WO2023210425A1 - 導電性基材 - Google Patents

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WO2023210425A1
WO2023210425A1 PCT/JP2023/015331 JP2023015331W WO2023210425A1 WO 2023210425 A1 WO2023210425 A1 WO 2023210425A1 JP 2023015331 W JP2023015331 W JP 2023015331W WO 2023210425 A1 WO2023210425 A1 WO 2023210425A1
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WO
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conductive
base material
conductive layer
layer
thin wire
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/015331
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English (en)
French (fr)
Inventor
晃 一木
Original Assignee
富士フイルム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Definitions

  • the present invention relates to a conductive base material.
  • Conductive substrates having conductive thin wires are widely used in various applications such as touch panels, solar cells, and EL (electro luminescence) elements.
  • touch panels thin wire-like wiring exhibiting conductivity
  • EL electro luminescence
  • Patent Document 1 describes a method for manufacturing a circuit board having a wiring pattern made of a plurality of metal layers including a first metal layer and a second metal layer on an insulating resin. A technology related to this has been disclosed.
  • the present inventors produced a conductive base material having conductive thin wires with reference to Patent Document 1, and as a result of studying the application of the above conductive base material to a wiring board that requires flexibility, the inventors found that the conductive base material It has been discovered that when the material is bent, the conductive layer formed on the base material may be damaged (for example, broken).
  • an object of the present invention is to provide a conductive base material that has excellent bending resistance, suppresses moiré, and has excellent conductivity.
  • a conductive base material having a base material and a conductive thin wire disposed on the base material, the conductive thin wire having a laminated structure composed of a plurality of conductive layers.
  • the metal density of the first conductive layer disposed closest to the base material among the plurality of conductive layers is lower than the metal density of the other conductive layers other than the first conductive layer; contains a metal and a binder component, the volume ratio of the metal to the binder component in the first conductive layer is 0.2 to 3.5, and the average line width of the first conductive layer is 3.0 ⁇ m. or less, and the average value of the line width of the conductive thin wire is 1.25 times or less of the average value of the line width of the first conductive layer.
  • the conductive base material according to [1], wherein the ratio of the thickness of the conductive thin wire to the average line width of the conductive thin wire is 0.5 or more.
  • the ratio of the thickness of the conductive thin wire to the average line width of the conductive thin wire is 0.5 or more, and the thickness of the first conductive layer is 0.1 to 2.0 ⁇ m.
  • the conductive layer other than the first conductive layer included in the conductive thin wire contains at least one of silver and copper, the first conductive layer contains silver, and the conductive layer of the base material
  • a conductive base material that has excellent bending resistance, suppresses moiré, and has excellent conductivity.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of a conductive base material of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a mesh pattern of the conductive thin wires of the conductive base material of the present invention.
  • a numerical range expressed using " ⁇ ” means a range that includes the numerical values written before and after " ⁇ " as lower and upper limits.
  • the “content” of the component means the total content of the two or more types of components.
  • “g” and “mg” represent “mass g” and “mass mg”, respectively.
  • polymer or “polymer compound” means a compound having a weight average molecular weight of 2000 or more.
  • the weight average molecular weight is defined as a polystyrene equivalent value measured by GPC (Gel Permeation Chromatography).
  • the "width direction” of the conductive thin wire means a direction along the surface of the base material that is orthogonal to the direction in which the conductive thin wire extends;
  • Line width means the total length of the conductive thin wire in the width direction.
  • the conductive base material according to the present invention includes a base material and a conductive thin wire disposed on the base material.
  • the conductive thin wire has a laminated structure composed of a plurality of conductive layers.
  • the first conductive layer disposed closest to the base material has a metal density lower than that of the other conductive layers other than the first conductive layer.
  • the first conductive layer contains a metal and a binder component in a predetermined content ratio.
  • the average value of the line width of the first conductive layer is 3.0 ⁇ m or less
  • the average value of the line width of the conductive thin wire is 1.25 times or less of the average value of the line width of the first conductive layer. be.
  • the present inventor has determined that the conductive thin wires have a laminated structure composed of a plurality of conductive layers.
  • the composition and line width of the conductive layer disposed on the side, and specifying the line width of the conductive thin wire we can sufficiently suppress moiré and have excellent conductivity while creating a conductive base.
  • the present invention was completed based on the discovery that the bending resistance of the material can be improved.
  • the conductive base material has excellent bending resistance
  • the moire suppressing function is excellent
  • the conductivity of the conductive base material is excellent
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of the present conductive base material.
  • the conductive base material 10 shown in FIG. 1 includes a base material 12 and a conductive thin wire 20 disposed on the base material 12.
  • the conductive thin wire 20 is composed of a first conductive layer 22 disposed closest to the base material 12 and a second conductive layer 24 that is a conductive layer other than the first conductive layer 22. It has a laminated structure.
  • the conductive base material 10 includes a transparent insulating section 30 disposed on a region (non-fine wire region) 14 of the base material 12 where the conductive thin wires 20 are not disposed.
  • FIG. 1 shows two conductive thin wires 20 extending perpendicularly to the plane of the paper
  • the arrangement form and number of the conductive thin wires included in the present conductive base material are not particularly limited.
  • the conductive base material 10 shown in FIG. 1 has the transparent insulating part 30 in the non-thin line area 14, the conductive base material does not need to have the transparent insulating part.
  • the type of base material is not particularly limited as long as it is a member that can support the conductive thin wire, and examples thereof include plastic base materials.
  • a flexible base material means a base material that can be bent, and specifically means a base material that does not crack even when bent with a bending radius of curvature of 2 mm.
  • the flexible base material has workability that allows it to be formed into a three-dimensional shape. Examples of flexible base materials include the above plastic base materials.
  • plastic base material examples include polyethylene terephthalate (PET) (258°C), polycycloolefin (134°C), polycarbonate (250°C), acrylic film (128°C), and polyethylene naphthalate (PEN) (269°C). ), polyethylene (PE) (135°C), polypropylene (163°C), polystyrene (230°C), polyvinyl chloride (180°C), polyvinylidene chloride (212°C), and triacetylcellulose (290°C), etc. Resins with melting points of about 290° C. or less are preferred, with PET, polycycloolefins, or polycarbonates being more preferred. Among these, PET is more preferable because it has excellent adhesion to the conductive thin wire.
  • the numerical value in parentheses above is the melting point or glass transition temperature.
  • the total light transmittance of the base material is preferably 85 to 100%.
  • the total light transmittance is measured using "Plastics - How to determine total light transmittance and total light reflectance" specified in JIS (Japanese Industrial Standard) K 7375:2008.
  • the material constituting the base material passes exposure light such as ultraviolet rays from the back side and exposes the photoresist provided on the base material. It may be a material that can. Photoresists are often set to be exposed using ultraviolet light, and in terms of the photoresist's light wavelength sensitivity characteristics and the precision processability of micrometer-level patterns, the G-line (436 nm) is preferred. Especially often used.
  • short-wavelength ultraviolet light such as the i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ARF excimer laser (193 nm), and F2 excimer laser (157 nm) may be used.
  • a base material that has good light transparency for these exposure lights.
  • the material constituting the base material PET, polycycloolefin, or acrylic resin is preferable from the viewpoint of superior ultraviolet ray transmittance.
  • PEN or PET is preferred in terms of superior durability in the usage environment when used in electronic materials.
  • the thickness of the base material is not particularly limited, and is often 25 to 500 ⁇ m. In addition, when applying a conductive base material to a touch panel and using the base material surface as a touch surface, the thickness of the base material may exceed 500 ⁇ m.
  • An undercoat layer may be disposed on the surface of the base material.
  • the undercoat layer preferably contains a specific polymer described below. When this undercoat layer is used, the adhesion of the conductive thin wire described later to the base material is further improved.
  • the method for forming the undercoat layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming an undercoat layer containing a specific polymer, which will be described later, is applied onto a base material and, if necessary, a heat treatment is performed.
  • the undercoat layer forming composition may contain a solvent as necessary.
  • the type of solvent is not particularly limited, and examples include solvents used in the photosensitive layer forming composition described below.
  • the composition for forming an undercoat layer containing a specific polymer a latex containing particles of a specific polymer may be used.
  • the thickness of the undercoat layer is not particularly limited, and is preferably 0.02 to 0.3 ⁇ m, more preferably 0.03 to 0.2 ⁇ m, in terms of better adhesion of the conductive layer to the base material.
  • the conductive thin wire is a thin wire-like member disposed on the base material, and is a member that includes metal to ensure the conductive properties of the conductive base material.
  • the conductive thin wire has a laminated structure composed of a plurality of conductive layers. More specifically, the conductive thin wire includes, as a plurality of conductive layers, a first conductive layer disposed closest to the base material, and conductive layers other than the first conductive layer. The number of conductive layers other than the first conductive layer may be one layer or multiple layers.
  • a laminated structure composed of multiple conductive layers means having two or more conductive layers that differ from each other in at least one of the composition of the entire layer (including the type of metal), metal density, and manufacturing method. do.
  • a conductive layer other than the first conductive layer included in the conductive thin wire is also referred to as a "second conductive layer.”
  • the conductive thin wire is intended to be a thin wire-shaped area that is arranged on the surface of a base material and integrally formed of a material containing metal.
  • the conductive thin wire may have a layer that does not contain metal and does not exhibit conductivity, closer to the base material than the first conductive layer.
  • a layer derived from a silver halide-free layer formed by step Z described later and adjacent to a thin line-shaped silver-containing layer (silver-containing layer) formed by steps A and B described later is a layer formed by conductive thin wires.
  • the conductive thin wire may or may not be electrically connected to a member outside the conductive base material. A portion of the conductive thin wire may be a dummy electrode electrically insulated from the outside.
  • the arrangement of the conductive thin wires on the surface of the base material is not particularly limited.
  • the conductive thin wire may have a pattern shape.
  • the pattern shape of the conductive thin wire is not particularly limited, and includes, for example, triangles such as an equilateral triangle, isosceles triangle, and right triangle, quadrilaterals such as a square, rectangle, rhombus, parallelogram, and trapezoid, (regular) hexagon, and (regular) hexagon.
  • a (regular) n-gon such as an octagon, a circle, an ellipse, a star shape, and a geometric figure that is a combination of these figures are preferable, and a mesh shape (mesh pattern) is more preferable.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a mesh pattern of conductive thin wires.
  • the mesh shape is intended to be a shape that is composed of intersecting conductive thin wires 20, each including a plurality of non-thin wire portions (lattice) 32 spaced apart from each other.
  • the non-thin wire portion 32 has a square shape with one side length L, but if the non-fine wire portion of the mesh pattern is an area partitioned by conductive thin wires, other
  • the shape may be, for example, a polygon (eg, a triangle, a quadrilateral (diamond, rectangle, etc.), a hexagon, and a random polygon).
  • the shape of the side may be a curved shape other than a straight line, or may be an arc shape.
  • an arcuate shape for example, two opposing sides may have an outwardly convex arcuate shape, and the other two opposing sides may have an inwardly convex arcuate shape.
  • each side may have a wavy line shape in which an outwardly convex circular arc and an inwardly convex circular arc are continuous.
  • the shape of each side may be a sine curve.
  • the length L of one side of the square lattice-shaped non-thin wire portion 32 is not particularly limited, but is preferably 1500 ⁇ m or less, more preferably 1300 ⁇ m or less, and even more preferably 1000 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the length L is not particularly limited, but is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 30 ⁇ m or more, and even more preferably 80 ⁇ m or more.
  • the aperture ratio of the mesh pattern formed by the conductive thin wires is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and even more preferably 99% or more.
  • the upper limit is not particularly limited, but may be less than 100%.
  • the aperture ratio means the ratio (area ratio) of the area where the conductive base material is not arranged to the total area of the surface of the base material on the side where the mesh pattern of the conductive base material is formed.
  • the average value of the line width of the conductive thin wire (hereinafter also referred to as "line width Wa”) is preferably 5.0 ⁇ m or less, more preferably 3.1 ⁇ m or less, and 2. More preferably, the thickness is 1 ⁇ m or less. Although the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 ⁇ m or more, more preferably 1.0 ⁇ m or more in terms of better conductivity.
  • the line width Wa of the conductive thin wire is obtained by the following method. Select any 10 locations of the conductive thin wire that the conductive base material has, and at each location, take a cross section cut in a direction perpendicular to the extending direction of the conductive thin wire using a scanning electron microscope (SEM). Observe using.
  • the maximum value of the line width of the conductive thin wire in the thickness direction is measured from the obtained observation image.
  • the line width Wa of the conductive thin wire is determined by calculating the arithmetic mean value of the maximum values in the thickness direction of the line widths measured at the ten selected locations. A more detailed method for measuring the line width Wa will be described in Examples described later.
  • the thickness Ta of the conductive thin wire is not particularly limited, it is preferably 0.5 ⁇ m or more, and more preferably 1.0 ⁇ m or more, since the conductivity of the conductive base material is more excellent.
  • the upper limit is not particularly limited, it is preferably 15 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less in terms of better bending resistance.
  • the thickness Ta of the conductive thin wire is determined from the observation image of the cut surface of the conductive thin wire obtained using SEM at any 10 points according to the method for measuring the line width Wa of the conductive thin wire. It is determined by measuring the thickness and calculating the arithmetic mean value of the measured thicknesses at 10 locations. A more detailed method for measuring the thickness Ta will be described in Examples described later.
  • the ratio of the thickness Ta of the conductive thin wire to the line width Wa of the conductive thin wire is preferably 0.5 or more, and 1. More preferably 0 or more.
  • the upper limit is not particularly limited, it is preferably 10 or less, more preferably 5 or less, in terms of better scratch resistance.
  • the wire resistance value of the conductive thin wire is preferably less than 200 ⁇ /mm. Among these, from the viewpoint of operability when used as a touch panel, less than 100 ⁇ /mm is more preferable, and even more preferably less than 60 ⁇ /mm.
  • the lower limit is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ /mm or more.
  • the wire resistance value is the resistance value measured by the four-probe method divided by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of an arbitrary conductive thin wire constituting the mesh pattern and separating it from the mesh pattern, four microprobes (A, B, C, and D) (Micro Probe Co., Ltd.
  • the first conductive layer is the conductive layer disposed closest to the base material among the plurality of conductive layers constituting the conductive thin wire.
  • the first conductive layer satisfies the following requirements 1 to 4.
  • the first conductive layer contains a metal and a binder component, and the metal density of the first conductive layer is lower than the metal density of the second conductive layer (another conductive layer other than the first conductive layer).
  • the volume ratio of metal to binder component in the first conductive layer is 0.2 to 3.5.
  • the average value of the line width of the first conductive layer is 3.0 ⁇ m or less.
  • the average value of the line width of the conductive thin wire is 1.25 times or less of the average value of the line width of the first conductive layer.
  • the first conductive layer contains metal as a conductive material.
  • the metal contained in the first conductive layer include a single metal selected from the group consisting of silver, copper, gold, nickel, and palladium, and a mixture (alloy) of two or more metals selected from the above group. ).
  • the metal contained in the first conductive layer is preferably at least one of silver and copper, and more preferably silver, since it has better conductivity.
  • the silver contained in the first conductive layer may be simple silver, or may be a mixture of silver and a metal other than silver (silver alloy). Among these, as the metal contained in the first conductive layer, simple silver or an alloy of silver and copper is more preferable, and simple silver is even more preferable.
  • the metal (preferably metallic silver) contained in the first conductive layer is often in the form of solid particles.
  • the average particle diameter of the metal is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, in equivalent sphere diameter.
  • the thickness is more preferably 50 to 150 nm, since the change in the resistance value of the conductive thin wire in a moist heat environment is smaller.
  • the equivalent sphere diameter is the diameter of spherical particles having the same volume, and the average particle diameter of metal particles (preferably metal silver particles) and silver halide particles described below is the equivalent sphere diameter of 100 objects. It is obtained as the average value by measuring and arithmetic averaging them.
  • the shape of the metal particles is not particularly limited, and examples include shapes such as spherical, cubic, tabular, octahedral, and tetradecahedral. Further, the metal particles may be partially or entirely bonded by fusion.
  • the first conductive layer may have a structure in which a plurality of metals are dispersed in a polymer compound described below, or metals may aggregate in a polymer compound and exist as an aggregate. Further, at least some of the plurality of metals included in the first conductive layer may be bonded to each other by a metal derived from metal ions used in plating treatment, which will be described later.
  • the content of metal in the first conductive layer is not particularly limited, and in that the conductivity of the conductive base material is better, the content of metal per area of the region on the surface of the base material where the first conductive layer is arranged. is preferably 1.0 to 20.0 g/m 2 , more preferably 2.0 to 10.0 g/m 2 .
  • the first conductive layer contains a binder component in addition to the metal, and the metal density of the first conductive layer is lower than the metal density of the second conductive layer (requirement 1).
  • Requirement 1 a conductive base material with better bending resistance can be obtained.
  • the determination of whether the first conductive layer contains a binder component and the determination of whether the metal density of the first conductive layer is lower than the metal density of the second conductive layer are performed in the extending direction of the conductive thin wire. It is carried out based on an observation image obtained by observing a cut surface of a conductive base material along a perpendicular direction using an SEM. A detailed determination method will be described in Examples described later.
  • the binder component contained in the first conductive layer it is preferable that a polymer compound is included, since the bending resistance of the conductive base material is more excellent.
  • the type of polymer compound contained in the first conductive layer is not particularly limited, and known polymer compounds can be used. Among these, polymer compounds different from gelatin (hereinafter also referred to as "specific polymers") are preferred in that they can form a silver-containing layer and a first conductive layer with better strength.
  • the metal and the binder component are the volume ratio of the metal to the binder component in the first conductive layer ((volume of metal)/(volume of binder component)) (hereinafter also referred to as "volume ratio A"). ) is contained in the first conductive layer in an amount of 0.2 to 3.5 (requirement 2).
  • volume ratio A of the first conductive layer is within the above range, a conductive base material having better bending resistance and conductivity can be obtained.
  • the volume ratio A of the first conductive layer is preferably 0.2 to 3.5, more preferably 1.0 to 3.5.
  • the volume ratio A of the first conductive layer is determined by measuring the metal content contained in the conductive thin wire using fluorescent X-ray measurement and by time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS). It can be determined by combining the measurement of the relative value of the metal content in the cross section of the conductive thin wire using the Mass Spectrometry method.
  • TOF-SIMS time-of-flight secondary ion mass spectrometry
  • the weight content (g/m 2 ) of metal contained in the conductive thin wire per area of the main surface of the conductive base material is measured using a fluorescent X-ray measuring device.
  • the conductive base material is cut along the direction intersecting the extending direction of the conductive thin wire, and the local concentration of metal on the cut surface of the obtained conductive thin wire is measured by TOF-SIMS method.
  • the TOF-SIMS method detects secondary ions such as molecular ions and fragment ions released from molecules in a sample by irradiation with primary ions such as Ga + and In + , thereby detecting compounds present on the surface of a solid sample. It is a method that can measure quantities.
  • both positive ions and negative ions can be detected, but in this embodiment, positive ions are selected and the mass is zero in the same area of the cut surface of the conductive thin wire.
  • All secondary ion images of ⁇ 1000 amu (atom mass unit) can be measured in raw data format. Note that it is preferable to use an electron gun (flood gun) in order to neutralize the electrical charge (charge-up) on the surface of the sample during measurement.
  • the cut surface of the conductive thin wire is divided into fine regions (apertures) with a diameter of approximately 10 to 50 nm, and the signal intensity derived from the metal is measured using this aperture size.
  • the metal-derived signal intensity in the measured microscopic area over the entire cross-sectional area of the conductive thin wire it is possible to determine the signal strength at each position on the cut surface of the conductive thin wire when the thickness direction and line width direction are taken as coordinates.
  • a compositional distribution is obtained indicating the relative local concentrations of metals present. Note that when the thickness of the conductive thin wire or each conductive layer is thin (for example, several times the thickness of the aperture), the cutting direction of the conductive base material is set to the normal direction to the main surface of the conductive base material (90 It is possible to increase the resolution of mapping within the conductive thin wire by increasing the area of the cut surface by changing the angle from 1° to less than 90° to the main surface of the conductive substrate. preferable.
  • the first conductive layer and the second conductive layer in the conductive thin wire are distinguished, and the relative metal content of the first conductive layer at the cut surface is determined.
  • the relative values of the metal content of the second conductive layer and the metal content of the second conductive layer are respectively calculated.
  • the ratio (mass ratio) of the metal content of the first conductive layer to the metal content of the conductive thin wire is determined.
  • the weight content of metal contained in the conductive thin wire measured by X-ray fluorescence measurement is multiplied by the ratio of the metal content of the first conductive layer to the metal content of the conductive thin wire obtained by the TOF-SIMS method. Accordingly, the weight content (g/m 2 ) of the metal contained in the first conductive layer per area of the main surface of the conductive base material is calculated.
  • the obtained weight content of the metal is divided by the specific gravity of the metal to calculate the volume content ⁇ (cm 3 /m 2 ) of the metal included in the first conductive layer per area of the main surface of the conductive base material. do.
  • the weight content is measured by fluorescent X-ray measurement method, and the content of the first conductive layer relative to the content of the conductive thin wire by TOF-SIMS method.
  • the volume content ⁇ is determined by measuring the ratio of each metal type and summing the volume content of each metal.
  • the volume ratio A of the metal to the binder component in the first conductive layer is calculated. is required.
  • the type of specific polymer contained in the first conductive layer is not particularly limited as long as it is a polymer compound different from gelatin, and preferably a polymer compound that is not decomposed by a proteolytic enzyme or an oxidizing agent that decomposes gelatin, which will be described later.
  • Specific polymers include hydrophobic polymers (water-insoluble polymers), such as (meth)acrylic resins, styrene resins, vinyl resins, polyolefin resins, polyester resins, polyurethane resins, At least one resin selected from the group consisting of polyamide resin, polycarbonate resin, polydiene resin, epoxy resin, silicone resin, cellulose polymer, and chitosan polymer, or comprising these resins Examples include copolymers consisting of monomers.
  • the specific polymer has a reactive group that reacts with a crosslinking agent described below. It is preferable that the specific polymer is in the form of particles. That is, the first conductive layer preferably contains particles of a specific polymer.
  • a polymer (copolymer) represented by the following general formula (1) is preferable.
  • A, B, C, and D each represent a repeating unit represented by the following general formulas (A) to (D).
  • R 11 represents a methyl group or a halogen atom, and preferably a methyl group, a chlorine atom, or a bromine atom.
  • p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
  • R 12 represents a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
  • R 13 represents a hydrogen atom or a methyl group, preferably a hydrogen atom.
  • L represents a divalent linking group, and is preferably a group represented by the following general formula (2).
  • X 1 represents an oxygen atom or -NR 30 -.
  • R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, each of which may have a substituent (eg, a halogen atom, a nitro group, and a hydroxy group).
  • R 30 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., methyl group, ethyl group, n-butyl group, and n-octyl group), or an acyl group (e.g., acetyl group, and benzoyl group) is preferred.
  • X 1 is preferably an oxygen atom or -NH-.
  • X 2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylene arylene group, an arylene alkylene group, or an alkylene arylene alkylene group, and these groups include -O-, -S-, -CO-, -COO-, -NH -, -SO 2 -, -N(R 31 )-, -N(R 31 )SO 2 -, etc. may be inserted in the middle.
  • R 31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • X 2 is dimethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, -CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2 -, or -CH 2 CH 2 OCO ( C 6 H 4 )- is preferred.
  • r represents 0 or 1.
  • q represents 0 or 1, preferably 0.
  • R 14 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, preferably an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, and further an alkyl group having 5 to 20 carbon atoms.
  • R 15 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom, or -CH 2 COOR 16 , preferably a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, or -CH 2 COOR 16 ; , or -CH 2 COOR 16 is more preferred, and a hydrogen atom is even more preferred.
  • R 16 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms, and may be the same as or different from R 14 , and the carbon number of R 16 is preferably 1 to 70, more preferably 1 to 60.
  • x, y, z, and w represent the molar ratio of each repeating unit.
  • x is 3 to 60 mol%, preferably 3 to 50 mol%, and more preferably 3 to 40 mol%.
  • y is 30 to 96 mol%, preferably 35 to 95 mol%, and more preferably 40 to 90 mol%.
  • z is 0.5 to 25 mol%, preferably 0.5 to 20 mol%, and more preferably 1 to 20 mol%.
  • w is 0.5 to 40 mol%, preferably 0.5 to 30 mol%.
  • x is preferably 3 to 40 mol%
  • y is 40 to 90 mol%
  • z is 0.5 to 20 mol%
  • w is 0.5 to 10 mol%.
  • the polymer represented by the general formula (1) is preferably a polymer represented by the following general formula (2).
  • the polymer represented by the general formula (1) may contain repeating units other than the repeating units represented by the above-mentioned general formulas (A) to (D).
  • monomers for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonic acid esters, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, and fumaric acid diesters.
  • examples include acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, vinyl heterocyclic compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745.
  • the polymer represented by general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by general formula (E).
  • L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.
  • a polymer represented by the following general formula (3) is particularly preferable.
  • a1, b1, c1, d1 and e1 represent the molar ratio of each repeating unit, a1 is 3 to 60 (mol%), b1 is 30 to 95 (mol%), and c1 is 0.5 to 25 (mol%), d1 represents 0.5 to 40 (mol%), and e1 represents 1 to 10 (mol%).
  • the preferable range of a1 is the same as the above-mentioned preferable range of x
  • the preferable range of b1 is the same as the above-mentioned preferable range of y
  • the preferable range of c1 is the same as the above-mentioned preferable range of z
  • the preferable range of d1 is the same as the above-mentioned preferable range of y.
  • the preferred range is the same as the preferred range for w described above.
  • e1 is 1 to 10 mol%, preferably 2 to 9 mol%, and more preferably 2 to 8 mol%.
  • the specific polymer can be synthesized with reference to, for example, Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
  • the weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, and is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 2,000 to 750,000, and even more preferably 3,000 to 500,000.
  • the first conductive layer may contain gelatin as a polymer compound.
  • the type of gelatin is not particularly limited, and examples include lime-treated gelatin and acid-treated gelatin. Furthermore, using a compound selected from the group consisting of hydrolyzed gelatin, enzymatically decomposed gelatin, and gelatin modified with an amino group and/or carboxyl group (phthalated gelatin and acetylated gelatin), Good too.
  • the first conductive layer may further contain other materials than the above-mentioned materials, if necessary.
  • examples include metal compounds belonging to Groups 8 and 9, such as rhodium compounds and iridium compounds, which are used for stabilizing silver halide and increasing sensitivity, which will be described later.
  • the first conductive layer may contain physical development nuclei.
  • the first conductive layer may contain a crosslinking agent used to crosslink the specific polymers described above. By including the crosslinking agent, crosslinking between specific polymers progresses, and the connections between metals in the first conductive layer are maintained.
  • the first conductive layer may be provided with a physical development nucleus layer containing physical development nuclei.
  • the physical development nuclei contained in the physical development nucleus layer include particles made of materials such as colloids such as gold and silver, and metal sulfides obtained by mixing sulfides with water-soluble salts such as palladium and zinc. .
  • the method of forming the physical development nucleus layer reference may be made to paragraphs [0007] to [0016] of JP-A-5-265162.
  • the average value of the line width of the first conductive layer (hereinafter also referred to as "line width W1") is 3.0 ⁇ m or less (requirement 3), and the line width Wa of the conductive thin wire is the line width of the first conductive layer. It is 1.25 times or less of the width W1 (requirement 4).
  • the line width W1 of the first conductive layer and the line width Wa of the conductive thin wire are within the above ranges, a conductive base material with suppressed moire can be obtained. Further, since the line width W1 of the first conductive layer is within the above range, the conductive thin line becomes difficult to be visually recognized.
  • the line width W1 of the first conductive layer is within the above range, a conductive base material with suppressed moire can be obtained. Further, since the line width W1 of the first conductive layer is within the above range, the conductive thin line becomes difficult to be visually recognized.
  • the line width W1 of the first conductive layer can be measured according to the method for measuring the line width Wa of a conductive thin wire.
  • the line width W1 of the first conductive layer is 3.0 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 ⁇ m or more, and more preferably 1.2 ⁇ m or more in terms of superior conductivity.
  • the line width Wa of the conductive thin wire is more preferably 1.5 times or less, and even more preferably 1.3 times or less, than the line width W1 of the first conductive layer, in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the lower limit is not particularly limited, and the line width Wa of the conductive thin wire may be one or more times the line width W1 of the first conductive layer.
  • the thickness T1 of the first conductive layer is not particularly limited, but it is preferably 0.1 to 3.0 ⁇ m, and 0.1 to 2.0 ⁇ m, from the viewpoint of better adhesion with the base material and better conductivity of the conductive base material.
  • the thickness is more preferably 0 ⁇ m, and even more preferably 0.5 to 2.0 ⁇ m.
  • the ratio of the thickness Ta of the conductive thin wire to the thickness T1 of the first conductive layer is 1.0 or more for better conductivity. is preferable, and 2.0 or more is more preferable.
  • the upper limit is not particularly limited, and may be, for example, 50 or less.
  • the thickness T1 of the first conductive layer can be measured according to the method for measuring the thickness Ta of a conductive thin wire.
  • Second conductive layer among the plurality of conductive layers constituting the conductive thin wire in the conductive base material, other conductive layers other than the first conductive layer disposed closest to the base material will also be referred to as "second conductive layer".
  • the number of second conductive layers that the conductive thin wire has may be only one layer, or two or more layers.
  • the second conductive layer includes a conductive material such as metal.
  • the metal contained in the second conductive layer include a single metal selected from the group consisting of silver, copper, gold, nickel, cobalt, and palladium, and a mixture of two or more metals selected from the above group. (alloy).
  • silver and copper is preferred in terms of superior conductivity, single silver or an alloy of silver and copper is more preferred, and single silver is even more preferred.
  • the second conductive layer preferably contains metal as a main component.
  • the expression that the second conductive layer "contains metal as a main component" means that the metal content is 50% by mass or more based on the total mass of the second conductive layer.
  • the metal content in the second conductive layer is preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more based on the total mass of the second conductive layer.
  • the upper limit is not particularly limited, and may be 100% by mass based on the total mass of the second conductive layer.
  • the conductive thin wire may have a blackened layer as the conductive layer furthest from the base material among the conductive layers constituting the second conductive layer.
  • the blackening layer has the function of preventing reflection of light on the conductive thin wires on the surface of the conductive base material and further improving visibility.
  • Examples of the black layer include known black plating layers such as a black chrome plating layer, a black nickel plating layer, and a black alumite plating layer. These blackened layers can be formed by plating using a known black metal material.
  • the line width W2 of the second conductive layer is preferably 5.0 ⁇ m or less, more preferably 3.5 ⁇ m or less, and even more preferably 2.5 ⁇ m or less, since the effects of the present invention are more excellent.
  • the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 ⁇ m or more, more preferably 1.0 ⁇ m or more in terms of better conductivity.
  • the thickness T2 of the second conductive layer is preferably 0.2 ⁇ m or more, more preferably 0.5 ⁇ m or more, and even more preferably 1.0 ⁇ m or more, in terms of better conductivity.
  • the upper limit is not particularly limited, it is preferably 10.0 ⁇ m or less in terms of better abrasion resistance.
  • the line width W2 and thickness T2 of the second conductive layer can be measured according to the method for measuring the line width Wa and thickness Ta of a conductive thin wire.
  • the conductive base material has a transparent insulating layer on the surface of the conductive base material on which the conductive thin wires are arranged, in an area where the conductive thin wires are not arranged (herein also referred to as "non-thin line area"). It is preferable to have a transparent insulating part in terms of superior corrosive gas resistance.
  • the transparent insulating part 30 is arranged on the non-thin line region 14 on one surface of the base material 12, in line with the conductive thin wire 20. In other words, the transparent insulating portion 30 is adjacent to the conductive thin wire 20 in the width direction of the conductive thin wire 20 .
  • the arrangement and shape of the transparent insulating portion of the conductive base material are not limited to the embodiment shown in FIG. 1.
  • the transparent insulating portion may cover part or all of the surface of the conductive thin wire on the side opposite to the base material.
  • the transparent insulating part is a member that does not contain conductive metal and does not exhibit conductivity.
  • the expression that the transparent insulating part "does not contain metal” means that the metal content in the transparent insulating part is 0.1% by mass or less based on the total mass of the transparent insulating part.
  • the metal content in the transparent insulating part is preferably 0.05% by mass or less based on the total mass of the transparent insulating part.
  • the lower limit is not particularly limited and may be 0.0% by mass.
  • transparent means that the average transmittance of visible light with a wavelength of 400 to 700 nm is 80% or more.
  • the average transmittance of the visible light of the transparent insulating portion is preferably 90% or more.
  • the upper limit is not particularly limited, and is, for example, 99% or less. Transmittance can be measured using a spectrophotometer.
  • the transparent insulating portion preferably contains a polymer compound as a main component.
  • the polymer compound contained in the transparent insulating part include those contained in the conductive thin wire, and specific polymers are preferable.
  • the polymer compound contained in the transparent insulating portion may be the same as or different from the polymer compound contained in the conductive thin wire.
  • the expression that the transparent insulating part "contains a polymer compound as a main component" means that the content of the polymer compound is 50% by mass or more based on the total mass of the transparent insulating part.
  • the content of the polymer compound in the transparent insulating part is preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more based on the total mass of the transparent insulating part.
  • the upper limit is not particularly limited, and may be 100% by mass based on the total mass of the transparent insulating part.
  • the transparent insulating part examples include a member formed using a composition for forming a transparent insulating part containing a polymerizable compound having a polymerizable group.
  • the polymer of the above-mentioned polymerizable compound is contained in the transparent insulating portion as a polymer compound.
  • the plating resist pattern formed according to step G of the method for manufacturing a conductive base material described later may be used as a transparent insulating part without being removed.
  • the resin contained in the resist pattern is contained in the transparent insulating portion as a polymer compound.
  • the method of forming a transparent insulating part using the composition for forming a transparent insulating part is not particularly limited.
  • the coating method is preferred in that the thickness can be easily controlled.
  • the method of applying the composition for forming a transparent insulating portion onto the surface of the base material nor the curing treatment of the coating film are particularly limited, and known methods can be applied.
  • the thickness of the transparent insulating part is not particularly limited, but from the viewpoint of bending resistance of the conductive base material and film strength of the transparent insulating part, it is preferably 1 to 15 ⁇ m, more preferably 2 to 10 ⁇ m. Further, the ratio of the thickness of the transparent insulating part to the thickness Ta of the conductive thin wire (thickness of the transparent insulating part/thickness Ta of the conductive thin wire) is preferably 1 to 10, more preferably 2 to 5. The thickness of the transparent insulating portion can be measured according to the method for measuring the thickness Ta of the conductive thin wire.
  • the conductive base material may include other members in addition to the above-mentioned base material, conductive thin wire, and transparent insulating part.
  • Other members that the conductive base material may include include a conductive portion having a different configuration from the conductive thin wire described below.
  • the method for manufacturing the conductive base material is not particularly limited as long as the conductive base material having the above-mentioned structure can be manufactured, and for example, a first conductive layer is formed on one surface of the base material by a known method such as a photographic method. Examples include a method including a first conductive layer forming step and a second conductive layer forming step of selectively forming a second conductive layer on the surface of the first conductive layer by plating or the like.
  • the first conductive layer forming step is not particularly limited as long as the first conductive layer having the above-described structure containing a metal and a binder component can be formed on one surface of the base material, and a known method may be employed.
  • a method for forming the first conductive layer for example, a method of forming a first conductive layer by providing a silver halide-containing layer containing silver halide grains on a base material and then reducing the silver halide grains.
  • Photographic method A method in which a metal-containing layer containing a metal and a binder component is formed over the entire surface of a base material, and then a part of the metal-containing layer is removed using a resist pattern to form a first conductive layer. and a method of forming the first conductive layer by discharging a composition containing a metal and a binder component onto a substrate using a known printing method such as inkjet.
  • a photographic method in which the first conductive layer is formed by reducing silver halide grains is preferred in terms of productivity and the conductivity of the conductive base material.
  • photographic manufacturing methods include methods (a) and (b) below, with method (a) being preferred.
  • (a) Form a silver halide-containing layer containing at least silver halide grains and a binder component on a substrate, reduce the silver halide by exposing the formed silver halide-containing layer in a pattern, and then develop A method of forming a patterned first conductive layer by processing.
  • a more specific first conductive layer forming step includes a step of performing the following steps A to D in this order.
  • Step A A step of forming a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter also referred to as "photosensitive layer") containing silver halide, gelatin, and a specific polymer on a substrate.
  • Step B A step of exposing the photosensitive layer and then developing it to form a thin line-shaped silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer.
  • Step C A step of subjecting the silver-containing layer obtained in Step B to heat treatment.
  • Step D Step of removing gelatin in the silver-containing layer obtained in Step C.
  • Step A is a step of forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a specific polymer on a base material. Through this step, a base material with a photosensitive layer to which the exposure treatment described below is performed is manufactured. First, the materials and members used in step A will be explained in detail, and then the procedure of step A will be explained in detail. Note that the base material, gelatin, and specific polymer used in Step A are as described above.
  • the halogen atom contained in the silver halide may be any of a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and a fluorine atom, or a combination thereof.
  • the silver halide is preferably a silver halide mainly composed of silver chloride, silver bromide or silver iodide, and more preferably a silver halide mainly composed of silver chloride or silver bromide. Note that silver chlorobromide, silver iodochlorobromide, and silver iodobromide are also preferably used.
  • silver halide mainly composed of silver chloride means silver halide in which the mole fraction of chloride ions to all halide ions in the silver halide composition is 50% or more.
  • This silver halide mainly composed of silver chloride may contain bromide ions and/or iodide ions in addition to chloride ions.
  • Silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle diameter of silver halide is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm in terms of equivalent sphere diameter, and the resistance value of the conductive thin wire in a moist heat environment is A range of 50 to 150 nm is more preferable since the change is smaller.
  • the shape of the silver halide grains is not particularly limited, and examples thereof include spherical, cubic, tabular (hexagonal tabular, triangular tabular, quadrilateral tabular, etc.), octahedral, and tetradecahedral. One example is the shape.
  • the method for forming the photosensitive layer containing the above-mentioned components in Step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, it is preferable to apply a composition for forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a specific polymer on a substrate.
  • a preferred method is to form a photosensitive layer on a substrate by bringing it into contact with the substrate.
  • the composition for forming a photosensitive layer contains the above-mentioned silver halide, gelatin, and specific polymer. Note that, if necessary, the specific polymer may be contained in the composition for forming a photosensitive layer in the form of particles.
  • the composition for forming a photosensitive layer may contain a solvent as necessary. Examples of the solvent include water, organic solvents (eg, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.
  • the method of bringing the composition for forming a photosensitive layer into contact with the base material is not particularly limited. A method of dipping the base material may be mentioned. Note that after the above-mentioned treatment, a drying treatment may be performed as necessary.
  • the photosensitive layer formed by the above procedure contains silver halide, gelatin, and a specific polymer.
  • the content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, silver halide has a superior function as a self-aligned mask pattern when exposing the photoresist in Step G, which will be described later, and is formed in the following Step B.
  • the silver content is preferably 1.0 to 10.0 g/m 2 in terms of silver, and 2.0 to 7.0 g in terms of silver, since it can further suppress variations in the line width of the thin line-shaped silver-containing layer and, by extension, the first conductive layer. / m2 is more preferable.
  • Silver conversion means conversion into the mass of silver produced by reducing all of the silver halide.
  • the content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited, and the formability of the plating metal layer on the surface of the first conductive layer in step H1 described later and the bending resistance of the conductive base material are excellent. , 0.04 to 2.0 g/m 2 is preferable, and 0.08 to 1.0 g/m 2 is more preferable.
  • Step B is a step of exposing the photosensitive layer to light and then developing it to form a thin line-shaped silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer.
  • Exposure may be carried out in a pattern.
  • Exposure may be carried out in a pattern.
  • a method of exposing through a mask having a mesh-like opening pattern and scanning a laser beam An example of this method is to expose the image in a mesh pattern.
  • the type of light used during exposure is not particularly limited as long as it can form a latent image on the silver halide, and examples include visible light, ultraviolet light, and X-rays.
  • the method of development treatment is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver salt photographic films, photographic papers, films for printing plates, and emulsion masks for photomasks.
  • a developer is usually used.
  • the type of developer is not particularly limited, and examples include PQ (phenidone hydroquinone) developer, MQ (metol hydroquinone) developer, and MAA (methol ascorbic acid) developer.
  • the developability of the photosensitive material is determined by the wavelength of the light source, the amount of light, and the sensitivity characteristics of the photosensitive material, and the amount of light was adjusted as appropriate so that a thin line with a desired line width was formed.
  • This step may further include a fixing treatment performed for the purpose of removing and stabilizing silver halide in unexposed areas.
  • the fixing process is performed simultaneously with and/or after the development.
  • the fixing treatment method is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver salt photographic films, photographic paper, printing plate-making films, and emulsion masks for photomasks.
  • a fixing solution is usually used.
  • the type of fixer is not particularly limited, and for example, the fixer described in "Chemistry of Photography" (written by Sasai, published by Photo Industry Publishing Co., Ltd.), p. 321 can be mentioned.
  • a thin line-shaped silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer is formed.
  • An example of a method for adjusting the width of the silver-containing layer is a method of adjusting the opening width of a mask used during exposure.
  • the exposure area can be adjusted by setting the opening width of the mask to 0.5 ⁇ m or more and less than 5.0 ⁇ m.
  • the width of the silver-containing layer to be formed can also be adjusted by adjusting the exposure amount.
  • the opening width of the mask is narrower than the target width of the silver-containing layer
  • the width of the area where the latent image is formed can be adjusted by increasing the exposure amount more than usual. That is, the line width of the conductive thin line can be adjusted by adjusting the exposure amount.
  • the exposure area can be adjusted by adjusting the focusing range and/or scanning range of the laser light.
  • the width of the silver-containing layer is preferably 0.5 ⁇ m or more and less than 5.0 ⁇ m, and more preferably 1.4 ⁇ m or less since the formed conductive thin wires are difficult to visually recognize.
  • the silver-containing layer obtained by the above-mentioned procedure is in the form of a thin line, and the width of the silver-containing layer means the total length (width) of the thin line in the width direction.
  • Step C is a step in which the silver-containing layer obtained in Step B is subjected to heat treatment. By carrying out this step, fusion between specific polymers in the silver-containing layer progresses, and the strength of the silver-containing layer improves.
  • the heat treatment method is not particularly limited, and examples include a method of bringing superheated steam into contact with the silver-containing layer, and a method of heating the silver-containing layer with a temperature adjustment device (for example, a heater). A method of contacting is preferred.
  • the superheated steam may be superheated steam or a mixture of superheated steam and other gas.
  • the contact time between the superheated steam and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 10 to 70 seconds.
  • the amount of superheated steam supplied is preferably 500 to 600 g/m 3 , and the temperature of superheated steam is preferably 100 to 160°C, more preferably 100 to 120°C, at 1 atmosphere.
  • the heating conditions in the method of heating the silver-containing layer with a temperature adjustment device are preferably heating at 100 to 200 °C (more preferably 100 to 150 °C) for 1 to 240 minutes (more preferably 60 to 150 minutes).
  • Step D is a step of removing gelatin in the silver-containing layer obtained in Step C. By performing this step, gelatin is removed from the silver-containing layer and spaces are formed in the silver-containing layer.
  • the method for removing gelatin is not particularly limited, and examples include a method using a protease (hereinafter also referred to as "Method 1") and a method of decomposing and removing gelatin using an oxidizing agent (hereinafter referred to as "Method 2"). ).
  • the proteolytic enzyme used in Method 1 includes known plant or animal enzymes that can hydrolyze proteins such as gelatin.
  • proteolytic enzymes include pepsin, rennin, trypsin, chymotrypsin, cathepsin, papain, ficin, thrombin, renin, collagenase, bromelain, and bacterial protease, with trypsin, papain, ficin, or bacterial protease being preferred.
  • the procedure in Method 1 may be any method as long as it brings the silver-containing layer into contact with the above-mentioned protease, such as a treatment solution containing the silver-containing layer and the protease (hereinafter also referred to as "enzyme solution").
  • An example of this method is to bring the two into contact with each other.
  • Examples of the contact method include a method in which the silver-containing layer is immersed in an enzyme solution, and a method in which an enzyme solution is applied onto the silver-containing layer.
  • the content of the protease in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, and 0.5 to 20% by mass based on the total amount of the enzyme solution, since the degree of gelatin decomposition and removal can be easily controlled. 10% by mass is more preferred.
  • the enzyme solution often contains water.
  • the enzyme solution may contain other additives (for example, a pH buffer, an antibacterial compound, a wetting agent, and a preservative) as necessary.
  • the pH of the enzyme solution is selected so as to maximize the action of the enzyme, and is preferably between 5 and 9.
  • the temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the action of the enzyme is enhanced. Specifically, the temperature is preferably 25 to 45°C.
  • a cleaning treatment of cleaning the obtained silver-containing layer with warm water may be performed.
  • the cleaning method is not particularly limited, and a method of bringing the silver-containing layer into contact with warm water is preferred, and examples include a method of immersing the silver-containing layer in hot water and a method of applying warm water onto the silver-containing layer.
  • the optimum temperature of the hot water is selected depending on the type of proteolytic enzyme used, and from the viewpoint of productivity, it is preferably 20 to 80°C, more preferably 40 to 60°C.
  • the contact time (cleaning time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, and from the viewpoint of productivity, it is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 30 to 360 seconds.
  • the oxidizing agent used in method 2 may be any oxidizing agent that can decompose gelatin, and preferably has a standard electrode potential of +1.5 V or more.
  • the standard electrode potential herein refers to the standard electrode potential (25° C., E0) relative to a standard hydrogen electrode in an aqueous solution of an oxidizing agent.
  • oxidizing agents include persulfuric acid, percarbonic acid, perphosphoric acid, hypoperchloric acid, peracetic acid, metachloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide, perchloric acid, periodic acid, potassium permanganate,
  • Examples include ammonium persulfate, ozone, hypochlorous acid or its salts, but from the viewpoint of productivity and economy, hydrogen peroxide (standard electrode potential: 1.76V), hypochlorous acid or its salts are preferable. , sodium hypochlorite is more preferred.
  • the procedure in method 2 may be any method as long as it brings the silver-containing layer into contact with the above-mentioned oxidizing agent.
  • a treatment liquid containing the silver-containing layer and an oxidizing agent hereinafter also referred to as "oxidizing agent liquid"
  • An example of this method is to contact the Examples of the contact method include a method in which the silver-containing layer is immersed in an oxidizing agent solution, and a method in which the oxidizing agent solution is applied onto the silver-containing layer.
  • the type of solvent contained in the oxidizing agent liquid is not particularly limited, and examples include water and organic solvents.
  • the method for producing a conductive substrate may include step E of further subjecting the silver-containing layer to a smoothing treatment. By carrying out this step, a conductive thin wire with better handling resistance (film strength) can be obtained.
  • the method of the smoothing treatment is not particularly limited, a treatment in which the substrate having a silver-containing layer is passed between at least a pair of calender rolls under pressure is preferred.
  • a calender process Rolls used for calendering include plastic rolls and metal rolls, with plastic rolls being preferred from the viewpoint of wrinkle prevention.
  • the pressure between the rolls is not particularly limited, and is preferably 2 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and preferably 120 MPa or less. Note that the pressure between the rolls can be measured using Prescale (registered trademark) (for high pressure) manufactured by Fujifilm Corporation.
  • the temperature of the smoothing treatment is not particularly limited, and is preferably 10 to 100°C, more preferably 10 to 50°C.
  • the method for producing a conductive base material may include a step F in which the silver-containing layer obtained in the above step is subjected to a heat treatment. By carrying out this step, a conductive thin wire with better handling resistance (film strength) can be obtained.
  • the method of heat-treating the conductive thin wire is not particularly limited, and examples thereof include the heat-treating method described in Step C.
  • the method for producing a conductive substrate may include, before Step A, Step Z of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer on the substrate.
  • Step Z By carrying out this step, a silver halide-free layer is formed between the substrate and the silver halide-containing photosensitive layer.
  • This silver halide-free layer plays the role of a so-called antihalation layer and also contributes to improving the adhesion between the conductive thin wire and the base material.
  • the silver halide-free layer contains the above-mentioned gelatin and specific polymer. On the other hand, the silver halide-free layer does not contain silver halide.
  • the ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin (mass of specific polymer/mass of gelatin) in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 5.0, and 1. More preferably 0 to 3.0.
  • the content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.03 g/m 2 or more per area of the area on the substrate surface where the silver halide-free layer is formed. , 1.0 g/m 2 or more is preferable in terms of better adhesion of the conductive thin wire.
  • the upper limit is not particularly limited, but is often 1.63 g/m 2 or less.
  • the method of forming the silver halide-free layer is not particularly limited, and for example, a method of applying a layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer onto a base material and subjecting it to a heat treatment as necessary may be used. Can be mentioned.
  • the layer-forming composition may contain a solvent as necessary. Examples of the solvent include those used in the photosensitive layer forming composition described above.
  • the thickness of the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.05 ⁇ m or more, preferably more than 1.0 ⁇ m, more preferably 1.5 ⁇ m or more, in terms of better adhesion of the conductive thin wire. .
  • the upper limit is not particularly limited, but is preferably less than 3.0 ⁇ m.
  • process Z and process A may be performed simultaneously by simultaneous multilayer coating.
  • composition, physical properties, etc. of the first conductive layer formed by the above steps are as already described.
  • a second conductive layer is selectively formed on the surface of the formed first conductive layer, and a conductive thin wire having a laminated structure consisting of the first conductive layer and the second conductive layer is formed. This is the process of providing on the material.
  • the second conductive layer forming step is not particularly limited as long as the second conductive layer can be selectively formed on the surface of the first conductive layer opposite to the base material, but a plating metal layer is formed by a plating method. It is preferable to do so.
  • a more specific second conductive layer forming step includes a step of performing the following steps G and H in this order.
  • Step G A patterned resist film having openings in the region corresponding to the first conductive layer on the first conductive layer side surface of the base material having the first conductive layer (hereinafter also referred to as "plating resist pattern").
  • plating resist pattern A patterned resist film having openings in the region corresponding to the first conductive layer on the first conductive layer side surface of the base material having the first conductive layer (hereinafter also referred to as "plating resist pattern").
  • plating resist pattern The process of forming.
  • Step H Perform plating treatment on the base material having the first conductive layer and the plating resist pattern, and selectively apply a plating metal layer to the surface of the first conductive layer exposed at the bottom of the opening of the plating resist pattern.
  • Step G is a step of forming a plating resist pattern on the first conductive layer side surface of the base material having the first conductive layer.
  • the formed plating resist pattern has an opening in a region corresponding to part or all of the first conductive layer, and the first conductive layer is exposed at the bottom of the opening.
  • the method for forming the plating resist pattern is not particularly limited, and any known resist pattern forming method can be used. More specifically, a method having the following steps (a) to (c) can be mentioned.
  • step (c) A step of developing the resist film after pattern exposure to form a plating resist pattern. Note that between steps (a) and (b), between (b) and (c), and/or after (c), there is a step of heating the resist film and/or the plating resist pattern. Further implementation may be possible.
  • the method for forming the resist film in step (a) is not particularly limited, and a coating film is formed by applying a composition for forming a resist film on the surface of the base material on the first conductive layer side, and if necessary, heating is performed.
  • a resist film may be formed by performing a hardening treatment on a coating film such as the following.
  • the resist film is placed on the surface of the base material. Good too.
  • the method for applying the composition for forming a resist film onto the surface of the substrate is not particularly limited, and examples thereof include known application methods such as spin coating, spraying, roller coating, and dipping.
  • the resist film provided in step (a) may be either a negative resist film or a positive resist film.
  • step (b) after providing the negative resist film on the surface of the base material on the first conductive layer side, the base material is removed from the surface of the base material on the opposite side from the first conductive layer. By irradiating light that passes through the material, the resist film is exposed using the first conductive layer as a self-aligned mask pattern. Thereby, in the subsequent step (c), the unexposed portions of the negative resist film formed on the surface of the first conductive layer are removed, and a plating resist pattern having openings corresponding to the first conductive layer is obtained.
  • a resist pattern is formed in such a shape that the first conductive layer is exposed and the area other than the first conductive layer is covered with a resist film.
  • a positive resist film in step (b), after providing the positive resist film on the surface of the base material on the first conductive layer side, a photomask having an opening having a shape corresponding to the first conductive layer is used. The positive resist film is exposed to light by irradiating it with light.
  • step (c) the exposed portion of the positive resist film formed on the surface of the first conductive layer is removed to obtain a plating resist pattern having openings corresponding to the first conductive layer. It is preferable to form a plating resist pattern by using a negative resist film in step (a) and using the first conductive layer as a self-aligned mask pattern in step (b), since fine line drawing performance is better. .
  • the light source light or radiation used to expose the resist film in step (b) is not particularly limited, and should be appropriately selected based on the light wavelength sensitivity characteristics of the resist film and, when passing through the base material, the transmittance of the base material.
  • Actinic light or radiation includes ultraviolet rays such as g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ARF excimer laser (193 nm), and F2 excimer laser (157 nm).
  • the exposure amount of the resist film in step (b) is not particularly limited, and is appropriately selected based on the light wavelength sensitivity characteristics and thickness of the resist film.
  • the method for developing the exposed resist film in step (c) is not particularly limited, and includes known development methods using a developer containing an organic solvent or an alkaline developer. Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method.
  • the plated resist pattern after development may be cleaned using a rinsing liquid.
  • the rinsing liquid is not particularly limited, and includes known rinsing liquids such as organic solvents and water.
  • the plating resist pattern formed in Step G may be removed by peeling or dissolving after Step H, or may be used as the above-mentioned transparent conductive part (permanent resist) without being removed.
  • the material constituting the plating resist pattern is preferably a material whose transparency, haze, and retardation do not easily change over time. Examples of such materials include transparent resist materials such as "ATN1021” (negative type acrylic resist) manufactured by Dow Chemical Company and "ZPN1150" (negative type resist) manufactured by Zeon Corporation.
  • Step H is a step in which the base material having the first conductive layer and the plating resist pattern formed in Step G is subjected to plating treatment.
  • the first conductive layer is applied only to the openings on the surface of the base material where the plating resist pattern is not provided, that is, the areas that are not covered with the plating resist pattern and where the first conductive layer is exposed.
  • a plated metal layer serving as a seed layer is formed, and a conductive thin wire having a laminated structure consisting of a first metal layer and a second metal layer is formed on the base material.
  • the type of plating treatment in Step H is not particularly limited, but includes electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating) and electrolytic plating, with electroless plating being preferred.
  • electroless plating a known electroless plating technique is used.
  • the plating treatment include silver plating treatment, copper plating treatment, nickel plating treatment, and cobalt plating treatment, and silver plating treatment or copper plating treatment is preferable because the conductivity of the conductive thin wire is more excellent. Silver plating treatment is more preferred.
  • the components contained in the plating solution used in the plating process are not particularly limited, but in addition to the solvent (for example, water), 1. Metal ions for plating, 2. reducing agent, 3. Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions; 4. A pH adjuster is often included in the plating solution.
  • the plating solution may contain known additives.
  • the type of metal ion for plating contained in the plating solution can be appropriately selected depending on the type of metal to be deposited, and examples thereof include silver ion, copper ion, nickel ion, and cobalt ion.
  • the plating procedure is not particularly limited, and any method may be used as long as it is a method of bringing the first conductive layer on the base material into contact with a plating solution, such as a method of immersing the base material in a plating solution, and a method of plating.
  • a method may be mentioned in which a liquid is applied to the surface of the base material on which the first conductive material and the plating resist pattern are arranged.
  • the contact time between the first conductive layer and the plating solution is not particularly limited, and is preferably from 20 seconds to 30 minutes in terms of better conductivity of the conductive thin wire and productivity.
  • the second conductive layer can be selectively formed only on the surface of the first conductive layer.
  • the second conductive layer formed in this manner has suppressed variation in line width in the extending direction, is thicker, and has excellent conductivity.
  • the conductive base material obtained as described above can be applied to various uses, such as touch panels (or touch panel sensors), semiconductor chips, various electrical wiring boards, FPC (Flexible Printed Circuits), COF (Chip on Film). It can be applied to applications such as , TAB (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards.
  • the present conductive base material is preferably used for a touch panel (capacitive touch panel).
  • the conductive thin wire described above can effectively function as a detection electrode.
  • display panels used in combination with the conductive base material include, for example, liquid crystal panels and OLED (Organic Light Emitting Diode) panels. It is preferable to use
  • the conductive base material may further include a conductive part having a different configuration from the conductive thin wire, in addition to the conductive thin wire.
  • This conductive portion may be electrically connected to the above-mentioned conductive thin wire for conduction.
  • Examples of the conductive portion include the peripheral wiring having the function of applying a voltage to the conductive thin wire described above, and an alignment mark for adjusting the position of the member laminated with the conductive base material.
  • this conductive base material other than those mentioned above include, for example, electromagnetic shielding that blocks electromagnetic waves such as radio waves and microwaves (ultra-high frequency waves) generated from electronic devices such as personal computers and workstations, and prevents static electricity.
  • electromagnetic shield can be used not only for personal computers but also for electronic equipment such as video imaging equipment and electronic medical equipment.
  • This conductive substrate can also be used for transparent heating elements.
  • the present conductive base material may be used in the form of a laminate having the conductive base material and other members such as an adhesive sheet and a release sheet during handling and transportation.
  • the release sheet functions as a protective sheet for preventing scratches on the conductive base material during transportation of the laminate.
  • the conductive base material may be handled in the form of a composite body having, for example, a conductive base material, an adhesive sheet, and a protective layer in this order.
  • the present invention is basically configured as described above.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements or changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
  • Example 1 (Preparation of silver halide emulsion) To the following 1 liquid maintained at a temperature of 38°C and a pH (hydrogen ion index) of 4.5, amounts equivalent to 90% of each of the following 2 and 3 liquids were simultaneously added over a period of 20 minutes with stirring to form a 0.07 ⁇ m core particles were formed. Subsequently, the following liquids 4 and 5 were added to the mixed solution over 8 minutes, and the remaining 10% of the following liquids 2 and 3 were added over 2 minutes to grow the particles to 0.09 ⁇ m. . Further, 0.15 g of potassium iodide was added to the mixed solution and aged for 5 minutes to complete particle formation.
  • the particles were washed with water by a flocculation method according to a conventional method. Specifically, the temperature of the above-mentioned mixed solution was lowered to 35 ° C., and the pH of the mixed solution was lowered using sulfuric acid until the silver halide particles precipitated (pH was in the range of 3.6 ⁇ 0.2). ). Next, about 3 liters of supernatant liquid was removed from the mixture (first water washing). Furthermore, 3 liters of distilled water was added to the mixture from which the supernatant liquid had been removed, and then sulfuric acid was added until the silver halide precipitated. Again, 3 liters of supernatant liquid was removed from the mixture (second water washing).
  • the final emulsion contained 0.08 mol% silver iodide, the ratio of silver chlorobromide was 70 mol% silver chloride and 30 mol% silver bromide, and the average grain size was 0.10 ⁇ m. It was a silver iodochlorobromide cubic grain emulsion with a coefficient of variation of 9%.
  • composition for forming photosensitive layer contains 1,3,3a,7-tetraazaindene (1.2 ⁇ 10 ⁇ 4 mol/mol Ag), hydroquinone (1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 mol/mol Ag), and citric acid (3.0 mol/mol Ag).
  • x10 -4 mol/mol Ag 2,4-dichloro-6-hydroxy-1,3,5-triazine sodium salt (0.90 g/mol Ag)
  • a trace amount of hardening agent a trace amount of hardening agent
  • a dispersion consisting of a polymer represented by the following (P-1) (hereinafter also referred to as "polymer 1”) and dialkylphenyl PEO (PEO is an abbreviation for polyethylene oxide) sulfate ester is added to the above composition.
  • Polymer latex containing agent and water ratio of mass of dispersant to mass of polymer 1 (mass of dispersant/mass of polymer 1, unit: g/g) is 0.02, solid content content is 22% by mass
  • the ratio of the mass of polymer 1 to the total mass of gelatin in the composition mass of polymer 1/mass of gelatin, unit g/g
  • the ratio of the mass of gelatin to the mass of silver derived from silver halide is 0. It was 11. Furthermore, EPOXY RESIN DY 022 (trade name: manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was added as a crosslinking agent. The amount of the crosslinking agent added was adjusted so that the amount of the crosslinking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described below was 0.09 g/m 2 .
  • a composition for forming a photosensitive layer was prepared as described above. Note that Polymer 1 was synthesized with reference to Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
  • Step Z1, Step A1 Next, on the undercoat layer, a silver halide-free layer-forming composition prepared by mixing the above-mentioned polymer latex and gelatin and the above-mentioned photosensitive layer-forming composition are simultaneously coated in a multilayer manner. A silver halide-free layer and a silver halide-containing photosensitive layer were formed.
  • the thickness of the silver halide-free layer is 2.0 ⁇ m
  • the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin in the silver halide-free layer (polymer 1/gelatin) is 2/1.
  • the content of polymer 1 was 1.3 g/m 2 .
  • the thickness of the silver halide-containing photosensitive layer is 2.0 ⁇ m, and the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin in the silver halide-containing photosensitive layer (polymer 1/gelatin) is 0.25/ 1, and the content of polymer 1 was 0.15 g/m 2 .
  • Process B1 The photosensitive layer prepared above was exposed to light by irradiating parallel light from a high-pressure mercury lamp as a light source through a lattice-shaped photomask.
  • a mask for pattern formation was used as the photomask.
  • the shape of the photomask and the exposure conditions are such that a unit square lattice having an opening with a side length L of 400 ⁇ m is formed by the first conductive layer after the step E1 described below, and the line width W1 of the first conductive layer is was set to be 2.0 ⁇ m.
  • a developing solution described below was applied to the exposed photosensitive layer, and further processing was performed using a fixing solution (trade name: N3X-R for CN16X, manufactured by Fuji Film Co., Ltd.).
  • sample A having silver-containing fine wires containing metallic silver formed in a mesh pattern.
  • sample A a conductive mesh pattern area with a size of 10 cm x 10 cm was formed. Note that the line width of the silver-containing thin line was measured using a microscope "VHX-5000" manufactured by Keyence Corporation.
  • composition of developer The following compounds are contained in 1 liter (L) of developer solution. Hydroquinone 0.037mol/L N-methylaminophenol 0.016mol/L Sodium metaborate 0.140mol/L Sodium hydroxide 0.360mol/L Sodium bromide 0.031mol/L Potassium metabisulfite 0.187mol/L
  • the above sample A was immersed in warm water at 50°C for 180 seconds. After this, the water was removed using an air shower and the material was allowed to air dry.
  • Step C1 Sample A treated in step B1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110° C., and left to stand still for 30 seconds to perform superheated steam treatment. Note that the steam flow rate at this time was 100 kg/h.
  • Sample A treated in step C1 was immersed in a hypochlorous acid-containing aqueous solution (25° C.) for 30 seconds. Sample A was taken out from the aqueous solution, and sample A was immersed in warm water (liquid temperature: 50° C.) for 120 seconds to be washed. After this, the water was removed using an air shower and the material was allowed to air dry.
  • a hypochlorous acid-containing aqueous solution a diluted solution prepared by diluting a bleach manufactured by Kao Corporation (trade name "Hiter") twice was used.
  • Step E1 Sample A obtained in step E1 was calendered at a pressure of 30 kN using a calendering device consisting of a combination of a metal roller and a resin roller. Calendering was performed at room temperature. In the manner described above, a conductive base material having a mesh pattern formed of the first conductive layer on the base material was manufactured. The line width W1 and thickness T1 of the first conductive layer thus formed are shown in Table 1, which will be described later.
  • Process G1 A liquid negative resist material "ZPN1150" (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied to almost the entire surface of the conductive base material obtained in step E1 on the side on which the mesh pattern was formed to form a photoresist.
  • the photoresist is irradiated with G-rays having a wavelength of 436 nm from the surface of the substrate opposite to the mesh pattern, thereby forming a photoresist in which the mesh pattern becomes a self-aligned mask pattern.
  • exposure was performed. In the exposure treatment, exposure was performed with an amount of ultraviolet rays of 320 mJ, and then PEB (post-exposure bake) was performed at 90° C.
  • Step H1 Sample B obtained in step G1 was immersed in plating solution A (30° C.) described below. Thereafter, sample B was taken out from plating solution A, and sample B was then washed by immersing it in warm water (liquid temperature: 50° C.) for 120 seconds, thereby forming a plating metal layer on the first conductive layer.
  • the time for immersing sample B in plating solution A was adjusted so that the thickness T2 of the plating metal layer was 2.0 ⁇ m.
  • the composition of the plating solution A used (total volume 1200 mL) is shown below.
  • the amount of potassium carbonate manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • the following components of plating solution A were all manufactured by Fuji Film Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • composition of plating solution A ⁇ AgNO3 8.8g ⁇ Sodium sulfite 72g ⁇ Sodium thiosulfate pentahydrate 66g ⁇ Potassium iodide 0.004g ⁇ Citric acid 12g ⁇ Methylhydroquinone 3.67g ⁇ Prescribed amount of potassium carbonate ⁇ Remainder of water
  • a conductive substrate of Example 1 having a plating resist pattern was manufactured.
  • the first conductive layer and the plated metal layer on the first conductive layer differ in metal density and binder component content, so each layer is identified by the measurement method described below. It was possible.
  • the volume ratio (volume ratio A) of the metal to the binder component in each layer was determined by the method described below.
  • Examples 2-4, Comparative Examples 1-2 The high content of the composition for forming a photosensitive layer prepared in the above (preparation of the composition for forming a photosensitive layer) is adjusted so that the volume ratio A in the first conductive layer becomes the value listed in Table 1 described later.
  • the conductive substrates of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 2 were produced according to the method described in Example 1, except that the content of Molecule 1 was changed.
  • step H the time for immersion in plating solution A was the same as in Example 1.
  • step D1 the amount of gelatin removed was adjusted by changing the immersion time of sample A treated in step C1 into a hypochlorous acid-containing aqueous solution (25 ° C.) to 15 seconds (1/2 of Example 1).
  • the conductive substrate of Example 5 was manufactured according to the method described in Example 1 except for the above.
  • step H the time for immersion in plating solution A was the same as in Example 1.
  • the line width W1 of the first conductive layer before forming the plated metal layer was the same as in Example 1, but the line width Wa of the conductive thin wire after forming the plated metal layer was the same as that of Example 1. Unlike 1, it was 2.5 ⁇ m.
  • Example 6, Comparative Example 4 In step B, the conductivity of Example 6 was performed according to the method described in Example 1, except that the photomask used was changed so that the line width W1 of the first conductive layer became a value shown in Table 1 described later. A base material was manufactured.
  • step H the time for immersion in plating solution A was the same as in Example 1.
  • the line width W1 of the first conductive layer was 3.0 ⁇ m, and the line width Wa of the conductive thin wire was 3.1 ⁇ m.
  • the line width W1 of the first conductive layer was 3.3 ⁇ m, and the line width Wa of the conductive thin wire was 3.4 ⁇ m.
  • Comparative example 3 A conductive base material of Comparative Example 3 was manufactured according to the method described in Example 1, except that Step D1 was not performed. In step H, the time for immersion in plating solution A was the same as in Example 1. In the conductive base material of Comparative Example 3, the line width W1 of the first conductive layer was 2.0 ⁇ m, the same as in Example 1, while the line width Wa of the conductive thin wire was 3.3 ⁇ m.
  • Example 5-6 A conductive base material was manufactured according to the method described in Example 1 of Patent Document 1. However, the 40 ⁇ m thick polyethylene terephthalate film used in Example 1 above was used as the base material. In step H, the time for immersion in plating solution A was the same as in Example 1. In addition, the shape of the photomask, the exposure Conditions and development conditions were adjusted. Furthermore, in Comparative Examples 5 and 6, the conditions for electrolytic copper plating were changed so that the thicknesses of the plating films formed by electrolytic copper plating were 3 ⁇ m and 6 ⁇ m, respectively.
  • the observation conditions were an accelerating voltage of 5 kV, a backscattered electron mode, and an observation magnification of 30,000 times.
  • the types of components contained in the first conductive layer and the plated metal layer constituting the conductive thin wire were identified. Specifically, a high brightness portion in the cross-sectional image was identified as a backscattered electron image representing metal, and a low brightness portion in the cross-sectional image was identified as a backscattered electron image representing a resin component.
  • the conductive thin wires of each conductive base material were determined based on the following criteria.
  • “A” A layer a containing both a high-brightness part and a low-brightness part exists on the side closest to the base material in a region including a high-brightness part in the conductive thin wire, and the layer a has a high-brightness part.
  • the area ratio of the total area occupied by the bright portions is lower than the area ratio of the total area occupied by the high brightness portions in layer b, which is further away from the base material than layer a.
  • the above-mentioned "area ratio of the total area occupied by the high-brightness portions” means, for example, in the case of layer a, the ratio of the total area of the high-brightness portions in layer a to the total area of layer a in the cross-sectional image.
  • the conductive thin wire determined as "A" has a metal density of the first conductive layer disposed closest to the base material among the plurality of conductive layers included in the conductive thin wire.
  • the first conductive layer also satisfies the requirement that the metal density is lower than the metal density of the second conductive layer other than the first conductive layer, and the first conductive layer contains a metal and a binder component.
  • the cut surface of the conductive thin wire including the width direction and thickness direction was observed. From the obtained observation images, the line width and thickness of each of the conductive thin wire, the first conductive layer, and the plated metal layer were measured. In this measurement, the first conductive layer and the plated metal layer were identified based on the distribution of high brightness portions and low brightness portions obtained from the observed image. Regarding the measurement of the line width of each layer, if the line width of each layer differs depending on the position in the thickness direction in one observed image, the maximum value of the line width of each layer was taken as the representative value of the line width in that observed image.
  • the line width and thickness of each layer are measured at 10 different cut planes of each conductive base material, and the measured values of the 10 points are arithmetic averaged to determine the line width of the conductive thin wire.
  • the width Wa and thickness Ta, the line width W1 and thickness T1 of the first conductive layer, and the line width W2 and thickness T2 of the plated metal layer were calculated, respectively.
  • volume ratio A of first conductive layer The volume ratio A of the metal to the binder component in the first conductive layer was measured for the conductive thin wires of each conductive base material according to a method combining the above-mentioned fluorescent X-ray measurement and TOF-SIMS measurement. .
  • a fluorescent X-ray measuring device manufactured by Rigaku Co., Ltd. was used to measure the amount of metal contained in the conductive wire per area of the main surface of the conductive base material. The weight content (g/m 2 ) was measured.
  • the composition of the metal content in the cut surface of the conductive thin wire obtained according to the above method was determined.
  • the distribution was determined, and based on the results, the volume content ⁇ (cm 3 /m 2 ) of metal contained in the first conductive layer per area of the main surface of the conductive base material was calculated according to the method described above.
  • the main character of the conductive base material is determined.
  • the area ratio of the region where the first conductive layer is present to the surface was determined. After determining the volume of the first conductive layer per area of the main surface of the conductive base material by multiplying the obtained area ratio by the thickness T1 of the first conductive layer measured by the above measurement method, By subtracting the volume content ⁇ obtained above, the volume content ⁇ (cm 3 /m 2 ) of the binder component contained in the first conductive layer per area of the main surface of the conductive base material was determined.
  • the volume ratio A was determined by calculating the ratio of the volume content ⁇ of the metal to the volume content ⁇ of the binder component (volume content ⁇ /volume content ⁇ ). Note that in the conductive substrates of Comparative Examples 5 and 6, the volume ratio A could not be calculated because components other than metals were not measured in the above-mentioned measurement of the components contained in the conductive thin wire.
  • a resistivity meter (Lorester manufactured by Mitsubishi Analytech, using a series four-point probe (ASP)) was measured at 10 arbitrary locations on the surface of the conductive base material manufactured in each example where the conductive thin wire was placed. The resistance value was measured using The average value obtained by arithmetic averaging the obtained measured values was taken as the surface resistivity of each conductive base material. From the obtained surface resistivity, the conductivity of each conductive base material was evaluated according to the following evaluation criteria. "A”: When the surface resistivity is less than 10 ⁇ / ⁇ . "B”: When the surface resistivity is 10 ⁇ / ⁇ or more and less than 50 ⁇ / ⁇ . "C”: When the surface resistivity is 50 ⁇ / ⁇ or more.
  • the bending resistance of the conductive substrates produced in each example was evaluated according to the following procedure.
  • (1) Bending test A test piece was prepared by cutting a conductive base material into a size of 10 cm in length and 5 cm in width. The prepared test piece was bent using a roller to fit along a piano wire of 2 mm in diameter, and then returned to a flat shape.This process was repeated 20 times. During the above treatment, the test piece was bent with the surface on which the conductive thin wire was placed facing outward.
  • (2) Evaluation of disconnection of conductive thin wire under high temperature and high humidity environment (1) The test piece subjected to the bending test was stored for 3 days at a temperature of 85° C. and a relative humidity of 85%.
  • the presence or absence of disconnection was confirmed by measurement in 20 arbitrarily selected conductive thin wires.
  • the resistance value of the conductive thin wire was measured using a digital multimeter 34410A (manufactured by Agilent), and if the measured resistance value was 1 M ⁇ or more, the conductive thin wire was disconnected. rated it as.
  • the number of conductive thin wires that were not disconnected in the above evaluation test is listed in the "bending resistance" column of Table 1, which will be described later.
  • a display device was manufactured by pasting the conductive substrate manufactured in each example onto a display panel.
  • the obtained display device was installed on a rotary disk, and the display device was driven to display white.
  • the rotary disk was rotated at a bias angle of ⁇ 20° to +20°, and the displayed image was visually observed to evaluate the occurrence of moire in the displayed image.
  • Level 2 When there is no angle that gives the evaluation "a” and the range of angles that gives the evaluation "c” is more than 10 degrees and less than 30 degrees.
  • Level 3 When there are no angles that give an evaluation of "a” and the range of angles that give an evaluation of "c” is 10 degrees or less.
  • Level 4 When there are no angles that give an evaluation of "a” and the range of angles that give an evaluation of "b” is 30 degrees or more. in the case of.
  • Level 5 When the range of angles giving the rating "a” is 10° or more and less than 20°.
  • Level 6 When the range of angles giving the rating "a” is 20° or more and less than 30°.
  • Level 7 When the range of angles giving the rating "a” is 30 degrees or more.
  • Table 1 which will be described later, shows the moire evaluation results for each conductive base material.
  • “Moiré” column of Table 1 “N” indicates that the above comprehensive evaluation was level 1 or 2
  • "B” indicates that the above comprehensive evaluation was level 3
  • "A” indicates that the above comprehensive evaluation was level 3. indicates that the above comprehensive evaluation was one of levels 4 to 7.
  • Table 1 summarizes the measurement results and evaluation results of the conductive substrates manufactured in each example.
  • the "Ta/Wa” column indicates the ratio of the thickness Ta ( ⁇ m) of the conductive thin wire to the line width Wa ( ⁇ m) of the conductive thin wire.
  • the "Wa/W1" column indicates the ratio of the line width Wa ( ⁇ m) of the conductive thin wire to the line width W1 ( ⁇ m) of the first conductive layer.
  • Conductive base material 12 Base material 14
  • Non-fine wire region 20 Conductive thin wire 22
  • Second conductive layer 30 Transparent insulating portion 32

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本発明の課題は、折り曲げ耐性に優れ、モアレが抑制され、かつ、導電性に優れる導電性基材を提供することにある。　本発明の導電性基材は、基材と、基材上に配置されている導電性細線とを有する、導電性基材であって、導電性細線は、複数の導電層で構成される積層構造を有し、複数の導電層のうち、最も基材側に配置されている第１導電層の金属密度が、第１導電層以外の他の導電層の金属密度よりも低く、第１導電層が、金属およびバインダー成分を含み、第１導電層におけるバインダー成分に対する金属の体積比が０．２～３．５であり、第１導電層の線幅の平均値が３．０μｍ以下であり、導電性細線の線幅の平均値が、第１導電層の線幅の平均値の１．２５倍以下である。

Description

導電性基材
　本発明は、導電性基材に関する。
　導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基材は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス：Electro luminescence）素子等種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基材の需要が急速に拡大している。
　導電性細線を有する導電性基材として、例えば、特許文献１には、絶縁樹脂上に、第１金属層と第２金属層からなる複数の金属層からなる配線パターンを有する回路基板の製造方法に関する技術が開示されている。
特開２００７－２８７９５３号公報
　本発明者らは、特許文献１を参照して導電性細線を有する導電性基材を作製し、フレキシブル性が求められる配線基板への上記導電性基材の適用について検討した結果、導電性基材を折り曲げた際、基材上に形成される導電層が損傷（例えば断線）する場合があることを知見した。
　本発明は、上記実情に鑑みて、折り曲げ耐性に優れ、モアレが抑制され、かつ、導電性に優れる導電性基材を提供することを課題とする。
　本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
〔１〕基材と、上記基材上に配置されている導電性細線とを有する、導電性基材であって、上記導電性細線は、複数の導電層で構成される積層構造を有し、上記複数の導電層のうち、最も基材側に配置されている第１導電層の金属密度が、上記第１導電層以外の他の導電層の金属密度よりも低く、上記第１導電層が、金属およびバインダー成分を含み、上記第１導電層における上記バインダー成分に対する上記金属の体積比が０．２～３．５であり、上記第１導電層の線幅の平均値が３．０μｍ以下であり、上記導電性細線の線幅の平均値が、上記第１導電層の線幅の平均値の１．２５倍以下である、導電性基材。
〔２〕上記導電性細線の線幅の平均値に対する上記導電性細線の厚さの比率が、０．５以上である、〔１〕に記載の導電性基材。
〔３〕上記第１導電層の厚さが、０．１～２．０μｍである、〔１〕または〔２〕に記載の導電性基材。
〔４〕上記第１導電層の厚さに対する上記導電性細線の厚さの比率が、２．０以上である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の導電性基材。
〔５〕上記導電性細線の線幅の平均値に対する上記導電性細線の厚さの比率が、０．５以上であり、上記第１導電層の厚さが、０．１～２．０μｍであり、かつ、上記第１導電層の厚さに対する上記導電性細線の厚さの比率が、２．０以上である、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の導電性基材。
〔６〕上記導電性細線に含まれる上記第１導電層以外の他の導電層が、銀および銅の少なくとも一方を含む、〔１〕～〔５〕のいずれかに記載の導電性基材。
〔７〕上記第１導電層が銀を含む、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の導電性基材。
〔８〕上記基材の上記導電性細線が配置されている側の表面上の上記導電性細線が配置されていない領域に透明絶縁部を有する、〔１〕～〔７〕のいずれかに記載の導電性基材。
〔９〕上記導電性細線に含まれる上記第１導電層以外の他の導電層が、銀および銅の少なくとも一方を含み、上記第１導電層が銀を含み、かつ、上記基材の上記導電性細線が配置されている側の表面上の上記導電性細線が配置されていない領域に透明絶縁部を有する、〔１〕～〔８〕のいずれかに記載の導電性基材。
　本発明によれば、折り曲げ耐性に優れ、モアレが抑制され、かつ、導電性に優れる導電性基材を提供できる。
本発明の導電性基材の構成の一例を示す模式的断面図である。 本発明の導電性基材の導電性細線が有するメッシュパターンの一例を示す平面図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明の導電性基材について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされるものであり、本発明はそのような実施形態に制限されない。また、以下に示す図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図によって本発明は制限されない。
　本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
　本明細書において、「ｇ」および「ｍｇ」は、「質量ｇ」および「質量ｍｇ」をそれぞれ表す。
　本明細書において、「高分子」または「高分子化合物」は、重量平均分子量が２０００以上である化合物を意味する。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
　本明細書において、具体的な数値で表された角度、並びに、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度に関する表記は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
　本明細書において、導電性細線の「幅方向」とは、基材の表面に沿った方向のうち、導電性細線が延在する方向に対して直交する方向を意味し、導電性細線の「線幅」とは、幅方向における導電性細線の全長を意味する。
［導電性基材］
　本発明に係る導電性基材は、基材と、基材上に配置されている導電性細線とを有する。
　導電性細線は、複数の導電層で構成される積層構造を有する。
　積層構造を構成する複数の導電層のうち、最も基材側に配置されている第１導電層の金属密度は、第１導電層以外の他の導電層の金属密度よりも低い。
　第１導電層は、金属およびバインダー成分を所定の含有比率で含む。
　また、第１導電層の線幅の平均値は３．０μｍ以下であり、かつ、導電性細線の線幅の平均値が、第１導電層の線幅の平均値の１．２５倍以下である。
　本発明者は、基材上に導電性細線を有する導電性基材のフレキシブル配線基板への適用について検討した結果、導電性細線について、複数の導電層で構成される積層構造とし、最も基材側に配置されている導電層の組成および線幅を特定し、導電性細線の線幅を特定することによって、モアレを十分に抑制し、かつ、優れた導電性を有しながら、導電性基材の折り曲げ耐性を向上できることを見出し、本発明を完成させた。
　以下、本明細書において、導電性基材の折り曲げ耐性が優れること、モアレを抑制する機能が優れること、および、導電性基材の導電性が優れることの少なくとも１つに該当する場合、「本発明の効果が優れる」とも記載する。
　以下、本発明に係る導電性基材（以下、「本導電性基材」ともいう。）について、図面を参照しながらより詳しく説明する。
　図１は、本導電性基材の構成の一例を示す模式的断面図である。
　図１に示す導電性基材１０は、基材１２と、基材１２上に配置されている導電性細線２０とを備える。導電性細線２０は、図に示すように、最も基材１２側に配置されている第１導電層２２と、第１導電層２２以外の他の導電層である第２導電層２４とで構成される積層構造を有する。
　また、導電性基材１０は、基材１２の導電性細線２０が配置されていない領域（非細線領域）１４上に配置されている透明絶縁部３０を備える。
　なお、図１では、紙面に対して垂直方向に延びる導電性細線２０が２つ示されているが、本導電性基材が有する導電性細線の配置形態および数は、特に制限されない。
　また、図１に示す導電性基材１０は非細線領域１４に透明絶縁部３０を有しているが、導電性基材は、透明絶縁部を有していなくてもよい。
　導電性基材が有する各部材について、それぞれ説明する。
〔基材〕
　基材は、導電性細線を支持できる部材であれば、その種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基材が挙げられる。
　基材は、可撓性を有することが好ましい。可撓性を有する基材とは、折り曲げることができる基材を意味し、具体的には、折り曲げ曲率半径２ｍｍで折り曲げても割れが生じない基材を意味する。可撓性基材は、３次元形状を形成できる加工性を有する。可撓性を有する基材としては、上記プラスチック基材が挙げられる。
　プラスチック基材を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、アクリルフィルム（１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）（２６９℃）、ポリエチレン（ＰＥ）（１３５℃）、ポリプロピレン（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（２９０℃）等の融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、または、ポリカーボネートがより好ましい。なかでも、導電性細線との密着性が優れることから、ＰＥＴが更に好ましい。上記の（　）内の数値は融点またはガラス転移温度である。
　基材の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。全光透過率は、ＪＩＳ（日本工業規格）　Ｋ　７３７５：２００８に規定される「プラスチック－全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
　基材を構成する材料は、導電性細線および透明絶縁部等の基材上の部材を形成する際、紫外線等の露光光を裏面側から通過させ、基材上に設けたフォトレジストを露光することが可能な材料であってもよい。
　フォトレジストは、紫外線を用いて露光されるように設定されている場合が多く、フォトレジストの光波長感度特性、および、μｍレベルのパターンの精確な加工性の点で、ｇ線（４３６ｎｍ）が使用されることが特に多い。ｇ線以外にも、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡＲＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、および、Ｆ２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）等の短波長の紫外線を利用する場合もある。
　基材上に部材を形成する工程において、基材を通過させてフォトレジストを露光する処理を行う場合は、これらの露光光に対して良好な光透過性を有する基材を選定することが望ましい。或いは、基材を通過させてフォトレジストを露光する処理を行う場合、波長に応じた基材の光透過性に合わせて、フォトレジストの材料および露光用光源の波長をそれぞれ選択することが望ましい。
　基材を構成する材料として、上記紫外線の透過性がより優れる点では、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィンまたはアクリル樹脂が好ましい。
　その他に、電子材料に用いた際の使用環境での耐久性がより優れる点では、ＰＥＮまたはＰＥＴが好ましい。
　基材の厚さは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、導電性基材をタッチパネルに応用する際に、基材表面をタッチ面として用いる場合は、基材の厚さは５００μｍを超えていてもよい。
　基材の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
　下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の基材に対する密着性がより向上する。
　下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、後述する特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
　下塗り層の厚さは特に制限されず、導電層の基材に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。
〔導電性細線〕
　導電性細線は、基材上に配置されている細線状の部材であって、金属を含むことにより導電性基材の導電特性を担保する部材である。
　本導電性基材において、導電性細線は、複数の導電層で構成される積層構造を有する。より具体的には、導電性細線は、複数の導電層として、最も基材側に配置されている第１導電層と、第１導電層以外の他の導電層とを有する。第１導電層以外の他の導電層は、１層のみであっても複数層であってもよい。
　なお、「複数の導電層で構成される積層構造」とは、層全体の組成（金属の種類を含む）、金属密度及び製造方法の少なくとも１つが互いに異なる導電層を２つ以上有することを意味する。
　以下、導電性細線が有する第１導電層以外の他の導電層を、「第２導電層」ともいう。
　本明細書において、導電性細線は、基材の表面に配置され、金属を含む材料で一体的に形成された細線状の領域を意図する。
　導電性細線は、上記第１導電層よりも基材側に、金属を含まず、導電性を示さない層を有していてもよい。例えば、後述する工程Ｚにより形成され、後述する工程Ａおよび工程Ｂにより形成される細線状の銀含有層（銀含有層）に隣接するハロゲン化銀不含有層に由来する層は、導電性細線を構成する。
　また、導電性細線は、導電性基材の外部の部材と電気的に接続していてもよく、電気的に接続していなくてもよい。導電性細線の一部は、外部と電気的に絶縁されたダミー電極であってもよい。
　基材の表面における導電性細線の配置は特に制限されない。
　導電性細線は、パターン形状を有してもよい。導電性細線のパターン形状は特に制限されず、例えば、正三角形、二等辺三角形および直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形および台形等の四角形、（正）六角形および（正）八角形等の（正）ｎ角形、円、楕円、星形、並びに、これらの図形を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
　図２は、導電性細線が有するメッシュパターンの一例を示す平面図である。
　メッシュ状とは、図２に示すように、交差する導電性細線２０により構成され、それぞれが互いに離間している複数の非細線部（格子）３２を含む形状を意図する。図２において、非細線部３２は、一辺の長さがＬである正方形の形状を有しているが、メッシュパターンの非細線部は、導電性細線により区画された領域であれば、他の形状であってもよく、例えば、多角形状（例えば、三角形、四角形（ひし形、長方形等）、六角形、および、ランダムな多角形）であってもよい。また、辺の形状は、直線以外の湾曲した形状であってもよいし、円弧状であってもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
　正方形の格子状である非細線部３２の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下が更に好ましい。長さＬの下限値は特に制限されないが、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上が更に好ましい。非細線部の一辺の長さが上述の範囲である場合には、更に透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基材を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
　可視光透過率の点で、導電性細線により形成されるメッシュパターンの開口率は、９０％以上が好ましく、９５％以上がより好ましく、９９％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
　開口率とは、導電性基材のメッシュパターンが形成された側の基材の表面において、表面の全面積に対する導電性基材が配置されていない領域の割合（面積比）を意味する。
　導電性細線の線幅の平均値（以下、「線幅Ｗａ」ともいう。）は、本発明の効果がより優れる点で、５．０μｍ以下が好ましく、３．１μｍ以下がより好ましく、２．１μｍ以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。
　導電性細線の線幅Ｗａは、以下の方法で得られる。導電性基材が有する導電性細線の任意の１０箇所を選択し、各箇所において、導電性細線の延在方向に直交する方向に切断した断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いて観察する。得られた観察画像から導電性細線の線幅の厚さ方向の最大値を測定する。選択した１０箇所において測定された線幅の厚さ方向の最大値の算術平均値を算出することにより、導電性細線の線幅Ｗａを求める。線幅Ｗａのより詳細な測定方法については、後述する実施例に記載する。
　導電性細線の厚さＴａは特に制限されないが、導電性基材の導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、折り曲げ耐性がより優れる点で、１５μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましい。
　導電性細線の厚さＴａは、導電性細線の線幅Ｗａの測定方法に準じて、任意の１０箇所において、ＳＥＭを用いて得られる導電性細線の切断面の観察画像から導電性細線の厚さを測定し、測定された１０箇所の厚さの算術平均値を算出することにより、求められる。厚さＴａのより詳細な測定方法については、後述する実施例に記載する。
　導電性細線の線幅Ｗａに対する導電性細線の厚さＴａの比率（厚さＴａ／線幅Ｗａ）は、導電性基材の導電性がより優れる点で、０．５以上が好ましく、１．０以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、擦り耐性がより優れる点で、１０以下が好ましく、５以下がより好ましい。
　導電性細線の線抵抗値は、２００Ω／ｍｍ未満が好ましい。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点で、１００Ω／ｍｍ未満がより好ましく、６０Ω／ｍｍ未満が更に好ましい。下限は特に制限されないが、１Ω／ｍｍ以上が好ましい。
　線抵抗値とは、４探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ（直径０．５μｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター　２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるように定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒｉ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲｉをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。
＜第１導電層＞
　第１導電層は、導電性細線を構成する複数の導電層のうち、最も基材側に配置されている導電層である。
　本導電性基材において、第１導電層は、以下の要件１～４を満たす。
（１）第１導電層は、金属およびバインダー成分を含み、第１導電層の金属密度が、第２導電層（第１導電層以外の他の導電層）の金属密度よりも低い。
（２）第１導電層におけるバインダー成分に対する金属の体積比が０．２～３．５である。
（３）第１導電層の線幅の平均値が、３．０μｍ以下である。
（４）導電性細線の線幅の平均値が、第１導電層の線幅の平均値の１．２５倍以下である。
　第１導電層は、導電性材料として、金属を含む。
　第１導電層に含まれる金属としては、例えば、銀、銅、金、ニッケルおよびパラジウムからなる群より選択される金属の単体、並びに、上記群より選択される２つ以上の金属の混合物（合金）が挙げられる。
　第１導電層に含まれる金属は、導電性がより優れる点で、銀および銅の少なくとも一方が好ましく、銀がより好ましい。第１導電層に含まれる銀は、銀単体であってもよく、銀と銀以外の金属との混合物（銀合金）であってもよい。
　なかでも、第１導電層に含まれる金属としては、銀単体、または、銀と銅との合金がより好ましく、銀単体が更に好ましい。
　第１導電層に含まれる金属（好ましくは金属銀）は、固体粒子状であることが多い。金属の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましい。湿熱環境下における導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径であり、金属粒子（好ましくは金属銀粒子）および後述するハロゲン化銀粒子の平均粒子径は、１００個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均した平均値として得られる。
　金属粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状、８面体状、および、１４面体状等の形状が挙げられる。また、金属粒子が融着により一部または全体にわたって結合していてもよい。
　第１導電層は、複数の金属が後述する高分子化合物中に分散してなる構造を有してもよく、高分子化合物中で金属が凝集して凝集体として存在してもよい。また、第１導電層に含まれる複数の金属の少なくとも一部同士が、後述するめっき処理に用いる金属イオンに由来する金属によって接合されていてもよい。
　第１導電層における金属の含有量は特に制限されず、導電性基材の導電性がより優れる点で、基材表面の第１導電層が配置されている領域の面積当たりの金属の含有量が、１．０～２０．０ｇ／ｍ２であることが好ましく、２．０～１０．０ｇ／ｍ２であることがより好ましい。
　本導電性基材では、第１導電層は、金属に加えてバインダー成分を含み、かつ、第１導電層の金属密度は、第２導電層の金属密度よりも低い（要件１）。第１導電層が要件１を満たす場合、折り曲げ耐性がより優れる導電性基材が得られる。
　第１導電層がバインダー成分を含むか否かの判定、および、第１導電層の金属密度が第２導電層の金属密度よりも低いか否かの判定は、導電性細線の延在方向に直交する方向に沿った導電性基材の切断面をＳＥＭを用いて観察して得られる観察画像に基づいて実施される。詳細な判定方法については、後述する実施例に記載する。
　第１導電層に含まれるバインダー成分としては、導電性基材の折り曲げ耐性がより優れる点で、高分子化合物を含むことが好ましい。
　第１導電層に含まれる高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が使用できる。なかでも、強度がより優れる銀含有層および第１導電層を形成できる点で、ゼラチンとは異なる高分子化合物（以下、「特定高分子」とも記載する。）が好ましい。
　本導電性基材において、金属およびバインダー成分は、第１導電層におけるバインダー成分に対する金属の体積比（（金属の体積）／（バインダー成分の体積））（以下、「体積比Ａ」ともいう。）が、０．２～３．５となる量で第１導電層に含まれている（要件２）。第１導電層の体積比Ａが上記範囲にあることにより、折り曲げ耐性および導電性がより優れる導電性基材が得られる。
　上記の観点から、第１導電層の体積比Ａは、０．２～３．５が好ましく、１．０～３．５がより好ましい。
　第１導電層の体積比Ａは、蛍光Ｘ線測定法による導電性細線に含まれる金属の含有量の測定と、飛行時間型２次イオン質量分析（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）法による導電性細線の断面における金属含有量の相対値の測定とを組み合わせることにより、求めることができる。
　より具体的には、まず、蛍光Ｘ線測定装置を用いて、導電性基材の主面の面積当たりの導電性細線に含まれる金属の重量含有量（ｇ／ｍ２）を測定する。
　次いで、ミクロトーム等を用いて、導電性細線の延在方向と交差する方向に沿って導電性基材を切削し、得られた導電性細線の切断面における金属の局所的濃度をＴＯＦ－ＳＩＭＳ法にて解析する。ＴＯＦ－ＳＩＭＳ法は、Ｇａ＋およびＩｎ＋などの一次イオンの照射により試料中の分子から放出される分子イオンおよびフラグメントイオン等の二次イオンを検出することで、固体試料表面に存在する化合物の量を測定できる方法である。ＴＯＦ－ＳＩＭＳ法による二次イオンの検出は、正イオンおよび負イオンのいずれも可能であるが、本実施形態においては正イオンを選択し、導電性細線の切断面の同一領域において、質量が０～１０００ａｍｕ（atom mass unit）の全二次イオン像をＲａｗ　Ｄａｔａ形式で測定できる。なお、測定中の試料表面の帯電（チャージアップ）を中和するため、電子銃（フラッドガン）を使用することが好ましい。
　導電性細線の局所的濃度を解析する際、導電性細線の切断面を直径１０～５０ｎｍ程度の微細な領域（アパーチャー）に分割し、このアパーチャーサイズで金属に由来するシグナル強度を測定する。測定された微細領域における金属由来のシグナル強度を、導電性細線の断面全領域に渡りマッピングすることにより、厚さ方向および線幅方向を座標としたときの導電性細線の切断面の各位置に存在する金属の局所的濃度の相対値を示す組成分布が得られる。
　なお、導電性細線または各導電層の膜厚が薄い場合（例えばアパーチャーの数倍程度の場合）には、導電性基材の切断方向を、導電性基材の主面に対する法線方向（９０°）から、斜め方向（導電性基材の主面に対して１～９０°未満）に変えて、切断面の面積を大きくすることにより、導電性細線内でのマッピングの分解能を高めることが好ましい。
　得られた組成分布に示される金属の局所的濃度の違いに基づいて、導電性細線における第１導電層と第２導電層とを区別し、切断面における第１導電層の金属含有量の相対値と第２導電層の金属含有量の相対値をそれぞれ算出する。次いで、得られた金属含有量の相対値から、必要により、上記のＳＥＭを用いる測定方法で得られる導電性細線、第１導電層および第２導電層の厚さおよび線幅を参照して、導電性細線の金属含有量に対する第１導電層の金属含有量の比率（質量比）を求める。
　蛍光Ｘ線測定法で測定された導電性細線に含まれる金属の重量含有量に、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ法で得られた導電性細線の金属含有量に対する第１導電層の金属含有量の比率を乗じることにより、導電性基材の主面の面積当たりの第１導電層に含まれる金属の重量含有量（ｇ／ｍ２）を算出する。得られた金属の重量含有量を金属の比重で除して、第１導電層に含まれる金属の導電性基材の主面の面積当たりの体積含有量α（ｃｍ３／ｍ２）を算出する。
　なお、導電性基材に複数種の金属が含まれる場合は、蛍光Ｘ線測定法による重量含有量の測定、および、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ法による導電性細線の含有量に対する第１導電層の含有量の比率の測定を、金属の種類ごとに行い、各金属の体積含有量を合計することにより、上記体積含有量αが求められる。
　次いで、導電性基材において導電性細線により形成されるパターンの形状およびサイズ、並びに、後述する方法で測定される第１導電層の線幅Ｗ１に基づいて、導電性基材の主面に対する第１導電層が存在する領域の面積比を求める。得られた面積比に、後述する方法で測定される第１導電層の厚さＴ１を乗じることにより、導電性基材の主面の面積当たりの第１導電層の体積（ｃｍ３／ｍ２）を求める。得られた第１導電層の体積から、上記の体積含有量αを差し引くことにより、導電性基材の主面の面積当たりの第１導電層に含まれるバインダー成分の体積含有量β（ｃｍ３／ｍ２）を求める。
　上記のバインダー成分の体積含有量βに対する上記の金属の体積含有量αの比率（体積含有量α／体積含有量β）を算出することにより、第１導電層におけるバインダー成分に対する金属の体積比Ａが求められる。
　第１導電層に含まれる特定高分子の種類は、ゼラチンと異なる高分子化合物であれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤では分解しない高分子化合物が好ましい。
　特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
　また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
　特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、第１導電層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
　特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
　　一般式（１）：　－（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
　なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。
　Ｒ１１は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
　Ｒ１２は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
　Ｒ１３は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（２）で表される基が好ましい。
　一般式（２）：－（ＣＯ－Ｘ１）ｒ－Ｘ２－
　一般式（２）中、Ｘ１は、酸素原子または－ＮＲ３０－を表す。ここでＲ３０は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシ基）を有してもよい。Ｒ３０としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ１としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
　Ｘ２は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒ３１）－、または、－Ｎ（Ｒ３１）ＳＯ２－等が途中に挿入されてもよい。Ｒ３１は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ２としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＨ２－、または、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯ（Ｃ６Ｈ４）－が好ましい。
　ｒは０または１を表す。
　ｑは０または１を表し、０が好ましい。
　Ｒ１４は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基が更に好ましい。
　Ｒ１５は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ２ＣＯＯＲ１６がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
　Ｒ１６は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ１４と同じでも異なってもよく、Ｒ１６の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。
　一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
　ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
　ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
　ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
　ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
　一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。
　一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。
　一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上述の定義の通りである。
　一般式（１）で表される高分子は、上述の一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
　他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
　一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
　上述の式中、ＬＥはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基が更に好ましい。
　一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。
　上述の式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１およびｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
　ａ１の好ましい範囲は上述のｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上述のｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上述のｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上述のｗの好ましい範囲と同じである。
　ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。
　特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報等を参照して合成できる。
　特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００が更に好ましい。
　第１導電層は、高分子化合物として、ゼラチンを含んでいてもよい。
　ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）からなる群より選択される化合物を用いてもよい。
　第１導電層には、必要に応じて、更に、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
　例えば、後述するハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物等の８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。また、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。更には、第１導電層には、物理現像核が含まれていてもよい。
　また、第１導電層には、上述の特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、第１導電層中の金属同士の連結が保たれる。
　また、後述する写真製法の方法（ｂ）方法を用いる場合、第１導電層には物理現像核を含む物理現像核層が設けられていてもよい。物理現像核層に含まれる物理現像核としては、例えば、金および銀等のコロイド、並びに、パラジウムおよび亜鉛等の水溶性塩と硫化物を混合した金属硫化物等の材料からなる粒子が挙げられる。物理現像核層の形成方法については、特開平５－２６５１６２号公報の段落［０００７］～［００１６］等の記載を参照できる。
　第１導電層の線幅の平均値（以下、「線幅Ｗ１」ともいう。）は３．０μｍ以下であり（要件３）、かつ、導電性細線の線幅Ｗａが第１導電層の線幅Ｗ１の１．２５倍以下である（要件４）。第１導電層の線幅Ｗ１および導電性細線の線幅Ｗａが上記範囲にあることにより、モアレが抑制された導電性基材が得られる。また、第１導電層の線幅Ｗ１が上記範囲にあることにより、導電性細線が視認されにくくなる。
　第１導電層の線幅Ｗ１が上記範囲にあることにより、モアレが抑制された導電性基材が得られる。また、第１導電層の線幅Ｗ１が上記範囲にあることにより、導電性細線が視認されにくくなる。
　第１導電層の線幅Ｗ１は、導電性細線の線幅Ｗａの測定方法に準じて測定できる。
　第１導電層の線幅Ｗ１は、上述の通り、３．０μｍ以下である。下限は特に制限されないが、導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．２μｍ以上がより好ましい。
　また、導電性細線の線幅Ｗａは、本発明の効果がより優れる点で、第１導電層の線幅Ｗ１の１．５倍以下がより好ましく、１．３倍以下が更に好ましい。下限は特に制限されず、導電性細線の線幅Ｗａは、第１導電層の線幅Ｗ１の１倍以上であってよい。
　第１導電層の厚さＴ１は特に制限されないが、基材との密着性および導電性基材の導電性がより優れる点で、０．１～３．０μｍが好ましく、０．１～２．０μｍがより好ましく、０．５～２．０μｍが更に好ましい。
　第１導電層の厚さＴ１に対する導電性細線の厚さＴａの比率（導電性細線の厚さＴａ／第１導電層の厚さＴ１）は、導電性がより優れる点で、１．０以上が好ましく、２．０以上がより好ましい。上限は特に制限されず、例えば、５０以下であってよい。
　第１導電層の厚さＴ１は、導電性細線の厚さＴａの測定方法に準じて測定できる。
＜第２導電層＞
　以下、導電性基材において導電性細線を構成する複数の導電層のうち、最も基材側に配置されている第１導電層以外の他の導電層を「第２導電層」とも表記する。
　導電性細線が有する第２導電層は、１層のみであってもよく、２層以上であってもよい。
　第２導電層は、例えば金属等の導電性材料を含む。
　第２導電層に含まれる金属としては、例えば、銀、銅、金、ニッケル、コバルトおよびパラジウムからなる群より選択される金属の単体、並びに、上記群より選択される２つ以上の金属の混合物（合金）が挙げられる。なかでも、導電性がより優れる点で、銀および銅の少なくとも一方が好ましく、銀単体、または、銀と銅との合金がより好ましく、銀単体が更に好ましい。
　第２導電層は、金属を主成分として含むことが好ましい。
　第２導電層が金属を「主成分として含む」とは、金属の含有量が第２導電層の全質量に対して５０質量％以上であることを意味する。第２導電層における金属の含有量は、第２導電層の全質量に対して９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましい。上限値は特に制限されず、第２導電層の全質量に対して１００質量％であってよい。
　導電性細線は、第２導電層を構成する導電層のうち基材から最も離れた導電層として、黒化層を有していてもよい。黒化層は、導電性基材の表面における導電性細線での光の反射を防止し、視認性をより向上させる機能を有する。黒化層としては、例えば、黒色クロムめっき層、黒色ニッケルめっき層、および、黒色アルマイトめっき層等の公知の黒色めっき層が挙げられる。
　これらの黒化層は、公知の黒色金属材料を用いるめっき処理により形成できる。
　第２導電層の線幅Ｗ２は、本発明の効果がより優れる点で、５．０μｍ以下が好ましく、３．５μｍ以下がより好ましく、２．５μｍ以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。
　第２導電層の厚さＴ２は、導電性がより優れる点で、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、擦り耐性がより優れる点で、１０．０μｍ以下が好ましい。
　第２導電層の線幅Ｗ２および厚さＴ２は、導電性細線の線幅Ｗａおよび厚さＴａの測定方法に準じて測定できる。
〔透明絶縁部〕
　導電性基材は、導電性基材の導電性細線が配置されている側の表面の導電性細線が配置されていない領域（本明細書において「非細線領域」ともいう。）に、透明絶縁部を有していてもよく、腐食ガス耐性がより優れる点で、透明絶縁部を有することが好ましい。
　図１に示す導電性基材１０では、透明絶縁部３０は、基材１２の一方の表面の非細線領域１４上に、導電性細線２０と並んで配置されている。換言すると、透明絶縁部３０は、導電性細線２０の幅方向において導電性細線２０と隣接している。
　導電性基材が有する透明絶縁部の配置および形状は、図１に示す態様に制限されない。例えば、透明絶縁部は、導電性細線の基材とは反対側の表面の一部または全部を覆っていてもよい。
　透明絶縁部は、導電性の金属を含まず、導電性を示さない部材である。ここで、透明絶縁部が「金属を含まない」とは、透明絶縁部における金属の含有量が、透明絶縁部の全質量に対して０．１質量％以下であることを意味する。透明絶縁部における金属の含有量は、透明絶縁部の全質量に対して０．０５質量％以下が好ましい。下限は特に制限されず、０．０質量％であってよい。
　また、本明細書において「透明」とは、波長４００～７００ｎｍの可視光の平均透過率が８０％以上であることを意味する。透明絶縁部の上記可視光の平均透過率は、９０％以上が好ましい。上限値は特に制限されず、例えば９９％以下である。透過率は、分光光度計を用いて測定できる。
　透明絶縁部は、高分子化合物を主成分として含むことが好ましい。
　透明絶縁部に含まれる高分子化合物としては、導電性細線に含まれる高分子化合物が挙げられ、特定高分子が好ましい。透明絶縁部に含まれる高分子化合物は、導電性細線に含まれる高分子化合物と同じあってもよく、異なっていてもよい。
　透明絶縁部が高分子化合物を「主成分として含む」とは、高分子化合物の含有量が透明絶縁部の全質量に対して５０質量％以上であることを意味する。透明絶縁部における高分子化合物の含有量は、透明絶縁部の全質量に対して９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましい。上限値は特に制限されず、透明絶縁部の全質量に対して１００質量％であってよい。
　透明絶縁部としては、例えば、重合性基を有する重合性化合物を含む透明絶縁部形成用組成物を用いて形成される部材が挙げられる。この場合、少なくとも上記重合性化合物の重合体が高分子化合物として透明絶縁部に含まれる。
　また、後述する導電性基材の製造方法の工程Ｇに従って形成されるめっきレジストパターンを除去せずに透明絶縁部として用いてもよい。この場合、レジストパターンに含まれる樹脂が高分子化合物として透明絶縁部に含まれる。
　透明絶縁部形成用組成物を用いて透明絶縁部を形成する方法は特に制限されない。例えば、導電性細線が配置されている側の基材の表面に上記組成物を塗布して、必要に応じて塗布膜に硬化処理を施し、透明絶縁部を形成する方法（塗布法）、または、仮基材上に透明絶縁部形成用組成物を用いて透明絶縁部を形成して、基材の表面に転写する方法（転写法）が挙げられる。なかでも、厚さの制御がしやすい点では、塗布法が好ましい。
　透明絶縁部形成用組成物を基材の表面に塗布する方法、および、塗布膜の硬化処理はいずれも特に制限されず、公知の方法が適用できる。
　透明絶縁部の厚さは特に制限されないが、導電性基材の折り曲げ耐性および透明絶縁部の膜強度の点で、１～１５μｍが好ましく、２～１０μｍがより好ましい。
　また、導電性細線の厚さＴａに対する透明絶縁部の厚さの比率（透明絶縁部の厚さ／導電性細線の厚さＴａ）は、１～１０が好ましく、２～５がより好ましい。
　透明絶縁部の厚さは、導電性細線の厚さＴａの測定方法に準じて測定できる。
〔他の部材〕
　導電性基材は、上述の基材、導電性細線および透明絶縁部以外に他の部材を有してもよい。
　導電性基材が有してもよい他の部材としては、後述する導電性細線とは構成が異なる導電部が挙げられる。
〔導電性基材の製造方法〕
　次に、導電性基材の製造方法について説明する。
　導電性基材の製造方法は、上述した構成の導電性基材が製造できれば特に制限されず、例えば、写真製法等の公知の方法により基材の一方の表面上に第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、第１導電層の表面上にめっき法等により選択的に第２導電層を形成する第２導電層形成工程とを有する方法が挙げられる。
＜第１導電層形成工程＞
　第１導電層形成工程は、基材の一方の表面上に、金属およびバインダー成分を含む上述した構成の第１導電層を形成できれば、特に制限されず、公知の方法が採用される。
　第１導電層を形成する方法としては、例えば、基材上にハロゲン化銀粒子を含むハロゲン化銀含有層を設けた後、ハロゲン化銀粒子を還元することにより第１導電層を形成する方法（写真製法）；金属およびバインダー成分を含む金属含有層を基材の表面の全域に形成した後、レジストパターンを用いて金属含有層の一部を除去することにより第１導電層を形成する方法；並びに、金属およびバインダー成分を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して第１導電層を形成する方法が挙げられる。
　なかでも、生産性および導電性基材の導電性がより優れる点で、ハロゲン化銀粒子を還元することにより第１導電層を形成する写真製法が好ましい。写真製法としては、例えば下記の方法（ａ）および（ｂ）が挙げられ、方法（ａ）が好ましい。
（ａ）基材上にハロゲン化銀粒子およびバインダー成分を少なくとも含むハロゲン化銀含有層を形成し、形成されたハロゲン化銀含有層をパターン露光することによりハロゲン化銀を還元し、次いで、現像処理によりパターン状の第１導電層を形成する方法。
（ｂ）基材上に物理現像核層とハロゲン化銀を含む層とをこの順に形成し、パターン露光することにより物理現像核上に銀層を析出させ、次いで、不要となったハロゲン化銀を含む層を水洗除去する方法（銀錯塩拡散転写法）。
　より具体的な第１導電層形成工程としては、下記工程Ａ～工程Ｄをこの順に実施する工程が挙げられる。
　工程Ａ：基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程。
　工程Ｂ：感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程。
　工程Ｃ：工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程。
　工程Ｄ：工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程。
　以下、各工程の手順について詳述する。
＜工程Ａ＞
　工程Ａは、基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基材が製造される。
　まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。
　なお、工程Ａで使用される基材、ゼラチン、および、特定高分子については上述の通りである。
（ハロゲン化銀）
　ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらの組み合わせであってもよい。ハロゲン化銀としては、塩化銀、臭化銀またはヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀またはヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
　ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀の組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀を意味する。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
　ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍが更に好ましい。
　ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状等）、８面体状、並びに、１４面体状等の形状が挙げられる。
（工程Ａの手順）
　工程Ａにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点で、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基材上に接触させ、基材上に感光性層を形成する方法が好ましい。
　以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
　感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
　感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
　溶剤としては、水、有機溶剤（例えば、アルコール、ケトン、アミド、スルホキシド、エステルおよびエーテル）、イオン性液体、並びに、これらの混合溶剤が挙げられる。
　感光性層形成用組成物と基材とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を基材上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に基材を浸漬する方法が挙げられる。
　なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
（ハロゲン化銀含有感光性層）
　上述の手順により形成された感光性層には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
　感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されないが、後述する工程Ｇにおいてフォトレジストを露光する際のセルフアラインマスクパターンとしての機能がより優れる点、および、次の工程Ｂにより形成される細線状の銀含有層、延いては第１導電層の線幅のばらつきをより抑制できる点で、銀換算で１．０～１０．０ｇ／ｍ２が好ましく、２．０～７．０ｇ／ｍ２がより好ましい。銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
　感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、後述する工程Ｈ１における第１導電層の表面上へのめっき金属層の形成性および導電性基材の折り曲げ耐性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ２が好ましく、０．０８～１．０ｇ／ｍ２がより好ましい。
＜工程Ｂ＞
　工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
　感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
　露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
　露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。
　露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
　現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
　現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（phenidone hydroquinone）現像液、ＭＱ（Metol hydroquinone）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。
　なお、感光材料の現像性は、光源波長と光量、感光材料の感度特性から決まるが、光量は、所望の線幅の細線が形成されるように、適宜調整を行った。
　本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有していてもよい。
　定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
　定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、株式会社写真工業出版社）ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。
　上述の処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成される。
　銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を０．５μｍ以上５．０μｍ未満にすることにより、露光領域を調整できる。
　また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線の線幅を調整できる。
　更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
　銀含有層の幅は、０．５μｍ以上５．０μｍ未満が好ましく、形成される導電性細線が視認されにくい点で、１．４μｍ以下がより好ましい。
　なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは、細線状の幅方向の全長（幅）を意味する。
＜工程Ｃ＞
　工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
　加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層に過熱蒸気を接触させる方法、および、温度調整装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。
　過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
　過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
　過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃が好ましく、１００～１２０℃がより好ましい。
　温度調整装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（より好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（より好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。
＜工程Ｄ＞
　工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。
　ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。
　方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
　タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
　方法１における手順としては、銀含有層と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
　酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
　酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、水が含まれることが多い。
　酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
　酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、５～９が好ましい。
　酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度が好ましい。具体的には２５～４５℃が好ましい。
　なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
　洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
　温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点で、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
　温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点で、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。
　方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
　上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
　方法２における手順としては、銀含有層と上述の酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
　酸化剤液に含まれる溶剤の種類は特に制限されず、水および有機溶剤が挙げられる。
＜工程Ｅ＞
　導電性基材の製造方法は、工程Ｄの後に、銀含有層に対して更に平滑化処理を施す工程Ｅを有してもよい。本工程を実施することにより、ハンドリング耐性（膜強度）により優れる導電性細線が得られる。
　平滑化処理の方法は特に制限されないが、銀含有層を有する基材を、少なくとも一対のカレンダーロール間を加圧下で通過させる処理が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
　カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点で、プラスチックロールが好ましい。
　ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（登録商標）（高圧用）を用いて測定できる。
　平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。
＜工程Ｆ＞
　導電性基材の製造方法は、上記の工程で得られた銀含有層に加熱処理を施す工程Ｆを有してもよい。本工程を実施することにより、ハンドリング耐性（膜強度）により優れる導電性細線が得られる。
　導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた加熱処理方法が挙げられる。
＜工程Ｚ＞
　導電性基材の製造方法は、工程Ａの前に、基材上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｚを有してもよい。本工程を実施することにより、基材とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすとともに、導電性細線と基材との密着性向上に寄与する。
　ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
　ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
　ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、基材表面のハロゲン化銀不含有層が形成された領域の面積あたり、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。
　ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
　層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
　ハロゲン化銀不含有層の厚さは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ未満が好ましい。
　なお、上述した工程Ｚおよび工程Ａは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
　上記の工程により形成される第１導電層の組成および物性等については、既に説明した通りである。
＜第２導電層形成工程＞
　第２導電層形成工程は、形成された第１導電層の表面上に選択的に第２導電層を形成し、第１導電層および第２導電層からなる積層構造を有する導電性細線を基材上に設ける工程である。
　第２導電層形成工程としては、第１導電層の基材とは反対側の表面に選択的に第２導電層を形成できる方法であれば特に制限されないが、めっき法によりめっき金属層を形成することが好ましい。
　より具体的な第２導電層形成工程としては、下記工程Ｇおよび工程Ｈをこの順に実施する工程が挙げられる。
　工程Ｇ：第１導電層を有する基材の第１導電層側の表面の第１導電層に対応する領域に開口部を有するパターン状のレジスト膜（以下、「めっきレジストパターン」ともいう。）を形成する工程。
　工程Ｈ：第１導電層およびめっきレジストパターンを有する基材に対してめっき処理を施し、めっきレジストパターンの開口部の底部において露出している第１導電層の表面に選択的にめっき金属層を形成する工程。
　以下、各工程の手順について詳述する。
＜工程Ｇ＞
　工程Ｇは、第１導電層を有する基材の第１導電層側の表面にめっきレジストパターンを形成する工程である。形成されためっきレジストパターンは、第１導電層の一部または全部に対応する領域に開口部を有し、開口部の底部には第１導電層が露出している。
　上記めっきレジストパターンを形成する方法としては特に制限されず、公知のレジストパターンの形成方法を用いることができる。より具体的には、下記の工程（ａ）～（ｃ）を有する方法が挙げられる。
（ａ）基材の第１導電層側の表面に、レジスト膜を設ける工程。
（ｂ）フォトマスクを介して上記レジスト膜をパターン露光する工程。
（ｃ）パターン露光後のレジスト膜を現像し、めっきレジストパターンを形成する工程。
　なお、上記工程（ａ）と（ｂ）の間、（ｂ）と（ｃ）の間、および／または、（ｃ）の後には、レジスト膜、および／または、めっきレジストパターンを加熱する工程を更に実施してもよい。
　工程（ａ）においてレジスト膜を設ける方法は特に制限されず、基材の第１導電層側の表面にレジスト膜形成用組成物を塗布することにより塗布膜を形成し、必要に応じて、加熱等の塗布膜の硬化処理を行うことにより、レジスト膜を形成してもよい。また、仮基材上に設けられたドライフィルム状のレジスト膜を準備し、基材の第１導電層側の表面にレジスト膜を貼り合わせることにより、基材の表面にレジスト膜を配置させてもよい。
　基材の表面にレジスト膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法および浸漬法等の公知の塗布方法が挙げられる。
　工程（ａ）において設けるレジスト膜は、ネガ型のレジスト膜およびポジ型のレジスト膜のいずれであってもよい。
　ネガ型のレジスト膜を用いる場合、工程（ｂ）では、ネガ型レジスト膜を基材の第１導電層側の表面に設けた後、基材の第１導電層とは反対側の表面から基材を透過する光を照射することにより、第１導電層をセルフアラインマスクパターンとして用いてレジスト膜の露光を行う。これにより、続く工程（ｃ）において、第１導電層の表面に形成されたネガ型レジスト膜の未露光部が除去され、第１導電層に対応する開口部を有するめっきレジストパターンが得られる。即ち、第１導電層が露出し、第１導電層以外の領域がレジスト膜に覆われるような形状のレジストパターンが形成される。
　ポジ型のレジスト膜を用いる場合、工程（ｂ）では、ポジ型レジスト膜を基材の第１導電層側の表面に設けた後、第１導電層と対応する形状の開口部を有するフォトマスクを介して光を照射することにより、ポジ型レジスト膜を露光する。次いで、工程（ｃ）において、第１導電層の表面に形成されたポジ型レジスト膜の露光部が除去され、第１導電層に対応する開口部を有するめっきレジストパターンが得られる。
　細線描画性がより優れる点で、工程（ａ）においてネガ型のレジスト膜を用い、工程（ｂ）において第１導電層をセルフアラインマスクパターンとして用いることにより、めっきレジストパターンを形成することが好ましい。
　工程（ｂ）においてレジスト膜の露光に用いる光源性光線または放射線は特に制限されず、レジスト膜の光波長感度特性、および、基材を通過させる場合は基材の透過性に基づいて適宜選択すればよい。活性光線または放射線としては、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡＲＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）およびＦ２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）等の紫外線が挙げられる。
　工程（ｂ）におけるレジスト膜の露光量は特に制限されず、レジスト膜の光波長感度特性および厚さに基づいて適宜選択される。
　工程（ｃ）において露光後のレジスト膜を現像する方法としては特に制限されず、有機溶剤を含有する現像液またはアルカリ現像液を用いる公知の現像方法が挙げられる。
　現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法およびダイナミックディスペンス法が挙げられる。
　現像後のめっきレジストパターンを、リンス液を用いて洗浄してもよい。リンス液としては特に制限されず、有機溶剤および水等の公知のリンス液が挙げられる。
　工程Ｇにより形成されためっきレジストパターンは、工程Ｈの後、剥離または溶解により除去してもよく、除去せずに上記の透明導電部（永久レジスト）として用いてもよい。透明導電部として用いる場合、めっきレジストパターンを構成する材料が、透明性、ヘイズおよびリタデーションが経時的に変化しにくい材料であることが好ましい。そのような材料としては、例えば、ダウケミカル社製「ＡＴＮ１０２１」（ネガ型アクリル系レジスト）および日本ゼオン株式会社製「ＺＰＮ１１５０」（ネガ型レジスト）等の透明レジスト材料が挙げられる。
＜工程Ｈ＞
　工程Ｈは、第１導電層と、工程Ｇにより形成されためっきレジストパターンとを有する基材に対して、めっき処理を施す工程である。
　工程Ｈにより、基材の表面のめっきレジストパターンが設けられていない開口部、即ち、めっきレジストパターンで覆われておらず、第１導電層が露出している領域のみに、第１導電層をシード層とするめっき金属層が形成され、第１金属層および第２金属層からなる積層構造を有する導電性細線が基材上に形成される。
　工程Ｈにおけるめっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、または、置換めっき）および電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
　めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
　めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、溶剤（例えば水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤がめっき液に含まれることが多い。めっき液には、これらに加えて、公知の添加剤が含まれていてもよい。
　めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
　めっき処理の手順は特に制限されず、上記の基材上の第１導電層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に上記基材を浸漬させる方法、および、めっき液を上記基材の第１導電材およびめっきレジストパターンが配置された表面に塗布する方法が挙げられる。
　第１導電層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点で、２０秒間～３０分間が好ましい。
　第２導電層形成工程として上記工程Ｇおよび工程Ｈをこの順に実施し、めっきレジストパターンの開口部の底部において露出した第１導電層をシード層としてめっき法によりめっき金属層を形成することにより、第１導電層の表面のみに選択的に第２導電層を形成できる。このようにして形成される第２導電層は、延在方向における線幅のばらつきが抑制され、なお且つ、より厚く形成されており、導電性により優れている。
〔導電性基材の用途〕
　上述のようにして得られた導電性基材は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボード等の用途に適用できる。なかでも、本導電性基材は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
　本導電性基材を有するタッチパネルにおいて、上述した導電性細線は、検出電極として有効に機能し得る。本導電性基材をタッチパネルに用いる場合、導電性基材と組み合わせて使用する表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、および、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルが挙げられ、ＯＬＥＤパネルとの組み合わせて用いることが好ましい。
　なお、導電性基材は、導電性細線とは別に、導電性細線とは構成が異なる導電部を更に有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と電気的に接続して、導通していてもよい。導電部としては、例えば、上述した導電性細線に電圧を印加する機能を有する周辺配線、および、導電性基材と積層する部材の位置を調整するアライメントマークが挙げられる。
　本導電性基材の上記以外の用途としては、例えば、パーソナルコンピュータおよびワークステーション等の電子機器から発生する電波およびマイクロ波（極超短波）等の電磁波を遮断し、かつ静電気を防止する電磁波シールドが挙げられる。このような電磁波シールドは、パーソナルコンピュータ本体以外に、映像撮影機器および電子医療機器等の電子機器にも使用できる。
　本導電性基材は、透明発熱体にも使用できる。
　本導電性基材は、取り扱い時および搬送時において、導電性基材と、粘着シートおよび剥離シート等の他の部材とを有する積層体の形態で用いられてもよい。剥離シートは、積層体の搬送時に、導電性基材における傷の発生を防止するための保護シートとして機能する。
　また、導電性基材は、例えば、導電性基材、粘着シートおよび保護層をこの順で有する複合体の形態で取り扱われてもよい。
　本発明は、基本的に以上のように構成される。本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更を行ってもよい。
　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例に制限されない。
　また、特に断らない限り、部、および、％は質量基準を意図する。
〔実施例１〕
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
　温度３８℃、ｐＨ（水素イオン指数）４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．０７μｍの核粒子を形成した。続いて、混合液に、下記４液および５液を８分間にわたって加え、更に、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、粒子を０．０９μｍまで成長させた。更に、ヨウ化カリウム０．１５ｇを混合液に加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。
　１液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７５０ｍＬ
　　　ゼラチン　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．６ｇ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　３ｇ
　　　１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン　２０ｍｇ
　　　ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム　　　　　　１０ｍｇ
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．７ｇ
　２液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｍＬ
　　　硝酸銀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５０ｇ
　３液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００ｍＬ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　３８ｇ
　　　臭化カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　３２ｇ
　　　ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
　　　　（０．００５％ＫＣｌ　２０％水溶液）　　　　５ｍＬ
　　　ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
　　　　　（０．００１％ＮａＣｌ　２０％水溶液）　　７ｍＬ
　４液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｍＬ
　　　硝酸銀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０ｇ
　５液：
　　　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｍＬ
　　　塩化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１３ｇ
　　　臭化カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　　１１ｇ
　　　黄血塩　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５ｍｇ
　その後、常法に従ってフロキュレーション法によって粒子を水洗した。具体的には、上述の混合液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀の粒子が沈降するまで混合液のｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、混合液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。更に、上澄み液を除去した混合液に、３リットルの蒸留水を加えた後、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、混合液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作を更に１回繰り返して（第３水洗）、水洗および脱塩工程を終了した。
　水洗および脱塩後の乳剤のｐＨを６．４に、ｐＡｇを７．５にそれぞれ調整した後、ゼラチン２．５g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇおよび塩化金酸１０ｍｇを乳剤に、加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを乳剤に更に加えた。
　最終的に得られた乳剤は、ヨウ化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率が塩化銀７０モル％および臭化銀３０モル％であり、平均粒子径が０．１０μｍであり、変動係数が９％である、ヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。
（感光性層形成用組成物の調製）
　上述の乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０－４モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０－２モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０－４モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
　上述の組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
　さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ　ＲＥＳＩＮ　ＤＹ　０２２（商品名：ナガセケムテックス株式会社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ２となるように調整した。
　以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
　なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。
（下塗り層の形成）
　厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」）に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚さ０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。
（工程Ｚ１、工程Ａ１）
　次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層とを形成した。
　なお、ハロゲン化銀不含有層の厚さは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ２であった。
　また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚さは２．０μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１５ｇ／ｍ２であった。
（工程Ｂ１）
　作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を照射することにより、上述の感光性層を露光した。フォトマスクとしては、パターン形成用のマスクを用いた。フォトマスクの形状および露光条件は、後述の工程Ｅ１後の第１導電層により、一辺の長さＬが４００μｍの開口部を有する単位正方格子が形成され、かつ、第１導電層の線幅Ｗ１が２．０μｍとなるように、設定した。
　露光された感光性層に対して後述する現像液を適用し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム株式会社製）を用いて処理することにより、現像処理を行った。その後、２５℃の純水でリンスし、乾燥して、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有細線を有するサンプルＡを得た。サンプルＡにおいては、１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。
　なお、銀含有細線の線幅は、株式会社キーエンス製のマイクロスコープ「ＶＨＸ－５０００」を使用して測定した。
（現像液の組成）
　現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
　　　　ハイドロキノン　　　　　　　　　　０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
　　　　Ｎ－メチルアミノフェノール　　　　０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
　　　　メタホウ酸ナトリウム　　　　　　　０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
　　　　水酸化ナトリウム　　　　　　　　　０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
　　　　臭化ナトリウム　　　　　　　　　　０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
　　　　メタ重亜硫酸カリウム　　　　　　　０．１８７ｍｏｌ／Ｌ
　上述のサンプルＡを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
（工程Ｃ１）
　工程Ｂ１で処理されたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。
（工程Ｄ１）
　工程Ｃ１で処理されたサンプルＡを、次亜塩素酸含有水溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡを水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
　上記の次亜塩素酸含有水溶液としては、花王株式会社製漂白剤（商品名「ハイター」）を２倍に希釈して調製した希釈液を使用した。
（工程Ｅ１）
　工程Ｅ１で得られたサンプルＡに対して、金属ローラと樹脂製のローラとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
　以上のようにして、第１導電層で構成されたメッシュパターンを基材上に有する導電性基材を製造した。形成された第１導電層の線幅Ｗ１および厚さＴ１を、後述する表１に示す。
（工程Ｇ１）
　工程Ｅ１で得られた導電性基材の、メッシュパターンが形成された側の表面のほぼ全面に、液体ネガレジスト材「ＺＰＮ１１５０」（日本ゼオン株式会社製）を塗布し、フォトレジストを形成した。
　続いて、紫外線露光装置を用いて、波長４３６ｎｍのｇ線を基材のメッシュパターン側とは反対側の表面から上記フォトレジストに照射することにより、メッシュパターンをセルフアラインのマスクパターンとするフォトレジストの露光を行った。露光処理では、３２０ｍＪの紫外線照射量で露光し、その後、９０℃で１分間のＰＥＢ（露光後ベーク）を行った。ＰＥＢの後、露光されたフォトレジストに対して、現像液（東京応化工業株式会社製「ＮＭＤ－３」）を用いて１分間の現像処理を行い、未露光のフォトレジストを除去した後、水洗することにより、めっきレジストパターンを形成し、基材と、メッシュパターンと、めっきレジストパターンとを有するサンプルＢを得た。
　めっきレジストパターンの開口部の形状は、第１導電層からなるメッシュパターンとほぼ同じ形状であった。また、形成されためっきレジストパターンの開口部の開口幅は、メッシュパターンを構成する第１導電層の線幅Ｗ１とほぼ同じであった。
（工程Ｈ１）
　工程Ｇ１で得られたサンプルＢを、後述するめっき液Ａ（３０℃）に浸漬した。その後、サンプルＢをめっき液Ａから取り出し、次いで、サンプルＢを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して洗浄することにより、第１導電層上にめっき金属層を形成した。なお、工程Ｈ１において、めっき金属層の厚さＴ２が２．０μｍになるように、サンプルＢをめっき液Ａに浸漬させる時間を調整した。
　使用しためっき液Ａ（全量１２００ｍＬ）の組成を、以下に示す。めっき液ＡのｐＨが９．５になるように、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製）の添加量を調整した。また、めっき液Ａの以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
（めっき液Ａの組成）
・ＡｇＮＯ３　　　　　　　　　　　　８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物　　　　６６ｇ
・ヨウ化カリウム　　　　　　　　　　０．００４ｇ
・クエン酸　　　　　　　　　　　　　１２ｇ
・メチルヒドロキノン　　　　　　　　３．６７ｇ
・炭酸カリウム　　　　　　　　　　　所定量
・水　　　　　　　　　　　　　　　　残部
　以上の工程により、基材と、基材上に配置された第１導電層およびめっき金属層からなる積層構造を有する導電性細線と、基材上の導電性細線が配置されていない領域に形成されためっきレジストパターンと、を有する実施例１の導電性基材を製造した。
　製造された導電性基材において、第１導電層と、第１導電層上のめっき金属層とは金属密度およびバインダー成分の含有量が異なっているため、後述する測定方法にて各層を識別することが可能であった。また、後述する方法により、各層のバインダー成分に対する金属の体積比（体積比Ａ）を定量した。
〔実施例２～４、比較例１～２〕
　第１導電層における体積比Ａが後述する表１に記載の数値になるように、上述の（感光性層形成用組成物の調製）において調製される感光性層形成用組成物に含まれる高分子１の含有量を変更すること以外は、実施例１に記載の方法に従って、実施例２～４および比較例１～２の導電性基材を製造した。なお工程Ｈで、めっき液Ａに浸漬させる時間は、実施例１と同じ時間で行った。
〔実施例５〕
　工程Ｄ１において、工程Ｃ１で処理されたサンプルＡを次亜塩素酸含有水溶液（２５℃）に浸漬する浸漬時間を１５秒間（実施例１の１／２）に変更してゼラチン除去量を調製したこと以外は、実施例１に記載の方法に従って実施例５の導電性基材を製造した。
なお工程Ｈで、めっき液Ａに浸漬させる時間は、実施例１と同じ時間で行った。
実施例５では、めっき金属層を形成する前の第１導電層の線幅Ｗ１は実施例１と同じであったが、めっき金属層を形成した後の導電性細線の線幅Ｗａは実施例１とは異なり、２．５μｍであった。
〔実施例６、比較例４〕
　工程Ｂにおいて、第１導電層の線幅Ｗ１が後述する表１に示す数値となるように、使用するフォトマスクを変更したこと以外は、実施例１に記載の方法に従って実施例６の導電性基材を製造した。なお工程Ｈで、めっき液Ａに浸漬させる時間は、実施例１と同じ時間で行った。
　実施例６の導電性基材では、第１導電層の線幅Ｗ１は３．０μｍであり、導電性細線の線幅Ｗａは３．１μｍであった。比較例４の導電性基材では、第１導電層の線幅Ｗ１は３．３μｍであり、導電性細線の線幅Ｗａは３．４μｍであった。
〔比較例３〕
　工程Ｄ１を実施しなかったこと以外は、実施例１に記載の方法に従って比較例３の導電性基材を製造した。なお工程Ｈで、めっき液Ａに浸漬させる時間は、実施例１と同じ時間で行った。
比較例３の導電性基材では、第１導電層の線幅Ｗ１は実施例１と同じ２．０μｍであった一方、導電性細線の線幅Ｗａは３．３μｍであった。
〔比較例５～６〕
　特許文献１の実施例１に記載の方法に従って、導電性基材を製造した。但し、基材としては、上記実施例１で使用した厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。なお工程Ｈで、めっき液Ａに浸漬させる時間は、実施例１と同じ時間で行った。
また、めっき膜が不要な部分に形成する配線パターン形成用フォトレジスト層の形状が、上記実施例１の工程Ｇ１で形成されるめっきレジストパターンと近い形状となるように、フォトマスクの形状、露光条件および現像条件等を調整した。更に、比較例５および６において、それぞれ、電解銅めっきにより形成されるめっき膜の厚さが３μｍおよび６μｍになるように、電解銅めっきの各条件を変更した。
〔導電性基材の測定〕
（導電性細線の含有成分）
　各導電性基材が有する導電性細線に含まれる成分を、以下の方法で測定した。
　各例で製造された導電性基材を、ウルトラミクロトームを用いて、導電性細線が延びる方向に対して垂直な面に沿って切削し、導電性細線の幅方向および積層方向（厚さ方向）を含む切断面を露出させた。次いで、前処理として、露出した切断面に１０～２０ｎｍの厚さのカーボンを蒸着して、断面観察用の試験片を作製した。
　得られた試験片の切断面を、株式会社日立ハイテクノロジーズ製の走査型電子顕微鏡を用いて観察した。観察条件は、加速電圧５ｋＶ、反射電子モード、観察倍率３万倍であった。切断面の観察により得られる断面画像に基づいて、導電性細線を構成する第１導電層およびめっき金属層に含まれる成分の種類を特定した。具体的には、断面画像における高輝度部分は、金属を表す反射電子像として特定し、断面画像における低輝度部分は、樹脂成分を表す反射電子像として特定した。
　断面画像における高輝度部分および低輝度部分の分布から、下記基準に基づいて、各導電性基材が有する導電性細線を判定した。
「Ａ」：導電性細線中の高輝度部分を含む領域のうち、基材に最も近い側に、高輝度部分および低輝度部分の両者を含む層ａが存在し、かつ、その層ａにおいて高輝度部分が占める合計面積の面積比が、層ａよりも基材から離れた層ｂにおいて高輝度部分が占める合計面積の面積比よりも低い。
「Ｂ」：導電性細線中の高輝度部分を含む領域のうち、基材に最も近い側に、高輝度部分および低輝度部分の両者を含む層ａが存在しない。
「Ｃ」：導電性細線中の高輝度部分を含む領域のうち、基材に最も近い側に、高輝度部分および低輝度部分の両者を含む層ａが存在するが、高輝度部分が占める合計面積の面積比が、層ａにおける高輝度部分が占める合計面積の面積比と等しいか、または、より低い層ｃが、層ａよりも基材から離れた領域に存在する。
　なお、上記「高輝度部分が占める合計面積の面積比」とは、例えば層ａの場合、断面画像における層ａの全面積に対する、層ａにおける高輝度部分の面積の合計の比率を意味する。
　上記判定の結果、「Ａ」と判定された導電性細線は、導電性細線に含まれる複数の導電層のうち最も基材側に配置された第１導電層の金属密度が、第１導電層以外の第２導電層の金属密度よりも低いとの要件を満たし、なお且つ、第１導電層が金属およびバインダー成分を含むとの要件を満たす。
　各例で製造された導電性基材に対する上記判定の結果を、後述する表１の「第１導電層」の「成分判定」欄に記載する。
（線幅および厚さ）
　上記（導電性細線の含有成分）に記載の方法に従い、導電性細線の幅方向および厚さ方向を含む切断面を観察した。得られた観察画像から、導電性細線、第１導電層およびめっき金属層のそれぞれの線幅および厚さを測定した。この測定において、観察画像から得られる高輝度部分および低輝度部分の分布に基づいて、第１導電層とめっき金属層とを識別した。各層の線幅の測定について、１つの観察画像において、厚さ方向の位置によって各層の線幅が異なる場合、各層の線幅の最大値をその観察画像における線幅の代表値とした。
　各層の厚さの測定について、導電性細線を例に説明すると、上記観察画像において、導電性細線に含まれる高輝度部分が存在する領域を挟む、基材の表面に平行な２つの平面を設定し、この２つの平面間の距離を、導電性細線の厚さＴａとした。これら２つの平面は、それぞれが導電性細線の厚さ方向において最も離れている２つの高輝度部分と接しており、導電性細線に含まれるすべての高輝度部分が２つの平面によって挟まれる領域内に存在するように、設定された。第１導電層の厚さＴ１およびめっき金属層の厚さＴ２も、厚さＴａの測定方法に準じて測定した。
　上記の方法に従って、各導電性基材の１０箇所の異なる切断面において、各層の線幅および厚さを測定し、得られた１０点の測定値を算術平均することにより、導電性細線の線幅Ｗａおよび厚さＴａ、第１導電層の線幅Ｗ１および厚さＴ１、並びに、めっき金属層の線幅Ｗ２および厚さＴ２を、それぞれ算出した。
（第１導電層の体積比Ａの測定）
　各導電性基材が有する導電性細線について、第１導電層におけるバインダー成分に対する金属の体積比Ａを、上記の蛍光Ｘ線測定法による測定とＴＯＦ－ＳＩＭＳ法による測定とを組み合わせる方法に従って測定した。
　まず、各導電性基材が有する導電性細線に対して、蛍光Ｘ線測定装置（株式会社リガク製）を用いて、導電性基材の主面の面積当たりの導電性細線に含まれる金属の重量含有量（ｇ／ｍ２）を測定した。また、Ｂｉイオン銃（Ｂｉ３ ＋＋）を備える飛行時間型２次イオン質量分析装置（ＩＯＮ－ＴＯＦ社製）を用いて、上記の方法に従って得られる導電性細線の切断面における金属含有量の組成分布を求め、その結果に基づいて、上記の方法に従って、導電性基材の主面の面積当たりの第１導電層に含まれる金属の体積含有量α（ｃｍ３／ｍ２）を算出した。
　次いで、各導電性基材における導電性細線により形成されるメッシュパターンの形状およびサイズ、並びに、上記の測定方法で測定された第１導電層の線幅Ｗ１に基づいて、導電性基材の主面に対する第１導電層が存在する領域の面積比を求めた。得られた面積比に、上記の測定方法で測定された第１導電層の厚さＴ１を乗じることにより、導電性基材の主面の面積当たりの第１導電層の体積を求めた後、上記で得られた体積含有量αを差し引くことにより、導電性基材の主面の面積当たりの第１導電層に含まれるバインダー成分の体積含有量β（ｃｍ３／ｍ２）を求めた。
　上記のバインダー成分の体積含有量βに対する上記の金属の体積含有量αの比率（体積含有量α／体積含有量β）を算出することにより、上記体積比Ａを求めた。
　なお、比較例５および６の導電性基材では、上記の導電性細線の含有成分の測定により金属以外の成分が測定されなかったため、体積比Ａを算出できなかった。
〔評価〕
　以下、各導電性基材の導電性、折り曲げ耐性、および、モアレの評価方法を説明する。
（導電性）
　各例で製造された導電性基材の導電性細線が配置されている表面の任意の１０箇所において、抵抗率計（三菱アナリテック社製のロレスター：直列４探針プローブ（ＡＳＰ）使用）を用いて抵抗値を測定した。得られた測定値を算術平均して得られる平均値を、各導電性基材の表面抵抗率とした。得られた表面抵抗率から、以下の評価基準に従って、各導電性基材の導電性を評価した。
「Ａ」：表面抵抗率が１０Ω／□未満の場合。
「Ｂ」：表面抵抗率が１０Ω／□以上５０Ω／□未満の場合。
「Ｃ」：表面抵抗率が５０Ω／□以上の場合。
（折り曲げ耐性）
　各例で製造された導電性基材について、以下の手順に従って折り曲げ耐性を評価した。
　（１）折り曲げ試験：導電性基材を縦１０ｃｍ、横５ｃｍのサイズに切り出して試験片を作製した。作製した試験片に対して、ローラーを用いて、φ２ｍｍのピアノ線に添わせる形で折り曲げ、その後、平面状に戻すまでを１回の処理として、この処理を２０回行った。上記処理の際、導電性細線が配置された側の表面を外側にして、試験片を折り曲げた。
　（２）高温高湿環境下での導電性細線の断線評価：（１）折り曲げ試験を実施した試験片を、温度８５℃、相対湿度８５％の環境下にて３日間保管した。保管後の試験片について、任意に選択した２０本の導電性細線において、断線の発生の有無を測定により確認した。なお、断線の発生については、導電性細線の抵抗値をデジタルマルチメーター３４４１０Ａ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いて測定し、測定された抵抗値が１ＭΩ以上であった場合、その導電性細線は断線したと評価した。
　後述する表１の「折り曲げ耐性」欄に、上記評価試験において断線していない導電性細線の数を記載する。
（モアレ）
　各例で製造された導電性基材を、表示パネル上に貼り付けて表示装置を製造した。得られた表示装置を回転盤に設置し、表示装置を駆動して白色を表示させた。その状態で、回転盤をバイアス角－２０°～＋２０°の間で回転し、表示された画像を目視で観察することにより、表示画像におけるモアレの発生を評価した。
　モアレの評価において、表示装置の表示画面から０．５ｍの距離から観察した際、モアレが顕在化しなかった場合を評価「ａ」、モアレが問題のないレベルでほんの少し観察された場合を評価「ｂ」、モアレが明確に顕在化した場合を評価「ｃ」とした。
　次に、回転盤を上記範囲で回転させた際の上記基準に基づくモアレの評価から、下記評価基準に従って、モアレの総合評価を行った。
　レベル１：評価「ａ」となる角度が存在せず、評価「ｃ」となる角度の範囲が３０°以上である場合。
　レベル２：評価「ａ」となる角度が存在せず、評価「ｃ」となる角度の範囲が１０°超３０°未満である場合。
　レベル３：評価「ａ」となる角度が存在せず、評価「ｃ」となる角度の範囲が１０°以下である場合。
　レベル４：評価「ａ」となる角度が存在せず、評価「ｂ」となる角度の範囲が３０°以上であるの場合。
の場合。
　レベル５：評価「ａ」となる角度の範囲が１０°以上２０°未満の場合。
　レベル６：評価「ａ」となる角度の範囲が２０°以上３０°未満の場合。
　レベル７：評価「ａ」となる角度の範囲が３０°以上の場合。
　後述する表１に、各導電性基材のモアレの評価結果を示す。表１の「モアレ」欄において、「Ｎ」は、上記総合評価がレベル１または２であったことを示し、「Ｂ」は、上記総合評価がレベル３であったことを示し、「Ａ」は、上記総合評価がレベル４～７のいずれかであったことを示す。
　下記表１に、各例で製造された導電性基材の測定結果および評価結果をまとめて示す。
　表中、「Ｔａ／Ｗａ」欄は、導電性細線の線幅Ｗａ（μｍ）に対する導電性細線の厚さＴａ（μｍ）の比率を示す。
　表中、「Ｗａ／Ｗ１」欄は、第１導電層の線幅Ｗ１（μｍ）に対する導電性細線の線幅Ｗａ（μｍ）の比率を示す。
　上記表に示すように、実施例１～６はいずれも、本発明の効果が優れていることが確認された。それに対して、体積比Ａが３．５超である比較例１、５および６は折り曲げ耐性が劣っており、体積比Ａが０．２未満である比較例２は導電性が劣っていた。また、導電性細線の線幅の積層方向における最大値が、前記第１導電層の線幅の１．２５倍を超える比較例３、および、第１導電層の線幅Ｗ１が３μｍ超である比較例４は、モアレの抑制性能が劣っていた。
　第１導電層の体積比Ａが１．０～３．５である場合、導電性がより優れることが確認された（実施例１～３と実施例４との対比）。
　導電性細線の線幅Ｗａが２．１μｍ以下である場合、モアレを抑制する効果がより優れることが確認された（実施例１～４と実施例５～６との対比）。
１０　導電性基材
１２　基材
１４　非細線領域
２０　導電性細線
２２　第１導電層
２４　第２導電層
３０　透明絶縁部
３２　非細線部

Claims (9)

  1. 　基材と、前記基材上に配置されている導電性細線とを有する、導電性基材であって、
    　前記導電性細線は、複数の導電層で構成される積層構造を有し、
    　前記複数の導電層のうち、最も基材側に配置されている第１導電層の金属密度が、前記第１導電層以外の他の導電層の金属密度よりも低く、
    　前記第１導電層が、金属およびバインダー成分を含み、
    　前記第１導電層における前記バインダー成分に対する前記金属の体積比が０．２～３．５であり、
    　前記第１導電層の線幅の平均値が３．０μｍ以下であり、
    　前記導電性細線の線幅の平均値が、前記第１導電層の線幅の平均値の１．２５倍以下である、導電性基材。
  2. 　前記導電性細線の線幅の平均値に対する前記導電性細線の厚さの比率が、０．５以上である、請求項１に記載の導電性基材。
  3. 　前記第１導電層の厚さが、０．１～２．０μｍである、請求項１に記載の導電性基材。
  4. 　前記第１導電層の厚さに対する前記導電性細線の厚さの比率が、２．０以上である、請求項１に記載の導電性基材。
  5. 　前記導電性細線の線幅の平均値に対する前記導電性細線の厚さの比率が、０．５以上であり、
    　前記第１導電層の厚さが、０．１～２．０μｍであり、かつ、
    　前記第１導電層の厚さに対する前記導電性細線の厚さの比率が、２．０以上である、請求項１に記載の導電性基材。
  6. 　前記導電性細線に含まれる前記第１導電層以外の他の導電層が、銀および銅の少なくとも一方を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基材。
  7. 　前記第１導電層が銀を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基材。
  8. 　前記基材の前記導電性細線が配置されている側の表面上の前記導電性細線が配置されていない領域に透明絶縁部を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基材。
  9. 　前記導電性細線に含まれる前記第１導電層以外の他の導電層が、銀および銅の少なくとも一方を含み、
    　前記第１導電層が銀を含み、かつ、
    　前記基材の前記導電性細線が配置されている側の表面上の前記導電性細線が配置されていない領域に透明絶縁部を有する、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基材。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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