KR101941394B1

KR101941394B1 - 투명 도전성 기판 및 투명 적층 구조체

Info

Publication number: KR101941394B1
Application number: KR1020177022063A
Authority: KR
Inventors: 토모카즈 스다; 히로히사 다카하시; 유키아키 오오노
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2015-03-25
Filing date: 2016-03-11
Publication date: 2019-01-22
Also published as: WO2016152581A1; CN107250959B; JPWO2016152581A1; CN107250959A; TW201706799A; JP6494001B2; KR20170104542A

Abstract

본 발명의 투명 도전성 기판은, 투명 기체, 및 상기 투명 기체의 일면에, 금속막, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및 투명 도전막이 순서대로 적층된 구조체를 구비한다. 상기 구조체에서는, 가시광역의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하, 또는, 파장 550 nm의 입사광에 대해서 반사율이 5［%］ 이하이다.

Description

투명 도전성 기판 및 투명 적층 구조체

본 발명은, 터치 패널 용도에 호적한 투명 도전성 기판 및 투명 적층 구조체에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 터치 패널의 센서-전극이 목시(目視) 되기 어려운 투명 도전성 기판 및 투명 적층 구조체에 관한 것이다.

본원은, 2015년 3월 25일에 일본에 출원된 특원 제2015－062735호에 기초해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

종래, 터치 패널의 센서-전극으로서는, 산화 인듐(Indium　Tin　Oxide：ITO)을 이용한 전극이 넓게 사용되고 있다. 그렇지만, 최근, 패널의 고정밀화나 대형화가 진행됨에 따라, ITO를 이용한 전극은, 필요한 낮은 저항값을 확보하기 위해서 전극의 두께를 크게 할 필요가 있다. 이 때문에, 센서-전극의 성능으로서 요구되는 또 하나의 팩터, 즉, 투과성을 희생시키지 않을 수 없다.

이것에 대해, 종래, 유리 등으로 이루어지는 절연성의 투명 기체(基體) 상이나 ITO 등의 투명 도전막 상에 금속 부재의 세선을 메쉬 상으로 배치하는 구성(이하, 메탈 메쉬 방식이라고 부른다)이, 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 실드 막으로 이용되어 왔다(예를 들면, 특허 문헌 1). 또한 이 금속 부재의 세선을 터치 패널의 센서-전극으로서 응용하는 것이 검토되고 있다. 메탈 메쉬 방식은, 통상 메탈 메쉬의 재료로서 동(Cu)이 다용된다. 그렇지만, Cu와 같은 금속막은, 광을 반사하기 쉽다고 하는 성질을 가지고 있다(반사율이 높다). 이 때문에, 터치 패널의 센서-전극의 재료로서 Cu를 이용한 경우에는, Cu에 의해서 외광이 반사되어 반사광이 관찰자(터치 패널의 사용자, 이하, 관찰자라고 칭한다)에 의해서 인식되어 버린다. 또한, 이러한 반사광이 터치 패널의 표시 화상에 혼합하는 경우에는, 결과적으로, 관찰자가 본 표시 화상의 품질에 영향을 주는 경우가 있다. 이러한 금속막에 의한 광반사에 기인하는 터치 패널의 화질 저하를 억제하기 위한 대책으로서 금속막의 패턴의 세선화하는 처리나, 금속막의 표면을 흑색으로 한다고 하는 처리의 연구가 예의 진행되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2).

도 8a~도 8d는, 투명 기체의 상에 메탈 메쉬를 형성한 구성의 일례를 나타내는 도면으로, 도 8a는 전체를 나타내는 평면도이고, 도 8b는 영역 P5의 확대도이고, 도 8c 및 도 8d는 도 8b에서 선 Z－Z의 단면도를 나타내고 있다. 도 8a~도 8d에서, 부호 501은 투명한 기재(투명 기체)이고, 부호 502는 금속막이다.

도 8a~도 8d에 나타내는 바와 같은 메탈 메쉬 구조를 제작하려면, 우선, 투명 기체(501F)(501) 상에 Cu로 이루어지는 금속막(502F)(502)를 전면에 형성한다［도 8d］. 그 다음에, 미도시의 마스크를 이용하여 금속막(502F)에 대해서 에칭 처리를 실시함으로써 메쉬 상의 금속막을 형성한 후, 금속막의 표면을 산화 처리함으로써 도 8c에 나타내는 구성이 얻어진다.

즉, 도 8a~도 8d에 나타내는 바와 같은 메탈 메쉬 구조에서는, 유리 기판(501E) 상에, 메쉬 상의 Cu 전극(502)이 배치되어 있다. Cu 전극(502)는, Cu 전극의 성막시에 형성된 금속막의 특성을 가지는 부위(금속부)(502Ea), 및 Cu 전극의 표면에 대한 산화 처리에 의해서 흑색으로 변화한 부위(흑화부)(502Eb)로 구성되어 있다. 도 8a에서, 메쉬 상의 Cu 전극(502)의 표면 (502ET)는, 흑화부(502Eb)이다. 메쉬의 개구에 상당하는 부위는, 유리 기판의 표면 (501ET)이다. 이것에 의해, 메쉬 상의 Cu 전극(502)는, 도전성을 확보하면서, 반사광이 관찰자에게 인식되는 것을 억제할 수 있다.

그런데, Cu는 산화하기 쉬운 등의 성질을 가지기 때문에, 도 8c에 나타내는 구성에서는, 금속부(502Ea)와 흑화부(502Eb)의 경계 부근에서, 경시적으로 산화상태가 변동하기 쉬운 경향이 있었다. 즉, Cu 전극(502)에서, 금속부(502Ea)와 흑화부(502Eb)의 비율이 변동하기 때문에, 종래의 메탈 메쉬 구조(Cu 전극(502))는, 도전막으로서의 특성(비저항)이 안정하지 않다고 하는 문제를 떠안고 있었다. 또한, 메탈 메쉬의 표면의 산화상태가 변동하기 쉽기 때문에, 흑색으로 변화하는 정도도 바뀌기 쉽고, 메탈 메쉬의 표면의 색조가 변동하기 쉽다는, 문제도 있었다.

또한, 메탈 메쉬 구조를 터치 패널의 센서-전극에 적용하는 경우, 센서-전극으로 검출한 전기적 신호를 외부의 구동 회로에 접속하기 위한 FPC(Flexible　Printed　Circuit；플렉서블 프린트 기판)과 센서-전극의 접속이 필요하다. 그렇지만, 종래의 메탈 메쉬 구조(Cu 전극(502))는, 표면에 Cu의 산화막(흑화부(502Eb))이 노출되어 있기 때문에, FPC와 센서-전극을 전기적으로 접속하기 위해서, 일부의 산화막을 제거하고, 내부의 금속부(502Ea)를 노출시킨다고 하는 가공이 필요했다.

그러므로, 안정한 도전성을 얻는 것과 함께, 반사광이 관찰자에게 인식되는 것을 억제하고, 또한 FPC와 센서-전극을 용이하게 전기적으로 접속하는 것이 가능한, 메탈 메쉬 구조를 구비한 투명 도전성 기판의 개발이 기대되고 있었다.

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 제2006－139277호 공보 (특허 문헌 2) 일본 특허 공개 제2013－206315호 공보

본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어지는 것으로, 안정한 도전성을 얻는 것과 함께, 반사광이 관찰자에게 인식되는 것을 억제하고, 외부회로와의 접속성이 뛰어난, 메탈 메쉬 구조를 구비한 투명 도전성 기판 및 투명 적층 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제1 형태와 관련되는 투명 도전성 기판은, 투명 기체, 및 상기 투명 기체의 일면에, 금속막, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및 투명 도전막이 순서대로 적층된 구조체를 구비한다. 상기 구조체에서는, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하이다.

본 발명의 제2 형태와 관련되는 투명 도전성 기판은, 투명 기체, 및 상기 투명 기체의 일면에, 금속막, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및 투명 도전막이 순서대로 적층된 구조체를 구비한다. 상기 구조체에서는, 파장 550 nm의 입사광에 대해서 반사율이 5［%］ 이하이다.

본 발명의 제1 형태 및 제2 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서는, 상기 중간막의 비저항［μΩ·cm］이 1.8×10⁸이하이어도 좋다.

본 발명의 제1 형태 및 제2 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서는, 상기 투명 도전막의 막두께［nm］가 10 이상 50 이하의 범위이어도 좋다.

본 발명의 제1 형태 및 제2 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서는, 상기 중간막의 비저항 및 상기 투명 도전막의 막두께 중 적어도 하나를 제어함으로써, 상기 구조체의 색조가 조정 가능해도 좋다.

본 발명의 제1 형태 및 제2 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서는, 상기 투명 기체의 상기 일면에, 상기 금속막, 상기 중간막, 상기 투명 도전막이 순서대로 적층되어 이루어지는 구조체가, 에칭 처리에 의해 소망의 패턴을 가져도 좋다.

본 발명의 제3 형태와 관련되는 투명 적층 구조체는, 금속막, 상기 금속막 상에 설치되고 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및 상기 중간막 상에 설치된 투명 도전막을 구비한다. 상기 투명 적층 구조체에서는, 가시광역의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하이다.

본 발명의 상기 형태와 관련되는 투명 도전성 기판은, 투명 기체의 일면에, 금속막, 중간막, 투명 도전막이 순서대로 적층되어 이루어지는 구조체를 구비하고 상기 중간막은, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막으로 이루어진다. 이와 같이, 본 발명의 상기 형태와 관련되는 투명 도전성 기판은 적층 구조를 취하기 때문에, 금속막과 중간막의 사이에는 계면이 존재하고 있어, 이 계면을 넘어 중간막에 포함되는 산소가 금속막에 침입할 우려는, 종래의 구성(금속막의 표면을 산화시킨 구성)에 비해 매우 낮다. 또한, 금속막과는 독립적으로, 중간막과 투명 도전막에 의해서 색조의 조정을 실시하기 때문에, 금속막의 표면에 대한 산화 처리에 의해 표면을 흑색화하고 있는 종래의 구성에 비해, 색조(구조체의 반사 특성)를 안정하게 유지 할 수 있게 된다.

여기서, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하인 조건, 혹은, 특히 사람의 눈을 통해서 가장 밝게 시인되는 550 nm 파장에서의 반사율이 5［%］ 이하인 조건을 만족함으로써, 상기 구조체는 저반사 구조를 취하게 되어, 소망의 색조로 조정할 수 있게 되는 것과 함께, 전극으로서의 도전성도 확보된다. 특히, 상기 구조체에서는, 중간막에 포함되는 산소량과 투명 도전막의 두께를 제어함으로써, 구조체의 저저항화와 높은 투과율을 양립할 수 있다.

그러므로, 본 발명의 상기 형태는, 안정한 도전성을 얻는 것과 함께, 반사광이 관찰자에게 인식되는 것을 억제하는 메탈 메쉬 구조를 구비한 투명 도전성 기판의 제공에 공헌한다.

도 1a는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 도면으로, 도 1a의 영역 P1를 나타내는 확대 평면도이다.
도 1c는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도로, 도 1b의 선 A－A에 따르는 도면이다.
도 1d는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도로, 도 1b의 선 A－A에 따르는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2d는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2e는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 투명 도전성 기판의 구조체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 4는 구조체를 이루는 중간막의 비저항을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 장치의 다른 일례를 나타내는 모식도이다.
도 7a는 본 발명의 실시 형태의 변형예 1과 관련되는 태양전지의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 실시 형태의 변형예 1과 관련되는 태양전지의 일례를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 7c는 본 발명의 실시 형태의 변형예 2와 관련되는 태양전지의 일례를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 8a는 종래의 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 8b는 종래의 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 도면으로, 도 8a의 영역 P5를 나타내는 확대 평면도이다.
도 8c는 종래의 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도로, 도 8b의 선 Z－Z에 따르는 도면이다.
도 8d는 종래의 투명 도전성 기판의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도로, 도 8b의 선 Z－Z에 따르는 도면이다.
도 9는 종래의 태양전지의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판을, 도면에 기초해서 설명한다.

도 1a~도 1d는, 본 실시 형태의 투명 도전성 기판을 나타내는 모식도로, 도 1a는 전체 평면도이고, 도 1b는 영역 P1의 확대 평면도이고, 도 1c 및 도 1d는 도 1b의 선 A－A의 단면도를 나타내고 있다. 특히, 도 1c는, 에칭 후의 투명 도전성 기판을 나타내는 단면도이고, 도 1d는, 에칭 전의 투명 도전성 기판을 나타내는 단면도이다.

본 실시 형태의 투명 도전성 기판은, 예를 들면, 액정이나 유기 EL(유기 일렉트로루미네센스) 등의 표시 패널 상에 배치되고, 조작면에 접촉하여 조작되는 정전용량 방식의 터치 패널 등에 이용된다.

이러한 투명 도전성 기판(S1E)(S1)은, 도 1a~도 1d에 나타낸 바와 같이, 유리 등으로 이루어지는 절연성의 투명 기체(101E)(101)의 일면(101ET)에, 금속막(102E)(102), 중간막(103E)(103), 투명 도전막(104E)(104)이 순서대로 적층되어 이루어지는 구조체(투명 적층 구조체)를 구비하고 있다.

도 1a~도 1d는, 구조체가 메쉬 상을 이루는 일례를 나타내고 있고, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 투명 기체(101E)(101) 상에 배치된 구조체, 즉 금속막(102E), 중간막(103E), 및, 투명 도전막(104E)의 3층 모두가 동일한 하나의 측면을 형성하고 있고, 이 구조체가 메쉬 상의 형상으로 되어 있다. 또한 구조체의 측면 형상으로서는, 3층 모두가 동일한 하나의 측면을 형성하는 구조로 한정되지 않고, 후술하는 에칭 공정의 조건에 의해, 측면에 요철 구조가 형성되는 경우도 있다. 또한, 이 금속막(102E)는, 금속막(102E)에 적층된 중간막(103E), 투명 도전막(104E)를 통해서, 또한 투명 도전막(104E)에 접속된 FPC를 통해서, 구동 회로에 도통되어 있다.

본 발명에서는, 중간막(103)이 금속막(102)과 투명 도전막(104) 사이의 위치에 설치되어 있다［도 1a 및 도 1b에서는 중간막(103)은 생략］. 이들 3층으로 이루어지는 구조체는, 후술하는 제조 방법에서, 일괄 에칭되는 것이 바람직하지만, 각 막에 에칭해도 상관없다.

본 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서, 투명 기체(101)으로서는, 예를 들면, 유리로 이루어지는 기체 외에, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트：polyethylene　terephthalate), PP(폴리프로필렌：polypropylene), PC(폴리카보네이트：polycarbonate), COP(시클로올레핀폴리머：Cyclo－olefin　polymer), PE(polyethylene：폴리에틸렌), PMMA(Polymethyl　methacrylate：폴리메타크릴산메틸), 등의 수지계 기체가 호적하게 이용된다.

상기 구성의 금속막(102)에는, 뛰어난 도전성과 높은 에칭성이 요구된다.

이러한 조건을 만족하는 금속막의 부재로서는, 예를 들면, Al, Al 합금, Mo, Mo 합금, Ti, Ti 합금, Cu, Cu 합금, 등을 들 수 있다. 그 중에서도, Al에 네오 디뮴(Nd)을 함유시킨(Al－Nd) 합금으로 이루어진 금속막이, 안정한 도전성, 내후성을 얻을 수 있다고 하는 점으로부터 바람직하고, 또한 Nd의 첨가에 의해 Al에 특유의 문제인 힐록(hillock)의 발생을 억제하는 것도 가능하기 때문에 바람직하다.

상기 구성의 중간막(103)은, 금속막(102)와 투명 도전막(104)의 사이에 배치되어 이용되기 때문에, 투명 도전막과 금속막의 사이의 도통을 확보할 수 있는 도전성과, 반사광이 관찰자에게 인식되는 것을 억제하기 위해서 필요한 저반사율 조건을 겸비하는 것이 요구될 수 있다. 구체적으로는, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막을 중간막으로서 이용하는 것이 바람직하다. 이것은, 산화 몰리브덴의 양호한 도전성이, 금속막과 투명 도전막의 접속에 유효하게 작용하기 때문이다. 또한, Mo에 니오브(Nb)를 함유 시킨 (Mo－Nb) 등의 합금을 이용하는 경우이어도, Nb를 금속막에 첨가함으로써 내후성의 개선을 도모할 수 있는 것과 함께, 저반사를 얻을 수 있는 조건으로서, 합금이 아닌 경우와 동등한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 후술하는 스퍼터링 장치에서 중간막을 형성할 때에, (Ar＋O₂) 혼합가스와 함께, 중간막의 에칭 속도의 조정을 위해서, N₂를 조금 첨가해도 좋다. 이 경우, 형성되는 중간막 중에는, 조금 질소가 포함되게 되지만, 이 첨가에 의해서 중간막의 산화막으로서의 기능을 손상시키는 것은 아니다.

상기 구성에 있어서의 투명 도전막(104)로서는, 특히 제한은 없고, 공지의 투명 도전재료를 이용하는 것이 가능하고, 예를 들면, ITO(주석 도프 산화 인듐：Indium　Tin　Oxide), AZO(Al를 도프한 ZnO), BZO(B를 도프한 ZnO), In₂O₃－ZnO, In₂O₃－TiO₂, 등을 들 수 있다. 이 중에서도, In₂O₃를 포함하는 것이 바람직하다. In₂O₃를 포함함으로써, 양호한 도전성을 유지하면서, 산에 가용성으로, 알칼리에 내성을 가지는, 투명 도전막을 얻을 수 있다. 이러한 특성을 구비한 투명 도전막은, 포토리소그래피 공정에 호적하다.

상술한 3층, 즉 금속막(102), 중간막(103), 및, 투명 도전막(104)로 이루어지는 구조체는, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하로 함으로써, 구조체가 저반사 구조로서 유효하게 기능하게 된다. 이 때문에, 메탈 메쉬의 표면의 색조를 조정하는 것이 가능해진다. 혹은, 가시광역을 대표해서 파장 550［nm］의 입사광에 대해서 반사율이 5［%］ 이하라고 규정해도, 저반사 구조로서의 기능이 담보된다.

가시광역에서, 파장 550［nm］의 광은, 사람의 눈을 통해서 가장 밝게 시인되는 광이다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는, 파장 550［nm］의 광이 구조체(투명 적층 구조체)에 입사하고 반사된 광의 반사율을 5［%］ 이하가 되도록, 투명 도전성 기판에 설치된 투명 적층 구조체의 반사율이 조정되고 있다. 이것에 의해서, 가시광역의 상한역(380 nm부근)이나 하한역(780 nm부근)에서 반사율이 급증하는 경우이어도, 투명 적층 구조체 및 이 투명 적층 구조체를 구비한 투명 도전성 기판은, 저반사 구조로서 유효하게 기능할 수 있다.

또한 본 발명의 실시 형태에 있어서의 평균 반사율은, 기본적으로, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 범위 내에서, 1 nm 피치로 얻어진 반사율의 값을 합계하고, 그 합계한 데이터의 점수로 나눈 수치에 의해 정의된다. 다만, 간편하게는, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 범위 내에서, 50 nm 피치로 얻어진 반사율을 합계하고, 그 합계한 데이터의 점수로 나눈 수치에 의해 정의되어도 좋고, 평균치의 산출에 사용되는 데이터 점수는 특히 한정되지 않는다.

도 3은, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서, 구조체(투명 적층 구조체)의 반사율을 나타내는 그래프이다.

도 3에서, 횡축은 입사광의 파장을 나타내고 있고, 종축은 반사율을 나타내고 있다. 도 3의 실선은, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 3층의 적층 구조를 가지는 실시예의 투명 적층 구조체의 결과를 나타내고 있다. 도 3의 점선은, 비교예의 투명 도전성 기판의 결과를 나타내고 있다.

비교예의 투명 도전성 기판은, 실시예의 3층 구조를 가지는 투명 도전성 기판과는 달리, 중간막과 투명 도전막이 설치되지 않은 구성, 즉, 기체 상에 금속막만이 형성된 투명 도전성 기판이다.

도 3에 나타내는 반사율의 측정에서는, 실시예, 비교예, 모두, 기판이 배치되어 있는 위치와는 반대 측에 측정장치를 배치하여, 반사광의 광량을 측정하고, 반사율의 측정을 실시했다. 구체적으로, 실시예의 경우는, 투명 도전막에 대면하는 위치에 측정장치를 배치하여, 반사광의 광량을 측정하고, 반사율의 측정을 실시했다. 비교예의 경우는, 금속막에 대면하는 위치에 측정장치를 배치하여, 반사광의 광량을 측정하고, 반사율의 측정을 실시했다. 얻어진 반사율의 값은, 실시예의 경우는, 금속막, 중간막, 투명 도전막의 적층막에 기인하는 반사율을 나타내고 있고, 비교예의 경우는, 금속막에만 기인하는 반사율을, 각각 나타내고 있게 된다.

비교예의 구성은, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 전역에 걸쳐 거의 90%를 넘는 반사율이 관측되기 때문에, 메탈 메쉬의 패턴을 식별할 수 있는 상태에 있는 것을 알 수 있다. 이것에 대해서, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 구성은, 가시광역(파장 역이 380~780［nm］)의 범위 내에서 평균 반사율이 10% 이하(1 nm 피치에서 계산한 결과가 6.8%, 50 nm 피치에서 계산한 결과가 8.8%)이어서, 저반사 조건을 충분히 만족하는 것이 확인되었다. 또한 실시예에서는, 550［nm］의 입사광에 있어서의 반사율은 1.9［%］이었다.

도 4는, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판에서, 중간막의 비저항을 나타내는 그래프이다. 도 4에서, 횡축은 성막시의 산소가스의 유량［sccm］를, 종축은 중간막의 비저항［1×10ⁿμΩ·cm］을 나타내고 있다. 종축에 나타낸 숫자는 n승(1×10ⁿ)에 있어서의 「n」이다. 도 4에서, 기호 「○」은 흑화한 경우를 나타내고 있고, 기호 「△」은 투명한 경우를 나타내고 있고, 기호 「◇」은 금속광택의 경우를 나타내고 있다.

도 4에 나타내는 결과로부터, 이하의 점이 분명해졌다.

(1) 중간막에 포함되는 산소량을 조정함으로써, 중간막의 색조를 제어하는 것이 가능하다.

(2) 특히, 중간막(103)의 비저항을 1.8×10⁸［μΩ·cm］ 이하로 한 경우에는, 저반사 구조를 얻을 수 있고, 또한, 그 범위 내에서 중간막의 색조를 제어할 수 있다.

(3) 구체적으로는, 비저항이 감소함에 따라, 착색의 정도를 증가시키는 것이 가능해진다. 환언하면, 비저항이 감소함에 따라, 중간막의 색조가 진해지는 현상이 확인되었다.

또한 본 발명의 실시 형태와 관련되는 3층의 구조체에서는, 실제로는, 중간막(103)의 막두께는 얇고, 금속막(102)의 도전성이, 주로, 상술한 3층으로 이루어지는 구조체의 전체의 저항값에 기여하고 있다. 중간막(103)으로서는, 금속막(102)과 투명 도전막(104)을 전기적으로 접속하는 막으로서 기능하는 도전성을 구비하고 있으면 문제가 없고, 중간막(103)의 비저항치가 1.8×10⁸［μΩ·cm］ 이하이면, 중간막(103)의 기능이 충분히 얻어진다.

또한, 도 4의 횡축은, 중간막의 성막시에 있어서의 산소의 첨가량을 나타내고 있다. 도 4보다, 산소의 첨가량이 증가함에 따라, 중간막의 비저항이 증대하고, 또한 중간막의 색조의 변화를 볼 수 있는 것을 알 수 있었다. 산화 몰리브덴은, 산화수의 차이로부터, 색조가 변화하는 것이 알려져 있다. 특히, MoO₂나 Mo₂O₅는, 투명하지 않고, 회갈색이나 흑색의 색조를 가지는 막이 되는 경향이 있다. 즉, 상술한 범위의 비저항을 가지는 중간막은, 몰리브덴을 포함하는 산화막 내에서도, 특히, MoO₂나 Mo₂O₅의 조성비, 혹은 그 근방의 조성비를 갖는 것으로 고려된다.

또한 상술한 3층 구조의 경우, 중간막 상에는 투명 도전막이 배치되고 있고, 이 투명 도전막의 막두께를 변화시키는 것에 의해서도, 중간막의 색조의 변화를 촉진할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 구조체는, 중간막의 비저항 및 투명 도전막의 막두께 중 적어도 하나를 제어함으로써, 상기 구조체의 색조를 조정할 수 있다.

이러한 투명 도전막의 막두께로서는, 금속막이나 중간막의 막두께, 재질 등에 따라 다르지만, 도전성을 확보하면서, 하층(투명 도전막의 하방에 위치하는 층)과 투명 도전막의 사이의 광학적인 조정이 가능해지는 범위로서 10~50 nm가 바람직하다.

또한, 상술한 3층 외에, 필요에 따라서, 금속막(102)의 상하 계면에 소망의 기능막을 형성해도 상관없다. 즉, 투명 기체(101)와 금속막(102)의 사이에, 배리어성 혹은 밀착성을 목적으로 한 기능막으로서 예를 들면, Mo막, Ti막 등을 설치해도 좋다. 혹은, 금속막(102)과 중간막(103)의 사이에, 금속막(102)에 포함되는 Al의 힐록의 발생을 억제하는 기능막으로서 예를 들면, Mo막, Ti막 등을 설치해도 좋다.

도 2a~도 2d는, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법을 나타내는 모식도로, 특히 3층으로 이루어지는 구조체의 패터닝을 행하기 위한 에칭 공정(특히, 3층을 일괄 에칭 하는 경우)을 상세하게 나타내고 있다. 이하에서는, 도 2a~도 2d를 참조하여, 상술한 구성의 투명 도전성 기판을 제작하는 방법을 설명한다.

공정 1：후술하는 스퍼터링 장치(예를 들면, 도 5)를 이용하고, 「투명 기체(101F) 상에, 금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F) 가 순서대로 적층되어 이루어지는 투명 도전성 기판(S1F)」를 형성하고, 그 후, 투명 도전성 기판(S1F)를 대기 분위기 중에 반출한다［도 2a］.

공정 2：금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F) 에 대해서 일괄 패터닝을 실시하기 위해서, 투명 도전막(104F) 의 표면에 소정 형상으로 패터닝 된 레지스터층 R를 형성한다［도 2b］. 이하에서는, 레지스터층 R가 형성된 투명 도전성 기판(S1F)을, 처리 대상물이라고도 부른다.

공정 3：처리 대상물(S1m1)의 레지스터층 R를 형성한 면에 에칭액 EL를 분무하여, 레지스터층 R로부터 노출된 투명 도전막(104F)의 부위를 에칭한다［도 2c］. 에칭액 EL로서 3층(금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F))으로 이루어지는 구조체를 에칭할 수 있는 용액을 선택함으로써, 3층의 일괄 에칭이 가능해진다. 에칭액 EL를 분무하는 수법 대신에, 처리 대상물(S1m1)을, 에칭액에 침지하는 방법을 이용해도 좋다.

공정 4：소정 시간이 경과한 후, 에칭을 정지한다［도 2d］. 처리 대상물 (S1m2)에 대한 분무를 정지하거나, 에칭액으로부터 처리 대상물(S1m2)을 끌어올린다. 도 2d는, 에칭을 정지하는 경우를 나타내고 있다. 이 때, 레지스터층이 배치되지 않았던 영역은, 투명 기체(101 m2)가 노출된 상태로 된다.

공정 5：처리 대상물(S1m2)를 세정하고 에칭액을 제거한 후, 레지스터층 R를 없앰으로써, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판(S1E)(S1)이 얻어진다.

즉, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 방법은, 투명 도전막(104)의 상면에 소망의 공극 패턴(예를 들면, 메쉬 상의 패턴)을 가지는 마스크를 설치하고, 상기 공극을 통해 3층(금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F))을 에칭 처리하는 공정을 포함하고 있다. 이것에 의해, 마스크에 설치된 공극을 통해, 소망의 패턴으로, 투명 기체(101)가 노출될 때까지, 3층(금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F))을 에칭 처리할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시 형태에 의하면, 도전성과 저반사 조건을 겸비한, 투명 도전성 기판의 제조 방법의 제공이 가능해진다.

또한, 여기에서는 특히 3층을 일괄 에칭하는 경우를 설명했지만, 금속막, 중간막, 투명 도전막으로서 선택되는 재질이나 막두께 등에 따라, 각층 마다 개별적으로 에칭해도 상관없다. 또한, 웨트 에칭에 의한 패터닝을 설명했지만, 포토리소그래피 등의 다른 패터닝 기술을 이용해도 좋다.

＜금속막, 중간막 및 투명 도전막의 제작 방법＞

이하에서는, 상술한 공정 1로 준비한 투명 도전성 기판(S1), 즉, 「투명 기체(유리 기판)(101) 상에, 금속막(AlNd 합금막)(102F)/중간막(MoNb 산화막)(103F)/투명 도전막(ITO막)(104F)가 순서대로 적층되어 이루어지는」투명 도전성 기판(S1F) 의 제작 방법에 대해 설명한다.

유리로 이루어지는 기체(101) 상에, 금속막, 중간막, 및 투명 도전막을 형성하기 위한 제조 장치로서는, 예를 들면, 도 5에 나타내는 인터 백 식의 스퍼터링 장치가 이용된다.

도 5에 나타내는 제조 장치에서는, 기판(118a)(상술한 가요성 부재로 이루어지는 기체(101)에 상당)는, 미도시의 반송 장치에 의해, 주입취출실(L/UL)(111), 가열실(H)(112), 제1 성막실(S1)(113), 제1 버퍼 실(B1)(114), 제2 성막실(S2)(115), 제2 버퍼 실(B2)(116), 제3 성막실(S3)(117)의 내부를 이동 가능하게 되어 있다.

서로 이웃하는 실(室)의 사이에는, 구획 밸브 DV1~DV7가 배치되어 있다. 또한, 2개의 성막실의 사이에는 버퍼 실이 배치되어 있다. 도 5에 나타내는 제조 장치는, 후술하는 제1 내지 제3 성막 공간에서 독립한 성막 조건의 분위기가 유지 되도록 구성되어 있다. 다만, 후술하는 제1 내지 제3 성막 공간이, 다른 성막 공간의 영향이 미치는 일이 없는 경우(예를 들면, 소망의 차압 기구 등을 성막 공간 내에 배치)에는, 구획 밸브나 버퍼 실을 설치하지 않고, 제조 장치는, 단일의 성막 공간을 가져도 상관없다.

우선, 기판(118a)는 감압 분위기로 된 주입/취출실(111)로부터 가열실(112)로 반송되어 소망의 열처리가 행해진다. 이 열처리에 의해, 기판(118b)은, 탈기되는 것과 함께, 소망의 온도로 가열된 상태로 된다. 또한, 사용하는 기판의 재질에 따라서는, 탈기를 위한 열처리가 필요하지 않을 수 있다.

다음에, 열처리 후의 기판(118b)은, 가열실(112)로부터 제1 성막실(113)로 반송되어 금속막의 모재로 이루어지는 타겟(113 TG)의 앞(즉, 제1 성막 공간 sp1)을 통과시킴으로써, 기판(118 c) 상에 금속막(AlNd 합금막)을 형성한다. 그 때, 제1 성막 공간 sp1에는, 프로세스 가스의 공급원(113 G)로부터 Ar가스가 공급되어 배기 장치(113 P)에 의해 소망의 압력이 유지 된다. 필요에 따라서, 미도시 온도 조정장치를 설치하고, 성막 중의 기판(118 c)의 온도를 제어해도 좋다. 부호 113 BP는 타겟(113 TG)를 재치하는 백킹 플레이트를 나타내고 있고 부호 113 D는 백킹 플레이트(113 BP)에 고전압을 공급하는 전원을 나타내고 있다.

그 후, 금속막이 형성된 기판(118 c)은, 제1 성막실(113)으로부터 제1 버퍼 실 (114)로 반송된다. 제1 버퍼 실(114)는 제1 성막실(113)(제1 성막 공간 sp1)과 후술하는 제2 성막실(115)(제2 성막 공간 sp2)의 사이에 배치되고 있고 배기 장치(114 P)에 의해, 제1 버퍼 실(114)의 내부 공간은 소망의 진공도가 보지되고 있다. 제1 버퍼 실(114)내의 위치 α에, 금속막이 형성된 기판(118 c)를 소망의 시간만 체재시킴으로써, 전단의 제1 성막 공간 sp1의 분위기와 후단의 제2 성막 공간 sp2의 분위기가 서로 영향을 주는 것이 방지된다.

다음에, 금속막이 형성된 기판(118 c)는, 제1 버퍼 실(114)로부터 제2 성막실(115)로 반송되어 중간막의 모재로 이루어지는 타겟(115 TG)의 앞(즉, 제2 성막 공간 sp2)을 통과시킴으로써, 기판(118 c)의 금속막(AlNd 합금막) 상에 중간막(MoNb 산화막)을 형성한다. 그 때, 제2 성막 공간 sp2에는, 프로세스가스의 공급원(115 G)로부터 (Ar＋O2) 혼합가스가 공급되어 배기 장치(115 P)에 의해 소망의 압력이 유지된다. 필요에 따라서, 미도시의 온도 조정장치를 설치하고, 성막 중의 기판(118 c)의 온도를 제어해도 좋다. 부호 115 BP는 타겟(115 TG)를 재치하는 백킹 플레이트를 나타내고 있고 부호 115 D는 백킹 플레이트(115 BP)에 고전압을 공급하는 전원을 나타내고 있다.

또한 여기에서는, 프로세스가스로서 (Ar＋O₂) 혼합가스를 이용하는 경우를 설명했지만, 이것에 N₂를 조금 첨가해도 좋다. 이것에 의해, 중간막의 에칭 속도의 조정이 가능해진다. 다만, 이 첨가는, 중간막의 산화막으로서의 기능을 손상하지 않는 범위에서 행해진다.

그 후, 금속막 상에 중간막이 적층된 기판(118 d)는, 제2 성막실(115)로부터 제2 버퍼 실(116)로 반송된다. 제2 버퍼 실(116)은 제2 성막실(115)(제2 성막 공간 sp2)과 후술하는 제3 성막실(117)(제3 성막 공간 sp3)의 사이에 배치되고 있고, 배기 장치(116 P)에 의해, 제2 버퍼 실(116)의 내부 공간은 소망의 진공도가 보지되고 있다. 제2 버퍼 실(116) 내의 위치β에, 중간막이 형성된 기판(118 d)를 소망의 시간만 체재시킴으로써, 전단의 제2 성막 공간 sp2의 분위기와 후단의 제3 성막 공간 sp3의 분위기가 서로 영향을 주는 것이 방지된다.

다음에, 금속막 상에 중간막이 적층된 기판(118 d)은, 제2 버퍼 실(116)로부터 제3 성막실(117)로 반송되어 투명 도전막의 모재로 이루어지는 타겟(117 TG)의 앞(즉, 제3 성막 공간 sp3)을 통과시킴으로써, 기판(118 d)의 중간 막 상에 투명 도전막(ITO)을 형성한다. 그 때, 제3 성막 공간 sp3에는, 프로세스가스의 공급원 (117 G)로부터 (Ar＋O₂) 혼합가스가 공급되어 배기 장치(117 P)에 의해 소망의 압력이 유지 된다. 필요에 따라서, 미도시의 온도 조정장치를 설치하고, 성막 중의 기판(118 d)의 온도를 제어해도 좋다. 부호 117 BP는 타겟 117 TG를 재치하는 백킹 플레이트를 나타내고 있고 부호 117 D는 백킹 플레이트(117 BP)에 고전압을 공급하는 전원을 나타내고 있다.

그리고, 금속막과 중간막과 투명 도전막이 순서대로 적층 형성된 기판(118)은, 도 5에 화살표 RT로 나타낸 바와 같이, 반전(혹은 역주)시킴으로써, 제3 성막실(117)으로부터 주입취출실(111)로 반송되어 제조 장치로부터 외부(대기 분위기)로 취출된다.

즉, 도 5에 나타내는 제조 장치는, 상기 금속막을 형성하는 제1 성막 공간 sp1, 상기 중간막을 형성하는 제2 성막 공간 sp2, 및, 상기 투명 도전막을 형성하는 제3 성막 공간 sp3를 적어도 구비하고, 상기 기체가 이동하는 방향에서, 상기 제2 성막 공간 sp2가, 상기 제1 성막 공간 sp1와 상기 제3 성막 공간 sp3의 사이에 배치되어 있다.

그 다음에, 상술한 에칭 공정을 거침으로써, 3층(금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F))으로 이루어지는 구조체에 대해서 소망의 패터닝이 행해진, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판이 얻어진다.

상술한 금속막과 중간막과 투명 도전막의 대표적인 제작 조건을 표 1에 나타낸다. 또한, 메쉬 상의 3층으로 이루어지는 구조체를 형성하는 경우(도 1a~도 1d 및 도 2a~도 2d)의 대표적인 에칭 공정의 처리 조건을 표 2에 나타낸다.

표 1 및 표 2에 나타내는 조건에 의해, 도 1a~도 1d에 나타내는 메쉬 상의 3층(금속막(102F)/중간막(103F)/투명 도전막(104F))으로 이루어지는 구조체를 구비한 투명 도전성 기판을 안정하게 제작할 수 있다.

표 1에 나타내는, 금속막과 중간막과 투명 도전막을 작성하는 장치는, 도 5에 나타내는 제조 장치로 한정되지 않고, 예를 들면, 도 6에 나타내는 멀티 챔버 형태의 제조 장치를 이용하는 경우이어도, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판을 제조할 수 있다.

도 6은, 본 발명의 실시 형태와 관련되는 투명 도전성 기판의 제조 장치의 다른 일례를 나타내는 모식도이다. 도 6에 나타내는 제조 장치는, 금속막과 중간막과 투명 도전막의 각 성막 공정이, 다른 성막실(챔버)의 독립한 성막 공간실 내에서 행해지는 경우에 대응하고 있다.

이러한 멀티 챔버의 제조 장치를 이용하고, 금속막과 중간막과 투명 도전막의 각 성막 공정을 실시하는 경우에 있어서의, 유리로 이루어지는 기판의 반송 경로에 대해서 설명한다. 우선, 기판은, 외부에서 로드실(L)(201)로 반입된다. 그리고, 기판은, 로드실에서 감압하에서 일정시간 대기한 후에, 기판은, 가열실(H)(202) 내로 반송되고, 기판은, 소망의 온도에서 열처리(탈기 처리)가 행해진다.

다음에, 가열 처리된 기판은, 가열실(H)(202)로부터 제1 성막실(S1)(203) 내로 반송되어 제1 성막 공간 sp1에서 금속막의 성막이 행해진다. 그 후, 금속막이 형성된 기판은, 제1 성막실(S1)(203)으로부터 제2 성막실(S2)(204) 내로 반송되어 제2 성막 공간 sp2에서 중간막의 성막이 행해진다. 또한, 금속막 상에 중간막이 형성된 기판은, 제2 성막실(S2)(204)로부터 제3 성막실(S3)(205) 내로 반송되어 제3 성막 공간 sp3에서 투명 도전막의 성막이 행해진다.

이어서, 금속막 상에 중간막, 투명 도전막이 형성된 기판은, 제3 성막실(S3) (205)로부터 언로드실(UL)(206)로 반송되어 일정시간 대기한 후에, 언로드실(UL) (206)로부터 외부로 반출된다. 각 실간의 사이에 기판을 반송하는 장치로서는, 트랜스퍼실(T)(207)에 설치된 로봇(미도시)이 이용된다. 또한 각 실에서 프로세스 처리 중 및 반송 중은, 트랜스퍼실(T)(207)을 포함해서 각 실(201~206)은 모두 감압하에 있다.

즉, 도 6에 나타내는 제조 장치는, 상기 금속막을 형성하는 제1 성막 공간 sp1, 상기 중간막을 형성하는 제2 성막 공간 sp2, 및, 상기 투명 도전막을 형성하는 제3 성막 공간 sp3를 적어도 구비하고 상기 기체가 이동하는 방향에서, 상기 제2 성막 공간 sp2가, 상기 제1 성막 공간 sp1와 상기 제3 성막 공간 sp3의 사이에 배치되어 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명하고, 상기에서 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시적인 것으로, 한정하는 것으로서 고려되어서는 안되는 것을 이해해야 한다. 추가, 약어, 치환, 및 그 외의 변경은, 본 발명의 범위로부터 일탈 하는 일 없이 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 전술의 설명에 의해서 한정되고 있다고 간주되어서는 안되고, 청구의 범위에 의해서 제한되고 있다.

예를 들면, 상술한 실시 형태에서는, 투명 적층 구조체를 구성하는 3층이 투명 기체 상에 설치된 예에 대해 설명했지만, 본 발명은, 이것을 한정하지 않는다. 상기 실시 형태의 투명 기체와는 다른 부재 상에 투명 적층 구조체가 설치되어도 좋다.

이하에, 본 발명의 실시 형태의 변형예에 대해 설명한다. 변형예에서는, 상술한 실시 형태의 부재에 상당하는 부재에 관한 설명을 생략 또는 간략화한다.

(변형예 1)

도 7a는, 상술한 투명 적층 구조체가 적용된 태양전지의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 7b는, 도 7a의 투명 적층 구조체의 구조를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다. 도 9는, 종래의 태양전지의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.

도 9에 나타낸 종래의 태양전지(600)는, pn접합부(630)를 가지는 단결정의 실리콘 기판(620), 실리콘 기판(620)의 이면에 설치된 이면 전극(610), 실리콘 기판(620)의 표면에 설치된 핑거 전극(640), 및 핑거 전극(640) 상에 설치된 부스바 전극(650)(부스바 배선)을 구비한다.

　부스바 전극(650)은, 실리콘 기판(620)의 발전에 의해서 생성된 전자를 집전한다. 또한, 일반적으로, 부스바 전극(650)의 재료로서는, 은이 이용되고 있다. 그렇지만, 태양전지(600)의 외관색(실리콘 기판(620)의 색)은 흑색에 가까운 색이기 때문에, 실리콘 기판(620)의 흑색과 부스바 전극(650)의 은백색의 콘트라스트가 크고, 외관상, 디자인성이 부족하다고 하는 문제가 있었다.

한편, 본 변형예 1과 관련되는 태양전지에서는, 상술한 투명 적층 구조체가 적용되고 있다.

구체적으로, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 본 변형예 1과 관련되는 태양전지(300)은, pn접합부(330)을 가지는 단결정의 실리콘 기판(320), 실리콘 기판(320)의 이면에 설치된 이면 전극(310), 실리콘 기판(320)의 표면에 설치된 핑거 전극(340), 및 핑거 전극(340) 상에 설치되어 투명 적층 구조체로 구성된 부스바 전극(350)(부스바 배선)을 구비한다. 또한, 핑거 전극(340)은, pn접합부(330) 상에 설치되어 있고, 핑거 전극(340)의 표면에는, 반사 방지막이 설치되어 있다. 이 때문에, 핑거 전극(340)의 반사 방지막 상에 부스바 전극(350)이 설치되어 있다.

도 7b에 나타낸 바와 같이, 부스바 전극(350)은, 핑거 전극(340) 상에 설치된 금속막(351), 금속막(351) 상에 설치된 중간막(352), 중간막(352) 상에 설치된 투명 도전막(353)을 구비한다. 즉, 중간막(352)가 금속막(351)과 투명 도전막(353)의 사이에 협지되어 있다.

금속막(351)에 의해서 부스바 전극(350)의 도전성이 얻어지고 있다. 중간막(352)은, 몰리브덴을 포함하는 산화막이다. 투명 도전막(353)의 산화도나 막두께를 조정함으로써, 저반사율을 가지는 투명 적층 구조체로 구성된 부스바 전극(350)이 실현되고 있다.

본 변형예 1과 관련되는 태양전지(300)에 의하면, 상술한 실시 형태에 있어서의 효과가 얻어질 뿐만 아니라, 부스바 전극(350)에 투명 적층 구조체가 적용되고 있으므로, 부스바 전극으로부터의 반사광을 저감할 수 있다. 따라서, 종래의 태양전지(600)에 있어서의 부스바 전극(650)의 은백색과 실리콘 기판(620)의 흑색과의 콘트라스트가 생긴다고 하는 문제가 해소된다.

(변형예 2)

도 7c는, 투명 적층 구조체에 의해서 구성된 핑거 전극을 나타내는 확대 단면도이다. 변형예 2에서는, 변형예 1과 동일 부재에는 동일 부호를 기재하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.

도 7c에 나타낸 바와 같이, 핑거 전극(340)은, pn접합부(330) 상에 설치된 금속막(341), 금속막(341) 상에 설치된 중간막(342), 및 중간막(342) 상에 설치된 투명 도전막(343)을 구비한다. 즉, 중간막(342)가 금속막(341)과 투명 도전막(343)의 사이에 협지되어 있다.

이러한 투명 적층 구조체를 구비한 핑거 전극(340)에서는, 핑거 전극(340)과 부스바 전극(350)의 사이에 도전성을 얻기 위해서, 핑거 전극(340)의 일부(중간막(342), 투명 도전막(343))를 부분적으로 제거하고, 핑거 전극(340)과 부스바 전극(350)을 전기적으로 접속해도 좋다.

본 변형예 2와 관련되는 태양전지(300)에 의하면, 상술한 실시 형태의 효과가 얻어질 뿐만 아니라, 핑거 전극(340)에도 투명 적층 구조체가 적용되고 있으므로, 핑거 전극으로부터의 반사광을 저감할 수 있다.

(변형예 3)

상술한 투명 적층 구조체를 광학계 기기 용의 차광 필름에 적용해도 좋다.

일반적으로, 디지털 카메라 등의 디지털 광학계 기기에서는, 광학계 기기의 내부 기구를 구성하는 부재의 표면에 저반사성, 도전성이 뛰어난 기능막을 형성하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 제2008－281977호 등).

이러한 기능막으로서 상술한 실시 형태와 관련되는 투명 적층 구조체를 적용해도 좋다. 이 경우, 수지 필름 등의 기재의 표면 및 이면의 양방에 투명 적층 구조체가 형성된다. 또한, 셔터 날개나 조리개 날개 등에 가공된 부재의 표면에 투명 적층 구조체를 직접 형성해도 좋다. 또한, 광학계 기기를 구성하는 부재의 표면 전체가 저반사 구조를 가질 필요가 있기 때문에, 광학계 기기를 구성하는 부재의 표면 전체에 상술한 투명 적층 구조체를 형성하면 좋다. 이 경우, 기재는, 투명 기재이어도 좋고, 착색된 기재이어도 좋다.

또한, 본 변형예 3의 투명 적층 구조체에서는, 중간막 및 투명 도전막의 산화도나 막두께를 제어함으로써, 저반사 구조체를 실현할 수 있다. 또한, 투명 적층 구조체가 금속막을 가지기 때문에 도전성을 얻을 수 있고 광학계 기기의 내부 기구를 구성하는 부품의 대전을 예방할 수도 있다.

[산업상의 이용 가능성]

본 발명은, 투명 도전성 기판에 넓게 적용 가능하다. 본 발명의 투명 도전성 기판은, 뛰어난 시인성이 요구되는 고품위표시 화면 등에 호적하게 이용된다.

P1: 영역,
S1(S1E, S1F): 투명 도전성 기판,
101(101E, 101F): 기체(투명 기체),
101ET: 기체의 표면,
102(102E, 102F): 금속막,
103(103E, 103F): 중간막,
104(104E, 104F): 투명 도전막,
104ET: 투명 도전막의 표면.

Claims

투명 도전성 기판으로서,
투명 기체, 및
상기 투명 기체의 일면에, 금속막, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및 투명 도전막이 순서대로 적층된 구조체,
를 구비하고,
상기 중간막은, 상기 중간막의 비저항 및 상기 투명 도전막의 막두께 중 적어도 하나를 제어함으로써 색조를 가지는 막이며,
상기 구조체에서는, 가시광역의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하인, 투명 도전성 기판.
투명 도전성 기판으로서,
투명 기체, 및
상기 투명 기체의 일면에, 금속막, 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및 투명 도전막이 순서대로 적층된 구조체,
를 구비하고,
상기 중간막은, 상기 중간막의 비저항 및 상기 투명 도전막의 막두께 중 적어도 하나를 제어함으로써 색조를 가지는 막이며,
상기 구조체에서는, 파장 550 nm의 입사광에 대해서 반사율이 5［%］ 이하인, 투명 도전성 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 중간막의 비저항［μΩ·cm］이 1.8×10⁸ 이하인, 투명 도전성 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투명 도전막의 막두께［nm］가 10 이상 50 이하의 범위인, 투명 도전성 기판.
삭제
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투명 기체의 상기 일면에서, 상기 금속막, 상기 중간막, 상기 투명 도전막이 순서대로 적층되어 이루어지는 구조체가, 에칭 처리에 의해 소망의 패턴을 가지고 있는, 투명 도전성 기판.
투명 적층 구조체로서,
금속막,
상기 금속막 상에 설치되고 몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화막인 중간막, 및
상기 중간막 상에 설치된 투명 도전막,
을 구비하고,
상기 중간막은, 상기 중간막의 비저항 및 상기 투명 도전막의 막두께 중 적어도 하나를 제어함으로써 색조를 가지는 막이며,
상기 투명 적층 구조체에서는, 가시광역의 입사광에 대해서 평균 반사율이 10［%］ 이하인, 투명 적층 구조체.