CN103460303A - 导电结构、触控面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种导电结构以及包括所述导电结构的触控面板及其制造方法，所述导电结构包括：a)基体；b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。

Description

导电结构、触控面板及其制造方法
技术领域
本申请基于2011年3月28日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2011-0027791号，并要求享有其优先权，其公开的全部内容在此通过引用的方式并入本文。
本发明涉及一种导电结构、一种触控面板及其制造方法。本发明涉及一种包括导电图形的导电结构、一种触控面板及其制造方法。
背景技术
通常，触控面板可以根据信号检测方法分类如下。就是说，触控面板分为：通过在施加DC电压的情况下改变电流值或电压值检测经压力压按的位置的电阻式(resistive type)；在施加AC电压的情况下使用电容耦合的电容式(capacitive type)；以及在施加磁场的情况下随着电压的变化检测所选位置的电磁式(electromagnetic type)。
发明内容
技术问题
在现有技术中，提高上述不同类型的触控面板的性能的技术发展是必需的。在此情况下，为达到目的，在相关技术中使用不同于ITO的金属细丝的情况下，问题在于由于金属的高反射导致图形被发现。
技术方案
本发明的一个示例性的实施方式提供了一种导电结构，其包括：
a)基体；
b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和
c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。
此外，本发明的另一个示例性的实施方式提供了一种包括所述导电结构的触控面板。
此外，本发明的又一个示例性的实施方式提供了一种包括所述触控面板和显示组件的显示器。
本发明的再一个示例性的实施方式提供了一种触控面板的制造方法，其包括：
在基体上形成导电图形；在形成所述导电图形之前和之后形成暗化层；和诱导暗化层的电化腐蚀。
本发明的还一个示例性的实施方式提供了一种触控面板的制造方法，其包括：
形成导电层以在基体上形成导电图形；在形成所述导电层之前和之后沉积暗化层；分别或同时使所述导电层和所述暗化层图形化；和诱导图形化的暗化层的电化腐蚀。
有益效果
根据本发明的示例性的实施方式，在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中，在导电图形的可见面上引入暗化层，从而可以在不影响导电图形的导电性的情况下，防止因导电图形引起的反射，并且，在可见面的侧面额外引入暗化层，从而可以提高黑化程度以改善导电图形的隐蔽性。另外，如上所述，通过引入暗化层，可以进一步改善触控面板的对比度特性。
附图说明
图1是显示如本发明的一个示例性的实施方式的通过使用电化腐蚀效应将暗化层引入导电图形的侧面的图。
图2是如本发明的一个示例性的实施方式的根据实施例1的导电结构的电子显微镜照片。
图3是如本发明的一个示例性的实施方式的根据实施例2的导电结构的电子显微镜照片。
图4是如本发明的一个示例性的实施方式的根据实施例3的导电结构的电子显微镜照片。
图5是如本发明的一个示例性的实施方式的根据实施例4的导电结构的电子显微镜照片。
图6是根据本发明的一个示例性的实施方式的测量反射率的装置的构造和配置的图。
图7是显示如本发明的示例性的实施方式的实施例5和6与比较例1和2的全反射率的结果的图。
具体实施方式
在下文中，将对本发明进行详细的说明。
通常，触控面板使用基于ITO的导电层，但是当将ITO应用于大尺寸的触控面板时，问题在于：因其本身的RC延迟而导致其识别速度低。为了解决该问题，人们已经尝试引入额外的补偿芯片，但是存在着成本增加的问题。为了解决此问题，许多制造商正在开发使用金属图形替代ITO导电层的技术。然而，该技术的缺点在于：当使用普通的单一金属时，由于金属自身的高反射率，从被观察到的清晰程度来说，该图形会被人眼明显观察到，而且由于对外界光的高反射率和雾度值等会产生眩光。
因此，本发明人进行了能够改善在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中的导电图形的可见度以及对外界光的反射特性的研究，这不同于相关技术中的使用基于ITO的导电层的触控面板。
根据本发明的一个示例性的实施方式的导电结构，其包括：a)基体；b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形区域的区域中的暗化层。
本发明中，暗化层是指表现出如下特性的层：当同时将形成导电层的金属与暗化层层压并由此配置图形时，可见颜色因反射率和吸收特性而被黑化，而非指配置所述暗化层的层本身的颜色或吸光率表现为黑色。
本发明中，在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中，发现因导电图形引起的光反射对于导电图形的可见度具有重大影响的事实，此问题亟待被改善。特别是，在相关技术中的基于ITO的触控面板中，由于ITO本身的高透光度，所以因导电图形的反射率引起的问题并不严重，但是在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中，发现导电图形的反射率和吸收特性对于线条的辨认具有重大影响的事实。
因此，本发明中，为了降低导电图形的反射率以及改善触控面板的吸光率特性，在对应于导电图形的表面上形引入暗化层。在本发明中，将暗化层设置在触控面板中的导电图形的整个表面之上，由此减少因导电图形的高反射率而引起的可见度。详言之，因为暗化层在与具有高反射率的层(如导电图形)结合时在预定厚度条件下具有破坏性干扰和自吸收，所以通过类似于将由暗化层反射的光的量调节到通过暗化层的由导电图形反射的光的量，并且同时在预定厚度条件下，诱导两种光之间的交互破坏性干扰，由此降低导电图形的反射率。在此情况下，优选的是，暗化层具有比导电图形更低的反射率。因此，与使用者直接观看导电图形的情况相比，光线的反射率可被降低，所以导电图形的可见度可被大幅地降低。
特别是，在本发明中，可以将暗化层设置在导电图形的整个表面(包括上表面、下表面以及侧面)上。根据在引入暗化层后另外进行的整个蚀刻和剥离程序的过程中因DI混合引起的pH变化，利用在异金属之间表现出的电化腐蚀作用，诱导在导电图形的上表面上的暗化层覆盖导电图形的侧面，由此设置在导电图形的整个表面上的暗化层可被形成在导电图形的上表面、下表面以及侧面上。
在此情况下，电化腐蚀是指当异金属被浸渍在溶液中时，存在电位差，因此，在异金属之间出现电子的移动，在这种情况下，具有贵金属电位的金属的腐蚀速度则会降低，而具有活性电位的金属的腐蚀速度则会加速。也就是说，具有贵金属电位的金属是负电极，而具有活性电位的金属是正电极。因此，所引起的腐蚀被称为电化腐蚀或异金属接触腐蚀(dissimilar metalcontact corrosion)。影响电化腐蚀的一个重要因素是负电极和正电极的面积比，并且随着正电极面积的电流密度的增加，电化腐蚀速度也增加。相反，具有小面积的负电极与具有大面积的正电极的组合是一种能够减少电化腐蚀的良好方式。
作为本发明的一个示例性的实施方式，图1显示通过使用电化腐蚀将暗化层引入导电图形的侧面的各步骤的电子显微镜照片。
考虑到在产生显影的区域中表面和侧面腐蚀的腐蚀效果在0.5μm水平内，因电化腐蚀作用而导致的导电图形的侧面的覆盖过程可被控制在初始图形化线宽不会有太大变化的状态。另外，在该过程的一个方面中，可以通过调节剥离液(stripper)中的防腐蚀剂的含量、剥离液中的DI混合比、剥离时间和温度等来控制覆盖过程。
从此方面来看，本发明的重大优势在于，可以通过控制剥离过程而在导电图形的整个表面上引入暗化层，而无需额外的步骤，因此，具有可以控制在导电图形中包含的金属(特别是高导电金属)本身所引起的侧面反射的优点。
根据本发明，在形成所述导电结构的初始基板材料中，以暗化层和导电图形形成的图形区域的色域(其是从导电结构的暗化层被观察的一侧所测量的)可为：基于CIE LAB彩色坐标，20以下的L值，-10至10的A值，及-70至70的B值；可为：10或以下的L值，-5至5的A值，及0至35的B值；以及可为：5以下的L值，-2至2的A值，及0至15的B值。
此外，以暗化层和导电图形形成的图形区域的全反射率(其是从导电结构的暗化层被观察的一侧所测量的)可为：（基于550nm）17%以下、10%以下、及5%以下。
在此，全反射率是：通过使用黑色糊剂、带子等将要被测量表面的相对表面的反射率设置为0之后，仅测量要被的表面的反射率所观察到的值，在此情况下，入射光光源选择为与环境光条件最相近的漫射光源。此外，在此情况下，测量反射率的测量位置是基于与积分球半圆的垂直线倾斜大约7度的位置。下图6显示如上所述的测量反射率的装置的构造和配置。
作为本发明的一个示例性的实施方式，在触控面板中，在基准样品的透射比为89%的情况下，在基体侧面测量的全反射率可为6%以下、5%以下、及4%以下，所述触控面板通过以下方式制作：通过使用光学清除粘合剂(optically cleared adhesive)经由图形化工艺层压两片形成了暗化层和导电图形的导电结构，然后再在钢化玻璃上层压所层压的导电结构。
在此情况下，透射比和全反射率具有相互关系，其中，随着透射比降低，全反射率会提高。因此，在图形存在的情况下一片基体的透射比和全反射率之间的关系由下列公式1和2所示。
[公式1]
基体的透射比=基体的自透射比×(开口面积比)
[公式2]
基体的全反射率=基体的自反射率×(开口面积比)+金属的自全反射率×(由金属线造成的封闭面积比)
在此情况下，基体的自反射率是指不存在金属细线的情况下基体的反射率。
此外，基体的自透射比的关系由下列公式3所示。
[公式3]
基体的自透射比=100-基体的自反射率-基体的自吸光率
因此，在图形存在的情况下全反射率和透射比之间的相互关系由下列公式4所示。
[公式4]
全反射率=(100-基体的自透射比-基体的自吸光率)×开口面积比+金属的自全反射率×(由金属线造成的封闭面积比)
在此情况下，开口面积比与封闭面积比的总和为1。
因此，公式4可以由下列公式5表示。
[公式5]
全反射率=(100-基体的自透射比-基体的自吸光率)×(基体的透射比/基体的自透射比)+金属的自全反射率×(1-基体的透射比/基体的自透射比)
因此，基体的全反射率与透射比具有线性关系，其中，随着基体的透射比的增大，全反射率减小。
根据本发明的导电结构指的是一种多层结构，其中，通过沉积过程(如溅射等)依次沉积基体、导电图形和暗化层。根据本发明的导电结构可以使用层压板、多层结构来进行描述。
在根据本发明的触控面板中，所述暗化层包括与导电图形邻接的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，并且当在黑化图形的第二表面侧测量导电结构的全反射率时，可以通过下列公式6计算导电结构的全反射率(Rt)。
[公式6]
使用一片基体的触控窗的全反射率Rt=触控钢化玻璃+裸基体的反射率(在表面是膜的情况下的膜的反射率)×孔径比+暗化层的反射率×封闭比
另外，在触控面板的配置中层压两种导电结构的情况下，可以通过下列公式7计算导电结构的全反射率(Rt)。
[公式7]
全反射率(Rt)=触控钢化玻璃+两片裸基体的层压板的反射率(在表面是膜的情况下的膜的反射率)×孔径比+两片具有图形的基体的层压板的封闭比×暗化层的反射率×封闭比
因此，存在暗化层的情况和不存在暗化层的情况之间的差异取决于暗化层的反射率，并且在此方面，与除了不存在暗化层之外具有相同构造的导电结构的全反射率(R0)相比，差异可以减少15%到20%、20%到30%、以及30%到50%。实际上，因为即使存在暗化层和导电图形，可以实现具有比使用无任何图形和导体的裸基体的层压板更低的反射率的产品。然而，通过该降低效果，对于上述的除了不存在暗化层之外具有相同构造的导电结构的全反射率(R0)而言，反射率可以减少至少15%至最高50%（基于88%的透射比）。
在根据本发明的触控面板中，所述暗化层包括与导电图形邻接的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，并且当在黑化图形的第二表面侧测量导电结构的全反射率时，导电结构的全反射率(Rt)与基体的全反射率之间的差异可为50%以下、30%以下、20%以下、以及10%以下。
在根据本发明的触控面板中，所述触控面板进一步包括在所述导电结构的一侧设置的基板，并且当在基板侧测量具有导电结构的基板全反射率时，导电结构的全反射率(Rt)与基板的全反射率之间的差异可为50%以下、30%以下、20%以下、以及10%以下。
在此，全反射率是指包括暗化层的触控面板的自全反射率。
在本说明书中，全反射率优选为在由当入射光为100%时投入光的目标层或层压板反射的反射光中基于550nm的波长值所测量的值。原因是因为550nm的波长的全反射率与整体的全反射率的差异不大。例如，在通过使用如沉积法(例如，如溅射法、化学气相沉积法(CVD)、热蒸发法、电子束沉积法等)的方法在基体上用构成暗化层的材料形成前暗化层（front darkeninglayer）之后，可以测量由空气侧投入的可见光的反射率(550nm)。在此情况下，在基体的后表面(即，没有形成暗化层的整个表面)上进行暗化处理，由此除去基体的后表面的反射。所述基体可以使用透明基板，但并无特别限制，例如可以为玻璃、塑料基板、塑料膜等。
在根据本发明的触控面板中，所述导电结构的雾度值可为5%以下、3%以下、以及1.5%以下。
由构成暗化层的材料制成的前层(front layer)的吸光率没有特别限制，但是可为15%以下、30%以下、以及40%以下。
此外，由配置暗化层的材料制成的前层的透光率没有特别限制，但是可为80%以上以便被用于触控面板。
例如，所述暗化层可以通过使用如沉积法(例如，如溅射法、化学气相沉积法(CVD)、热蒸发法、电子束沉积法等)的方法形成暗化层并使其图形化而形成。特别是，在使用溅射法的情况下，暗化层具有优异的挠性。在热蒸发法和电子束沉积法中，粒子被简单地堆栈，但在溅射法中，粒子因碰撞而形成核，且虽然该核要长成为弯曲的核，但是该核具有优异的机械性能。特别是，在使用溅射法的情况下，暗化层与另一层之间的界面粘合是优异的。如上所述，所述暗化层可以在不使用粘合剂层的情况下通过使用沉积法在基体或导电图形上直接形成，并且可以实现所需的厚度和图形形状。
本发明中，可以同时或分别使所述暗化层和所述导电图形图形化，但是用于形成各图形的层分别形成。然而，最优选的是，同时形成所述导电图形和所述暗化层，以使得所述导电图形和所述暗化层精确地存在于各自对应的表面。
如上所述，在通过形成图形使暗化层的效果最优化和最大化时，可以实现触控面板所需的精细导电图形。在触控面板中，在没有实现精细导电图形的情况下，无法获得触控面板所需的物理性能(如电阻等)。
本发明中，在暗化层和导电图形中，分开的图形层具有层压结构，这不同于使至少部分吸收性材料凹陷或分散在导电图形中的结构，或者不同于对单层导电层的表面进行处理以使表面侧的一部分发生物理或化学变形的结构。
此外，在根据本发明的触控面板中，在没有施加粘合剂层的情况下在基体上或者在导电图形上直接设置暗化层。所述粘合剂层会影响耐久性或光学性能。此外，根据本发明的在触控面板中包括的层压板是通过完全不同于使用粘合剂层的方法的制造方法而制造的。此外，与使用粘合剂层的方法相比，本发明中，基体或导电图形与暗化层之间的界面特性是优异的。
本发明中，如果暗化层的厚度具有作为上述物理性能的破坏性干扰特性和吸收系数特性，当将光的波长定义为A并且将暗化层的折射率定义为n时，λ/(4×n)=N，如果N满足奇数厚度条件，则任何厚度都无关紧要。然而，考虑到在制造过程中导电图形的蚀刻特性，优选将厚度选择为10nm和400nm之间，但是，根据材料和制造方法，优选的厚度可以不同，并且本发明的范围不限于此数值范围。
所述暗化层可以形成为单层或具有两层或更多层的多层中。
优选的是，所述暗化层的颜色接近无色。然而，所述暗化层并不必需地需要无色，并且只要颜色具有低反射率就可以使用。在此情况下，无色指的是当投射到物体表面的光不被选择性地吸收，而是各个波长的光被反射地和均匀地吸收时表现出的颜色。本发明中，所述暗化层可以使用当在400nm至800nm可见光区中测量全反射率时各波长的全反射率的标准偏差在50%之内的材料。
暗化层的材料是吸收性材料，并且没有特别限制，可以使用任何材料，只要当形成前层时所述材料是由具有上述物理性能的金属、金属氧化物或金属氧氮化物制成的材料即可。
例如，通过使用Ni、Mo、Ti、Cr等，按照本领域技术人员所设定的沉积条件，所述暗化层可为氧化物层、氮化物层、氧化物-氮化物层、碳化物层、金属层或其组合。本发明人证实，在使用Mo的情况下，与单独使用氧化物的方案相比，同时使用氮化物和氧化物的方案具有更加适合本发明中提到的暗化层的光学性能。
作为一个详细的实例，所述暗化层可以同时包括Ni和Mo。所述暗化层可以包括50至98原子%的Ni和2至50原子%的Mo，并且可以进一步包括0.01至10原子%量的其他金属，例如，Fe、Ta、Ti等。在此，如需要，所述暗化层可以进一步包括0.01至30原子%的氮或者4原子%以下的氧或碳。
作为另一个详细的实例，所述暗化层可以包括选自SiO、SiO2、MgF2和SiNx(x是1以上的整数)中的介电材料以及选自Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Au和Ag中的金属，并且可以进一步包括选自Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Au和Ag中的两种以上的原子的金属合金。随着远离外界光的投射方向，使所述介电材料的分布逐渐减少，而金属和合金组成的分布则相反。在此情况下，所述介电材料的含量可为20重量%至50重量%，以及所述金属的含量可为50重量%至80重量%。在所述暗化层进一步包括合金的情况下，所述暗化层可以包括10重量%至30重量%的介电材料、50重量%至80重量%的金属、以及5重量%至40重量%的合金。
作为另一个详细的实例，所述暗化层可被形成为包括镍和钒的合金、镍和钒的氧化物、氮化物或氧氮化物中的任一种或多种的膜。在此情况下，可以包含26至52原子%的钒，并且钒与镍的原子比可为26/74至52/48。
作为另一个详细的实例，所述暗化层可以包括具有两种以上原子的过渡层，其中，根据外界光的入射方向，一种原子的组成比每100埃最大约增加20%。在此情况下，一种原子可为金属原子，例如，铬、钨、钽、钛、铁、镍或钼，而不同于所述金属原子的原子可为氧、氮或碳。
作为另一个详细的实例，所述暗化层可以包括第一氧化铬层、金属层、第二氧化铬层、以及铬镜(chromium mirror)，在此情况下，可以包括代替铬的选自钨、钒、铁、铬、钼和铌中的金属。所述金属层的厚度可为10至30nm，所述第一氧化铬层的厚度可为35至41nm，以及所述第二氧化铬层的厚度可为37至42nm。
作为另一个详细的实例，所述暗化层可以使用氧化铝(Al2O3)层、氧化铬(Cr2O3)层和铬(Cr)层的层压结构。在此，所述氧化铝层具有改善的反射特性和防光漫射特性，而所述氧化铬层可以降低镜面的反射率以提高对比度特性。
本发明中，所述暗化层被设置在对应于导电图形的区域。在此，所述对应于导电图形的区域是指具有与导电图形相同形状的图形。然而，所述暗化层的图形比例并不需要与导电图形完全相同，并且本发明的范围中包括了甚至是暗化层的线宽度小于或大于导电图形的线宽度的情况。例如，所述暗化层可以具有导电图形的面积的80%至120%的面积。
所述暗化层的图形形式的线宽度可以与导电图形的线宽度相同，或者大于导电图形的线宽度。
在所述暗化层的图形形式的线宽度大于导电图形的线宽度情况下，在由使用者观察时，因为极大地应用了暗化层覆盖导电图形的效果，所以可以有效地防止由导电图形本身的光泽或反射引起的效应。然而，即使暗化层的线宽度与导电图形的线宽度相同，但仍可以实现本发明所需的效果。优选的是，通过下列公式8计算暗化层的线宽度大于导电图形的线宽度的值。
[公式8]
Tcon×tangentΘ3×2
在公式8中，
Tcon是导电图形的厚度，
Θ3是从定位使用者视角的位置投射光透过导电图形和暗化层的边缘时，光与基体表面的法线间的夹角。
Θ3是如下的角度：通过基体的折射率以及设置了暗化层和导电图形的区域的介质(例如，触控面板的粘合剂)的折射率，根据斯涅尔定律(Snell’s law)改变使用者的视角和触控面板的基体间的夹角Θ1。
例如，假定观察者观看导电结构使得Θ3值形成大约80度的角以及导电图形的厚度为大约200nm，则基于导电图形的侧面，所述暗化层的线宽度优选大了约2.24μm(200nm×tan(80)×2)。然而，如上所述，即使是在所述暗化层的线宽度与导电图形的线宽度相同的情况下，仍可以实现本发明所述的效果。
本发明中，可以根据应用根据本发明的导电结构所需的领域适当选择基体的材料，并且作为优选的实例，可以是玻璃或无机材料基板、塑料基板或膜等，但不限于此。
导电图形的材料没有特别限制，但优选为金属。导电图形的材料是具有优异的导电性并且能够容易蚀刻的材料。但是，在本发明的侧面黑化的情况下，所述导电材料可以使用与暗化层的材料不同的金属，并且特别是，当考虑到由暗化层的腐蚀而引起的侧面暗化时，导电层可选择为具有贵金属电位(+电位)。
相反，导电层具有活性电位(-电位)的情况更为有利，原因在于，由于侧面腐蚀，暗化层的面积变宽，这与暗化层通过使用电化腐蚀形成具有较宽面积的电极的情况相反。
通常，不利的是，具有优异的导电性的材料具有高反射率。然而，本发明中，在使用暗化层的情况下，可以通过使用具有高反射率的材料形成导电图形。本发明中，即使是在使用全反射率为70%到80%或更大的材料的情况下，可以通过暗化层来降低全反射率，可以降低导电图形的可见度，并且可以维持或提高对比度特性。
作为导电图形的材料的详细实例，优选为包括金、银、铝、铜、钕、钼、镍、或其合金的单层或多层。在此，导电图形的厚度没有特别限制，但是考虑到导电图形的导电性以及形成过程的经济性，优选为0.01到10μm或更小。
由导电层和暗化层形成的层压板的图形化可以使用利用防蚀涂层图形的方法。所述防蚀涂层图形可以通过使用印刷法、摄影法、使用掩模的方法、激光转移法(例如，热转移成像法等)而形成，在这些方法中，印刷法和摄影法是更加优选的。所述导电图形是通过使用防蚀涂层图形来蚀刻的，并且所述防蚀涂层图形可被去除。
本发明中，所述导电图形的线宽度可为10μm以下、0.1至1μm、0.2至8μm、以及1至5μm。所述导电图形的厚度可为10μm以下、2μm以下、以及10到300μm。
所述导电图形的孔径比(即，未被导电图形覆盖的面积比)可为70%以上、85%以上、以及95%以上。此外，所述导电图形的孔径比可为90%到99.9%，但不限于此。
所述导电图形也可以是规则图形或者不规则图形。
作为规则图形，可以使用本领域中的图形形状，例如网状图形。不规则图形没有特别限制，但也可为形成维诺图样(Voronoi diagram)的图的边界形状(boundary shape)。本发明中，在同时使用不规则图形和暗化层的情况下，可以通过不规则图形除去由定向照明造成的反射光的衍射图样，并且可以通过暗化层将由光散射造成的影响减至最小，由此将可见度的问题减至最少。
在本发明的一个示例性的实施例中，所述导电图形是规则图形并且包括通过使构成导电图形的线中的任意多条线交叉所形成的交叉点，并且在3.5cm×3.5cm的面积中交叉点的数目可为3,000至122,500个，13,611至30,625个，以及19,600至30,625中。此外，根据本发明的一个示例性的实施例，在被附加到显示器上时交叉点的数目是4,000至123,000的情况下，可以确定得到了不会损坏显示器的光学特性的光学特性。
此外，在本发明的示例性的实施方式中，所述导电图形是不规则图形并且包括通过使构成导电图形的线中的任意多条线交叉所形成的交叉点，并且在3.5cm×3.5cm的面积中交叉点的数目可为6,000至245,000个，3,000至122,500个，13,611至30,625个，以及19,600至30,625个。此外，根据本发明的示例性的实施例，在被附加到显示器上时交叉点的数目是4,000至123,000的情况下，可以确定得到了不会损坏显示器的光学特性的光学特性。
所述导电图形的间距可为600μm以下以及250μm以下，但可以根据本领域技术人员想要的透射比和导电率来进行控制。
在本发明中使用的导电图形优选是比电阻为1×106
Figure BDA00003882074300151
·cm至30×106
Figure BDA00003882074300152
·cm(更优选7×106
Figure BDA00003882074300153
·cm以下)的材料。
本发明中，包括基体、导电图形和暗化层的导电结构的表面电阻可为1至300/□。在该范围内控制面板的操作是有利的。
本发明中，所述暗化层的照度可为1nm以上、2nm以上、5nm以上、以及10nm以上，但不限于此。此外，本发明中，在所述导电图形的上表面、下表面以及侧面中的至少部分上设置的所有暗化层是相同材料并且可以彼此相继连接。
本发明中，所述暗化层与所述导电图形的侧面可以具有正锥角，但是设置在导电图形的基体侧面的相对表面上的暗化层或导电图形可以具有反锥角。
根据本发明的触控面板可以进一步包括除包括基体、导电图形和暗化层的导电结构之外还包括额外的暗化层的导电结构。在此情况下，包括暗化层的导电结构可以基于导电图形以不同方向来设置。包括在本发明的触控面板中的包括两个以上的暗化层的导电结构无需是相同的结构，并且其中的任意一个，优选地，只有最接近使用者的导电结构可以包括基体、导电图形和暗化层，而另外的导电结构可以不包括暗化层。
此外，在根据本发明的触控面板中，可以分别在基体的两侧上设置导电图形和暗化层。
在根据本发明的包括导电结构的触控面板中的全反射率可为12%以下、7%以下、5%以下、以及2%以下。
除具有在导电结构上的导电图形的可用的屏幕之外，根据本发明的触控面板可以进一步包括电极部分或垫片部分，并且在此情况下，所述可用的屏幕以及所述电极部分/所述垫片部分可由相同的导体进行配置，并且具有相同的厚度，而无需具有接合点。
根据本发明的触控面板可以在各基体的一个表面上包括保护膜、偏光膜、抗反射膜、抗眩光膜、抗指纹膜、低反射膜等。
此外，本发明提供了一种触控面板的制造方法。
根据一个示例性的实施方式，本发明提供了一种触控面板的制造方法，其包括：在基体上形成导电图形；在形成所述导电图形之前和之后形成暗化层；和诱导暗化层的电化腐蚀。
根据另一个示例性的实施方式，本发明提供了一种触控面板的制造方法，其包括：形成导电层以在基体上形成导电图形；在形成所述导电层之前和之后沉积暗化层；分别或同时使所述导电层和所述暗化层图形化；和诱导图形化的暗化层的电化腐蚀。
在制造方法中，可以使用如上所述的各层的材料和形成方法。
此外，根据本发明的触控面板包括导电结构。例如，在电容式触控面板中，根据本发明的一个示例性的实施方式的导电结构可被用作触控敏感型电极基板。
根据本发明的一个示例性的实施方式的触控面板可以包括下基体；上基体；以及电极层，其设置在下基体的与上基体邻接的表面以及上基体的与下基体邻接的表面的任一面或两面上。所述电极层可以实现传输和接收信号的功能以检测X轴位置和Y轴的位置。
在此情况下，设置在下基体及下基体的与上基体邻接的表面上的电极层；以及设置在上基体及上基体的与下基体邻接的表面上的电极层的中的一个或两者可以是根据本发明的一个示例性的实施方式的导电结构。在任意电极层中仅有一个是根据本发明的导电结构的情况下，其他电极层可以具有本领域中已知的图形。
在将电极层设置在上基体和下基体的侧面上以形成两层电极层的情况下，可以在下基体和上基体之间设置绝缘层或间隔层以使电极层之间的间隔保持一致并且电极层不会彼此连接。所述绝缘层可以包括粘合剂或者UV固化或热固化树脂。
所述触控面板可以进一步包括与所述导电图形连接的接地部分。例如，所述接地部分可以形成在基体的具有导电图形的表面的边缘处。此外，可以在包括导电结构的层压板的至少一面上设置抗反射膜、偏光膜和抗指纹膜。根据设计规格，除了前述功能性膜之外，还可以进一步包括不同种类的功能性膜。如上所述，所述述触控面板可以应用于OLED显示面板(ODP)、液晶显示器(LCD)以及如阴极射线管(CRT)和PDP的显示装置。此外，本发明提供了一种显示器，其包括所述触控面板和显示组件。
最佳方式
在下文中，将参照实施例更加详细地描述本发明。然而，下列实施例仅为本发明的示范，并且本发明的范围不限于下列实施例。
<实施例>
<实施例1至4>
通过使用基于Mo的氧氮化物在基体上形成暗化层，而后通过使用Cu在其上形成导电层。接着，通过使用基于Mo的氧氮化物在该导电层的上表面上形成暗化层，而后根据DI混合比和防腐蚀剂的含量，观察在剥离过程中由电化腐蚀产生的覆盖效果的情况。其结果显示在下表2-5中。
[表1]
<实施例5>
通过利用采用了Mo靶的溅射设备在沉积有Cu的基体的整个表面上另外形成氧氮化物，从而形成导电层和暗化层，并且最终层压板的厚度为220nm。在暗化表面测量基体的反射率为6.1%。通过使用反向胶版工艺在所形成的基体上印刷防蚀涂层(LG化学株式会社(LGC)自行开发)，而后在120℃烧制3分钟，以及通过使用ENF有限公司制造的Cu蚀刻剂在40℃蚀刻40秒。其后，在用丙酮洗脱(release)后测量的所形成的图形的线宽度为3.5μm。用OCA(3M 50μm)层压两片制备的导电基板，而后使用100μm OCA将其层压在三星康宁有限公司制造的0.55t的Gollia玻璃上，并且测量全反射率。
<实施例6>
通过利用采用了Mo靶的溅射设备在沉积有Cu的基体的整个表面上另外形成氧氮化物，从而形成导电层和暗化层，并且最终层压板的厚度为220nm。在黑化表面测量基体的反射率为6.1%。通过使用反向胶版工艺在所形成的基体上印刷防蚀涂层(LGC自行开发)，而后在120℃烧制3分钟，以及通过使用ENF有限公司制造的Cu蚀刻剂在40℃蚀刻40秒。其后，以2:8的比例混合胺(氨基乙氧基乙醇)和NMP，然后将该溶液和DI以99.5:0.5的比例混合，在60℃洗脱10分钟，所测量的形成的图形的线宽度为3.6μm。用OCA(3M 50μm)层压两片制备的导电基板，而后使用100μm OCA将其层压在三星康宁有限公司制造的0.55t的Gollia玻璃上，并且测量全反射率。
<比较例1>
使用OCA(3M 50μm)层压两片裸PET基板，而后使用100μm OCA将其层压在三星康宁有限公司制造的0.55t的Gollia玻璃上，并且测量全反射率。
<比较例2>
含Al导电基板(100μm PET)通过以下方式制得：通过使用反向胶版工艺将防蚀涂层(LGC自行开发)印刷在形成的基板上，随后在120℃烧制3分钟，并且通过使用EXAX有限公司制造的Al蚀刻剂在40℃蚀刻40秒。其后，在用丙酮洗脱后测量所形成的图形的线宽度为3.5μm。用OCA(3M 50μm)层压两片制备的导电基板，而后使用100μm OCA将其层压在三星康宁有限公司制造的0.55t的Gollia玻璃上，并且测量全反射率。
实施例5和6以及比较例1和2的全反射的结果显示在下图7中。
由结果得知，在没有附加工序的情况下，可以通过控制剥离过程将暗化层引入导电图形的整个表面上，因此，能够控制由导电图形中包含的金属所导致侧面反射。

Claims (30)

1.一种导电结构，其包括：
a)基体；
b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和
c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。
2.权利要求1所述导电结构，其中，由所述暗化层和所述导电图形所构成的图形区域的色域，基于CIE LAB彩色坐标，具有20以下的L值，-10至10的A值，及-70至70的B值，其中，所述色域是在观察导电基板的暗化层的表面处测量的。
3.权利要求1所述导电结构，其中，由所述暗化层和所述导电图形所构成的图形区域的全反射率为：基于550nm，17%以下，其中，所述全反射率是在观察导电基板的暗化层的表面处测量的。
4.权利要求1所述导电结构，其中，所述暗化层包括选自介电材料、金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物和金属碳化物中的一种或多种。
5.权利要求4所述导电结构，其中，所述金属包括选自Ni、Mo、Ti、Cr、Al、Cu、Fe、Co、Ti、V、Au和Ag中的一种或多种。
6.权利要求1所述导电结构，其中，与除了不包括所述暗化层之外具有相同构造的导电结构的全反射率相比，在观察所述导电基板的暗化层的表面的全反射率减少了15%～50%。
7.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电结构的雾度值为5%以下。
8.权利要求1所述导电结构，其进一步包括：
导电结构，其包括：基体，在所述基体的至少一面上设置的导电图形，和设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。
9.权利要求8所述导电结构，其中，在所述的两个导电结构之间设置绝缘层。
10.权利要求8所述导电结构，其中，所述的两个导电结构以相反方向或相同方向设置。
11.权利要求1所述导电结构，其中，将所述导电图形和所述暗化层分别设置在所述基体的两面。
12.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电图形为规则图形或不规则图形。
13.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电图形是规则图形并且包括通过使构成所述导电图形的线中的任意多条线交叉所形成的交叉点，并且在3.5cm×3.5cm的面积中交叉点的数目为3,000至122,500个。
14.权利要求13所述导电结构，其中，在3.5cm×3.5cm的面积中交叉点的数目为13,611至30,625个。
15.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电图形是不规则图形并且包括通过使构成导电图形的线中的任意多条线交叉所形成的交叉点，并且在3.5cm×3.5cm的面积中交叉点的数目为6,000至245,000个。
16.权利要求15所述导电结构，其中，在3.5cm×3.5cm的面积中交叉点的数目为13,611至30,625个。
17.权利要求1所述导电结构，其中，所述暗化层的图形形式的线宽度与导电图形的线宽度相同或者大于所述导电图形的线宽度。
18.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电图形的线宽度为10μm以下，厚度为10μm以下，以及间距为600μm以下。
19.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电图形的线宽度为7μm以下，厚度为1μm以下，以及间距为400μm以下。
20.权利要求1所述导电结构，其中，所述导电图形的线宽度为5μm以下，厚度为0.5μm以下，以及间距为300μm以下。
21.权利要求1所述导电结构，其中，所述暗化层的照度为1nm以上。
22.权利要求1所述导电结构，其中，所述暗化层的照度为2nm以上。
23.权利要求1所述导电结构，其中，所述暗化层的照度为5nm以上。
24.权利要求1所述导电结构，其中，所述暗化层的照度为10nm以上。
25.权利要求1所述导电结构，其中，在所述导电图形的上表面、下表面以及侧面中的至少部分上设置的所有暗化层是相同材料并且彼此相继连接。
26.一种触控面板，其包括权利要求1至25中任一项所述的导电结构。
27.一种显示器，其包括权利要求26所述的触控面板和显示组件。
28.一种触控面板的制造方法，其包括：
在基体上形成导电图形；
在形成所述导电图形之前和之后形成暗化层；和
诱导暗化层的电化腐蚀。
29.一种触控面板的制造方法，其包括：
形成导电层以在基体上形成导电图形；
在形成所述导电层之前和之后沉积暗化层；
分别或同时使所述导电层和所述暗化层图形化；和
诱导图形化的暗化层的电化腐蚀。
30.权利要求28或29所述的触控面板的制造方法，在所述暗化层的蚀刻和剥离过程中进行电化腐蚀。
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