の終端部２４ｂである。なお、取出し配線部２４の取出し線２５の数は、電気的に接続される検出電極の数と同じである。
また、１つの外部接続端子２８にまとめることにより、接続するフレキシブル回路基板２９を１つにでき、コストダウンが図れ、かつスペースを小さくすることができる。
図３に示すタッチセンサー２０では、第１検出電極２２にはｘ方向の端に取出し配線部２４が電気的に接続され、第２検出電極２６にはｙ方向の一方の端に取出し配線部２４が電気的に接続されており、第１検出電極２２に対して２方向から取出し配線部２４が引き回されている。なお、第１検出電極２２と取出し配線部２４とは一体構成であることが好ましい。第２検出電極２６と取出し配線部２４とは一体構成であることが好ましい。この場合、第１検出電極２２と取出し配線部２４とは、まとめて形成することが好ましい。第２検出電極２６と取出し配線部２４とは、まとめて形成することが好ましい。
タッチセンサー２０では、図４に示すように、支持体１２の表面１２ａに、第１検出電極２２を構成する複数の導電性細線３０が設けられている。複数の導電性細線３０を覆う絶縁層３２が設けられている。支持体１２の裏面１２ｂに、第２検出電極２６を構成する複数の導電性細線３０が設けられている。複数の導電性細線３０を覆う絶縁層３２が設けられている。
メッシュパターン１４ａとメッシュパターン１４ｂとは、いずれも上述のメッシュパターン１４と同じ構成であり、開口率が９８％以上であり、かつ面抵抗値が３０Ω／□以下である。メッシュパターン１４ａとメッシュパターン１４ｂとにおいては、導電性細線３０により開口部３１が構成される。開口部３１は、上述の開口部１５と同じ構成であるため、開口部３１の詳細な説明は省略する。メッシュパターン１４ａ内の開口部３１と、メッシュパターン１４ｂ内の開口部３１とは、それぞれ透過率が９２％以上である。
＜導電性細線＞
導電性細線３０は、上述の導電性細線１３と同じ構成であり、導電性細線３０の線幅Ｗおよび厚みＴも、上述の導電性細線１３と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
＜導電性細線＞
導電性細線３０は、上述の導電性細線１３と同じ構成であり、導電性細線３０の線幅Ｗおよび厚みＴも、上述の導電性細線１３と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
＜絶縁層＞
絶縁層３２は、電気絶縁性を有するものである。また、他の部材等と安定して固定できることが好ましい。絶縁層の構成は、特に限定されるものではない。絶縁層としては、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ、Optical Clear Adhesive）およびＵＶ（Ultra Violet）硬化樹脂等の光学的に透明な樹脂（ＯＣＲ、Optical Clear Resin）を用いることができる。また、絶縁層３２は部分的に中空でもよい。また、導電性基板をタッチセンサーとして用い、例えば、画像等の表示物を表示する表示面を備える画像表示モジュール上に配置する場合、絶縁層３２は、さらに透明であることが要求される。
絶縁層３２は、電気絶縁性を有するものである。また、他の部材等と安定して固定できることが好ましい。絶縁層の構成は、特に限定されるものではない。絶縁層としては、例えば、光学的に透明な粘着剤（ＯＣＡ、Optical Clear Adhesive）およびＵＶ（Ultra Violet）硬化樹脂等の光学的に透明な樹脂（ＯＣＲ、Optical Clear Resin）を用いることができる。また、絶縁層３２は部分的に中空でもよい。また、導電性基板をタッチセンサーとして用い、例えば、画像等の表示物を表示する表示面を備える画像表示モジュール上に配置する場合、絶縁層３２は、さらに透明であることが要求される。
（導電性基板の製造方法）
導電性基板の製造方法は、支持体上に、導電性細線で構成されたメッシュパターンを形成するためのパターン前駆体を形成する工程と、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与を複数回行い、めっき処理を施す工程とを有する。めっき処理を施す工程では、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与は、１回当たりのパターン前駆体とめっき反応液との接触時間が６０秒未満である。
導電性基板１０では、めっき処理により導電性細線が形成されてメッシュパターン１４が形成される。めっき処理前に、上述のようにパターン前駆体を作製し、パターン前駆体に上述のようにめっき処理を施す。これにより、常に新しいなめっき反応液によるめっき反応となり、かつめっき反応液の接触時間を制限して、メッシュパターン内の開口部への析出前にめっき反応を止めることにより、透過率を損なわずにめっき反応を進めることができる。足りないめっき量については、めっき処理を複数回とすることにより、所望のめっき量を得ることができる。
導電性基板の製造方法は、支持体上に、導電性細線で構成されたメッシュパターンを形成するためのパターン前駆体を形成する工程と、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与を複数回行い、めっき処理を施す工程とを有する。めっき処理を施す工程では、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与は、１回当たりのパターン前駆体とめっき反応液との接触時間が６０秒未満である。
導電性基板１０では、めっき処理により導電性細線が形成されてメッシュパターン１４が形成される。めっき処理前に、上述のようにパターン前駆体を作製し、パターン前駆体に上述のようにめっき処理を施す。これにより、常に新しいなめっき反応液によるめっき反応となり、かつめっき反応液の接触時間を制限して、メッシュパターン内の開口部への析出前にめっき反応を止めることにより、透過率を損なわずにめっき反応を進めることができる。足りないめっき量については、めっき処理を複数回とすることにより、所望のめっき量を得ることができる。
パターン前駆体の形成方法は、導電性細線で構成されたメッシュパターンを形成するためのめっき処理が可能なパターン前駆体を得られる方法であれば、特に限定されるものではない。例えば、支持体上に下地層、感光性レジスト層を積層した感光性レジスト材料を用い、感光性レジスト層に、メッシュパターンを形成するパターン露光をした後、現像してレジスト画像を形成してパターン前駆体を形成する方法が挙げられる。この場合、パターン前駆体のレジスト画像に対して、無電解めっき処理を施してレジスト画像に被覆されていない下地層上に金属を局在化させ、その後、レジスト画像を除去しメッシュパターンを形成する。
また、パターン前駆体を形成する工程は、支持体の表面の少なくとも一方の面に、ハロゲン化銀と、２種類以上のバインダーとを含む感光性のハロゲン化銀乳剤層を形成する工程と、ハロゲン化銀乳剤層に、メッシュパターンを形成するパターン露光、および現像処理を施し、銀含有層を形成する工程と、銀含有層に対して、２種類以上のバインダーのうち、少なくとも１種のバインダーを除去するバインダー減少処理を施す工程とを有することが好ましい。この場合、めっき処理では、バインダー減少処理が施されて得られたパターン前駆体の銀含有層に対するめっき反応液の付与を複数回行う。
なお、露光および現像後にバインダー減少処理された後の銀含有層では、メッシュパターン状に現像銀パターンが形成されている。めっき処理により現像銀パターンよりメッシュパターンが形成される。
なお、露光および現像後にバインダー減少処理された後の銀含有層では、メッシュパターン状に現像銀パターンが形成されている。めっき処理により現像銀パターンよりメッシュパターンが形成される。
めっき処理では、非接触塗布方式によりめっき反応液をパターン前駆体の銀含有層に付与することが好ましい。また、めっき処理では、パターン前駆体が形成された支持体を浮上搬送して、めっき処理を施すことが好ましい。
銀含有層にバインダー減少処理した後、支持体を浮上搬送させながら、めっき反応液を非接触塗布方式で支持体の銀含有層に付与する無電解めっき処理を施して導電性細線を形成することにより、電気抵抗が小さい、低抵抗の導電性細線を得ることができる。
なお、パターン前駆体の製造方法については後に詳細に説明する。
次に、めっき処理を実施するめっき処理装置について説明する。
銀含有層にバインダー減少処理した後、支持体を浮上搬送させながら、めっき反応液を非接触塗布方式で支持体の銀含有層に付与する無電解めっき処理を施して導電性細線を形成することにより、電気抵抗が小さい、低抵抗の導電性細線を得ることができる。
なお、パターン前駆体の製造方法については後に詳細に説明する。
次に、めっき処理を実施するめっき処理装置について説明する。
（めっき処理装置）
図５は本発明の実施形態のめっき処理装置を示す模式図であり、図６は本発明の実施形態のめっき処理装置の非接触塗布部を示す模式図である。
図５に示すめっき処理装置４０は、浮上搬送された、パターン前駆体（図示せず）を有する支持体１２に対して、めっき反応液を非接触塗布方式で支持体１２のパターン前駆体（図示せず）に付与する装置であり、銀含有層（図示せず）にめっき反応液を付与する。めっき処理装置４０は、ロールトゥロールの搬送方式の装置であり、例えば、４つのターン部と、４つの非接触塗布部４４と、４つのめっき処理部４５と、４つのめっき停止部とを有する。
めっき処理装置４０では、第４のめっき停止部４６ｄを経て、めっき処理が完了する。第４のめっき停止部４６ｄの上方に、浮上搬送部４２が設けられており、浮上搬送されて、めっき処理装置４０から搬送されて、後段の工程に移る。例えば、後述のようにめっき処理後に平滑化処理、および加熱処理等が実施される。
図５は本発明の実施形態のめっき処理装置を示す模式図であり、図６は本発明の実施形態のめっき処理装置の非接触塗布部を示す模式図である。
図５に示すめっき処理装置４０は、浮上搬送された、パターン前駆体（図示せず）を有する支持体１２に対して、めっき反応液を非接触塗布方式で支持体１２のパターン前駆体（図示せず）に付与する装置であり、銀含有層（図示せず）にめっき反応液を付与する。めっき処理装置４０は、ロールトゥロールの搬送方式の装置であり、例えば、４つのターン部と、４つの非接触塗布部４４と、４つのめっき処理部４５と、４つのめっき停止部とを有する。
めっき処理装置４０では、第４のめっき停止部４６ｄを経て、めっき処理が完了する。第４のめっき停止部４６ｄの上方に、浮上搬送部４２が設けられており、浮上搬送されて、めっき処理装置４０から搬送されて、後段の工程に移る。例えば、後述のようにめっき処理後に平滑化処理、および加熱処理等が実施される。
めっき処理装置４０は、容器内に溜められためっき反応液中に支持体を通過させて、めっき処理するものではない。めっき処理装置４０では、４つのめっき処理部４５を有しており、複数回めっき処理することにより、支持体１２全体で均一にめっき処理を実施でき、導電性パターンの電気抵抗のばらつきを小さくでき、さらには支持体１２の透過性を維持することができるため好ましい。また、複数回めっき処理をすることにより、所望のめっき量を得ることができ、メッシュパターンの面抵抗値を小さくできる、複数回めっき処理をすることを多段めっき処理ともいう。
多段めっき処理においては、１回目のめっき処理に用いるめっき反応液の組成および処理条件（反応液温度、めっき反応液の塗工量、パターン前駆体とめっき反応液との接触時間など）と２回目以降のめっき処理に用いるめっき反応液の組成および処理条件をそれぞれ同一のものとしてもよく、また、目的に応じて、２回目以降のめっき処理に用いるめっき反応液の組成および処理条件を異なるものとしてもよい。多段めっき処理が３回以上のめっき処理となる場合においても、各めっき処理におけるめっき反応液の組成および処理条件は、各々同一のものでもよいし、各々異なるものでもよい。
多段めっき処理においては、１回目のめっき処理に用いるめっき反応液の組成および処理条件（反応液温度、めっき反応液の塗工量、パターン前駆体とめっき反応液との接触時間など）と２回目以降のめっき処理に用いるめっき反応液の組成および処理条件をそれぞれ同一のものとしてもよく、また、目的に応じて、２回目以降のめっき処理に用いるめっき反応液の組成および処理条件を異なるものとしてもよい。多段めっき処理が３回以上のめっき処理となる場合においても、各めっき処理におけるめっき反応液の組成および処理条件は、各々同一のものでもよいし、各々異なるものでもよい。
めっき処理装置４０において、第１のターン部４３ａと、第２のターン部４３ｂと、第３のターン部４３ｃと、第４のターン部４３ｄとは全て同じ構成であるため、第１のターン部４３ａについてだけ説明する。また、第１のめっき停止部４６ａと、第２のめっき停止部４６ｂと、第３のめっき停止部４６ｃと、第４のめっき停止部４６ｄとは全て同じ構成であるため、第１のめっき停止部４６ａについてだけ説明する。
めっき処理装置４０は、支持体１２が下方に設けられた進入側から、支持体１２の搬送経路に、支持体１２を浮上搬送させる浮上搬送部４２が配置されている。めっき処理装置４０は、支持体１２の向きを変える第１のターン部４３ａを有する。第１のターン部４３ａは、例えば、支持体１２の搬送方向Ｄｄに沿って平行に配置された２つの浮上搬送部４２で構成されている。第１のターン部４３ａでは、搬送方向Ｄｄの下流側に配置された浮上搬送部４２により、支持体１２が下方に方向転換される。
第１のターン部４３ａの下方に第１のめっき停止部４６ａが設けられている。第１のターン部４３ａと、第１のめっき停止部４６ａとの間に、非接触塗布部４４が設けられている。第１のターン部４３ａと第１のめっき停止部４６ａとの間の区間がめっき処理部４５である。
非接触塗布部４４は、非接触塗布方式で支持体１２にめっき反応液Ｑを付与するものである。付与されためっき反応液Ｑは、支持体１２の面に沿ってめっき停止部に向かって移動する。この間、めっきが進む。非接触塗布方式とすることで、めっき処理毎に新しいめっき反応液を利用することができ、健全な導電性細線を得ることができる。
支持体１２の各面に対面して、非接触塗布部４４が配置されている。これにより、めっき処理を支持体１２の両面同時に行うことができる。非接触塗布部４４については後に詳細に説明する。
第１のめっき停止部４６ａは内部にめっき停止液４９が貯留されている。第１のめっき停止部４６ａは内部に、支持体１２をめっき停止液４９中で浮上搬送させる浮上搬送部４７が設けられている。浮上搬送部４７により、支持体１２は上方に方向転換されて浮上搬送される。
第１のターン部４３ａと第１のめっき停止部４６ａとの間のめっき処理部４５において、めっき処理が進み、第１のめっき停止部４６ａでめっき処理が停止される。
非接触塗布部４４は、非接触塗布方式で支持体１２にめっき反応液Ｑを付与するものである。付与されためっき反応液Ｑは、支持体１２の面に沿ってめっき停止部に向かって移動する。この間、めっきが進む。非接触塗布方式とすることで、めっき処理毎に新しいめっき反応液を利用することができ、健全な導電性細線を得ることができる。
支持体１２の各面に対面して、非接触塗布部４４が配置されている。これにより、めっき処理を支持体１２の両面同時に行うことができる。非接触塗布部４４については後に詳細に説明する。
第１のめっき停止部４６ａは内部にめっき停止液４９が貯留されている。第１のめっき停止部４６ａは内部に、支持体１２をめっき停止液４９中で浮上搬送させる浮上搬送部４７が設けられている。浮上搬送部４７により、支持体１２は上方に方向転換されて浮上搬送される。
第１のターン部４３ａと第１のめっき停止部４６ａとの間のめっき処理部４５において、めっき処理が進み、第１のめっき停止部４６ａでめっき処理が停止される。
浮上搬送部４２の構成は、パターン前駆体を有する支持体１２を浮上搬送することができれば、特に限定されるものではないが、例えば、エアーターンバーが用いられる。また、めっき停止液４９中で浮上搬送させる浮上搬送部４７の構成は、支持体１２を液中で浮上搬送することができれば、特に限定されるものではないが、例えば、液中ターンバーが用いられる。
浮上搬送部４２、および浮上搬送部４７による支持体浮上量は、特に限定されるものではないが、１～２ｍｍの範囲であることが多い。
浮上搬送部４２、および浮上搬送部４７による支持体浮上量は、特に限定されるものではないが、１～２ｍｍの範囲であることが多い。
また、第１のめっき停止部４６ａには、浮上搬送部４７の搬送方向Ｄｄの下流側、かつめっき停止液４９の液面の上方に、めっき停止液４９を支持体１２から除去するための除去部４８が設けられている。
第１のめっき停止部４６ａの上方に、浮上搬送部４２が配置されており、浮上搬送部４２の上方に、第２のターン部４３ｂが設けられている。第２のターン部４３ｂの下方に第２のめっき停止部４６ｂが設けられている。第２のターン部４３ｂと第２のめっき停止部４６ｂとの間に非接触塗布部４４が支持体１２の各面に対面して設けられている。第２のターン部４３ｂと第２のめっき停止部４６ｂとの間の区間がめっき処理部４５である。めっき処理部４５において、めっき処理が進み、第２のめっき停止部４６ｂでめっき処理が停止される。
第１のめっき停止部４６ａの上方に、浮上搬送部４２が配置されており、浮上搬送部４２の上方に、第２のターン部４３ｂが設けられている。第２のターン部４３ｂの下方に第２のめっき停止部４６ｂが設けられている。第２のターン部４３ｂと第２のめっき停止部４６ｂとの間に非接触塗布部４４が支持体１２の各面に対面して設けられている。第２のターン部４３ｂと第２のめっき停止部４６ｂとの間の区間がめっき処理部４５である。めっき処理部４５において、めっき処理が進み、第２のめっき停止部４６ｂでめっき処理が停止される。
第２のめっき停止部４６ｂの上方に、浮上搬送部４２が配置されており、浮上搬送部４２の上方に、第３のターン部４３ｃが設けられている。第３のターン部４３ｃの下方に第３のめっき停止部４６ｃが設けられている。第３のターン部４３ｃと第３のめっき停止部４６ｃとの間に、非接触塗布部４４が支持体１２の各面に対面して設けられている。第３のターン部４３ｃと第３のめっき停止部４６ｃとの間の区間がめっき処理部４５である。めっき処理部４５において、めっき処理が進み、第３のめっき停止部４６ｃでめっき処理が停止される。
第３のめっき停止部４６ｃの上方に、浮上搬送部４２が配置されており、浮上搬送部４２の上方に、第４のターン部４３ｄが設けられている。第４のターン部４３ｄの下方に第４のめっき停止部４６ｄが設けられている。第４のターン部４３ｄと第４のめっき停止部４６ｄとの間に、非接触塗布部４４が支持体１２の各面に対面して設けられている。第４のターン部４３ｄと第４のめっき停止部４６ｄとの間の区間がめっき処理部４５である。めっき処理部４５において、めっき処理が進み、第４のめっき停止部４６ｄでめっき処理が停止される。めっき停止液４９としては、めっき反応液によるめっき処理を停止することができれば、特に限定されるものではない。めっき停止液には、例えば、硫酸水素ナトリウムを逐次適量添加することでｐＨ８．０未満に調整した水溶液を用いることができる。また、めっき停止液として純水を用いることもできる。めっき処理部４５からめっき停止部４６に流れ込むめっき反応液を十分に希釈すること、または、めっき反応液とめっき停止液が混合した先でｐＨ８．０未満に調整することが、めっき反応を停止させる上で好ましい。
第３のめっき停止部４６ｃの上方に、浮上搬送部４２が配置されており、浮上搬送部４２の上方に、第４のターン部４３ｄが設けられている。第４のターン部４３ｄの下方に第４のめっき停止部４６ｄが設けられている。第４のターン部４３ｄと第４のめっき停止部４６ｄとの間に、非接触塗布部４４が支持体１２の各面に対面して設けられている。第４のターン部４３ｄと第４のめっき停止部４６ｄとの間の区間がめっき処理部４５である。めっき処理部４５において、めっき処理が進み、第４のめっき停止部４６ｄでめっき処理が停止される。めっき停止液４９としては、めっき反応液によるめっき処理を停止することができれば、特に限定されるものではない。めっき停止液には、例えば、硫酸水素ナトリウムを逐次適量添加することでｐＨ８．０未満に調整した水溶液を用いることができる。また、めっき停止液として純水を用いることもできる。めっき処理部４５からめっき停止部４６に流れ込むめっき反応液を十分に希釈すること、または、めっき反応液とめっき停止液が混合した先でｐＨ８．０未満に調整することが、めっき反応を停止させる上で好ましい。
めっき処理装置４０は、４つのめっき処理部４５を有し、パターン前駆体に対するめっき反応液の付与を４回行う装置である。各めっき処理部４５において、パターン前駆体とめっき反応液との接触時間が６０秒未満である。すなわち、めっき処理、１回当たりのパターン前駆体とめっき反応液との接触時間が６０秒未満である。接触時間が６０秒未満であれば、メッシュパターンを構成する導電性細線以外へのめっき析出が抑制され、導電性細線の線幅を細くでき、かつ導電性細線がないメッシュパターン内の開口部の透過率の低下を抑制することができる。これにより、メッシュパターンの開口率が９８．０％以上、かつメッシュパターンの面抵抗値が３０Ω／□以下であり、さらに、メッシュパターン内の開口部の透過率を９２％以上の導電性基板を得ることができる。また、メッシュパターンを構成する導電性細線以外へのめっき析出が抑制され、メッシュパターンの面抵抗値のばらつきも抑制できる。
なお、めっき処理が１回でも、接触時間が６０秒以上では、導電性細線以外へのめっき析出が生じ、メッシュパターン内の開口部の透過率の低下、またはメッシュパターンの面抵抗値のばらつきが生じる。このため、めっき処理は、複数回、かつ１回当たりの接触時間を６０秒未満にする必要がある。
なお、めっき処理において、複数回とは２回以上であればよい。めっき処理の回数の上限は特に制限されないが、生産管理の観点から、６回以下が好ましい。
なお、めっき処理が１回でも、接触時間が６０秒以上では、導電性細線以外へのめっき析出が生じ、メッシュパターン内の開口部の透過率の低下、またはメッシュパターンの面抵抗値のばらつきが生じる。このため、めっき処理は、複数回、かつ１回当たりの接触時間を６０秒未満にする必要がある。
なお、めっき処理において、複数回とは２回以上であればよい。めっき処理の回数の上限は特に制限されないが、生産管理の観点から、６回以下が好ましい。
接触時間は、めっき反応液が付与されてからめっき停止部のめっき停止液に到達する迄の時間である。
接触時間は、上述のようにめっき反応液をパターン前駆体に付与した時刻からの時間であり、時計を用いて測定することができる。予め、めっき処理部４５の距離と、搬送時間とを調整して、非接触塗布部４４でめっき反応液を付与した後、めっき停止液に到達する時間を６０秒未満としておけば、非接触塗布部４４でめっき反応液を付与するだけで、接触時間の管理を省略することができる。
なお、接触時間の下限は特に制限されないが、１０秒以上が好ましく、２５秒以上がより好ましい。
接触時間は、上述のようにめっき反応液をパターン前駆体に付与した時刻からの時間であり、時計を用いて測定することができる。予め、めっき処理部４５の距離と、搬送時間とを調整して、非接触塗布部４４でめっき反応液を付与した後、めっき停止液に到達する時間を６０秒未満としておけば、非接触塗布部４４でめっき反応液を付与するだけで、接触時間の管理を省略することができる。
なお、接触時間の下限は特に制限されないが、１０秒以上が好ましく、２５秒以上がより好ましい。
めっき処理では、一定時間支持体を搬送する最中に支持体面上でメッシュパターンへのめっき反応が進行し、めっき反応液の塗布から一定時間の経過後にめっき反応を止めるめっき停止液が満たされた、めっき停止部に支持体を浸漬させている。めっき反応液は反応速度が早いほど好ましく、めっき反応液の付与からめっき反応停止液に到達する迄の間、メッシュパターン内の開口部に銀粒子の析出が起きないように、めっきの反応速度を調整しためっき反応液を使用することが好ましい。
除去部４８は、例えば、気体を噴射して支持体１２からめっき停止液４９を除去するか、または、吸引して支持体１２からめっき停止液４９を除去するものである。除去部４８は、気体を噴射、または吸引できれば、その構成は特に限定されるものではなく、例えば、エアナイフが用いられる。
非接触塗布部４４は、例えば、図６に示すように、第１のノズル５０と、第２のノズル５２とを有する。第１のノズル５０は、供給管５３に接続されており、供給管５３にはポンプ５４と、タンク５５とが接続されている。タンク５５には第１のめっき反応液Ｑａが貯留されており、ポンプ５４により、第１のノズル５０から第１のめっき反応液Ｑａが支持体１２の表面１２ａに付与される。第１のノズル５０は、支持体に対して第１のめっき反応液Ｑａを均一に吹き付けるものである。
第２のノズル５２は、供給管５３に接続されており、供給管５３にはポンプ５４と、タンク５６とが接続されている。タンク５６には第２のめっき反応液Ｑｂが貯留されており、ポンプ５４により、第２のノズル５２から第２のめっき反応液Ｑｂが支持体１２の表面１２ａに付与される。第２のノズル５２は、支持体に対して第２のめっき反応液Ｑｂを均一に吹き付けるものである。
第１のめっき反応液Ｑａと第２のめっき反応液Ｑｂとによりめっき処理がなされる。なお、第１のめっき反応液Ｑａと第２のめっき反応液Ｑｂとをまとめてめっき反応液Ｑという。めっき反応液は２種類用いることに限定されるものではなく、１種類でもよく、３種類以上でもよい。
第２のノズル５２は、供給管５３に接続されており、供給管５３にはポンプ５４と、タンク５６とが接続されている。タンク５６には第２のめっき反応液Ｑｂが貯留されており、ポンプ５４により、第２のノズル５２から第２のめっき反応液Ｑｂが支持体１２の表面１２ａに付与される。第２のノズル５２は、支持体に対して第２のめっき反応液Ｑｂを均一に吹き付けるものである。
第１のめっき反応液Ｑａと第２のめっき反応液Ｑｂとによりめっき処理がなされる。なお、第１のめっき反応液Ｑａと第２のめっき反応液Ｑｂとをまとめてめっき反応液Ｑという。めっき反応液は２種類用いることに限定されるものではなく、１種類でもよく、３種類以上でもよい。
非接触塗布部４４は、非接触塗布方式で支持体１２にめっき反応液を付与することができれば、特に限定されるものではなく、インクジェット方式、カーテンコーター方式、ローラーコーター方式、２流体スプレー方式、バーコーター方式およびディスペンサー方式等の非接触方式の部材を利用することができる。
図６では、非接触塗布部４４の構成を具体的に説明するために、支持体１２の表面１２ａに対面する非接触塗布部４４を示したが、支持体１２の裏面１２ｂに対面して非接触塗布部４４を配置することもできる。
図６では、非接触塗布部４４の構成を具体的に説明するために、支持体１２の表面１２ａに対面する非接触塗布部４４を示したが、支持体１２の裏面１２ｂに対面して非接触塗布部４４を配置することもできる。
露光および現像後にバインダー減少処理された後の銀含有層で構成される現像銀パターンは脆い。このため、バインダー減少処理された後に、パスロールを用いたロール搬送では傷がついたり、剥がれる等して、良好な導電性細線を得ることができず、電気抵抗の上昇、または抵抗値のばらつきが生じる。しかしながら、浮上搬送と、非接触塗布方式のめっき反応液の付与とを利用することにより、バインダー減少処理された後の銀含有層で構成される現像銀パターンに対して、傷つき、または剥がれを抑制できるため、導電性パターンの電気抵抗の上昇を抑制し抗の導電性細線を得ることができ、また、抵抗値のばらつきも小さくすることができる。
さらには、図５に示すようなロールトゥロールの搬送方式のめっき処理装置４０を用いることにより、連続してめっき処理ができるため、高い生産性が得られる。また、めっき処理装置４０では、めっき反応液が浮上搬送部等の搬送部材に直接接触することがないため、搬送部材へのめっき析出が抑制され、めっき析出物の定期的な除去作業が不要であり、めっき処理装置を停止させることなく連続してめっき処理をすることができる。
さらには、図５に示すようなロールトゥロールの搬送方式のめっき処理装置４０を用いることにより、連続してめっき処理ができるため、高い生産性が得られる。また、めっき処理装置４０では、めっき反応液が浮上搬送部等の搬送部材に直接接触することがないため、搬送部材へのめっき析出が抑制され、めっき析出物の定期的な除去作業が不要であり、めっき処理装置を停止させることなく連続してめっき処理をすることができる。
図５では、非接触塗布部４４を支持体１２の各面に対面させて、支持体１２を挟んで２つ配置したが、非接触塗布部４４はめっき処理する面に配置されていればよく、めっき処理する面が、支持体１２の一方の面であれば、一方の面に対面して非接触塗布部４４を配置すればよい。また、非接触塗布部４４を、支持体１２の１つ面に対して１つ配置する構成としたが、これに限定されるものではなく、ターン部とめっき停止部との間の区間に、沿って複数配置してもよい。
また、めっき反応液を、支持体１２の他方の面に移動させないために、ターン部とめっき停止部との間の区間は垂直であることが好ましい。上述の区間を垂直とすることにより、めっき反応液は、下方のめっき停止部側に移動しやすくなり、他の面のめっき反応液と混ざることが抑制され、正常なめっき処理ができる。
また、めっき反応液を、支持体１２の他方の面に移動させないために、ターン部とめっき停止部との間の区間は垂直であることが好ましい。上述の区間を垂直とすることにより、めっき反応液は、下方のめっき停止部側に移動しやすくなり、他の面のめっき反応液と混ざることが抑制され、正常なめっき処理ができる。
めっき処理装置４０では、浮上搬送部４２を設けたが、これに限定されるものではなく、パターン前駆体がパスロールを用いた搬送により損傷を受けず、メッシュパターンに影響を及ぼさない構成の場合には、浮上搬送に代えて、パスロール搬送とすることもできる。
また、非接触塗布部４４を設けたが、これに限定されるものではなく、パターン前駆体が、めっき反応液Ｑをブラシ等を用いて塗布しても、損傷を受けず、メッシュパターンに影響を及ぼさない構成の場合には、非接触塗布部４４に代えて、ブラシ等を用いて塗布することもできる。
また、非接触塗布部４４を設けたが、これに限定されるものではなく、パターン前駆体が、めっき反応液Ｑをブラシ等を用いて塗布しても、損傷を受けず、メッシュパターンに影響を及ぼさない構成の場合には、非接触塗布部４４に代えて、ブラシ等を用いて塗布することもできる。
図７は本発明の実施形態のパターン前駆体の一例を示す模式的平面図であり、図８は本発明の実施形態のパターン前駆体の一例を示す模式的断面図である。なお、図７および図８において、図１および図２と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図５に示すめっき処理装置４０は、ロールトゥロールの搬送方式の装置であるため、図７に示すように、パターン前駆体６１が形成された支持体１２は、長尺な帯状の形態である。
支持体１２の表面１２ａおよび裏面１２ｂには、パターン形成領域６０が間隙部６２をあけて繰り返し設けられている。例えば、支持体１２の搬送方向Ｄｄにおいてパターン形成領域６０と間隙部６２とが交互に設けられている。例えば、複数のパターン形成領域６０は全て合同であり、複数のパターン形成領域６０は、互いに電気的に絶縁な状態にある。間隙部６２とは、支持体１２の搬送方向Ｄｄにおけるパターン形成領域６０とパターン形成領域６０の間の領域である。複数のパターン形成領域６０に、それぞれパターン前駆体６１が形成されている。
図５に示すめっき処理装置４０は、ロールトゥロールの搬送方式の装置であるため、図７に示すように、パターン前駆体６１が形成された支持体１２は、長尺な帯状の形態である。
支持体１２の表面１２ａおよび裏面１２ｂには、パターン形成領域６０が間隙部６２をあけて繰り返し設けられている。例えば、支持体１２の搬送方向Ｄｄにおいてパターン形成領域６０と間隙部６２とが交互に設けられている。例えば、複数のパターン形成領域６０は全て合同であり、複数のパターン形成領域６０は、互いに電気的に絶縁な状態にある。間隙部６２とは、支持体１２の搬送方向Ｄｄにおけるパターン形成領域６０とパターン形成領域６０の間の領域である。複数のパターン形成領域６０に、それぞれパターン前駆体６１が形成されている。
間隙部６２は、パターン前駆体６１の形成において搬送等のハンドリング性を向上させるための領域である。間隙部６２は、パターン前駆体６１が形成されていなければ、構成としては、特に限定されるものではない。間隙部６２には、例えば、アライメントマーク、または支持体１２の搬送を補助する厚み調整用のパターン等の各種パターンが形成されていてもよい。また、間隙部６２は、何も形成されていない支持体１２そのものでもよい。
図７では、間隙部６２の支持体１２の搬送方向Ｄｄにおける長さＬｓは、全て支持体１２の搬送方向Ｄｄにおけるパターン形成領域６０のパターン長さＬｐよりも長い。すなわち、Ｌｐ＜Ｌｓであるが、これに限定されるものではない。なお、間隙部６２の支持体１２の搬送方向における長さＬｓのことを、パターン間隔Ｌｓともいう。
図７では、間隙部６２の支持体１２の搬送方向Ｄｄにおける長さＬｓは、全て支持体１２の搬送方向Ｄｄにおけるパターン形成領域６０のパターン長さＬｐよりも長い。すなわち、Ｌｐ＜Ｌｓであるが、これに限定されるものではない。なお、間隙部６２の支持体１２の搬送方向における長さＬｓのことを、パターン間隔Ｌｓともいう。
次に、導電性基板の製造方法について、ハロゲン化銀を含む感光性のハロゲン化銀乳剤層を用いたパターン前駆体を例にして説明する。導電性基板の製造方法は、上述の銀含有層を有するパターン前駆体の製造工程を有する。パターン前駆体の製造工程の各工程は、パターン前駆体を製造できれば特に制限されないが、生産性に優れる点で、後述する工程Ａ～工程Ｅをこの順に有する導電性基板の製造方法が好ましい。以下、各工程について詳述する。
＜工程Ａ＞
工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀と、２種類以上のバインダーとを含む感光性のハロゲン化銀乳剤層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。
上述の２種類以上のバインダーは、例えば、ゼラチンと、ゼラチンとは異なる高分子（以下、「特定高分子」ともいう。）である。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀と、２種類以上のバインダーとを含む感光性のハロゲン化銀乳剤層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。
上述の２種類以上のバインダーは、例えば、ゼラチンと、ゼラチンとは異なる高分子（以下、「特定高分子」ともいう。）である。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
（支持体）
支持体は、かつ感光性層、および導電性細線を支持することができれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、およびガラス基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
支持体の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、タッチパネルに応用する際に、支持体表面をタッチ面として用いる場合は、支持体の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
また、上述のめっき処理装置４０（図５参照）のようにターンして搬送されることから、支持体は可撓性を有する、可撓性基材が好ましい。
ここで、可撓性基材とは、折り曲げることができる基材を意味し、具体的には、折り曲げ曲率半径２ｍｍで折り曲げても割れが生じない基材である。可撓性基材は、３次元形状を形成することができる加工性を有する。
支持体は、かつ感光性層、および導電性細線を支持することができれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、およびガラス基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
支持体の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、タッチパネルに応用する際に、支持体表面をタッチ面として用いる場合は、支持体の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
また、上述のめっき処理装置４０（図５参照）のようにターンして搬送されることから、支持体は可撓性を有する、可撓性基材が好ましい。
ここで、可撓性基材とは、折り曲げることができる基材を意味し、具体的には、折り曲げ曲率半径２ｍｍで折り曲げても割れが生じない基材である。可撓性基材は、３次元形状を形成することができる加工性を有する。
支持体を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、アクリルフィルム（１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（２６９℃）、ポリエチレン（１３５℃）、ポリプロピレン（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（２９０℃）等の融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、および、ポリカーボネートがより好ましい。なお、（ ）内の数値は融点、または、ガラス転移温度である。
支持体に透過性が要求されており、全光線透過率は９２％以上である。全光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
支持体に透過性が要求されており、全光線透過率は９２％以上である。全光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
支持体の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の支持体に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の支持体に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の支持体に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の支持体に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
（ハロゲン化銀）
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、または、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、または、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、または、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、または、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍがさらに好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上述のハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上述のハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状等）、八面体状、および、１４面体状等の形状が挙げられる。
（ゼラチン）
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）等を用いてもよい。
（ゼラチンとは異なる高分子）
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
Ｒ1は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ2は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ1）ｒ－Ｘ2－
一般式（２）中、Ｘ1は、酸素原子または－ＮＲ30－を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ2－、－Ｎ（Ｒ31）－、または、－Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2－、または、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）－が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
Ｒ2は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ1）ｒ－Ｘ2－
一般式（２）中、Ｘ1は、酸素原子または－ＮＲ30－を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ2－、－Ｎ（Ｒ31）－、または、－Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2－、または、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）－が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
Ｒ4は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基がさらに好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
Ｒ6は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
Ｒ6は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。
一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上述の定義の通りである。
一般式（１）で表される高分子は、上述の一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
上述の式中、ＬEはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基がさらに好ましい。
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。
上述の式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、およびｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
ａ１の好ましい範囲は上述のｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上述のｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上述のｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上述のｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
ａ１の好ましい範囲は上述のｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上述のｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上述のｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上述のｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００がさらに好ましい。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００がさらに好ましい。
感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
例えば、ハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物等の８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。または、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。さらには、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
例えば、ハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物等の８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。または、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。さらには、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
また、感光性層には、上述の特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも導電層中の金属銀同士の連結が保たれる。
（工程Ａの手順）
工程Ａにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
工程Ａにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、および、エーテル類）、イオン性液体、および、これらの混合溶媒が挙げられる。
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、および、エーテル類）、イオン性液体、および、これらの混合溶媒が挙げられる。
感光性層形成用組成物と支持体とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を支持体上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に支持体を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
（ハロゲン化銀含有感光性層）
上述の手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀と２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ2が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ2がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中に特定高分子が含まれる場合、感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ2がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ2がさらに好ましい。
上述の手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀と２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ2が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ2がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中に特定高分子が含まれる場合、感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ2がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ2がさらに好ましい。
＜工程Ｂ＞
工程Ｂは、感光性層をパターン露光した後、現像処理して、金属銀と２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
工程Ｂは、感光性層をパターン露光した後、現像処理して、金属銀と２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
感光性層にパターン露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
パターン露光は、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
パターン露光は、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（ｐｈｅｎｉｄｏｎｅ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、ＭＱ（Ｍｅｔｏｌ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（ｐｈｅｎｉｄｏｎｅ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、ＭＱ（Ｍｅｔｏｌ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理をさらに有していてもよい。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
上述の処理を実施することにより、金属銀と２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）とを含む、細線状の銀含有層が形成される。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を１．０μｍ以上５．０μｍ未満にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線の線幅を調整することができる。
さらに、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を１．０μｍ以上５．０μｍ未満にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線の線幅を調整することができる。
さらに、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の幅は、１．０μｍ以上５．０μｍ未満が好ましく、形成される導電性細線が視認されにくい点から、３．０μｍ以下がより好ましく、１．５μｍ以下がさらに好ましい。
なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
＜工程Ｃ＞
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中のバインダー（例えば、特定高分子）間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中のバインダー（例えば、特定高分子）間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、および、温調装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。
温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。
＜工程Ｄ＞
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中の２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）のうち、少なく１種のバインダーを除去するバインダー減少処理を施す工程である。２種以上のバインダーとしてゼラチンと特定高分子とを用いている場合、本工程を実施することにより、銀含有層から、バインダーの１種であるゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。バインダー減少処理としては、除去したいバインダーの種類に応じて最適な方法が選択されるが、ゼラチンを除去する場合、後述のように次亜塩素酸処理または酵素処理が好ましい。
以下では、ゼラチンを除去する方法について詳述する。
バインダー減少処理により、ゼラチンが除去されると銀含有層は脆くなり、傷つきやすくなるため、支持体を浮上搬送した状態で銀含有層に対してバインダー減少処理を実施することが好ましい。
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中の２種以上のバインダー（例えば、ゼラチンと特定高分子）のうち、少なく１種のバインダーを除去するバインダー減少処理を施す工程である。２種以上のバインダーとしてゼラチンと特定高分子とを用いている場合、本工程を実施することにより、銀含有層から、バインダーの１種であるゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。バインダー減少処理としては、除去したいバインダーの種類に応じて最適な方法が選択されるが、ゼラチンを除去する場合、後述のように次亜塩素酸処理または酵素処理が好ましい。
以下では、ゼラチンを除去する方法について詳述する。
バインダー減少処理により、ゼラチンが除去されると銀含有層は脆くなり、傷つきやすくなるため、支持体を浮上搬送した状態で銀含有層に対してバインダー減少処理を実施することが好ましい。
ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。バインダー減少処理において、上述のタンパク質分解酵素を用いる処理が酵素処理である。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２５～４５℃が好ましい。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。バインダー減少処理において、上述のタンパク質分解酵素を用いる処理が酵素処理である。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２５～４５℃が好ましい。
なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
方法２における手順としては、銀含有層と上述の酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。バインダー減少処理において、上述の酸化剤として次亜塩素酸を用いる処理が次亜塩素酸処理である。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、および、有機溶媒が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、および、有機溶媒が挙げられる。
＜工程Ｅ＞
工程Ｅは、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を得る工程である。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された空間に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。
工程Ｅは、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を得る工程である。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された空間に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。
めっき処理には、無電解めっき（化学還元めっき、または、置換めっき）が用いられる。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
無電解めっき処理としては、例えば、無電解銀めっき処理、無電解銅めっき処理、無電解ニッケルめっき処理、および、無電解コバルトめっき処理が挙げられる。導電性細線の導電性がより優れる点で、無電解めっき処理としては、無電解銅めっき処理および無電解銀めっき処理のうち、少なくとも１つの処理であることが好ましく、無電解銀めっき処理がより好ましい。
無電解めっき処理としては、例えば、無電解銀めっき処理、無電解銅めっき処理、無電解ニッケルめっき処理、および、無電解コバルトめっき処理が挙げられる。導電性細線の導電性がより優れる点で、無電解めっき処理としては、無電解銅めっき処理および無電解銀めっき処理のうち、少なくとも１つの処理であることが好ましく、無電解銀めっき処理がより好ましい。
めっき処理で用いられるめっき反応液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき反応液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
めっき反応液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
上述のめっき処理に用いるめっき反応液は、異なる組成からなる複数のめっき反応液に分けて、各々のめっき反応液を別々にパターン前駆体に付与してもよい。また、複数に分けためっき反応液をパターン前駆体に付与する直前で混合して、混合しためっき反応液をパターン前駆体に付与してもよい。
めっき反応液を異なる組成からなる２つのめっき反応液に分ける際は、めっき金属の金属イオンを含有するめっき反応液１と、めっき金属イオンを還元する作用を有する還元剤を含むめっき反応液２に分けることが好ましい。めっき反応液を上述のめっき反応液１とめっき反応液２に分けることにより、それぞれのめっき反応液を付与するライン（めっき反応液の貯蔵タンク、送液配管、塗工機）内で、望まないめっき反応が生じず、各々のめっき反応液の経時安定性に優れる。
めっき反応液１とめっき反応液２を別々にパターン前駆体に付与する際は、めっき反応液１をパターン前駆体に付与した後に、めっき反応液２を付与してもよく、また、めっき反応液２をパターン前駆体に付与した後に、次いで、めっき反応液１を付与してもよい。めっき反応液１のパターン前駆体への付与とめっき反応液２のパターン前駆体への付与の時間間隔、めっき反応液の付与量、支持体の搬送速度等は、所望のめっき反応速度が得られるように決定することが好ましい。
めっき反応液を異なる組成からなる２つのめっき反応液に分ける際は、めっき金属の金属イオンを含有するめっき反応液１と、めっき金属イオンを還元する作用を有する還元剤を含むめっき反応液２に分けることが好ましい。めっき反応液を上述のめっき反応液１とめっき反応液２に分けることにより、それぞれのめっき反応液を付与するライン（めっき反応液の貯蔵タンク、送液配管、塗工機）内で、望まないめっき反応が生じず、各々のめっき反応液の経時安定性に優れる。
めっき反応液１とめっき反応液２を別々にパターン前駆体に付与する際は、めっき反応液１をパターン前駆体に付与した後に、めっき反応液２を付与してもよく、また、めっき反応液２をパターン前駆体に付与した後に、次いで、めっき反応液１を付与してもよい。めっき反応液１のパターン前駆体への付与とめっき反応液２のパターン前駆体への付与の時間間隔、めっき反応液の付与量、支持体の搬送速度等は、所望のめっき反応速度が得られるように決定することが好ましい。
上述のめっき処理の手順は、例えば、支持体を浮上搬送させながら、めっき反応液を非接触塗布方式でパターン前駆体にめっき反応液の付与を複数回行うことができれば、特に限定されるものではない。めっき処理には、例えば、上述のめっき処理装置４０（図５参照）が用いられる。
パターン前駆体とめっき反応液との接触時間は、透過率を低下させることなく導電性細線を形成する点から、めっき処理、１回当たり６０秒未満である。めっき処理装置４０では、めっき処理部４５（図５参照）の距離と、支持体１２の搬送速度とを上述の接触時間に合わせて設定することができる。めっき反応液を複数に分けた場合のパターン前駆体とめっき反応液との接触時間は、めっき金属イオンを含有する液と還元剤を含む液とが混合されためっき液がパターン前駆体と接触してから、パターン前駆体がめっき停止液に到達するまでの時間である。
パターン前駆体とめっき反応液との接触時間は、透過率を低下させることなく導電性細線を形成する点から、めっき処理、１回当たり６０秒未満である。めっき処理装置４０では、めっき処理部４５（図５参照）の距離と、支持体１２の搬送速度とを上述の接触時間に合わせて設定することができる。めっき反応液を複数に分けた場合のパターン前駆体とめっき反応液との接触時間は、めっき金属イオンを含有する液と還元剤を含む液とが混合されためっき液がパターン前駆体と接触してから、パターン前駆体がめっき停止液に到達するまでの時間である。
＜工程Ｆ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｅの後に、工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有していてもよい。
本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｅの後に、工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有していてもよい。
本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、導電性細線が形成された長尺の支持体を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
＜工程Ｇ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｆの後に、さらに、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇを有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｆの後に、さらに、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇを有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
＜工程Ｈ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電層と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電層と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満であることが好ましい。
＜工程Ｉ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。
なお、上述した工程Ｈ、工程Ａおよび工程Ｉは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
導電性基板の製造方法では、支持体の両面に、以下に示すメッシュパターンを形成することができる。この場合、パターン前駆体を支持体の両面に同時に形成することが好ましい。ここで、支持体の両面に設けられたパターン前駆体を同時形成するとは、同じ工程を同じタイミングで、各面のパターン前駆体を形成することをいう。支持体の表面にパターン前駆体を形成した後に、支持体の裏面にパターン前駆体を形成することは、上述の同時には含まれない。
＜タッチセンサーの製造方法＞
タッチセンサーは、露光パターンが異なる以外は、上述の導電性基板の製造方法と同様にして製造することができる。
また、タッチセンサーは、例えば、支持体の異なる面に検出電極が直交して配置される。このため、タッチセンサーでは、支持体の一方の面と、他方の面とではメッシュパターンが異なる。例えば、支持体の両面同時に、メッシュパターンを形成する。
ここで、同時に形成するとは、同じ工程を同じタイミングで、各面のメッシュパターン形成することをいい、支持体の表面にメッシュパターンを形成した後に、支持体の裏面にメッシュパターンを形成することは、上述の同時に形成することには含まれない。
タッチセンサーは、露光パターンが異なる以外は、上述の導電性基板の製造方法と同様にして製造することができる。
また、タッチセンサーは、例えば、支持体の異なる面に検出電極が直交して配置される。このため、タッチセンサーでは、支持体の一方の面と、他方の面とではメッシュパターンが異なる。例えば、支持体の両面同時に、メッシュパターンを形成する。
ここで、同時に形成するとは、同じ工程を同じタイミングで、各面のメッシュパターン形成することをいい、支持体の表面にメッシュパターンを形成した後に、支持体の裏面にメッシュパターンを形成することは、上述の同時に形成することには含まれない。
図９は本発明の実施形態の導電性パターンを有するタッチセンサーパターンの一例を示す模式的平面図であり、図１０は本発明の実施形態の導電性パターンを有するタッチセンサーパターンの他の例を示す模式的平面図である。なお、図９および図１０において、図１および図２と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図９に示すメッシュパターン１４ｃをパターン形成領域６０のパターン前駆体６１に形成する。メッシュパターン１４ｃには、ｙ方向に延在する帯状の検出電極パターン７０がｙ方向に間隔をあけて複数配置されている。検出電極パターン７０が第２検出電極２６に相当する。また、検出電極パターン７０のｙ方向の一方の端部には、それぞれ取出し線７３が電気的に接続された取出し配線部７２が配置されている。取出し配線部７２が取出し配線部２４に相当し、取出し線７３が取出し線２５に相当する。
図１０に示すメッシュパターン１４ｄをパターン形成領域６０のパターン前駆体６１に形成する。メッシュパターン１４ｄには、ｙ方向に延在する帯状の検出電極パターン７４がｘ方向に間隔をあけて複数配置されている。検出電極パターン７４が第１検出電極２２に相当する。また、検出電極パターン７４のｙ方向の両方の端部に、それぞれ取出し線７７が電気的に接続された取出し配線部７６が配置されている。取出し配線部７６が取出し配線部２４に相当し、取出し線７７が取出し線２５に相当する。
図９に示すメッシュパターン１４ｃをパターン形成領域６０のパターン前駆体６１に形成する。メッシュパターン１４ｃには、ｙ方向に延在する帯状の検出電極パターン７０がｙ方向に間隔をあけて複数配置されている。検出電極パターン７０が第２検出電極２６に相当する。また、検出電極パターン７０のｙ方向の一方の端部には、それぞれ取出し線７３が電気的に接続された取出し配線部７２が配置されている。取出し配線部７２が取出し配線部２４に相当し、取出し線７３が取出し線２５に相当する。
図１０に示すメッシュパターン１４ｄをパターン形成領域６０のパターン前駆体６１に形成する。メッシュパターン１４ｄには、ｙ方向に延在する帯状の検出電極パターン７４がｘ方向に間隔をあけて複数配置されている。検出電極パターン７４が第１検出電極２２に相当する。また、検出電極パターン７４のｙ方向の両方の端部に、それぞれ取出し線７７が電気的に接続された取出し配線部７６が配置されている。取出し配線部７６が取出し配線部２４に相当し、取出し線７７が取出し線２５に相当する。
図８に示す支持体１２の表面１２ａのパターン形成領域６０に図９に示すメッシュパターン１４ｃと、支持体１２の裏面１２ｂのパターン形成領域６０に図１０に示すメッシュパターン１４ｄとを、ｙ方向に延在する帯状の検出電極パターン７０と、ｙ方向に延在する帯状の検出電極パターン７４とが直交するように位置を合わせて同時に形成する。これにより、図３に示すタッチセンサー２０を得ることができる。
このように、異なる導電性パターンを支持体１２の表面１２ａと裏面１２ｂに同時に形成することができる。また、タッチセンサー以外に様々な機能を有する導電性パターンを支持体の両面に同時に形成することができる。
このように、異なる導電性パターンを支持体１２の表面１２ａと裏面１２ｂに同時に形成することができる。また、タッチセンサー以外に様々な機能を有する導電性パターンを支持体の両面に同時に形成することができる。
＜用途＞
導電性基板は、種々の用途に適用でき、上述のタッチセンサー以外に、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチセンサーに用いる場合、上述のように導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
導電性基板は、種々の用途に適用でき、上述のタッチセンサー以外に、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチセンサーに用いる場合、上述のように導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の導電性基板の製造方法および導電性基板について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、および、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
本実施例では、実施例１～１８および比較例１～１２について、評価項目としてメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値、メッシュパターンの面抵抗値の平均およびメッシュパターンの面抵抗値の変動係数を評価した。
以下、実施例１～１８および比較例１～１２について説明する。実施例１～９および比較例１～６は、レジスト感材をパターン前駆体とした。実施例１０～１８および比較例７～１２は、ハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀感材をパターン前駆体とした。実施例１～１８および比較例１～１２の構成については下記表１および表２に示す。
本実施例では、実施例１～１８および比較例１～１２について、評価項目としてメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値、メッシュパターンの面抵抗値の平均およびメッシュパターンの面抵抗値の変動係数を評価した。
以下、実施例１～１８および比較例１～１２について説明する。実施例１～９および比較例１～６は、レジスト感材をパターン前駆体とした。実施例１０～１８および比較例７～１２は、ハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀感材をパターン前駆体とした。実施例１～１８および比較例１～１２の構成については下記表１および表２に示す。
＜実施例１＞
（導電性パターン前駆体１の作製）
支持体として、ポリビニルアルコールを含有する易接着層を支持体両面に有する厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（全光線透過率９２％）を用いた。フィルム幅は５００ｍｍ、フィルム長さは１０００ｍとした。下記に示す組成の硫化パラジウムゾルを調製し、硫化パラジウムゾルを用いて下記に示す下地層１の塗液を作製した。塗布装置には、直径が６０ｍｍ、斜線角度が４５°、線数９０線／インチ、溝深さ１１０μｍの斜線グラビアロールを用いリバース回転、かつキスタッチで塗布を行う塗布ヘッドを有する塗布装置を用い、上述の易接着層を有するポリエチレンテレフタレートフィルムの易接着層上に、下地層１の塗液を塗布し、乾燥させて、ロール様に巻き取り、その後４０℃の加温庫にて１週間加温した。
（導電性パターン前駆体１の作製）
支持体として、ポリビニルアルコールを含有する易接着層を支持体両面に有する厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（全光線透過率９２％）を用いた。フィルム幅は５００ｍｍ、フィルム長さは１０００ｍとした。下記に示す組成の硫化パラジウムゾルを調製し、硫化パラジウムゾルを用いて下記に示す下地層１の塗液を作製した。塗布装置には、直径が６０ｍｍ、斜線角度が４５°、線数９０線／インチ、溝深さ１１０μｍの斜線グラビアロールを用いリバース回転、かつキスタッチで塗布を行う塗布ヘッドを有する塗布装置を用い、上述の易接着層を有するポリエチレンテレフタレートフィルムの易接着層上に、下地層１の塗液を塗布し、乾燥させて、ロール様に巻き取り、その後４０℃の加温庫にて１週間加温した。
（硫化パラジウムゾルの調製）Ａ液 塩化パラジウム ５ｇ
塩酸 ４８ｇ
蒸留水 １０００ｇＢ液 硫化ソーダ ８．６ｇ
蒸留水 １０００ｇ
Ａ液とＢ液を撹拌しながら混合し、３０分後にイオン交換樹脂の充填されたカラムに通し硫化パラジウムゾルを得た。
塩酸 ４８ｇ
蒸留水 １０００ｇＢ液 硫化ソーダ ８．６ｇ
蒸留水 １０００ｇ
Ａ液とＢ液を撹拌しながら混合し、３０分後にイオン交換樹脂の充填されたカラムに通し硫化パラジウムゾルを得た。
（下地層１の塗液／１ｍ２当たり）ＰＶＡ２１７（株式会社クラレ製ポリビニルアルコール 鹸化度８８％、重合度１７００） １２ｍｇタイポールＮＰＳ－４３６（泰光油脂化学工業株式会社製界面活性剤） １２ｍｇ１Ｎ．水酸化ナトリウム １１０ｍｇグルタルアルデヒド １８ｍｇ上述の硫化パラジウムゾル ０．４ｍｇ
上述のようにして形成された下地層１上に、クレゾールノボラック樹脂、およびナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含有するキノンジアジド系ポジ型感光性液状レジストを上述の塗布装置を用いて塗布し、９０℃で２分間乾燥しロール状に巻き取り、乾燥膜厚１．５μｍの感光性レジスト層が支持体の両面に設けられたロール様の感光性材料１を得た。
（レジストパターン開口部を有する導電性パターン前駆体１の作製）
得られた感光性材料１をロールツーロールタイプの露光装置を用いて露光を行った。ロールツーロールタイプの露光装置は、ロール様の感光性材料１の巻き出し部、露光部、ロール様の感光性材料１の巻き取り部からなる。マスクには外形８００ｍｍ×９６０ｍｍ、有効露光幅５００ｍｍ×８００ｍｍのソーダガラスマスクを用い、マスク線幅が１．２μｍ、線間隔が４６０μｍの格子パターンからなる８ｍｍ幅×２００ｍｍ長のストライプ様のメッシュパターンが、１．５ｍｍ間隔をおいて３２本描画されている。上述のストライプ様のメッシュパターン間には１．５ｍｍ幅×２００ｍｍ長の断線部を有するメッシュパターンが描画され、上述のストライプ様のメッシュパターン同士が電気的に接続しないようにされており、画像部以外は全て遮光部としたものをマスクに用いた。
超高圧水銀灯の発光を赤外線領域を透過する誘電体多層膜からなる凹面ミラー（ダイクロイックミラー）により集光しフライアイレンズを通過させた後、凹面ミラー光学系を通過させることで疑似平行光とした光源を露光に用いた。１露光単位と次の露光単位との間隔は８００ｍｍとし、かかる露光を、感光材料をマスク１とマスク２による両面同時密着露光し、感光材料の間欠搬送とマスク露光を繰り返すことで実施した。
露光後のロール様の感光性材料１は、ロールツーロールタイプの現像装置を用いて現像を行った。ロールツーロールタイプの現像装置は、ロール様の感光性材料１の巻き出し部、現像槽、水洗槽、エアナイフ、乾燥機、および巻き取り部を有する。現像槽並びに水洗槽においてはシャワーノズルを用い、現像液および水洗水の吹き掛けを行った。現像液には１％炭酸ナトリウム水溶液を用いた。現像液の温度は３０℃、現像時間は３０秒として現像処理を行い、レジストパターン開口部を有するロール様の導電性パターン前駆体１を得た。レジストパターン開口部のレジスト層は完全に除去され、下地層が露出していた。
得られた感光性材料１をロールツーロールタイプの露光装置を用いて露光を行った。ロールツーロールタイプの露光装置は、ロール様の感光性材料１の巻き出し部、露光部、ロール様の感光性材料１の巻き取り部からなる。マスクには外形８００ｍｍ×９６０ｍｍ、有効露光幅５００ｍｍ×８００ｍｍのソーダガラスマスクを用い、マスク線幅が１．２μｍ、線間隔が４６０μｍの格子パターンからなる８ｍｍ幅×２００ｍｍ長のストライプ様のメッシュパターンが、１．５ｍｍ間隔をおいて３２本描画されている。上述のストライプ様のメッシュパターン間には１．５ｍｍ幅×２００ｍｍ長の断線部を有するメッシュパターンが描画され、上述のストライプ様のメッシュパターン同士が電気的に接続しないようにされており、画像部以外は全て遮光部としたものをマスクに用いた。
超高圧水銀灯の発光を赤外線領域を透過する誘電体多層膜からなる凹面ミラー（ダイクロイックミラー）により集光しフライアイレンズを通過させた後、凹面ミラー光学系を通過させることで疑似平行光とした光源を露光に用いた。１露光単位と次の露光単位との間隔は８００ｍｍとし、かかる露光を、感光材料をマスク１とマスク２による両面同時密着露光し、感光材料の間欠搬送とマスク露光を繰り返すことで実施した。
露光後のロール様の感光性材料１は、ロールツーロールタイプの現像装置を用いて現像を行った。ロールツーロールタイプの現像装置は、ロール様の感光性材料１の巻き出し部、現像槽、水洗槽、エアナイフ、乾燥機、および巻き取り部を有する。現像槽並びに水洗槽においてはシャワーノズルを用い、現像液および水洗水の吹き掛けを行った。現像液には１％炭酸ナトリウム水溶液を用いた。現像液の温度は３０℃、現像時間は３０秒として現像処理を行い、レジストパターン開口部を有するロール様の導電性パターン前駆体１を得た。レジストパターン開口部のレジスト層は完全に除去され、下地層が露出していた。
（めっき処理）
導電性パターン前駆体１に対して、以下に示す組成のめっき反応液Ａとめっき反応液Ｂをスプレー方式にて浮上搬送中の支持体表面に均一に吹きかけ塗布を行った（めっき反応液Ａ液：めっき反応液Ｂ液＝１：１、液温度：３０℃、塗布量：６０ｃｃ／ｍ２）。
実施例１は接触時間を３０秒としたため、めっき反応液の塗布後、３０秒経過した後に、亜硫酸水素ナトリウムを逐次適量添加することでｐＨ８．０未満に調整した水溶液が貯留された水洗槽に導電性パターン前駆体１を１０秒間通じた。
水洗槽から出た導電性パターン前駆体１の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。上述のめっき反応液のスプレー塗布と水洗との処理を合計３回行った。
次いで、温水槽（液温：５０℃）に９０秒間通じ、導電性パターン前駆体１を洗浄した。次いで、水洗槽から出た導電性パターン前駆体１の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。
導電性パターン前駆体１に対して、以下に示す組成のめっき反応液Ａとめっき反応液Ｂをスプレー方式にて浮上搬送中の支持体表面に均一に吹きかけ塗布を行った（めっき反応液Ａ液：めっき反応液Ｂ液＝１：１、液温度：３０℃、塗布量：６０ｃｃ／ｍ２）。
実施例１は接触時間を３０秒としたため、めっき反応液の塗布後、３０秒経過した後に、亜硫酸水素ナトリウムを逐次適量添加することでｐＨ８．０未満に調整した水溶液が貯留された水洗槽に導電性パターン前駆体１を１０秒間通じた。
水洗槽から出た導電性パターン前駆体１の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。上述のめっき反応液のスプレー塗布と水洗との処理を合計３回行った。
次いで、温水槽（液温：５０℃）に９０秒間通じ、導電性パターン前駆体１を洗浄した。次いで、水洗槽から出た導電性パターン前駆体１の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。
（めっき反応液Ａの組成）
・硝酸銀 ４６ｇ
・亜硫酸ナトリウム ８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム ５７ｇ
・純水 ９４０ｇ
（めっき反応液Ｂの組成）
・亜硫酸ナトリウム ７０ｇ
・メチルハイドロキノン ２０ｇ
・クエン酸三ナトリウム １０ｇ
・炭酸カリウム １２ｇ
・水酸化ナトリウム １．５ｇ
・純水 ９３０ｇ
・硝酸銀 ４６ｇ
・亜硫酸ナトリウム ８６ｇ
・チオ硫酸ナトリウム ５７ｇ
・純水 ９４０ｇ
（めっき反応液Ｂの組成）
・亜硫酸ナトリウム ７０ｇ
・メチルハイドロキノン ２０ｇ
・クエン酸三ナトリウム １０ｇ
・炭酸カリウム １２ｇ
・水酸化ナトリウム １．５ｇ
・純水 ９３０ｇ
（レジスト層剥離）
めっき処理後、次に、剥離装置を用い、導電性パターン前駆体１の感光性レジスト層の剥離処理を行った。剥離装置は、導電性パターン前駆体の巻き出し部、剥離槽、水洗槽、液切り用エアナイフ、乾燥機、および導電性パターンの巻き取り部をこの順に有する。剥離槽並びに水洗槽においてはシャワーノズルを用い、剥離液および水洗水の吹き掛けを行った。剥離液には５％水酸化ナトリウム水溶液を用い、剥離液温度３０℃、剥離時間６０秒として剥離処理を行い、ロール様の導電性パターン１の長さ１０００ｍのロールサンプルを得た。実施例１では、メッシュパターンの導電性細線の線幅が１．５μｍ、メッシュパターンの開口率が９９．１％、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２．３％であった。
めっき処理後、次に、剥離装置を用い、導電性パターン前駆体１の感光性レジスト層の剥離処理を行った。剥離装置は、導電性パターン前駆体の巻き出し部、剥離槽、水洗槽、液切り用エアナイフ、乾燥機、および導電性パターンの巻き取り部をこの順に有する。剥離槽並びに水洗槽においてはシャワーノズルを用い、剥離液および水洗水の吹き掛けを行った。剥離液には５％水酸化ナトリウム水溶液を用い、剥離液温度３０℃、剥離時間６０秒として剥離処理を行い、ロール様の導電性パターン１の長さ１０００ｍのロールサンプルを得た。実施例１では、メッシュパターンの導電性細線の線幅が１．５μｍ、メッシュパターンの開口率が９９．１％、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２．３％であった。
＜実施例２～９＞
実施例２は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例３は、接触時間を２５秒とした点、めっき処理回数を４回とした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例４は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例５は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例６は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例７は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例８は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例９は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例２は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例３は、接触時間を２５秒とした点、めっき処理回数を４回とした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例４は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例５は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例６は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例７は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例８は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
実施例９は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
＜実施例１０＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上述の得られた溶液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、得られた溶液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。次に、上澄み液を除去した溶液に、３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第３水洗）、水洗および脱塩工程を終了した。水洗および脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇおよび塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、さらに、得られた乳剤に、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、および、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）０．１２μｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
（感光性層形成用組成物の調製）
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層をフィルム両面に設けた。この処理はロールトゥロール方式で行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロールトゥロール方式で行った。なお、このときのロールサンプルの幅は０．５ｍ、長さは１０００ｍであった。
（工程Ｈ１、工程Ａ１、工程Ｉ１）
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とをフィルム両面に形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とをフィルム両面に形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
（工程Ｂ１）
作製した上述の感光性層に、後述の露光マスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて、線幅が１．５μｍのメッシュパターン状にパターン露光した。
露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に現像銀パターンが形成された、金属銀を含む銀含有層をフィルム両面に有するロールサンプルＡを得た。
作製した上述の感光性層に、後述の露光マスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて、線幅が１．５μｍのメッシュパターン状にパターン露光した。
露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に現像銀パターンが形成された、金属銀を含む銀含有層をフィルム両面に有するロールサンプルＡを得た。
（露光マスク）
パターン露光のマスクには外形８００ｍｍ×９６０ｍｍ、有効露光幅５００ｍｍ×８００ｍｍのソーダガラスマスクを用い、マスク線幅が１．２μｍ、線間隔が４００μｍの格子パターンからなる８ｍｍ幅×２００ｍｍ長の帯状のメッシュパターンが、１．５ｍｍ間隔をおいて３２本描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン間には１．５ｍｍ幅×２００ｍｍ長の断線部を有するメッシュパターンが描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン同士が電気的に接続しないようにされており、約２００ｍｍ×約３００ｍｍの範囲に帯状のメッシュパターンが３２本収まるユニットを形成した。上述の有効露光幅の範囲の長手方向の端から５０ｍｍ離れた位置に１列目のユニットの端部を配置し、次のユニットとの間隔を１００ｍｍ設けて２列目のユニットを配置し、短手方向については、上述の有効露光幅の範囲の長手方向の端から３５ｍｍ離れた位置に１行目のユニットの端部を配置し、次のユニットとの間隔を３０ｍｍ設けて２行目のユニットを配置し、上述の有効露光幅範囲に２行２列（合計４個）のユニットを配置した。ユニット画像部以外は全て遮光部としたものを用いた。
上述のマスクと対として使用するマスク（ここでは対マスクと呼ぶ）は、上述のマスクと同様の外形と有効露光幅を有するソーダガラスマスクを用い、マスク線幅が１．２μｍ、線間隔が４００μｍの格子パターンからなる１２ｍｍ幅×３００ｍｍ長の帯状のメッシュパターンが、１．５ｍｍ間隔をおいて１４本描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン間には１．５ｍｍ幅×３００ｍｍ長の断線部を有するメッシュパターンが描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン同士が電気的に接続しないようにされており、約２００ｍｍ×約３００ｍｍの範囲に帯状のメッシュパターンが１４本収まるユニットを形成した。上述の有効露光幅内へのユニットの配置は、上述のマスクと同様にした。
上述のマスクと上述の対マスクを用いて、フィルム両面から同時に露光することで、ユニット位置のフィルム両面にメッシュ電極パターンが形成される。
パターン露光のマスクには外形８００ｍｍ×９６０ｍｍ、有効露光幅５００ｍｍ×８００ｍｍのソーダガラスマスクを用い、マスク線幅が１．２μｍ、線間隔が４００μｍの格子パターンからなる８ｍｍ幅×２００ｍｍ長の帯状のメッシュパターンが、１．５ｍｍ間隔をおいて３２本描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン間には１．５ｍｍ幅×２００ｍｍ長の断線部を有するメッシュパターンが描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン同士が電気的に接続しないようにされており、約２００ｍｍ×約３００ｍｍの範囲に帯状のメッシュパターンが３２本収まるユニットを形成した。上述の有効露光幅の範囲の長手方向の端から５０ｍｍ離れた位置に１列目のユニットの端部を配置し、次のユニットとの間隔を１００ｍｍ設けて２列目のユニットを配置し、短手方向については、上述の有効露光幅の範囲の長手方向の端から３５ｍｍ離れた位置に１行目のユニットの端部を配置し、次のユニットとの間隔を３０ｍｍ設けて２行目のユニットを配置し、上述の有効露光幅範囲に２行２列（合計４個）のユニットを配置した。ユニット画像部以外は全て遮光部としたものを用いた。
上述のマスクと対として使用するマスク（ここでは対マスクと呼ぶ）は、上述のマスクと同様の外形と有効露光幅を有するソーダガラスマスクを用い、マスク線幅が１．２μｍ、線間隔が４００μｍの格子パターンからなる１２ｍｍ幅×３００ｍｍ長の帯状のメッシュパターンが、１．５ｍｍ間隔をおいて１４本描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン間には１．５ｍｍ幅×３００ｍｍ長の断線部を有するメッシュパターンが描画され、隣り合う帯状のメッシュパターン同士が電気的に接続しないようにされており、約２００ｍｍ×約３００ｍｍの範囲に帯状のメッシュパターンが１４本収まるユニットを形成した。上述の有効露光幅内へのユニットの配置は、上述のマスクと同様にした。
上述のマスクと上述の対マスクを用いて、フィルム両面から同時に露光することで、ユニット位置のフィルム両面にメッシュ電極パターンが形成される。
（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
得られた上述のロールサンプルＡを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
（工程Ｃ１）
工程Ｂ１で得られたロールサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
次に、工程Ｃ１で得られたロールサンプルＡを、以下のハンドリング条件にて、ロールトゥロールのハンドリングを行い、そのハンドリング中にバインダー減少処理と無電解めっき処理を順次行った。
（ハンドリング条件）
・搬送速度：１０ｍ／ｍｉｎ
・浮上搬送：ＢＥＬＬＭＡＴＩＣ株式会社製 エアーターンバー、および液中ターンバーを使用して、各ターンバー表面からの支持体浮上量を１～２ｍｍの範囲で維持した。
（工程Ｃ１）
工程Ｂ１で得られたロールサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
次に、工程Ｃ１で得られたロールサンプルＡを、以下のハンドリング条件にて、ロールトゥロールのハンドリングを行い、そのハンドリング中にバインダー減少処理と無電解めっき処理を順次行った。
（ハンドリング条件）
・搬送速度：１０ｍ／ｍｉｎ
・浮上搬送：ＢＥＬＬＭＡＴＩＣ株式会社製 エアーターンバー、および液中ターンバーを使用して、各ターンバー表面からの支持体浮上量を１～２ｍｍの範囲で維持した。
（工程Ｄ１：バインダー減少処理）
工程Ｃ１で得られたロールサンプルＡを、タンパク質分解酵素槽（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼＡＬ－１５ＦＧ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％、液温：４０℃）に９０秒間通じた。次に、温水槽（液温：５０℃）に９０秒間通じ、洗浄した。次に、温水洗槽から出た、ロールサンプルＡの支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行い、自然乾燥させて、パターン前駆体を得た。
工程Ｃ１で得られたロールサンプルＡを、タンパク質分解酵素槽（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼＡＬ－１５ＦＧ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％、液温：４０℃）に９０秒間通じた。次に、温水槽（液温：５０℃）に９０秒間通じ、洗浄した。次に、温水洗槽から出た、ロールサンプルＡの支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行い、自然乾燥させて、パターン前駆体を得た。
（工程Ｅ１）
工程Ｄ１で、ロールサンプルＡに対してバインダー減少処理して得られたパターン前駆体を、上述の実施例１で用いためっき反応液Ａとめっき反応液Ｂをスプレー方式にて浮上搬送中の支持体表面に均一に吹きかけ塗布を行った（めっき反応液Ａ液：めっき反応液Ｂ液＝１：１、液温度：３０℃、塗布量：６０ｃｃ／ｍ２）。
実施例１０は接触時間を３０秒としたため、めっき反応液の塗布後、３０秒経過した後に、亜硫酸水素ナトリウムを逐次適量添加することでｐＨ８．０未満に調整した水溶液が貯留された水洗槽にパターン前駆体を１０秒間通じた。
水洗槽から出たパターン前駆体の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。上述のめっき反応液のスプレー塗布と水洗との処理を、接触時間を３０秒として、合計３回行った。
次いで、温水槽（液温：５０℃）に９０秒間通じ、パターン前駆体を洗浄した。次いで、水洗槽から出たパターン前駆体の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。
工程Ｄ１で、ロールサンプルＡに対してバインダー減少処理して得られたパターン前駆体を、上述の実施例１で用いためっき反応液Ａとめっき反応液Ｂをスプレー方式にて浮上搬送中の支持体表面に均一に吹きかけ塗布を行った（めっき反応液Ａ液：めっき反応液Ｂ液＝１：１、液温度：３０℃、塗布量：６０ｃｃ／ｍ２）。
実施例１０は接触時間を３０秒としたため、めっき反応液の塗布後、３０秒経過した後に、亜硫酸水素ナトリウムを逐次適量添加することでｐＨ８．０未満に調整した水溶液が貯留された水洗槽にパターン前駆体を１０秒間通じた。
水洗槽から出たパターン前駆体の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。上述のめっき反応液のスプレー塗布と水洗との処理を、接触時間を３０秒として、合計３回行った。
次いで、温水槽（液温：５０℃）に９０秒間通じ、パターン前駆体を洗浄した。次いで、水洗槽から出たパターン前駆体の支持体の表面に付着する水洗液をエアナイフで水切りを行った。
（工程Ｆ１；カレンダー処理）
工程Ｅ１で得られためっき処理後のパターン前駆体に対して、金属ローラと樹脂製のローラとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
（工程Ｇ１；過熱蒸気処理）
工程Ｆ１で得られためっき処理後のパターン前駆体に対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。これにより、図１に示すような導電性細線より形成されるメッシュパターンが得られた、長さ１０００ｍのロールサンプルＡを得た。実施例１０では、メッシュパターンの導電性細線の線幅が１．５μｍ、メッシュパターンの開口率が９９．１％、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２．３％であった。メッシュパターンの導電性細線部の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察を行うと、メッシュパターンの導電性細線部は図２に見られるような粒子状の形状の銀が凝集した形態であった。
工程Ｅ１で得られためっき処理後のパターン前駆体に対して、金属ローラと樹脂製のローラとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
（工程Ｇ１；過熱蒸気処理）
工程Ｆ１で得られためっき処理後のパターン前駆体に対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。これにより、図１に示すような導電性細線より形成されるメッシュパターンが得られた、長さ１０００ｍのロールサンプルＡを得た。実施例１０では、メッシュパターンの導電性細線の線幅が１．５μｍ、メッシュパターンの開口率が９９．１％、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２．３％であった。メッシュパターンの導電性細線部の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察を行うと、メッシュパターンの導電性細線部は図２に見られるような粒子状の形状の銀が凝集した形態であった。
＜実施例１１～１８＞
実施例１１は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１２は、接触時間を２５秒とした点、めっき処理回数を４回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１３は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１４は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１５は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１６は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１７は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１８は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１１は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１２は、接触時間を２５秒とした点、めっき処理回数を４回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１３は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１４は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１５は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１６は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１７は、露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
実施例１８は、接触時間を５５秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
＜比較例１～６＞
比較例１は、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例２は、接触時間を９０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例３は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例４は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例５は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例６は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例１は、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例２は、接触時間を９０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例３は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例４は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例５は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
比較例６は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１と同じとした。
＜比較例７～１２＞
比較例７は、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例８は、接触時間を９０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例９は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例１０は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例１１は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例１２は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例７は、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例８は、接触時間を９０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例９は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を１回とした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例１０は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を１．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例１１は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を２．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
比較例１２は、接触時間を６０秒とした点、めっき処理回数を２回とした点、および露光マスクの線幅開口の調整と露光量の調整とにより、線幅の調整を行い、線幅を３．０μｍとした点以外は、実施例１０と同じとした。
＜評価＞
以下、評価項目であるメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値、メッシュパターンの面抵抗値の平均およびメッシュパターンの面抵抗値の変動係数について説明する。なお、評価結果は下記表１および表２に示す。
以下、評価項目であるメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値、メッシュパターンの面抵抗値の平均およびメッシュパターンの面抵抗値の変動係数について説明する。なお、評価結果は下記表１および表２に示す。
（メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値）
１０００ｍのロール処理により得られた導電性基板に対し、ロールサンプル全長のうち、先頭、中央、後尾の範囲においてそれぞれの範囲から約２００ｍｍ×３００ｍｍサイズの任意のユニットを６個ずつ抜き出した。それぞれのユニットのメッシュパターン範囲を約５ｃｍ×５ｃｍのマスで４マス×６マスの領域に区切り（合計２４箇所）、各マスの中央位置でのメッシュパターンの全光線透過率、および、導電性細線の線幅を測定した。
メッシュパターンのピッチと導電性細線の線幅とから、パターン遮蔽率とパターン開口率（＝１００％－パターン遮蔽率）を算出した。測定したメッシュパターンの全光線透過率の測定値をパターン開口率の値で割ることにより、開口部の透過率を算出した。なお、パターン遮蔽率およびパターン開口率は、いずれも単位は％である。
上述の先頭、中央、後尾の範囲から抜き出した各６個のユニットの２４箇所のマスに対し、各マスの開口部の透過率を測定し、その平均値を算出した。この算出した平均値を、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値とした。メッシュパターン内の開口部の透過率としては９２％以上であると、タッチパネルに適用した場合、画像表示の輝度を損なうことがなく好ましい。
１０００ｍのロール処理により得られた導電性基板に対し、ロールサンプル全長のうち、先頭、中央、後尾の範囲においてそれぞれの範囲から約２００ｍｍ×３００ｍｍサイズの任意のユニットを６個ずつ抜き出した。それぞれのユニットのメッシュパターン範囲を約５ｃｍ×５ｃｍのマスで４マス×６マスの領域に区切り（合計２４箇所）、各マスの中央位置でのメッシュパターンの全光線透過率、および、導電性細線の線幅を測定した。
メッシュパターンのピッチと導電性細線の線幅とから、パターン遮蔽率とパターン開口率（＝１００％－パターン遮蔽率）を算出した。測定したメッシュパターンの全光線透過率の測定値をパターン開口率の値で割ることにより、開口部の透過率を算出した。なお、パターン遮蔽率およびパターン開口率は、いずれも単位は％である。
上述の先頭、中央、後尾の範囲から抜き出した各６個のユニットの２４箇所のマスに対し、各マスの開口部の透過率を測定し、その平均値を算出した。この算出した平均値を、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値とした。メッシュパターン内の開口部の透過率としては９２％以上であると、タッチパネルに適用した場合、画像表示の輝度を損なうことがなく好ましい。
（メッシュパターンの面抵抗値の平均およびメッシュパターンの面抵抗値の変動係数）
メッシュパターンの面抵抗値は、４探針法にて測定した。１５ｍｍ離れた位置に外側の２本のプローブをメッシュ線に当て定電流Ｉを流し、外側２本のプローブの直線上かつ内側で４つの探針が等間隔になる内側２点の位置での２点間の電位差の測定値Ｖを測定し、そのときのメッシュパターンの面抵抗値ρｓ（Ω／□）を下記式を用いて算出した。下記式においてｌｎ２は、２の自然対数である。
ρｓ＝（π／ｌｎ２）・（Ｖ／Ｉ）
上述の先頭、中央、後尾の範囲から抜き出した各６個のユニットに含まれる各帯状のメッシュパターンの面抵抗値を測定した。面抵抗値の測定結果から、面抵抗値の平均値と標準偏差を算出することができ、標準偏差を平均値で割ることにより、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数（単位は％）を算出した。
１０インチ以上のタッチパネルにおいて、十分なタッチセンサーの応答性を得るためには３０Ω／□以下の面抵抗値が必要である。また、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数を１０％未満とすることにより、各ユニットのタッチセンサーの応答性のばらつきを許容内に収めることができる。
メッシュパターンの面抵抗値は、４探針法にて測定した。１５ｍｍ離れた位置に外側の２本のプローブをメッシュ線に当て定電流Ｉを流し、外側２本のプローブの直線上かつ内側で４つの探針が等間隔になる内側２点の位置での２点間の電位差の測定値Ｖを測定し、そのときのメッシュパターンの面抵抗値ρｓ（Ω／□）を下記式を用いて算出した。下記式においてｌｎ２は、２の自然対数である。
ρｓ＝（π／ｌｎ２）・（Ｖ／Ｉ）
上述の先頭、中央、後尾の範囲から抜き出した各６個のユニットに含まれる各帯状のメッシュパターンの面抵抗値を測定した。面抵抗値の測定結果から、面抵抗値の平均値と標準偏差を算出することができ、標準偏差を平均値で割ることにより、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数（単位は％）を算出した。
１０インチ以上のタッチパネルにおいて、十分なタッチセンサーの応答性を得るためには３０Ω／□以下の面抵抗値が必要である。また、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数を１０％未満とすることにより、各ユニットのタッチセンサーの応答性のばらつきを許容内に収めることができる。
表１および表２の結果から、導電性細線の線幅が３μｍ以下のメッシュパターンにおいて、めっき反応液の接触時間が６０秒未満でかつ、めっき処理回数が２回以上であるとき、メッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２％以上であり、メッシュパターンの面抵抗値が３０Ω／□以下であり、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が１０％未満とすることができる。これにより、導電性基板を１０インチ以上のタッチパネルに適用でき、透明性、および視認性を表すモアレ性に優れタッチセンサーを得ることができた。
比較例１および比較例７は、めっき処理回数が１回であるため、めっきが不十分でありメッシュパターンの面抵抗値が３０Ω／□を超えた。
比較例２および比較例３は、めっき処理回数が１回であり、接触時間が６０秒以上であった。感光性レジスト層表面に析出しためっきにより、パターン部へのめっきを阻害する部分が生じてめっきのムラが発生し、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が１０％を超えた。
比較例４～比較例６は、接触時間が６０秒以上であり、感光性レジスト層表面に析出しためっきにより、パターン部へのめっきを阻害する部分が生じてめっきのムラが発生し、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が１０％を超えた。比較例２および比較例３と、比較例４～比較例６とから、パターン前駆体がレジスト感材の場合、接触時間が６０秒以上であるとメッシュパターンの面抵抗値の変動係数が大きくなった。
比較例２および比較例３は、めっき処理回数が１回であり、接触時間が６０秒以上であった。感光性レジスト層表面に析出しためっきにより、パターン部へのめっきを阻害する部分が生じてめっきのムラが発生し、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が１０％を超えた。
比較例４～比較例６は、接触時間が６０秒以上であり、感光性レジスト層表面に析出しためっきにより、パターン部へのめっきを阻害する部分が生じてめっきのムラが発生し、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が１０％を超えた。比較例２および比較例３と、比較例４～比較例６とから、パターン前駆体がレジスト感材の場合、接触時間が６０秒以上であるとメッシュパターンの面抵抗値の変動係数が大きくなった。
比較例８および比較例９は、めっき処理回数が１回であり、接触時間が６０秒以上であり、導電性細線以外にめっき析出が生じてメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２％未満であった。
比較例１０～比較例１２は、接触時間が６０秒以上であり、導電性細線以外にめっき析出が生じてメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２％未満であった。比較例８よび比較例９と、比較例１０～比較例１２とから、パターン前駆体がハロゲン化銀感材の場合、接触時間が６０秒以上であるとメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が低くなった。
実施例１～１８では、導電性細線の線幅が２μｍ以上であると面抵抗値が２０Ω／□未満であり、導電性細線の線幅が３μｍであると面抵抗値が１０Ω／□未満となり好ましい。また、実施例１～１８では、めっき処理回数が多い方が、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が小さくなり好ましい。
比較例１０～比較例１２は、接触時間が６０秒以上であり、導電性細線以外にめっき析出が生じてメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が９２％未満であった。比較例８よび比較例９と、比較例１０～比較例１２とから、パターン前駆体がハロゲン化銀感材の場合、接触時間が６０秒以上であるとメッシュパターン内の開口部の透過率の平均値が低くなった。
実施例１～１８では、導電性細線の線幅が２μｍ以上であると面抵抗値が２０Ω／□未満であり、導電性細線の線幅が３μｍであると面抵抗値が１０Ω／□未満となり好ましい。また、実施例１～１８では、めっき処理回数が多い方が、メッシュパターンの面抵抗値の変動係数が小さくなり好ましい。
１０ 導電性基板
１２ 支持体
１２ａ 表面
１２ｂ 裏面
１３ 導電性細線
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ メッシュパターン
１５ 開口部
１６ 高分子
１８ 金属
２０ タッチセンサー
２２ 第１検出電極
２４ 取出し配線部
２４ｂ 終端部
２５ 取出し線
２６ 第２検出電極
２７ 検出部
２８ 外部接続端子
２９ フレキシブル回路基板
３０ 導電性細線
３１ 開口部
４０ めっき処理装置
４２ 浮上搬送部
４３ａ 第１のターン部
４３ｂ 第２のターン部
４３ｃ 第３のターン部
４３ｄ 第４のターン部
４４ 非接触塗布部
４５ めっき処理部
４６ａ 第１のめっき停止部
４６ｂ 第２のめっき停止部
４６ｃ 第３のめっき停止部
４６ｄ 第４のめっき停止部
４７ 浮上搬送部
４８ 除去部
４９ めっき停止液
５０ 第１のノズル
５２ 第２のノズル
５３ 供給管
５４ ポンプ
５５、５６ タンク
６０ パターン形成領域
６１ パターン前駆体
６２ 間隙部
７０、７４ 検出電極パターン
７２、７６ 取出し配線部
７３、７７ 取出し線
Ｄｄ 搬送方向
Ｑ めっき反応液
Ｑａ 第１のめっき反応液
Ｑｂ 第２のめっき反応液
Ｔ 厚み
Ｗ 線幅
Ｗｄ 一辺の長さ
１２ 支持体
１２ａ 表面
１２ｂ 裏面
１３ 導電性細線
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ メッシュパターン
１５ 開口部
１６ 高分子
１８ 金属
２０ タッチセンサー
２２ 第１検出電極
２４ 取出し配線部
２４ｂ 終端部
２５ 取出し線
２６ 第２検出電極
２７ 検出部
２８ 外部接続端子
２９ フレキシブル回路基板
３０ 導電性細線
３１ 開口部
４０ めっき処理装置
４２ 浮上搬送部
４３ａ 第１のターン部
４３ｂ 第２のターン部
４３ｃ 第３のターン部
４３ｄ 第４のターン部
４４ 非接触塗布部
４５ めっき処理部
４６ａ 第１のめっき停止部
４６ｂ 第２のめっき停止部
４６ｃ 第３のめっき停止部
４６ｄ 第４のめっき停止部
４７ 浮上搬送部
４８ 除去部
４９ めっき停止液
５０ 第１のノズル
５２ 第２のノズル
５３ 供給管
５４ ポンプ
５５、５６ タンク
６０ パターン形成領域
６１ パターン前駆体
６２ 間隙部
７０、７４ 検出電極パターン
７２、７６ 取出し配線部
７３、７７ 取出し線
Ｄｄ 搬送方向
Ｑ めっき反応液
Ｑａ 第１のめっき反応液
Ｑｂ 第２のめっき反応液
Ｔ 厚み
Ｗ 線幅
Ｗｄ 一辺の長さ
Claims (4)
- 支持体上に、導電性細線で構成されたメッシュパターンを形成するためのパターン前駆体を形成する工程と、
前記パターン前駆体に対するめっき反応液の付与を複数回行い、めっき処理を施す工程とを有し、
前記めっき処理を施す工程では、前記パターン前駆体に対する前記めっき反応液の付与は、１回当たりの前記パターン前駆体と前記めっき反応液との接触時間が６０秒未満であり、
前記めっき処理を施す工程では、非接触塗布方式により前記めっき反応液を前記パターン前駆体に付与する、導電性基板の製造方法。 - 前記めっき処理を施す工程では、前記パターン前駆体が形成された前記支持体を浮上搬送して、前記めっき処理を施す、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記パターン前駆体を形成する工程は、前記支持体の表面の少なくとも一方の面に、ハロゲン化銀と、２種類以上のバインダーとを含む感光性のハロゲン化銀乳剤層を形成する工程と、
前記ハロゲン化銀乳剤層に、前記メッシュパターンを形成するパターン露光、および現像処理を施し、銀含有層を形成する工程と、
前記銀含有層に対して、前記２種類以上のバインダーのうち、少なくとも１種のバインダーを除去するバインダー減少処理を施す工程とを有し、
前記めっき処理を施す工程は、前記バインダー減少処理が施されて得られた前記パターン前駆体の前記銀含有層に対する前記めっき反応液の付与を複数回行う、請求項１または２に記載の導電性基板の製造方法。 - 前記支持体は、透明である、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP2019180949 | 2019-09-30 | ||
| JP2019180949 | 2019-09-30 | ||
| PCT/JP2020/031124 WO2021065226A1 (ja) | 2019-09-30 | 2020-08-18 | 導電性基板の製造方法および導電性基板 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021065226A1 JPWO2021065226A1 (ja) | 2021-04-08 |
| JP7352643B2 true JP7352643B2 (ja) | 2023-09-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007270353A (ja) | 2006-03-09 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | めっき処理方法、導電性膜およびその製造方法、並びに透光性電磁波シールド膜 |
| JP2019152898A (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル用導電性シート、タッチパネル用導電性シートの製造方法、及び、タッチパネル |
-
2020
- 2020-08-18 JP JP2021550408A patent/JP7352643B2/ja active Active
- 2020-08-18 CN CN202080061129.7A patent/CN114365588A/zh active Pending
- 2020-08-18 WO PCT/JP2020/031124 patent/WO2021065226A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007270353A (ja) | 2006-03-09 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | めっき処理方法、導電性膜およびその製造方法、並びに透光性電磁波シールド膜 |
| JP2019152898A (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル用導電性シート、タッチパネル用導電性シートの製造方法、及び、タッチパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2021065226A1 (ja) | 2021-04-08 |
| WO2021065226A1 (ja) | 2021-04-08 |
| CN114365588A (zh) | 2022-04-15 |
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