KR20120110065A

KR20120110065A - 전도성 구조체, 터치패널 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR20120110065A
Application number: KR1020120031769A
Authority: KR
Inventors: 황지영; 박민춘; 손용구; 구범모
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2011-03-28
Filing date: 2012-03-28
Publication date: 2012-10-09
Also published as: US9258889B2; JP5683034B2; TWI480776B; US9307633B2; WO2012134174A3; CN103460303B; US20150085448A1; WO2012134174A2; CN103460303A; JP2014514648A; TW201305871A; US20140016278A1; KR101380000B1

Abstract

본 발명은 a) 기재, b) 상기 기재의 적어도 일 면에 구비된 전도성 패턴, 및 c) 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면에 구비되고, 상기 전도성 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되며, 상기 전도성 패턴에 대응되는 영역에 구비된 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체, 이를 포함하는 터치패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

전도성 구조체, 터치패널 및 이의 제조방법{CONDUCTIVE STRUCTURE, TOUCH PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 출원은 2011년 3월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2011-0027791호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.

본 발명은 전도성 구조체, 터치패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 전도성 패턴을 포함하는 전도성 구조체, 터치패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 터치패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type), 교류 전압을 인가한 상태에서 패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전용량 방식(capacitive type), 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.

한국 공개 특허 제10-2010-0007605호

당 기술분야에서는, 전술한 다양한 방식의 터치패널의 성능 향상을 위한 기술개발이 요구되고 있다. 이때 이를 위하여 기존의 ITO가 아닌 금속 미세선을 이용하는 방식의 경우, 금속의 높은 반사도로 인하여 패턴이 인지되는 문제점을 지니고 있다.

본 발명은

a) 기재;

b) 상기 기재의 적어도 일 면에 구비된 전도성 패턴; 및

c) 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면에 구비되고, 상기 전도성 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되며, 상기 전도성 패턴에 대응되는 영역에 구비된 암색화층

을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치패널을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 터치패널 및 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이를 제공한다.

또한, 본 발명은

기재 상에 전도성 패턴을 형성하는 단계; 상기 전도성 패턴 형성 전과 후 모두 암색화층을 형성하는 단계; 및 상기 암색화층의 갈바닉 부식을 유도하는 단계를 포함하는 터치패널의 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명은

기재 상에 전도성 패턴 형성용 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층 형성 전과 후 모두 암색화층을 증착하는 단계; 상기 도전층 및 상기 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 암색화층의 갈바닉 부식을 유도하는 단계를 포함하는 터치패널의 제조방법을 제공한다.

본 발명에서는 유효화면부에 구비된 전도성 패턴을 포함하는 터치패널에 있어서, 전도성 패턴의 가시(可視)면에 암색화층을 도입함으로써, 전도성 패턴의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴에 의한 반사를 방지하고, 가시면의 측면 암색화층을 추가로 도입함으로써 암색화도를 향상하여, 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기와 같은 암색화층의 도입에 의하여 터치패널의 콘트라스트 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일구체예로서 갈바닉 부식 현상을 이용하여 전도성 패턴의 측면에 암색화층을 도입하는 것을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 일구체예로서 실시예 1에 따른 전도성 구조체의 전자 현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 일구체예로서 실시예 2에 따른 전도성 구조체의 전자 현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 일구체예로서 실시예 3에 따른 전도성 구조체의 전자 현미경 사진이다.
도 5는 본 발명의 일구체예로서 실시예 4에 따른 전도성 구조체의 전자 현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 일구체예에 따른 반사율 측정을 위한 장치의 구성 및 구조(Scheme)를 나타낸 도이다.
도 7은 본 발명의 일구체예로서 실시예 5 ~ 6 및 비교예 1 ~ 2의 전반사율의 결과를 나타낸 도이다.

이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

일반적으로 터치패널은 ITO 기반의 도전성막을 사용하고 있으나, 이러한 ITO는 대면적 터치패널에 적용시 자체적인 RC 지연에 의하여 인식속도가 낮은 문제점이 있다. 이러한 부분을 극복하기 위하여 추가적인 보상 칩(chip)을 도입하는 시도가 이루어지고 있으나, 이는 가격이 상승되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 많은 업체에서 금속 패턴을 이용하여 ITO 도전성막을 대체하기 위한 기술을 개발 중이다. 그러나, 이러한 기술은 일반적인 단일 금속을 이용하는 경우 금속 자체의 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 단점을 가지고 있다.

이에 본 발명자들은, 종래의 ITO 기반의 도전성막을 사용한 터치패널과 차별화되는, 유효화면부에 구비된 전도성 패턴을 포함하는 터치패널에서 전도성 패턴의 시인성 및 외부광에 대한 반사 특성을 개선할 수 있는 연구를 진행하였다.

본 발명의 일 구체예에 따른 전도성 구조체는 a) 기재; b) 상기 기재의 적어도 일 면에 구비된 전도성 패턴; 및 c) 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면에 구비되고, 상기 전도성 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되며, 상기 전도성 패턴 영역에 대응되는 영역에 구비된 암색화층을 포함한다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층은 이를 구성하는 층 자체의 색상 또는 흡광도가 흑색 자체를 나타낸다는 의미보다는 전도층을 이루는 금속과 동시에 적층되었을 때 그 반사도 및 흡광특성으로 인하여 보이는 색상이 암색화되는 특성을 나타내게 해주는 층 및 이를 통하여 구성된 패턴을 의미한다.

본 발명에서는, 유효화면부에 구비된 전도성 패턴을 포함하는 터치패널에 있어서, 상기 전도성 패턴의 시인성에 상기 전도성 패턴에 의한 광반사가 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다. 구체적으로, 기존 ITO를 기반으로 한 터치패널에서는 ITO 자체의 높은 투과도로 인하여 전도성 패턴의 반사도에 의한 문제가 그리 크게 나타나지 않았으나, 유효화면부 내에 구비된 전도성 패턴을 포함하는 터치패널에서는 상기 전도성 패턴의 반사도 및 흡광특성이 선의 인지성에 중요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었다.

이에, 본 발명에서는 터치패널에서 전도성 패턴의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 전도성 패턴에 대응하는 면에 암색화층을 도입한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 있어서, 상기 암색화층은 터치패널 내 전도성 패턴의 전면(全面)에 구비됨으로서 상기 전도성 패턴의 높은 반사도에 따른 시인성을 감소시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 암색화층은 전도성 패턴과 같은 높은 반사도를 지니는 층과 결합시 특정 두께조건하에서 소멸간섭 및 자체적인 흡광성을 가지기 때문에 암색화층에 의하여 반사되는 빛과 암색화층을 거쳐서 전도성 패턴에 의하여 반사되는 빛의 양을 서로 유사하게 맞춰줌과 동시에, 특정 두께조건에서 두 빛간의 상호 소멸간섭을 유도해 줌으로써 전도성 패턴에 의한 반사도를 낮춰주는 효과를 나타내게 된다. 이 때, 상기 암색화층은 전도성 패턴에 비하여 낮은 반사율을 가지는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 사용자가 직접 전도성 패턴을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사율을 낮출 수 있으므로, 전도성 패턴의 시인성을 크게 낮출 수 있다.

특히, 본 발명은 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면뿐만 아니라 측면을 포함하는 전면에 암색화층이 구비될 수 있다. 상기 전도성 패턴의 전면에 구비되는 암색화층은, 암색화층 도입 후 추가로 진행되는 에칭(over etching) 및 스트리핑(striping) 공정시 DI 혼입에 따른 PH 변화에 따라 이중 금속간 나타나는 갈바닉 부식 현상을 이용하여 전도성 패턴의 상부면의 암색화층이 전도성 패턴의 측면을 커버링하도록 유도함으로써 전도성 패턴의 상부면 및 하부면 뿐만 아니라 측면에도 암색화층을 형성할 수 있게 해 준다.

이 때, 갈바닉 부식이란 이종금속(dissimilar metal)이 용액 속에 담궈지게 되면 전위차가 존재하게 되고, 이에 따라 이들 사이에 전자의 이동이 일어나며, 이 때 귀전위를 가진 금속의 부식속도는 감소되고 활성전위를 가진 금속의 부식속도는 촉진된다. 즉, 전자는 음극이 되고 후자는 양극이 된다. 이로 인하여 발생하는 부식을 갈바닉 부식 또는 이종금속 접촉부식이라 한다. 갈바닉 부식에 영향을 미치는 하나의 중요한 인자는 양극과 음극의 면적비로, 양극 면적에서의 전류밀도가 높을수록 부식속도는 커지게 된다. 반대로 작은 면적의 음극과 넓은 면적의 양극 조합은 갈바닉 부식을 줄일 수 있는 좋은 조건이 된다.

본 발명의 일구체예로서, 갈바닉 부식 현상을 이용하여 전도성 패턴의 측면에 암색화층을 도입하는 단계별 전자 현미경 사진을 하기 도 1에 나타내었다.

상기 갈바닉 부식 현상에 의한 전도성 패턴의 측면의 커버링 공정은 현상의 발생 영역에 있어서 표면의 부식현상 및 측면 부식의 수준이 0.5㎛ 수준에서 발생한다는 점을 고려해볼 때, 초기 패터닝 선폭의 큰 변화를 일으키지 않는 상태에서의 공정의 제어가 가능하다는 특징이 있다. 또한, 공정 측면에 있어서는 스트리퍼 내 부식방지제의 함량, 스트리퍼 내 DI 혼입비, 스트리핑 시간, 온도 등의 조절을 통하여 제어 가능하다는 특징이 있다.

이러한 관점에서, 본 발명은 추가의 공정 없이 스트리핑 공정의 조절을 통하여 전도성 패턴의 전면에 암색화층을 도입할 수 있다는 측면에서 큰 장점을 지니고 있으며, 이를 통하여 전도성 패턴에 포함되는 금속 자체(특히, 고전도 금속)에 의한 측면 반사까지 제어할 수 있다는 장점을 지니고 있다.

본 발명에 따른 전도성 구조체를 형성하기 위한 초기 기판 재료에 있어서, 상기 전도성 구조체의 암색화층이 보이는 면에서 측정한, 암색화층과 전도성 패턴으로 이루어진 패턴 영역의 색상범위는 CIE LAB 색좌표를 기준으로 L 값이 20 이하, A 값은 -10 ~ 10, B 값은 -70 ~ 70 일 수 있고, L 값이 10 이하, A 값은 -5 ~ 5, B 값은 0 ~ 35 일 수 있으며, L 값이 5 이하, A 값은 -2 ~ 2, B 값은 0 ~ 15 일 수 있다.

또한, 상기 전도성 구조체의 암색화층이 보이는 면에서 측정한, 암색화층과 전도성 패턴으로 이루어진 패턴 영역의 전반사율은 550nm를 기준으로 할 때, 17% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있으며, 5% 이하일 수 있다.

여기서 전반사율이란, 반사율을 측정하고자 하는 면의 반대면을 블랙 페이스트(Black paste) 또는 테이프(tape) 등을 이용하여 반사율을 0으로 만든 후 측정하고자 하는 면의 반사도만을 측정하여 관찰한 값으로, 이 때 들어오는 광원은 주변 빛(ambient light) 조건과 가장 유사한 디퓨즈(diffuse) 광원을 선택하였다. 또한, 이 때 반사율을 측정하는 측정 위치는 적분구 반원의 수직선에서 약 7도 기울어진 위치를 기본으로 하였다. 하기 도 6은 이러한 반사율 측정을 위한 장치의 구성 및 구조(Scheme)를 나타내고 있다.

본 발명에 따른 일 실시예로서, 패턴화 공정을 통하여 암색화층 및 전도성 패턴을 형성한 전도성 구조체 2매를 OCA(optically cleared adhesive)를 이용하여 라미네이션(Lamination) 한 후 다시 강화 유리에 라미네이션(lamination)하여 제작한 터치패널에 있어서, 상기 기재측에서 측정한 전반사율이 투과율 89% 기준 샘플에 있어서 6% 이하일 수 있고, 5% 이하일 수 있으며, 4% 이하일 수 있다.

이 때, 투과율과 전반사율은 상호관계를 지니게 되는데, 이러한 상호관계는 투과도가 낮아질수록 전반사율이 높아지는 관계를 지니며, 따라서 패턴이 존재하는 상태에서의 기재 1매의 투과율과 전반사율의 관계식은 하기 수학식 1 및 2와 같다.

[수학식 1]

기재의 투과율 = 기재 자체의 투과율 × (개구면적비)

[수학식 2]

기재의 전반사율 = 기재 자체의 반사율 × (개구면적비) + 금속 자체의 전반사율 × (금속선으로 인한 폐쇄면적비)

이 때, 기재 자체의 반사율은 금속 미세선이 존재하지 않는 상태의 기재의 반사율을 의미한다.

또한, 기재 자체의 투과율에 대한 관계식은 하기 수학식 3과 같다.

[수학식 3]

기재 자체의 투과율 = 100 - 기재 자체의 반사율 - 기재 자체의 흡수율

따라서, 패턴이 존재하는 상태에서의 전반사율과 투과율의 상관관계는 하기 수학식 4와 같다.

[수학식 4]

전반사율 = (100 - 기재 자체의 투과율 - 기재 자체의 흡수율) × 개구면적비 + 금속 자체의 전반사율 × (금속선으로 인한 폐쇄면적비)

이 때, 개구면적비와 폐쇄면적비의 합은 1이다.

따라서, 상기 수학식 4는 하기 수학식 5로 기재될 수 있다.

[수학식 5]

전반사율 = (100 - 기재 자체의 투과율 - 기재 자체의 흡수율) × (기재의 투과율 / 기재 자체의 투과율) + 금속 자체의 전반사율 × (1 - 기재의 투과율/ 기재 자체의 투과율)

따라서, 전반사율은 기재의 투과율이 높을수록 낮아지는 선형적 관계를 지니고 있다.

본 발명에 따른 전도성 구조체는 상기 기재, 전도성 패턴 및 암색화층이 스퍼터링 등과 같은 증착공정을 통하여 순차적으로 증착된 다층 구조를 의미한다. 본 발명에 따른 전도성 구조체는 적층체, 다층구조체 등의 용어로도 표현될 수 있다.

본 발명에 따른 터치패널에 있어서, 상기 암색화층은 상기 전도성 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 하기 수학식 6으로 계산될 수 있다.

[수학식 6]

기재 1매를 이용한 터치 window 전반사율(Rt) = 터치 강화유리 + bare 기재의 반사율(표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율) × 개구율 + 암색화층의 반사율 × 폐쇄율

또한, 상기 터치패널의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우에는 전도성 구조체의 전반사율(Rt)는 하기 수학식 7로 계산될 수 있다.

[수학식 7]

전반사율(Rt) = 터치 강화유리 + bare 기재 2매 적층체의 반사율(표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율) × 개구율 + 패턴 존재하는 기재 2매 적층체의 폐쇄율 × 암색화층의 반사율

따라서, 암색화층이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 암색화층의 반사율에 의하여 의존하게 되고 이러한 관점에서 상기 암색화층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체의 전반사율(R0)에 비하여 15 ~ 20% 감소된 것일 수 있고, 20 ~ 30% 감소된 것일 수 있으며, 30 ~ 50% 감소된 것일 수 있다. 실제 이러한 효과는 심지어는 암색화층과 전도성 패턴이 존재함으로써 아무런 패턴 및 전도체가 없는 bare 기재를 이용한 적층재 대비 더 낮은 반사도를 지니는 제품의 구현도 가능하게 된다. 다만, 이러한 감소 효과는 앞서 기술한 바와 같이 암색화층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체의 전반사율(R0) 대비 88% 수준의 투과율 기준 최소 15%의 감소효과에서부터 최대 50% 수준까지의 반사율의 저감이 가능하다.

본 발명에 따른 터치패널에 있어서, 상기 암색화층은 상기 전도성 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고, 상기 암색화층의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 기재의 전반사율(R0)과의 차이가 50% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.

본 발명에 따른 터치패널에 있어서, 상기 터치패널은 상기 전도성 구조체의 일측에 구비된 기판을 더 포함하고, 상기 전도성 구조체가 구비된 기판의 전반사율을 상기 기판 측에서 측정하였을 때 상기 기판의 전반사율과의 차이가 50% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.

여기서, 상기 전반사율은 암색화 패턴을 포함하는 터치패널 자체의 전반사율을 의미한다.

본 명세서에 있어서, 전반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상층 또는 적층체에 의하여 반사된 반사광 중 파장 550nm의 값을 기준으로 측정한 값이 바람직하며, 이는 550nm의 파장의 전반사율이 통상적으로 전체적인 전반사율과 크게 다르지 않기 때문이다. 예컨대, 기재 상에 상기 암색화층을 구성하는 재료를 증착법, 예컨대 스퍼터링 방법, CVD(chemical vapor deposition)법, 열증착(thermal evaporation)법, 전자빔(e-beam) 증착법 등의 방법을 이용하여 전면 암색화층을 형성한 후, 공기측으로부터 입사된 가시광선의 반사율(550nm)을 측정할 수 있다. 이 때, 상기 기재의 후면, 즉 상기 암색화층이 형성되지 않은 면에 전면 흑화처리를 실시함으로써, 기재 후면에서의 반사를 제거할 수 있다. 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.

본 발명에 따른 터치패널에 있어서, 상기 전도성 구조체의 헤이즈 값은 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있으며, 1.5% 이하일 수 있다.

상기 암색화층을 구성하는 재료로 이루어진 전면 층의 흡광도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 15% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 40% 이하일 수 있다.

또한, 상기 암색화층을 구성하는 재료로 이루어진 전면 층의 광 투과율은 특별히 한정되는 것은 아니나, 터치패널로 사용하기 위해서는 80% 이상일 수 있다.

상기 암색화층은 증착법, 예컨대 스퍼터링 방법, CVD(chemical vapor deposition)법, 열증착(thermal evaporation)법, 전자빔(e-beam) 증착법 등의 방법을 이용하여 암색화층을 형성한 후 이를 패턴화함으로써 형성할 수 있다. 특히, 스퍼터링 방법을 이용하는 경우에는 암색화층의 플렉서블(flexible) 특성이 우수하다. 상기 열증착(thermal evaporation)법 및 전자빔(e-beam) 증착법은 단순히 입자들이 쌓이지만, 스퍼터링 방법은 충돌에 의하여 입자들이 핵을 형성하고, 핵이 성장하여 휘어도 기계적 물성이 우수한 특징이 있다. 또한, 상기 스퍼터링 방법을 이용하는 경우에는 상기 암색화층과 다른 층과의 계면 접착력이 우수하다. 상기와 같이 증착법을 이용함으로써, 점착층 또는 접착층의 이용 없이 기재 또는 전도성 패턴에 직접 암색화층을 형성할 수 있으며, 원하는 두께 및 패턴 형상을 구현할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층은 상기 전도성 패턴과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수는 있으나, 각각의 패턴을 형성하기 위한 층은 별도로 형성된다. 그러나, 전도성 패턴과 암색화층이 정확히 대응되는 면에 존재하기 위해서는 전도성 패턴과 암색화층을 동시에 형성하는 것이 가장 바람직하다.

이와 같이 패턴을 형성함으로써 암색화층 자체의 효과를 최적화 및 최대화하면서, 터치패널에 요구되는 미세한 전도성 패턴을 구현할 수 있다. 터치패널에 있어서, 미세한 전도성 패턴을 구현하지 못하는 경우, 저항 등 터치패널에 요구되는 물성을 달성할 수 없다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층과 상기 전도성 패턴은 별도의 패턴층이 적층 구조를 이루는 점에서, 흡광 물질의 적어도 일부가 전도성 패턴 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구조나 단일층의 도전층이 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별된다.

또한, 본 발명에 따른 터치패널에 있어서, 상기 암색화층은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 전도성 패턴 상에 구비된다. 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 터치패널에 포함되는 적층체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 발명에서는 기재 또는 전도성 패턴과 암색화층의 계면 특성이 우수하다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층의 두께는 전술한 물리적 성질인 소멸간섭 특성과 흡수계수 특성을 지닌다면, 빛의 파장을 λ라 하고, 암색화층의 굴절률을 n으로 정의할 때, λ / (4 × n) = N, N은 홀수의 두께 조건을 만족하면 어떠한 두께든 무관하다. 다만, 제조공정 중 전도성 패턴과의 식각(etching) 특성을 고려하는 경우 10nm 내지 400nm 사이에서 선택하는 것이 바람직하지만, 사용하는 재료 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께는 상이할 수 있으며, 본 발명의 범위가 상기 수치범위에 의하여 한정되는 것은 아니다.

상기 암색화층은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.

상기 암색화층은 무채색(無彩色) 계열의 색상에 가까운 것이 바람직하다. 다만 반드시 무채색일 필요는 없으며, 색상을 지니고 있더라도 낮은 반사도를 지니는 경우라면 도입 가능하다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다. 본 발명에 있어서, 상기 암색화층은 가시광 영역(400nm ~ 800nm)에 있어서 전반사율 측정시 각 파장대별 전반사율의 표준 편차가 50% 내인 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 암색화층의 재료로는 흡광성 재료로서, 바람직하게는 전면 층을 형성했을 때 전술한 물리적 특성을 지니는 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 산질화물로 이루어진 재료라면 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있다.

예컨대, 상기 암색화층은 Ni, Mo, Ti, Cr 등을 이용하여 당업자가 설정한 증착 조건 등에 의하여 산화물막, 질화물막, 산화물-질화물막, 탄화물막, 금속막 또는 이들의 조합일 수 있다. 본 발명자들은 Mo를 사용하는 경우에 있어서 산화물 단독의 경우에 비하여 질화물을 동시에 사용하는 경우가 본 발명에서 언급한 암색화층에 더욱 적합한 광학적 특성을 지님을 확인하였다.

구체적인 예로서, 상기 암색화층은 Ni 및 Mo를 동시에 포함할 수 있다. 상기 암색화층은 Ni 50 ~ 98 원자% 및 Mo 2 ~ 50 원자%를 포함할 수 있으며, 그 외 금속, 예컨대 Fe, Ta, Ti 등의 원자를 0.01 ~ 10 원자%를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 암색화층은, 필요한 경우, 질소 0.01 ~ 30 원자% 또는 산소 및 탄소 4 원자% 이하를 더 포함할 수도 있다.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화층은 SiO, SiO₂, MgF₂ 및 SiNx(x는 1 이상의 정수)에서 선택되는 유전성 물질 및 Fe, Co, Ti, V, Al, Cu, Au 및 Ag 중에서 선택되는 금속을 포함할 수 있으며, Fe, Co, Ti, V, Al, Cu, Au 및 Ag 중에서 선택되는 2원 이상의 금속의 합금을 더 포함할 수 있다. 상기 유전성 물질은 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 점차적으로 감소되도록 분포되어 있고, 상기 금속 및 합금 성분은 그 반대로 분포되어 있는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 유전성 물질의 함량은 20 ~ 50 중량%, 상기 금속의 함량은 50 ~ 80 중량%인 것이 바람직하다. 상기 암색화층이 합금을 더 포함하는 경우, 상기 암색화층은 유전성 물질 10 ~ 30 중량%, 금속 50 ~ 80 중량% 및 합금 5 ~ 40 중량%를 포함하는 것이 바람직하다.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화층은 니켈과 바나듐의 합금, 니켈과 바나듐의 산화물, 질화물 또는 산질화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 박막으로 이루어질 수 있다. 이 때, 바나듐은 26 ~ 52 원자%로 함유되는 것이 바람직하며, 니켈에 대한 바나듐의 원자비는 26/74 ~ 52/48인 것이 바람직하다.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화층은 2 이상의 원소를 갖고, 하나의 원소 조성비율이 외광이 입사하는 방향에 따라 100 옴스트롬당 최대 약 20%씩 증가하는 천이층을 포함할 수 있다. 이 때, 하나의 원소는 크롬, 텅스텐, 탄탈, 티탄, 철, 니켈 또는 몰리브덴과 같은 금속원소일 수 있으며, 금속원소 이외의 원소는 산소, 질소 또는 탄소일 수 있다.

또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화층은 제1 산화크롬층, 금속층, 제2 산화크롬층 및 크롬 미러를 포함할 수 있으며, 이 때 크롬을 대신하여 텅스텐, 바나듐, 철, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속층은 10 ~ 30nm의 두께, 상기 제1 산화크롬층은 35 ~ 41nm의 두께, 상기 제2 산화크롬층은 37 ~ 42nm의 두께를 가질 수 있다.

또 구체적인 하나의 예로서, 상기 암색화층으로는 알루미나(Al₂O₃)층, 크롬 산화물(Cr₂O₃)층 및 크롬(Cr)층의 적층 구조를 사용할 수 있다. 여기서, 상기 알루미나층은 반사 특성의 개선 및 광확산 방지특성을 갖고, 상기 크롬 산화물층은 경면 반사율을 감소시켜 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층은 상기 전도성 패턴에 대응되는 영역에 구비된다. 여기서 전도성 패턴에 대응되는 영역이라 함은 상기 전도성 패턴과 동일한 형상의 패턴을 가지는 것을 의미한다. 다만, 암색화층의 패턴 규모가 상기 전도성 패턴과 완전히 동일한 필요는 없으며, 암색화층의 선폭이 전도성 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 발명의 범위에 포함된다. 예컨대, 상기 암색화층은 상기 전도성 패턴이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가질 수 있다.

상기 암색화층은 상기 전도성 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다.

상기 암색화층이 상기 전도성 패턴의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 패턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 암색화층이 전도성 패턴을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 전도성 패턴 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 암색화층의 선폭이 상기 전도성 패턴의 선폭과 동일하여도 본 발명에 목적하는 효과를 달성할 수 있다. 상기 암색화층의 선폭은 전도성 패턴의 선폭보다 하기 수학식 8에 따른 값만큼 더 큰 폭을 지니는 것이 바람직하다.

[수학식 8]

Tcon × tangent Θ ₃ × 2

상기 수학식 8에 있어서,

Tcon는 전도성 패턴의 두께이고,

Θ ₃ 는 터치패널의 사용자의 시각이 위치한 곳으로부터 입사한 광이 상기 전도성 패턴 및 상기 암색화층의 모서리를 통과할 때, 광이 기재 표면에 대한 법선과 이루는 각이다.

Θ ₃ 는 터치패널의 사용자의 시각과 기재가 이루는 각(Θ ₁ )이 기재의 굴절율 및 상기 암색화층과 전도성 패턴이 배치된 영역의 매질, 예컨대 터치패널의 점착제의 굴절율에 의하여 스넬의 법칙에 따라 변화된 각이다.

한 예로, 바라보는 사람이 Θ ₃ 의 값이 약 80도의 각을 이루도록 상기 전도성 구조체를 바라본다고 가정하고, 전도성 패턴의 두께가 약 200nm이라 가정하면, 암색화층이 전도성 패턴 대비 선폭이 측면을 기준으로 할 때 약 2.24㎛(200nm × tan(80) × 2)만큼 큰 것이 바람직하다. 그러나, 앞서 기술한 바와 같이 암색화층이 전도성 패턴과 동일한 선폭을 갖는 경우에도 본 발명에서 목적으로 하는 효과를 달성할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 기재의 재료는 본 발명에 따른 전도성 구조체를 적용하고자 하는 분야에 따라 적절하게 선택될 수 있으며, 바람직한 예로는 유리 혹은 무기 재료 기판, 플라스틱 기판 또는 필름 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 전도성 패턴의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 금속인 것이 바람직하다. 상기 전도성 패턴의 재료는 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 재료일 수록 바람직하다. 다만, 본 발명의 측면흑화의 경우에 있어서는 전도성 재료의 경우 암색화층의 재료와는 서로 다른 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 특히 암색화층에 의한 부식에 의한 측면 흑화를 고려할 때 전도층의 경우가 귀전위(+전위)를 지니게 전도층을 선정하는 것이 바람직한 경우라 할 수 있다.

이와는 반대로 본 발명에서 언급한 암색화층이 더욱 넓은 넓이를 지니는 전극을 형성하는 경우를 앞서의 갈바닉 부식을 이용하여 달성하는 경우에는 반대로 전도층이 활성전위(-전위)를 지니는 것이 측면의 부식에 의하여 암색화층의 면적을 넓게 할 수 있다는 점에 있어서 더욱 유리한 경우라 할 수 있다.

일반적으로 전도도가 우수한 재료는 반사도가 높은 단점이 있다. 그러나, 본 발명에서는 상기 암색화층을 사용함으로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 전도성 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명에서는 전반사율이 70 ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화층을 통하여 전반사율을 낮추고, 전도성 패턴의 시인성을 낮추며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.

상기 전도성 패턴의 재료의 구체적인 예로는 금, 은, 알루미늄, 구리, 네오디윰, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막 또는 다층막이 바람직하다. 여기서, 상기 전도성 패턴의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 ~ 10㎛ 이하인 것이 전도성 패턴의 전도도 및 형성 공정의 경제성 측면에서 바람직하다.

상기 도전층과 암색화층으로 이루어진 적층체의 패턴화는 에칭 레지스트 패턴을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 더욱 바람직하다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 전도성 패턴을 에칭하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 제거할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 전도성 패턴은 선폭이 10㎛ 이하일 수 있고, 0.1 내지 10㎛ 일 수 있으며, 0.2 내지 8㎛ 일 수 있고, 1 내지 5㎛ 일 수 있다. 상기 전도성 패턴의 두께는 10㎛ 이하일 수 있고, 2㎛ 이하일 수 있으며, 10 ~ 300nm 일 수 있다.

상기 전도성 패턴의 개구율, 즉 패턴에 의하여 덮여지지 않는 면적 비율은 70% 이상일 수 있고, 85% 이상일 수 있으며, 95% 이상일 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴의 개구율은 90 내지 99.9% 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.

상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.

규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 발명에서 불규칙 패턴과 암색화층을 함께 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 암색화층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.

본 발명의 일 실시상태에서, 상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴이고, 전도성 패턴을 구성하는 선들 중 임의의 복수의 선이 교차하여 형성되는 교차점을 포함하며, 이 때 이러한 교차점의 수는 3.5cm × 3.5cm 면적에서 3,000 ~ 122,500개 일 수 있고, 13,611 ~ 30,625개 일 수 있으며, 19,600 ~ 30,625개 일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 디스플레이에 장착시 4,000 ~ 123,000개인 경우가 디스플레이의 광학특성을 크게 해치지 않는 광특성을 나타냄을 확인하였다.

또한, 본 발명의 일 실시상태에서, 상기 전도성 패턴은 불규칙적 패턴이고, 전도성 패턴을 구성하는 선들 중 임의의 복수의 선이 교차하여 형성되는 교차점을 포함하며, 이 때 이러한 교차점의 수는 3.5cm × 3.5cm 면적에서 6,000 ~ 245,000개 일 수 있고, 3,000 ~ 122,500개 일 수 있고, 13,611 ~ 30,625개 일 수 있으며, 19,600 ~ 30,625개 일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 디스플레이에 장착시 4,000 ~ 123,000개인 경우가 디스플레이의 광학특성을 크게 해치지 않는 광특성을 나타냄을 확인하였다.

상기 전도성 패턴의 피치는 600㎛ 이하일 수 있고, 250㎛ 이하일 수 있으나, 이는 당업자가 원하는 투과도 및 전도도에 따라 조정할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 전도성 패턴은 비저항 1 × 10⁶ 옴?cm 내지 30 × 10⁶ 옴?cm의 물질이 적절하며, 7 × 10⁶ 옴?cm 이하인 것이 더욱 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 기재, 상기 전도성 패턴 및 상기 암색화층을 포함하는 전도성 구조체는 면저항이 1 내지 300 오옴/스퀘어 일 수 있다. 이와 같은 범위 내인 것이 터치패널의 작동에 유리하다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층의 조도는 1nm 이상일 수 있고, 2nm 이상일 수 있으며, 5nm 이상일 수 있고, 10nm 이상일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 전도성 패턴의 상부면, 하부면 및 측면의 적어도 일부에 구비된 암색화층은 모두 동일한 물질이고 연속적으로 연결된 것일 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 암색화층과 상기 전도성 패턴은 그 측면이 순 테이퍼각을 가질 수 있으나, 전도성 패턴의 기재측 반대면 상에 위치하는 암색화층 또는 전도성 패턴은 역테이퍼각을 가질 수도 있다.

본 발명에 따른 터치패널은 전술한 기재, 전도성 패턴 및 암색화층을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 암색화층을 포함하는 전도성 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 전도성 패턴을 중심으로 하여 암색화층을 포함하는 전도성 구조체가 서로 다른 방향에 배치될 수 있다. 본 발명의 터치패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 암색화층을 포함하는 전도성 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 전도성 구조체만 전술한 기재, 전도성 패턴 및 암색화층을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포함되는 전도성 구조체는 암색화층을 포함하지 않아도 좋다.

또한, 본 발명에 따른 터치패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 전도성 패턴 및 암색화층이 구비될 수 있다.

본 발명에 따른 전도성 구조체를 포함하는 터치패널의 전반사율은 12% 이하일 수 있고, 7% 이하일 수 있으며, 5% 이하일 수 있고, 2% 이하일 수 있다.

본 발명에 따른 터치패널은 상기 전도성 구조체 상에 상기 전도성 패턴이 형성된 유효화면부 이외에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며, 이 때 유효화면부와 전극부 / 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있으며, 동일한 두께를 지니고 있어 그 이음매가 없을 수 있다.

본 발명에 따른 터치패널은 보호필름, 편광필름, 반사방지필름, 눈부심방지필름, 내지문성필름, 저반사필름 등을 각 기재의 일면에 구비할 수 있다.

또한, 본 발명은 터치패널의 제조방법을 제공한다.

하나의 실시상태에 따르면, 본 발명은 기재 상에 전도성 패턴을 형성하는 단계; 상기 전도성 패턴 형성 전과 후 모두 암색화층을 형성하는 단계; 및 상기 암색화층의 갈바닉 부식을 유도하는 단계를 포함하는 터치패널의 제조방법을 제공한다.

또 하나의 실시상태에 따르면, 기재 상에 전도성 패턴 형성용 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층 형성 전과 후 모두 암색화층을 증착하는 단계; 상기 도전층 및 상기 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 암색화층의 갈바닉 부식을 유도하는 단계를 포함하는 터치패널의 제조방법을 제공한다.

상기 제조방법에서는 전술한 각 층의 재료 및 형성방법이 사용될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 터치패널은 상기 전도성 구조체를 포함한다. 예컨대, 정전용량식 터치패널에 있어서, 상기 본 발명의 일 실시상태에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다.

본 발명의 일 실시상태에 따른 터치패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면　및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된　전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출을 위한 신호 송신 및 수신의 기능을 수행할 수 있다.

이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 발명의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 발명에 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 패턴을 가질 수 있다.

상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의 전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될 수 있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다.

상기 터치패널은 전술한 전도성 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

< 실시예 >

< 실시예 1 ~ 4>

기재상에 Mo계 산질화물을 이용하여 암색화층을 형성한 후, 그 위에 Cu를 이용하여 도전층을 형성하였다. 이어서, 상기 도전층의 상면에 Mo계 산질화물을 이용하여 암색화층을 형성한 후, 하기 표 1에 기재된 DI 혼입 비율 및 부식방지제 함량에 따른 스트리핑 공정시 갈바닉에 의한 커버링 현상의 진행을 관찰하였다. 그 결과는 하기 도 2 ~ 5에 나타내었다.

[표 1]

< 실시예 5>

전면 Cu가 증착된 기재 상에 스퍼터(sputter) 장비로 Mo 타겟(target)을 이용하여 산질화물을 추가로 형성하여 전도층 및 암색화층을 형성하였으며, 그 최종 적층체의 두께는 220nm였다. 이를 암색화면에서 측정한 기재의 반사도는 6.1%에 해당되었다. 형성된 기재를 이용하여 리버스 오프셋(Reverse offset) 공정을 이용하여 에칭레지스트(Etching Resist, LGC 자체 개발)를 인쇄한 후 120℃에서 3분간 소성 후 이를 ENF사 Cu 식각액(etchant)을 이용하여 40℃에서 40초간 에칭하였다. 이후 아세톤 박리 후 측정한 형성된 패턴의 선폭은 3.5㎛이었다. 제조된 전도성 기판 2장을 각각 OCA(3M 50㎛)으로 라미네이션한 후 다시 이를 0.55t 삼성코닝사의 고릴라 유리에 100㎛ OCA로 라미네이션하고, 전반사율을 측정하였다.

< 실시예 6>

전면 Cu가 증착된 기재상에 스퍼터(sputter) 장비로 Mo 타겟(target)을 이용하여 산질화물을 추가로 형성하여 전도층 및 암색화층을 형성하였으며, 그 최종 적층체의 두께는 220nm였다. 이를 암색화면에서 측정한 기재의 반사도는 6.1%에 해당되었다. 형성된 기재를 이용하여 리버스 오프셋(Reverse offset) 공정을 이용하여 에칭레지스트(Etching Resist, LGC 자체 개발)를 인쇄한 후 120℃에서 3분간 소성 후 이를 ENF사 Cu 식각액(etchant)을 이용하여 40℃에서 40초간 에칭하였다. 이후 Amine(amino ethoxy ethanol)과 NMP를 2 : 8 비율로 혼합 후 다시 이 용액과 DI를 99.5 : 0.5로 혼합한 후 60℃에서 10분간 박리한 후 측정한 형성된 패턴의 선폭은 3.6㎛이었다. 제조된 전도성 기판 2장을 각각 OCA(3M 50㎛)으로 라미네이션한 후 다시 이를 0.55t 삼성코닝사의 고릴라 유리에 100㎛ OCA로 라미네이션하고, 전반사율을 측정하였다.

< 비교예 1>

Bare PET 기판 2장을 각각 OCA(3M 50㎛)으로 라미네이션한 후 다시 이를 0.55t 삼성코닝사의 고릴라 유리에 100㎛ OCA로 라미네이션하고, 전반사율을 측정하였다.

< 비교예 2>

Al로 구성된 전도성 기판(100㎛ PET) : 전면 Al이 증착된 기재를 이용하여 리버스 오프셋(Reverse offset) 공정을 이용하여 에칭레지스트(Etching Resist, LGC 자체 개발)를 인쇄한 후 120℃에서 3분간 소성 후 이를 EXAX사 Al 식각액(etchant)를 이용하여 40℃에서 40초간 에칭하였다. 이후 아세톤 박리 후 측정한 형성된 패턴의 선폭은 3.5㎛이었다 제조된 전도성 기판 2장을 각각 OCA(3M 50㎛)으로 라미네이션한 후 다시 이를 0.55t 삼성코닝사의 고릴라 유리에 100㎛ OCA로 라미네이션하고, 전반사율을 측정하였다.

상기 실시예 5 ~ 6 및 비교예 1 ~ 2의 전반사율의 결과를 하기 도 7에 나타내었다.

상기 결과로부터, 본 발명은 추가의 공정 없이 스트리핑 공정의 조절을 통하여 전도성 패턴의 전면에 암색화층을 도입할 수 있고, 이를 통하여 전도성 패턴에 포함되는 금속에 의한 측면 반사를 제어할 수 있다.

Claims

a) 기재,
b) 상기 기재의 적어도 일 면에 구비된 전도성 패턴, 및
c) 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면에 구비되고, 상기 전도성 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되며, 상기 전도성 패턴에 대응되는 영역에 구비된 암색화층
을 포함하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체의 암색화층이 보이는 면에서 측정한, 암색화층과 전도성 패턴으로 이루어진 패턴 영역의 색상범위는 CIE LAB 색좌표를 기준으로 L 값이 20이하, A 값이 -10 ~ 10, 및 B 값이 -70 ~ 70인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체의 암색화층이 보이는 면에서 측정한, 암색화층과 전도성 패턴으로 이루어진 패턴 영역의 전반사율은 550nm를 기준으로 17% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 암색화층은 유전성 물질, 금속, 금속의 합금, 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 산질화물 및 금속의 탄화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 4에 있어서, 상기 금속은 Ni, Mo, Ti, Cr, Al, Cu, Fe, Co, Ti, V, Au 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체의 암색화층이 보이는 면에서의 전반사율은 암색화층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체의 전반사율에 비하여 15 ~ 50% 감소된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체의 헤이즈 값은 5% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 기재, 상기 기재의 적어도 일 면에 구비된 전도성 패턴, 및 상기 전도성 패턴의 상부면 및 하부면에 구비되고 상기 전도성 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되며 상기 전도성 패턴에 대응되는 영역에 구비된 암색화층 포함하는 전도성 구조체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 8에 있어서, 상기 2개의 전도성 구조체 사이에 절연층이 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 8에 있어서, 상기 2개의 전도성 구조체는 서로 반대 방향 또는 같은 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 상기 전도성 패턴 및 암색화 층이 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴이고, 상기 전도성 패턴을 구성하는 선들 중 임의의 복수의 선이 교차하여 형성되는 교차점을 포함하고, 상기 교차점의 수는 3.5cm × 3.5cm 면적에서 3,000 ~ 122,500개인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 13에 있어서, 상기 교차점의 수는 3.5cm × 3.5cm 면적에서 13,611 ~ 30,625개인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴은 불규칙적 패턴이고, 상기 전도성 패턴을 구성하는 선들 중 임의의 복수의 선이 교차하여 형성되는 교차점을 포함하고, 상기 교차점의 수는 3.5cm × 3.5cm 면적에서 6,000 ~ 245,500개인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 15에 있어서, 상기 교차점의 수는 3.5cm × 3.5cm 면적에서 13,611 ~ 30,625개인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 암색화층은 상기 전도성 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 10㎛ 이하, 두께는 10㎛ 이하 및 피치는 600㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 7㎛ 이하, 두께는 1㎛ 이하 및 피치는 400㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 5㎛ 이하, 두께는 0.5㎛ 이하 및 피치는 300㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 암색화층의 조도가 1nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 암색화층의 조도가 2nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 암색화층의 조도가 5nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 암색화층의 조도가 10nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴의 상부면, 하부면 및 측면의 적어도 일부에 구비된 암색화층은 모두 동일한 물질이고 연속적으로 연결된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
청구항 1 내지 25 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치패널.
청구항 26의 터치패널 및 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이.
기재 상에 전도성 패턴을 형성하는 단계;
상기 전도성 패턴 형성 전과 후 모두 암색화층을 형성하는 단계; 및
상기 암색화층의 갈바닉 부식을 유도하는 단계
를 포함하는 터치패널의 제조방법.
기재 상에 전도성 패턴 형성용 도전층을 형성하는 단계;
상기 도전층 형성 전과 후 모두 암색화층을 증착하는 단계;
상기 도전층 및 상기 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계; 및
상기 패터닝된 암색화층의 갈바닉 부식을 유도하는 단계
를 포함하는 터치패널의 제조방법.
청구항 28 또는 29에 있어서, 상기 갈바닉 부식은 암색화층의 에칭 및 스트리핑 공정시 수행되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 제조방법.