JP2018180098A - 積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】透明な基材と、基材に積層されて電極形成する金属層とを有し、低抵抗な電極が形成可能で且つ高温環境下においても外部からの光の反射を低減する効果が良好に維持される積層体を提供する。【解決手段】（ａ）透明な基材12と、（ｂ）基材12に積層されて電極形成する金属層14と、（ｃ）金属層14の基材12とは反対側の面に設けられた第１の保護層15a、及び／又は、金属層14の基材12の側の面に設けられた第２の保護層15bと、（ｄ）第１の保護層15aの金属層14とは反対側の面に設けられた第１の光反射低減層16a、及び／又は、基材12と第２の保護層15bとの間に設けられた第２の光反射低減層16bと、を備えて積層体10A，20Aを構成する。ここで保護層15a，15bはＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金から成り、光反射低減層16a，16bはＮｉＣｕ合金酸化物，ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物又はＮｉＣｕＣｒ合金酸化物から成っている。【選択図】 図１

Description

この発明は透明な基材と、これに積層されて電極形成する金属層とを有する積層体に関し、詳しくはタッチパネルにおけるタッチ操作検出用のセンサ（タッチパネルセンサ）に好適に使用可能な積層体に関する。

タッチパネルは、液晶パネルで代表される表示装置（ディスプレイ装置）の上面にタッチ操作検出用のセンサ（タッチパネルセンサ）を重ねて、表示と入力の２つの機能を融合した装置である。このタッチパネルでは、操作者が画面上の表示をタッチ操作すると、操作された位置の情報が外部に信号として出力され、そして外部装置が操作位置の位置情報に基づいて操作者が望む適切な動作を行う。

タッチパネルは、操作が直感的に理解し易くて扱い易く、またキーボードレスで入力装置と表示装置とを一体化でき、小型化できる等の利点から、銀行のＡＴＭや駅の切符販売機，図書館の情報端末，コピー機，カーナビ，携帯電話，携帯情報端末，携帯ゲーム機，ファックス等に広く用いられている。

タッチパネルにおけるタッチ操作の検出方式には抵抗膜方式，静電容量方式等があり、また静電容量方式にも表面型静電容量方式，投影型静電容量方式があるなど様々であるが、マルチタッチやジェスチャー操作が可能な投影型静電容量方式が携帯電話やタブレットＰＣ等に広く用いられている。

この投影型静電容量式のタッチパネルセンサにあっては、使用者が画面タッチすると電極と電極との間の静電容量の変化を検知してタッチ位置を検出する。ここでタッチパネルセンサは、Ｘ軸方向の電極（以下Ｘ側電極とすることがある）とＹ軸方向の電極（以下Ｙ側電極とすることがある）とを有しており、Ｘ側電極でＸ方向の位置を、Ｙ側電極でこれと直交するＹ方向の位置を検出する。そしてそれらＸ側電極とＹ側電極とによって２次元のタッチ位置を特定する。

従来のタッチパネルセンサにおいては、電極として透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）電極が用いられているが、この電極は抵抗値が高く、消費電力が大きいため大型パネルには不向きであるといった問題がある。またＩＴＯ電極の場合、コストが高いといった問題点も有している。
そこで近年、極細の金属線を格子状に並べて成る金属電極が注目されている。この金属電極にあっては、抵抗値が小さく、高感度であることから大型パネルに適用でき、また消費電力も小さく電池の持ちも良くなる他、コスト的にも安価である等の様々な利点を有している。

しかしながら一方で、この金属線を用いた金属電極の場合、金属線が不透明で金属光沢を有することから、外部からの光がこの金属線に当って反射し、その反射光によって表示部に対する視認性が低下する問題を有している。

本発明者らは、下記特許文献１で示すように、金属電極となる金属層をＣｕ合金で形成するとともに、金属層の表面に反射低減膜としての金属酸化膜を形成した積層体を提案した。このように構成された積層体にあっては、低抵抗の電極が形成され、また金属層からの光の反射を抑制し視認性を確保することが可能である。しかしながら、高温環境下において金属電極からのＣｕ原子の拡散が生じ、かかるＣｕが積層体の表面で酸化物を生成する場合があり、反射低減膜として機能する金属酸化膜の膜厚変化による反射低減効果の低下が懸念されることから、更なる改善の余地があった。

尚、下記特許文献２には「Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材」についての発明が示され、Ｃｕ電極の表面上にＮｉＣｕ合金の保護膜を形成するようになした点が開示されている。しかしながら特許文献２に記載のものは、金属電極における光の反射を抑制するための具体的な手段を備えておらず、また特許文献２に記載のものは、保護膜（ＮｉＣｕ合金）にＴｉ若しくはＣｒが含有されておらず本発明とはその組成が異なっている。

一方、下記特許文献３には「積層配線膜」についての発明が示され、そこにおいて、透明基材上にＮｉ合金からなる反射低減膜（中間膜）を形成し、その直上に低抵抗の導電性金属膜を積層して成る構成とし、透明基板側から測定した可視光反射率を２０％以下とした点が開示されている。しかしながら、特許文献３に記載のものは、導電性金属膜と反射低減膜との間に別組成の保護膜を備えておらず本発明とは異なっている。

特開２０１６−１９０４０５号公報 特開２０１１−５２３０４号公報 特開２０１５−７９９４１号公報

本発明は以上のような事情を背景とし、透明な基材と、基材に積層されて電極形成する金属層とを有し、低抵抗な電極が形成可能で且つ高温環境下においても外部からの光の反射を低減する効果が良好に維持される積層体を提供することを目的としてなされたものである。

而して請求項１のものは、（ａ）透明な基材と、（ｂ）該基材に積層されて電極形成する金属層と、（ｃ）前記金属層の前記基材とは反対側の面に設けられた第１の保護層、及び／又は、前記金属層の前記基材の側の面に設けられた第２の保護層と、（ｄ）前記第１の保護層の前記金属層とは反対側の面に設けられた第１の光反射低減層、及び／又は、前記基材と前記第２の保護層との間に設けられた第２の光反射低減層と、を備え、
前記金属層は、Ｃｕ又はＣｕ含有量が９０ａｔ％以上であるＣｕ合金から成り、
前記第１の保護層は、Ｎｉ_a1Ｃｕ_b1Ｔｉ_c1合金又はＮｉ_a2Ｃｕ_b2Ｃｒ_c2合金から成り、
前記第２の保護層は、Ｎｉ_a3Ｃｕ_b3Ｔｉ_c3合金又はＮｉ_a4Ｃｕ_b4Ｃｒ_c4合金から成り、
前記第１の光反射低減層は、Ｎｉ_d1Ｃｕ_e1合金酸化物，Ｎｉ_f1Ｃｕ_g1Ｔｉ_h1合金酸化物又はＮｉ_i1Ｃｕ_j1Ｃｒ_k1合金酸化物から成り、
前記第２の光反射低減層は、Ｎｉ_d2Ｃｕ_e2合金酸化物，Ｎｉ_f2Ｃｕ_g2Ｔｉ_h2合金酸化物又はＮｉ_i2Ｃｕ_j2Ｃｒ_k2合金酸化物から成り、
前記第１の光反射低減層の側から前記金属層に向かう入射光に対する第１の反射率、又は、前記第２の光反射低減層の側から前記金属層に向かう入射光に対する第２の反射率が２０％以下であることを特徴とする積層体。
ここで、添字ａ１〜ｋ２はそれぞれの元素の含有量（ａｔ％）を示し、
２５≦ａ１≦６９、３０≦ｂ１≦７０、１≦ｃ１≦５、
２５≦ａ２≦６９、３０≦ｂ２≦７０、１≦ｃ２≦５、
２５≦ａ３≦６９、３０≦ｂ３≦７０、１≦ｃ３≦５、
２５≦ａ４≦６９、３０≦ｂ４≦７０、１≦ｃ４≦５、
３０≦ｄ１≦７０、３０≦ｅ１≦７０、２５≦ｆ１≦６９、３０≦ｇ１≦７０、０＜ｈ１≦５、２５≦ｉ１≦６９、３０≦ｊ１≦７０、０＜ｋ１≦５、
３０≦ｄ２≦７０、３０≦ｅ２≦７０、２５≦ｆ２≦６９、３０≦ｇ２≦７０、０＜ｈ２≦５、２５≦ｉ２≦６９、３０≦ｊ２≦７０、０＜ｋ２≦５、である。
尚、第１の光反射低減層及び第２の光反射低減層を構成する元素に対応する添字ｄ１〜ｋ２は、酸素を除いた含有量を示している。

請求項２のものは、請求項１において、前記第１の保護層及び前記第２の保護層の厚みが、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする。

請求項３のものは、請求項１，２の何れかにおいて、前記第１の光反射低減層がＮｉ_f1Ｃｕ_g1Ｔｉ_h1合金酸化物から成り、前記第２の光反射低減層がＮｉ_f2Ｃｕ_g2Ｔｉ_h2合金酸化物から成ることを特徴とする。
ここで、添字ｆ１〜ｈ２はそれぞれの元素の含有量（ａｔ％）を示し、
２５≦ｆ１≦６９、３０≦ｇ１≦７０、０＜ｈ１≦５、２５≦ｆ２≦６９、３０≦ｇ２≦７０、０＜ｈ２≦５、である。

請求項４のものは、請求項１〜３の何れかにおいて、前記金属層が、Ｃｕ_lＺｎ_mＸ_n合金から成ることを特徴とする。
ここで、Ｘは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｎｉ及びＢの群から選択された１種又は２種以上の元素であり、添字ｌ，ｍ，ｎはそれぞれの元素の含有量（ａｔ％）を示し、９０≦ｌ≦９９．８、０．１≦ｍ≦１０、０．１≦ｎ≦６、である。

本発明は、透明な基材と、電極形成する金属層とを備えて積層体を構成するに際して、金属層の基材とは反対側（即ち、基材を下側とし金属層を上側としたときの金属層の上側）、及び／又は、金属層と基材との間に、ＮｉＣｕ合金酸化物，ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物又はＮｉＣｕＣｒ合金酸化物から成る光反射低減層を設け、金属層に向かう入射光に対する反射率を２０％以下としたものである。

所定の組成範囲内にあるＮｉＣｕ合金酸化物，ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物又はＮｉＣｕＣｒ合金酸化物から成る光反射低減層は、半透明の膜となるため、外部より金属層に向かって入射する光の一部は光反射低減層の表面で反射する一方、残りの光は光反射低減層内を通過し、後述する保護層の表面（詳しくは光反射低減層と保護層との界面）で反射する。このようにして本発明では外部からの入射光に対して２つの反射光を発生させる。この２つの反射光の間には、光反射低減層の厚みに基づく位相差が生じており、本発明では保護層の表面からの反射光と、光反射低減層の表面からの反射光とを干渉させることで、外部からの光の入射に対する反射を低く抑えることができる。

本発明に従って金属層の上面に光反射低減層（第１の光反射低減層）を積層形成した場合には、金属層の側から基材の側に向って入射する光の、金属層（詳しくは保護層）からの反射光を低く抑えることができる。従って積層体をタッチパネルセンサに適用した場合において、金属電極により表示部に対する視認性が悪化するのを実質的に防いで、良好な視認性を確保することが可能となる。

一方、金属層と基材との間に第２の光反射低減層を積層形成した場合にあっては、基材を上側とし、金属層を下側とする向きに積層体を配置した場合において、基材の側から金属層の側に向って外部からの光が入射した場合、金属層（詳しくは保護層）による光の反射を抑制して良好な視認性を確保することが可能となる。

積層体の積層構造をこのような構造としておくことで、かかる積層体を用いてタッチパネルセンサを構成する際、金属層が上側となり、基材が下側となる向きで積層体を配置した場合であっても、或いはその逆に基材の側が上側となり、金属層が下側となる向きで積層体を配置した場合であっても、上側から下側に向う外部からの光の入射に対する反射を低く抑えることができ、電極形成する金属層が表示部に対する視認性を害するのを実質的に防いで、視認性を高く確保することが可能である。

本発明では、金属層の基材とは反対側の面、及び／又は、金属層の基材の側の面に、ＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金から成る保護層を設けたことを１つの特徴としている。
所定の組成範囲内にあるＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金から成る保護層は、金属層に密着して高温環境下における金属層からのＣｕ原子の拡散を防止するバリア効果を有することから、高温環境下でＣｕ酸化膜が生成されて光反射低減膜として機能する酸化膜の膜厚が変動（増加）してしまうのを防止して、反射低減の効果を維持することができる。

また、所定の組成範囲内にあるＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金から成る保護層は、金属膜と良好に密着して金属層を構成するＣｕ又はＣｕ合金の酸化・変色等を防止することができる。

次に、本発明の積層体にて形成される各層における化学成分の限定理由を以下に説明する。尚、本発明における金属層、保護層及び光反射低減層には不可避的不純物が含まれ得る。
［金属層］
金属層は、Ｃｕ又はＣｕ含有量が９０ａｔ％以上であるＣｕ合金から成る。Ｃｕ合金において、Ｃｕの含有量を９０ａｔ％以上とするのは、従来金属配線材料として用いられていたＡｌよりも電気抵抗を低くするためである。本発明の金属層は、Ｃｕ又はＣｕ含有量が９０ａｔ％以上のＣｕ合金であれば特に限定されるものではないが、密着性を十分に高める上で、上記Ｃｕ合金は、Ｃｕを９０〜９９．８ａｔ％、Ｚｎを０．１〜１０ａｔ％で含有し、更にＭｇ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｎｉ及びＢの群から選ばれた１種又は２種以上のＸ元素を合計で０．１〜６ａｔ％含有するように合金化することが望ましい。

［保護層］
金属層に接して形成される保護層は、ＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金から成る。
保護層をＮｉＣｕＴｉ合金で形成した場合、Ｎｉを２５〜６９ａｔ％含有させる。Ｎｉ含有量をこのような範囲とすることで後述する所定の耐食性を得ることができる。また、Ｃｕは３０〜７０ａｔ％含有させる。Ｃｕ含有量をこのような範囲とすることで高温環境下においてＣｕ原子の拡散を防止する拡散バリア性を発揮させることができる。また、Ｔｉは１〜５ａｔ％含有させる。Ｔｉ含有量をこのような範囲とすることで金属層との密着性を向上させることができる。

保護層をＮｉＣｕＣｒ合金で形成した場合、Ｎｉを２５〜６９ａｔ％含有させる。Ｎｉ含有量をこのような範囲とすることで後述する所定の耐食性を得ることができる。また、Ｃｕは３０〜７０ａｔ％含有させる。Ｃｕ含有量をこのような範囲とすることで高温環境下においてＣｕ原子の拡散を防止する拡散バリア性を発揮させることができる。また、Ｃｒは１〜５ａｔ％含有させる。Ｃｒ含有量をこのような範囲とすることで金属層との密着性を向上させることができる。

尚、金属層の面を確実に被覆して十分な耐食性及び拡散バリア性を得るためには、保護層の厚みは１０〜２００ｎｍとすることが好ましい。

［光反射低減層］
光反射低減層は、ＮｉＣｕ合金酸化物，ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物又はＮｉＣｕＣｒ合金酸化物から成る。
光反射低減層をＮｉＣｕ合金酸化物で形成した場合、Ｎｉを３０〜７０ａｔ％含有させる。Ｎｉ含有量をこのような範囲とすることで優れた耐食性を得ることができる。本発明者らが耐食性について評価したところ、耐食性の効果はＮｉＣｕ酸化物＞Ｃｕ酸化物＞Ｎｉ酸化物であった。その理由は明らかではないが所定量のＮｉと所定量のＣｕを含む合金（固溶体）の酸化物となることで優れた耐食性が得られるものを推測される。
Ｃｕは３０〜７０ａｔ％含有させる。Ｃｕ含有量をこのような範囲とすることで上記耐食性の効果に加えて所定の反射率低減効果を得ることができる。尚、ＮｉＣｕ合金酸化物におけるＮｉ及びＣｕの含有量は酸素を除いて示したものである。

光反射低減層をＮｉＣｕＴｉ合金酸化物で形成した場合、Ｎｉを２５〜６９ａｔ％含有させ、Ｃｕは３０〜７０ａｔ％含有させる。Ｎｉ及びＣｕ含有量をこのような範囲とすることで上述のように優れた耐食性及び反射率低減効果を得ることができる。
また、Ｔｉは０超〜５ａｔ％含有させる。Ｔｉ含有量をこのような範囲とすることで、特に保護層との密着性を向上させることができる。より好ましい下限は１．０ａｔ％である。尚、ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物におけるＮｉ、Ｃｕ、Ｔｉの各含有量は酸素を除いて示したものである。

光反射低減層をＮｉＣｕＣｒ合金酸化物で形成した場合、Ｎｉを２５〜６９ａｔ％含有させ、Ｃｕは３０〜７０ａｔ％含有させる。Ｎｉ及びＣｕ含有量をこのような範囲とすることで上述のように優れた耐食性及び反射率低減効果を得ることができる。
また、Ｃｒは０超〜５ａｔ％含有させる。Ｃｒ含有量をこのような範囲とすることで、特に保護層との密着性を向上させることができる。より好ましい下限は１．０ａｔ％である。尚、ＮｉＣｕＣｒ合金酸化物におけるＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒの各含有量は酸素を除いて示したものである。

以上のような本発明によれば、透明な基材と、基材に積層されて電極形成する金属層とを有し、低抵抗な電極が形成可能で且つ高温環境下においても外部からの光の反射を低減する効果が良好に維持される積層体を提供することができる。

本発明の実施形態の積層体を示した図である。 同積層体の他の形態例を示した図である。 図１（Ａ）の積層体１０の製造手順を示す説明図である。 図１（Ｂ），図２（Ｃ）の積層体２０，２２の製造手順を示す説明図である。 タッチパネルセンサの要部の積層構造例を示した図である。 図５とは異なる積層構造例を示した図である。

次に本発明の実施形態を以下に詳しく説明する。
図１（Ａ）において、１０Ａは本発明の積層体の一例を示している。同図において１２は透明な基材で、この基材１２の一方の面（図中の上面）に、電極形成する金属層１４が基材１２全面に亘って膜状に積層されている。そしてこの金属層１４の、基材１２とは反対側の面即ち図中上面に、保護層１５ａが積層形成され、更に保護層１５ａの上面に金属層１４における反射を抑制するための光反射低減層１６ａが積層形成されている。この光反射低減層１６ａもまた、保護層１５ａの全面に亘って膜状に積層形成されている。この例における保護層１５ａ及び光反射低減層１６ａは、本発明における第１の保護層及び第１の光反射低減層に相当する。

透明な基材１２はソーダライムガラスなどのガラスであっても良く、またポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリプロピレン（ＰＰ），ポリスチレン（ＰＳ），ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリイミド（ＰＩ）などの樹脂材料であっても良い。樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が好ましい。また、基材１２の厚みは１０μｍ〜１０ｍｍの範囲内とするのが望ましい。より好ましい範囲は１００μｍ〜１ｍｍである。

電極形成する金属層１４は、スパッタリングによって基材１２の上面に積層形成されている。金属層１４は電気比抵抗が８．０μΩ・ｃｍ以下の導電性の高いものであるのが良く、本例ではそのような材料として、Ｃｕ又はＣｕ含有量が９０ａｔ％以上であるＣｕ合金を用いる。特にＣｕ合金としては、Ｚｎを含有し、更にＭｇ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｎｉ及びＢの群から選択された１種又は２種以上の元素を含有し、残部Ｃｕ及び不可避的不純物の組成のものを好適に用いることができる。
Ｍｇ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｎｉ及びＢの群から選ばれた元素（以下Ｘ元素とすることがある）をＺｎとともに含有したＣｕ合金では、所定温度（５０〜３２０℃，好ましくは１００〜２００℃）で熱処理することでＸ元素が基材の界面近傍に濃化するとともに、それ単独では濃化し難いＺｎもまたその界面近傍に濃化し、そして酸素との親和力の高いＺｎが界面に濃化することによって、Ｃｕ合金と透明の基材１２との密着性が高くなる。特に基材１２としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂を用いたときにその効果が高い。

密着性を十分に高める上で、上記Ｃｕ合金は、Ｚｎを０．１〜１０ａｔ％で含有し、またＭｇ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｎｉ及びＢの群から選ばれたＸ元素を合計で０．１〜６ａｔ％含有するように合金化することが望ましい。
尚、金属層１４は１０ｎｍ〜１μｍの厚みで積層しておくことが望ましい。より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

保護層１５ａもまた、スパッタリングによって金属層１４の図中上面に積層形成されている。ここで保護層１５ａは所定組成のＮiＣｕＴｉ合金若しくはＮiＣｕＣｒ合金から成るターゲット材料を用い、スパッタリングガスとしてターゲット材料とは非反応性のガスを用いた非反応性スパッタリングによって形成されている。尚、保護層１５ａは１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚みで積層しておくことが望ましい。

光反射低減層１６ａもまた、スパッタリングによって金属層１４の図中上面に、詳しくは保護層１５ａの上面に積層形成されている。光反射低減層１６ａは、ＮｉＣｕ合金，ＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金から成るターゲット材料を用いた反応性スパッタリングによりＮｉＣｕ合金酸化物，ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物又はＮｉＣｕＣｒ合金酸化物が形成されている。ＮｉＣｕ合金酸化物，ＮｉＣｕＴｉ合金酸化物又はＮｉＣｕＣｒ合金酸化物からなる光反射低減層１６ａは半透明の膜であり、可視光領域の光が光反射低減層１６ａの内部を透過することができる。
このため外部から金属層１４に向かって入射する光は、光反射低減層１６ａの表面でその一部が反射する一方、残りの光は光反射低減層１６ａ内を通過し保護層１５ａの表面（光反射低減層１６ａと保護層１５ａとの界面）で反射する。
そして本実施形態では、外部からの光の入射に対して発生した２つの反射光、即ち保護層１５ａの表面からの反射光と光反射低減層１６ａの表面からの反射光とを相互に干渉させることで、外部からの光の入射に対する反射光の反射率を２０％以下に抑えることができる。
ここで反射率２０％以下としているのは、反射率２０％を境として、それ以下であれば後述する金属の極細線による光反射をほとんど感じなくすることができ、タッチパネルの表示部に対する良好な視認性を確保できることによる。

尚、保護膜１５ａがＮｉＣｕＴｉ合金で、光反射低減層１６ａがＮｉＣｕＴｉ合金酸化物の場合には、共通のＮｉＣｕＴｉ合金から成るターゲット材を用いて、スパッタリング装置のチャンバ内のガス交換を行なうだけで保護層１５ａに続いて光反射低減膜１６ａを形成することが可能である。

積層体１０Ａは、実際にはこれを加工してタッチパネルセンサの要素として用いる。
１０は、その加工後の積層体を示している。加工後の積層体１０においては、加工前の積層体１０Ａにおける膜状の金属層１４の余分となる部分が除去されて多数の極細線Ｓ１のみが金属層１４として残されており、それら残された極細線Ｓ１が互いに平行をなして縞状パターンの電極１４Ｄを形成している。
保護層１５ａ及び光反射低減層１６ａもまた余分の部分が除去されて、極細線Ｓ１の図中上面を覆う部分のみが極細線Ｓ２及びＳ３となって残され、それらが極細線Ｓ１の図中上面に入射する光による極細線Ｓ１からの光の反射を抑制する働きをなしている。そのため、表示装置の表示に対する視認性が多数の極細線Ｓ１からなる電極１４Ｄからの光の反射によって実質的に損なわれることもなく、良好な視認性を確保することができる。尚、積層体１０において、極細線Ｓ１の線幅は０．５μｍ〜２０μｍの範囲内としておくことが望ましい。より好ましくは１μｍ〜１０μｍ、更に好ましくは１μｍ〜５μｍである。
尚、この実施形態における図１（Ａ）の積層体１０Ａ及び１０は、何れも本発明の積層体の概念に含まれるものである。後に説明する図１（Ｂ）の積層体２０Ａ及び２０，図２の積層体２２Ａ及び２２，２４Ａ及び２４についても同様である。

図３は、積層体１０Ａを経由して積層体１０を製造する手順の工程例を示している。
同図に示しているように積層体１０を製造するに当って、先ず図３（Ｉ），（II）に示すように透明の基材１２の上面に非反応性スパッタリングによって金属層１４及び保護層１５ａを基材１２全面に亘って膜状に積層形成する。
次いで（III）に示すように、保護層１５ａの上面に光反射低減層１６ａを反応性スパッタリングによって保護層１５ａ全面に亘り膜状に積層形成する。

その後、感光性のあるレジスト１８を光反射低減層１６ａの上面に全面に亘って膜状に施した後、図３（IV）に示すように露光を行って光反射低減層１６ａ，保護層１５ａ及び金属層１４の非除去部分のみレジスト１８を硬化により残存させて他を除去し、その後（Ｖ）に示すようにエッチングを行って金属層１４，保護層１５ａ及び光反射低減層１６ａのレジスト１８にてマスクされていない部分を部分的に除去し、続いて（VI）に示すようにレジスト１８を除去することによって、積層体１０を得る。
但しこれはあくまで製造方法の一例である。上記の例ではいわゆるウェットエッチング手法を用いているが、これに代えてドライエッチング手法を用いることも可能である。

図１（Ｂ）において、２０Ａは本実施形態における積層体の他の形態例を示している。
積層体２０Ａでは、金属層１４と透明の基材１２との間に、保護層１５ｂ及び光反射低減層１６ｂが積層形成されている。この例における保護層１５ｂ及び光反射低減層１６ｂは、本発明における第２の保護層及び第２の光反射低減層に相当する。
この積層体２０Ａにおいても、金属層１４，保護層１５ｂ及び光反射低減層１６ｂは何れもスパッタリングによって膜状に積層形成されている。

２０は、積層体２０Ａを実際のタッチパネルセンサの要素として用いるべく加工を加えた形態のもので、この積層体２０においては、金属層１４が所要部分を除いて部分的に除去されている。そして残った部分が多数の金属の極細線Ｓ１となって互いに平行に延び、縞状パターンの電極１４Ｄを形成している。
同様に保護層１５ｂ及び光反射低減層１６ｂもまた極細線Ｓ１に対応する部分を除いて他の余分の部分が除去され、そして残った部分の極細線Ｓ２，Ｓ３が、金属層１４、詳しくは電極１４Ｄの極細線Ｓ１の図中下面を覆っている。

図１（Ｂ）の積層体２０にあっては、タッチパネルセンサに適用するに際して、これを図に示したのとは上下逆向きに配置して用いることができる。このようにすることで、視認側となる図中下側から上向きに光が入射する場合、電極１４Ｄにて入射光が図中下向きに反射されるのを、光反射低減層１６ｂ、詳しくは細線Ｓ３にて、抑制することができる。これにより金属製の電極１４Ｄによって表示部に対する視認性が損なわれるのを実質的に防ぐことができる。
積層体２０はまた、タッチパネルセンサに適用するに際して、これを図１（Ｂ）に示した向きで配置し、用いることもできる。このように配置した場合には、図中下方に位置する表示装置の表示部からの上向きの出射光が下向きに反射され、その反射光が表示装置側に戻って表示部分に映り込むことにより視認性が損なわれるのを、光反射低減層１６ｂにて実質的に防ぐことができる。

積層体２０Ａ及び２０を製造するには、基本的に上記と同様の工程を経てその製造を行うことができる。図４（Ａ）にその工程例が示してある。

図２（Ｃ）において、２２Ａは本実施形態の積層体の更に他の形態例を示している。
この積層体２２Ａは、図中下側から上に向って透明の基材１２，光反射低減層１６ｂ，保護層１５ｂ，金属層１４，保護層１５ａ，光反射低減層１６ａが順に積層されている。
つまりこの例の積層体２２Ａにおいては、金属層１４の基材１２とは反対側の図中上面に保護層１５ａが積層形成されるとともに、金属層１４の下側においても、同様の保護層１５ｂが積層形成されている。尚、積層体２２Ａにおいて、金属層１４は基材１２全面に亘って膜状に積層形成されており、更に保護層１５ａ，１５ｂもまた、金属層１４全面に亘って膜状に積層形成されている。
更に、保護層１５ａの金属層１４とは反対側の面には光反射低減層１６ａが積層形成されるとともに、基材１２と保護層１５ｂとの間には光反射低減層１６ｂが積層成形されている。これら光反射低減層１６ａ，１６ｂもまた、保護層１５ａ，１５ｂの全面に亘って膜状に積層形成されている。

一方積層体２２においては、金属層１４は所要の部分を残して他の余分の部分が除去されており、残った多数の極細線Ｓ１が互いに平行をなして縞状パターンの電極１４Ｄを形成しており、同様にこれに対応して保護層１５ａ，１５ｂ，光反射低減層１６ａ，１６ｂも他の余分の部分が除去され、極細線Ｓ２，Ｓ３が金属層１４、詳しくは電極１４Ｄの極細線Ｓ１の図中上面と下面とを被覆しており、電極１４Ｄ（極細線Ｓ１）による図中上向き及び下向きの光の反射を抑制している。

この例の積層体２２にあっては、タッチパネルセンサへの適用に際してこれを表示装置の上面側に図２に示す向きで配置したとき、図中上方の外部からの下向きの入射光、及び下方の表示装置から上向きに出射されて積層体２２に入射する光の何れに対しても、図中上向き及び下向きの反射を抑制することができる。これにより金属線から成る電極１４Ｄを用いた場合においても、表示部に対する良好な視認性を確保することができる。尚、図２（Ｃ）の積層体２２Ａ及び２２を製造するに際しても、上記と同様の工程を経てこれらを製造することができる。図４（Ｂ）にその工程を具体的に示している。

図２（Ｄ）において、２４Ａは本実施形態の積層体の更に他の形態例を示している。
この例の積層体２４Ａは、透明の基材１２の一面側と他面側との両方に、金属層１４−１と１４−２とをそれぞれ設けた例である。積層体２４は積層体２４Ａを加工したもので、この積層体２４においては、一方の電極１４−１Ｄを構成する極細線Ｓ１に対して、他方の電極１４−２Ｄを構成する極細線Ｓ１が直交する方向に延びており、それらが全体として平面視で格子状パターン模様を形成している。即ち、一方の電極１４−１ＤはＸ軸方向に延びるＸ側電極として構成され、他方の電極１４−２ＤがＹ軸方向に延びるＹ側電極として構成されている。従ってこの積層体２４にあっては、単独で操作者による操作の２次元位置を感知し、特定することができる。
またこの積層体２４にあっては、図中上から下向きの入射光に対しても、また図中下から上向きの入射光に対しても、入射光が多く反射して視認性を害するのを防ぐことができる。

図５はタッチパネルセンサの要部の積層構造例を示している。
同図（Ａ）の例は、図中下側から上向きに透明の基材１２，光反射低減層１６ｂ，保護層１５ｂ，金属層から成るＹ側電極１４−２Ｄ，保護層１５ａ，光反射低減層１６ａ，光反射低減層１６ａ，保護層１５ａ，金属層から成るＸ側電極１４−１Ｄ，保護層１５ｂ，光反射低減層１６ｂ，透明の基材１２を積層した構造をしている。

この例の積層体２６は、図２に示す積層体２２を、電極１４−１Ｄ，１４−２Ｄが直角をなす状態で互いに向き合うように配置して重ね合せ、それらを光学的接着剤（ＯＣＡ）２７で接着することによって構成することができる。
この積層体２６にあっては、電極１４−１Ｄに向って図中上側から下向きに入射する光に対しては、電極１４−１Ｄの図中上面の光反射低減層１６ｂにより、電極１４−１Ｄでの反射を抑えることができる。
また、電極１４−１Ｄに向けて図中下側から上向きに入射する光に対しては、電極１４−１Ｄの図中下面の光反射低減層１６ａにより、電極１４−１Ｄでの反射を抑えることができる。

一方、電極１４−２Ｄに向けて図中上側から下向きに入射する光に対しては、電極１４−２Ｄの上面の光反射低減層１６ａにより、電極１４−２Ｄでの上向きの反射を抑えることができる。また、電極１４−２Ｄに向けて図中下側から上向きに入射する光に対しては、電極１４−２Ｄの下面の光反射低減層１６ｂにより、電極１４−２Ｄでの下向きの反射を抑えることができる。

即ち、図中下側の表示装置の上側に積層体２６を配置する場合において、その積層体２６の上下向きの如何に拘らず、図中上方から下向きに入射する外部の光、及び図中下側から上向きに入射する表示装置からの光の何れに対しても、金属製の電極による反射を効果的に抑制することができ、電極による光の反射により表示部の表示に対する視認性を高く確保することができる。

一方、図５（Ｂ）の積層体２８は、図中下側から上向きに、光反射低減層１６ａ，保護層１５ａ，金属層から成るＹ側電極１４−２Ｄ，保護層１５ｂ，光反射低減層１６ｂ，透明の基材１２，透明の基材１２，光反射低減層１６ｂ，保護層１５ｂ，Ｘ側電極１４−１Ｄ，保護層１５ａ，光反射低減層１６ａを順に積層した構造のもので、この図５（Ｂ）に示す積層体２８にあっても、これを図２の積層体２２を貼り合せることで構成することができる。

具体的には、積層体２２を、それぞれの基材１２において互いに背中合せに、つまり互いの電極１４−１Ｄ，１４−２Ｄが逆向きとなるように配置して、それらを光学的接着剤２７で接着することで積層体２８を構成することができる。

この積層体２８においても、積層体２６と同様、積層体２８を上下何れの向きで配置した場合においても、外部からの光或いは表示装置からの光の何れに対しても、その反射を抑えることができ、表示装置の表示部に対する視認性を高く確保することができる。

次に（Ｃ）の積層体３０は、図中下から上向きに基材１２，光反射低減層１６ｂ，保護層１５ｂ，Ｙ側電極１４−２Ｄ，保護層１５ａ，光反射低減層１６ａ，基材１２，光反射低減層１６ｂ，保護層１５ｂ，Ｘ側電極１４−１Ｄ，保護層１５ａ，光反射低減層１６ａの順に積層した構造をなしている。
図５（Ｃ）に示す積層体３０もまた、図２の積層体２２を用いて簡単に構成することができる。具体的には、積層体２２をそれぞれ同じ向きに、詳しくはそれぞれの電極１４−２Ｄ，１４−１Ｄが図中上向きとなる状態に同方向に配置して重ね合せ、それらを光学的接着剤２７で互いに貼り合せることで、積層体３０を構成することができる。
この積層体３０においても、光の反射に対して基本的に積層体２６，２８と同様の効果を奏し得る。

上記図５（Ａ）〜（Ｃ）で示した例は、いずれもＸ側電極１４−１Ｄ及びＹ側電極１４−２Ｄのそれぞれ図中上面と下面とに対応する光反射低減層１６（１６ａ及び１６ｂ）を設けたものであるが、図６（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）で示す積層体３２，３４，３６ようにＸ側電極１４−１ＤとＹ側電極１４−２Ｄのそれぞれ上面にのみ光反射低減層１６（１６ａ若しくは１６ｂ）を設けておくことも可能である。
この場合において積層体３２，３４は、図１の積層体１０と積層体２０とを貼り合せて構成することができ、積層体３６は、積層体１０同士を貼り合せて構成することができる。
以上タッチパネルセンサにおける積層構造の例を幾つか示したが、タッチパネルセンサの積層構造には他にも様々なものがあり、そのような積層構造に対して、本実施形態の積層体はその組合せを変えることで良好に各種の積層構造に対して対応することが可能である。

次に本発明の実施例を以下に詳しく説明する。
（実施例１〜実施例１８）
各種積層構造の積層体を以下のようにして製造し、反射率，視認性，密着性，電気比抵抗及び耐食性を以下の方法で測定し、評価を行った。
（各種積層体の製造）
表１は、実施例及び比較例における金属層（ここでは金属膜）、保護層（ここでは保護膜）及び光反射低減層（ここでは光反射低減膜）の化学組成を示している。
金属膜、保護膜及び光反射低減膜を積層形成すべき透明の基材としては５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍのシート状のＰＥＴを用い（ソーダライムガラスその他を用いても良い）、スパッタリングを行って基材上に各種の金属膜、保護膜及び光反射低減膜を積層形成した。

金属膜は、表１に示す組成に対応するＣｕ合金のスパッタリングターゲットを用い、真空度を５×１０^-4Ｐａとし、チャンバ内にＡｒガス（不活性ガス）を導入して行った。スパッタ圧は０．１〜１．０Ｐａ，電力は１００〜５００Ｗとして行った。
保護膜は、表１に示す各種組成に対応するＮｉＣｕＴｉ合金若しくはＮｉＣｕＣｒ合金のスパッタリングターゲットを用い、真空度を５×１０^-4Ｐａとし、チャンバ内にＡｒガス（不活性ガス）を導入して行った。スパッタ圧は０．１〜１．０Ｐａ，電力は１００〜５００Ｗとして行った。
光反射低減膜は、ＮｉＣｕ合金，ＮｉＣｕＴｉ合金又はＮｉＣｕＣｒ合金のスパッタリングターゲットを用い、真空度を５×１０^-4Ｐａとし、チャンバ内にＯ₂ガスを導入して行った。スパッタ圧は０．１〜１．０Ｐａ，電力は１００〜５００Ｗとして行った。また、この光反射低減膜は酸化物ターゲットを用いた非反応性スパッタで成膜することも可能である。

１）光反射低減膜／保護膜／金属膜／基材の積層体の作製
スパッタリングにより透明な基材上に、厚さ３００ｎｍで、表１で示す組成のＣｕ合金膜を金属膜として作製した後、金属膜上に同じく表１で示す組成の保護膜を作製した。更に保護膜上に同じく表１で示す組成の光反射低減膜を作製した。
これにより、透明基材上に金属膜、保護膜、光反射低減膜がその順に積層された構造の、光反射低減膜／保護膜／金属膜／基材の積層体を得た。

２）光反射低減膜／保護膜／金属膜／保護膜／光反射低減膜／基材の積層体の作製
スパッタリングにより透明な基材上に、光反射低減膜を作製し、その上に保護膜を作製し、更にその上に厚さ３００ｎｍで金属膜を作製する。更にその上に保護膜を作製し、その上に光反射低減膜を作製した。
これにより、ＰＥＴシートから成る透明の基材上に光反射低減膜、保護膜、金属膜、保護膜、光反射低減膜がその順に積層された構造の、光反射低減膜／保護膜／金属膜／保護膜／光反射低減膜／基材の積層体を得た。

尚、上記実施例における光反射低減膜の厚さは、その化学組成に応じて最も反射率を低減させるのに有効と思われる厚さとした。具体的には、光反射低減膜がＮｉＣｕ合金酸化物で形成された実施例１〜６及び１０〜１２が２０〜５０ｎｍ、光反射低減膜がＮｉＣｕＴｉ合金酸化物で形成された実施例７〜９及び１３〜１５が４０〜９０ｎｍ、光反射低減膜がＮｉＣｕＣｒ合金酸化物で形成された実施例１６〜１８が４０〜９０ｎｍ、である。

また、保護膜の厚さは、実施例の全て（実施例１〜１８）が３０〜１５０ｎｍである。

（比較例１〜比較例６）
比較例１は、光反射低減膜を備えていない積層体である。透明の基材上にＣｕ合金のターゲットを用いて金属膜を積層形成した後、金属膜上にＮｉＣｕＴｉ合金から成る保護膜を積層形成し積層体を得た。
また比較例２〜４では、表１で示す組成のＣｕ合金のターゲットを用いて金属膜を積層形成した後、表１で示す組成のＮｉＣｕ合金酸化物若しくはＮｉＣｕＴｉ合金酸化物から成る光反射低減膜を反応性スパッタリングにより積層形成して積層体を作製した。これら比較例２〜４については保護膜が形成されていない。
また比較例５，６は、実施例と同様に透明の基材上に金属膜、保護膜、光反射低減膜を積層形成して積層体を作製した。ただしこれら比較例５，６では光反射低減膜（ＮｉＣｕ合金酸化物）におけるＣｕ含有量が本発明の下限値を下回っている。

尚、比較例２〜６において形成された光反射低減膜の厚さは、２０〜９０ｎｍである。
また、比較例１，５，６において形成された保護膜の厚さは、３０〜１５０ｎｍである。

（反射率の測定及び視認性の評価）
ＪＩＳ Ｋ ７１０５に準拠して紫外可視分光光度計を用い、熱処理前及び熱処理後での反射率の測定を行った。熱処理条件は、大気中、２５０℃の環境下で１時間保持とした。紫外可視分光光度計の測定条件は可視光の波長範囲（３６０〜８３０ｎｍ）で行い、波長１ｎｍ毎の反射率を測定して、その平均値を反射率として算出した。
また、反射率の測定は、基材の側から金属膜を見たときの反射率、即ち基材側から金属膜に向って光が入射したときの反射光の測定と、金属膜の側から基材を見たときの反射光の測定、即ち金属膜の基材とは反対側から金属膜に向って光が入射したときの反射光の測定との両方の測定を行った。視認性は、反射率（測定値の平均値）が２０％以下であることを目標として定め、熱処理の前後における金属膜側と基材側について下記評価基準にて評価した。
Ａ：反射率が２０％以下
Ｂ：反射率が２０％超

（電気比抵抗の測定）
４探針法により金属膜の５箇所で測定し、その平均値より電気比抵抗（μΩ・ｃｍ）を算出した。８．０μΩ・ｃｍ以下であることを目標として定め、下記評価基準にて評価した。
Ａ：８．０μΩ・ｃｍ以下
Ｂ：８．０μΩ・ｃｍ超

（密着性試験）
各積層体について、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６に準拠した密着性試験を、熱処理の前後で行なった。熱処理条件は、大気中、２５０℃の環境下で１時間保持とした。ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６で定めるところの分類０〜３であることを目標として定め、下記評価基準にて評価した。
Ｓ：熱処理前及び熱処理後の密着性がともに分類０〜１
Ａ：熱処理前及び熱処理後の密着性がともに分類０〜３であり、熱処理前及び／又は
熱処理後の密着性が分類３
Ｂ：熱処理前及び／又は熱処理後の密着性が分類４以上

（耐食性の測定）
各積層体を８５℃×８５％ＲＨ（相対湿度）の大気雰囲気環境下にて５００時間保持し、保持後の積層体の変色の有無等について、ＪＩＳ Ｃ ６００６８に準拠して評価した。
試料は成膜まま材を使用して試験した。試験前後で変色がないことを目標として定め、下記評価基準にて評価した。
Ａ：上記環境条件での保持前後において、変色及び膜はがれがない
Ｂ：上記環境条件での保持前後において、変色及び／又は膜はがれが認められる
以上の項目について各積層体を評価した結果が表２に示してある。

［反射率及び視認性について］
表２の結果において、比較例１は光反射低減膜を有しておらず、熱処理の前後に関係なく金属膜側、基材側の何れにおいても視認性が悪く（反射率の値が２０％を超えており）、結果「Ｂ」である。
また比較例２，３は、金属膜上に保護膜を形成することなく直接、光反射低減膜が形成された積層体であり、光反射低減膜が形成されている金属膜側の視認性は、熱処理前にあっては良好（結果「Ａ」）であったが、熱処理後に悪化（結果「Ｂ」）している。これは熱処理により金属膜からＣｕの拡散が生じ、かかるＣｕの酸化物が積層体の表面に生成して光反射低減膜の膜厚が変化したことによるものと推測される。
比較例４は、比較例２，３と同様に保護膜が形成されていない積層体であるが、熱処理後も視認性は良好であった。これは金属膜中のＣｕ含有量が少ないためにＣｕの拡散が生じ難かったことによるものと推測される。
比較例５，６は、保護膜及び光反射低減膜をともに備えた積層体であるが、光反射低減膜のＣｕ量が本発明の下限値３０ａｔ％を下回っているため十分な光反射低減効果が得られず、熱処理の前後に関係なく視認性が悪く結果「Ｂ」であった。

一方、本発明の組成の範囲内にある保護膜及び光反射低減膜が金属膜側に設けられた実施例１〜９、１６〜１８については、金属膜側の反射率が熱処理の前後を通じて２０％以下で、視認性は良好（結果「Ａ」）であり、所定の保護膜及び光反射低減膜を設けたことによる効果が得られている。また保護膜及び光反射低減膜を、金属膜の上面（基材とは反対側の面）及び金属膜と基材との間の両方とに積層形成した実施例１０〜１５にあっては、基材側と金属膜側の何れの視認性も良好な結果が得られている。

［密着性について］
密着性については、比較例及び実施例の何れの積層体においても目標を満足するものであった。その中で特に密着性に優れていた（結果「Ｓ」であった）比較例３、実施例７〜９、実施例１３〜１８は何れも光反射低減膜がＮｉＣｕＴｉ合金酸化物若しくはＮｉＣｕＣｒ合金酸化物で形成されたものであり、光反射低減膜に所定量のＴｉ若しくはＣｒを含有させたことによる効果が得られている。

［電気比抵抗について］
金属膜のＣｕ量が本発明の下限値９０ａｔ％を下回る比較例４については、電気比抵抗の値が目標である８．０μΩ・ｃｍ以下を満たすことができず結果「Ｂ」であった。金属膜のＣｕ量が本発明の下限値９０ａｔ％を超えている他の比較例及び実施例１〜１８については何れにおいても電気比抵抗が８．０μΩ・ｃｍ以下となっており、電極として十分な性能を備えている。

［耐食性について］
比較例５は、純Ｎｉを酸化膜材料として使用したものであり、光反射低減膜がＣｕを含有しておらず、耐食性が低く結果「Ｂ」であった。また、比較例６は、光反射低減膜がＣｕを含有するも、その含有量は酸素を除いた含有量が１０ａｔ％で、本発明の下限値３０ａｔ％を下回っており、耐食性が低く結果「Ｂ」であった。おそらくＣｕ量が少ないと、Ｃｕとの固溶体が十分に形成されていないため耐食性が低くなるものと推察される。
これに対して、光反射低減膜が本発明で規定するＮｉ量及びＣｕ量を含有する比較例１〜４及び実施例１〜１８は、高温高湿環境下で保持した後も変色及び膜はがれはなく耐食性は良好（結果「Ａ」）であった。

以上本発明の実施形態及び実施例について詳しく説明したが、これはあくまで一例示である。本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において種々変更を加えた態様で実施可能である。

１０，１０Ａ，２０，２０Ａ，２２，２２Ａ，２４，２４Ａ，２６，２８，３０，３２，３４，３６ 積層体
１２ 基材
１４，１４−１，１４−２ 金属層
１４Ｄ，１４−１Ｄ，１４−２Ｄ 電極
１５ａ 第１の保護層
１５ｂ 第２の保護層
１６ａ 第１の光反射低減層
１６ｂ 第２の光反射低減層

Claims (4)

1. （ａ）透明な基材と、
   （ｂ）該基材に積層されて電極形成する金属層と、
   （ｃ）前記金属層の前記基材とは反対側の面に設けられた第１の保護層、及び／又は、前記金属層の前記基材の側の面に設けられた第２の保護層と、
   （ｄ）前記第１の保護層の前記金属層とは反対側の面に設けられた第１の光反射低減層、及び／又は、前記基材と前記第２の保護層との間に設けられた第２の光反射低減層と、を備え、
   前記金属層は、Ｃｕ又はＣｕ含有量が９０ａｔ％以上であるＣｕ合金から成り、
   前記第１の保護層は、Ｎｉ_a1Ｃｕ_b1Ｔｉ_c1合金又はＮｉ_a2Ｃｕ_b2Ｃｒ_c2合金から成り、
   前記第２の保護層は、Ｎｉ_a3Ｃｕ_b3Ｔｉ_c3合金又はＮｉ_a4Ｃｕ_b4Ｃｒ_c4合金から成り、
   前記第１の光反射低減層は、Ｎｉ_d1Ｃｕ_e1合金酸化物，Ｎｉ_f1Ｃｕ_g1Ｔｉ_h1合金酸化物又はＮｉ_i1Ｃｕ_j1Ｃｒ_k1合金酸化物から成り、
   前記第２の光反射低減層は、Ｎｉ_d2Ｃｕ_e2合金酸化物，Ｎｉ_f2Ｃｕ_g2Ｔｉ_h2合金酸化物又はＮｉ_i2Ｃｕ_j2Ｃｒ_k2合金酸化物から成り、
   前記第１の光反射低減層の側から前記金属層に向かう入射光に対する第１の反射率、又は、前記第２の光反射低減層の側から前記金属層に向かう入射光に対する第２の反射率が２０％以下であることを特徴とする積層体。
   ここで、添字ａ１〜ｋ２はそれぞれの元素の含有量（ａｔ％）を示し、
   ２５≦ａ１≦６９、３０≦ｂ１≦７０、１≦ｃ１≦５、
   ２５≦ａ２≦６９、３０≦ｂ２≦７０、１≦ｃ２≦５、
   ２５≦ａ３≦６９、３０≦ｂ３≦７０、１≦ｃ３≦５、
   ２５≦ａ４≦６９、３０≦ｂ４≦７０、１≦ｃ４≦５、
   ３０≦ｄ１≦７０、３０≦ｅ１≦７０、２５≦ｆ１≦６９、３０≦ｇ１≦７０、０＜ｈ１≦５、２５≦ｉ１≦６９、３０≦ｊ１≦７０、０＜ｋ１≦５、
   ３０≦ｄ２≦７０、３０≦ｅ２≦７０、２５≦ｆ２≦６９、３０≦ｇ２≦７０、０＜ｈ２≦５、２５≦ｉ２≦６９、３０≦ｊ２≦７０、０＜ｋ２≦５、である。
   
2. 請求項１において、前記第１の保護層及び前記第２の保護層の厚みが、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする積層体。
3. 請求項１，２の何れかにおいて、前記第１の光反射低減層がＮｉ_f1Ｃｕ_g1Ｔｉ_h1合金酸化物から成り、前記第２の光反射低減層がＮｉ_f2Ｃｕ_g2Ｔｉ_h2合金酸化物から成ることを特徴とする積層体。
   ここで、添字ｆ１〜ｈ２はそれぞれの元素の含有量（ａｔ％）を示し、
   ２５≦ｆ１≦６９、３０≦ｇ１≦７０、０＜ｈ１≦５、
   ２５≦ｆ２≦６９、３０≦ｇ２≦７０、０＜ｈ２≦５、である。
4. 請求項１〜３の何れかにおいて、前記金属層が、Ｃｕ_lＺｎ_mＸ_n合金から成ることを特徴とする積層体。
   ここで、Ｘは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｎｉ及びＢの群から選択された１種又は２種以上の元素であり、添字ｌ，ｍ，ｎはそれぞれの元素の含有量（ａｔ％）を示し、９０≦ｌ≦９９．８、０．１≦ｍ≦１０、０．１≦ｎ≦６、である。

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