CN113286697A - 导电性基板的制造方法、导电性基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有导电性优异且经细线化的导电性细线的导电性基板的制造方法及导电性基板。导电性基板的制造方法具有：工序A，在支撑体上形成包含卤化银、明胶及与明胶不同的高分子的含卤化银感光性层；工序B，对含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成包含金属明胶和高分子且线宽为2.0μm以下的细线状的含银层；工序C，对工序B中所获得的含银层实施加热处理；工序D，去除工序C中所获得的含银层中的明胶；及工序E，对工序D中所获得的含银层实施镀覆处理，形成导电性细线，在与导电性细线延伸的方向正交的方向上的导电性细线的垂直截面中，金属存在的区域的宽度为2.0μm以下。

Description

导电性基板的制造方法、导电性基板
技术领域
本发明涉及一种导电性基板的制造方法及导电性基板。
背景技术
具有导电性细线(显示导电性的细线状的配线)的导电性基板广泛用于触摸面板、太阳能电池及EL(电致发光)元件等各种用途。尤其，近年来，触摸面板在移动电话及便携式游戏机上的搭载率上升，能够多点检测的静电电容方式的触摸面板用导电性基板的需求迅速扩大。
作为导电性基板的制造方法，在专利文献1中公开了一种方法，其中，对包含卤化银感光性层依次实施曝光处理及显影处理等，形成包含金属银的导电性细线。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-129205号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
另一方面，近年来，要求导电性细线的更进一步的细线化。
本发明人按照专利文献1中所公开的方法，尝试形成进一步减小了宽度的(例如，宽度为2.0μm以下)导电性细线的结果，发现了所获得的导电性细线的导电性不充分。
鉴于上述情况，本发明的课题在于提供一种具有导电性优异且经细线化的导电性细线的导电性基板的制造方法。
并且，本发明的课题还在于提供一种具有导电性优异且经细线化的导电性细线的导电性基板。
用于解决技术课题的手段
本发明人等对上述课题进行深入研究的结果，发现了能够通过以下结构来解决上述课题。
(1)一种导电性基板的制造方法，其具有：
工序A，在支撑体上形成包含卤化银、明胶及与明胶不同的高分子的含卤化银感光性层；
工序B，对含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成包含金属银、明胶及与明胶不同的高分子且宽度为2.0μm以下的细线状的含银层；
工序C，对工序B中所获得的含银层实施加热处理；
工序D，去除工序C中所获得的含银层中的明胶；及
工序E，对工序D中所获得的含银层实施镀覆处理，形成导电性细线，
在与导电性细线延伸的方向正交的方向上的导电性细线的垂直截面中，金属存在的区域的宽度为2.0μm以下。
(2)根据(1)所述的导电性基板的制造方法，其中，
卤化银是以球当量直径计为10～200nm的粒子。
(3)根据(1)或(2)所述的导电性基板的制造方法，其中，
镀覆处理为镀银处理或镀铜处理。
(4)根据(3)所述的导电性基板的制造方法，其中，
镀覆处理为镀银处理。
(5)根据(1)至(4)中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，
在支撑体的表面上具有不含卤化银层，该不含卤化银层不包含卤化银而包含明胶和与明胶不同的高分子且厚度超过1.0μm。
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，
工序C为使工序B中所获得的含银层与过热蒸汽接触的工序。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的导电性基板的制造方法，其还具有对工序E中所获得的导电性细线实施平滑处理的工序F。
(8)根据(7)所述的导电性基板的制造方法，其中，
在工序F之后，还具有对工序F中所获得的导电性细线实施加热处理的工序G。
(9)一种导电性基板，其具有：
支撑体；及
导电性细线，配置于支撑体上且含有高分子及金属，
在与导电性细线延伸的方向正交的方向上的导电性细线的垂直截面中，金属存在的区域的宽度为2.0μm以下，
在垂直截面中，金属存在的区域的高度与宽度之比超过0.40。
(10)根据(9)所述的导电性基板，其中，
由导电性细线形成了网格图案。
(11)根据(10)所述的导电性基板，其中，
网格图案的开口率为95.00％以上。
发明效果
根据本发明，能够提供一种具有导电性优异且经细线化的导电性细线的导电性基板的制造方法。
并且，根据本发明，能够提供一种具有导电性优异且经细线化的导电性细线的导电性基板。
附图说明
图1是导电性基板的一实施方式的剖视图。
图2是导电性细线的垂直剖视图。
图3是表示由导电性细线形成的网格图案的一实施方式的俯视图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式来进行的，但本发明并不限制于这种实施方式。
另外，在本说明书中，使用“～”来表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
作为本发明的与以往技术进行了比较的特征点，可举出在获得经细线化的导电性细线时实施了镀覆处理的点。
在以往的使用卤化银制造导电性基板的方法中，若导电性细线的细线化进一步进展，则所获得的导电性细线中的金属量减少，无法确保足够的导电性。
因此，本发明人等通过从后述的含银层中去除明胶之后，实施镀覆处理，在去除了明胶的空间填充金属(镀覆金属)，由此增加最终获得的导电性细线中的金属量，形成了显示优异的导电性的导电性细线。即，本发明人等首次发现以往方法中的细线化时产生的问题，并提供了其解决方法。
本发明的导电性基板的制造方法依次具有后述的工序A～工序E。
以下，对各工序进行详细叙述。
＜工序A＞
工序A为在支撑体上形成包含卤化银、明胶及与明胶不同的高分子(以下，还称为“特定高分子”。)的含卤化银感光性层(以下，还称为“感光性层”。)的工序。通过本工序来制造实施了后述的曝光处理的带感光性层的支撑体。
首先，对工序A中所使用的材料及部件进行详细叙述，然后，对工序A的步骤进行详细叙述。
(支撑体)
若支撑体能够支撑感光性层，则其种类并无特别限制，可举出塑料基板、玻璃基板及金属基板，优选塑料基板。
支撑体的厚度并无特别限制，通常为25～500μm。另外，在将导电性基板应用于触摸面板时，将支撑体表面用作触摸面的情况下，支撑体的厚度可以超过500μm。
作为构成支撑体的材料，优选聚对苯二甲酸乙二酯(PET)(258℃)、聚环烯烃(134℃)、聚碳酸酯(250℃)、丙烯酸薄膜(128℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(269℃)、聚乙烯(135℃)、聚丙烯(163℃)、聚苯乙烯(230℃)、聚氯乙烯(180℃)、聚偏二氯乙烯(212℃)及三乙酰纤维素(290℃)等熔点约为290℃以下的树脂，更优选PET、聚环烯烃及聚碳酸酯。
支撑体的总透光率优选85～100％。
可以在支撑体的表面上配置底涂层。
底涂层优选包含后述的特定高分子。若使用该底涂层，则后述的导电性细线对支撑体的密合性进一步提高。
底涂层的形成方法并无特别限制，例如，可举出如下方法：将包含特定高分子的底涂层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理。根据需要，在底涂层形成用组合物中可以包含溶剂。溶剂的种类并无特别限制，可例示后述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。并且，作为包含特定高分子的底涂层形成用组合物，可以使用包含特定高分子的粒子的胶乳。
底涂层的厚度并无特别限制，从导电层对支撑体的密合性更优异的观点出发，优选0.02～0.3μm，更优选0.03～0.2μm。
(卤化银)
卤化银中所包含的卤素原子可以是氯原子、溴原子、碘原子及氟原子中的任一个，也可以是它们的组合。例如，优选以氯化银、溴化银或碘化银作为主体的卤化银，更优选以氯化银或溴化银作为主体的卤化银。另外，还可优选使用氯溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银。
在此，例如，“以氯化银为主体的卤化银”是指在卤化银组成中总卤化物离子中所占的氯化物离子的摩尔分数为50％以上的卤化银。以该氯化银为主体的卤化银除了氯化物离子以外，还可以包含溴化物离子和/或碘化物离子。
卤化银通常为固体粒子状，卤化银的平均粒径以球当量直径计优选10～1000nm，更优选10～200nm，从在湿热环境下导电性细线的电阻值的变化更小的观点出发，进一步优选50～150nm。
另外，球当量直径是指具有相同体积的球形粒子的直径。
用作上述卤化银的平均粒径的“球当量直径”为平均值，并且通过测定100个卤化银的球当量直径，并将它们进行算术平均而获得。
卤化银的粒子的形状并无特别限制，例如，可举出球状、立方体状、平板状(六边平板状、三角形平板状、四边形平板状等)、八面体状及十四面体状等形状。
(明胶)
明胶的种类并无特别限制，例如，可举出石灰处理明胶及酸处理明胶。并且，可以使用明胶的水解物、明胶的酶分解物、以及用氨基和/或羧基改性的明胶(邻苯二甲酰化明胶及乙酰化明胶)等。
(与明胶不同的高分子)
在感光性层中包含与明胶不同的高分子。通过在感光性层中包含该特定高分子，由感光性层形成的导电性细线的强度更优异。
关于特定高分子的种类，只要与明胶不同，则并无特别限制，但是优选后述的不会被分解明胶的蛋白水解酶或氧化剂分解的高分子。
作为特定高分子，可举出疎水性高分子(非水溶性高分子)，例如，可举出选自包含(甲基)丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、乙烯基系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚二烯系树脂、环氧系树脂、硅酮系树脂、纤维素系聚合物及壳聚糖系聚合物的组中的至少任一个树脂或包含构成这些树脂的单体的共聚物等。
并且，特定高分子优选具有与后述的交联剂进行反应的反应性基团。
特定高分子优选为粒子状。即，感光性层优选包含特定高分子的粒子。
作为特定高分子，优选由以下通式(1)表示的高分子(共聚物)。
通式(1)：-(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
另外，通式(1)中，A、B、C、及D分别表示由下述通式(A)至(D)表示的重复单元。
[化学式1]
A：
Figure BDA0003151429820000071
B：
Figure BDA0003151429820000072
C：
Figure BDA0003151429820000073
D：
Figure BDA0003151429820000074
R1表示甲基或卤素原子，优选甲基、氯原子或溴原子。p表示0～2的整数，优选0或1，更优选0。
R2表示甲基或乙基，优选甲基。
R3表示氢原子或甲基，优选氢原子。通式(C)中，L表示2价的连结基团，优选由下述通式(F)表示的基团。
通式(F)：-(CO-X1)r-X2-
通式(F)中，X1表示氧原子或-NR30-。在此，R30表示氢原子、烷基、芳基或酰基，且分别可以具有取代基(例如，卤素原子、硝基及羟基)。作为R30，优选氢原子、碳原子数1～10的烷基(例如，甲基、乙基、正丁基及正辛基)或酰基(例如，乙酰基及苯甲酰基)。作为X1，优选氧原子或-NH-。
X2表示亚烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基、亚芳基亚烷基或亚烷基亚芳基亚烷基，可以在这些基团的中途插入-O-、-S-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO2-、-N(R31)-或-N(R31)SO2-等。R31表示碳原子数1～6的直链状或支链状烷基。作为X2，优选二亚甲基、三亚甲基、四亚甲基、邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、-CH2CH2OCOCH2CH2-或-CH2CH2OCO(C6H4)-等。
r表示0或1。
q表示0或1，优选0。
R4表示烷基、烯基或炔基，优选碳原子数5～50的烷基，更优选碳原子数5～30的烷基，进一步优选碳原子数5～20的烷基。
R5表示氢原子、甲基、乙基、卤素原子或-CH2COOR6，优选氢原子、甲基、卤素原子或-CH2COOR6，更优选氢原子、甲基或-CH2COOR6，进一步优选氢原子。
R6表示氢原子或碳原子数1～80的烷基，可以与R4相同，也可以不同，R6的碳原子数优选1～70，更优选1～60。
通式(1)中，x、y、z及w表示各重复单元的摩尔比率。
x为3～60摩尔％，优选3～50摩尔％，更优选3～40摩尔％。
y为30～96摩尔％，优选35～95摩尔％，更优选40～90摩尔％。
z为0.5～25摩尔％，优选0.5～20摩尔％，更优选1～20摩尔％。
w为0.5～40摩尔％，优选0.5～30摩尔％。
通式(1)中，优选x为3～40摩尔％、y为40～90摩尔％、z为0.5～20摩尔％、w为0.5～10摩尔％的情况。
作为由通式(1)表示的高分子，优选由下述通式(2)表示的高分子。
[化学式2]
Figure BDA0003151429820000081
通式(2)中，x、y、z及w如上述定义。
由通式(1)表示的高分子可以包含除了由上述通式(A)至(D)表示的重复单元以外的其他重复单元。
作为用于形成其他重复单元的单体，例如，可举出丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、乙烯基酯类、烯烃类、巴豆酸酯类、衣康酸二酯类、马来酸二酯类、富马酸二酯类、丙烯酰胺类、不饱和羧酸类、烯丙基化合物、乙烯基醚类、乙烯基酮类、乙烯基杂环化合物、缩水甘油酯类及不饱和腈类。作为这些单体，也记载于日本专利第3754745号公报的0010～0022段中。从疎水性的观点出发，优选丙烯酸酯类或甲基丙烯酸酯类，更优选甲基丙烯酸羟烷基酯或丙烯酸羟烷基酯。
由通式(1)表示的高分子优选包含由通式(E)表示的重复单元。
[化学式3]
E：
Figure BDA0003151429820000091
上述式中，LE表示亚烷基，优选碳原子数1～10的亚烷基，更优选碳原子数2～6的亚烷基，进一步优选碳原子数2～4的亚烷基。
作为由通式(1)表示的高分子，尤其优选由下述通式(3)表示的高分子。
[化学式4]
Figure BDA0003151429820000092
上述式中，a1、b1、c1、d1及e1表示各重复单元的摩尔比率，a1表示3～60(摩尔％)，b1表示30～95(摩尔％)，c1表示0.5～25(摩尔％)，d1表示0.5～40(摩尔％)，e1表示1～10(摩尔％)。
a1的优选范围与上述x的优选范围相同，b1的优选范围与上述y的优选范围相同，c1的优选范围与上述z的优选范围相同，d1的优选范围与上述w的优选范围相同。
e1为1～10摩尔％，优选2～9摩尔％，更优选2～8摩尔％。
特定高分子例如能够参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报等而合成。
特定高分子的重均分子量并无特别限制，优选1000～1000000，更优选2000～750000，进一步优选3000～500000。
根据需要，在感光性层中可以包含除了上述的材料以外的其他材料。
例如，可举出用于卤化银的稳定化及高灵敏度化的铑化合物及铱化合物等属于8族及9族的金属化合物。或者，还可举出如特开2009-004348号公报的0220～0241段中所记载的抗静电剂、造核促进剂、光谱增感色素、表面活性剂、防雾剂、硬膜剂、防黑点剂、氧化还原化合物、单次甲基化合物及二羟基苯类。而且，在感光性层中可以包含物理显影核。
并且，在感光性层中可以包含用于使上述特定高分子彼此交联的交联剂。通过包含交联剂，进行特定高分子彼此之间的交联，分解去除了明胶时也可保持导电层中的金属银彼此的连结。
(工序A的步骤)
在工序A中形成包含上述成分的感光性层的方法并无特别限制，但是从生产率的观点出发，优选在支撑体上接触包含卤化银、明胶及特定高分子的感光性层形成用组合物，并在支撑体上形成感光性层的方法。
以下，对该方法中所使用的感光性层形成用组合物的形态进行详细叙述，然后，对工序的步骤进行详细叙述。
(感光性层形成用组合物中所包含的材料)
在感光性层形成用组合物中包含上述的卤化银、明胶及特定高分子。另外，根据需要，特定高分子可以以粒子状的形态包含在感光性层形成用组合物中。
根据需要，在感光性层形成用组合物中可以包含溶剂。
作为溶剂，可举出水、有机溶剂(例如，醇类、酮类、酰胺类、亚砜类、酯类及醚类)、离子性液体及它们的混合溶剂。
使感光性层形成用组合物与支撑体接触的方法并无特别限制，例如，可举出将感光性层形成用组合物涂布于支撑体上的方法及将支撑体浸渍于感光性层形成用组合物中的方法等。
另外，上述处理之后，根据需要，可以实施干燥处理。
(含卤化银感光性层)
在通过上述步骤形成的感光性层中包含卤化银、明胶及特定高分子。
感光性层中的卤化银的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，以银换算计优选3.0～20.0g/m2，更优选5.0～15.0g/m2。
银换算是指换算成卤化银全部被还原而生成的银的质量。
感光性层中的特定高分子的含量并无特别限制，从导电性基板的导电性更优异的观点出发，优选0.04～2.0g/m2，更优选0.08～0.40g/m2，进一步优选0.10～0.40g/m2。
＜工序B＞
工序B为如下工序：对感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成包含金属银、明胶及高分子且宽度为2.0μm以下的细线状的含银层。
通过对感光性层实施曝光处理，在曝光区域中形成潜像。
曝光可以实施为图案状，例如，为了获得由后述的导电性细线构成的网格图案，可举出经由具有网格状的开口图案的掩模而曝光的方法、及扫描激光束而曝光成网格状的方法。
曝光时所使用的光的种类并无特别限制，只要能够在卤化银上形成潜像即可，例如，可举出可见光线、紫外线及X射线。
通过对经曝光的感光性层实施显影处理，在曝光区域(形成了潜像的区域)中析出金属银。
显影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的公知的方法。
在显影处理中，通常使用显影液。显影液的种类并无特别限制，例如，可举出PQ(phenidone hydroquinone：菲尼酮对苯二酚)显影液、MQ(Metol hydroquinone：米吐尔对苯二酚)显影液及MAA(米吐尔抗坏血酸)显影液。
该工序还可以具有为了去除未曝光部分的卤化银并使其稳定化而进行的定影处理。
关于定影处理，与显影同时实施和/或在显影之后实施。定影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的方法。
在定影处理中，通常使用定影液。定影液的种类并无特别限制，例如，可举出“照片的化学”(笹井著，照片工业出版社)p321中所记载的定影液。
通过实施上述处理，能够以2.0μm以下的宽度形成包含金属银、明胶及特定高分子的细线状的含银层。
作为调节含银层的宽度的方法，例如，可举出调节曝光时所使用的掩模的开口宽度的方法。例如，能够通过将掩模的开口宽度设为2.0μm以下来调节曝光区域。
并且，在曝光时使用掩模的情况下，还能够通过调节曝光量来调节所形成的含银层的宽度。例如，在掩模的开口宽度比目标含银层的宽度窄的情况下，能够通过使曝光量相较于通常增加来调节形成潜像的区域的宽度。
而且，在使用激光束的情况下，能够通过调节激光束的聚光范围和/或扫描范围来调节曝光区域。
含银层的宽度为2.0μm以下，从难以视觉辨认所形成的导电性细线的观点出发，优选1.4μm以下。下限并无特别限制，但是从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选0.4μm以上，更优选0.8μm以上。
另外，通过上述步骤获得的含银层为细线状，含银层的宽度是指与细线状的含银层延伸的方向正交的方向上的含银层的长度(宽度)。
并且，只要在支撑体上的至少一部分区域形成宽度为2.0μm以下的含银层即可，可以在支撑体上的其他区域形成除了上述含银层以外的其他包含金属银的层(例如，宽度超过2.0μm的包含金属银的层)。
＜工序C＞
工序C为对工序B中所获得的含银层实施加热处理的工序。通过实施本工序，进行含银层中的特定高分子之间的熔接，从而含银层的强度得到提高。
加热处理的方法并无特别限制，可举出使含银层与过热蒸汽接触的方法及使用调温装置(例如，加热器)对含银层进行加热的方法，优选使含银层与过热蒸汽接触的方法。
作为过热蒸汽，可以是过热水蒸汽，也可以是在过热水蒸汽中混合其他气体而得的蒸汽。
过热蒸汽与含银层的接触时间并无特别限制，优选10～70秒钟。
过热蒸汽的供给量优选500～600g/m3，过热蒸汽的温度在1个大气压下优选100～160℃(优选为100～120℃)。
作为使用调温装置对含银层进行加热的方法中的加热条件，优选在100～200℃(优选为100～150℃)下加热1～240分钟(优选为60～150分钟)的条件。
＜工序D＞
工序D为去除工序C中所获得的含银层中的明胶的工序。通过实施本工序，可从含银层中去除明胶，在含银层中形成空间。
去除明胶的方法并无特别限制，例如，可举出使用蛋白水解酶的方法(以下，还称为“方法1”。)及使用氧化剂来分解去除明胶的方法(以下，还称为“方法2”。)。
作为在方法1中使用的蛋白水解酶，可举出能够水解明胶等蛋白质的植物性或动物性酶中公知的酶。
作为蛋白水解酶，例如，可举出胃蛋白酶、凝乳酶、胰蛋白酶、糜蛋白酶、组织蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶、凝血酶、肾素、胶原蛋白酶、菠罗蛋白酶及细菌蛋白酶，优选胰蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶或细菌蛋白酶。
作为方法1中的步骤，只要是使含银层与上述蛋白水解酶接触的方法即可，例如，可举出使含银层与包含蛋白水解酶的处理液(以下，还称为“酶液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层浸渍于酶液中的方法及在含银层上涂布酶液的方法。
酶液中的蛋白水解酶的含量并无特别限制，从容易控制明胶的分解去除程度的观点出发，相对于酶液总量，优选0.05～20质量％，更优选0.5～10质量％。
在酶液中除了上述蛋白水解酶以外，通常还包含水。
根据需要，在酶液中可以包含其他添加剂(例如，pH缓冲剂、抗菌性化合物、润湿剂及防腐剂)。
关于酶液的pH，以最大限度地获得酶的作用的方式进行选择，但是通常，优选5～9。
酶液的温度优选酶的作用提高的温度，具体而言优选25～45℃。
另外，根据需要，可以在使用酶液的处理之后，实施用热水清洗所获得的含银层的清洗处理。
清洗方法并无特别限制，优选使含银层与热水接触的方法，例如，可举出将含银层浸渍于热水中的方法及在含银层上涂布热水的方法。
热水的温度可根据所使用的蛋白水解酶的种类来适当地选择最佳的温度，从生产率的观点出发，优选20～80℃，更优选40～60℃。
热水与含银层的接触时间(清洗时间)并无特别限制，从生产率的观点出发，优选1～600秒钟，更优选30～360秒钟。
作为方法2中所使用的氧化剂，只要是能够分解明胶的氧化剂即可，优选标准电极电位为+1.5V以上的氧化剂。另外，在此，标准电极电位是指氧化剂在水溶液中对标准氢电极的标准电极电位(25℃，E0)。
作为上述氧化剂，例如，可举出过硫酸、过碳酸、过磷酸、次过氯酸、过乙酸、间氯过苯甲酸、双氧水、过氯酸、过碘酸、高锰酸钾、过硫酸铵、臭氧、次氯酸或其盐等，但是从生产率、经济性的观点出发，优选双氧水(标准电极电位：1.76V)、次氯酸或其盐，更优选次氯酸钠。
作为方法2中的步骤，只要是使含银层与上述氧化剂接触的方法即可，例如，可举出使含银层与包含氧化剂的处理液(以下，还称为“氧化剂液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层浸渍于氧化剂液中的方法及在含银层上涂布氧化剂液的方法。
氧化剂液中所包含的溶剂的种类并无特别限制，可举出水及有机溶剂。
＜工序E＞
工序E为对工序D中所获得的含银层实施镀覆处理而获得导电性细线的工序。通过实施本工序，在通过去除明胶而形成的空间形成填充有金属(镀覆金属)的导电性细线。另外，在与导电性细线延伸的方向正交的方向上的导电性细线的垂直截面中，金属存在的区域的宽度为2.0μm以下。
镀覆处理的种类并无特别限制，但是可举出非电解镀覆(化学还原镀覆或置换镀覆)及电解镀覆，优选非电解镀覆。作为非电解镀覆，可使用公知的非电解镀覆技术。
作为镀覆处理，例如，可举出镀银处理、镀铜处理、镀镍处理及镀钴处理，从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选镀银处理或镀铜处理，更优选镀银处理。
在镀覆处理中使用的镀覆液中所包含的成分并无特别限制，但是通常，除了溶剂(例如，水)以外，还主要包含1.镀覆用金属离子、2.还原剂、3.提高金属离子的稳定性的添加剂(稳定剂)、4.pH调节剂。在该镀覆浴中除了这些以外，还可以包含镀覆浴的稳定剂等公知的添加剂。
镀覆液中所包含的镀覆用金属离子的种类能够根据欲析出的金属种类来适当地选择，例如，可举出银离子、铜离子、镍离子及钴离子。
上述镀覆处理的步骤并无特别限制，只要是使含银层与镀覆液接触的方法即可，例如，可举出将含银层浸渍于镀覆液中的方法。
含银层与镀覆液的接触时间并无特别限制，从导电性细线的导电性更优异的观点及生产率的观点出发，优选1～30分钟。
在与工序E中所获得的导电性细线延伸的方向正交的方向上的导电性细线的垂直截面中，金属存在的区域的宽度为2.0μm以下。其中，从更难以视觉辨认导电性细线的观点出发，优选1.5μm以下。下限并无特别限制，但是从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选0.5μm以上，更优选1.0μm以上。
通过实施上述工序A～E的处理，能够形成如下导电性细线，即，垂直截面中的、金属存在的区域的宽度W为2.0μm以下，金属存在的区域的高度H与宽度W之比(H/W)超过0.40。
另外，上述金属存在的区域的宽度的定义及测定方法在后面进行说明。
＜工序F＞
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序E之后，可以具有对工序E中所获得的导电性细线进一步实施平滑处理的工序F。
通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线。
平滑处理的方法并无特别限制，例如，优选使具有导电性细线的支撑体在加压下通过至少一对辊之间的压延处理工序。以下，将使用了压延辊的平滑处理记载为压延处理。
作为压延处理中所使用的辊，可举出塑料辊及金属辊，从防褶的观点出发，优选塑料辊。
辊之间的压力并无特别限制，优选2MPa以上，更优选4MPa以上，优选120MPa以下。另外，关于辊之间的压力，能够使用Fujifilm Corporation制造的Prescale(高压用)来测定。
平滑处理的温度并无特别限制，优选10～100℃，更优选10～50℃。
＜工序G＞
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序F之后，还可以具有对工序F中所获得的导电性细线实施加热处理的工序G。通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线。
对导电性细线实施加热处理的方法并无特别限制，可举出在工序C中叙述的方法。
＜工序H＞
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序A之前，可以具有在支撑体上形成包含明胶及特定高分子的不含卤化银层的工序H。通过实施本工序，在支撑体与含卤化银感光性层之间形成不含卤化银层。该不含卤化银层发挥所谓的防光晕层的作用的同时有助于提高导电层与支撑体的密合性。
在不含卤化银层中包含上述的明胶和特定高分子。另一方面，在不含卤化银层中不含卤化银。
不含卤化银层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选0.1～5.0，更优选1.0～3.0。
不含卤化银层中的特定高分子的含量并无特别限制，通常为0.03g/m2以上，从导电性细线的密合性更优异的观点出发，优选1.0g/m2以上。上限并无特别限制，但是通常为1.63g/m2以下。
不含卤化银层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将含有明胶和特定高分子的层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理的方法。
根据需要，在层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。
不含卤化银层的厚度并无特别限制，通常为0.05μm以上，从导电性细线的密合性更优异的观点出发，优选超过1.0μm，更优选1.5μm以上。上限并无特别限制，但是通常为3.0μm以下。
＜工序I＞
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序A之后且工序B之前，可以具有在含卤化银感光性层上形成包含明胶和特定高分子的保护层的工序I。通过设置保护层，能够防止感光性层的擦伤及改善力学特性。
保护层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选超过0且2.0以下，更优选超过0且1.0以下。
并且，保护层中的特定高分子的含量并无特别限制，优选超过0g/m2且0.3g/m2以下，更优选0.005～0.1g/m2。
保护层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将包含明胶和特定高分子的保护层形成用组合物涂布于含卤化银感光性层上，并根据需要实施加热处理的方法。
根据需要，在保护层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。
保护层的厚度并无特别限制，优选0.03～0.3μm，更优选0.075～0.20μm。
另外，关于上述的工序H、工序A及工序I，可以通过同时重层涂布来同时实施。
＜导电性基板＞
以下，对通过本发明的导电性基板的制造方法获得的导电性基板的结构进行说明。
图1表示本发明的导电性基板的第1实施方式的剖视图。
导电性基板10包含支撑体12和配置于支撑体12上的导电性细线14A。另外，虽然图1中记载了2个导电性细线14A，但是其数量并无特别限制。
图2中示出与导电性细线14A延伸的方向正交的方向上的导电性细线的垂直截面。导电性细线的垂直截面是指在与导电性细线14A延伸的方向正交的面切割时的截面。即，导电性细线的垂直截面是指沿着与导电性细线14A延伸的方向正交的方向在与导电性细线14A的表面垂直的面切割时的截面。
导电性细线14A包含高分子16和金属18，但是如图2所示，通常包含高分子16和在高分子16中分散的多种金属18。即，如图2所示，金属18趋于在导电性细线14A的表面114A侧附近的区域或表面214A侧附近的区域中分布量少，在导电性细线14A的中间区域附近分布量多。金属18的形状并不限定于粒子状，例如，可以是熔接而一部分或整体键合等的形态。
接着，利用图2，对导电性细线的垂直截面中的、金属存在的区域的宽度及高度进行说明。
如图2所示，金属18存在的区域的宽度W相当于在导电性细线14A的垂直截面中沿着导电性细线14A的宽度方向最远离的金属18之间的距离。
并且，如图2所示，金属18存在的区域的高度H相当于在导电性细线14A的垂直截面中沿着导电性细线14A的高度方向最远离的金属18之间的距离。
关于导电性细线的垂直截面中的金属存在的区域的宽度W，能够以与后述的导电性细线的厚度的测定相同的方式进行，但是在本发明中，利用扫描型电子显微镜观察导电性基板表面，选择延伸的1个导电性细线，选择所选择的1个导电性细线的任意5个部位，在各部位导电性细线延伸的方向上以200nm的间隔测定20个点的金属存在的区域的宽度，并将所测定的共计100个点进行算术平均，由此求出金属存在的区域的宽度W。即，上述规定的金属存在的区域的宽度W相当于平均值。
另外，作为基于上述扫描型电子显微镜的测定方法，首先，为了对导电性细线的表面赋予导电性，对导电性细线的表面进行碳蒸镀，并利用扫描型电子显微镜(HitachiHigh-Technologies Corporation制造的S-5200型SEM)观察表面形态，由此能够观察导电性细线内部的金属存在的区域的宽度。另外，关于观察条件，在二次电子模式下以加速电压：10kV进行。
并且，关于导电性细线的金属存在的区域的高度H，在测定上述宽度W时选择的相同的1个导电性细线的任意10处观察并测定与导电性细线延伸的方向正交的方向的截面，测定每一个截面中的高度H，并将它们进行算术平均而求出。即，上述导电性细线的金属存在的区域的高度H相当于平均值。
此时，关于导电性细线的垂直截面的观察，利用扫描型电子显微镜，选择带有高分子与金属的对比度的加速电压。更具体而言，作为导电性细线的垂直截面的观察方法，利用切片机切削导电性细线的垂直截面之后，为了赋予导电性，对暴露的垂直截面进行碳蒸镀，并利用扫描型电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制造的S-5200型SEM)观察垂直截面。另外，关于观察条件，在反射电子模式下以加速电压：5kV进行。
导电性细线的垂直截面中的、金属存在的区域的宽度W为2.0μm以下，从更难以视觉辨认导电性细线的观点出发，优选1.5μm以下。下限并无特别限制，但是从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选0.5μm以上，更优选1.0μm以上。
在此，从更难以视觉辨认导电性细线的观点出发，由于取镀覆处理后的导电性细线的宽度W与镀覆处理前的含银层宽度之比而发生的线增粗优选1.5以下，更优选1.2以下。
导电性细线的垂直截面中的、金属存在的区域的高度H与宽度W之比(H/W)超过0.40，从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选0.60以上，更优选0.80以上，进一步优选0.86以上。上限并无特别限制，但是从提高对外部压力的耐性的观点出发，优选1.20以下，更优选1.00以下。
另外，若导电性细线的垂直截面中的、金属存在的区域的高度H满足上述比，则并无特别限制，但是优选0.5～2.5μm，更优选1.0～2.0μm。
导电性细线包含高分子及金属。
高分子的种类并无特别限制，能够使用公知的高分子。其中，优选上述的特定高分子。
金属为确保导电性细线的导电特性的部分。除了源自前述含卤化银感光性层的银以外，作为通过镀覆处理施加的金属，从导电特性更优异的观点出发，优选银(金属银)、铜(金属铜)、金(金属金)、镍(金属镍)、钯(金属钯)或它们中的2种以上的混合物，更优选银、铜或该混合物，进一步优选银。
另外，在图2中，记载了金属呈粒子状而分散于高分子中的形态，但是并不限定于该形态，也可以是金属呈层状而分散于导电性细线中的形态。
在大多数情况下，导电性细线的线宽通常为2.0μm以下。其中，从难以视觉辨认导电性细线的观点出发，优选1.5μm以下。下限并无特别限制，但是从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选0.5μm以上，更优选1.2μm以上。
另外，导电性细线的线宽是指图2中的由Wa表示的宽度。
导电性细线的厚度并无特别限制，但是优选0.5～2.5μm，更优选1.0～2.0μm。
导电性细线的线电阻值要求小于200Ω/mm。其中，从用作触摸面板时的操作性的观点出发，优选小于100Ω/mm，更优选小于80Ω/mm。
线电阻值是指将利用四端针法测定的电阻值除以测定端子之间的距离而得的值。更具体而言，使构成网格图案的任意1个导电性细线的两端断开而从网格图案分离之后，使4个(A、B、C、D)微探针(Micro Support Co.,Ltd制造的钨探针(直径为0.5um))与该分离的导电性细线接触，使用源表(KEITHLEY制造的源表2400型通用源表)对最外探针A、D施加恒流I，以使内部探针B、C之间的电压V达到5mV，测定电阻值R＝V/I，将所获得的电阻值R除以B、C之间的距离而求出线电阻值。
导电性细线可以形成规定的图案，例如，该图案并无特别限制，优选为将正三角形、等腰三角形、直角三角形等三角形、正方形、矩形、菱形、平行四边形、梯形等四边形、(正)六边形、(正)八边形等(正)n边形、圆、椭圆及星形等组合而成的几何图形，更优选为网格状(网格图案)。
如图3所示，网格状是指包含由交叉的导电性细线14B构成的多个正方形开口部(网格)20的形状。
开口部20的一边的长度L并无特别限制，但是优选1500μm以下，更优选1300μm以下，进一步优选为1000μm以下，优选5μm以上，更优选30μm以上，进一步优选80μm以上。在开口部的边的长度在上述范围内的情况下，还能够进一步良好地保持透明性，将导电性基板安装于显示装置的前表面时，能够无违和感地视觉辨认显示。
从可见光透射率的观点出发，网格图案的开口率优选90.00％以上，更优选95.00％以上，进一步优选99.50％以上。上限并无特别限制，但是可举出小于100％。
开口率相当于网格图案区域中的除了具有导电性细线的区域以外的支撑体上的区域占整体的比例。
＜用途＞
以上述方式获得的导电性基板能够适用于各种用途，能够适用于触摸面板(或触摸面板传感器)、半导体芯片、各种电气配线板、FPC(Flexible Printed Circuits：挠性电路板)、COF(Chip on Film：覆晶薄膜)、TAB(Tape Automated Bonding：卷带自动结合)、天线、多层配线基板及母板等各种用途。其中，本发明的导电性基板优选用于触摸面板(静电电容式触摸面板)。
在将本发明的导电性基板用于触摸面板的情况下，上述的导电性细线能够作为检测电极而有效地发挥作用。
另外，在导电性基板中，可以具有与上述的具有规定的特性的导电性细线不同的上述的金属存在的区域的宽度超过2.0μm的导电部。该导电部可以与上述的导电性细线连接而导通。
实施例
以下，列举本发明的实施例来对本发明进行进一步具体的说明。另外，关于以下的实施例中所示的材料、用量、比例、处理内容及处理步骤等，只要不脱离本发明的主旨，则能够进行适当变更。因此，本发明的范围不应由以下所示的具体例限定性地进行解释。
＜实施例1＞
(卤化银乳剂的制备)
在保持为38℃、pH4.5的下述1液中，一边搅拌1液，一边经20分钟加入相当于下述2液及3液的各90％的量，从而形成了0.16μm的核粒子。接着，经8分钟在所获得的溶液中加入下述4液及5液，进一步经2分钟加入下述2液及3液的剩余10％的量，使核粒子生长至0.21μm。而且，在所获得的溶液中加入碘化钾0.15g，熟化5分钟，结束了粒子形成。
1液；
Figure BDA0003151429820000211
2液；
水 300ml
硝酸银 150g
3液；
Figure BDA0003151429820000212
Figure BDA0003151429820000221
4液；
水 100ml
硝酸银 50g
5液；
Figure BDA0003151429820000222
然后，按照常规方法通过絮凝法进行了水洗。具体而言，将上述获得的溶液的温度降低至35℃，使用硫酸降低了pH(pH在3.6±0.2的范围内)直至卤化银沉淀。接着，从所获得的溶液中去除了约3升的上清液(第1水洗)。接着，在去除了上清液的溶液中加入3升的蒸留水之后，加入了硫酸，直至卤化银沉淀。再次，从所获得的溶液中去除了3升的上清液(第2水洗)。进一步反复进行1次与第2水洗相同的操作(第3水洗)，结束了水洗及脱盐工序。将水洗及脱盐之后的乳剂调节至pH6.4、pAg7.5，加入明胶2.5g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，并在55℃下实施了化学增感，以获得最佳灵敏度。然后，进一步在所获得的乳剂中加入了作为稳定剂的1,3,3a,7-四氮茚100mg及作为防腐剂的PROXEL(商品名称，ICI Co.,Ltd.制造)100mg。最终获得的乳剂为包含0.08摩尔％的碘化银，并将氯溴化银的比率设为70摩尔％的氯化银、30摩尔％的溴化银且平均粒径(球当量直径)为200nm、变动系数为9％的氯溴化银立方体粒子乳剂。
(感光性层形成用组合物的制备)
在上述乳剂中添加1,3,3a,7-四氮茚(1.2×10-4摩尔/摩尔Ag)、氢醌(1.2×10-2摩尔/摩尔Ag)、柠檬酸(3.0×10-4摩尔/摩尔Ag)、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐(0.90g/摩尔Ag)及微量的坚膜剂，从而获得了组合物。接着，使用柠檬酸来将组合物的pH调节至5.6。
在上述组合物中添加含有由下述(P-1)表示的高分子(以下，还称为“高分子1”。)、包含二烷基苯基PEO(PEO为聚环氧乙烷的简称。)硫酸酯的分散剂及水的聚合物胶乳(分散剂的质量与高分子1的质量之比(分散剂的质量/高分子1的质量，单位为g/g)为0.02，并且固体成分含量为22质量％。)，以使组合物中的高分子1的质量与明胶的总质量之比(高分子1的质量/明胶的质量，单位为g/g)成为0.25/1，从而获得了含有聚合物胶乳的组合物。在此，在含有聚合物胶乳的组合物中，明胶的质量与源自卤化银的银的质量之比(明胶的质量/源自卤化银的银的质量，单位为g/g。)为0.11。
而且，作为交联剂而添加了EPOXY RESIN DY 022(商品名称，agase ChemteXCorporation制造)。另外，将交联剂的添加量调节成后述的含卤化银感光性层中的交联剂的量成为0.09g/m2。
以上述方式制备了感光性层形成用组合物。
另外，关于高分子1，参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报进行了合成。
[化学式5]
Figure BDA0003151429820000231
在40μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(“Fujifilm Corporation制造的辊状的长条薄膜”)上涂布上述聚合物胶乳，设置了厚度为0.05μm的底涂层。该处理是通过辊对辊来进行的，以下各处理(工序)也是与其同样地通过辊对辊来进行的。另外，此时的辊宽度为1m，长度为1000m。
(工序H1、工序A1、工序I1)
接着，在底涂层上同时重层涂布混合了上述聚合物胶乳和明胶的不含卤化银层形成用组合物、上述感光性层形成用组合物及混合了聚合物胶乳和明胶的保护层形成用组合物，在底涂层上形成了不含卤化银层、含卤化银感光性层及保护层。
另外，不含卤化银层的厚度为2.0μm，不含卤化银层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为2/1，高分子1的含量为1.3g/m2。
并且，含卤化银感光性层的厚度为2.5μm，含卤化银感光性层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.25/1，高分子1的含量为0.19g/m2。
并且，保护层的厚度为0.15μm，保护层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.1/1，高分子1的含量为0.015g/m2。
(工序B1)
使用将高压汞灯作为光源的平行光，在上述制作的感光性层上隔着格栅状的光掩模进行了曝光。作为光掩模而使用图3的图案形成用掩模，形成网格的单位方形网格的线宽为1.2μm，网格(开口部)的一边的长度L为600μm。
曝光之后，利用后述的显影液对所获得的样品进行显影，进一步使用定影液(商品名称：CN16X用N3X-R：Fujifilm Corporation制造)进行显影处理之后，利用25℃的纯水进行冲洗，然后进行干燥，获得了形成为网格图案状的、具有包含金属银的含银层的样品A。在样品A中，形成了大小为21.0cm×29.7cm的导电性网格图案区域。
(显影液的组成)
在显影液1升(L)中包含以下化合物。
Figure BDA0003151429820000241
将上述获得的样品A浸渍于50℃的热水中180秒钟。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。
(工序C1)
将工序B1中所获得的样品A运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。
(工序D1)
将工序C1中所获得的样品A浸渍于含有次氯酸的水溶液(25℃)中30秒钟。从水溶液中取出样品A，将样品A浸渍于热水(液温：50℃)中120秒钟，并进行了清洗。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。
另外，所使用的含有次氯酸的水溶液是通过将Kao Corporation制造的KitchenHighter稀释为2倍之后使用来制备。
(工序E1)
将工序D1中所获得的样品A浸渍于以下组成的镀覆液A(30℃)5分钟。从镀覆液A中取出样品A，将样品A浸渍于热水(液温：50℃)中120秒钟，并进行了清洗。
镀覆液A(总量1200ml)的组成如下述。另外，镀覆液A的pH为9.5，通过加入规定量的碳酸钾(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)来调节。并且，所使用的以下成分均使用了FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造。
(镀覆液A的组成)
Figure BDA0003151429820000251
(工序F1)
对于工序E1中所获得的样品A，使用基于金属辊和树脂制辊的组合的压延装置，在30kN的压力下进行了压延处理。在室温下进行了压延处理。
(工序G1)
对于工序F1中所获得的样品A，运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。所获得的导电性网格图案区域为如图3所示的由导电性细线形成的网格状的层。导电性细线的线宽为1.4μm，导电性细线的厚度为1.2μm。
并且，导电性细线中的金属存在的区域的宽度为1.3μm，高度为1.1μm，金属存在的区域的高度与宽度之比为0.85。另外，关于金属存在的区域的宽度及高度的测定，通过上述的方法来实施。
＜实施例2～实施例10、实施例13、比较例1～比较例2＞
如后述的表1所示，变更各种条件，调节表1中的各种结构，除此以外，按照与实施例1相同的步骤，获得了导电性基板。
另外，表1中的脱明胶处理的“次氯酸处理”是指在实施例1中实施的工序D1的处理，“酶处理”是指实施了以下处理。
(酶处理)
将工序C1中所获得的样品A浸渍于蛋白水解酶水溶液(40℃)中120秒钟。从蛋白水解酶水溶液中取出样品A，将样品A浸渍于热水(液温：50℃)中120秒钟，并进行了清洗。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。
另外，所使用的蛋白水解酶水溶液是按照以下步骤来制备的。
在蛋白水解酶(agase ChemteX Corporation制造的BIOPRASE 30L)的水溶液(蛋白水解酶的浓度：0.5质量％)中加入三乙醇胺、硫酸来将pH调节至8.5。
并且，表1中的镀覆液B(总量：1200ml)、镀覆液C(总量：1000ml)及镀覆液D(总量：1000ml)的组成如下述。
另外，镀覆液B及D的pH为9.5，通过加入规定量的碳酸钾来调节。
另外，镀覆液C的pH为12.2，通过加入规定量的氢氧化钠来调节。
并且，所使用的以下成分均使用了FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造。
(镀覆液B)
Figure BDA0003151429820000261
Figure BDA0003151429820000271
(镀覆液C)
Figure BDA0003151429820000272
(镀覆液D的组成)
Figure BDA0003151429820000273
另外，如后述，在比较例1中未实施工序D1。
＜实施例11＞
在实施例1的卤化银乳剂的制备中，将1液的温度变更为30℃，并且使用溴化钾8.93g来代替氯化钠，由此制备将氯溴化银的比率设为70摩尔％的氯化银、30摩尔％的溴化银且平均粒径(球当量直径)为120nm、变动系数为9％的氯溴化银立方体粒子乳剂，除此以外，按照与实施例1相同的步骤，获得了导电性基板。
＜实施例12＞
未实施工序F的平滑处理，除此以外，按照与实施例2相同的步骤，获得了导电性基板。
＜比较例3＞
将工序D的脱明胶处理和E的镀覆液浸渍处理的顺序颠倒，除此以外，按照与实施例6相同的步骤，获得了导电性基板。
＜评价＞
(导电性)
测定了所获得的导电性基板的导电性网格图案区域的线电阻值。线电阻值是指将利用四端针法测定的电阻值除以测定端子之间的距离而得的值。更具体而言，使构成网格图案的任意1个导电性细线的两端断开而从网格图案分离之后，使4个(A、B、C、D)微探针(Micro Support Co.,Ltd制造的钨探针(直径为0.5um))与分离的导电性细线接触，使用源表(KEITHLEY制造的源表、2400型通用源表)对最外探针A、D施加恒流I，以使设为250μm间隔的内部探针B、C之间的电压V达到5mV，测定电阻值R＝V/I，将所获得的电阻值R除以B、C之间的距离而求出线电阻值。将所获得的电阻值R除以B、C之间的距离而作为线电阻值，并根据以下标准，将任意10处的测定值的平均值作为导电性进行了评价。结果汇总示于表1中。另外，作为评价，优选3以上，更优选4以上，进一步优选5以上。
5：线电阻值小于60Ω/mm。
4：线电阻值为60Ω/mm以上且小于80Ω/mm。
3：线电阻值为80Ω/mm以上且小于100Ω/mm。
2：线电阻值为100Ω/mm以上且小于200Ω/mm。
1：线电阻值为200Ω/mm以上。
(视觉辨认性)
将所获得的导电性基板按玻璃/导电性基板/偏振片(偏振面正交的方向)/黑色PET(PANAC Co.,Ltd制造，工业用黑色PET(GPH100E82A04))的顺序进行层叠而获得了层叠体。另外，在导电性基板中，以导电性网格图案位于玻璃侧的方式，配置了导电性基板。
接着，对于所获得的层叠体，在500lux的环境光下，由10名观察员通过肉眼从玻璃面侧的正面及倾斜30°～60°的角度进行观察，并根据以下标准进行了评价。结果汇总示于表1中。作为评价，优选3以上，更优选4以上，进一步优选5。另外，在难以视觉辨认网格图案的情况下，光学特性优异，可减少将导电性基板层叠于显示器上时产生的莫尔纹。
5：从距离15cm的位置观察导电性基板时，未视觉辨认到网格图案。
4：从距离30cm的位置观察导电性基板时，没有或者有1名观察员视觉辨认到网格图案。
3：从距离30cm的位置观察导电性基板时，有2～4名观察员视觉辨认到网格图案。
2：从距离30cm的位置观察导电性基板时，有5名以上的观察员视觉辨认到网格图案。
1：从距离50cm的位置观察导电性基板时，有5名以上的观察员视觉辨认到网格图案。
(透射率)
使用NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES Co.,LTD.的雾度计NDH 7000测定所获得的导电性基板的导电性网格图案区域的总透光率，并根据以下标准进行了评价。结果汇总示于表1中。另外，在总透光率高的情况下，显示器的画质得到提高，能够抑制层叠有导电性基板的显示器的耗电量。作为评价，优选3以上，更优选4以上，进一步优选5。
5：总透光率为85％以上
4：总透光率为80％以上且小于85％
3：总透光率为75％以上且小于80％
2：总透光率为70％以上且小于75％
1：总透光率小于70％
(密合性)
对于所获得的导电性基板的导电性网格图案区域，在浸渍于25℃的纯水中的状态下，使用施加了40g的荷载的蓝宝石针(φ1.0)实施了刮擦。另外，在与导电性细线延伸的方向正交的方向上，以与导电性细线交叉的方式在10cm范围内实施刮擦，从该范围中提取任意3个点，使用光学显微镜在各部位观察1cm的刮擦范围，并根据以下标准，作为密合性进行了评价。另外，作为评价，优选3以上，更优选4以上，进一步优选5。在此，“变形”是指在导电性细线发生弯曲或缺损等变形。
5：完全未发生变形。
4：3个点中有1个点发生变形。
3：3个点中有2个点发生变形。
2：3个点中有3个点发生变形。
1：有导电性细线剥离而断裂的部位。
(湿热电阻变化)
根据以下标准，将所获得的导电性基板的导电性网格图案在60℃、90％RH的湿热气氛下静置10天之前和之后的线电阻值的变化率{(静置后的线电阻值-静置前的线电阻值)/静置前的线电阻值}作为湿热电阻变化进行了评价。另外，作为评价，优选3以上，更优选4以上，进一步优选5。
5：变化率小于3％
4：变化率为3％以上且小于5％
3：变化率为5％以上且小于10％
2：变化率为10％以上且小于20％
1：变化率为20％以上
表1中的“高分子1含量(g/m2)”表示不含卤化银层中的高分子1的含量(g/m2)，“厚度(μm)”表示不含卤化银层的厚度。
表1中的“镀覆金属种类”表示通过镀覆处理析出的金属的种类。
表1中的“镀覆液”表示所使用的镀覆液的种类。
表1中的“镀覆时间”表示镀覆液中的浸渍时间。
表1中的“含银层宽度[μm]”表示在曝光显影处理之后获得的含银层的宽度。
表1中的“宽度W[μm]”及“高度H[μm]”表示导电性细线的垂直截面中的金属存在的区域的宽度及高度。
表1中的“开口率”表示所获得的导电性基板中的导电性网格图案区域的开口率。
Figure BDA0003151429820000311
如表1所示确认到，根据本发明的制造方法及导电性基板，可获得所期望的效果。
根据实施例1～实施例3的比较确认到，在H/W为0.86以上的情况下，导电性更优异。
并且，根据实施例4～实施例5确认到，在宽度W小于1.3μm的情况下，视觉辨认性更优异。
并且，根据实施例7与实施例8、比较例2的比较确认到，在镀覆金属种类为银的情况下，不易发生线增粗，导电性和视觉辨认性更优异。
根据实施例2与实施例10的比较确认到，在不含卤化银层的厚度超过1.0μm的情况下，密合性得到提高。
并且，根据实施例1与实施例11的比较确认到，在卤化银的球当量直径小的情况(50～150nm)下，导电性细线的高度增加，导电性得到提高。并且，确认到，导电性细线的线宽的均匀性增加，进而还能够抑制湿热经时时的电阻变化。
并且，根据实施例2与实施例12的比较确认到，在实施了平滑处理的情况下，导电性进一步提高。
并且，根据实施例6与比较例3的比较确认到，从含银层中去除粘合剂，形成细孔，由此不易发生镀覆时的线增粗，在兼顾导电性与视觉辨认性的方面优异。
符号说明
10-导电性基板，12-基板，14A、14B-导电性细线，16-高分子，18-金属，20-开口部。

Claims (11)

1.一种导电性基板的制造方法，其具有：
工序A，在支撑体上形成含卤化银感光性层，该含卤化银感光性层包含卤化银、明胶及与所述明胶不同的高分子；
工序B，对所述含卤化银感光性层进行曝光之后，进行显影处理，形成宽度为2.0μm以下的细线状的含银层，该含银层包含金属银、所述明胶及与所述明胶不同的高分子；
工序C，对所述工序B中所获得的所述含银层实施加热处理；
工序D，去除所述工序C中所获得的所述含银层中的所述明胶；及
工序E，对所述工序D中所获得的所述含银层实施镀覆处理，形成导电性细线，
在与所述导电性细线延伸的方向正交的方向上的所述导电性细线的垂直截面中，金属存在的区域的宽度为2.0μm以下。
2.根据权利要求1所述的导电性基板的制造方法，其中，
所述卤化银是以球当量直径计为10～200nm的粒子。
3.根据权利要求1或2所述的导电性基板的制造方法，其中，
所述镀覆处理为镀银处理或镀铜处理。
4.根据权利要求3所述的导电性基板的制造方法，其中，
所述镀覆处理为镀银处理。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，
在所述支撑体的表面上具有不含卤化银层，所述不含卤化银层不包含卤化银而包含明胶和与所述明胶不同的高分子且厚度超过1.0μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的导电性基板的制造方法，其中，
所述工序C为使所述工序B中所获得的所述含银层与过热蒸汽接触的工序。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的导电性基板的制造方法，其具有工序F，对所述工序E中所获得的导电性细线进一步实施平滑处理。
8.根据权利要求7所述的导电性基板的制造方法，其中，
在所述工序F之后，还具有工序G，对工序F中所获得的导电性细线实施加热处理。
9.一种导电性基板，其具有：
支撑体；及
导电性细线，配置于所述支撑体上且含有高分子及金属，
在与所述导电性细线延伸的方向正交的方向上的所述导电性细线的垂直截面中，所述金属存在的区域的宽度为2.0μm以下，
在所述垂直截面中，所述金属存在的区域的高度与宽度之比超过0.40。
10.根据权利要求9所述的导电性基板，其中，
由所述导电性细线形成了网格图案。
11.根据权利要求10所述的导电性基板，其中，
所述网格图案的开口率为95.00％以上。
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