TWI432115B - 包含導電圖案之觸控面板及其製備方法 - Google Patents

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Sang-Ki Chun
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Description

包含導電圖案之觸控面板及其製備方法
本發明係關於一種觸控面板及其製備方法，尤指一種包含導電圖案之觸控面板及其製備方法。更詳細而言，本發明係關於一種觸控面板，其中，藉由使用該導電圖案，係改善由導電圖案組成之觸控面板之隱蔽性質。本案主張2010年10月19日向KIPO申請之韓國專利申請案號10-2010-0102109之優先權及其權益，並且其內容完全併入本發明中，以供參酌。
通常，靜電電容式觸控面板係使用ITO系導電膜，但ITO系導電膜之缺點在於：當使用ITO於大面積之觸控面板時，ITO之RC延遲產生的速度很低，導致ITO不適用於大面積。此外，若使用包含有ITO的膜製備一觸控螢幕，由於ITO膜之彎曲會造成裂縫，使該觸控螢幕不容易處理。在該缺點中，具體而言，為了克服RC延遲之放大問題，製作出一額外的補償晶片(compensation chip)，但此方法有成本增加的問題。為了克服此問題，許多公司發展了以金屬圖案取代ITO導電膜之技術。然而，這項技術的缺點為：當使用一般的單一金屬，由於該金屬之高反射性，就可見性而言，之於人類眼睛係無法形成良好的圖案；且由於高反射率和霧值，因此可能會對於外部光線發生眩光。
本發明係針對觸控面板改善其導電圖案之可見性及對外部光線之反射性；其中該觸控面板係包括配置於一有效圖案部分之導電圖案，且係不同於已知使用ITO系導電膜之觸控面板。
本發明之一實施例係提供一種結構體，包括：一基板；一導電層，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收層，其配置於該導電層之至少一表面。
本發明另一實施例係提供一種觸控面板，包括：一結構體係包括一基板；一導電圖案，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收圖案，其配置於該導電圖案之至少一表面，且配置於至少一對應於該導電圖案區域之部分。
本發明再一實施例係提供一種顯示裝置，包括：該觸控面板；以及一顯示模組。
本發明又一實施例係提供一種結構體，包括：一透明基板；一導電層係配置於該透明基板之至少一表面，且包括金屬、一金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物之至少一種；以及一光吸收層係配置於該導電層之至少一表面；其中，該光吸收層係配置於該導電層與該透明基板之間，且於該透明基板之一面測量一總反射率係為15%或以下。
本發明還有一實施例係提供　一種觸控面板，包括：一結構體係包括：一透明基板；一導電圖案係配置於該透明基板之至少一表面，且包括至少一種係選自由：一種或以上之金屬係選自由鋁、銀、銅、釹及鎳所組成之金屬群組；一合金，係選自該金屬群組之兩種或以上之金屬；氧化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；氮化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；及氮氧化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；以及一光吸收圖案係配置於該導電圖案之至少一表面，且配置於至少一對應於該導電圖案區域之部分。
根據本發明之實施例，包括配置於一有效圖案部分之導電圖案之觸控面板，藉由在使用者觀察的面形成一光吸收圖案，可以在沒有影響該導電圖案之導電性下，防止該導電圖案之反射；也可以經由增加光吸收性，進而改善該導電圖案之隱蔽性質。此外，藉由形成上述該光吸收層，更可改善該導電圖案之對比性。
本發明之實施例中，結構體係包括：一基板；一導電層，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收層，其配置於該導電層之至少一表面。
在本發明之實施例中，該光吸收層係指一具有光吸收性之層，且除了該吸收層外，也可以用一黑層(black layer)或一深色層之名詞表示。
根據本發明之實施例，在結構體中，由該光吸收層與該導電層相接之表面之相對表面之方向所測量之一總反射率可為15%或以下、10%或以下、5%或以下、及3%或以下。
在本發明之實施例中，該總反射率係指將待測量表面之相對表面經由一黑層(全黑)處理後，以550 nm之光線從待測量表面以90°角入射之反射率。
根據本發明之實施例，在結構體中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板之間，且於該基板之一面所測量之總反射率可為15%或以下、10%或以下、5%或以下、及3%或以下。
根據本發明之實施例，在結構體中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板相接表面之相對表面，且於該光吸收層之一面測量之總反射率係為15%或以下、10%或以下、5%或以下、及3%或以下。
根據本發明之實施例，在結構體中，該總反射率係光線於一待測表面以90°角入射時，測量該光吸收層所得之值，其結果如圖16至圖18所示。
如圖16至圖18所示，若550 nm之光線之總反射率係為15%或以下，較佳為10%或以下，更佳為5%或以下，再更佳為3%或以下，可使該光吸收層充分發揮其功用。
根據本發明之實施例，該結構體之一20°光澤度可為350或以下及300或以下。根據本發明之一實施例，該結構體之一60°光澤度可為300或以下及250或以下。
根據本發明之實施例，在圖16中，該20°光澤度為76且該60°光澤度為112。根據本發明之實施例，在圖17中，該20°光澤度為237且該60°光澤度為197。根據本發明之實施例，在圖18中，該20°光澤度為10且該60°光澤度為64。
根據本發明之實施例，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值可為1至40。具體而言，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之顏色範圍之L值可為30至40、25至30、16至25、5至16及1至5。
根據本發明之實施例，在圖16中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之光吸收層之顏色範圍之L值為25至30；且根據本發明之實施例，在圖18中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之光吸收層之顏色範圍之L值為5至12。
根據本發明之實施例，該結構體係指一結構，其中該基板、該導電層、及該光吸收層係為個別的層而經壓合成一結構；亦可指透過一沉積過程(如濺鍍)，相繼配置該導電層及該光吸收層所形成之一多層結構。根據本發明之實施例，該結構體也可以一層板(laminate)及一多層結構體之名詞表示。
根據本發明之實施例，一種觸控面板包括：一結構體係包括一基板；一導電圖案，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收圖案，其配置於該導電圖案之至少一表面，且配置於對應於該導電圖案區域之至少一部分。
在本發明之實施例中，觸控面板之導電圖案係配置於一有效圖案部分，而由於發現了導電圖案之可見性係主要被導電圖案之光反射影響，因此致力於改善此問題。詳細而言，在已知的ITO系觸控面板中，由於ITO之高穿透性，導電圖案之反射問題並不明顯，而在包括導電圖案之觸控面板(其中，該導電圖案係配置於一有效圖案部分中)中，導電圖案之反射性及光吸收性皆很重要。
因此，在本發明之實施例中，係在觸控面板中形成該光吸收圖案，以藉由降低該導電圖案之反射性而改善隱蔽性質。對於導電圖案之高反射性，在本發明之實施例之觸控面板中，藉由在使用者觀察的一面形成光吸收圖案，以改善隱蔽性質；若有需要，兩面皆可形成光吸收圖案。詳細而言，由於光吸收圖案具有光吸收性，因此藉由降低入射於導電圖案且被導電圖案反射之光線量，可減少該導電圖案之反射率。較佳地，與該導電圖案相比，該光吸收圖案具有較低的反射性。因此，與使用者直接觀察該導電圖案之情形相比，光線的反射性降低，以致於該導電圖案之可見性大幅下降。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，該顯示模組係組設於該導電圖案之兩面之間，且該光吸收圖案可配置於面對該顯示模組與該導電圖案組設面之相對表面。該光吸收圖案可配置於該導電圖案之兩面。
較佳地，全表面層(entire surface layer)之總反射率為低，其中該全表面層係由一材料組成之光吸收圖案與一材料組成之導電圖案所形成，且該總反射率可為15%或以下、10%或以下、5%或以下、及3%或以下。根據本發明之實施例，具有高的總反射性之光吸收圖案之材料(如Ag、Au或Al)可能不適合用於此。較佳係使用總反射率低之材料，但就選擇材料之觀點而言，包含該材料之全表面層之總反射率係0.1%或以上，可使用之。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，可經由以下方程式1計算該結構體之總反射率(Rt)。
[方程式　1]
總反射率(Rt)=觸控強化玻璃之反射率(其中該表面係一薄膜，即薄膜之反射率)+閉合率(closure ratio)×光吸收圖案之反射率
若兩種結構體配置組成該觸控面板，可經由以下方程式2計算該結構體之總反射率(Rt)。
[方程式　2]
總反射率(Rt)=觸控強化玻璃之反射率(其中該表面係一薄膜，即薄膜之反射率)+閉合率×光吸收圖案之反射率×2
因此，具有光吸收圖案與不具有光吸收圖案之差異，係取決於光吸收圖案之反射性，就此觀點而言，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)可減少10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、及50至70%。藉此，在方程式1和2中，若閉合率由1變化至10%，且反射率由1變化至30%，可呈現70%之最大值之反射率降低效果(reflectance decrease effect)；及可呈現10%之最小值之反射率降低效果。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接，及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，該結構體之總反射率(Rt)與該結構體之總反射率(R0)之差距可為40%或以下、30%或以下、20%或以下、及10%或以下。
根據本發明之實施例，該觸控面板更包括一附加基板，其係配置於該結構體之一面，且當於該附加基板之一面，測量配置於該結構體之該附加基板之一總反射率，該結構體之總反射率與該附加基板之總反射率之差距可為90%或以下、70%或以下、30%或以下、及10%或以下。
於此，該總反射率係指一觸控感測器之反射率，該觸控感測器包括該光吸收圖案。
在本說明書中，當入射光線係100%，在光線入射至一目標層或一層板再反射出之情況下，該總反射率係較佳以550 nm波長之值為基準，於反射之光線間測量；其係由於一般在550 nm波長之總反射率與全總反射率(entire total reflectance)並沒有很大的差距。舉例而言，藉由使用一方法(如一濺鍍方法、一CVD(化學沉積法)、一熱蒸鍍方法、及一電子束沉積方法)沉積一材料以在基板上組成該光吸收圖案，形成全表面光吸收層之後，可測量自一空氣面入射之可見光之反射率(550 nm)。藉此，在基板之背面，即在未形成光吸收層之表面，可執行全表面之黑化處理以移除基板背面之反射率。作為基板，可使用一透明基板，但該基板並無特別限制，可使用例如玻璃、塑膠板、及塑膠膜。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，該結構體之20°光澤度可為350或以下、及300或以下。根據本發明之實施例，該結構體之60°光澤度可為300或以下、及250或以下。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，以CIE顏色座標為基準，該結構體之顏色範圍之L值可為1至40。更具體而言，以CIE顏色座標為基準，該結構體之顏色範圍之L值可為30至40、25至30、16至25、5至16及1至5。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，該結構體之霧值可為5%或以下、3%或以下、及1.5%或以下。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，該光吸收圖案可配置於該導電圖案與該基板之間；且該光吸收圖案可配置於該導電圖案與該基板相接之一面之相對表面。該光吸收圖案可配置於該導電圖案與該基板之間，以及配置於該導電圖案與該基板相接之一面之相對表面。
由材料組成之光吸收圖案所形成之全表面層，其光吸收性並無特別限制，但可為5%或以上、15%或以上、及20%或以上。
由材料組成之光吸收圖案所形成之全表面層，其光穿透性並無特別限制。
可藉由使用一方法如一濺鍍方法、一CVD(化學沉積法)、一熱蒸鍍方法、及一電子束沉積方法形成一光吸收層，再將該光吸收層圖案化以形成光吸收圖案。尤其是，當使用濺鍍方法時，可形成一具有優良彈性之光吸收圖案。在熱蒸鍍方法及電子束沉積方法中，雖粒子係為簡單堆疊，但由於濺鍍方法係經由碰撞，使粒子成核甚至核成長且為彎曲的，因此可具有優良的機械性質。當使用濺鍍方法時，可使光吸收圖案與另一層之間的介面附著能力為優良的。藉由使用上述沉積方法，可不需使用一黏結層(adhesive layer)或一附著層(attachment layer)，而直接於一基板或一導電圖案上形成一光吸收圖案，且其可具有所需之厚度及圖案形狀。
根據本發明之實施例，一觸控面板可更包括一層板，其係包括：一基板；一導電圖案，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收圖案，其配置於該導電圖案之至少一表面，及配置於對應於該導電圖案之至少一區域。
於此，可在兩層板間配置一絕緣層。該兩層板可以相反方向或相同方向設置。在該基板之兩表面，可配置該導電圖案及該光吸收圖案。
根據本發明之實施例，如圖1至圖3所示，其係為包含於觸控面板之層板結構圖。圖1至圖3之層板結構依序表示基板、導電圖案、及光吸收圖案之不同堆疊順序之例子；且實際上，該光吸收圖案及導電圖案係具有一圖案形狀，而不是全表面層。
參照圖1，光吸收圖案係設置於基板和導電圖案之間。當一使用者從基板之一邊觀察該觸控面板，可大幅降低該導電圖案之總反射率。參照圖2，其係當光吸收圖案設置於該導電圖案與該光吸收層相接之一面之相反表面的例子。當一使用者從基板之一邊之相反表面觀察該觸控面板，可大幅降低該導電圖案之總反射率。參照圖3，其中光吸收圖案係設置於基板和導電圖案之間，且光吸收圖案係設置於該導電圖案與該基板相接之一面之相反表面。當一使用者從基板之一邊觀察該觸控面板，及一使用者從基板之一邊之相反表面觀察該觸控面板，兩種狀況皆可大幅降低該導電圖案之總反射率。
圖4係從光吸收圖案入射之光線路徑圖。從光吸收圖案入射之部分光線，可在空氣層和光吸收圖案之介面反射；部分光線可被光吸收圖案吸收；部分光線可在光吸收圖案和基板之介面反射；及部分光線可穿透該光吸收圖案。
在本發明之實施例中，該光吸收圖案和該導電圖案可同時或分別被圖案化，但用於形成各圖案之層則係分別形成。藉由形成上述圖案，光吸收圖案之效果將完全地最大化，可成為一適用於靜電電容式觸控面板之良好導電圖案。在靜電電容式觸控面板中，若沒有良好之導電圖案，就無法得到觸控面板所需的物理性質(如抗性)。
在本發明之實施例中，由於光吸收圖案及導電圖案係由分別的圖案層形成層板結構，該結構係不同於：至少一部分光吸收材料係嵌入或散佈於一導電圖案中之結構，或部分表面係物理性地或化學性地變形之結構，其中該結構係經由導電層或單一層之表面處理。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，光吸收圖案係直接配置於基板或導電圖案上，其中不需設置一黏結層或一附著層。一黏結層或一附著層可能會影響耐久性(durability)或光學特性(optical properties)。本發明之實施例中，製備包括層板結構之觸控面板之方法，其係完全不同於使用一黏結層或一附著層之情況。此外，與使用黏結層或附著層之情況相比，在本發明之實施例中，基板或導電圖案與光吸收圖案之間的介面係具有優良的介面性質。
再本發明之實施例中，只要光吸收圖案具有上述總反射性，光吸收圖案之厚度並無特別限制。然而，在製造過程中，以導電圖案之蝕刻性質為考量，導電圖案較佳具有10 nm至400 nm之厚度，但此較佳厚度可以依據不同的使用材料或製程而有所不同，本發明之範圍並無限制於上述數值範圍內。
該光吸收圖案可由單一層、或兩層或多層之複數層所形成。
較佳地，該光吸收圖案具有一消色差的顏色(achromatic color)，但該顏色並無特別限制。在此，消色差的顏色係指：對於各成份之波長，自一物體之表面入射之光線，其並非選擇性地被該顏色吸收，而被均勻地反射。
作為該光吸收圖案之材料，較佳地，當形成一全表面層可使用一具有上述全反射性之材料，但無特別限制。例如，在彩色濾片(color filter)中，可使用一作為黑色矩陣(black matrix)之材料。作為光吸收圖案之材料，可使用一具有抗反射功能之光吸收材料。
舉例而言，該光吸收圖案可為一氧化物膜、一氮化物膜、一氮氧化物膜、一碳化物膜、或一金屬膜及其之組合，該組合係在該技術領域之人設定之沉積條件下，利用Ni、Mo、Ti、Cr、Al、及Cu所形成。本發明人指出：若使用Mo、Al、或Cu之情況下，與使用氧化物相比，使用氮化物具有較適合光吸收圖案之光學特性；其中該光吸收圖案係如本發明之實施例所述。
其他詳細實例可舉：該光吸收圖案可同時包括Ni和Mo。該光吸收圖案可包括50至98原子%之Ni及2至50原子%之Mo，且可更包括0.01至10原子%之其他金屬，例如Fe、Ta、及Ti原子。於此，若有需要，該光吸收圖案可更包括0.01至30原子%之氮、或4原子%或以下之氧和碳。
其他詳細實例可舉：該光吸收圖案可包括一介電性材料係選自由SiO、SiO2 、MgF2 及SiNx(x係1或以上之整數)；以及一金屬係選自由Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Au及Ag，且可更包括一合金，其係包括兩種或以上之金屬係選自由Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Au及Ag。較佳地，隨著外部光線自入射方向遠離，該介電材料之分佈係逐漸減少，而該金屬和合金成份之分佈係與該介電材料之分佈方向相反。藉此，該介電材料之含量較佳為20至50 wt%，且該金屬之含量較佳為50至80 wt%。若該光吸收圖案更包括該合金，較佳地，該光吸收圖案包括10至30 wt%之介電材料、50至80 wt%之金屬、及5至40 wt%之合金。
其他詳細實例可舉：該光吸收圖案可由薄膜所組成，該薄膜包括鎳和釩之合金、及一或多個鎳和釩之氧化物、氮化物、及氮氧化物。於此，較佳為包括26至52原子5之釩，且釩對鎳之原子比(atomic ratio)較佳為26/74至52/48。
其他詳細實例可舉：該光吸收圖案可包括一過渡層(transition layer)，其係包括兩種或以上之元素，且一元素之組成比例係：根據外部光線之入射方向，每100埃(angstrom)最多增加約20%。於此，一元素可為一金屬元素如鉻、鎢、鉭、鈦、鐵、鎳或鉬，而除了金屬元素以外之其他元素可為氧、氮或碳。
其他詳細實例可舉：該光吸收圖案可包括一第一鉻氧化物層、一金屬層、一第二鉻氧化物層、及一鉻鏡(chrome mirror)，且可包括鉻以外的金屬係選自鎢、釩、鐵、鉻、鉬、及鈮。較佳地，該金屬層具有一厚度為10至30 nm、該第一鉻氧化物層具有一厚度為35至41 nm、及該第二鉻氧化物層具有一厚度為37至42 nm。
其他詳細實例可舉：作為該光吸收圖案，可使用一氧化鋁(Al2 O3 )層、一鉻氧化物(Cr2 O3 )層及一鉻(Cr)層之層板結構。在此，該氧化鋁層可改善一反射性及一預防光散射之特性，且該鉻氧化物層可藉由減少漸層式(inclined)表面反射性，以改善對比性。
其他詳細實例可舉：作為該光吸收圖案，可使用一氮化鋁(AlNx)和氮形成之層板結構。在此，氮化鋁(AlNx)可藉由減少全層之反射性，以改善對比性。
在本發明之實施例中，該光吸收圖案較佳配置於該基板和該導電圖案之間，但在組成之觸控面板中，若一使用者從另一面觀察(而非基板之表面)，該光吸收圖案較佳設置於靠近使用者之面。
在本發明之實施例中，該光吸收圖案係配置於一對應該導電圖案之部分。在此，對應於該導電圖案區域之部分係指：該部分具有之圖案係與該導電圖案有相同之形狀。然而，該光吸收圖案之圖案尺寸不需與該導電圖案完全相同，若該光吸收圖案之線寬比導電圖案之線寬窄或寬，仍包含於本發明之範圍內。舉例而言，該光吸收圖案較佳具有一區域，其係為配置有該導電圖案之區域之50至150%。
該光吸收圖案較佳具有一圖案形狀，其係具有與該導電圖案相同或較大之線寬。
若該光吸收圖案具有該圖案形狀，其線寬大於該導電圖案，當該使用者觀察此圖案，該光吸收圖案覆蓋該導電圖案的效果會增加，此優點在於可有效抑制該導電圖案的光澤度或反射效果。然而，即使該光吸收圖案的線寬與該導電圖案的線寬相同，仍可以達成本發明之目的效果。該光吸收圖案之線寬較佳大於該導電圖案，其可由以下方程式3之值來判斷。
[方程式　3]
Tcon×tangent θ3 ×2
其中，Tcon係該導電圖案之厚度，以及當一光線由使用者視線之位置入射至該觸控面板，通過該導電圖案與該光吸收圖案之轉角，θ3 係該光線與該基板表面之水平線(tangential line)之間的角度。
例如，如圖1之層板結構，由方程式3而來的計算方程式係以圖5解說。θ3 係經由該基板之折射係數與分佈有光吸收圖案與導電圖案之部分介質之折射係數，調整一角度(θ1 )而來，例如根據Snell’s law判斷該觸控面板之附著力(adhesive)；其中該角度為觸控面板之使用者視線與基板之間的角度。
例如，假設該使用者觀察該層板，其中θ3 之角度為約80°，且該導電圖案之厚度為約200 nm，較佳地，以一橫向面為基準，該光吸收圖案之線寬大於該導電圖案約2.24 μm(200 nm×tan(80)×2)。此外，如上所述，即使該光吸收圖案之線寬與該導電圖案相同，能可達成本發明之目的效果。為了形成如上所述之光吸收圖案與導電圖案，該技術領域之人可調整不同的蝕刻條件或沉積厚度。
在本發明之實施例，可根據本發明實施例之層板範疇適當的選擇該基板之材料，且較佳實例可為一玻璃或一無機材料基板、一塑膠基板或一膜，但該材料不限於此。
該導電圖案之材料並無特別限制，但較佳為金屬。該導電圖案之材料較佳具有優良的導電性，以易於被蝕刻。此外，一般而言，具有優良導電性之材料具有高反射性之優點。然而，在本發明之實施例中，因使用該光吸收圖案，可使用具有高反射性之材料形成該導電圖案。在本發明之實施例中，即使使用具有70%至80%或以上之總反射性之材料，透過光吸收圖案可減少該反射性、減少該導電圖案之可見性、及維持或改善一對比性。
該導電圖案之材料詳細實例可舉：單一膜或一多層膜，該單一膜或多層膜較佳包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳、或合金。在此，就該導電圖案之導電性及製程之經濟效益而言，該導電圖案之厚度係無特別限制，但較佳為0.01至10 μm。
根據本發明之實施例，當光吸收層之材料及導電層之材料所組成之一層板材料被視為單一材料，其所測量出之一特殊電阻值(specific resistance value)係較佳為1×106 ohm.cm至30×106 ohm.cm，且更佳為7×106 ohm.cm或以下。
形成該導電圖案之方法並無特別限制，形成該導電圖案之方法可使用一直接印刷方法，或在形成導電層後之圖案化該導電層之方法。
若以印刷方法形成該導電圖案時，可使用導電材料之墨水或黏膠，且除了該導電材料外，該黏膠可更包括一黏結樹脂、一溶劑或一玻料(glass frit)。
於形成一導電層，再將該層圖案化之例子中，可使用一具有抗蝕刻特性之材料。
該導電層可藉由一方法形成，如：沉積、濺鍍、濕塗佈、蒸鍍、電解電鍍或無電電鍍及一金屬箔(metal foil)之層疊。關於形成該導電圖案之方法，可使用包含以下步驟之方法：將有機金屬、奈米金屬或一混合溶液塗佈於基板，接著經過燃燒和/或乾燥以提供導電性。關於有機金屬，可使用有機銀；而關於奈米金屬，可使用銀奈米粒子。
該導電層之圖案化可使用一抗蝕圖案之方法達成。形成該抗蝕圖案之方法可為：一印刷方法、一光微影蝕刻法、一照像方法、一使用光罩之方法、或一雷射轉印，例如：熱轉印影像；較佳為印刷方法或光微影蝕刻法。該導電圖案可經由使用該抗蝕圖案被蝕刻，接著可移除該抗蝕圖案。
在本發明之實施例中，該導電圖案之線寬可為10 μm或以下，較佳為0.1至10 μm，更佳為0.2至8 μm，再更佳為5 μm或以下。該導電圖案之厚度可為10 μm或以下，較佳為2 μm或以下，更佳為10至300 nm。
該導電圖案之開口比(opening ratio)較佳為85%至99.5%。
該導電圖案可為一規則圖案或一不規則圖案。
關於規則圖案，可使用一習知的圖案形狀，如一網狀圖案。該不規則圖案並無特別限制，但可為一組成一凡諾氏圖像(Voronoi diagram)圖形之輪廓線形狀。在本發明之實施例中，若該規則形狀及該光吸收圖案一起使用，光照下，一具有方向性之反射光線之衍射圖案(diffracted pattern)可被規則圖案移除，以及光線的散射可被光吸收圖案最小化；以致於可見性的問題可被最小化。
該導電圖案之間距係較佳為600 μm或以下，更佳為270 μm或以下；但此間距可由該技術領域之人，依據所需的穿透性及導電性來控制。
在本發明之實施例中，該導電圖案表面電阻較佳係為1至250 ohm/square；其中該結構體包括該基板、該導電圖案、及該光吸收圖案。於上述範圍內之表面電阻有助於操控一觸控面板。
在本發明之實施例中，光吸收圖案及導電圖案之橫向面可具有一正錐度角(positive taper angle)，但當光吸收圖案或導電圖案配置於導電圖案之與基板接觸面之相對表面時，則可具有一負錐度角(negative taper angle)。
根據本發明之實施例，該觸控面板中，除了上述的結構體外，可更包括一附加結構體係包括基板、導電圖案、及光吸收圖案。在此，如圖6所示，兩個結構體可以相同方向配置；及如圖7所示，兩個結構體可以相反方向配置。根據本發明之實施例，在圖6和圖7中係顯示了兩個具有相同結構之結構體，但本發明中其可不需要有相同的結構；且可較佳為，僅有靠近使用者之結構體(或任一個結構體)包括基板、導電圖案、及光吸收圖案，而附加包括的結構體可不包括光吸收圖案。兩個或以上的結構體之層層堆疊結構可不同於彼此。在此，若包括兩個或以上的結構體，兩個結構體中間可配置一絕緣層。此外，絕緣層可更具有一黏結層之功能。
根據本發明之實施例，在觸控面板中，導電圖案跟光吸收圖案可分別配置於基板之兩面。
根據本發明之實施例，觸控面板之總反射率可為10%或以下、7%或以下、5%或以下、及2%或以下；其中該觸控面板係由結構體組成，該結構體包括導電圖案和光吸收圖案。
在此，觸控面板之總反射率係指光線從配置有光吸收圖案之一面入射之總反射率，且係一包含基板與空氣層間之介面之反射率之數值。藉由選擇組成光吸收圖案之材料以控制反射率，以及控制在導電圖案與光吸收圖案之間之反射率、該導電圖案之厚度、及該圖案之形狀，可進一步控制全結構體之反射率。
根據本發明之實施例，該觸控面板之結構體之導電圖案上，除了有效圖案部分外，可更包括一電極部分或一襯墊部分，藉此，該有效圖案部分及該電極部分/襯墊部分可由相同的導體組成。
根據本發明之實施例，該觸控面板可更包括一個或多個膜，如保護膜、偏光膜、抗反射膜、抗眩膜、抗指紋膜、及一低反射膜。
本發明係提供一種觸控面板之製備方法。
根據本發明之實施例，本發明提供一種觸控面板之製備方法，包括：在一基板上形成一導電圖案；以及於形成該導電圖案前、後、及前與後，形成一光吸收圖案。
根據本發明另一實施例，其係提供一種靜電電容式觸控面板之製備方法，包括：在基板上形成一導電層，其係用以形成一導電圖案；於形成該導電圖案前、後、及前與後，設置一用於形成光吸收圖案之光吸收層；以及分別或同時將該導電層及該光吸收層圖案化。
在製備方法中，可使用上述各層之材料與形成方法。
根據本發明之實施例，一種結構體，包括：一透明基板；一導電層，係配置於該透明基板之至少一表面，且包括金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物之至少一種；以及一光吸收層，係配置於該導電層之至少一表面；其中，該光吸收層係配置於該導電層與該透明基板之間，且於該透明基板之一面所測量得到之一總反射率係為15%或以下。
根據本發明之實施例，觸控面板係包括一結構體，該結構體係包括：一透明基板；一導電圖案，係配置於該透明基板之至少一表面，且包括至少一種係選自由：一種或以上之金屬，係選自由鋁、銀、銅、釹及鎳所組成之一金屬群組；一合金，係選自該金屬群組之兩種或以上之金屬；氧化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；氮化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；以及氮氧化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；以及一光吸收圖案，係配置於該導電圖案之至少一表面，且配置於對應於該導電圖案區域之至少一部分。
本發明係提供一種顯示裝置，包括：該觸控面板；以及一顯示模組。
接著，本發明將配合實施例來說明。然而，以下實施例係用於說明本發明，但本發明所主張之權利範圍非僅限於此。
<實驗例1>
使用Mo系氮氧化物於基板上形成光吸收層，再使用Cu在光吸收層上形成導電層。接著，為了測量總反射率，在該導電層之上表面實施全表面黑化處理，然後從基板射入可見光光束，測量總反射率(正反射(specular reflection)/550 nm)。此反射率為6.1%。此實驗例1之層板結構係如圖8所示。
<實驗例2>
使用Al系氮氧化物於基板上形成光吸收層，再使用Al在光吸收層上形成導電層。接著，為了測量總反射率，在該導電層之上表面實施全表面黑化處理，然後從基板射入可見光光束，測量總反射率(正反射/550 nm)。此反射率為2.1%。
<實驗例3>
使用Cu系氮氧化物於基板上形成光吸收層，再使用Cu在光吸收層上形成導電層。接著，為了測量總反射率，在該導電層之上表面實施全表面黑化處理，然後從基板射入可見光光束，測量總反射率(正反射/550 nm)。此反射率為6%。
<實驗例4>
使用Al系氮氧化物於基板上形成光吸收層，再使用Cu在光吸收層上形成導電層。接著，為了測量總反射率，在該導電層之上表面實施全表面黑化處理，然後從基板射入可見光光束，測量總反射率(正反射/550 nm)。此反射率為3.1%。
<實驗例5>
除了不形成光吸收層，其餘實驗步驟同實驗例1。接著，在該導電層之上表面實施全表面黑化處理，然後從基板射入可見光光束，測量總反射率(正反射/550 nm)。此反射率為49.9%。
<實驗例6>
結構體之製造與實驗例1相同，在此，使用者並非從光吸收層之一面觀察，而係從導電層之一面觀察下，測量總反射率。藉此，在該基板之背面實施全表面黑化處理，然後從導電層射入可見光光束，測量總反射率(正反射/550 nm)。此反射率為49.9%。此實驗例6之總反射率測量方法係如圖9所示。
<實驗例7>
僅使用與實驗例1相同之基板，測量總反射率。在該基板之一表面實施全表面黑化處理，然後從相反表面射入可見光光束，測量僅有機板之總反射率(正反射/550 nm)。此反射率為4.5%。此實驗例7之總反射率測量方法係如圖10所示。
實驗例1、實驗例5、及實驗例7所製造之結構體之總反射率係如圖11所示。
如上所述，在本發明之實施例中，在一有效圖案部分配置一導電圖案之一觸控面板，可以在不影響該導電圖案之導電性下，在使用者觀察之一面形成一光吸收圖案，以防止反射；及可以藉由改善光線吸收性，以改善導電圖案之隱蔽性。此外，藉由形成上述光吸收圖案，更可以改善觸控面板之對比性。
實驗例1之結構體之顯微鏡反射光測量結果係如圖12所示，及太陽光繞射之反射圖案結果係如圖13所示。實驗例5之結構體之顯微鏡反射光測量結果係如圖14所示，及太陽光繞射之反射圖案結果係如圖15所示。
實驗例2中，結構體之光吸收層之色度(colority)及總反射率係如圖18所示；及實驗例3中，結構體之光吸收層之色度及總反射率係如圖16所示。實驗例4中，結構體之光吸收層之色度及總反射率係與圖18所示相似。
如圖12至18所示之結果，可看出本發明之實施例中，包括光吸收圖案之觸控面板係透過顯微鏡之反射模式測量，而可由光吸收圖案看到該線呈現深色；且於點光源之反射影像中，看到繞射光線之強度更加減弱。
圖1至圖3係本發明一較佳實施例之包含於一觸控面板之層板結構圖，其包括一基板、一導電圖案、及一光吸收圖案。
圖4係本發明一較佳實施例之觸控面板之光線路徑圖。
圖5係本發明一較佳實施例之觸控面板之光吸收圖案與導電圖案之線寬關聯圖。
圖6及圖7係本發明一較佳實施例之層板結構圖，其中該觸控面板具有兩個或以上之層板結構。
圖8係本發明實驗例1之層板圖。
圖9係本發明實驗例6之用以測量反射率之層板圖。
圖10係本發明實驗例7之用以測量反射率之層板圖。
圖11係本發明實驗例1、實驗例5及實驗例7之反射率測量結果圖。
圖12係本發明實驗例1之結構體之顯微鏡反射光測量結果。
圖13係本發明實驗例1之結構體之太陽光繞射之反射圖案結果。
圖14係本發明實驗例5之結構體之顯微鏡反射光測量結果。
圖15係本發明實驗例5之結構體之太陽光繞射之反射圖案結果。
圖16至圖18係本發明實施例之結構體之光吸收層之色度及總反射率圖。

Claims (69)

  1. 一種結構體，包括：一基板；一導電層，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收層，其配置於該導電層之至少一表面；其中，由該光吸收層與該導電層相接之表面之相對表面之方向所測量之一總反射率係為15%或以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，由該光吸收層與該導電層相接之表面之相對表面之方向所測量之一總反射率係為10%或以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，由該光吸收層與該導電層相接之表面之相對表面之方向所測量之一總反射率係為5%或以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，由該光吸收層與該導電層相接之表面之相對表面之方向所測量之一總反射率係為3%或以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板之間，且於該基板之一面測量一總反射率係為15%或以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板之間，且於該基板之一面測量一總反射率係為10%或以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板之間，且於該基板之一面測量一總反射率係為5%或以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板之間，且於該基板之一面測量一總反射率係為3%或以下。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板相接之一表面之相對表面，且於該光吸收層之一面測量之一總反射率係為15%或以下。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板相接之一表面之相對表面，且於該光吸收層之一面測量之一總反射率係為10%或以下。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板相接之一表面之相對表面，且於該光吸收層之一面測量之一總反射率係為5%或以下。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層係配置於該導電層與該基板相接之一表面之相對表面，且於該光吸收層之一面測量之一總反射率係為3%或以下。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該結構體之一20°光澤度係為350或以下。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該結構體之一20°光澤度係為300或以下。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該結構體之一60°光澤度係為300或以下。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該結構體之一60°光澤度係為250或以下。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為30至40。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為25至30。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為16至25。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為5至16。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為1至5。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之結構體，其中，該光吸收層包括一種或以上係選自由一介電材料、金屬、一金 屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、及金屬碳化物所組成之群組。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之結構體，其中，該金屬包括一種或以上係選自由鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鋁(Al)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鈦(Ti)、釩(V)、金(Au)及銀(Ag)所組成之群組。
  24. 一種觸控面板，包括：一結構體，包括：一基板；一導電圖案，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收圖案，其配置於該導電圖案之至少一表面，且配置於對應於該導電圖案區域之至少一部分；其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)係減少10至20%。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該導電圖案上係組設一顯示模組，該光吸收圖案係配置於上方設有一顯示模組之該導電圖案之表面之相對表面。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案係配置於該導電圖案之兩面。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)係減少20至30%。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)係減少30至40%。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)係減少40至50%。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)係減少50至70%。
  31. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，該結構體之總反射率(Rt)與該基板之總反射率(R0)之差距係為40%或以下。
  32. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，該結構體之總反射率(Rt)與該基板之總反射率(R0)之差距係為30%或以下。
  33. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，該結構體之總反射率(Rt)與該基板之總反射率(R0)之差距係為20%或以下。
  34. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，該結構體之總反射率(Rt)與該基板之總反射率(R0)之差距係為10%或以下。
  35. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該觸控面板更包括一附加基板，其係配置於該結構體之一面，且當於該附加基板之一面，測量配置於該結構體之該附加基板之一總反射率，該結構體之總反射率與該附加基板之總反射率之差距係為90%或以下。
  36. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該觸控面板更包括一附加基板，其係配置於該結構體之一面，且當於該附加基板之一面，測量配置於該結構體之該附加基板之一總反射率，該結構體之總反射率與該附加基板之總反射率之差距係為70%或以下。
  37. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該觸控面板更包括一附加基板，其係配置於該結構體之一面，且當於該附加基板之一面，測量配置於該結構體之該附加基板之一總反射率，該結構體之總反射率與該附加基板之總反射率之差距係為30%或以下。
  38. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該觸控面板更包括一附加基板，其係配置於該結構體之一面，且當於該附加基板之一面，測量配置於該結構體之該附加基板之一總反射率，該結構體之總反射率與該附加基板之總反射率之差距係為10%或以下。
  39. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一20°光澤度係為350或以下。
  40. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一20°光澤度係為300或以下。
  41. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一60°光澤度係為300或以下。
  42. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一60°光澤度係為250或以下。
  43. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為30至40。
  44. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為25至30。
  45. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為16至25。
  46. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為5至16。
  47. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，以一CIE顏色座標為基準，該結構體之一顏色範圍之L值係為1至5。
  48. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一霧值係為5%或以下。
  49. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一霧值係為3%或以下。
  50. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該結構體之一霧值係為1.5%或以下。
  51. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案係配置於該導電圖案與該基板之間。
  52. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案係配置於該導電圖案與該基板相接之一面之相對表面。
  53. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案係配置於該導電圖案與該基板之間，以及配置於該導電圖案與該基板相接之一面之相對表面。
  54. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，更包括：一層板，包括：一基板；一導電圖案，其配置於該基板之至少一表面；以及一光吸收圖案，其配置於該導電圖案之至少一表面，及配置於對應於該導電圖案之至少一區域。
  55. 如申請專利範圍第54項所述之觸控面板，其中，一絕緣層係配置於該兩層板之間。
  56. 如申請專利範圍第54項所述之觸控面板，其中，該兩層板係以一相反方向或相同方向配置。
  57. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該導電圖案及該光吸收圖案係分別配置於該基板之兩面。
  58. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該導電圖案具有一不規則之圖案形狀。
  59. 如申請專利範圍第58項所述之觸控面板，其中，該導電圖案係為一組成一凡諾氏圖像(Voronoi diagram)之圖形之輪廓線形狀。
  60. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案具有一圖案形狀，其係具有與該導電圖案相同之線寬或較大之線寬。
  61. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該導電圖案之線寬係為10μm或以下，其之厚度係為2μm或以下，其之間距係為600μm或以下。
  62. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案係經由一沉積方法所形成。
  63. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案及該導電圖案係經由一沉積方法所形成。
  64. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，於該結構體之該導電圖案中，該以電性連接之導電圖案之表面電阻係為0.5至200ohm/square。
  65. 如申請專利範圍第24項所述之觸控面板，其中，該光吸收圖案包括一種或以上係選自由一介電材料、金屬、一金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、及金屬碳化物所組成之群組。
  66. 如申請專利範圍第65項所述之觸控面板，其中，該金屬包括一種或以上係選自由鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鋁(Al)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鈦(Ti)、釩(V)、金(Au)及銀(Ag)所組成之群組。
  67. 一種顯示裝置，包括：如申請專利範圍第24項之觸控面板；以及一顯示模組。
  68. 一種結構體，包括：一透明基板；一導電層，係配置於該透明基板之至少一表面，且包括金屬、一金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物之至少一種；以及一光吸收層，係配置於該導電層之至少一表面；其中，該光吸收層係配置於該導電層與該透明基板之間，且於該透明基板之一面測量一總反射率係為15%或以下。
  69. 一種觸控面板，包括：一結構體，包括：一透明基板；一導電圖案，係配置於該透明基板之至少一表面，且包括至少一種係選自由：一種或以上之金屬，係選自由鋁、銀、銅、釹及鎳所組成之一金屬群組；一合金，係選自該金屬群組之兩種或以上之金屬；氧化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；氮化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；以及氮氧化物，係包括選自該金屬群組之一種或以上之金屬；以及一光吸收圖案，係配置於該導電圖案之至少一表面，且配置於對應於該導電圖案區域之至少一部分， 其中，該光吸收圖案包括一第一表面，係與該導電圖案相接；及一第二表面，係面對該第一表面；且當於該光吸收圖案之該第二表面之一面測量該結構體之一總反射率，與具有相同組成、但不包括該光吸收圖案之結構體之總反射率(R0)相比，該結構體之總反射率(Rt)係減少10至20%。
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