CN113064298A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 170
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 170
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 12
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 7
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N molybdenum tantalum Chemical compound [Mo].[Ta] JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 452
- 239000010408 film Substances 0.000 description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 52
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- GVLHKKPMWMGGOD-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Mo][Cu][Mo] GVLHKKPMWMGGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BFWZEXBTOTZOMP-UHFFFAOYSA-N [Mo+4].[O-2].[Ta+5] Chemical compound [Mo+4].[O-2].[Ta+5] BFWZEXBTOTZOMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFJNXMOPRISHP-UHFFFAOYSA-N [Mo].[Nb].[W] Chemical compound [Mo].[Nb].[W] IMFJNXMOPRISHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- -1 molybdenum-titanium-nitrogen oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括金属层，所述金属层上设有减反射复合膜；所述减反射复合膜包括中间层及黑化层，所述中间层位于所述金属层与所述黑化层之间，所述中间层的材料为合金或透明导电材料，且所述中间层的材料与所述金属层的材料不同。本申请实施例可以避免因黑化层与金属层附着力不佳而影响黑化层的减反射效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
对比度是评估液晶显示屏(LCD)的画质表现的重要指标之一。在真实使用场景中，由于周围环境光的影响，显示面板的反射率会影响画面的对比度。如下所示为环境光对比度公式：
其中Lon/Loff分别表示显示面板的亮态/暗态亮度，RL表示显示面板的反射率，Lambient表示环境光的亮度。因此，想要提高显示面板的对比度可以从两个方面入手：1)提高显示面板的亮态亮度Lon，2)降低显示面板的反射率RL。
随着显示屏幕的解析度提升，尤其是目前热点的8K产品，其金属线的数量非常多，占整个像素区的面积可达到20％以上；金属对可见光的反射率很高，金属线在上方没有遮挡，可见光到达金属线表面引起反射，从而导致产品的反射率偏高，影响视觉效果，无法满足高阶产品需求质。为了降低金属区域的反射率，可以在金属表面增加黑化层，但在实际应用中黑化层与金属线(如较常用的铜)的附着力不佳，影响黑化层的减反射效果。黑化层与金属线的附着力不佳还会导致在湿蚀刻过程中蚀刻液渗入金属层与黑化层之间，使得黑化层和金属图案缺失，此外，为了实现金属的图案化，还需要用到遮光的光刻胶，而实际应用中黑化层与光刻胶也存在附着力不佳的问题，在湿蚀刻过程中蚀刻液渗入光刻胶与黑化层之间导致黑化层被刻蚀液腐蚀，甚至腐蚀至金属层使得金属层图案缺失，影响黑化层的减反射效果，严重影响实际生产的良率。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，可以解决黑化层与金属层附着力不佳的问题，避免因黑化层与金属层附着力不佳使得黑化层与金属层之间存在空隙或剥落而影响黑化层的减反射效果。
本申请实施例提供一种显示面板，包括金属层；所述金属层上设有减反射复合膜；所述减反射复合膜包括中间层及黑化层，所述中间层位于所述金属层与所述黑化层之间，所述中间层的材料为合金或透明导电材料，且所述中间层的材料与所述金属层的材料不同。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述合金包括钼钛合金、钼铌合金及钼钽合金中的一种；所述透明导电材料包括氧化铟锡、铟锌氧化物及铟镓锌氧化物中的一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述中间层的厚度范围为10至60纳米；所述黑化层的厚度范围为15至40纳米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述中间层的材料为合金，所述中间层的厚度为15至60纳米，所述黑化层的厚度为15至40纳米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述中间层的材料为透明导电材料，所述中间层的厚度为10至30纳米，所述黑化层的厚度为15至35纳米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述黑化层的材料为MoaXbOcNd、MoaXbWe、MoaXbCf或AlaObNg；其中，Mo为钼；X为钽、钒、镍、铌、锆、钨、钛、铼及铪中的至少一种；O为氧；N为氮；W为钨；C为碳；Al为铝；a、e、f为大于0的有理数；b、c、d及g均为大于或等于0的有理数，c与d不同时为0，b与g不同时为0。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属层的材料包括铜、铝、钼及钛中的至少一种。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供一金属层；及
在所述金属层的表面制备减反射复合膜，其中所述减反射复合膜包括黑化层和中间层，所述中间层位于所述金属层与所述黑化层之间，所述中间层的材料为合金或透明导电材料，且所述金属层的材料与所述中间层的材料不同。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述合金包括钼钛合金、钼铌合金及钼钽合金中的一种；所述透明导电材料包括氧化铟锡、铟锌氧化物及铟镓锌氧化物中的一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述制备方法还包括：S3、在所述黑化层远离所述中间层一侧的表面进行等离子处理。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述黑化层的材料为MoaXbOcNd、MoaXbWe、MoaXbCf或AlaObNg；其中，Mo为钼；X为钽、钒、镍、铌、锆、钨、钛、铼及铪中的至少一种；O为氧；N为氮；W为钨；C为碳；Al为铝；a、e、f为大于0的有理数；b、c、d及g均为大于或等于0的有理数，c与d不同时为0，b与g不同时为0。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述MoaXbOcNd、MoaXbWe或MoaXbCf中X的质量百分比为3％至20％。
本申请实施例在金属层上设置减反射复合膜，减反射复合膜包括中间层及黑化层，其中黑化层能够有效减少金属层对环境光的反射，提高画面的对比度，并且在黑化层与金属层之间设置中间层，中间层的材料为合金或透明导电材料，从而增加黑化层与金属层之间的附着力，避免因黑化层和金属层附着力不佳而存在空隙影响黑化层的减反射效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中黑化层与金属层附着力较佳情况下黑化层的减反射原理示意图；
图2是现有技术中黑化层与金属层附着力不佳情况下黑化层的减反射原理示意图；
图3是本申请实施例提供的减反射复合膜用于金属层的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的截面图层示意图；
图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
图6是本申请实施例提供的显示面板的黑化层中X的质量百分含量为12％时所对应的刻蚀后的SEM图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
由于金属对可见光的反射率很高，显示面板在外部环境光的照射下，位于显示面板内部的金属层会对外部环境光进行反射，使得显示面板的反射率较高、对比度较低，进而影响视觉效果。现有技术中，如图1所示，通过在金属层20面向外部光源一侧的表面设置黑化层10(即减反射膜)，利用黑化层10(即减反射膜)具有减少光学表面反射光的特性来降低金属层20对外部环境光的反射率，当黑化层10与金属层20之间附着力较佳时，黑化层10的上、下表面对入射光的反射和折射可在反射方向获得相干光束，使得反射光干涉相消，进而降低反射率，达到减反射效果；但是在实际应用过程中，如图2所示，由于黑化层10与金属层20的介面作用力较差，使得黑化层10与金属层20之间存在空隙30，光线透过黑化层10后，射到空隙30中，改变了黑化层10上、下表面对入射光的原有反射和折射路径，影响了反射光的干涉效应及减反射效果，导致黑化层10的反射率无法达成预期。
为了解决该问题，本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1至图4，本申请实施例所述显示面板包括金属层120。所述显示面板包括薄膜晶体管阵列基板。所述金属层120可以是薄膜晶体管的栅极、源极和/或漏极，也可以是一些其他金属走线(如数据线，扫描线等)，尤其是位于薄膜晶体管阵列基板的像素区的表面金属线路。在一实施例中，所述金属层120的材料包括铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)及钛(Ti)中的至少一种。所述金属层120可以是单层金属，例如：铜膜、铝膜、钼膜、钛膜等，也可以是多层金属，例如，铜钼叠层，钼铜钼叠层，还可以是合金材料形成的单一膜层，例如钼钛合金形成的单一膜层。
请参阅图3，所述金属层120上设有减反射复合膜110，用于减少所述金属层120对外部环境光的反射。所述减反射复合膜110包括中间层112及黑化层111。示例性的，所述黑化层111设在所述金属层120朝向外部环境光一侧的表面，以接收外部光源射向所述金属层120的光。所述黑化层111对外部光线的反射率小于所述金属层120对外部光线的反射率。所述中间层112设置在所述黑化层111与所述金属层120之间，以用于提高所述黑化层111与所述金属层120的附着力。具体的，图3中箭头所示方向为外部环境光线的射入显示面板的方向，按照外部环境光线的射入光线的方向，所述减反射复合膜110与所述金属层120的叠置顺序由上至下依次为：所述黑化层111、所述中间层112及所述金属层120。
本申请实施例通过在所述金属层120上设置包括所述中间层112和所述黑化层111的所述减反射复合膜110，所述黑化层111用于减少显示面板内部的所述金属层120对外部环境光线的反射，其中所述黑化层111的上、下表面对入射光的反射和折射能够在反射方向获得相干光束，使得反射光干涉相消，进而降低反射率，以达到减反射效果，进而提高画面的对比度；同时在所述黑化层111与所述金属层120之间设置所述中间层112来提高所述黑化层111与所述金属层120的附着力，避免因所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳导致所述黑化层111与所述金属层120之间出现空隙(甚至剥落)而影响所述黑化层111的减反射效果。
在一实施方式中，所述黑化层111的材料为MoaXbOcNd、MoaXbWe、MoaXbCf或AlaObNg；其中，Mo为钼；X为钽、钒、镍、铌、锆、钨、钛、铼及铪中的至少一种；O为氧；N为氮；W为钨；C为碳；Al为铝；a、e、f为大于0的有理数；b、c、d及g均为大于或等于0的有理数，且c与d不同时为0，且b与g不同时为0。需要说明的是，所述黑化层111为单一膜层。
在一实施方式中，为了保证黑化层111的减反效果同时兼顾成本，所述黑化层111的厚度为15至40纳米。在上述厚度范围的黑化层111具有较好的干涉相消及减反射效果。可以理解的是，所述黑化层111的厚度可以在15至40纳米之间任意取值，如15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、40或其他在15至40范围内的未列举数值。所述黑化层111的厚度在15至40纳米之间能够使得所述中间层112与所述黑化层111之间具有较好的附着力。
在一实施方式中，所述中间层112的材料可以为合金，且所述中间层112的材料与所述金属层120的材料不同，所述中间层112的材料与所述黑化层111的材料不同；其中，所述合金包括钼钛合金(MoTi)、钼铌合金(MoNb)及钼钽合金(MoTa)中的一种。例如，所述金属层120的材料为铜，所述中间层112的材料为钼钛合金(MoTi)，所述黑化层111的材料为钼钛氮氧化物；又如，所述金属层120的材料为铜，所述中间层112的材料为钼铌合金(MoNb)，所述黑化层111的材料为钼铌钨合金；又如，所述金属层120的材料为铜，所述中间层112的材料为钼钽合金(MoTa)，所述黑化层111的材料为钼钽氧化物；又如，所述金属层120的材料为铝，所述中间层112的材料为钼钛合金(MoTi)，所述黑化层111的材料为氧化铝、氮化铝或氮氧化铝。需要说明的是，所述中间层112为由合金材料制备成的单一膜层。
所述中间层112采用合金相比于单独的纯金属膜层具有更好的附着效果，例如，所述中间层112采用钼钛合金(MoTi)形成的单一膜层相比于单独的一层钼膜或一层钛膜具有更好的附着效果，尤其是当所述中间层112与所述黑化层111包含相同元素时，所述中间层112与所述黑化层111之间还能够相互扩散提升介面作用力，进而具有更好的附着效果。
另一实施方式中，所述中间层112的材料还可以为透明导电材料；其中，所述透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)及铟镓锌氧化物(IGZO)中的一种。所述中间层112采用透明导电材料同样可以解决所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳的问题，进而避免因附着力不佳影响所述黑化层111的减反射效果。
在一实施方式中，所述中间层112的厚度范围为10至60纳米。可以理解的是，所述中间层112的厚度可以在10至60纳米内任意取值，例如10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60或在10至60纳米之间为列举的其他数值。所述中间层112的厚度范围在10至60纳米之间能够使得所述中间层112与所述黑化层111以及所述中间层112与所述金属层120具有较好的附着力，进而避免所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳而影响所述黑化层111的减反效果。
由于所述中间层112的材质和厚度对所述中间层112与所述黑化层111之间的附着力以及所述中间层112与所述金属层120之间的附着力会产生影响。发明人在研究过程中发现，若所述中间层112的材料为合金，所述中间层112的厚度范围优选为15至60纳米，黑化层111的厚度优选为15至40纳米，能够使得所述中间层112与所述黑化层111以及所述中间层112与所述金属层120具有较好的附着力，进而避免所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳而影响所述黑化层111的减反效果；若所述中间层112的材料为透明导电材料，所述中间层112的厚度范围优选为10至30纳米，黑化层111的厚度优选为15至35纳米，能够使得所述中间层112与所述黑化层111以及所述中间层112与所述金属层120具有较好的附着力，进而避免所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳而影响所述黑化层111的减反效果。
需要说明的是，所述减反射复合膜110可以应用到液晶显示面板(LCD，LiquidCrystal Display)，也可以应用于有机发光二极管显示面板(OLED，OrganicLight-Emitting Diode)，还可以应用到透明显示器中，即本申请实施例所述显示面板可以为液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)，也可以为有机发光显示面板(OLED)，还可以为透明显示器。以下，本申请实施例以液晶显示面板为例进行举例说明。
请参阅图4，示例性的，所述显示面板还包括对置的薄膜晶体管阵列基板100和对侧基板200，以及位于所述薄膜晶体管阵列基板100与所述对侧基板200之间的液晶层300。所述金属层120包括位于所述薄膜晶体管阵列基板100的像素区的第一金属层121和第二金属层122。所述对侧基板200朝向显示面板外部环境光，即显示面板外部的环境光由对侧基板200射入，经所述液晶层300射向所述薄膜晶体管阵列基板100。需要说明的是，所述第一金属层121和所述第二金属层122之间的位置关系无特殊要求，所述第一金属层121和所述第二金属层122在所述衬底基板130上的垂直投影可以是完全重叠的(如图4所示)，也可以是部分重叠，还可以是无重叠。
请继续参阅图4，示例性的，所述薄膜晶体管阵列基板100包括：衬底基板130，第一金属层121，第一绝缘层140，第二金属层122，第二绝缘层150，色阻层160，第三绝缘层170和像素电极层180。所述衬底基板130例如为玻璃基板。所述第一金属层121设在所述衬底基板130上。所述第一金属层121的表面覆盖有所述减反射复合膜110；所述减反射复合膜110包括黑化层111和中间层112，所述黑化层111设置在所述第一金属层121和/或所述第二金属层122朝向显示面板外部环境光射入方向一侧的表面，所述中间层112设在所述黑化层111与所述第一金属层121之间。所述第一绝缘层140覆盖在所述衬底基板130及设在所述第一金属层121上的所述减反射复合膜110之上。所述第二金属层122设在所述第一绝缘层140之上。所述第二金属层122的表面也覆盖有所述减反射复合膜110；所述减反射复合膜110包括黑化层111和中间层112，所述黑化层111设置在所述第二金属层122朝向显示面板外部环境光射入方向一侧的表面，所述中间层112设在所述黑化层111与所述第二金属层122之间。所述第二绝缘层150覆盖在所述第一绝缘层140及设在所述第二金属层122上的所述减反射复合膜110之上。所述色阻层160设在所述第二绝缘层150之上，包括R色阻、G色阻和B色阻，相邻色阻之间可以有交叠。所述第三绝缘层170覆盖在所述色阻层160上。所述像素电极层180形成在所述第三绝缘层170之上。所述像素电极层180的材料例如为ITO。
请继续参阅图4，所述对侧基板200包括透明基板210，黑矩阵层220以及公共电极230。外部环境光源从所述透明基板210入射。所述透明基板210例如为玻璃基板。所述黑矩阵层220设置在所述透明基板210靠近所述液晶层300的一侧，并且所述黑矩阵层220具有多个透光孔221和包绕所述多个透光孔221的遮光部222，其中所述多个透光孔221用于透光以使所述色阻层160的光线能够射出显示面板外部，进而实现像素显示；所述黑矩阵层220的非透光孔的区域用于防止R色阻、G色阻和B色阻之间混色。所述公共电极230覆盖在所述黑矩阵层220和所述透明基板210上。所述公共电极230的材料例如为ITO。
请参阅图3至图6，本申请实施例还提供了一种前述显示面板的制备方法，包括：
S1、提供一金属层120。所述显示面板包括薄膜晶体管阵列基板100。所述金属层120可以是薄膜晶体管的栅极、源极和/或漏极，也可以是一些其他金属走线(如数据线，扫描线等)，尤其是位于薄膜晶体管阵列基板100的像素区的表面金属线路层。在一实施例中，所述金属层120的材料包括铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)及钛(Ti)中的至少一种。所述金属层120可以是单层金属，例如：铜膜、铝模、钼膜、钛膜等，也可以是多层金属，例如，铜钼叠层，钼铜钼叠层，还可以是合金材料形成的单一膜层，例如钼钛合金形成的单一膜层。
S2、在所述金属层120的表面制备减反射复合膜110，以减少所述金属层120对外部环境光的反射。所述减反射复合膜110包括黑化层111和中间层112，所述中间层112位于所述金属层120与所述黑化层111之间，按照外部环境光线的射入显示面板的方向(如图3所示)所述减反射复合膜110与所述金属层120的叠置顺序由上至下依次为：所述黑化层111、中间层112及所述金属层120。
本申请实施例将所述黑化层111设在所述金属层120朝向外部环境光一侧的表面，用于接收外部光源射向所述金属层120的光。所述黑化层111对外部光线的反射率小于所述金属层120对外部光线的反射率。本申请实施例将所述中间层112设置在所述黑化层111与所述金属层120之间，用于提高所述黑化层111与所述金属层120之间的附着力，避免因所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳而影响所述黑化层111的减反射效果，同时还能避免所述黑化层111与所示金属层120在图案化过程中因附着力不佳而导致图案缺失，进而影响所述黑化层111的减反射效果和产品的良率。
在一实施方式中，所述中间层112的材料为合金，且所述中间层112的材料与所述金属层120的材料不同，所述中间层112的材料与所述黑化层111的材料不同。所述合金包括钼钛合金(MoTi)、钼铌合金(MoNb)及钼钽合金(MoTa)中的一种。需要说明的是，所述中间层112为由合金材料制备成的单一膜层。所述中间层112的材料为合金时，可以与所述金属层120一次刻蚀完成图案化，减少制程步骤，示例性的，所述制备方法包括：制备一金属膜层，在所述金属膜层的表面制备中间膜层，再在所述中间层112远离所述金属层120一侧的表面制备黑化层膜层，然后对所述中间膜层、所述金属膜层和所述黑化层膜层一起图案化，得到中间层112、金属层120及黑化层111。
在另一实施方式中，所述中间层112的材料为透明导电材料；其中，所述透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)及铟镓锌氧化物(IGZO)中的一种。所述中间层112采用透明导电材料同样可以解决所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳的问题，进而避免因附着力不佳影响所述黑化层111的减反射效果。所述中间层112的材料为透明导电材料时，示例性的，所述制备方法包括：制备一金属膜层，在所述金属膜层的表面制备中间膜层，再在所述中间层112远离所述金属层120一侧的表面制备黑化层膜层，对所述黑化层膜层图案化得到所述黑化层111，再对所述中间膜层图案化得到所述中间层112，然后再对所述金属膜层图案化得到金属层120。
在一实施方式中，所述中间层112的厚度范围为10至60纳米。可以理解的是，所述中间层112的厚度可以在10至60纳米内任意取值，例如10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60或在10至60纳米之间为列举的其他数值。所述中间层112的厚度范围在10至60纳米之间，能够使得所述中间层112与所述黑化层111以及所述中间层112与所述金属层120具有较好的附着力，进而避免所述黑化层111与所述金属层120附着力不佳而影响所述黑化层111的减反效果。所述黑化层111可以选择对应的靶材采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)溅镀而成，例如真空蒸镀、溅射镀膜方法等；也可以选择对应的合金靶材在PVD制程时通入氧气或氮气或二氧化碳制备而成，例如，生成金属氧化物、金属氮氧化物、金属氮化物等物质。
在一实施方式中，所述黑化层111的材料为MoaXbOcNd、MoaXbWe、MoaXbCf或AlaObNg；其中，Mo为钼；X为钽、钒、镍、铌、锆、钨、钛、铼及铪中的至少一种；O为氧；N为氮；W为钨；C为碳；Al为铝；a、e、f为大于0的有理数；b、c、d及g均为大于或等于0的有理数，且c与d不同时为0，且b与g不同时为0。需要说明的是，所述黑化层111为单一膜层。
在一实施例中，为了保证刻蚀后的截面效果，所述MoaXbOcNd、MoaXbWe或MoaXbCf中X的质量百分比为3％至20％。发明人在研究过程中发现，将X的质量百分含量控制在3％至20％之间，能够使得所述黑化层111刻蚀后具有较好的截面图案(如图6所示)，避免刻蚀速度过快导致所述黑化层111图案缺失而影响减反射效果。
在一实施方式中，为了保证黑化层111的减反效果同时兼顾成本，所述黑化层111的厚度为15至40纳米。在上述厚度范围的黑化层111具有较好的干涉相消及减反射效果。可以理解的是，所述黑化层111的厚度可以在15至40纳米之间任意取值，如15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、40或其他在15至40范围内的未列举数值。
在制备所述黑化层111的过程中需要进行图案化，图案化过程中需要用到遮光的光刻胶，由于所述黑化层111的膜质属于亲水性膜层，其与光刻胶(一般为有机系材料)的附着力较差，在湿蚀刻过程中容易发生光刻胶剥落导致黑化层111被蚀刻液腐蚀，使得所述黑化层111的图案缺失，进而影响所述黑化层111的减反射效果，甚至腐蚀至所述金属层120而影响产品的良率。因此，为了提高黑化层111的附着力，本申请实施例所述制备方法还包括：
S3、在所述黑化层111远离所述中间层112一侧的表面进行等离子处理(AirPlasma，AP)。
由于等离子处理过程中氧气经由电浆解离会产生大量的自由基粒子，这些自由基粒子会与所述黑化层111的表面起反应，尤其氧自由基容易与油性物质或与低分子有机物反应产生挥发性的产物，进而被钝性气体带走，使得所述黑化层111的表面状态得到改善，进而改善了所述黑化层111表面的附着力，因此，通过对所述黑化层111远离所述中间层112一侧的表面进行等离子处理能够改善所述黑化层111的附着力，进而在黑化层111图案化过程中增强所述黑化层111与光刻胶的附着力，避免因所述黑化层111与光刻胶不佳导致黑化层111的图案缺失而影响所述黑化层111的减反射效果。
所述等离子处理采用等离子表面处理机。等离子处理的条件可以根据刻蚀时间和膜层厚度进行调整，优选为1至2次处理。等离子处理的气体例如为空气和惰性气体，其中惰性气体例如为氮气、氩气等。较优的，所述等离子处理是在电压为10至14千伏(KV)、惰性气体的流量为350至450升每分钟(L/min)、空气流量为2至3升每分钟(L/min)的条件下处理5至120秒；最优的，所述等离子处理是在电压为12.0千伏(KV)、惰性气体的流量为400升每分钟(L/min)、空气流量为2.4升每分钟(L/min)的条件下处理20至60秒。在上述条件下进行等离子处理能够较好的改善所述黑化层111附着力。需要说明的是，电压为10至14千伏应当理解为电压可以在该范围内任意取值，例如10.0、10.3、10.5、10.8、11.0、11.3、11.5、11.8、12.0、12.3、12.5、12.8、13.0、13.3、13.5、13.8、14.0或在10至14千伏范围内的其他未列举数值；惰性气体的流量为350至450升每分钟(L/min)应当理解为惰性气体的流量可以在350至450升每分钟(L/min)范围内任意取值，例如350、360、370、380、390、400、410、420、430、440、450或在350至450升每分钟(L/min)范围内的其他未列举数值；空气流量为2至3升每分钟(L/min)应当理解为空气流量可以在2至3升每分钟(L/min)内任意取值，例如2、2.2、2.4、2.6、2.8、3或在2至3升每分钟(L/min)范围内其他未列举数值；处理5至120秒应当理解为处理时间可以在5至120秒范围内任意取值，例如5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120或在5至120秒范围内的其他未列举数值。另外，需要说明的是，本申请实施例所述显示面板可以为液晶显示面板(LCD，Liquid CrystalDisplay)，也可以为有机发光显示面板(OLED)，还可以为透明显示器。以下，本申请实施例以液晶显示面板的制备方法为例进行举例说明。
请参考图4，所述显示面板还包括对置的薄膜晶体管阵列基板100和对侧基板200，以及位于所述薄膜晶体管阵列基板100与所述对侧基板200之间的液晶层300。所述金属层120包括位于所述薄膜晶体管阵列基板100的像素区的第一金属层121和第二金属层122。所述对侧基板200朝向显示面板外部环境光，即显示面板外部的环境光由对侧基板200射入，经所述液晶层300射向所述薄膜晶体管阵列基板100。
示例性的，请参考图4，所述显示面板的制备方法包括：
S10、制备薄膜晶体管阵列基板100，包括：
S100、提供一衬底基板130，例如玻璃基板；
S101、在所述衬底基板130上制备第一金属层121和减反射复合膜110，并使所述减反射复合膜110形成在所述第一金属层121朝向显示面板外部环境光一侧的表面上，其中所述减反射复合膜110包括黑化层111和中间层112，所述中间层112位于所述金属层120与所述黑化层111之间；
S102、制备第一绝缘层140，使其覆盖所述衬底基板130及所述黑化层111；
S103、在所述第一绝缘层140之上制备第二金属层122，在所述第二金属层122朝向显示面板外部环境光一侧的表面上制备减反射复合膜110，其中所述减反射复合膜110包括黑化层111和中间层112，所述中间层112位于所述金属层120与所述黑化层111之间；
S104、制备第二绝缘层150，使其覆盖所述第一绝缘层140及所述黑化层111。
S105、在所述第二绝缘层150上制备色阻层160，包括R色阻、G色阻和B色阻，相邻色阻之间可以有交叠；
S106、在所述色阻层160上制备第三绝缘层170；
S107、在所述第三绝缘层170上制备像素电极层180，所述像素电极层180的材料例如为ITO。
示例性的，在步骤S101或步骤S103中，若所述中间层112采用透明导电材料，在所述衬底基板130上制备一金属膜层，在所述金属膜层的表面制备中间膜层，再在所述中间层112远离所述金属层120一侧的表面制备黑化层膜层，对所述黑化层膜层图案化得到所述黑化层111，再对所述中间膜层图案化得到所述中间层112，然后再对所述金属膜层图案化得到第一金属层121或第二金属层122；若所述中间层112采用合金材料，在所述衬底基板130上制备一金属膜层，在所述金属膜层的表面制备中间膜层，再在所述中间层112远离所述金属层120一侧的表面制备黑化层膜层，然后对所述中间膜层、所述金属膜层和所述黑化层膜层一起图案化，得到中间层112、第一金属层121或第二金属层122及黑化层111。
S20、制备对侧基板200，包括：
S201、提供一透明基板210，所述透明基板210例如为玻璃基板；
S202、在透明基板210上制备黑矩阵层220，所述黑矩阵层220包括多个透光孔221和包围所述多个透光孔221的遮光部222，所述遮光部222的位置与所述色阻层160的各个色阻交叠的位置相对应以防止各色阻(即R色阻、G色阻、B色阻)之间混色，所述多个透光孔221用于透光以实现像素显示；
S203、制备公共电极230，使其覆盖在所述透明基板210与所述黑矩阵层220上；
S30、将所述对侧基板200与所述制备薄膜晶体管阵列基板100进行对盒，并在所述对侧基板200与所述制备薄膜晶体管阵列基板100之间设置液晶层300。显示面板外部的环境光由对侧基板200射入。
本申请制备方法实施例中没有详述的部分请参见显示面板实施例的相关描述，且本申请上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本申请实施例通过在黑化层111和金属层120之间设置中间层112来提高黑化层111与金属层120之间的附着力，既能够保证黑化层111的减反射效果，又能够避免图案化过程中黑化层111图案缺失而影响减反射效果，并且通过对黑化层111远离金属层120一侧的表面进行等离子处理改善所述黑化层111的表面状态，进而增强所述黑化层111与光刻胶的附着力，避免图案化过程中所述黑化层111图案缺失而影响减反射效果。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，所述显示面板包括金属层，其特征在于，所述金属层上设有减反射复合膜；所述减反射复合膜包括中间层及黑化层，所述中间层位于所述金属层与所述黑化层之间，所述中间层的材料为合金或透明导电材料，且所述中间层的材料与所述金属层的材料不同。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述合金包括钼钛合金、钼铌合金及钼钽合金中的一种；所述透明导电材料包括氧化铟锡、铟锌氧化物及铟镓锌氧化物中的一种。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述中间层的厚度范围为10至60纳米；所述黑化层的厚度范围为15至40纳米。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述黑化层的材料为MoaXbOcNd、MoaXbWe、MoaXbCf或AlaObNg；其中，Mo为钼；X为钽、钒、镍、铌、锆、钨、钛、铼及铪中的至少一种；O为氧；N为氮；W为钨；C为碳；Al为铝；a、e、f为大于0的有理数；b、c、d及g均为大于或等于0的有理数，c与d不同时为0，b与g不同时为0。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属层的材料包括铜、铝、钼及钛中的至少一种。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一金属层；及
在所述金属层的表面制备减反射复合膜，其中所述减反射复合膜包括黑化层和中间层，所述中间层位于所述金属层与所述黑化层之间，所述中间层的材料为合金或透明导电材料，且所述金属层的材料与所述中间层的材料不同。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述合金包括钼钛合金、钼铌合金及钼钽合金中的一种；所述透明导电材料包括氧化铟锡、铟锌氧化物及铟镓锌氧化物中的一种。
8.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：S3、在所述黑化层远离所述中间层一侧的表面进行等离子处理。
9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述黑化层的材料为MoaXbOcNd、MoaXbWe、MoaXbCf或AlaObNg；其中，Mo为钼；X为钽、钒、镍、铌、锆、钨、钛、铼及铪中的至少一种；O为氧；N为氮；W为钨；C为碳；Al为铝；a、e、f为大于0的有理数；b、c、d及g均为大于或等于0的有理数，c与d不同时为0，b与g不同时为0。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述MoaXbOcNd、MoaXbWe或MoaXbCf中X的质量百分比为3％至20％。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002098803A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明導電・反射防止フイルム及びそれを用いた表示装置 |
| CN109860306A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种晶体管、阵列基板、显示面板及其制造方法 |
| CN110993651A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法 |
| CN111047971A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及电子装置 |
| CN111081766A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN111244034A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
-
2021
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002098803A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明導電・反射防止フイルム及びそれを用いた表示装置 |
| CN109860306A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种晶体管、阵列基板、显示面板及其制造方法 |
| CN110993651A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法 |
| CN111047971A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及电子装置 |
| CN111081766A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN111244034A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
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