KR101672158B1

KR101672158B1 - 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조 방법

Info

Publication number: KR101672158B1
Application number: KR1020157033290A
Authority: KR
Inventors: 겐스케 가타기리; 신 다지리; 아키히코 하세
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2013-05-24
Filing date: 2014-05-14
Publication date: 2016-11-02
Also published as: JP6129769B2; US9820380B2; KR20150143857A; TW201445586A; WO2014188918A1; CN105247626A; TWI639166B; CN105247626B; US9820377B2; JP2015005495A; US20170171972A1; US20160081184A1

Abstract

본 발명은, 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조 방법에 관한 것이다. 투명 도전막은, 투명 기체 (12) 와, 그 투명 기체 (12) 상에 형성된 금속 배선부 (14) 를 갖는 투명 도전막 (10) 에 있어서, 금속 배선부 (14) 의 전극부 (18) 를 구성하는 금속 세선 (24) 이, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상이다. 또한, Ra 는 산술 평균 조도를 나타내고, 표면 조도 측정 지점의 금속 세선의 두께 이하로서, 단위가 ㎛ 이다. Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격으로서, 0.01 ㎛ 이상이다.

Description

투명 도전막 및 투명 도전막의 제조 방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}

본 발명은, 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조 방법에 관한 것이다.

금속은 높은 도전율을 갖기 때문에, 도전층 소재로서 사용하기에 바람직한 한편, 가시광을 강하게 반사하기 때문에, 전극 패턴이 보이는 것이 치명적이 되는 용도, 예를 들어 터치 패널 등에는 부적합하다. 그래서, 종래에서는, 이들의 용도로서 ITO (Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전성 산화물이 이용되어 왔다.

그러나, 금속은, 산화물에 비해 패터닝이 하기 쉽고, 굴곡성이 우수하고, 저항이 낮은 등의 이점이 있기 때문에, ITO 의 대체 소재로서의 검토가 계속되고 있다. 최근, 금속 배선이 시인 (視認) 된다는 문제가 금속 세선의 세선화나 패턴의 연구에 의해, 어느 정도 저감할 수 있는 것을 알아내고 있다.

금속 세선의 세선화의 선행 기술로서는, 일본 공표특허공보 2009-505358호 등에 기재된 금속 나노 와이어를 사용하는 투명 도전막이나, 사진감재의 기술을 응용하여, 은염 유제층을 갖는 감광 재료를 노광, 현상 처리함으로써 제작되는 투명 도전막 등을 들 수 있다. 그러나, 이들의 기술에서는, 금속 미립자간의 접점이 많은 것 등의 이유로, 금속 본래의 전기 저항보다 배선의 전기 저항이 높아져 버린다는 문제점이 있었다.

그 해결을 위해서, 종래부터, 캘린더 처리 (일본 공개특허공보 2009-004726호), 광 융착 (Journal of Electronic Materials, 2011, 40, 2268-2277, J. S. Kang, J. Ryu, H. S. Kim, H. T. Hahn, Sintering of Inkjet-Printed Silver Nanoparticles at Room Temperature Using Intense Pulsed Light) 등의 기술 개발이 활발히 이루어지고 있지만, 그것들의 방법에서는, 금속 반사가 강조되어, 도전막의 패턴이 시인된다는 문제점이 있었다.

도전막의 패턴을 잘 보이지 않게 하는 기술로서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2011-082211호에, 도전성 패턴층의 표면에 두께가 0.01 ∼ 0.5 ㎛ 인 흑화층을 적층함으로써, 도전성 패턴의 반사를 방지하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 일본 공개특허공보 2011-082211호에 관련된 기술에서는, 원리적으로 도전성의 저하를 피할 수 없다는 문제점이 있었다. 또한, 반사 방지막에 방현성을 부여하는 기술은 종래부터 알려져 있다 (일본 공개특허공보 2005-070435호 및 일본 공개특허공보 2004-004404호 참조).

이와 같이, 금속 세선은 금속 특유의 광 반사 때문에, 투명 도전막 등에 있어서 금속 세선을 시인하기 쉽고, 금속 세선에 의한 패턴이 보이기 쉽다. 금속 세선을 잘 보이지 않게 하기 위해서, 금속 세선의 세선화나 패턴의 연구가 실시되고 있지만, 전기 저항이 높아지는 경향이 있었다. 그래서, 저저항화를 위해서, 캘린더 처리 등으로 금속의 체적율을 높게 하면, 광 반사가 현저하게 증대하여, 시인성 (배선 패턴이 잘 보이지 않게 되는 것) 과 저저항화의 양립이 곤란했다.

본 발명은 이와 같은 과제를 고려하여 이루어진 것이며, 금속 세선의 표면 형상을 규정함으로써, 시인성과 저저항화의 양립을 실현할 수 있고, 터치 패널이나 표시 장치에 이용하여 바람직한 투명 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또, 본 발명의 다른 목적은, 캘린더의 누름면을 적절한 재질 및 표면 형태로 함으로써, 투명 도전막의 시인성의 향상과 전기 저항의 저감화를 양립할 수 있는 투명 도전막의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

또, 본 발명의 다른 목적은, 표시 화면에 설치해도, 배선 패턴이 잘 보이지 않고, 게다가, 전기 저항이 낮고, 나아가서는 배선의 밀착성이 좋기 때문에, 신뢰성이 높은 터치 패널을 제공하는 것에 있다.

또, 본 발명의 다른 목적은, 표시 화면에 투명 도전막이 설치된 표시 장치에 있어서, 투명 도전막의 배선 패턴이 잘 보이지 않고, 게다가, 전기 저항이 낮고, 나아가서는 배선의 밀착성이 좋기 때문에, 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은, 요철 표면을 갖는 면을 시료 표면에 꽉 누름으로써 방현성을 시료에 부여하는 방법 (일본 공개특허공보 2005-070435호 등 참조) 을, 은염 유제층을 갖는 감광 재료를 노광, 현상 처리함으로써 제작되는 투명 도전막에 적용하기 위하여, 검토를 개시했다.

여러 가지의 표면 형태의 면을 꽉 눌러 실험한 결과, 통상적으로 얻어지는 대부분의 캘린더 롤러에서는, 광 반사를 억제할 수 없거나, 광 반사를 억제할 수 있었다고 해도, 금속 세선이 단선되어 버린다는 문제를 일으키는 것이 분명해졌다. 본 발명자들이 한층 더 검토를 거듭한 결과, 광 반사의 억제와 금속 세선의 저저항화를 양립할 수 있는, 누름면의 재질 및 표면 형태를 발견하여, 본 발명에 이르렀다.

즉, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.

［1］제 1 본 발명에 관련된 투명 도전막은, 지지체와 그 지지체 상에 형성된 금속 배선부를 갖는 투명 도전막에 있어서, 금속 배선부의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 것을 특징으로 한다. 여기서, Ra 는 산술 평균 조도［㎛］로서, 표면 조도 측정 지점의 금속 세선의 두께 이하이다. Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격［㎛］으로서, 0.01 ㎛ 이상이다. 이하 동일하다.

일반적으로, 금속 배선부의 표면은 광택면으로 되어 있기 때문에, 가시광을 강하게 반사하여, 반사광 중, 정반사광의 비율 (정반사율) 이 높아진다. 그 결과, 금속 배선부의 적어도 일부를 구성하는 금속 세선이 시인되기 쉬워진다는 문제가 있다. 또, 금속 세선의 금속 체적율이 낮으면, 입사광이 금속 입자간에 진입하기 때문에, 정반사율이 저하되지만, 금속 입자의 접촉이 나쁘기 때문에 전기 저항이 높아진다는 문제가 있다. 그래서, 금속 세선의 전기 저항을 저감하기 위해서, 캘린더 처리 등으로 금속의 체적율을 높게 하면, 표면의 금속 입자가 조밀하게 배열하는 점에서, 정반사율이 현저하게 증대하고, 또한 금속 세선이 눈에 띈다는 문제가 생긴다. 요컨대, 시인성 (금속 세선이 눈에 띄지 않는다) 과 저저항화의 양립이 곤란하다.

그래서, 제 1 본 발명에 있어서는, 금속 배선부의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상으로 되어 있다. 이 경우, 산란광의 비율이 증가하고, 정반사율이 줄어들기 때문에, 금속 세선을 시인하기 어려워진다. 그 때문에, 금속 체적율을 35 ％ 이상으로 해도, 금속 배선부에서의 광 반사를 억제할 수 있다. 즉, 시인성 (금속 세선이 눈에 띄지 않는다) 과 저저항화의 양립을 실현시킬 수 있다.

본 발명에 있어서의 표면 형상 (표면 조도) 은, 높이 및 수평 방향의 공간 분해능이 0.03 ㎛ 보다 높은 측정기로 측정한 값을 채용한다. 구체적으로는, 대물렌즈 100 배 이상의 레이저 현미경을 사용한다. 또, 측정 범위는, 100 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하로 한다. 촉침식의 표면 조도계는, 공간 분해능이 낮아, 본 발명에서 규정하는 표면 조도의 측정을 실시할 수 없다.

［2］제 1 본 발명에 있어서, 금속 배선부의 적어도 일부의 Sm 이 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 정반사율을 1.2 ％ 이하로 억제할 수 있다.

［3］제 1 본 발명에 있어서, 금속 배선부의 적어도 일부의 표면의 정반사율과 금속 배선부의 이면의 정반사율의 차가 3 ％ 미만인 것이 바람직하다. 여기서, 이면이란, 금속 배선부를 배치한 면과는 반대의 면으로부터 지지체를 통해 관찰되는 그 금속 배선부의 면을 의미한다. 정반사율은 공기와 지지체의 계면에서 일어나는 반사율을 차감한 것으로 한다.

이것은, 1 개의 지지체의 표면과 이면에 각각 금속 배선부 (제 1 금속 배선부 및 제 2 금속 배선부) 를 형성했을 경우 등에 유효하다.

즉, 투명 도전막에 있어서의 제 1 금속 배선부의 표면의 정반사율과, 지지체를 통해 관찰되는 측의 제 2 금속 배선부의 이면의 정반사율의 차가 3 ％ 미만이다. 이 점에서, 제 1 금속 배선부를 구성하는 금속 세선이 시인하기 어려워짐과 동일하게, 제 2 금속 배선부를 구성하는 금속 세선도 시인하기 어려워진다. 그 결과, 1 개의 지지체의 표면과 이면에 각각 금속 배선부가 형성된 투명 도전막에 있어서도, 시인성이 향상되고, 제 1 금속 배선부 및 제 2 금속 배선부의 저저항화도 도모할 수 있다.

［4］제 2 본 발명에 관련된 투명 도전막의 제조 방법은, 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 공정과, 표면에 요철을 갖는 금속 부재를, 금속 배선부의 적어도 일부에 누르는 캘린더 공정을 가지며, 금속 부재의 상기 표면의 형상은, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 큰 것을 특징으로 한다.

이로써, 금속 배선부의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 투명 도전막을 용이하게 제작할 수 있다.

［5］제 3 본 발명에 관련된 투명 도전막의 제조 방법은, 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 공정과, 표면에 요철을 갖는 금속 부재를, 금속 배선부의 적어도 일부에 누르는 캘린더 공정을 가지며, 금속 부재의 표면의 형상은, Sm 이 금속 배선부의 적어도 일부를 구성하는 금속 세선의 선폭 이하이고, Ra 가 금속 세선의 캘린더 공정 전의 두께의 1/6 이하이며, 또한, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 큰 것을 특징으로 한다.

이로써, 금속 배선부의 적어도 일부의 Sm 이 4 ㎛ 이하로, 금속 배선부의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 투명 도전막을 용이하게 제작할 수 있다.

［6］제 4 본 발명에 관련된 투명 도전막의 제조 방법은, 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 공정과, 표면에 요철을 갖는 수지 필름을, 상기 금속 배선부의 적어도 일부에 공(共)반송에 의해 누르는 캘린더 공정을 가지며, 상기 수지 필름의 상기 표면의 형상은, Ra 가 0.15 ㎛ 보다 큰 것을 특징으로 한다.

［7］이 경우, 상기 수지 필름의 상기 표면의 형상은, 추가로, Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 보다 큰 것이 바람직하다. 이로써, 금속 배선부의 적어도 일부의 Sm 이 4 ㎛ 이하로, 금속 배선부의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 투명 도전막을 용이하게 제작할 수 있다.

［8］제 5 본 발명에 관련된 투명 도전막의 제조 방법은, 표면에 요철을 갖는 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 공정을 가지며, 지지체의 표면의 형상은, Ra 가 0.15 ㎛ 보다 크고, 또한, Ra²/Sm 이 0.02 ㎛ 보다 큰 것을 특징으로 한다.

이로써, 지지체의 표면 상에, 금속 배선부를 형성함으로써, 지지체의 표면의 요철 형상이 금속 배선부의 표면에 전사된 형태가 된다. 요컨대, 표면에 요철을 갖는 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 방법으로도, 금속 배선부의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상의 특성을 실현할 수 있다. 그 결과, 평활면에 금속막을 형성하는 경우보다 시인성이 우수한 투명 도전막을 얻을 수 있다.

［9］이 경우, 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 공정은, 금속을 지지체의 표면 상에 증착하는 공정을 포함해도 된다. 이로써, 금속 배선부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 투명 도전막을 얻을 수 있다.

［10］혹은, 지지체 상에 금속 배선부를 형성하는 공정은, 금속을 지지체의 표면 상에 도금 처리하는 공정을 포함해도 된다. 이 경우도, 금속 배선부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 투명 도전막을 얻을 수 있다.

［11］제 2 ∼ 제 5 발명에 있어서, 금속 배선부는, 적어도 일부에, 금속 세선에 의한 메시 패턴을 가져도 된다.

［12］제 6 본 발명에 관련된 투명 도전막은, 상기 서술한 제 2 ∼ 제 5 발명에 관련된 투명 도전막의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 한다.

［13］제 1 또는 제 6 본 발명에 있어서, 금속 배선부의 적어도 일부는, 금속 세선에 의한 메시 패턴을 가져도 된다.

［14］제 1 또는 제 6 본 발명에 있어서, 지지체 상에 은염 유제층을 갖는 감광 재료를 노광 처리하는 노광 공정과, 노광 후의 은염 유제층을 현상 처리하여, 지지체 상에 금속 은부에 의한 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 투명 도전막의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 한다.

［15］제 7 본 발명에 관련된 터치 패널은, 제 1 또는 제 6 본 발명에 관련된 투명 도전막을 구비한 것을 특징으로 한다.

이로써, 표시 화면에 설치해도, 배선 패턴이 잘 보이지 않고, 게다가, 전기 저항이 낮고, 나아가서는 배선의 밀착성이 좋기 때문에, 신뢰성이 높은 터치 패널을 얻을 수 있다.

［16］제 8 본 발명에 관련된 표시 장치는, 제 1 또는 제 6 본 발명에 관련된 투명 도전막을 구비한 것을 특징으로 한다.

이로써, 표시 화면에 투명 도전막이 설치된 표시 장치에 있어서, 투명 도전막의 배선 패턴이 잘 보이지 않고, 게다가, 전기 저항이 낮고, 나아가서는 배선의 밀착성이 좋기 때문에, 신뢰성이 높은 표시 장치를 얻을 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관련된 투명 도전막에 의하면, 금속 세선의 표면 형상을 규정함으로써, 시인성과 저저항화의 양립을 실현할 수 있고, 터치 패널이나 표시 장치에 이용하여 바람직하게 된다.

또, 본 발명에 관련된 투명 도전막의 제조 방법에 의하면, 캘린더의 누름면을 적절한 재질 및 표면 형태로 함으로써, 투명 도전막의 시인성의 향상과 전기 저항의 저감화를 양립할 수 있다.

또, 본 발명에 관련된 터치 패널에 의하면, 표시 화면에 설치해도, 배선 패턴이 잘 보이지 않고, 게다가, 전기 저항이 낮고, 나아가서는 배선의 밀착성이 좋기 때문에, 신뢰성이 높은 것이 된다.

또, 본 발명에 관련된 표시 장치에 의하면, 표시 화면에 투명 도전막이 설치된 표시 장치에 있어서, 투명 도전막의 배선 패턴이 잘 보이지 않고, 게다가, 전기 저항이 낮고, 나아가서는 배선의 밀착성이 좋기 때문에, 신뢰성이 높은 것이 된다.

상기의 목적, 특징 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 설명되는 이하의 실시형태의 설명으로부터 용이하게 양해 (諒解) 될 것이다.

도 1A 는 표시 장치의 표시 패널 위에 설치된 본 실시형태에 관련된 투명 도전막을 일부 생략하여 나타내는 단면도이며, 도 1B 는 투명 도전막을 일부 생략하여 나타내는 평면도이다.
도 2A 는 표면이 광택면으로 된 통상적인 금속 세선의 작용 (정반사율이 높다) 을 나타내는 설명도이며, 도 2B 는 표면이 요철면으로 된 본 실시형태에 관련된 금속 세선의 작용 (정반사율이 낮다) 을 나타내는 설명도이다.
도 3A 는 금속 체적율이 낮은 통상적인 금속 세선의 작용 (정반사율이 낮다) 을 나타내는 설명도이며, 도 3B 는 금속 체적율이 높은 통상적인 금속 세선의 작용 (정반사 효율이 높다) 을 나타내는 설명도이다.
도 4 는 전극부의 Ra²/Sm 에 대한 정반사율의 변화를 플롯하여 나타내는 그래프이다.
도 5A 는 1 개의 투명 기체의 표면과 이면에 각각 금속 배선부 (제 1 금속 배선부 및 제 2 금속 배선부) 를 형성한 구성을 일부 생략하여 나타내는 단면도이며, 도 5B 는 2 개의 투명 도전막 (제 1 투명 도전막 및 제 2 투명 도전막) 을 적층시킨 구성을 일부 생략하여 나타내는 단면도이다.
도 6A 는 캘린더 처리의 제 1 방법을 나타내는 설명도이며, 도 6B 는 캘린더 처리의 제 2 방법을 나타내는 설명도이다.
도 7 은, 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선의 선폭 이하의 경우, 그리고 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선의 선폭보다 큰 경우에 있어서, 금속 롤러의 누름면의 Ra²/Sm 에 대한 정반사율의 변화를 플롯하여 나타내는 그래프이다.
도 8A 및 도 8B 는 금속판 또는 금속 롤러의 Sm 과 금속 세선의 선폭의 관계를 나타내는 설명도이며, 도 8C 및 도 8D 는 금속판 또는 금속 롤러의 Ra 와 금속 세선의 두께의 관계를 나타내는 설명도이다.
도 9 는, 수지 필름의 누름면의 Ra²/Sm 에 대한 정반사율의 변화를 플롯하여 나타내는 그래프이다.
도 10A 는 메시 시료에 형성되는 메시 패턴 전극을 나타내는 평면도이며, 도 10B 는 메시 패턴 전극을 구성하는 정방 격자의 사이즈를 나타내는 평면도이다.
도 11 은, 가로축에 금속판의 누름면의 Ra, 세로축에 누름면의 Sm 을 취하고, 실시예 1 ∼ 3 과 비교예 3 ∼ 6, 13, 14, 비교예 7 ∼ 11 의 결과를 플롯하여 나타내는 그래프이다.

이하, 본 발명에 관련된 투명 도전막 및 그 제조 방법, 그리고 터치 패널 및 표시 장치의 실시형태예를 도 1A ∼ 도 11 을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 「 ∼ 」 는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 의미로서 사용된다.

본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 은, 도 1A 에 나타내는 바와 같이, 투명 기체 (12) (지지체) 와, 그 투명 기체 (12) 의 표면 (12a) 상에 형성된 금속 배선부 (14) 를 가지며, 예를 들어 표시 장치 (16) 의 표시 패널 (16a) 상에 첩착 (貼着) 된다. 즉, 이 투명 도전막 (10) 은, 예를 들어 표시 장치 (16) 의 전자파 실드 필름이나, 터치 패널용의 투명 도전막으로서 이용된다. 표시 장치 (16) 로서는 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL (일렉트로 루미네선스), 무기 EL 등을 들 수 있다. 투명 도전막 (10) 은, 표시 장치 (16) 내부에 적용하여, 표시 장치 (16) 와 일체로서 사용하는 것도 가능하다.

금속 배선부 (14) 는, 예를 들어 전자파 실드 필름이나 터치 패널의 전극을 구성하는 전극부 (18) 와, 전극부 (18) 에 대해 구동 신호를 공급하거나, 전극부 (18) 로부터의 신호를 전달하는 다수의 금속 배선 (20) 에 의한 배선부 (22) 를 갖는다. 전극부 (18) 는, 예를 들어 도 1B 에 나타내는 바와 같이, 금속 세선 (24) 에 의한 다수의 격자 (26) 가 배열된 메시 패턴 (28) 을 갖는다. 금속 배선 (20) 및 금속 세선 (24) 은, 예를 들어 금 (Au), 은 (Ag) 또는 구리 (Cu) 를 주성분으로 하는 금속으로 구성되어 있다.

금속 배선 (20) 의 선폭 (Wa) 과 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 은, Wa ≥ Wb 의 관계를 가지며, 금속 배선 (20) 의 두께 ta 와 금속 세선 (24) 의 두께 tb 는, ta ≥ tb 의 관계를 갖는다. 특히, 전극부 (18) 를 구성하는 금속 세선 (24) 에 의한 격자 (26) 의 한 변의 길이 La 는, 100 ∼ 400 ㎛ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 150 ∼ 300 ㎛ 이며, 가장 바람직하게는 210 ∼ 250 ㎛ 이하이다. 격자 (26) 의 한 변의 길이 La 가 상기 범위인 경우에는, 한층 더 투명성도 양호하게 유지하는 것이 가능하고, 표시 장치 (16) 의 표시 패널 (16a) 상에 설치시켰을 때에, 위화감 없이 표시를 시인할 수 있다. 격자 (26) 의 형상으로서는, 정방형, 장방형, 평행 사변형, 마름모꼴 외에, 육각형, 팔각형 등의 다각형을 들 수 있다.

또, 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 은, 30 ㎛ 이하에서 선택 가능하다. 투명 도전막 (10) 을 전자파 실드 필름으로서 사용하는 경우에는, 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 은 1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 2 ㎛ 이상 7 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 투명 도전막 (10) 을 터치 패널용의 투명 도전막으로서 사용하는 경우에는, 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 은 0.1 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 2 ㎛ 이상 7 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 은, 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널이나, 표면형 정전 용량 방식의 터치 패널, 저항막식의 터치 패널에도 적용할 수 있다. 또, 표시 장치 (16) 의 표시 패널 (16a) 에 설치되는 광학 필름으로서도 이용할 수 있다.

그리고, 본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 은, 금속 배선부 (14) 중, 적어도 전극부 (18) 가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상이다. 여기서, Ra 는 산술 평균 조도［㎛］로서, 표면 조도 측정 지점의 금속 세선의 두께 이하이다. Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격［㎛］으로서, 0.01 ㎛ 이상이다. 또, 금속 체적율은, 단위 면적당 금속량 M［g/㎡］과 금속의 비중 d［g/㎥］, 단면 SEM 화상에서 측정하는 평균 막두께 H［m］를 이용하여 계산한다. 즉, 금속 체적율 = (금속 세선 (24) 중에 금속이 차지하는 체적)/(바인더 및/또는 공극을 포함하여 측정되는 금속 세선 (24) 의 체적) = M/(H × d) × 100［％］이다. 여기서, 금속 세선 (24) 이란, 하도층 및 상도층을 포함하지 않고, 연속적으로 금속이 접속된 층을 가리킨다. 평균 두께 H 는 적어도 합계 1 mm 이상의 범위를 단면 형태 관찰하여, 측정한 평균치를 사용한다. 금속 체적율이 높을수록, 체적 저항이 낮아지기 때문에 바람직하다. 그러나, 금속 체적율이 너무 높으면, 표면 형상을 최적화해도 금속 반사를 완전히 억제할 수 없게 되는 경우가 있다. 그 때문에, 금속 체적율은, 35 ％ 이상이 바람직하고, 50 ％ 이상이 보다 바람직하고, 50 ％ 이상 80 ％ 이하가 더욱 바람직하고, 55 ％ 이상 65 ％ 이하가 특히 바람직하다. 또한, 금속 세선은 두께 방향으로 금속 체적율이 변화하고 있어도 되고, 표면 근방의 금속 체적율이 중심부의 금속 체적율보다 낮은 것이 바람직하다.

일반적으로, 금속 세선 (24) 의 표면은 광택면으로 되어 있기 때문에, 도 2A 에 나타내는 바와 같이, 가시광을 강하게 반사하여, 반사광 중, 정반사광의 비율 (정반사율) 이 높아진다. 그 결과, 금속 세선 (24) 이 시인되기 쉬워진다는 문제가 있다. 또, 금속 세선 (24) 의 금속 체적율이 낮으면, 도 3A 에 나타내는 바와 같이, 입사광이 금속 입자간에 진입하기 때문에, 정반사율이 저하되지만, 금속 입자의 접촉이 나쁘기 때문에 전기 저항이 높아지는 것이나, 배선의 밀착성이 나빠진다는 문제가 있다. 그래서, 전극부 (18) 의 전기 저항을 저감하기 위해서, 캘린더 처리 등으로 금속의 체적율을 높게 하는 것이 생각된다. 그러나, 도 3B 에 나타내는 바와 같이, 표면의 금속 입자가 조밀하게 배열되는 점에서, 정반사율이 현저하게 증대하고, 또한, 금속 세선 (24) 이 눈에 띈다는 문제가 생긴다. 요컨대, 시인성 (금속 세선 (24) 이 눈에 띄지 않는다) 과 저저항화의 양립이 곤란하다.

한편, 본 실시형태와 같이, 전극부 (18) 가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상으로 되어 있으면, 도 2B 에 나타내는 바와 같이, 산란광의 비율이 증가하고, 정반사율이 줄어들기 때문에, 금속 세선 (24) 을 시인하기 어려워진다. 그 때문에, 금속 체적율을 35 ％ 이상으로 해도, 전극부 (18) 에서의 광 반사를 억제할 수 있다. 즉, 시인성 (금속 세선 (24) 이 눈에 띄지 않는다) 과 저저항화의 양립을 실현시킬 수 있다.

또, 본 실시형태에 있어서, 적어도 전극부 (18) 의 Sm 이 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도 4 는, 전극부 (18) 의 Ra²/Sm 에 대한 정반사율의 변화를 플롯한 것이다. 전극부 (18) 가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상으로서, 또한, Sm 이 4 ㎛ 이하의 경우, 정반사율을 1.2 ％ 이하로 억제할 수 있다.

또, 본 실시형태에 있어서, 전극부 (18) 의 표면의 정반사율과 전극부 (18) 의 이면의 정반사율의 차가 3 ％ 미만인 것이 바람직하고, 1 ％ 미만이 보다 바람직하고, 0.5 ％ 미만이 더욱 바람직하다. 여기서, 이면이란, 전극부 (18) 를 배치한 면과는 반대면으로부터 투명 기체 (12) 를 통해 관찰되는 그 전극부 (18) 의 면을 의미한다. 정반사율은 공기와 투명 기체 (12) 의 계면에서 일어나는 반사율을 차감한 것으로 한다.

이것은, 예를 들어 도 5A 에 나타내는 바와 같이, 1 개의 투명 기체 (12) 의 표면과 이면에 각각 금속 배선부 (제 1 금속 배선부 (14A) 및 제 2 금속 배선부 (14B)) 를 형성한 경우 등에 유효하다.

즉, 투명 도전막 (10) 에 있어서의 제 1 전극부 (18A) 의 표면의 정반사율과, 투명 기체 (12) 를 통해 관찰되는 측의 제 2 전극부 (18B) 의 이면의 정반사율의 차가 3 ％ 미만이다. 이 점에서, 제 1 전극부 (18A) 를 구성하는 금속 세선 (24) 이 시인하기 어려워짐과 동일하게, 제 2 전극부 (18B) 를 구성하는 금속 세선 (24) 도 시인하기 어려워진다. 그 결과, 1 개의 투명 기체 (12) 의 표면과 이면에 각각 금속 배선부를 형성한 투명 도전막에 있어서도, 시인성이 향상되고, 제 1 전극부 (18A) 및 제 2 전극부 (18B) 의 저저항화도 도모할 수 있다.

또한, 도 5B 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 투명 도전막 (제 1 투명 도전막 (10A) 및 제 2 투명 도전막 (10B)) 을 적층시킨 구성도 생각된다. 이 경우, 제 1 투명 도전막 (10A) 에 있어서의 제 1 전극부 (18A) 의 표면의 정반사율과, 제 2 투명 도전막 (10B) 에 있어서의 제 2 전극부 (18B) 의 표면의 정반사율이 모두 억제되는 점에서, 바람직하게 채용할 수 있는 구성이다. 즉, 제 1 투명 도전막 (10A) 및 제 2 투명 도전막 (10B) 이 적층된 투명 도전막에 있어서도, 시인성이 향상되고, 제 1 전극부 (18A) 및 제 2 전극부 (18B) 의 저저항화도 도모할 수 있다.

다음으로, 대표적으로, 도 1A 및 도 1B 에 나타내는 투명 도전막 (10) 의 제조 방법에 대해 간단하게 설명한다.

투명 도전막 (10) 을 제조하는 방법으로서는, 예를 들어 투명 기체 (12) 에 감광성 할로겐화 은염을 함유하는 유제층을 갖는 감광 재료를 노광하고, 현상 처리를 실시함으로써, 노광부 및 미노광부에 각각 금속 은부 및 광 투과성부를 형성하여 금속 배선부 (14) 를 형성하도록 해도 된다. 또한, 추가로 금속 은부에 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시함으로써 금속 은부에 도전성 금속을 담지시키도록 해도 된다. 금속 은부에 도전성 금속을 담지시킨 층 전체를 도전성 금속부라고 기재한다.

혹은, 투명 기체 (12) 상에 도금 전처리재를 이용하여 감광성 피도금층을 형성하고, 그 후, 노광, 현상 처리한 후에 도금 처리를 실시함으로써, 노광부 및 미노광부에 각각 금속부 및 광 투과성부를 형성하여 금속 배선부 (14) 를 형성하도록 해도 된다. 또한, 추가로 금속부에 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시함으로써 금속부에 도전성 금속을 담지시키도록 해도 된다.

도금 전처리재를 사용하는 방법의 더욱 바람직한 형태로서는, 다음의 2 가지의 형태를 들 수 있다. 또한, 하기의 보다 구체적인 내용은, 일본 공개특허공보 2003-213437호, 일본 공개특허공보 2006-64923호, 일본 공개특허공보 2006-58797호, 일본 공개특허공보 2006-135271호 등에 개시되어 있다.

(a) 투명 기체 (12) 상에, 도금 촉매 또는 그 전구체와 상호 작용하는 관능기를 포함하는 피도금층을 도포하고, 그 후, 노광·현상한 후에 도금 처리하여 금속부를 피도금 재료 위에 형성시키는 양태.

(b) 투명 기체 (12) 상에, 폴리머 및 금속 산화물을 포함하는 하지층과, 도금 촉매 또는 그 전구체와 상호 작용하는 관능기를 포함하는 피도금층을 이 순서로 적층하고, 그 후, 노광·현상한 후에 도금 처리하여 금속부를 피도금 재료 위에 형성시키는 양태.

그 밖의 방법으로서는, 투명 기체 (12) 상에 형성된 동박 위의 포토레지스트막을 노광, 현상 처리하여 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴으로부터 노출되는 동박을 에칭함으로써, 금속 배선부 (14) 를 형성하도록 해도 된다.

혹은, 투명 기체 (12) 상에 금속 미립자를 포함하는 페이스트를 인쇄하고, 금속 배선부 (14) 를 형성하도록 해도 된다.

혹은, 투명 기체 (12) 상에 금속막을 증착한 후, 금속막 위에 포토레지스트막을 형성하고, 그 후, 포토레지스트막을 노광, 현상 처리하여 마스크 패턴을 형성하고, 마스크 패턴으로부터 노출되는 금속막을 에칭함으로써, 금속 배선부 (14) 를 형성하도록 해도 된다.

혹은, 투명 기체 (12) 상에, 금속 배선부 (14) 를 스크린 인쇄판 또는 그라비아 인쇄판에 의해 인쇄 형성하도록 해도 된다.

혹은, 투명 기체 (12) 상에, 금속 배선부 (14) 를 잉크젯에 의해 형성하도록 해도 된다.

다음으로, 본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 에 있어서, 할로겐화 은 사진 감광 재료를 사용하는 방법을 중심으로 하여 기술한다.

할로겐화 은 사진 감광 재료를 사용하는 투명 도전막 (10) 의 제조 방법은, 감광 재료와 현상 처리의 형태에 의해, 다음의 3 가지의 형태가 포함된다.

(1) 물리 현상핵을 포함하지 않는 감광성 할로겐화 은 흑백 감광 재료를 화학 현상 또는 열 현상하여 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.

(2) 물리 현상핵을 할로겐화 은 유제층 중에 포함하는 감광성 할로겐화 은 흑백 감광 재료를 용해 물리 현상하여 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.

(3) 물리 현상핵을 포함하지 않는 감광성 할로겐화 은 흑백 감광 재료와, 물리 현상핵을 포함하는 비감광성층을 갖는 수상 (受像) 시트를 중첩하여 확산 전사 현상하여 금속 은부를 비감광성 수상 시트 상에 형성시키는 양태.

상기 (1) 의 양태는, 일체형 흑백 현상 타입이며, 감광 재료 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전성막이 형성된다. 얻어지는 현상 은은 화학 현상 은 또는 열 현상 은이며, 고비표면의 필라멘트인 점에서 후속하는 도금 또는 물리 현상 과정에서 활성이 높다.

상기 (2) 의 양태는, 노광부에서는, 물리 현상핵 근연 (近緣) 의 할로겐화 은 입자가 용해되어 현상핵 상에 침적함으로써 감광 재료 상에 광 투과성 도전성막 등의 투광성 도전성막이 형성된다. 이것도 일체형 흑백 현상 타입이다. 현상 작용이, 물리 현상핵 상에의 석출이므로 고활성이지만, 현상 은은 비표면이 작은 구형이다.

상기 (3) 의 양태는, 미노광부에 있어서 할로겐화 은 입자가 용해되어 확산되어 수상 시트 상의 현상핵 상에 침적함으로써 수상 시트 상에 광 투과성 도전성막 등의 투광성 도전성막이 형성된다. 이른바 세퍼레이트 타입으로서, 수상 시트를 감광 재료로부터 박리하여 사용하는 양태이다.

어느 양태도 네거티브형 현상 처리 및 반전 현상 처리 중 어느 현상을 선택할 수도 있다 (확산 전사 방식의 경우에는, 감광 재료로서 오토 포지티브형 감광 재료를 사용함으로써 네거티브형 현상 처리가 가능해진다).

여기서 말하는 화학 현상, 열 현상, 용해 물리 현상, 확산 전사 현상은, 당업계에서 통상적으로 이용되고 있는 용어 대로의 의미이며, 사진 화학의 일반 교과서, 예를 들어 키쿠치 신이치 저술 「사진 화학」 (쿄리츠 출판사, 1955 년 간행), C. E. K. Mees 편 「The Theory of Photographic Processes, 4th ed.」 (Mcmillan 사, 1977 년 간행) 에 해설되어 있다. 본건은 액 처리에 관련된 발명이지만, 그 밖의 현상 방식으로서 열 현상 방식을 적용하는 기술도 참고로 할 수 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-184693호, 동(同)2004-334077호, 동2005-010752호의 각 공보, 일본 특허출원 2004-244080호, 동2004-085655호의 각 명세서에 기재된 기술을 적용할 수 있다.

여기서, 본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 의 각 층의 구성에 대해, 이하에 상세하게 설명한다.

＜지지체 (투명 기체 (12))＞

지지체는, 후술하는 도전부를 지지할 수 있으면 그 종류는 제한되지 않고, 투명 지지체인 것이 바람직하고, 특히 플라스틱 필름이 바람직하다. 투명 지지체를 사용함으로써 본 발명의 투명 도전막은 투명 도전 시트로서 바람직하게 사용할 수 있다.

지지체를 구성하는 재료의 구체예로서는, PET (258 ℃), 폴리시클로올레핀 (134 ℃), 폴리카보네이트 (250 ℃), 아크릴 필름 (128 ℃), PEN (269 ℃), PE (135 ℃), PP (163 ℃), 폴리스티렌 (230 ℃), 폴리염화비닐 (180 ℃), 폴리염화비닐리덴 (212 ℃) 이나 TAC (290 ℃) 등의 융점이 약 290 ℃ 이하인 플라스틱 필름이 바람직하고, 특히, PET, 폴리시클로올레핀, 폴리카보네이트가 바람직하다. ( ) 내의 수치는 융점이다. 지지체의 가시광 투과율 (JISR3106 ： 1998) 은, 85 ％ ∼ 100 ％ 인 것이 바람직하다.

지지체의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 터치 패널이나 전자파 실드 등의 용도에 대한 응용의 점에서는, 통상적으로, 25 ∼ 500 ㎛ 의 범위에서 임의로 선택할 수 있다. 또한, 지지체의 기능 외에 터치면의 기능도 겸하는 경우에는, 500 ㎛ 를 초과한 두께로 설계하는 것도 가능하다.

지지체의 바람직한 양태의 하나로서는, 대기압 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 및 자외선 조사 처리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 처리가 실시된 처리 완료 지지체를 들 수 있다. 상기 처리가 실시됨으로써, 처리 완료 지지체 표면에는 OH 기 등의 친수성 기가 도입되고, 후술하는 도전부의 밀착성이 보다 향상된다. 상기 처리 중에서도, 도전부의 밀착성이 보다 향상되는 점에서, 대기압 플라즈마 처리가 바람직하다.

(바인더부)

바인더부는, 적어도 금속 세선 (24) 간에 형성되는 층이다. 또한, 보다 바람직한 양태로서는, 금속 세선 (24) 이 있는 지지체 표면 상이, 금속 세선 (24) 및 바인더부로 덮여 있는 것이 바람직하다. 바인더부에는, 젤라틴과는 상이한 고분자를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 젤라틴과는 상이한 고분자의 정의는, 후술과 같다.

바인더부에는, 젤라틴이 실질적으로 포함되지 않는 것이 바람직하다. 젤라틴이 실질적으로 포함되지 않는다란, 바인더부 중에 있어서의 젤라틴의 함유량이 0.002 mg/c㎡ 미만인 것을 의도하고, 이온 마이그레이션이 보다 억제되는 점에서, 0.001 mg/c㎡ 이하인 것이 바람직하고, 0.0005 mg/c㎡ 이하인 것이 보다 바람직하다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 0 mg/c㎡ 인 것이 바람직하다. 또한, 바인더부 중의 젤라틴 양은, 바인더부 표면에 대한 수직 방향으로부터 투영했을 때의 투영 평면도의 단위 면적 (㎡) 당 포함되는 젤라틴의 양을 나타낸다.

바인더부의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 도전성 세선부의 두께보다 얇은 경우가 많다. 또한, 바인더부에는, 젤라틴과는 상이한 고분자 이외의 성분이 포함되어 있어도 된다.

젤라틴과는 상이한 고분자 (이후, 간단히 고분자라고도 칭한다) 로서는, 단백질을 포함하지 않는 고분자인 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 단백질 분해 효소에 의해 분해되지 않는 고분자인 것이 바람직하다.

보다 구체적으로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 비닐계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리디엔계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 중합체 및 키토산계 중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 수지, 또는, 이들의 수지를 구성하는 단량체로 이루어지는 공중합체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 및, 폴리에스테르계 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 수지, 또는, 이들의 수지를 구성하는 단량체로 이루어지는 공중합체 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 고분자의 바람직한 양태로서는, 수분의 침입을 보다 방지할 수 있는 점에서, 이하의 일반식 (1) 로 나타내는 폴리머 (공중합체) 를 들 수 있다.

일반식 (1) ：

-(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-

또한, 일반식 (1) 중, 일반식 (A), (B), (C), 및 (D) 는 각각, 하기 반복 단위를 나타낸다.

[화학식 1]

R¹은, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 바람직하게는 메틸기, 염소 원자, 브롬 원자를 나타낸다. p 는 0 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 보다 바람직하다.

R²는, 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, 메틸기가 바람직하다. R³은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자를 나타낸다. L 은, 2 가의 연결기를 나타내고, 바람직하게는 하기 일반식 (2) 로 나타내는 기이다.

일반식 (2) ：

-(CO-X¹)r-X²-

식 중 X¹은, 산소 원자 또는 -NR³⁰- 을 나타낸다. 여기서 R³⁰은, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 아실기를 나타내고, 각각 치환기 (예를 들어, 할로겐 원자, 니트로기, 하이드록실기 등) 를 가져도 된다. R³⁰은, 바람직하게는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 (예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-부틸기, n-옥틸기 등), 아실기 (예를 들어, 아세틸기, 벤조일기 등) 이다. X¹로서 특히 바람직한 것은, 산소 원자 또는 -NH- 이다.

X²는, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬렌아릴렌기, 아릴렌알킬렌기, 또는 알킬렌아릴렌알킬렌기를 나타내고, 이들의 기에는 -O-, -S-, -OCO-, -CO-, -COO-, -NH-, -SO₂-, -N(R³¹)-, -N(R³¹)SO₂- 등이 도중에 삽입되어도 된다. 여기서, R³¹은 탄소수 1 ∼ 6 의 직사슬 또는 분기의 알킬기를 나타내고, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기 등이 있다. X²의 바람직한 예로서, 디메틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, o-페닐렌기, m-페닐렌기, p-페닐렌기, -CH₂CH₂OCOCH₂CH₂-, -CH₂CH₂OCO(C₆H₄)- 등을 들 수 있다.

r 은 0 또는 1 을 나타낸다.

q 는 0 또는 1 을 나타내고, 0 이 바람직하다.

R⁴는, 탄소 원자수 5 ∼ 80 의 알킬기, 알케닐기, 또는 알키닐기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 50 의 알킬기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 30 의 알킬기이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 5 ∼ 20 의 알킬기이다.

R⁵는, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 할로겐 원자, 또는 -CH₂COOR⁶을 나타내고, 수소 원자, 메틸기, 할로겐 원자, -CH₂COOR⁶이 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, -CH₂COOR⁶이 더욱 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.

R⁶은, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 80 의 알킬기를 나타내고, R⁴와 동일하거나 상이해도 되고, R⁶의 탄소 원자수는 1 ∼ 70 이 바람직하고, 1 ∼ 60 이 더욱 바람직하다.

일반식 (1) 중, x, y, z, 및 w 는 각 반복 단위의 몰비율을 나타낸다.

x 로서는 3 ∼ 60 몰％, 바람직하게는 3 ∼ 50 몰％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 40 몰％ 이다.

y 로서는, 30 ∼ 96 몰％, 바람직하게는 35 ∼ 95 몰％, 특히 바람직하게는 40 ∼ 90 몰％ 이다.

또, z 가 너무 작으면, 젤라틴과 같은 친수성 보호 콜로이드와의 친화성이 감소하기 때문에, 매트제의 응집·박락 (剝落) 고장의 발생 확률이 높아지고, z 가 너무 크면, 감광 재료의 알칼리성의 처리액에 매트제가 용해되어 버린다. 그 때문에, z 로서는 0.5 ∼ 25 몰％, 바람직하게는 0.5 ∼ 20 몰％, 특히 바람직하게는 1 ∼ 20 몰％ 이다.

w 로서는, 0.5 ∼ 40 몰％, 바람직하게는 0.5 ∼ 30 몰％ 이다.

일반식 (1) 에 있어서, x 는 3 ∼ 40 몰％, y 는 40 ∼ 90 몰％, z 는 0.5 ∼ 20 몰％, w 는 0.5 ∼ 10 몰％ 의 경우가 특히 바람직하다.

일반식 (1) 로 나타내는 폴리머로서는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 폴리머가 바람직하다.

[화학식 2]

일반식 (3) 중, x, y, z 및 w 는, 상기의 정의와 같다.

일반식 (1) 로 나타내는 폴리머는, 상기 일반식 (A), (B), (C) 및 (D) 이외의 다른 반복 단위를 포함해도 된다. 다른 반복 단위를 형성하기 위한 모노머로서는, 예를 들어, 아크릴산에스테르류, 메타크릴산에스테르류, 비닐에스테르류, 올레핀류, 크로톤산에스테르류, 이타콘산디에스테르류, 말레산디에스테르류, 푸마르산디에스테르류, 아크릴아미드류, 불포화 카르복실산류, 알릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐케톤류, 비닐 이절 고리 화합물, 글리시딜에스테르류, 불포화 니트릴류 등을 들 수 있다. 이들의 모노머로서는 일본 특허공보 제3754745호의［0010］∼［0022］에도 기재되어 있다.

소수성의 관점에서 아크릴산에스테르류, 메타크릴산에스테르류가 바람직하고, 하이드록시에틸메타크릴레이트 등의 하이드록시알킬메타크릴레이트 또는 하이드록시알킬아크릴레이트가 보다 바람직하다. 일반식 (1) 로 나타내는 폴리머는, 상기 일반식 (A), (B), (C) 및 (D) 이외에 하기 일반식 (E) 로 나타내는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 3]

상기 식 중, L_E는 알킬렌기를 나타내고, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 6 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 4 의 알킬렌기가 더욱 바람직하다.

일반식 (1) 로 나타내는 폴리머로서는, 하기 일반식 (4) 로 나타내는 폴리머가 특히 바람직하다.

[화학식 4]

상기 식 중, a1, b1, c1, d1, 및 e1 은 각 모노머 단위의 몰비율을 나타내고, a1 은 3 ∼ 60 (몰％), b1 은 30 ∼ 95 (몰％), c1 은 0.5 ∼ 25 (몰％), d1 은 0.5 ∼ 40 (몰％), e1 은 1 ∼ 10 (몰％) 를 나타낸다.

a1 의 바람직한 범위는 상기 x 의 바람직한 범위와 동일하고, b1 의 바람직한 범위는 상기 y 의 바람직한 범위와 동일하고, c1 의 바람직한 범위는 상기 z 의 바람직한 범위와 동일하고, d1 의 바람직한 범위는 상기 w 의 바람직한 범위와 동일하다.

e1 은 1 ∼ 10 몰％ 이며, 바람직하게는 2 ∼ 9 몰％ 이며, 보다 바람직하게는 2 ∼ 8 몰％ 이다.

일반식 (1) 로 나타내는 폴리머의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들로 한정되지 않는다.

[화학식 5]

[화학식 6]

일반식 (1) 로 나타내는 폴리머의 중량 평균 분자량은, 1000 ∼ 100만이 바람직하고, 2000 ∼ 75만이 보다 바람직하고, 3000 ∼ 50만이 더욱 바람직하다.

일반식 (1) 로 나타내는 폴리머는, 예를 들어 일본 특허공보 제3305459호 및 일본 특허공보 제3754745호 등을 참조하여 합성할 수 있다.

＜용매＞

은염 유제층의 형성에 사용되는 용매는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 물, 유기 용매 (예를 들어, 메탄올 등의 알코올류, 아세톤 등의 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 에테르류 등), 이온성 액체, 및 이들의 혼합 용매를 들 수 있다.

＜그 밖의 첨가제＞

본 실시형태에 사용되는 각종 첨가제에 관해서는, 특별히 제한은 없고, 공지된 것을 바람직하게 사용할 수 있다.

［그 밖의 층 구성］

은염 유제층 위에 도시되지 않은 보호층을 형성해도 된다. 또, 은염 유제층보다 아래에, 예를 들어 하도층을 형성할 수도 있다.

다음으로, 투명 도전막 (10) 의 제작 방법의 각 공정에 대해 설명한다.

［노광］

본 실시형태에서는, 메시 패턴 (28) 을 인쇄 방식에 의해 실시하는 경우를 포함하지만, 인쇄 방식 이외는, 메시 패턴 (28) 을 노광과 현상 등에 의해 형성한다. 즉, 투명 기체 (12) 상에 형성된 은염 함유층을 갖는 감광 재료 또는 포토리소그래피용 포토 폴리머를 도공한 감광 재료에 대한 노광을 실시한다. 노광은, 전자파를 이용하여 실시할 수 있다. 전자파로서는, 예를 들어, 가시광선, 자외선 등의 광, X 선 등의 방사선 등을 들 수 있다. 또한 노광에는 파장 분포를 갖는 광원을 사용하여도 되고, 특정 파장의 광원을 사용하여도 된다.

［현상 처리］

본 실시형태에서는, 유제층을 노광한 후, 추가로 현상 처리가 실시된다. 현상 처리는, 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 통상적인 현상 처리의 기술을 이용할 수 있다.

현상 처리는, 미노광 부분의 은염을 제거하여 안정화시키는 목적으로 실시되는 정착 처리를 포함할 수 있다. 정착 처리는, 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 정착 처리의 기술을 이용할 수 있다. 현상, 정착 처리를 실시한 감광 재료는, 수세 처리나 안정화 처리가 실시되는 것이 바람직하다.

현상 처리 후의 노광부에 포함되는 금속 은부의 질량은, 노광 전의 노광부에 포함되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량％ 이상의 함유율인 것이 바람직하고, 80 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 노광부에 포함되는 은의 질량이 노광 전의 노광부에 포함되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량％ 이상이면, 높은 도전성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.

이상의 공정을 거쳐 투명 도전막 (10) 은 얻어진다. 얻어진 투명 도전막 (10) 의 표면 저항은 0.1 ∼ 300 옴/sq. 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 또한, 표면 저항은, 투명 도전막 (10) 의 용도에 따라 상이하지만, 전자파 실드 용도의 경우에는, 10 옴/sq. 이하인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 3 옴/sq. 인 것이 보다 바람직하다. 또, 터치 패널 용도의 경우에는, 1 ∼ 70 옴/sq. 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 50 옴/sq. 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 30 옴/sq. 인 것이 더욱 바람직하다. 또, 현상 처리 후의 투명 도전막 (10) 에 대해서는, 추가로 캘린더 처리를 실시해도 되고, 캘린더 처리에 의해 원하는 표면 저항으로 조정할 수 있다.

［물리 현상 및 도금 처리］

본 실시형태에서는, 노광 및 현상 처리에 의해 형성된 금속 은부의 도전성을 향상시키는 목적으로, 금속 은부에 도전성 금속 입자를 담지시키기 위한 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시해도 된다. 본 실시형태에서는 물리 현상 또는 도금 처리 중 어느 일방만으로 도전성 금속 입자를 금속 은부에 담지시켜도 되고, 물리 현상과 도금 처리를 조합하여 도전성 금속 입자를 금속 은부에 담지시켜도 된다. 또한, 금속 은부에 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시한 것을 포함하여 「도전성 금속부」 라고 칭한다.

본 실시형태에 있어서의 「물리 현상」 이란, 금속이나 금속 화합물의 핵 상에, 은 이온 등의 금속 이온을 환원제로 환원하여 금속 입자를 석출시키는 것을 말한다. 이 물리 현상은, 인스턴트 B＆W 필름, 인스턴트 슬라이드 필름이나, 인쇄판 제조 등에 이용되고 있고, 본 발명에서는 그 기술을 이용할 수 있다. 또, 물리 현상은, 노광 후의 현상 처리와 동시에 실시하거나, 현상 처리 후에 별도로 실시해도 된다.

본 실시형태에 있어서, 도금 처리는, 무전해 도금 (화학 환원 도금이나 치환 도금), 전해 도금, 또는 무전해 도금과 전해 도금의 양방을 사용할 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 무전해 도금은, 공지된 무전해 도금 기술을 이용할 수 있고, 예를 들어, 프린트 배선판 등에서 이용되고 있는 무전해 도금 기술을 이용할 수 있고, 무전해 도금은 무전해 동 도금인 것이 바람직하다.

［산화 처리］

본 실시형태에서는, 현상 처리 후의 금속 은부, 그리고, 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 형성된 도전성 금속부에는, 산화 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 산화 처리를 실시함으로써, 예를 들어, 광 투과성부에 금속이 약간 침착되어 있던 경우에, 그 금속을 제거하여, 광 투과성부의 투과성을 거의 100 ％ 로 할 수 있다.

［도전성 금속부］

본 실시형태의 도전성 금속부의 선폭 (금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb)) 은, 30 ㎛ 이하에서 선택 가능하다. 투명 도전막 (10) 을 전자파 실드 필름으로서 사용하는 경우에는, 금속 세선 (24) 의 선폭은 1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하가 바람직하고, 1 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 2 ㎛ 이상 7 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 투명 도전막 (10) 을 터치 패널의 도전성 필름으로서 사용하는 경우에는, 하한은 1 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이상, 혹은 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 상한은 15 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이하, 9 ㎛ 이하, 8 ㎛ 이하가 바람직하다. 선폭 (Wb) 이 상기 하한치 미만의 경우에는, 도전성이 불충분해지기 때문에 터치 패널에 사용했을 경우에, 검출 감도가 불충분해진다. 한편, 상기 상한치를 초과하면 도전성 금속부에서 기인하는 무아레가 현저해지거나, 터치 패널에 사용했을 때에 시인성이 나빠지거나 한다. 따라서, 상기 범위에 있음으로써, 도전성 금속부의 무아레가 개선되어, 시인성이 특히 좋아진다. 세선 피치 (금속 세선 (24) 의 배열 피치) 는 100 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 150 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 가장 바람직하게는 210 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하이다. 또한, 배선부 (22) 의 금속 배선 (20) 은, 어스 접속 등의 목적에 있어서는, 선폭은 200 ㎛ 보다 넓은 부분을 가지고 있어도 된다.

도전성 금속부는, 가시광 투과율의 점에서 개구율은 85 ％ 이상인 것이 바람직하고, 90 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 95 ％ 이상인 것이 가장 바람직하다. 개구율이란, 금속 세선 (24) 을 제외한 투광성 부분이 전체에 차지하는 비율이며, 예를 들어, 선폭 6 ㎛, 세선 피치 240 ㎛ 의 정방형의 격자상의 개구율은, 95 ％ 이다.

［광 투과성부］

본 실시형태에 있어서의 「광 투과성부」 란, 투명 도전막 (10) 중 도전성 금속부 이외의 투광성을 갖는 부분을 의미한다. 광 투과성부에 있어서의 가시광 투과율은, 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 95 ％ 이상, 한층 더 바람직하게는 97 ％ 이상이며, 가장 바람직하게는 98 ％ 이상이다.

노광 방법에 관해서는, 유리 마스크를 개재시킨 방법이나 레이저 묘화에 의한 패턴 노광 방식이 바람직하다.

［투명 도전막 (10)］

본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 에 있어서의 투명 기체 (12) 의 두께는, 5 ∼ 350 ㎛ 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 150 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 5 ∼ 350 ㎛ 의 범위이면 원하는 가시광 투과율을 얻을 수 있고, 또한, 취급도 용이하다.

투명 기체 (12) 상에 형성되는 금속 은부의 두께는, 투명 기체 (12) 상에 도포되는 은염 함유층용 도료의 도포 두께에 따라 적절히 결정할 수 있다. 금속 은부의 두께는, 0.001 ㎛ ∼ 0.2 mm 에서 선택 가능하지만, 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 9 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.05 ∼ 5 ㎛ 인 것이 가장 바람직하다. 또, 금속 은부는 패턴상인 것이 바람직하다. 금속 은부는 1 층이어도 되고, 2 층 이상의 중층 구성이어도 된다. 금속 은부가 패턴상이며, 또한, 2 층 이상의 중층 구성인 경우, 상이한 파장으로 감광할 수 있도록, 상이한 감색성을 부여할 수 있다. 이로써, 노광 파장을 변경하여 노광하면, 각 층에 있어서 상이한 패턴을 형성할 수 있다.

도전성 금속부의 두께는, 터치 패널의 용도로서는, 얇을수록 표시 패널 (16a) 의 시야각이 넓어지기 때문에 바람직하고, 시인성의 향상의 점에서도 박막화가 요구된다. 이와 같은 관점에서, 도전성 금속부에 담지된 도전성 금속으로 이루어지는 층의 두께는, 9 ㎛ 미만인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 3 ㎛ 미만인 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태에서는, 상기 서술한 은염 함유층의 도포 두께를 컨트롤함으로써 원하는 두께의 금속 은부를 형성하고, 또한 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 도전성 금속 입자로 이루어지는 층의 두께를 자재 (自在) 로 컨트롤할 수 있기 때문에, 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 3 ㎛ 미만의 두께를 갖는 투명 도전막 (10) 이어도 용이하게 형성할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 의 제조 방법에서는, 도금 등의 공정은 반드시 실시할 필요는 없다. 본 실시형태에 관련된 투명 도전막 (10) 의 제조 방법에서는 은염 유제층의 도포 은량, 은/바인더 체적비를 조정함으로써 원하는 표면 저항을 얻을 수 있기 때문이다.

［탈바인더 처리］

탈바인더 처리란, 도전부 (적어도 전극부 (18)) 를 갖는 지지체 (투명 기체 (12)) 를, 추가로 젤라틴 등의 수용성 바인더를 분해하는 단백질 분해 효소나, 옥소산 등의 산화제로 처리하는 공정이다. 본 공정을 실시함으로써, 노광·현상 처리가 실시된 감광성층으로부터 젤라틴 등의 수용성 바인더가 분해·제거되고, 금속 세선 (24) 간의 이온 마이그레이션이 보다 억제된다.

이하에서는, 먼저, 본 공정에서 사용되는 재료에 대해 상세히 서술하고, 그 후 본 공정의 순서에 대해 상세히 서술한다.

(단백질 분해 효소)

단백질 분해 효소 (이후, 효소라고도 칭한다) 는, 젤라틴 등의 단백질을 가수 분해할 수 있는 식물성 또는 동물성 효소로 공지된 것이 사용된다. 예를 들어, 펩신, 렌닌, 트립신, 키모트립신, 카텝신, 파파인, 피신, 트롬빈, 레닌, 콜라게나아제, 브로멜라인, 세균 프로테아제 등을 들 수 있다. 이 중에서도 특히, 트립신, 파파인, 피신, 세균 프로테아제가 바람직하다. 그 중에서도, 특히, 세균 프로테아제 (예를 들어, 나가세 산업 (주) 제조의 비오프라제) 는 저렴하게 시판되고 있어 용이하게 입수가 가능하다.

(산화제)

산화제는, 젤라틴 등의 단백질을 산화 분해할 수 있는 산화제로 공지된 것이 사용된다. 예를 들어, 차아염소산염, 아염소산염, 염소산염 등의 할로겐 옥소산염을 들 수 있다. 그 중에서도, 차아염소산나트륨은 저렴하게 시판되고 있어, 용이하게 입수가 가능하다.

(환원 처리)

산화제로 젤라틴을 분해하는 경우에는, 금속 세선 (24) 의 금속이 산화되어 전기 저항이 증가하는 경우가 있기 때문에, 환원 처리를 조합하여 실시하는 것이 바람직하다. 환원 처리는, 환원 수용액의 종류는 은의 환원을 진행시킬 수 있으면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 아황산나트륨 수용액, 하이드로퀴논 수용액, 파라페닐렌디아민 수용액, 옥살산 수용액, 아스코르브산 수용액, 수소화붕소나트륨 수용액 등을 사용할 수 있고, 수용액의 pH 는 10 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.

처리 방법은 특별히 제한되지 않고, 도전부를 갖는 지지체와 환원 수용액을 접촉시키면 된다. 접촉 방법으로서는, 예를 들어, 이 지지체를 환원 수용액에 침지하는 방법을 들 수 있다.

환원 처리를 실시함으로써, 도전성을 보다 높일 수 있기 때문에, 산화제로의 젤라틴 분해를 실시하지 않는 경우라도, 바람직하게 사용할 수 있다.

(공정의 순서)

탈바인더 처리 공정의 순서는, 도전부를 갖는 지지체와 상기 효소 또는 산화제를 접촉시킬 수 있으면, 특별히 제한되지 않는다. 특히, 지지체 상의 도전부 및 비도전부와 효소가 접촉할 수 있는 방법이면, 특별히 제한되지 않는다. 통상적으로, 상기 효소를 포함하는 처리액 (효소액) 과, 도전부를 갖는 지지체를 접촉시키는 방법을 들 수 있다. 접촉 방법으로서는, 예를 들어, 도전부를 갖는 지지체 상에 처리액을 도포하는 방법이나, 처리액 중에 도전부를 갖는 지지체를 침지하는 방법 등을 들 수 있다.

처리액 중에 있어서의 효소 함유량은 특별히 지정은 없고, 사용하는 효소의 능력과 요구되는 성능에 따라 임의로 결정할 수 있다. 그 중에서도, 젤라틴의 분해 제거의 정도가 제어되기 쉬운 점에서, 처리액 전체량에 대해 효소의 함유량이 0.05 ∼ 20 질량％ 정도가 적당하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 10 질량％ 이다.

이 처리액에는, 상기 효소에 더하여, pH 완충제, 항균성 화합물, 습윤제, 보항제 등, 필요에 따라 함유시킬 수 있다.

처리액의 pH 는, 효소의 기능이 최대한 얻어지도록 실험에 의해 선택되지만, 일반적으로는, 5 ∼ 7 인 것이 바람직하다. 또, 처리액의 온도도 효소의 기능이 높아지는 온도, 구체적으로는 25 ∼ 45 ℃ 인 것이 바람직하다.

접촉 시간은 특별히 제한되지 않지만, 도전부의 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 10 ∼ 500 초간이 바람직하고, 90 ∼ 360 초간이 보다 바람직하다.

또한, 필요에 따라, 처리액으로의 처리 후에, 온수로 도전부를 갖는 지지체를 세정하는 공정을 추가로 설정해도 된다. 본 공정을 형성함으로써, 젤라틴 분해 잔류물, 및, 단백질 분해 효소의 잔부나 잔류 산화제 등을 제거할 수 있고, 이온 마이그레이션이 보다 억제된다.

세정 방법은 특별히 제한되지 않고, 도전부를 갖는 지지체와 온수를 접촉시킬 수 있으면 되고, 예를 들어, 온수 중에 도전부를 갖는 지지체를 침지하는 방법이나, 도전부를 갖는 지지체 상에 온수를 도포하는 방법 등을 들 수 있다.

온수의 온도는 사용되는 단백질 분해 효소의 종류 등에 따라 적절히 최적인 온도가 선택되지만, 생산성의 점에서, 20 ∼ 80 ℃ 가 바람직하고, 40 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.

온수와 도전부를 갖는 지지체의 접촉 시간 (세정 시간) 은 특별히 제한되지 않지만, 생산성의 점에서, 1 ∼ 600 초간이 바람직하고, 30 ∼ 360 초간이 보다 바람직하다.

［캘린더 처리］

현상 처리 또는 젤라틴 제거 처리 완료된 금속 세선 (24) 에 캘린더 처리를 실시하여 평활화한다. 캘린더 처리는, 할로겐화 은 사진 감광 재료를 사용하여 투명 기체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성한 경우 외에, 이하의 경우에도 적용할 수 있다.

(a) 투명 기체 (12) 상에 도금 처리로 금속 배선부 (14) 를 형성한 경우

(b) 투명 기체 (12) 상의 동박을 선택적으로 에칭하여 금속 배선부 (14) 를 형성한 경우

(c) 투명 기체 (12) 상에 금속 미립자를 포함하는 페이스트를 인쇄하여 금속 배선부 (14) 를 형성한 경우

(d) 투명 기체 (12) 상에 금속막을 증착한 후, 금속막을 선택적으로 에칭하여 금속 배선부 (14) 를 형성한 경우

(e) 투명 기체 (12) 상에, 금속 배선부 (14) 를 스크린 인쇄판 또는 그라비아 인쇄판에 의해 인쇄 형성한 경우

(f) 투명 기체 (12) 상에, 금속 배선부 (14) 를 잉크젯에 의해 형성한 경우

특히, 투명 기체 (12) 의 표면 (12a) (금속 배선부 (14) 가 형성되는 면) 이 평탄한 경우에 유효하다. 캘린더 처리를 실시함으로써, 금속 배선부 (14) 의 금속 체적율이 커져, 도전성이 현저하게 증대한다. 상기 서술한 탈바인더 처리를 실시함으로써, 금속의 접촉을 저해하는 물질이 저감되기 때문에, 캘린더 처리에 의한 도전성 증대의 효과가 보다 얻어지기 쉽다.

캘린더 처리는, 예를 들어 도 6A 에 나타내는 제 1 방법과, 도 6B 에 나타내는 제 2 방법이 있다.

제 1 방법은, 도 6A 에 나타내는 바와 같이, 표면 (30) 에 요철을 갖는 매트 부재 (32) 와, 대향하여 배치된 1 쌍의 캘린더 롤러 (제 1 캘린더 롤러 (34A) 및 제 2 캘린더 롤러 (34B)) 를 사용한다. 매트 부재 (32) 로서는, 금속판 (32A) 이나 수지 필름 (32B) 을 사용할 수 있다. 금속판 (32A) 으로서는, 예를 들어 크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판이나 질화 처리한 철판 등을 들 수 있고, 수지 필름 (32B) 으로서는 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 등을 들 수 있다. 특히, 수지 필름 (32B) 은 롤 형태로 투명 도전막 (10) 의 롤 필름과 공(共)반송함으로써, 높은 생산성을 실현할 수 있기 때문에, 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 및 제 2 캘린더 롤러 (34B) 로서, 금속제의 롤러 또는 수지제의 롤러가 사용된다. 수지제의 롤러로서는, 에폭시, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리이미드아미드 등의 롤러가 사용된다. 금속제의 롤러와 수지제의 롤러를 조합하여 사용하는 것이 가능하다. 또, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 및 제 2 캘린더 롤러 (34B) 중 적어도 어느 일방을, 롤러 중심부의 직경이 롤러 양단부의 직경보다 큰 크라운 형상으로 해도 된다.

그리고, 매트 부재 (32) 의 표면 (30) (요철면) 상에, 투명 도전막 (10) 을 올려놓는다. 이 때, 투명 도전막 (10) 의 전극부 (18) 와 매트 부재 (32) 의 표면 (30) 이 대향하도록 하여, 매트 부재 (32) 의 표면 (30) 상에, 투명 도전막 (10) 을 올려놓아 1 개의 적층체 (36) 로 한다. 이 적층체 (36) 를 서로 대향하여 배치된 제 1 캘린더 롤러 (34A) 와 제 2 캘린더 롤러 (34B) 의 사이에 투입하여, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 및 제 2 캘린더 롤러 (34B) 를 회전 구동함으로써, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 를 투명 도전막 (10) 의 투명 기체 (12) 에 접촉시키고, 제 2 캘린더 롤러 (34B) 를 매트 부재 (32) 에 접촉시키도록 하여, 투명 도전막 (10) 을 가압 처리함과 함께, 일방향으로 반송한다.

제 2 방법은, 도 6B 에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 매트 부재 (32) 를 사용하지 않고, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 및 제 2 캘린더 롤러 (34B) 중 적어도 어느 일방으로서, 표면이 조면 가공된 롤러를 사용한다. 여기서는, 투명 도전막 (10) 의 전극부 (18) 가 접촉하는 예를 들어 제 1 캘린더 롤러 (34A) 의 표면 (38) 이 조면 가공되어 있다.

그리고, 투명 도전막 (10) 을 서로 대향하여 배치된 제 1 캘린더 롤러 (34A) 와 제 2 캘린더 롤러 (34B) 의 사이에 투입하여, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 및 제 2 캘린더 롤러 (34B) 를 회전 구동한다. 이로써, 제 1 캘린더 롤러 (34A) 의 표면 (38) 을 투명 도전막 (10) 의 전극부 (18) 에 접촉시키고, 제 2 캘린더 롤러 (34B) 를 투명 기체 (12) 에 접촉시키도록 하여, 투명 도전막 (10) 을 가압 처리함과 함께, 일방향으로 반송한다.

제 1 방법에 비해, 제 2 방법은, 투명 도전막 (10) 을 롤 형태로 연속적으로 캘린더 처리할 수 있고, 또한, 수지 필름 (32B) 의 폐필름을 내는 일이 없기 때문에, 생산 속도 및 비용의 점에서 바람직하게 사용할 수 있다.

캘린더 처리의 선 압력의 하한치는 1960 N/cm (200 kgf/cm, 면압으로 환산하면 699.4 kgf/c㎡) 이상, 더욱 바람직하게는 2940 N/cm (300 kgf/cm, 면압으로 환산하면 935.8 kgf/c㎡) 이상이다. 선 압력의 상한치는, 6880 N/cm (700 kgf/cm) 이하이다.

캘린더 처리의 적용 온도는 10 ℃ (온도 조절 없음) ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 보다 바람직한 온도는, 금속 세선 (24) 에 의한 메시 패턴 (28) 이나 배선부 (22) 에 있어서의 금속 배선 (20) 의 패턴의 화선 밀도나 형상, 바인더종에 따라 상이하지만, 대체로 10 ℃ (온도 조절 없음) ∼ 50 ℃ 의 범위에 있다.

그리고, 제 1 방법에 있어서의 매트 부재 (32) (금속판) 의 요철을 갖는 표면 형상, 그리고 제 2 방법에 있어서의 제 1 캘린더 롤러 (34A) (금속 롤러) 의 요철을 갖는 표면 형상은, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 큰 것이 바람직하다.

혹은, 제 1 방법에 있어서의 매트 부재 (32) (금속판) 의 요철을 갖는 표면 형상, 그리고 제 2 방법에 있어서의 제 1 캘린더 롤러 (34A) (금속 롤러) 의 요철을 갖는 표면 형상은, Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 이하로, Ra 가 금속 세선 (24) 의 캘린더 처리 전의 막두께의 1/6 이하이며, 또한, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 큰 것이 바람직하다.

도 7 은, 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 을 5 ㎛ 로 했을 때의, 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 이하의 경우, 그리고 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 보다 큰 경우에 있어서, 금속 롤러의 누름면의 Ra²/Sm 에 대한 정반사율의 변화를 플롯한 것이다. 도 7 에서 알 수 있는 바와 같이, 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 이하의 경우, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 에서는 정반사율이 3.8 ％ 이지만, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 를 초과하면, 정반사율을 1 ％ 미만으로 억제할 수 있다. 물론, Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 보다 큰 경우여도, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 크면, 0.015 ㎛ 이하의 경우에 비해서, 정반사율을 억제하는 것이 가능하다.

여기서, 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb), 두께 (캘린더 처리 전의 두께 (tc)), 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Sm 및 Ra 의 관계에 의한 작용의 차이를 도 8A ∼ 도 8D 를 참조하면서 설명한다.

먼저, 도 8A 에 나타내는 바와 같이, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 이하이면, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 볼록 부분 (40) 이 반드시 금속 세선 (24) 에 맞닿게 된다. 시인성을 향상시키는데 있어서 적합하게 된다.

도 8B 에 나타내는 바와 같이, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 을 초과하고 있으면, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 볼록 부분 (40) 이 금속 세선 (24) 에 맞닿는 확률이 내려간다. 게다가, 볼록 부분 (40) 의 경사 각도가 완만해진다. 그 때문에, 금속 세선 (24) 의 단선은 일으키기 어렵지만, 시인성을 향상시키는 것이 어려운 경우가 있다.

도 8C 에 나타내는 바와 같이, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Ra 가 0.15 ㎛ 미만의 경우, 요철이 작은 점에서, 정반사광을 확산시키는 효과가 작다. 따라서, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Ra 는 0.15 ㎛ 이상이 바람직하다.

도 8D 에 나타내는 바와 같이, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Ra 가 (캘린더 처리 전의 금속 세선 (24) 의 두께 (tc)/5) 보다 크면, 금속 세선 (24) 이 단선될 확률이 높아진다. 따라서, 금속판 (32A) 또는 금속 롤러의 Ra 는 (캘린더 처리 전의 금속 세선 (24) 의 두께 (tc)/5) 이하가 바람직하다.

한편, 제 1 방법에 있어서의 매트 부재 (32) (수지 필름 (32B)) 를 사용한 경우에는, 수지 필름 (32B) 의 요철을 갖는 표면 형상은, Ra 가 0.15 ㎛ 보다 큰 것이 바람직하다. 또, 수지 필름 (32B) 의 요철을 갖는 표면 형상은, Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 보다 큰 것이 바람직하다. 도 9 는, 수지 필름 (32B) 의 누름면의 Ra²/Sm 에 대한 정반사율의 변화를 플롯한 것이다. 도 9 에서 알 수 있는 바와 같이, 수지 필름 (32B) 의 누름면의 Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 에서는 정반사율이 2.8 ％ 이지만, Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 를 초과하면, 정반사율을 1 ％ 미만으로 억제할 수 있다.

그런데, 수지 필름 (32B) 의 경우, 표면의 요철이 변형되기 때문에 반복하여 사용할 수 없다. 그러나, 투명 도전막 (10) 의 전극부 (18) (금속 세선 (24)) 를 관통하지 않고 수지 필름 (32B) 이 변형되기 때문에, 금속판 (32A) 이나 금속 롤러를 누르는 경우와는 달리, 단선을 일으키지 않고 캘린더 처리가 가능해진다. 요컨대, Ra 의 상한이 존재하지 않는다. 단, Ra 가 캘린더 처리 전의 금속 세선 (24) 의 두께 (tc) 의 1/4 배를 초과하면, 캘린더 처리에 의한 저항의 감소폭이 작아지기 때문에, Ra 는 캘린더 처리 전의 금속 세선 (24) 의 두께 (tc) 의 1/4 배 이하가 바람직하고, 1/6 배 이하가 보다 바람직하다. 단, 수지 필름 (32B) 의 Ra 는 0.15 ㎛ 이상이 바람직하다. 0.15 ㎛ 미만이 되면, 광 반사가 강해지고, 패턴 보임이 커지는 경우가 있다.

［그 밖의 제조 방법］

상기 서술한 제조 방법 외에, 표면 (12a) 에 요철을 갖는 투명 기체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성하는 방법도 바람직하게 채용할 수 있다. 이 경우, 표면 (12a) 중, 전극부 (18) 가 형성되는 부분만큼 요철이 형성되어 있어도 되고, 물론, 표면 (12a) 전체면에 요철이 형성되어 있어도 된다. 이로써, 투명 기체 (12) 의 표면 (12a) 상에, 금속 배선부 (14) 를 형성함으로써, 투명 기체 (12) 의 표면 (12a) 의 요철 형상이 적어도 전극부 (18) 의 표면에 전사된 형태가 된다.

그리고, 투명 기체 (12) 의 표면 (12a) 은, Ra 가 0.15 ㎛ 보다 큰 표면 형상인 것이 바람직하다. 나아가서는, Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 보다 큰 것이 바람직하다. 이로써, 적어도 전극부 (18) 가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 투명 도전막을 얻는 것이 가능해진다.

표면 (12a) 에 요철이 형성된 투명 기체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성하는 방법으로서는, 투명 기체 (12) 상에 도금 처리로 금속 배선부 (14) 를 형성하는 방법, 혹은, 투명 기체 (12) 상에 금속막을 증착한 후, 금속막을 선택적으로 에칭하여 금속 배선부 (14) 를 형성하는 방법 등을 바람직하게 채용할 수 있다. 이들의 형성 방법을 채용함으로써, 금속 배선부 (14) 를 형성할 때에, 금속 체적율을 높여 형성할 수 있기 때문에 특히 바람직하다.

［은 융착 처리］

(광 조사 공정)

현상 처리 후, 상기 처리 공정 중 어느 것의 후에, 도전부 (적어도 전극부 (18)) 에 크세논 플래시 램프로부터의 펄스 광을 조사하는 광 조사 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 본 공정을 실시함으로써, 도전부의 저저항화를 도모할 수 있다. 투명 도전막 (10) 의 도전성이 향상되는 이유에 대해서는 확실하지 않지만, 크세논 플래시 램프로부터의 펄스 광을 조사함으로써, 열에 의해 적어도 일부의 고분자 및/또는 젤라틴이 증발하여, 금속 (도전성 물질) 끼리가 결합하기 쉬워지는 것이라고 생각된다.

펄스 광의 조사량은 특별히 제한되지 않지만, 1 펄스당 1 J 이상 1500 J 이하로 하는 것이 바람직하고, 100 ∼ 1000 J 로 하는 것이 보다 바람직하고, 500 ∼ 800 J 로 하는 것이 더욱 바람직하다. 조사량은, 일반적인 자외선 조도계를 사용하여 측정할 수 있다. 일반적인 자외선 조도계는, 예를 들어 300 ∼ 400 nm 에 검출 피크를 갖는 조도계를 사용할 수 있다.

투명 도전막 (10) 을 예를 들어 터치 패널용 전극으로서 사용하는 경우, 도전부가 육안으로 인식되지 않도록, 금속 세선 (24) 의 선폭은 1 ∼ 15 ㎛, 두께는 1 ∼ 3 ㎛ 가 바람직하다. 이와 같은 선폭, 두께의 경우, 펄스 광의 조사 횟수는 1 회 이상 2000 회 이하가 바람직하고, 1 회 이상 50 회 이하가 보다 바람직하고, 1 회 이상 30 회 이하가 더욱 바람직하다.

(가열 공정)

현상 처리 후, 상기 처리 공정 중 어느 것의 후에, 도전부 (적어도 전극부 (18)) 를 갖는 지지체 (투명 기체 (12)) 에 가열 처리를 실시하는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 본 공정을 실시함으로써, 도전부의 도전성이 향상됨과 함께, 금속 세선 (24) 의 밀착이 양호하고, 나아가서는, 이온 마이그레이션 억제능에 의해, 우수한 투명 도전막 (10) 이 얻어진다. 또, 본 공정을 실시함으로써, 투명 도전막 (10) 의 헤이즈의 저감, 도전부의 밀착성의 향상, 산화 처리 시의 면질의 향상, 또는, 표면 저항의 저감이 달성된다.

가열 처리의 방법의 하나로서는, 도전부를 갖는 지지체를 과열 증기에 접촉시키는 처리를 들 수 있다. 과열 증기로서는, 과열 수증기면 되고, 과열 수증기에 다른 가스를 혼합시킨 것이어도 된다.

과열 증기는, 공급 시간 10 초 이상 70 초 이하의 범위에서 도전부에 접촉 시키는 것이 바람직하다. 공급 시간이 10 초 이상이면, 도전율의 향상이 크다. 또, 70 초 경부터 도전성의 향상이 포화 상태가 되기 때문에, 70 초보다 긴 시간의 설정은 경제성의 점에서 바람직하지 않다. 또, 과열 증기는, 공급량이 500 g/㎥ ∼ 600 g/㎥ 의 범위에서 도전부에 접촉시키는 것이 좋고, 과열 증기의 온도는, 1 기압에서 100 ℃ 이상 160 ℃ 이하로 제어되는 것이 바람직하다.

가열 처리의 다른 방법으로서는, 80 ∼ 150 ℃ 에서의 가열 처리를 들 수 있다. 가열 시간은 특별히 제한되지 않지만, 상기 효과가 보다 우수한 점에서, 0.1 ∼ 5.0 시간이 바람직하고, 0.5 ∼ 1.0 시간이 보다 바람직하다.

［안정화 처리］

현상 처리 후, 상기 처리 공정 중 어느 것의 후에, 도전부를 갖는 지지체와 마이그레이션 방지제를 접촉시키는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 본 공정을 실시함으로써, 도전부 중의 금속 은의 안정화가 도모되어, 이온 마이그레이션이 충분히 억제되고, 고습 고온 환경하에 있어서의 신뢰성이 향상된다.

사용되는 마이그레이션 방지제로서는 공지된 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어, 함질소 헤테로 고리 화합물이나 유기 메르캅토 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 함질소 헤테로 고리 화합물이 바람직하게 사용된다.

함질소 헤테로 고리 화합물의 바람직한 예는, 5 또는 6 원자 고리 아졸류가 바람직하고, 그 중에서도 5 원자 고리 아졸류가 바람직하다.

헤테로 고리로서는, 예를 들어, 테트라졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 티아디아졸 고리, 옥사디아졸 고리, 셀레나디아졸 고리, 옥사졸 고리, 티아졸 고리, 벤즈옥사졸 고리, 벤즈티아졸 고리, 벤즈이미다졸 고리, 피리미딘 고리, 트리아자인덴 고리, 테트라아자인덴 고리, 펜타아자인덴 고리 등을 들 수 있다.

이들의 고리는, 치환기를 가져도 되고, 치환기는, 니트로기, 할로겐 원자 (예를 들어 염소 원자, 브롬 원자), 메르캅토기, 시아노기, 각각 치환 혹은 무치환의 알킬기 (예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, t-부틸, 시아노에틸의 각 기), 아릴기 (예를 들어 페닐, 4-메탄술폰아미드페닐, 4-메틸페닐, 3,4-디클로르페닐, 나프틸의 각 기), 알케닐기 (예를 들어 알릴기), 아르알킬기 (예를 들어 벤질, 4-메틸벤질, 페네틸의 각 기), 술포닐기 (예를 들어 메탄술포닐, 에탄술포닐, p-톨루엔술포닐의 각 기), 카르바모일기 (예를 들어 무치환 카르바모일, 메틸카르바모일, 페닐카르바모일의 각 기), 술파모일기 (예를 들어 무치환 술파모일, 메틸술파모일, 페닐술파모일의 각 기), 카르본아미드기 (예를 들어 아세트아미드, 벤즈아미드의 각 기), 술폰아미드기 (예를 들어 메탄술폰아미드, 벤젠술폰아미드, p-톨루엔술폰아미드의 각 기), 아실옥시기 (예를 들어 아세틸옥시, 벤조일옥시의 각 기), 술포닐옥시기 (예를 들어 메탄술포닐옥시), 우레이드기 (예를 들어 무치환 우레이드, 메틸우레이드, 에틸우레이드, 페닐우레이드의 각 기), 아실기 (예를 들어 아세틸, 벤조일의 각 기), 옥시카르보닐기 (예를 들어 메톡시카르보닐, 페녹시카르보닐의 각 기), 옥시카르보닐아미노기 (예를 들어 메톡시카르보닐아미노, 페녹시카르보닐아미노, 2-에틸헥실옥시카르보닐아미노의 각 기), 하이드록실기 등으로 치환되어 있어도 된다. 치환기는, 하나의 고리에 복수 치환해도 된다.

바람직한 함질소 헤테로 고리 화합물의 구체예로서는, 이하의 것을 들 수 있다. 즉, 이미다졸, 벤조이미다졸, 벤조인다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 피리딘, 퀴놀린, 피리미딘, 피페리딘, 피페라진, 퀴녹살린, 모르폴린 등을 들 수 있고, 이들은, 알킬기, 카르복실기, 술포기 등의 치환기를 가져도 된다.

바람직한 함질소 6 원자 고리 화합물로서는, 트리아진 고리, 피리미딘 고리, 피리딘 고리, 피롤린 고리, 피페리딘 고리, 피리다진 고리, 피라진 고리를 갖는 화합물이며, 그 중에서도 트리아진 고리, 피리미딘 고리를 갖는 화합물이 바람직하다. 이들의 함질소 6 원자 고리 화합물은 치환기를 가지고 있어도 되고, 그 경우의 치환기로서는 탄소수 1 ∼ 6, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 의 저급 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 의 저급 알콕시기, 수산기, 카르복실기, 메르캅토기, 탄소수 1 ∼ 6, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 의 알콕시알킬기, 탄소수 1 ∼ 6, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기를 들 수 있다.

바람직한 함질소 6 원자 고리 화합물의 구체예로서는, 트리아진, 메틸트리아진, 디메틸트리아진, 하이드록시에틸트리아진 고리, 피리미딘, 4-메틸피리미딘, 피리딘, 피롤린을 들 수 있다.

또, 유기 메르캅토 화합물로서는, 알킬메르캅토 화합물이나, 아릴메르캅토 화합물, 헤테로 고리 메르캅토 화합물 등을 들 수 있다. 알킬메르캅토 화합물로서는, 시스테인이나 티오말산 등을 들 수 있고, 아릴메르캅토 화합물로서는, 티오살리실산 등을 들 수 있고, 헤테로 고리 메르캅토 화합물로서는, 2-페닐-1-메르캅토테트라졸, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토피리미딘, 2,4-디메르캅토피리미딘, 2-메르캅토피리딘 등을 들 수 있고, 이들은, 알킬기, 카르복실기, 술포기 등의 치환기를 가져도 된다.

도전부를 갖는 지지체와 마이그레이션 방지제를 접촉시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 마이그레이션 방지제를 지지체 상에 도포하는 방법이나, 마이그레이션 방지제 중에 도전부를 갖는 지지체를 침지하는 방법 등을 들 수 있다.

또한, 필요에 따라, 마이그레이션 방지제를 용매에 용해시킨 용액을 사용해도 된다. 사용되는 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 감광성층 형성용 조성물로 사용되는 용매가 예시된다. 접촉 시간은 특별히 제한되지 않지만, 0.5 ∼ 10 분이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 분이 보다 바람직하다.

(유기 용매 접촉 공정)

현상 처리 후, 상기 처리 공정 중 어느 것의 후에, 도전부를 갖는 지지체를 유기 용매에 접촉시키는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 본 공정을 실시함으로써, 도전부 또는 비도전부 중에 잔존하는 고분자의 막이 보다 치밀해지고, 이온 마이그레이션 억제능에 의해, 우수한 투명 도전막 (10) 을 얻을 수 있고, 또한, 투명 도전막 (10) 의 헤이즈치를 저감할 수 있다.

사용되는 유기 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 고분자의 종류에 따라 적절히 최적인 용매가 선택된다. 그 중에서도, 상기 효과가 보다 우수한 점에서, 고분자가 용해되는 유기 용매가 바람직하다. 여기서 용해된다란, 유기 용매 1 ℓ (리터) 중에 적어도 고분자가 5 g 이상 용해되는 것을 의도한다. 그 중에서도, SP 치가 8 ∼ 12 의 범위의 유기 용매가 바람직하다. 유기 용매의 구체예로서는, 예를 들어, 벤질알코올, 에탄올, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸 등을 들 수 있다.

도전부를 갖는 지지체와, 유기 용매의 접촉 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 유기 용매를 지지체 상에 도포하는 방법이나, 유기 용매 중에 도전부를 갖는 지지체를 침지하는 방법 등을 들 수 있다. 유기 용매와의 접촉 시간은 특별히 제한되지 않지만, 10 ∼ 60 분이 바람직하고, 15 ∼ 30 분이 보다 바람직하다.

［그 밖의 임의 공정］

현상 처리 후, 상기 처리 공정 중 어느 것의 후에, 도전부의 도전성을 향상시키는 목적으로, 도전부에 도전성 금속 입자를 담지시키기 위한 물리 현상 및/또는 도금 처리를 실시해도 된다. 본 발명에서는 물리 현상 또는 도금 처리 중 어느 일방만으로 도전성 금속 입자를 도전부에 담지시켜도 되고, 물리 현상과 도금 처리를 조합하여 도전성 금속 입자를 도전부에 담지시켜도 된다.

본 실시형태에 있어서의 「물리 현상」 이란, 금속이나 금속 화합물의 핵 상에, 은 이온 등의 금속 이온을 환원제로 환원하여 금속 입자를 석출시키는 것을 말한다. 이 물리 현상은, 인스턴트 B＆W 필름, 인스턴트 슬라이드 필름이나, 인쇄판 제조 등에 이용되고 있고, 본 발명에서는 그 기술을 이용할 수 있다.

본 실시형태에 있어서, 도금 처리는, 무전해 도금 (화학 환원 도금이나 치환 도금) 을 사용할 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 무전해 도금은, 공지된 무전해 도금 기술을 이용할 수 있고, 예를 들어, 프린트 배선판 등에서 이용되고 있는 무전해 도금 기술을 이용할 수 있고, 무전해 도금은 무전해 동 도금인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은, 하기 표 1 및 표 2 에 기재된 공개 공보 및 국제 공개 팜플렛의 기술과 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 「일본 공개특허」, 「호 공보」, 「호 팜플렛」 등의 표기는 생략한다.

실시예

이하에, 본 발명의 실시예를 들어 본 발명을 한층 더 구체적으로 설명한다. 또한, 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의해 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다.

［제 1 실시예］

실시예 1 ∼ 15, 비교예 1 ∼ 14 에 대해, 캘린더 처리에서 사용하는 매트 부재의 표면 형상을 변경하여, 각종 특성의 평가를 실시했다.

＜실시예 1＞

(할로겐화 은 유제의 조제)

38 ℃, pH 4.5 로 유지된 하기 1 액에, 하기의 2 액 및 3 액의 각각 90 ％ 에 상당하는 양을 교반하면서 동시에 20 분간에 걸쳐서 첨가하여, 0.16 ㎛ 의 핵 입자를 형성했다. 계속해서 하기 4 액 및 5 액을 8 분간에 걸쳐서 첨가하고, 추가로 하기의 2 액 및 3 액의 나머지 10 ％ 의 양을 2 분간에 걸쳐서 첨가하여, 0.21 ㎛ 까지 성장시켰다. 또한, 요오드화칼륨 0.15 g 을 첨가하고, 5 분간 숙성하여 입자 형성을 종료했다.

＜1 액＞

물 750 ㎖

젤라틴 8.6 g

염화나트륨 3.1 g

1,3-디메틸이미다졸리딘-2-티온 20 mg

벤젠티오술폰산나트륨 10 mg

시트르산 0.7 g

＜2 액＞

물 300 ㎖

질산은 150 g

＜3 액＞

물 300 ㎖

염화나트륨 38 g

브롬화칼륨 32 g

헥사클로로이리듐 (III) 산칼륨

(0.005 ％ KCl 20 ％ 수용액) 5 ㎖

헥사클로로로듐산암모늄

(0.001 ％ NaCl 20 ％ 수용액) 7 ㎖

＜4 액＞

물 100 ㎖

질산은 50 g

＜5 액＞

물 100 ㎖

염화나트륨 13 g

브롬화칼륨 11 g

황혈염 5 mg

그 후, 통상적인 방법에 따라, 플로큐레이션법에 의해 수세했다. 구체적으로는, 온도를 35 ℃ 로 내리고, 황산을 사용하여 할로겐화 은이 침강할 때까지 pH 를 내렸다 (pH 3.6 ± 0.2 의 범위였다). 다음으로, 상청액을 약 3 리터 제거했다 (제 1 수세). 추가로 3 리터의 증류수를 첨가하고 나서, 할로겐화 은이 침강할 때까지 황산을 첨가했다. 재차, 상청액을 3 리터 제거했다 (제 2 수세). 제 2 수세와 동일한 조작을 다시 1 회 반복하고 (제 3 수세), 수세·탈염 공정을 종료했다. 수세·탈염 후의 유제를 pH 6.3, pAg 7.4 로 조정하고, 젤라틴 2.5 g, 벤젠티오술폰산나트륨 10 mg, 벤젠티오술핀산나트륨 3 mg, 티오황산나트륨 15 mg 과 염화금산 10 mg 을 첨가하여 55 ℃ 에서 최적 감도를 얻도록 화학 증감을 실시하고, 안정제로서 1,3,3a,7-테트라아자인덴 100 mg, 방부제로서 프록셀 (상품명, ICICo., Ltd. 제조) 100 mg 을 첨가했다. 최종적으로 얻어진 유제는, 요오드화은을 0.08 몰％ 함유하고, 염브롬화은의 비율을 염화은 70 몰％, 브롬화은 30 몰％ 로 하는, 평균 입자경 0.21 ㎛, 변동 계수 9.5 ％ 의 요오드염브롬화은 입방체 입자 유제였다.

(감광성층 형성용 조성물의 조제)

상기 유제에 1,3,3a,7-테트라아자인덴 1.2 × 10^-4몰/몰Ag, 하이드로퀴논 1.2 × 10^-2몰/몰Ag, 시트르산 3.0 × 10^-4몰/몰Ag, 2,4-디클로로-6-하이드록시-1,3,5-트리아진나트륨염 0.90 g/몰Ag, 미량의 경막제를 첨가하고, 시트르산을 사용하여 도포액 pH 를 5.6 으로 조정했다.

상기 도포액에, 함유하는 젤라틴에 대해, 상기 서술한 일반식 (1) 로 나타내는 폴리머의 구체예 중, (P-1) 로 나타내는 폴리머와 디알킬페닐 PEO 황산에스테르로 이루어지는 분산제를 첨가했다. 또한, 가교제의 첨가량은, 후술하는 할로겐화 은 함유 감광성층 중에 있어서의 가교제의 양이 0.09 g/㎡ 가 되도록 조정했다. 이상과 같이 하여 감광성층 형성용 조성물을 조제했다.

또한, (P-1) 로 나타내는 폴리머는, 일본 특허공보 제3305459호 및 일본 특허공보 제3754745호를 참조하여 합성했다.

(감광성층 형성 공정)

100 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (투명 기체 (12)) 에 상기 폴리머 라텍스를 도포하여, 두께 0.05 ㎛ 의 하도층을 형성했다.

다음으로, 하도층 위에, 상기 폴리머 라텍스와 젤라틴을 혼합한 할로겐화 은 불함유층 형성용 조성물을 도포하여, 두께 1.0 ㎛ 의 할로겐화 은 불함유층을 형성했다. 또한, 폴리머와 젤라틴의 혼합 질량비 (폴리머/젤라틴) 는 2/1 이며, 폴리머의 함유량은 0.65 g/㎡ 였다.

다음으로, 할로겐화 은 불함유층 상에, 상기 감광성층 형성용 조성물을 도포하고, 두께 2.5 ㎛ 의 할로겐화 은 함유 감광성층을 형성했다. 또한, 할로겐화 은 함유 감광층 중의 폴리머의 함유량은 0.22 g/㎡ 였다.

다음으로, 할로겐화 은 함유 감광성층 상에, 상기 폴리머 라텍스와 젤라틴을 혼합한 보호층 형성용 조성물을 도포하여, 두께 0.15 ㎛ 의 보호층을 형성했다. 또한, 폴리머와 젤라틴의 혼합 질량비 (폴리머/젤라틴) 는 0.1/1 이며, 폴리머의 함유량은 0.015 g/㎡ 였다.

(노광·현상 처리)

상기에서 제작한 감광성층에, 도전부/비도전부가 4.0 ㎛/296 ㎛ 의 정방 격자가 2 개 병렬로 늘어선 도전 패턴을 부여하는 정방 격자상의 포토마스크를 개재하여 고압 수은 램프를 광원으로 한 평행광을 이용하여 노광했다 (이하, 적절히, 메시 패턴 전극 (42) 이라고 부른다). 메시 패턴 전극 (42) 의 모식도를 도 10A 에 나타낸다. 메시 패턴 전극 (42) 은, 2 개의 단자 (44a) 및 단자 (44b) 간에 20 개의 정방 격자 (46) 가 일방향으로 접속된 2 개의 전극 패턴 (48) 이 병렬로 접속된 구성을 갖는다. 즉, 메시 패턴 전극 (42) 은, 합계 40 개의 정방 격자 (46) 로 구성되어 있다. 또한, 각 전극 패턴 (48) 의 중앙에 그려진 점들은, 정방 격자 (46) 가 반복되어 있는 것을 나타낸다. 전극 패턴 (48) 간의 간격은 5 mm, 단자 (44a) 및 단자 (44b) 간의 거리는 85 mm 이다. 또, 도 10B 에 나타내는 바와 같이, 정방 격자 (46) 를 구성하는 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 은 4 ㎛, 정방 격자 (46) 의 금속 세선 (24) 간의 거리 (광 투과부의 한 변의 길이) 는 296 ㎛ 이다.

노광 후, 하기의 현상액으로 현상하고, 추가로 정착액 (상품명 ： CN16X 용 N3X-R ： 후지 필름사 제조) 을 사용하여 정착 처리를 실시한 후, 순수 (純水) 로 린스하고, 그 후 건조시켜, 두께 (tc) 가 2.5 ㎛ 의 메시 패턴 전극 (42) 을 갖는 시료 (이하, 메시 시료라고 한다) 를 얻었다. 도통 시험은, 메시 패턴 전극 (42) 의 단자 (44a) 및 단자 (44b) 에 테스터를 대어, 배선 저항을 측정함으로써 실시했다.

또한, 광 반사 특성 측정용에, 다른 상기에서 제작한 감광성층에 포토마스크를 사용하지 않고 노광을 실시하고, 그 후, 상기 메시 패턴 전극 (42) 과 동일한 현상, 정착, 린스, 건조 처리를 실시하여, 패턴이 없는 시료 (이하, 베타 시료라고 한다) 를 제작했다.

(현상액의 조성)

현상액 1 리터 (ℓ) 중에, 이하의 화합물이 포함된다.

하이드로퀴논 0.037 mol/ℓ

N-메틸아미노페놀 0.016 mol/ℓ

메타붕산나트륨 0.140 mol/ℓ

수산화나트륨 0.360 mol/ℓ

브롬화나트륨 0.031 mol/ℓ

메타중아황산칼륨 0.187 mol/ℓ

(젤라틴 분해 처리)

얻어진 메시 시료 및 베타 시료를, 각각 차아염소산나트륨 0.36 mM (mmol/ℓ) 수용액에 90 초간 침지했다. 침지 후, 순수로 린스했다.

(환원 처리)

이하의 환원 처리액 중에 메시 시료 및 베타 시료를 360 초간 침지하고, 침지 후, 순수로 세정하여, 건조시켰다.

＜환원 처리액의 조성＞

환원 처리액 1 리터 (ℓ) 중에, 이하의 화합물이 포함된다.

하이드로퀴논 0.20 mol/ℓ

수산화칼륨 0.45 mol/ℓ

탄산칼륨 0.24 mol/ℓ

(캘린더 처리)

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.28 ㎛, Sm = 1.87 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (스테인리스판) 을 사용하고, 이 금속판 (32A) 에, 6 cm 폭의 메시 시료를 올리고, 표면이 경면 가공된 금속 롤러 (직경 95 mm) 와 수지제의 롤러 (직경 95 mm) 의 조합에 의한 캘린더 장치를 사용하여, 잭압 11.4 MPa 의 압력을 가하고, 120 mm/분의 속도로 반송하여, 캘린더 처리를 실시했다. 베타 시료에 대해서도 동일하게 하여 캘린더 처리를 실시했다.

(가열 처리)

120 ℃ 의 과열 증기조에, 메시 시료 및 베타 시료를 130 초간 처리했다. 이로써, 실시예 1 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

［각종 평가］

(표면 형상 평가)

캘린더 처리에서 사용하는 매트 부재 (32) (금속판 (32A), 수지 필름 (32B)) 및 베타 시료의 표면 형상 (Ra 및 Sm) 은, 이하와 같이 하여 측정했다.

먼저, KEYENCE 사 제조 초심도 형상 측정 현미경 VK8550 을 사용하여, 대물렌즈 100 배로, 매트 부재 (32) 및 베타 시료의 평균적인 임의의 장소를 5 시야 촬영했다. 다음으로, 동 현미경의 형상 해석 어플리케이션을 사용하여, 1 시야당 2 지점의 수평선 (147 ㎛) 의 선 조도 (JIS-B-0601-1994) 를 구하고, 각각 최소치와 최대치를 제외한 합계 8 지점의 평균치를 매트 부재 (32) 및 베타 시료의 선 조도로 했다. Ra 는 상기에 의해 측정한 시료의 산술 평균 조도이고, Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격이다. 또한, 조도 측정에 있어서는, 필요에 따라 시료의 기울기 보정은 실시했지만, 조도 곡선의 컷오프치의 설정 및 스무딩은 하지 않았다.

(체적율 평가)

베타 시료의 금속 체적율을, 다음과 같이 하여 측정했다. 먼저, 베타 시료를 가로 세로 1 cm 사이즈로 타발하고, 타발한 베타 시료를 10 ％ 황산 150 cc 와 황산세륨 4 수화물 8 g, 순수 300 cc 를 혼합한 용액 100 cc 에 침지하고, 실온에서 30 분간 교반했다. 베타 시료가 완전히 탈색된 것을 확인하고, 은이 용출된 용액 중의 은량을 ICP 질량 분석 장치 (시마즈 제작소사 제조 ICPM-8500) 로 정량하고, 도막 중의 단위 면적당 은량 W［g/㎡］를 구했다.

다음으로, 베타 시료를 미크로톰으로 절삭하고, 주사형 전자 현미경 (SEM ； 닛폰 전자 주식회사 제조, JSM-6500F) 을 사용하여, 절삭면을 관찰했다. 임의의 10 시야를 관찰하고, 은층의 평균 두께 H［m］를 측정했다.

베타 시료의 은층 중의 단위 체적당 은 중량은 W/H［g/㎥］로 계산된다. 은층이 공극이나 유기물을 포함하지 않는 경우에는, 체적율 100 ％ 에서, 금속 은의 밀도 10.49 × 10^-6 g/c㎥ (에센셜 화학 사전, 1999 년, 주식회사 토쿄 화학 동인) 가 되는 점에서, 은층 중의 은의 체적율을, W/H/(10.49 × 10^-6) × 100［％］로 계산했다.

(광학 특성 평가)

＜정반사율＞

베타 시료의 정반사율은, 이하와 같이 하여 측정했다. 먼저, 닛폰 분광사 제조 자외 가시 분광 광도계 V660 (1 회 반사 측정 유닛 SLM-736) 을 사용하여, 측정 파장 350 nm 내지 800 nm, 입사각 5 도에서 반사 스펙트럼을 측정했다. 또한, 알루미늄 증착 평면경의 정반사광을 베이스 라인으로 했다. 얻어진 반사 스펙트럼으로부터 XYZ 표색계 D65 광원 2 도 시야의 Y 값 (등색 함수 JIS Z9701-1999) 을, 닛폰 분광사 제조 색채 계산 프로그램을 사용하여 계산하고, 정반사율로 했다.

정반사율이 3 ％ 미만의 경우, 메시 패턴 전극 (42) 의 금속 세선 (24) 이 잘 보이지 않기 때문에 바람직하고, 또한, 정반사율이 1 ％ 미만의 경우에는, 금속 세선 (24) 이 매우 시인하기 어려워지기 때문에, 보다 바람직하다. 정반사율이 3 ％ 이상이 되면, 금속 세선 (24) 이 두드러지게 보이기 때문에, 실용상 바람직하지 않다.

＜전체 광 반사율＞

베타 시료의 전체 광 반사율은, 이하와 같이 하여 측정했다. 먼저, 닛폰 분광사 제조 자외 가시 분광 광도계 V660 (적분구 유닛 ISV-722) 을 사용하여, 측정 파장 350 nm 내지 800 nm 에서, 정반사광 및 확산광으로 이루어지는 전체 광 반사의 스펙트럼을 측정했다. 또한, 라브스페아사 제조 스펙트라론 TM 을 표준 백판으로서 사용하여, 베이스 라인으로 했다. 얻어진 반사 스펙트럼으로부터 XYZ 표색계 D65 광원 2 도 시야의 Y 값 (등색 함수 JIS Z9701-1999) 을, 닛폰 분광사 제조 색채 계산 프로그램을 사용하여 계산하고, 전체 광 반사율로 했다.

＜패턴의 잘 보이지 않음＞

메시 시료의 캘린더 처리면을, 50 ㎛ 의 투명 광학 점착 필름 (3M 사 제조, 8146-2) 으로 백판 유리에 첩합 (貼合) 하고, 또한, 메시 시료의 다른 일방의 면에, 100 ㎛ 의 PET 필름을 동(同) 50 ㎛ 투명 광학 점착 필름으로 첩합했다. 유리 및 PET 필름으로 사이에 둔 메시 시료를, 금속 세선 (24) 이 겉으로 향하도록, 즉, 유리면이 위가 되도록, 흑색의 지면에 두고, 형광등하 및 태양광하에 있어서, 광이 닿는 방향과 패턴을 관찰하는 방향을 변경하여, 종합적으로 패턴의 잘 보이지 않음을 평가했다.

「A」： 메시 패턴을 시인하기 어려워, 실용상 문제가 없는 경우

「B」： 강한 광원 (태양광하) 하에서, 각도에 따라서는 메시 패턴이 눈에 띄는 경우가 있지만, 실용상 문제가 없는 경우

「C」： 약한 광원 (형광등하) 하에서도, 각도에 따라서는 메시 패턴이 눈에 띄는 경우가 있지만, 실용상 문제가 없는 경우

「D」： 메시 패턴에서의 광 반사가 눈에 띄어, 실질적인 손해를 일으키는 경우

(도통 평가)

메시 패턴 전극 (42) 의 배선 전기 저항은, 디지털 멀티 미터 (PICOTEST 사 제조 M3500) 를 사용하여 측정했다. 도 10A 에 나타내는 메시 패턴 전극 (42) 을 각 5 수준 준비하고, 저항치의 평균치를 메시 패턴 전극 (42) 의 배선 전기 저항으로 했다. 얻어진 저항치를, 캘린더 처리를 하지 않은 비교예 1 의 배선 전기 저항치로 나누어, 비교예 1 에 대한 비로서 평가했다. 여기서, 평가 「D」 의 경우에는, 해당 시료가 투명 도전막으로서의 기능, 즉, 가시광선을 투과하고, 또한, 전기적 도통이 있는 것을 달성하고 있지 않기 때문에, 투명 도전막이 아니라고 판정했다.

「A」： 비교예 1 의 메시 배선 전기 저항의 0.4 배 이하인 경우

「B」： 비교예 1 의 메시 배선 전기 저항의 1.0 배 이하인 경우

「C」： 비교예 1 의 메시 배선 전기 저항의 1.0 배보다 큰 경우

「D」： 저항이 높아, 측정 불능인 경우

(밀착성 평가)

베타 시료를 사용하여, JIS-K-5600 에 준거한 크로스컷법으로 밀착성을 평가했다. 이하의 기준에 따라, 평가했다.

「A」： 박리가 생기지 않은 경우

「D」： 박리가 생긴 경우

＜실시예 2＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.23 ㎛, Sm = 2.16 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 2 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 3＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.20 ㎛, Sm = 2.21 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 3 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 4＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 1.29 ㎛, Sm = 11.54 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 4 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 5＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 1.08 ㎛, Sm = 12.32 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 5 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 6＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 1.82 ㎛, Sm = 13.91 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 6 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 7＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 1.27 ㎛, Sm = 15.58 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 7 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 8＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.23 ㎛, Sm = 1.89 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 8 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 9＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.72 ㎛, Sm = 5.54 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 9 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 10＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.60 ㎛, Sm = 4.30 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 10 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 11＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.27 ㎛, Sm = 5.29 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 11 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 12＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.49 ㎛, Sm = 4.86 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 12 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 13＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.57 ㎛, Sm = 7.33 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 13 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 14＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.64 ㎛, Sm = 3.41 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 14 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜실시예 15＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 1.41 ㎛, Sm = 4.89 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 15 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 1＞

캘린더 처리를 실시하지 않은 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 1 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 2＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.03 ㎛, Sm = 0.86 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 2 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 3＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.15 ㎛, Sm = 1.91 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 3 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 4＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.13 ㎛, Sm = 1.90 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 4 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 5＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.11 ㎛, Sm = 2.28 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 5 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 6＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.15 ㎛, Sm = 2.19 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 6 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 7＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.49 ㎛, Sm = 4.07 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 7 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 8＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.32 ㎛, Sm = 3.67 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 8 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 9＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.31 ㎛, Sm = 3.19 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 9 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 10＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.59 ㎛, Sm = 4.76 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 10 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 11＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.41 ㎛, Sm = 3.09 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (크롬 도금 처리를 실시한 스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 11 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 12＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.79 ㎛, Sm = 41.13 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 12 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 13＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.38 ㎛, Sm = 13.42 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 13 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

＜비교예 14＞

캘린더 처리용의 매트 부재 (32) 로서, Ra = 0.28 ㎛, Sm = 8.04 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 금속판 (32A) (스테인리스판) 을 사용한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 14 에 관련된 메시 시료와 베타 시료를 얻었다.

(평가 결과)

실시예 1 ∼ 15 그리고 비교예 1 ∼ 14 의 내역 및 평가 결과를 하기 표 3 에 나타낸다. 또한, 표 3 에서는, 단위［㎛］를［um］로 표기했다.

표 3 으로부터, 실시예 1 ∼ 15 는, 모두 배선 전기 저항비, 밀착성, 패턴 잘 보이지 않음이 양호했다. 특히, 실시예 1, 2, 8 ∼ 10, 12 ∼ 14 는, 배선 전기 저항비, 밀착성, 패턴 잘 보이지 않음이 모두 「A」 평가로, 매우 양호했다. 전반적으로, 매트 부재 (32) 로서, 수지 필름 (32B) (PET 필름) 을 사용한 실시예 8 ∼ 15 의 특성이 양호했다. 예를 들어 매트 부재 (32) 로서, 금속판 (32A) 을 사용한 실시예 3 은, 정반사율이 1.2 ％ 로, 패턴 잘 보이지 않음의 평가가 「B」, 동 금속판 (32A) 을 사용한 실시예 4 는, 정반사율이 2.3 ％ 로, 패턴 잘 보이지 않음의 평가가 「C」 였다. 이에 대하여, 매트 부재 (32) 로서, 수지 필름 (32B) 을 사용한 예를 들어 실시예 11 은, 정반사율이 2.8 ％ 에도 불구하고 패턴 잘 보이지 않음의 평가가 「B」 였다. 실시예 4 ∼ 7 에 대해서는, 매트 부재 (32) 의 표면 형상의 Sm 이 금속 세선의 선폭 (4 ㎛) 을 초과하고, 베타 시료의 표면 형상의 Sm 이 4 ㎛ 를 초과하고 있던 점에서, 패턴 잘 보이지 않음이 「C」 평가였지만, 실용상 문제는 없다. 또, 실시예 4 ∼ 7 은, 매트 부재 (32) 의 표면 형상의 Ra 가 캘린더 처리 전에 있어서의 금속 세선 (24) 의 두께 (tc) (= 2.5 ㎛) 의 1/6 (= 약 0.42 ㎛) 을 초과하고 있는 점에서, 배선 전기 저항비가 「B」 평가였지만, 비교예 1 보다 전기 저항이 저하되고 있어, 양호했다.

또, 배선 전기 저항비의 평가는, 실시예 1 ∼ 3 이 모두 「A」 였지만, 비교예 7 ∼ 11 이 모두 「D」 였다. 패턴의 잘 보이지 않음의 평가는, 실시예 1 및 2 가 모두 「A」, 실시예 3 이 「B」 였지만, 비교예 3 ∼ 6, 12 ∼ 14 가 모두 「D」 였다. 그래서, 도 11 에, 가로축에 금속판의 누름면의 Ra, 세로축에 누름면의 Sm 을 취하고, 대표적으로, 평가가 가장 좋았던 실시예 1 ∼ 3 과, 배선 전기 저항비 및 패턴의 잘 보이지 않음의 평가에 있어서 어느 일방의 평가가 나빴던 비교예 3 ∼ 6, 비교예 7 ∼ 11, 13 및 14 를 플롯한 그래프를 나타낸다. 또한, 비교예 12 는, Sm 이 41.13 으로 높았기 때문에, 플롯을 생략했다. 곡선 Lc 는 Sm = Ra²/0.015 를 나타낸다.

이 점에서, 이하가 판명되었다. 즉, 투명 도전막 (10) 은, 금속 배선부 (14) 중, 메시 패턴 전극 (42) 이 형성된 부분의 표면 형상이 Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키고, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 메시 패턴 전극 (42) 이 형성된 부분의 Sm 이 4 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또, 캘린더 처리에 사용되는 매트 부재 (32) 로서, 금속판 (32A) 을 사용하는 경우에는, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 큰 금속판을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, Sm 이 금속 세선 (24) 의 선폭 (Wb) 이하이며, Ra 가 캘린더 처리 전의 금속 세선 (24) 의 두께 (tc) 의 1/6 이하이며, 또한, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 큰 금속판을 사용하는 것이 바람직하다.

한편, 캘린더 처리에 사용되는 매트 부재 (32) 로서, 수지 필름 (32B) 을 사용한 경우에는, 표면 형상의 Ra 가 0.15 ㎛ 보다 큰 수지 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또, Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 보다 큰 수지 필름을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 서술한 실시예에서는, 매트 부재 (32) 를 사용하여 캘린더 처리를 실시한 경우에서의 평가를 나타냈지만, 매트 부재 (32) 를 사용하지 않고, 표면이 조면 가공된 금속 롤러와 표면이 경면 가공된 수지 롤러의 조합에 의한 캘린더 장치를 사용한 경우에 있어서도 동일한 평가를 얻을 수 있었다. 이 경우의 캘린더 처리는, 메시 시료 및 베타 시료를, 잭압 11.4 MPa 의 압력을 가하고, 120 mm/분의 속도로 반송하여, 캘린더 처리를 실시했다. 이 때, 메시 시료 및 베타 시료의 금속부가 금속 롤러에 접촉하도록 하여 캘린더 처리했다. 또한, 금속 롤러의 표면 특성 평가는, 금속 롤러의 단부 표면을 현미경의 스테이지에 실리는 크기로 절삭하여 실시했다.

제조용의 금속 롤러는, 절삭함으로써 사용할 수 없게 되어 버리기 때문에, 절삭에 의한 평가가 실질적으로 불가능하지만, 이하의 방법으로 표면 형상을 필름에 전사하고, 필름의 표면 형상을 평가함으로써, 금속 롤러의 표면 형상 (표면 조도) 을 측정하는 것이 가능하다.

먼저, 두께 40 ㎛ 의 트리아세틸셀룰로오스 필름 (이하, TAC 라고 기재한다) 을 아세톤에 5 초간 침지한다. 아세톤에 침지한 그 TAC 를 금속 롤러에 기포가 들어가지 않도록 가만히 씌워, 자연 건조시킨다. 건조 후, 천천히 그 TAC 를 벗겨 내면, TAC 에 금속 롤러의 표면 형상이 전사된다. 실시예 1 의 표면 형상 평가의 방법과 동일하게 하여, 레이저 현미경으로 그 TAC 의 전사면의 표면 조도를 측정하면, 금속 롤러의 표면 조도가 구해진다. 그 TAC 의 전사면의 표면 조도 Ra 와 Sm 은, 전사원의 금속 롤러의 표면 조도 Ra 및 Sm 과 완전히 일치하여, 특별히 값의 보정의 필요는 없다.

［제 2 실시예］

실시예 16, 17 및 비교예 15 에 대해, 지지체의 표면 형상을 변경하여, 각종 특성의 평가를 실시했다. 실시예 16, 17 및 비교예 15 의 내역 및 평가 결과를 후술하는 표 4 에 나타낸다. 또한, 표 4 에 있어서도, 단위［㎛］를 ［um］로 표기했다.

＜실시예 16＞

(1. 환원된 금속 입자를 포함하는 도금 하도 폴리머층의 형성)

［도금 하도 폴리머층 형성용 조성물의 조제］

아크릴 폴리머 ： 7.1 질량％, 1-메톡시-2프로판올 73 질량％, 물 19.9 질량％ 의 혼합 용매에 용해시킨 용액에, 추가로 광 중합 개시제 (에사큐어 KTO-46, 란 베루디사 제조) ： 0.35 질량％ 를 첨가, 교반하여, 도금 하도 폴리머 용액을 조제했다.

얻어진 도금 하도 폴리머 용액을, Ra = 0.23 ㎛, Sm = 1.89 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 PET 필름 (후지 필름 주식회사 제조) 에, 두께 약 0.55 ㎛ 가 되도록, 바 코트법에 의해 도포하고, 실온에서 10 분, 및 80 ℃ 에서 5 분간 건조시킨 후, UV 조사 장치 (GS 유아사사 제조, 메탈 할라이드 램프) 에 의해, 254 nm 의 파장에 있어서 1000 mJ/c㎡, UV 노광했다. 메시 패턴 전극의 제작에 있어서는, UV 노광 시에, 메시 패턴 마스크를 사용했다.

얻어진 도금 하도 폴리머가 도포된 PET 필름 기판은, 1 질량％ 의 탄산수소나트륨 수용액에 5 분간 침지 후에 순수로 1 분간 뿌려서 세정을 실시하여, 미반응 폴리머를 제거했다.

(2. 금속 전구체의 부여)

도금 금속 전구체를 포함하는 용액으로서, 질산은의 1 질량％ 수용액을 조정했다. 상기 공정에서 얻어진 도금 하도 폴리머가 도포된 PET 필름 기판을, 조정한 금속 전구체액에 5 분간 침지 후, 순수로 1 분간 뿌려서 세정을 실시하여, 금속 전구체의 부여를 실시했다.

(3. 금속 전구체의 환원)

환원액으로서, 포름알데히드 0.25 질량％, 수산화나트륨 0.14 질량％ 의 혼합 수용액을 조정했다. 상기 공정에서 얻어진 금속 전구체가 부여된 PET 필름 기판을, 조정한 환원액에 1 분간 침지 후, 순수로 1 분간 뿌려서 세정을 실시하여, 금속 전구체의 환원을 실시했다.

(4. 전기 도금)

전기 도금 전처리로서, 상기 공정에서 얻어진 환원 금속을 표면에 갖는 PET 필름 기판을, 다인 클리너 AC100 (다이와 화성사 제조) 의 10 질량％ 수용액에 30 초간 침지 후, 순수로 1 분간 뿌려서 세정했다. 계속해서 동일하게 전기 도금 전처리로서, 다인 실버 ACC (다이와 화성사 제조) 의 10 질량％ 수용액에 10 초 침지 후, 순수로 1 분간 뿌려서 세정했다.

전기 도금액으로서, 다인 실버 브라이트 PL50 (다이와 화성사 제조) 을 사용하여, 8 M 수산화칼륨에 의해 pH 9.0 으로 조정했다. 상기 전처리 완료된 환원 금속을 표면에 갖는 PET 필름 기판을, 전기 도금액에 침지하고, 0.5 A/d㎡, 로 20 초간 도금하고, 순수로 1 분간 뿌려서 세정했다.

전기 도금 후처리로서, 도금 후의 PET 필름 기판을, 다인 실버 ACC (다이와 화성사 제조) 의 10 질량％ 수용액에 90 초간 침지 후, 순수로 1 분간 뿌려서 세정했다.

이렇게 하여, 은층의 두께가 200 nm 의 베타 시료와 메시 시료를 얻었다. 실시예 1 과 마찬가지로 평가를 실시한 결과, 베타 시료의 정반사율은 2.1 ％, 금속부의 Ra = 0.18 ㎛, Sm = 2.21 ㎛, 금속 체적율 = 97 ％, 메시 시료의 배선 전기 저항비는 A, 밀착성은 A, 패턴 잘 보이지 않음은 C 였다.

＜실시예 17＞

닛폰 전자 제조 JEE-400 형 진공 증착 장치를 사용하여, Ra = 0.23 ㎛, Sm = 1.89 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 PET 필름 (카이세이 공업 주식회사 제조) 위에, 은을 두께 200 nm 증착 처리했다.

실시예 1 과 마찬가지로 평가를 실시한 결과, 베타 시료의 정반사율은 3.4 ％, 금속부의 Ra = 0.17 ㎛, Sm = 2.42 ㎛, 금속 체적율 = 97 ％, 메시 시료의 배선 전기 저항비는 A, 밀착성은 A, 패턴 잘 보이지 않음은 C 였다.

＜비교예 15＞

실시예 16 에 있어서, Ra = 0.23 ㎛, Sm = 1.89 ㎛ 의 표면 형상을 갖는 PET 필름 대신에, 평활면 (Ra = 0.03 ㎛, Sm = 0.83 ㎛) 을 갖는 PET 필름 (후지 필름사 제조) 을 사용한 것 이외는, 실시예 16 과 동일하게 하여, 은층의 두께가 200 nm 의 베타 시료와 메시 시료를 얻었다.

실시예 1 과 마찬가지로 평가를 실시한 결과, 베타 시료의 정반사율은 73.3 ％, 금속부의 Ra = 0.04 ㎛, Sm = 1.10 ㎛, 금속 체적율 = 97 ％, 메시 시료의 배선 전기 저항비는 A, 밀착성은 A, 패턴 잘 보이지 않음은 D 였다.

표 4 로부터, 실시예 16 및 17 은, 배선 전기 저항비 및 밀착성이 모두 「A」 평가로, 양호했다. 다만, 정반사율이 2.1 ％ 및 3.4 ％ 로, 상기 서술한 제 1 실시예의 실시예 4 등과 동일했기 때문에, 패턴 잘 보이지 않음이 「C」 평가였지만, 실용상 문제는 없다. 지지체 상에 금속막을 도금으로 형성하는 경우 (실시예 16) 와 증착으로 형성하는 경우 (실시예 17) 는, 도금으로 형성한 경우가, 정반사율이 낮았다.

평활면에 금속막을 형성한 비교예 15 는, 금속막을 도금으로 형성했음에도 불구하고, 정반사율이 73.3 ％ 로 매우 높아, 패턴의 잘 보이지 않음이 「D」 평가였다.

이와 같이, 표면에 요철을 갖는 지지체 상에 금속 배선부를 형성한 경우에 있어서도, 상기 서술한 제 1 실시예의 실시예 3 이나 실시예 4 등과 거의 동일한 특성이 실현되고 있는 것을 알 수 있다. 또, 실시예 16 및 17 과 비교예 15 로부터, 표면에 요철을 갖는 지지체 상에 금속 배선부를 형성함으로써, 평활면에 금속막을 형성하는 경우보다 시인성이 우수한 것을 알 수 있었다.

또한, 본 발명에 관련된 투명 도전막, 투명 도전막의 제조 방법, 터치 패널 및 표시 장치는, 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하는 일 없이, 여러 가지의 구성을 채용할 수 있는 것은 물론이다.

Claims

지지체 (12) 와, 그 지지체 (12) 상에 형성된 금속 배선부 (14) 를 갖는 투명 도전막에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 일부가, Ra²/Sm ＞ 0.01 ㎛ 를 만족시키는 표면 형상을 가지며, 또한, 금속 체적율이 35 ％ 이상이며,
상기 Ra 는 산술 평균 조도를 나타내고, 표면 조도를 측정한 지점의 금속 세선 (24) 의 두께 이하로서, 단위가 ㎛ 이며,
상기 Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격으로서, 0.01 ㎛ 이상이고,
상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 일부는, 상기 금속 세선 (24) 으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 상기 일부의 Sm 이 4 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 상기 일부의 표면의 정반사율과 이면의 정반사율의 차가 3 ％ 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 일부는, 상기 금속 세선 (24) 에 의한 메시 패턴 (28) 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제 1 항에 있어서,
상기 지지체 (12) 상에 은염 유제층을 갖는 감광 재료를 노광 처리하는 노광 공정과,
노광 후의 상기 은염 유제층을 현상 처리하고, 상기 지지체 (12) 상에 금속 은부에 의한 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함하는 투명 도전막의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
지지체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성하는 공정과,
표면 (30) 에 요철을 갖는 금속 부재 (32) 를, 상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 일부에 누르는 캘린더 공정을 가지며,
상기 금속 부재 (32) 의 상기 표면 (30) 의 형상은, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 크고,
상기 Ra 는 산술 평균 조도를 나타내고, 표면 조도를 측정한 지점의 금속 세선 (24) 의 두께 이하로서, 단위가 ㎛ 이며,
상기 Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격으로서, 0.01 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 는, 적어도 일부에, 상기 금속 세선 (24) 에 의한 메시 패턴 (28) 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
지지체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성하는 공정과,
표면 (30) 에 요철을 갖는 금속 부재 (32) 를, 상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 일부에 누르는 캘린더 공정을 가지며,
상기 금속 부재 (32) 의 상기 표면 (30) 의 형상은, Sm 이 상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 상기 일부를 구성하는 금속 세선 (24) 의 선폭 이하이고, Ra 가 상기 금속 세선 (24) 의 캘린더 공정 전의 두께의 1/6 이하이며, 또한, Ra²/Sm 이 0.015 ㎛ 보다 크고,
상기 Ra 는 산술 평균 조도를 나타내고, 표면 조도를 측정한 지점의 금속 세선 (24) 의 두께 이하로서, 단위가 ㎛ 이며,
상기 Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격으로서, 0.01 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 는, 적어도 일부에, 상기 금속 세선 (24) 에 의한 메시 패턴 (28) 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
지지체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성하는 공정과,
표면 (30) 에 요철을 갖는 수지 필름 (32B) 을, 상기 금속 배선부 (14) 의 적어도 일부에 공반송에 의해 누르는 캘린더 공정을 가지며,
상기 수지 필름 (32B) 의 상기 표면 (30) 의 형상은, Ra 가 0.15 ㎛ 보다 크고,
상기 Ra 는 산술 평균 조도를 나타내고, 표면 조도를 측정한 지점의 금속 세선 (24) 의 두께 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 수지 필름 (32B) 의 상기 표면 (30) 의 형상은, 추가로, Ra²/Sm 이 0.01 ㎛ 보다 크고,
상기 Sm 은 요철의 볼록간의 평균 간격으로서, 0.01 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 는, 적어도 일부에, 상기 금속 세선 (24) 에 의한 메시 패턴 (28) 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
표면 (12a) 에 요철을 갖는 지지체 (12) 상에 금속 배선부 (14) 를 형성하는 공정을 가지며,
상기 지지체 (12) 의 상기 표면 (12a) 의 형상은, Ra 가 0.15 ㎛ 보다 크고, 또한, Ra²/Sm 이 0.02 ㎛ 보다 크고,
상기 Ra 는 산술 평균 조도를 나타내고, 표면 조도를 측정한 지점의 금속 세선 (24) 의 두께 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 지지체 (12) 상에 상기 금속 배선부 (14) 를 형성하는 공정은, 금속을 상기 지지체 (12) 의 상기 표면 (12a) 상에 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 지지체 (12) 상에 상기 금속 배선부 (14) 를 형성하는 공정은, 금속을 상기 지지체 (12) 의 상기 표면 (12a) 상에 도금 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 금속 배선부 (14) 는, 적어도 일부에, 상기 금속 세선 (24) 에 의한 메시 패턴 (28) 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법.