JPWO2020158494A1 - 導電性基板の製造方法、導電性基板 - Google Patents
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Abstract
導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板の製造方法、および、導電性基板を提供する。導電性基板の製造方法は、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程Ａと、ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属ゼラチンと高分子とを含む線幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程Ｂと、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程Ｃと、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程Ｄと、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程Ｅと、を有し、導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である。
Description
本発明は、導電性基板の製造方法、および、導電性基板に関する。
導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子など種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。
導電性基板の製造方法としては、特許文献１において、ハロゲン化銀を含む感光性層に、露光処理、および、現像処理などを順次実施して、金属銀を含む導電性細線を形成する方法が開示されている。
導電性基板の製造方法としては、特許文献１において、ハロゲン化銀を含む感光性層に、露光処理、および、現像処理などを順次実施して、金属銀を含む導電性細線を形成する方法が開示されている。
一方で、近年、導電性細線のより一層の細線化が求められている。
本発明者は、特許文献１に開示される方法に従って、幅がより低減された（例えば、幅が２．０μｍ以下）導電性細線の形成を試みたところ、得られた導電性細線の導電性が不十分であることを知見した。
本発明者は、特許文献１に開示される方法に従って、幅がより低減された（例えば、幅が２．０μｍ以下）導電性細線の形成を試みたところ、得られた導電性細線の導電性が不十分であることを知見した。
本発明は、上記実情に鑑みて、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板を提供することも課題とする。
また、本発明は、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板を提供することも課題とする。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
（１） 支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程Ａと、
ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含み、幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程Ｂと、
工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程Ｃと、
工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程Ｄと、
工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程Ｅと、
を有し、
導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である、導電性基板の製造方法。
（２） ハロゲン化銀が、球相当径で１０〜２００ｎｍの粒子である、（１）に記載の導電性基板の製造方法。
（３） めっき処理が、銀めっき処理または銅めっき処理である、（１）または（２）に記載の導電性基板の製造方法。
（４） めっき処理が、銀めっき処理である、（３）に記載の導電性基板の製造方法。
（５） 支持体が、その表面上に、ハロゲン化銀を含まず、ゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含み、厚みが１．０μｍ超であるハロゲン化銀不含有層を有する、（１）〜（４）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（６） 工程Ｃが、工程Ｂで得られた銀含有層と過熱蒸気とを接触させる工程である、（１）〜（５）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（７） 工程Ｅで得られた導電性細線に、平滑化処理を施す工程Ｆをさらに有する（１）〜（６）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（８） 工程Ｆの後に、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇをさらに有する、（７）に記載の導電性基板の製造方法。
（９） 支持体と、
支持体上に配置された、高分子および金属を含有する導電性細線と、を有し、
導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下であり、
垂直断面において、金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．４０超である、導電性基板。
（１０） 導電性細線によってメッシュパターンが形成されている、（９）に記載の導電性基板。
（１１） メッシュパターンの開口率が９５．００％以上である、（１０）に記載の導電性基板。
ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含み、幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程Ｂと、
工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程Ｃと、
工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程Ｄと、
工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程Ｅと、
を有し、
導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である、導電性基板の製造方法。
（２） ハロゲン化銀が、球相当径で１０〜２００ｎｍの粒子である、（１）に記載の導電性基板の製造方法。
（３） めっき処理が、銀めっき処理または銅めっき処理である、（１）または（２）に記載の導電性基板の製造方法。
（４） めっき処理が、銀めっき処理である、（３）に記載の導電性基板の製造方法。
（５） 支持体が、その表面上に、ハロゲン化銀を含まず、ゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含み、厚みが１．０μｍ超であるハロゲン化銀不含有層を有する、（１）〜（４）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（６） 工程Ｃが、工程Ｂで得られた銀含有層と過熱蒸気とを接触させる工程である、（１）〜（５）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（７） 工程Ｅで得られた導電性細線に、平滑化処理を施す工程Ｆをさらに有する（１）〜（６）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（８） 工程Ｆの後に、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇをさらに有する、（７）に記載の導電性基板の製造方法。
（９） 支持体と、
支持体上に配置された、高分子および金属を含有する導電性細線と、を有し、
導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下であり、
垂直断面において、金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．４０超である、導電性基板。
（１０） 導電性細線によってメッシュパターンが形成されている、（９）に記載の導電性基板。
（１１） メッシュパターンの開口率が９５．００％以上である、（１０）に記載の導電性基板。
本発明によれば、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板の製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板を提供できる。
また、本発明によれば、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板を提供できる。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明の従来技術と比較した特徴点としては、細線化された導電性細線を得る際にめっき処理を実施している点が挙げられる。
従来のハロゲン化銀を用いて導電性基板を製造する方法において、導電性細線の細線化がより進むと得られる導電性細線中での金属量が低くなり、十分な導電性が確保されない
。そこで、本発明者らは、後述する銀含有層からゼラチンを除去した後、めっき処理を実施することにより、ゼラチンが除去された空間に金属（めっき金属）を充填することにより、最終的に得られる導電性細線中における金属量を増加させて、優れた導電性を示す導電性細線を形成している。つまり、本発明者らは従来の方法における細線化の際に生じる問題を初めて見出し、その解決方法を提供している。
従来のハロゲン化銀を用いて導電性基板を製造する方法において、導電性細線の細線化がより進むと得られる導電性細線中での金属量が低くなり、十分な導電性が確保されない
。そこで、本発明者らは、後述する銀含有層からゼラチンを除去した後、めっき処理を実施することにより、ゼラチンが除去された空間に金属（めっき金属）を充填することにより、最終的に得られる導電性細線中における金属量を増加させて、優れた導電性を示す導電性細線を形成している。つまり、本発明者らは従来の方法における細線化の際に生じる問題を初めて見出し、その解決方法を提供している。
本発明の導電性基板の製造方法は、後述する工程Ａ〜工程Ｅをこの順に有する。
以下、各工程について詳述する。
以下、各工程について詳述する。
＜工程Ａ＞
工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子（以下、「特定高分子」ともいう。）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き支持体が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子（以下、「特定高分子」ともいう。）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き支持体が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
（支持体）
支持体は感光性層を支持できれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板、および、金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
支持体の厚みは特に制限されず、２５〜５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、支持体表面をタッチ面として用いる場合は、支持体の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
支持体は感光性層を支持できれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板、および、金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
支持体の厚みは特に制限されず、２５〜５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、支持体表面をタッチ面として用いる場合は、支持体の厚みは５００μｍを超えていてもよい。
支持体を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、アクリルフィルム（１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（２６９℃）、ポリエチレン（１３５℃）、ポリプロピレン（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（２９０℃）などの融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、および、ポリカーボネートがより好ましい。
支持体の全光線透過率は、８５〜１００％が好ましい。
支持体の全光線透過率は、８５〜１００％が好ましい。
支持体の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の支持体に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の支持体に対する密着性がより優れる点で、０．０２〜０．３μｍが好ましく、０．０３〜０．２μｍがより好ましい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の支持体に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の支持体に対する密着性がより優れる点で、０．０２〜０．３μｍが好ましく、０．０３〜０．２μｍがより好ましい。
（ハロゲン化銀）
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、または、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、または、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、または、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、または、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０〜１５０ｎｍがさらに好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上記ハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上記ハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、および、１４面体状などの形状が挙げられる。
（ゼラチン）
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）などを用いてもよい。
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）などを用いてもよい。
（ゼラチンとは異なる高分子）
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体などが挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体などが挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
一般式（１）： −（Ａ）ｘ−（Ｂ）ｙ−（Ｃ）ｚ−（Ｄ）ｗ−
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
一般式（１）： −（Ａ）ｘ−（Ｂ）ｙ−（Ｃ）ｚ−（Ｄ）ｗ−
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
Ｒ1は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０〜２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ2は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。一般式（Ｃ）中、Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（Ｆ）で表される基が好ましい。
一般式（Ｆ）：−（ＣＯ−Ｘ1）ｒ−Ｘ2−
一般式（Ｆ）中、Ｘ1は、酸素原子または−ＮＲ30−を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、および、ｎ−オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子または−ＮＨ−が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｒ31）−、または、−Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2−などが途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１〜６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2−、または、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）−が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
Ｒ2は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。一般式（Ｃ）中、Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（Ｆ）で表される基が好ましい。
一般式（Ｆ）：−（ＣＯ−Ｘ1）ｒ−Ｘ2−
一般式（Ｆ）中、Ｘ1は、酸素原子または−ＮＲ30−を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、および、ｎ−オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子または−ＮＨ−が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｒ31）−、または、−Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2−などが途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１〜６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2−、または、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）−が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
Ｒ4は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５〜５０のアルキル基が好ましく、炭素数５〜３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５〜２０のアルキル基がさらに好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、−ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、−ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、または、−ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
Ｒ6は、水素原子または炭素数１〜８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１〜７０が好ましく、１〜６０がより好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、−ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、−ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、または、−ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
Ｒ6は、水素原子または炭素数１〜８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１〜７０が好ましく、１〜６０がより好ましい。
一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
ｘは、３〜６０モル％であり、３〜５０モル％が好ましく、３〜４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０〜９６モル％であり、３５〜９５モル％が好ましく、４０〜９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５〜２５モル％であり、０．５〜２０モル％が好ましく、１〜２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５〜４０モル％であり、０．５〜３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３〜４０モル％、ｙは４０〜９０モル％、ｚは０．５〜２０モル％、ｗは０．５〜１０モル％の場合が好ましい。
ｘは、３〜６０モル％であり、３〜５０モル％が好ましく、３〜４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０〜９６モル％であり、３５〜９５モル％が好ましく、４０〜９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５〜２５モル％であり、０．５〜２０モル％が好ましく、１〜２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５〜４０モル％であり、０．５〜３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３〜４０モル％、ｙは４０〜９０モル％、ｚは０．５〜２０モル％、ｗは０．５〜１０モル％の場合が好ましい。
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。
一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上記の定義の通りである。
一般式（１）で表される高分子は、上記一般式（Ａ）〜（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０〜００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０〜００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
上記式中、ＬEはアルキレン基を表し、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２〜６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２〜４のアルキレン基がさらに好ましい。
一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。
上記式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、およびｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３〜６０（モル％）、ｂ１は３０〜９５（モル％）、ｃ１は０．５〜２５（モル％）、ｄ１は０．５〜４０（モル％）、ｅ１は１〜１０（モル％）を表す。
ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１〜１０モル％であり、２〜９モル％が好ましく、２〜８モル％がより好ましい。
ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１〜１０モル％であり、２〜９モル％が好ましく、２〜８モル％がより好ましい。
特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報などを参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００〜１００００００が好ましく、２０００〜７５００００がより好ましく、３０００〜５０００００がさらに好ましい。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００〜１００００００が好ましく、２０００〜７５００００がより好ましく、３０００〜５０００００がさらに好ましい。
感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
例えば、ハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物などの８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。または、特開２００９−００４３４８号公報の段落０２２０〜０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。さらには、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
例えば、ハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物などの８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。または、特開２００９−００４３４８号公報の段落０２２０〜０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。さらには、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも導電層中の金属銀同士の連結が保たれる。
（工程Ａの手順）
工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、および、エーテル類）、イオン性液体、および、これらの混合溶媒が挙げられる。
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、および、エーテル類）、イオン性液体、および、これらの混合溶媒が挙げられる。
感光性層形成用組成物と支持体とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を支持体上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に支持体を浸漬する方法などが挙げられる。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
（ハロゲン化銀含有感光性層）
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０〜２０．０ｇ／ｍ2が好ましく、５．０〜１５．０ｇ／ｍ2がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４〜２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８〜０．４０ｇ／ｍ2がより好ましく、０．１０〜０．４０ｇ／ｍ2がさらに好ましい。
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０〜２０．０ｇ／ｍ2が好ましく、５．０〜１５．０ｇ／ｍ2がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４〜２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８〜０．４０ｇ／ｍ2がより好ましく、０．１０〜０．４０ｇ／ｍ2がさらに好ましい。
＜工程Ｂ＞
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと高分子とを含む幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程である。
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと高分子とを含む幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程である。
感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（ｐｈｅｎｉｄｏｎｅ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、ＭＱ（Ｍｅｔｏｌ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（ｐｈｅｎｉｄｏｎｅ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、ＭＱ（Ｍｅｔｏｌ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理をさらに有していてもよい。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、写真工業出版社（株））ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、写真工業出版社（株））ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層を幅２．０μｍ以下で形成できる。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を２．０μｍ以下にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
さらに、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を２．０μｍ以下にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
さらに、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
銀含有層の幅は、２．０μｍ以下であり、形成される導電性細線が視認されにくい点から、１．４μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、０．４μｍ以上が好ましく、０．８μｍ以上がより好ましい。
なお、上記手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
また、支持体上の少なくとも一部の領域に、幅が２．０μｍ以下の銀含有層が形成されればよく、支持体上の他の領域に、上記銀含有層以外の他の金属銀を含む層（例えば、幅が２．０μｍ超の金属銀を含む層）が形成されてもよい。
なお、上記手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
また、支持体上の少なくとも一部の領域に、幅が２．０μｍ以下の銀含有層が形成されればよく、支持体上の他の領域に、上記銀含有層以外の他の金属銀を含む層（例えば、幅が２．０μｍ超の金属銀を含む層）が形成されてもよい。
＜工程Ｃ＞
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、および、温調装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０〜７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００〜６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００〜１６０℃（好ましくは１００〜１２０℃）が好ましい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０〜７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００〜６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００〜１６０℃（好ましくは１００〜１２０℃）が好ましい。
温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００〜２００℃（好ましくは１００〜１５０℃）で１〜２４０分間（好ましくは６０〜１５０分間）加熱する条件が好ましい。
＜工程Ｄ＞
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。
ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチンなどのタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５〜２０質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５〜９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２５〜４５℃が好ましい。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５〜２０質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５〜９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２５〜４５℃が好ましい。
なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０〜８０℃が好ましく、４０〜６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１〜６００秒間が好ましく、３０〜３６０秒間がより好ましい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０〜８０℃が好ましく、４０〜６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１〜６００秒間が好ましく、３０〜３６０秒間がより好ましい。
方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩などが挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩などが挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
方法２における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、および、有機溶媒が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、および、有機溶媒が挙げられる。
＜工程Ｅ＞
工程Ｅは、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を得る工程である。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された空間に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。なお、導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である。
工程Ｅは、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を得る工程である。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された空間に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。なお、導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である。
めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、または、置換めっき）および電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
上記めっき処理の手順は特に制限されず、銀含有層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法が挙げられる。
銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点から、１〜３０分間が好ましい。
銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点から、１〜３０分間が好ましい。
工程Ｅで得られる導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である。なかでも、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。
上記工程Ａ〜Ｅの処理を施すことで、垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗが２．０μｍ以下であり、金属が存在する領域の幅Ｗに対する高さＨの比（Ｈ／Ｗ）が０．４０超の導電性細線を形成することができる。
なお、上記金属が存在する領域の幅の定義および測定方法は、後段で説明する。
上記工程Ａ〜Ｅの処理を施すことで、垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗが２．０μｍ以下であり、金属が存在する領域の幅Ｗに対する高さＨの比（Ｈ／Ｗ）が０．４０超の導電性細線を形成することができる。
なお、上記金属が存在する領域の幅の定義および測定方法は、後段で説明する。
＜工程Ｆ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｅの後に、工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有していてもよい。
本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｅの後に、工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有していてもよい。
本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、導電性細線を有する支持体を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０〜１００℃が好ましく、１０〜５０℃がより好ましい。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０〜１００℃が好ましく、１０〜５０℃がより好ましい。
＜工程Ｇ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｆの後に、さらに、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇを有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｆの後に、さらに、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇを有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。
＜工程Ｈ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電層と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電層と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ以下の場合が多い。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ以下の場合が多い。
＜工程Ｉ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５〜０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５〜０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。
保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３〜０．３μｍが好ましく、０．０７５〜０．２０μｍがより好ましい。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３〜０．３μｍが好ましく、０．０７５〜０．２０μｍがより好ましい。
なお、上述した工程Ｈ、工程Ａおよび工程Ｉは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
＜導電性基板＞
以下に、本発明の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板の構造について説明する。
図１に、本発明の導電性基板の第１実施形態の断面図を示す。
導電性基板１０は、支持体１２と、支持体１２上に配置された導電性細線１４Ａとを含む。なお、図１中は、導電性細線１４Ａが２つ記載されているが、その数は特に制限されない。
図２に、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面を示す。導電性細線の垂直断面とは、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する面で切断した際の断面である。つまり、導電性細線の垂直断面とは、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する方向に沿って、導電性細線１４Ａの表面に垂直な面で切断した際の断面である。
導電性細線１４Ａは、高分子１６と金属１８とを含むが、図２に示すように、高分子１６と、高分子１６中に分散した複数の金属１８とを含む場合が多い。つまり、図２に示すように、金属１８は、導電性細線１４Ａの表面１１４Ａ側近傍の領域または表面２１４Ａ側近傍の領域においては分布量が少なく、導電性細線１４Ａの中間領域付近において分布量が多い傾向がある。金属１８の形状は粒子状には限定されず、例えば、融着して一部または全体にわたって結合している等の形態であってもよい。
以下に、本発明の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板の構造について説明する。
図１に、本発明の導電性基板の第１実施形態の断面図を示す。
導電性基板１０は、支持体１２と、支持体１２上に配置された導電性細線１４Ａとを含む。なお、図１中は、導電性細線１４Ａが２つ記載されているが、その数は特に制限されない。
図２に、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面を示す。導電性細線の垂直断面とは、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する面で切断した際の断面である。つまり、導電性細線の垂直断面とは、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する方向に沿って、導電性細線１４Ａの表面に垂直な面で切断した際の断面である。
導電性細線１４Ａは、高分子１６と金属１８とを含むが、図２に示すように、高分子１６と、高分子１６中に分散した複数の金属１８とを含む場合が多い。つまり、図２に示すように、金属１８は、導電性細線１４Ａの表面１１４Ａ側近傍の領域または表面２１４Ａ側近傍の領域においては分布量が少なく、導電性細線１４Ａの中間領域付近において分布量が多い傾向がある。金属１８の形状は粒子状には限定されず、例えば、融着して一部または全体にわたって結合している等の形態であってもよい。
次に、図２に用いて、導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅および高さについて説明する。
金属１８が存在する領域の幅Ｗとは、図２に示すように、導電性細線１４Ａの垂直断面において、導電性細線１４Ａの幅方向に沿って最も離れている金属１８間の距離に該当する。
また、金属１８が存在する領域の高さＨとは、図２に示すように、導電性細線１４Ａの垂直断面において、導電性細線１４Ａの高さ方向に沿って最も離れている金属１８間の距離に該当する。
導電性細線の垂直断面における金属が存在する領域の幅Ｗは、後述する導電性細線の厚みの測定と同様にできるが、本発明においては、走査型電子顕微鏡により導電性基板表面を観察し、延在する１本の導電性細線を選択して、選択された１本の導電性細線の任意の５箇所を選び、各箇所において導電性細線が延在する方向に２００ｎｍ間隔で金属が存在する領域の幅を２０点測定し、測定された計１００点を算術平均することにより、金属が存在する領域の幅Ｗを求める。つまり、上記で規定する金属が存在する領域の幅Ｗは、平均値に該当する。
なお、上記走査型電子顕微鏡による測定方法としては、まず、導電性細線の表面への導電性付与のため、導電性細線の表面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて表面形態を観察することにより、導電性細線内部の金属が存在する領域の幅を観察できる。なお、観察条件は、二次電子モードで、加速電圧:１０ｋＶで行う。
また、導電性細線の金属が存在する領域の高さＨは、上記幅Ｗの測定の際に選択した同じ１本の導電性細線の任意の１０か所において導電性細線が延在する方向に直交する方向の断面を観察して測定し、それぞれの断面における高さＨを測定して、それらを算術平均して求める。つまり、上記導電性細線の金属が存在する領域の高さＨは、平均値に該当する。
この際、導電性細線の垂直断面の観察は、走査型電子顕微鏡にて、高分子と金属とのコントラストがつく加速電圧を選択する。より具体的には、導電性細線の垂直断面の観察方法としては、ミクロトームにて導電性細線の垂直断面を切削した後、導電性付与のため、露出した垂直断面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて垂直断面を観察する。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:５ｋＶで行う。
金属１８が存在する領域の幅Ｗとは、図２に示すように、導電性細線１４Ａの垂直断面において、導電性細線１４Ａの幅方向に沿って最も離れている金属１８間の距離に該当する。
また、金属１８が存在する領域の高さＨとは、図２に示すように、導電性細線１４Ａの垂直断面において、導電性細線１４Ａの高さ方向に沿って最も離れている金属１８間の距離に該当する。
導電性細線の垂直断面における金属が存在する領域の幅Ｗは、後述する導電性細線の厚みの測定と同様にできるが、本発明においては、走査型電子顕微鏡により導電性基板表面を観察し、延在する１本の導電性細線を選択して、選択された１本の導電性細線の任意の５箇所を選び、各箇所において導電性細線が延在する方向に２００ｎｍ間隔で金属が存在する領域の幅を２０点測定し、測定された計１００点を算術平均することにより、金属が存在する領域の幅Ｗを求める。つまり、上記で規定する金属が存在する領域の幅Ｗは、平均値に該当する。
なお、上記走査型電子顕微鏡による測定方法としては、まず、導電性細線の表面への導電性付与のため、導電性細線の表面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて表面形態を観察することにより、導電性細線内部の金属が存在する領域の幅を観察できる。なお、観察条件は、二次電子モードで、加速電圧:１０ｋＶで行う。
また、導電性細線の金属が存在する領域の高さＨは、上記幅Ｗの測定の際に選択した同じ１本の導電性細線の任意の１０か所において導電性細線が延在する方向に直交する方向の断面を観察して測定し、それぞれの断面における高さＨを測定して、それらを算術平均して求める。つまり、上記導電性細線の金属が存在する領域の高さＨは、平均値に該当する。
この際、導電性細線の垂直断面の観察は、走査型電子顕微鏡にて、高分子と金属とのコントラストがつく加速電圧を選択する。より具体的には、導電性細線の垂直断面の観察方法としては、ミクロトームにて導電性細線の垂直断面を切削した後、導電性付与のため、露出した垂直断面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて垂直断面を観察する。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:５ｋＶで行う。
導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗは２．０μｍ以下であり、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。
ここで、めっき処理前の銀含有層幅に対し、めっき処理後の導電性細線の幅Ｗの比を取ることによる線太りは、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５以下が好ましく、１．２以下がより好ましい。
導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗに対する高さＨの比（Ｈ／Ｗ）は０．４０超であり、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．６０以上が好ましく、０．８０以上がより好ましく、０．８６以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、外圧に対する耐性向上の点で、１．２０以下が好ましく、１．００以下がより好ましい。
なお、導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の高さＨは上記比を満たせば特に制限されないが、０．５〜２．５μｍが好ましく、１．０〜２．０μｍがより好ましい。
ここで、めっき処理前の銀含有層幅に対し、めっき処理後の導電性細線の幅Ｗの比を取ることによる線太りは、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５以下が好ましく、１．２以下がより好ましい。
導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗに対する高さＨの比（Ｈ／Ｗ）は０．４０超であり、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．６０以上が好ましく、０．８０以上がより好ましく、０．８６以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、外圧に対する耐性向上の点で、１．２０以下が好ましく、１．００以下がより好ましい。
なお、導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の高さＨは上記比を満たせば特に制限されないが、０．５〜２．５μｍが好ましく、１．０〜２．０μｍがより好ましい。
導電性細線は、高分子および金属を含む。
高分子の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。なかでも、上述した特定高分子が好ましい。
金属は、導電性細線の導電特性を担保する部分である。前述のハロゲン化銀含有感光性層由来の銀に加えて、めっき処理によって付与される金属としては、導電特性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）、パラジウム（金属パラジウム）、または、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、または、その混合物がより好ましく、銀がさらに好ましい。
なお、図２においては、金属が粒子状になって高分子中に分散した形態を記載しているがこの形態には限定されず、金属が層状となって導電性細線中に分散した形態であってもよい。
高分子の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。なかでも、上述した特定高分子が好ましい。
金属は、導電性細線の導電特性を担保する部分である。前述のハロゲン化銀含有感光性層由来の銀に加えて、めっき処理によって付与される金属としては、導電特性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）、パラジウム（金属パラジウム）、または、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、または、その混合物がより好ましく、銀がさらに好ましい。
なお、図２においては、金属が粒子状になって高分子中に分散した形態を記載しているがこの形態には限定されず、金属が層状となって導電性細線中に分散した形態であってもよい。
導電性細線の線幅は、通常、２．０μｍ以下である場合が多い。なかでも、導電性細線が視認されにくい点から、１．５μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．２μｍ以上がより好ましい。
なお、導電性細線の線幅とは、図２中のＷａで表される幅である。
導電性細線の厚みは特に制限されないが、０．５〜２．５μｍが好ましく、１．０〜２．０μｍがより好ましい。
なお、導電性細線の線幅とは、図２中のＷａで表される幅である。
導電性細線の厚みは特に制限されないが、０．５〜２．５μｍが好ましく、１．０〜２．０μｍがより好ましい。
導電性細線の線抵抗値は、２００Ω／ｍｍ未満であることが求められる。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、１００Ω／ｍｍ未満であることが好ましく、８０Ω／ｍｍ未満がより好ましい。
線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５ｕｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５ｕｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
導電性細線は所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、および、星形などを組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
メッシュ状とは、図３に示すように、交差する導電性細線１４Ｂにより構成される複数の正方形状の開口部（格子）２０を含んでいる形状を意図する。
メッシュ状とは、図３に示すように、交差する導電性細線１４Ｂにより構成される複数の正方形状の開口部（格子）２０を含んでいる形状を意図する。
開口部２０の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下であることがさらに好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。開口部の辺の長さが上記範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９０．００％以上が好ましく、９５．００％以上がより好ましく、９９．５０％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合に相当する。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９０．００％以上が好ましく、９５．００％以上がより好ましく、９９．５０％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合に相当する。
＜用途＞
上記のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
なお、導電性基板においては、上述した所定の特性を有する導電性細線とは別に、上述した金属が存在する領域の幅が２．０μｍ超の導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と接続して、導通していてもよい。
上記のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
なお、導電性基板においては、上述した所定の特性を有する導電性細線とは別に、上述した金属が存在する領域の幅が２．０μｍ超の導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と接続して、導通していてもよい。
以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
＜実施例１＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上記で得られた溶液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、得られた溶液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。次に、上澄み液を除去した溶液に、３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第３水洗）、水洗および脱塩工程を終了した。水洗および脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇおよび塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、さらに、得られた乳剤に、安定剤として１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１００ｍｇ、および、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）２００ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
（感光性層形成用組成物の調製）
上記乳剤に１，３，３ａ，７−テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４−ジクロロ−６−ヒドロキシ−１，３，５−トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上記組成物に、下記（Ｐ−１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
上記乳剤に１，３，３ａ，７−テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４−ジクロロ−６−ヒドロキシ−１，３，５−トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上記組成物に、下記（Ｐ−１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム社製ロール状の長尺フィルム」）に上記ポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
（工程Ｈ１、工程Ａ１、工程Ｉ１）
次に、下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上記感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
次に、下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上記感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。
（工程Ｂ１）
上記で作製した感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしては図３のパターン形成用のマスクを用いており、格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
上記で作製した感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしては図３のパターン形成用のマスクを用いており、格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。
露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ−Ｒ：富士フイルム社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＡを得た。サンプルＡにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ−メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ−メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
上記で得られたサンプルＡを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
（工程Ｃ１）
工程Ｂ１で得られたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
工程Ｂ１で得られたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
（工程Ｄ１）
工程Ｃ１で得られたサンプルＡを、次亜塩素酸含有水溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡを水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用した次亜塩素酸含有水溶液は、花王社製キッチンハイターを２倍に希釈してから使用することで調製した。
工程Ｃ１で得られたサンプルＡを、次亜塩素酸含有水溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡを水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用した次亜塩素酸含有水溶液は、花王社製キッチンハイターを２倍に希釈してから使用することで調製した。
（工程Ｅ１）
工程Ｄ１で得られたサンプルＡを、以下組成のめっき液Ａ（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルＡをめっき液Ａから取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
めっき液Ａ（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液ＡのｐＨは９．５であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬（株）製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ａの組成）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・クエン酸 １２ｇ
・メチルヒドロキノン ３．６７ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
工程Ｄ１で得られたサンプルＡを、以下組成のめっき液Ａ（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルＡをめっき液Ａから取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
めっき液Ａ（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液ＡのｐＨは９．５であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬（株）製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ａの組成）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・クエン酸 １２ｇ
・メチルヒドロキノン ３．６７ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
（工程Ｆ１）
工程Ｅ１で得られたサンプルＡに対して、金属ローラと樹脂製のローラとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
工程Ｅ１で得られたサンプルＡに対して、金属ローラと樹脂製のローラとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
（工程Ｇ１）
工程Ｆ１で得られたサンプルＡに対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。得られた導電性メッシュパターン領域は、図３に示すような、導電性細線より形成されるメッシュ状の層であった。導電性細線の線幅は１．４μｍ、導電性細線の厚みは１．２μｍであった。
また、導電性細線中における金属が存在する領域の幅は１．３μｍであり、高さは１．１μｍであり、金属が存在する領域の幅に対する高さの比は０．８５であった。なお、金属が存在する領域の幅および高さの測定は、上述した方法により実施した。
工程Ｆ１で得られたサンプルＡに対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。得られた導電性メッシュパターン領域は、図３に示すような、導電性細線より形成されるメッシュ状の層であった。導電性細線の線幅は１．４μｍ、導電性細線の厚みは１．２μｍであった。
また、導電性細線中における金属が存在する領域の幅は１．３μｍであり、高さは１．１μｍであり、金属が存在する領域の幅に対する高さの比は０．８５であった。なお、金属が存在する領域の幅および高さの測定は、上述した方法により実施した。
＜実施例２〜１０、実施例１３、比較例１〜２＞
後述する表１に示すように、各種条件を変更して、表１中の各種構成を調整した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
なお、表１中の脱ゼラチン処理の「次亜塩素酸処理」とは実施例１で実施した工程Ｄ１の処理を意味し、「酵素処理」とは以下の処理を実施したことを意味する。
（酵素処理）
工程Ｃ１で得られたサンプルＡを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に１２０秒間浸漬した。サンプルＡをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてｐＨを８．５に調製した。
後述する表１に示すように、各種条件を変更して、表１中の各種構成を調整した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
なお、表１中の脱ゼラチン処理の「次亜塩素酸処理」とは実施例１で実施した工程Ｄ１の処理を意味し、「酵素処理」とは以下の処理を実施したことを意味する。
（酵素処理）
工程Ｃ１で得られたサンプルＡを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に１２０秒間浸漬した。サンプルＡをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてｐＨを８．５に調製した。
また、表１中のめっき液Ｂ（全量：１２００ｍｌ）、めっき液Ｃ（全量：１０００ｍｌ）、および、めっき液Ｄ（全量：１０００ｍｌ）の組成は、以下のとおりである。
なお、めっき液ＢおよびＤのｐＨは９．５であり、炭酸カリウムを所定量加えることにより調整した。
なお、めっき液ＣのｐＨは１２．２であり、水酸化ナトリウムを所定量加えることにより調整した。
また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ｂ）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・１，２，４-トリヒドロキシベンゼン １．９ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
（めっき液Ｃ）
・硫酸銅５水和物 １０ｇ
・エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ４０ｇ
・ホルマリン（濃度３７％） ３ｍｌ
・水酸化ナトリウム ９ｇ
・ビピリジル ０．０１ｇ
・ポリエチレングリコール ０．０１ｇ
・水酸化ナトリウム 所定量
・水 残部
（めっき液Ｄの組成）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・クエン酸 １２ｇ
・メチルヒドロキノン ３．６７ｇ
・フェニドン １．２ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
なお、後述するように、比較例１では工程Ｄ１は実施していない。
なお、めっき液ＢおよびＤのｐＨは９．５であり、炭酸カリウムを所定量加えることにより調整した。
なお、めっき液ＣのｐＨは１２．２であり、水酸化ナトリウムを所定量加えることにより調整した。
また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ｂ）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・１，２，４-トリヒドロキシベンゼン １．９ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
（めっき液Ｃ）
・硫酸銅５水和物 １０ｇ
・エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ４０ｇ
・ホルマリン（濃度３７％） ３ｍｌ
・水酸化ナトリウム ９ｇ
・ビピリジル ０．０１ｇ
・ポリエチレングリコール ０．０１ｇ
・水酸化ナトリウム 所定量
・水 残部
（めっき液Ｄの組成）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・クエン酸 １２ｇ
・メチルヒドロキノン ３．６７ｇ
・フェニドン １．２ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
なお、後述するように、比較例１では工程Ｄ１は実施していない。
＜実施例１１＞
実施例１のハロゲン化銀乳剤の調製において、１液の温度を３０℃に変更し、また塩化ナトリウムの代わりに臭化カリウム８．９３ｇを用いることで、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）１２０ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤を調整し、使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
実施例１のハロゲン化銀乳剤の調製において、１液の温度を３０℃に変更し、また塩化ナトリウムの代わりに臭化カリウム８．９３ｇを用いることで、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）１２０ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤を調整し、使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
＜実施例１２＞
工程Ｆの平滑化処理を実施しなかった以外は実施例２と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
工程Ｆの平滑化処理を実施しなかった以外は実施例２と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
＜比較例３＞
工程Ｄの脱ゼラチン処理とＥのめっき液浸漬処理の順序を逆にした以外は、実施例６と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
工程Ｄの脱ゼラチン処理とＥのめっき液浸漬処理の順序を逆にした以外は、実施例６と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
＜評価＞
（導電性）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定した。線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５ｕｍ））を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター、２４００型汎用ソースメーター）を用いて２５０μｍ間隔とした内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求めた。得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値とし、任意の１０箇所の測定値の平均値を、以下の基準に従って、導電性として評価した。結果は表１にまとめて示す。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５以上がさらに好ましい。
５：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ未満である。
４：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ以上、８０Ω／ｍｍ未満である。
３：線抵抗値が８０Ω／ｍｍ以上、１００Ω／ｍｍ未満である。
２：線抵抗値が１００Ω／ｍｍ以上、２００Ω／ｍｍ未満である。
１：線抵抗値が２００Ω／ｍｍ以上である。
（導電性）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定した。線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５ｕｍ））を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター、２４００型汎用ソースメーター）を用いて２５０μｍ間隔とした内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求めた。得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値とし、任意の１０箇所の測定値の平均値を、以下の基準に従って、導電性として評価した。結果は表１にまとめて示す。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５以上がさらに好ましい。
５：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ未満である。
４：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ以上、８０Ω／ｍｍ未満である。
３：線抵抗値が８０Ω／ｍｍ以上、１００Ω／ｍｍ未満である。
２：線抵抗値が１００Ω／ｍｍ以上、２００Ω／ｍｍ未満である。
１：線抵抗値が２００Ω／ｍｍ以上である。
（視認性）
得られた導電性基板をガラス／導電性基板／偏光板／偏光板（偏光面が直行する向き）／黒ＰＥＴ（パナック株式会社製、工業用黒ＰＥＴ（ＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４））の順になるよう積層して、積層体を得た。なお、導電性基板中、導電性メッシュパターンがガラス側に位置するように、導電性基板を配置した。
次に、得られた積層体に対して、５００ｌｕｘの環境光にて、ガラス面側の正面および斜め３０°〜６０°の角度から１０人の観察者が目視にて観察し、以下の基準に従って、評価した。結果は表１にまとめて示す。評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。なお、メッシュパターンが視認されにくい場合、光学特性に優れ、導電性基板をディスプレイに積層した際に発生するモアレが低減される。
５：１５ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンが視認されなかった。
４：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が０人あるいは１人であった。
３：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が２〜４人であった。
２：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
１：５０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
得られた導電性基板をガラス／導電性基板／偏光板／偏光板（偏光面が直行する向き）／黒ＰＥＴ（パナック株式会社製、工業用黒ＰＥＴ（ＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４））の順になるよう積層して、積層体を得た。なお、導電性基板中、導電性メッシュパターンがガラス側に位置するように、導電性基板を配置した。
次に、得られた積層体に対して、５００ｌｕｘの環境光にて、ガラス面側の正面および斜め３０°〜６０°の角度から１０人の観察者が目視にて観察し、以下の基準に従って、評価した。結果は表１にまとめて示す。評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。なお、メッシュパターンが視認されにくい場合、光学特性に優れ、導電性基板をディスプレイに積層した際に発生するモアレが低減される。
５：１５ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンが視認されなかった。
４：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が０人あるいは１人であった。
３：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が２〜４人であった。
２：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
１：５０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
（透過率）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の全光線透過率を、日本電色工業のヘーズメーターＮＤＨ ７０００で測定し、以下の基準に従って、評価した。結果は表１にまとめて示す。なお、全光線透過率が高い場合、ディスプレイの画質が向上し、導電性基板を積層したディスプレイの消費電力を抑えることができる。評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。
５：全光線透過率が８５％以上
４：全光線透過率が８０％以上８５％未満
３：全光線透過率が７５％以上８０％未満
２：全光線透過率が７０％以上７５％未満
１：全光線透過率が７０％未満
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の全光線透過率を、日本電色工業のヘーズメーターＮＤＨ ７０００で測定し、以下の基準に従って、評価した。結果は表１にまとめて示す。なお、全光線透過率が高い場合、ディスプレイの画質が向上し、導電性基板を積層したディスプレイの消費電力を抑えることができる。評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。
５：全光線透過率が８５％以上
４：全光線透過率が８０％以上８５％未満
３：全光線透過率が７５％以上８０％未満
２：全光線透過率が７０％以上７５％未満
１：全光線透過率が７０％未満
（密着性）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域に対して、２５℃の純水に浸した状態で、４０ｇの荷重をかけたサファイア針（φ１．０）を用いて、引っ掻きを実施した。なお、導電性細線が延在する方向に対して直交する方向であって、導電性細線と交差するように１０ｃｍに渡って引っ掻きを実施して、その範囲から任意の３点を抽出し、光学顕微鏡を用いて各箇所で１ｃｍの引っ掻き範囲を観察し、以下の基準に従って、密着性として評価した。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。ここで、「歪み」とは、導電性細線に曲がりまたは欠けなどの変形が生じることをいう。
５：歪みが一切発生しない。
４：歪みが発生する箇所が３点中１点存在する。
３：歪みが発生する箇所が３点中２点存在する。
２：歪みが発生する箇所が３点中３点存在する。
１：導電性細線が剥がれて断裂した箇所が存在する。
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域に対して、２５℃の純水に浸した状態で、４０ｇの荷重をかけたサファイア針（φ１．０）を用いて、引っ掻きを実施した。なお、導電性細線が延在する方向に対して直交する方向であって、導電性細線と交差するように１０ｃｍに渡って引っ掻きを実施して、その範囲から任意の３点を抽出し、光学顕微鏡を用いて各箇所で１ｃｍの引っ掻き範囲を観察し、以下の基準に従って、密着性として評価した。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。ここで、「歪み」とは、導電性細線に曲がりまたは欠けなどの変形が生じることをいう。
５：歪みが一切発生しない。
４：歪みが発生する箇所が３点中１点存在する。
３：歪みが発生する箇所が３点中２点存在する。
２：歪みが発生する箇所が３点中３点存在する。
１：導電性細線が剥がれて断裂した箇所が存在する。
（湿熱抵抗変化）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターンを６０℃、９０％ＲＨの湿熱雰囲気下に１０日間静置した前後での線抵抗値の変化率｛（静置後の線抵抗値−静置前の線抵抗値）／静置前の線抵抗値｝を以下の基準に従って、湿熱抵抗変化として評価した。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。
５：変化率が３％未満
４：変化率が３％以上５％未満
３：変化率が５％以上１０％未満
２：変化率が１０％以上２０％未満
１：変化率が２０％以上
得られた導電性基板の導電性メッシュパターンを６０℃、９０％ＲＨの湿熱雰囲気下に１０日間静置した前後での線抵抗値の変化率｛（静置後の線抵抗値−静置前の線抵抗値）／静置前の線抵抗値｝を以下の基準に従って、湿熱抵抗変化として評価した。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。
５：変化率が３％未満
４：変化率が３％以上５％未満
３：変化率が５％以上１０％未満
２：変化率が１０％以上２０％未満
１：変化率が２０％以上
表１中の「高分子１含有量（ｇ／ｍ2）」は、ハロゲン化銀不含有層中の高分子１の含有量（ｇ／ｍ2）を表し、「厚み（μｍ）」はハロゲン化銀不含有層の厚みを表す。
表１中の「めっき金属種」は、めっき処理により析出される金属の種類を表す。
表１中の「めっき液」は、使用しためっき液の種類を表す。
表１中の「めっき時間」は、めっき液への浸漬時間を表す。
表１中の「銀含有層幅［μｍ］」は、露光現像処理後に得られる銀含有層の幅を表す。
表１中の「幅Ｗ［μｍ］」および「高さＨ［μｍ］」は、導電性細線の垂直断面における金属が存在する領域の幅および高さを表す。
表１中の「開口率」は、得られた導電性基板中の導電性メッシュパターン領域の開口率を表す。
表１中の「めっき金属種」は、めっき処理により析出される金属の種類を表す。
表１中の「めっき液」は、使用しためっき液の種類を表す。
表１中の「めっき時間」は、めっき液への浸漬時間を表す。
表１中の「銀含有層幅［μｍ］」は、露光現像処理後に得られる銀含有層の幅を表す。
表１中の「幅Ｗ［μｍ］」および「高さＨ［μｍ］」は、導電性細線の垂直断面における金属が存在する領域の幅および高さを表す。
表１中の「開口率」は、得られた導電性基板中の導電性メッシュパターン領域の開口率を表す。
表１に示すように、本発明の製造方法および導電性基板によれば、所望の効果が得られることが確認された。
実施例１〜３の比較より、Ｈ／Ｗが０．８６以上の場合、導電性がより優れることが確認された。
また、実施例４〜５より、幅Ｗが１．３μｍ未満の場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例７と８、比較例２との比較より、めっき金属種が銀の場合、線太りが起きづらく、導電性と視認性がより優れることが確認された。
実施例２と１０との比較より、ハロゲン化銀不含有層の厚みが１．０μｍ超の場合、密着性が向上することが確認された。
また、実施例１と１１の比較より、ハロゲン化銀の球相当径が小さい場合（５０〜１５０ｎｍ）は導電性細線の高さが増し、導電性が向上することが確認された。また、導電性細線の線幅の均一性が増し、さらに湿熱経時させた場合の抵抗変化も抑制できることが確認された。
また、実施例２と実施例１２との比較より、平滑化処理を実施した場合、導電性がより向上することが確認された。
また、実施例６と比較例３の比較により、銀含有層からバインダーが除去され、細孔が形成されることによりめっき時の線太りが起こりづらく、導電性と視認性の両立において優れていることが確認された。
実施例１〜３の比較より、Ｈ／Ｗが０．８６以上の場合、導電性がより優れることが確認された。
また、実施例４〜５より、幅Ｗが１．３μｍ未満の場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例７と８、比較例２との比較より、めっき金属種が銀の場合、線太りが起きづらく、導電性と視認性がより優れることが確認された。
実施例２と１０との比較より、ハロゲン化銀不含有層の厚みが１．０μｍ超の場合、密着性が向上することが確認された。
また、実施例１と１１の比較より、ハロゲン化銀の球相当径が小さい場合（５０〜１５０ｎｍ）は導電性細線の高さが増し、導電性が向上することが確認された。また、導電性細線の線幅の均一性が増し、さらに湿熱経時させた場合の抵抗変化も抑制できることが確認された。
また、実施例２と実施例１２との比較より、平滑化処理を実施した場合、導電性がより向上することが確認された。
また、実施例６と比較例３の比較により、銀含有層からバインダーが除去され、細孔が形成されることによりめっき時の線太りが起こりづらく、導電性と視認性の両立において優れていることが確認された。
１０ 導電性基板
１２ 基板
１４Ａ，１４Ｂ 導電性細線
１６ 高分子
１８ 金属
２０ 開口部
１２ 基板
１４Ａ，１４Ｂ 導電性細線
１６ 高分子
１８ 金属
２０ 開口部
Claims (11)
- 支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンと前記ゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程Ａと、
前記ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀と前記ゼラチンと前記ゼラチンとは異なる高分子とを含み、幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程Ｂと、
前記工程Ｂで得られた前記銀含有層に対して加熱処理を施す工程Ｃと、
前記工程Ｃで得られた前記銀含有層中の前記ゼラチンを除去する工程Ｄと、
前記工程Ｄで得られた前記銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程Ｅと、
を有し、
前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である、導電性基板の製造方法。 - 前記ハロゲン化銀が、球相当径で１０〜２００ｎｍの粒子である、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記めっき処理が、銀めっき処理または銅めっき処理である、請求項１または２に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記めっき処理が、銀めっき処理である、請求項３に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記支持体が、その表面上に、ハロゲン化銀を含まず、ゼラチンと前記ゼラチンとは異なる高分子とを含み、厚みが１．０μｍ超であるハロゲン化銀不含有層を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記工程Ｃが、前記工程Ｂで得られた前記銀含有層と過熱蒸気とを接触させる工程である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記工程Ｆの後に、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇをさらに有する、請求項７に記載の導電性基板の製造方法。
- 支持体と、
前記支持体上に配置された、高分子および金属を含有する導電性細線と、を有し、
前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下であり、
前記垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．４０超である、導電性基板。 - 前記導電性細線によってメッシュパターンが形成されている、請求項９に記載の導電性基板。
- 前記メッシュパターンの開口率が９５．００％以上である、請求項１０に記載の導電性基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019016322 | 2019-01-31 | ||
| JP2019016322 | 2019-01-31 | ||
| PCT/JP2020/001843 WO2020158494A1 (ja) | 2019-01-31 | 2020-01-21 | 導電性基板の製造方法、導電性基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020158494A1 true JPWO2020158494A1 (ja) | 2021-10-28 |
| JP7168691B2 JP7168691B2 (ja) | 2022-11-09 |
Family
ID=71842151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020569524A Active JP7168691B2 (ja) | 2019-01-31 | 2020-01-21 | 導電性基板の製造方法、導電性基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7168691B2 (ja) |
| CN (1) | CN113286697A (ja) |
| WO (1) | WO2020158494A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2938578T3 (es) * | 2021-01-18 | 2023-04-12 | Longserving Tech Co Ltd | Procedimiento de fabricación de un patrón de circuito a escala picoscópica/nanoscópica |
| WO2023120297A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 導電性基板、導電性基板の製造方法 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3822128A (en) * | 1971-10-22 | 1974-07-02 | Horizons Inc | Metal-plated images |
| JP5990493B2 (ja) * | 2012-11-12 | 2016-09-14 | 富士フイルム株式会社 | 導電シートの製造方法、導電シート |
| JP6377007B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2018-08-22 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルム、配線、およびタッチパネルセンサ |
| WO2018047493A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル |
-
2020
- 2020-01-21 WO PCT/JP2020/001843 patent/WO2020158494A1/ja active Application Filing
- 2020-01-21 JP JP2020569524A patent/JP7168691B2/ja active Active
- 2020-01-21 CN CN202080008338.5A patent/CN113286697A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080199665A1 (en) * | 2005-04-22 | 2008-08-21 | Slater Sean D | Method of Forming Flexible Electronic Circuits |
| JP2012234695A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Fujifilm Corp | 導電シート、導電シートの製造方法、及び導電シートを用いた静電容量方式のタッチパネル |
| JP2014209332A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 富士フイルム株式会社 | 導電シートおよびその製造方法、タッチパネル |
| WO2017017973A1 (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル用導電フィルム、タッチパネル、および、タッチパネル付き表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020158494A1 (ja) | 2020-08-06 |
| JP7168691B2 (ja) | 2022-11-09 |
| CN113286697A (zh) | 2021-08-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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