JP2019102457A - 透明導電体構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11:基板
13:第一透明導電パターン
15:透明絶縁層
17:第二透明導電パターン
19:屈折率整合層
191:第一屈折率整合層
193:第二屈折率整合層
131:第一本体
133:第一接続部
171:第二本体
173:第二接続部
S401〜S409:ステップ
D1、D2:方向
Claims (10)
- 基板と、第一透明導電パターンと、第二透明導電パターンと、透明絶縁層と、屈折率整合層とを備える透明導電体構造であって、
前記第一透明導電パターンは前記基板上に設置され、
前記第二透明導電パターンは前記第一透明導電パターン上に設置され、
前記透明絶縁層は、前記第一透明導電パターンと前記第二透明導電パターンを絶縁するように前記第一透明導電パターンと前記第二透明導電パターンの間に設置され、
前記屈折率整合層は前記第一透明導電パターンと前記第二透明導電パターンを覆い、且つ第一屈折率整合層及び第二屈折率整合層を備え、
前記第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に前記第二透明導電パターン上に設置され、
前記第二屈折率整合層は前記第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ前記第一屈折率整合層上に設置され、
前記第一透明導電パターン及び前記第二透明導電パターンは以下の方法により形成され、
第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜を前記基板及び前記透明絶縁層上にそれぞれ形成し、
前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜をそれぞれエッチングして第一非晶質導電パターン及び第二非晶質導電パターンを形成し、
前記第一非晶質導電パターン及び前記第二非晶質導電パターンをそれぞれ結晶化して前記第一透明導電パターン及び前記第二透明導電パターンを形成する、
ことを特徴とする、透明導電体構造。 - 前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜のそれぞれは、ITO、IZO、SnO2、ZnO、FTO、AZOnのうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明導電体構造。
- 前記結晶化ステップは、前記第一非晶質導電パターン及び前記第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電体構造。
- 前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜のそれぞれの厚さは、50nm〜200nmの間にあることを特徴をする、請求項1に記載の透明導電体構造。
- 前記透明絶縁層は誘電材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の透明導電体構造。
- 前記第二屈折率整合層は、TiO2、Nb2O5、SiN4のうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことを特徴とする、請求項5に記載の透明導電体構造。
- 前記第一屈折率整合層は、SiO2を含むことを特徴とする、請求項5に記載の透明導電体構造。
- 透明導電体の製造方法であって、
基板を提供するステップと、
基板上に第一非晶質導電膜を形成するステップと、
前記第一非晶質導電膜をエッチングして第一非晶質導電パターンを形成するステップと、
前記第一非晶質導電パターンを結晶化して第一透明導電パターンを形成するステップと、
前記第一透明導電パターン上に透明絶縁層を形成するステップと、
前記透明絶縁層上に第二非晶質導電膜を形成するステップと、
前記第二非晶質導電膜をエッチングして第二非晶質導電パターンを形成するステップと、
前記第二非晶質導電パターンを結晶化して第二透明導電パターンを形成するステップと、
前記第二透明導電パターン上に屈折率整合層を形成するステップと、
を備え、
前記屈折率整合層は、第一屈折率整合層及び第二屈折率整合層を備え、
前記第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に前記第二透明導電パターン上に設置され、
前記第二屈折率整合層は、前記第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ前記第一屈折率整合層上に設置される、
ことを特徴をする、透明導電体構造の製造方法。 - 前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜のそれぞれの厚さは、50nm〜200nmの間にあることを特徴をする、請求項8に記載の透明導電体構造の製造方法。
- 前記結晶化ステップは、前記第一非晶質導電パターン及び前記第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行することを特徴とする、請求項9に記載の透明導電体構造の製造方法。
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