TW201305871A - 導電結構、觸控面板及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種導電結構，包括a)一基板；b)一導電圖案，係提供於該基板上至少一側；以及c)一暗層，係提供於該導電圖案之上表面及下表面、該導電圖案上之至少一部分、以及對應該導電圖案之一區域，以及包含其之一觸控面板，以及製造方法。

Description

導電結構、觸控面板及其製備方法
本發明係基於2011年3月28日申請之韓國專利申請案第10-2011-0027791號之優先權及相關優惠，其所揭示全部內容合併於此以供參酌。
本發明係關於一種導電結構、觸控面板及其製備方法，本發明係關於一種導電結構，包括一導電圖案，一觸控面板以及其製備方法
一般來說，觸控面板可根據如下述之信號偵測方法來分類。即觸控面板分為電阻式，係偵測經壓力壓按之位置，於施加直流電的情況下改變通過的電流值或電壓值；電容式係於施加交流電壓時使用電容耦合的方式；以及電磁式，係於施加磁場的情況下於選定位置偵測到電壓值的變化。
在現有的技術中，改善上述所提及之不同類型的觸控面板之技術發展是必需的。在此情況下，為達到目的，使用金屬細絲代替ITO的相關技術中，存在著由於金屬的高反射率導致金屬圖案明顯的問題。
本發明之一實施例提供了導電結構，包括：a)一基板；b)一導電圖案，係提供於基板上至少一側；以及 c)一暗層(darkening layer)，係提供於導電圖案之上表面及下表面，設置於導電圖案上至少一部分，以及設置於一對應於導電圖案之區域。
另外，本發明之另一實施例提供了包括導電結構之觸控面板。
此外，本發明之另一實施例提供了包括觸控面板以及顯示模組之顯示器。
又，本發明之另一實施例提供了一種觸控面板的製造方法，包括：形成導電圖案於基板上；於形成導電圖案之前以及之後形成一暗層；以及誘導暗層之電偶腐蝕。
本發明之另一實施例更提供了另一種觸控面板的製造方法，包括：形成導電層於基板上以形成導電圖案；於形成導電層之前以及之後沉積一暗層；分別或同時形成圖案化導電層以及暗層；以及誘導圖案化之暗層的電偶腐蝕。
根據本發明之實施例，在一包括提供導電圖案於可用的屏幕部分之觸控面板，暗層係被設置於導電圖案之觀看面上，如此一來，在不影響導電圖案的導電性的情況下，能防止導電圖案的反射，且，暗層可額外設置於觀看面之側面，如此一來，能夠改善變暗的程度以改良導電圖案的隱蔽性。另外，如上所述，經由引入暗層，能夠進一步改善觸控面板的對比度。
在下文中，將對本發明進行詳細的說明。
在一般的情況下，觸控面板係使用ITO為基板的導電層，但若將ITO應用於大尺寸之觸控面板，由於其本身的RC延遲，而產生識別速度降低的問題。為了解決該問題，試圖引入一外加之補償晶片的方法已被使用，但存在著成本增加的問題。為了解決此問題，一種使用金屬圖案替代ITO導電層的技術正被許多製造商開發中。然而，當使用普通的單一金屬，由於金屬本身的高反射率，該技術具有會被人眼於視點觀察到的缺點，高反射率以及霧度值之類的外在光線可能會產生炫光。
因此，本發明所進行的研究係能改善觸控面板中，導電圖案及由外在光線產生反射的可見度，其觸控面板係包括提供導電圖案於可用的屏幕部分，係與使用ITO導電層之觸控面板的相關技術不同。
一種導電結構，包括：a)一基板；b)提供於基板上至少側之一導電圖案；以及c)一暗層(darkening layer)，其係設置於導電圖案之上表面及下表面，設置於導電圖案上至少一部分，且設置於對應於導電圖案之區域。
本發明中的暗層係指當金屬形成於導電層上係同時與暗層層疊配置時，具有可見的顏色反射率以及吸收特性，且再配置圖案，而非表示配置暗層之層本身的顏色或吸收光為黑色。
在本發明中，包括提供導電圖案於可用的屏幕部分之觸控面板，其被發現，由導電圖案產生的光反射對於導電圖案的可見度具有嚴重的影響，此問題是期望被改善的。尤其，相關技術中，以ITO為基板的觸控面板，由於ITO本身的高透光度，因此導電圖案的反射率並不大，但於包括提供導電圖案於可用的屏幕部分之觸控面板，發現該導電圖案之反射率和吸收特性對於辨識線路具有很大的影響。
因此，本發明中，為了降低觸控面板之導電圖案的反射率，以及改善吸收特性，藉由引入暗層於相對於導電圖案之表面。在本發明中，暗層係提供於觸控面板內導電圖案之整體表面，從而減少由高反射率的導電圖案的可見性。詳細地說，由於暗層在預定厚度的情況下，該暗層具有破壞干擾及自吸光性，藉由導電圖案透過類似調整反射至暗層上之光量及通過暗層而反射至導電圖案上之光量，其可呈現降低反射率之效果；同時在特定厚度的情況下，導引兩種光線間之破壞干擾。在此情況下，較佳為暗層具有比導電圖案還低的反射率。由於相較於直接觀看導電圖案的情況下，降低了光線的反射，故導電圖案的可見度被大幅地降低。
特別是，在本發明中，暗層可被提供於導電圖案的整個表面，包括上表面、下表面、以及側面。暗層係經由誘導於導電圖案上表面暗層之使用兩種不同金屬之間的電偶腐蝕作用(Galvanic corrosion)，係根據引入暗層後附加進行 的蝕刻以及剝離程序中DI混和時的pH值變化，以覆蓋導電圖案側面。
在此種情況下，電偶腐蝕係指當不同的金屬被浸置於一溶液內時，則存在著電位差，因此，不同的金屬之間因此具有電子的移動，在這種情況下，具有高電位的金屬的腐蝕速度則會降低，而具有活性電位的金屬的腐蝕速度則會加速，也就是說，具有高電位的金屬係為負電電極，而具有活性電位的係為正電電極。而所引起的腐蝕被稱為電偶腐蝕或異種金屬接觸腐蝕(dissimilar metal contact corrosion)。影響電偶腐蝕的重要因素之一係負電極以及正電極的面積比率，且若正電極的電流密度增加時，該電偶腐蝕的速率則會增加，相反的，具有小面積的負電極與具有大面積的正電極的組合將會是減少電偶腐蝕的一種良好狀態。
本發明之實施例1中，圖1所示係為電子顯微鏡下觀察利用電偶腐蝕，引入暗層至導電圖案側面之每個步驟。
考慮到側面的腐蝕作用係發生於產生區的0.5 μm水平，經由電偶腐蝕作用覆蓋導電圖案側邊的過程中，初始圖案形成時的線路寬度可控制於不會有太大的改變的狀態。另外，在過程中，覆蓋過程可透過調控分離器(stripper)中防銹劑的含量、分離器中DI混和比率、分離時間以及溫度等而被控制。
從此方面來看，本發明具有一個很大的優勢，即引入暗層於導電圖案的整體表面可經由調控剝離過程(stripping process)而完成，不須額外的步驟，因此，具有因導電圖案的金屬本身(特別是高導電金屬)所造成的側邊反射可被控制的優點。
根據本發明中形成導電結構的初始基板材料中，於圖案區域的色彩範圍中，基於CIE LAB色彩座標，L值可為20或以下，A值可為-10至10，且B值可為-70至70；L值可為10或以下，A值可為-5至5，且B值可為0至35；抑或，L值可為5或以下，A值可為-2至2，且B值可為0至15；該值係由根據本發明之導電基板之暗層之可見表面所測量。
再者，基於波長550 nm之外部光源，由暗層與導電圖案所形成之該圖案區域之全反射率可為17%或以下、10%或以下、或5%或以下；該值係由根據本發明之導電結構之暗層之可見表面測量。
於此，全反射率意指由散射反射率及鏡面反射率兩者獲得之反射率。全反射率係為一觀察值，藉由設置一表面之相反表面之反射率以利用黑色膠帶、膠帶或其類似物測量其反射率為0，接著測量僅被測量表面之反射率；在此情況下，導入與環境光條件最相近之漫射光源以提供作為光源。再者，在此情況下，反射率之測量位置係設置於基於由積分球之半球之水平線傾斜角度約7°之位置。下述圖6係顯示一測量全反射率之裝置組成。
本發明之實施例的觸控面板中，係經由層疊兩片使用光學膠(optically cleared adhesive)圖案化過程，形成暗層以及導電圖案之導電結構，然後再層疊導電結構層板於強化 玻璃上，其基側之總反射率，於參照樣品的透射率為89%的情況下，可能為6%或以下、5%或以下、以及4%或以下。
在此種情況下，其透射率以及總反射率具有相互關係，其中，當透射率降低，總反射率會提高。因此，具有圖案的基板中，一片狀結構之透射率以及總反射率之間的關係係由下式所示：[式1]基板透射率=基板之自透光率×(開口面積比率)
[式2]基板總反射率=基板之自反射率×(開口面積比率)+金屬之自總反射率×(金屬線路造成的封閉面積比率)
在此情況下，該基板之自反射率係為當金屬細線不存在時的基板的反射率。
另外，基板的自透射率係由下列式3所示：[式3]基板之自透射率=100-基板之自反射率-基板之自吸光率
而在具有圖案時的總反射率以及透射率的交互關係如下式4所示：[式4]總反射率=(100-基板之自透射率-基板之自吸光率)×開口面積比率+金屬自總反射率×(金屬線路造成的封閉面積比率)
在此情況下，開口面積比率以及封閉面積比率的總和為1。
因此，式4可如下列式5所示：[式5]總反射率=(100-基板之自透射率-基板之自吸光率)×(基板之透射率/基板之自透射率)+金屬之自總反射率×(1-基板之透射率/基板之自透射率)
因此，基板之總反射率與透射率之間係有線性關係，即基板之總反射率降低時，其透射率會提高。
根據本發明之導電結構係表示一多層結構，其基板、導電圖案、以及暗層係經由沉積程序如濺射等，依次沉積，根據本發明之導電結構可以以一層板、一多層結構等來描述之。
根據本發明之觸控面板，其中，暗層包括鑲於導電圖案之第一表面以及面對第一表面之第二表面，且當該導電結構之總反射率係於圖案化之暗層之第二表面上量測時，導電結構之總反射率(Rt)可以由下列之式6計算：[式6]使用一片基板之觸控窗之總反射率Rt=觸控強化玻璃+裸基板之反射率(當表面為薄膜時的薄膜反射率)×孔徑比+暗層之反射率×封閉比
另外，在觸控面板種設置層疊的兩種導電結構的情況下，導電結構之總反射率Rt可由下列式7來計算：[式7] 總反射率Rt=觸控強化玻璃+層疊兩片裸基板之反射率(當表面為薄膜時的薄膜反射率)×孔徑比+層疊兩片圖案化基板之封閉比率×板暗層之反射率×封閉比
因此，存在暗層以及不存在暗層之間的不同處係取決於暗層之反射率，且在此方面，相較於除了不具有暗層外具有相同配置的導電結構的總反射率R0，可減少15到20%、20到30%、以及30到50%。實際上，由於暗層以及導電圖案的存在，其影響也可改善具有比使用不具有任何圖案以及導體的裸基板的層板還低的反射率的產品。然而，透過減少的效果，可減少基於如上述具有相同配置之導電結構的總反射率R0，88%透射率的反射率至少15%至50%。
根據本發明之觸控面板，該觸控面板更包括了一提供於導電結構一側之基板，且當具有導電結構之基板於基板側測量其總反射率時，導電結構之總反射率Rt與基板之總反射率之間之不同可能為50%或以下、30%或以下、20%或以下、以及10%或以下。
在此，總反射率係指包括暗層之觸控面板之自總反射率。
在本說明書中，總反射率的值係較佳為，當輸入之入射光為100%時，量測被於目標層或層板反射之反射光中波長為550 nm之光線。其原因是因為光波長為550 nm之總反射率與整體之總反射率沒有很大的差異。例如，使用配置於基板上之暗層材料形成前暗層，例如使用如濺射法、化學氣相沉積法(CVD)、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、及其類似 方法，由空氣側輸入可見光之反射率(550 nm)可被量測。基板可使用透明基板，但並無特別限制，且例如可使用玻璃、塑膠基板、塑膠薄膜、及其類似物。
根據本發明之觸控面板，其霧度值可為5%或以下、3%或以下、以及1.5%或以下。
使用配置暗層材料所形成之前層之吸光值並無特別的限制，但可為15%或以下、30%或以下、以及40%或以下。
此外，使用配置暗層材料所形成之前層，其光透射率並無特別的限制，但可為80%或以上，以便被用於觸控面板。
例如，暗層可使用沉積法形成以及圖案化暗層，例如濺射法、化學氣相沉積法(CVD)、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、以及其類似方法。特別的是，在使用濺射法的情況下，暗成具有優異的可撓性(flexible characteristic)，以熱蒸鍍法以及電子束蒸鍍法，粒子係簡單的堆疊，但使用濺射法時，粒子因為碰撞而形成核，且雖然核的生長彎曲，核具有優異的機械性質。特別的是，在使用濺射法的情況下，暗層以及其他層間介面的貼附性質優異。如上所述，若使用層基法，暗層可直接形成於基板上或是導電圖案而不需使用黏著劑層，且所需的厚度以及圖案形狀也可落實。
於本發明中，該暗層及電子導電圖案可同時或各自圖案化，但用以形成各圖案之層係分別形成。然而，最佳係同時形成該電子導電圖案及該暗層，以使得該導電圖案及該暗層得以精確的設置於對應面。
如上所述，藉由形成暗層圖案時，最佳化及最大化暗層之效果，其可能於所需之觸控螢幕中形成細緻的導電圖案。於觸控螢幕中，在無法形成該細緻導電圖案下，無法獲得觸控螢幕所需之物理性質，如電阻。
於本發明中，既然暗層及導電圖案可藉由個別圖案層而形成為一層狀結構，該結構係不同於至少有部分光吸收材料插入或分散於導電圖案中之結構；抑或不同於藉由於單層導電層上進行表面處理，以使部分表面呈物理性或化學性變形之結構。
再者，根據本發明之觸控螢幕，當一附著層或黏著層無法插置於該暗層與基板或導電圖案中間時，該暗層係直接設置於邊界或導電圖案上。該附著層或該黏著層可影響耐久性或光學性質。此外，用於製造包括於根據本發明觸控螢幕之層板之方法係大不同於使用該附著層與該黏著層之情況。再者，相較於使用附著層及黏著層之情況，於本發明中，基板或導電圖案與暗層之間之界面性質係相當優異。
於本發明中，任何厚度之暗層皆可使用，只要暗層具有破壞界面性質及吸收係數性質，即前述之物理性質，以及暗層之厚度滿足λ/(4×n)=N之厚度條件(於此，N係為一奇數)，其中光波長設定為λ，暗層之折射率係定義為n。然而，於製造過程中，考量到導電圖案之蝕刻性質，其較佳之厚度係選自10奈米至400奈米，但根據所使用之材料及 製程，較佳的厚度係不相同，且本發明之範疇不侷限於上述數值範圍。
該暗層可形成為單層或兩層以上之複數層。
較佳地，暗層之顏色係接近無色。然而，該顏色可不需要為無色，即便該暗層具有顏色，只要其具有低反射率，即可作為該暗層。在此情況下，無色意指呈現光線時，進入物體表面之光線不會被選擇性地吸收，而是根據每個組成之波長而被均勻地反射與吸收。於本發明中，暗層可使用一材料，其測量全反射率時，於可見光範圍(400至800奈米)中，50%以下之每個波長之全反射率之標準差。
該暗層之材料係為一光吸收材料，且較佳可無特別限制地使用任何材料，只要當形成整個表面層時，由金屬、金屬氧化物、或金屬氮氧化物所組成之材料具有上述之物理性質即可。
例如，於本領域熟悉該技術之人員設定之沉積條件下，該暗層可藉由使用鎳(Ni)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈷(Co)及其類似物形成一氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜、碳化物膜、金屬膜或其組合。本發明證實在使用鉬的情況下，對於本發明所述之暗層圖案，相較於單獨使用氧化物之例子中，同時使用氮化物及氧化物的例子具有較合適的光學性質。
如其所述之實施例，該暗層可包括鎳及鉬兩者。該暗層圖案可包括50至98原子%的鎳及2至50原子%的鉬；更可包括0.01至10原子%之其他金屬，例如，鐵(Fe)、鉭(Ta)及 鈦(Ti)。於此，如有所需，該暗層圖案可更包括0.01至30原子%之氮或4原子%或更少的氧及碳。
如其他所述之實施例，該暗層可包括一介電材料可選自由氧化矽(SiO)、二氧化矽(SiO2)、氟化鎂(MgF2)及氮化矽(SiNx，x係為大於或等於1之整數)及一選自鐵、鈷、鈦、釩、鋁、銅、金及銀之金屬；更包括由兩種或以上選自鐵、鈷、鈦、釩、鋁、銅、金及銀組成之合金。隨著遠離外部光線入射方向，該介電材料之分佈含量隨之逐漸減少；該金屬及合金組成之分佈則相反。於此情況下，該介電材料之含量係20至50重量%，且金屬之含量係50至80重量%。在暗層圖案更包括該合金的情況下，較佳的，該暗層圖案包括10至30重量%之介電材料、50至80重量%之金屬，以及5至40重量%之合金。
在其他詳細描述之實施例中，該暗層可形成一薄膜，其包括一或多種之鎳釩合金、鎳及釩之氧化物、以及氮化物或氮氧化物。在此情況下，釩之含量為26至52原子%；釩對鎳之原子比例為26/74至52/48。
在其他詳細描述之實施例中，該暗層可包括一過渡層，其中係包括二種以上元素，且根據外部光源之入射方向，一元素之組成比率係增加約每100埃20%之最大值。在此情況下，一元素可為一金屬元素，如鉻(chromium)、鎢(tungsten)、鉭(tantalum)、鈦(titanium)、鐵(iron)、鎳(nickel)或鉬(molybdenum)；而非金屬之元素可為氧、氮或碳。
在其他詳細描述之實施例中，該暗層可包括一第一氧化鉻層、一金屬層、一第二氧化鉻層及一鉻鏡；在此情況下，可包括選自鎢、釩、鐵、鉻、鉬及鈮(niobium)以代替鉻之金屬。該金屬層之厚度為10至30奈米，該第一氧化鉻層之厚度為35至41奈米，且該第二氧化鉻層之厚度為37至42奈米。
在另一詳細描述之實施例中，氧化鋁層(Al2O3)、氧化鉻層(Cr2O3)及鉻層(Cr)之層狀結構可用以作為該暗層。於此，該氧化鋁層具有提高反射性質及防止光散射之特徵，且該鉻層可藉由降低入射面反射率以提高對比性質。
在本發明中，該暗層可提供於對應至該導電圖案之區域。於此，對應至該導電圖案之區域意指該區域具有與導電圖案相同形狀之圖案。然而，該暗層之圖案尺寸並不需要完全符合該導電圖案，且在該暗層之線寬比導電圖案之線寬窄或寬的情況係包括於本發明之範疇。例如，較佳的，該暗層係具有80至120%之所提供之導電圖案之面積。
具有相同形狀之暗層之線寬係大於或等於導電圖案之線寬。
在該具有圖案形狀之暗層之線寬大於該導電圖案之線寬的情況下，由使用者觀察時，該暗層覆蓋該導電圖案之效果會放大，其係有利於有效遮蔽藉由導電圖案之光澤或反射之效果。然而，即便該暗層之線寬與該導電圖案之線寬相同，仍可達成本發明之目標效果。較佳的，藉由根據下述式8之值，該暗層之線寬大於該導電圖案之線寬。
[式8]Tcon×tangentθ3×2
於式8中；Tcon係為該導電圖案之厚度；θ3係光及相對於該載板表面之切線間之夾角；當光線由觸控螢幕之使用者之視覺位置入射穿過該導電圖案及暗層圖案之角落。
θ3係為當根據司乃爾定律(Snell’s law)，經由載板的折射率以及暗層與導電圖案之間的間質的折射率，改變使用者之視角以及觸控面板基板之間的夾角θ1，例如觸控螢幕之黏著層。
例如，假設一觀察者觀察該層板，θ3形成約80°之值且該導電圖案之厚度約為200奈米，該暗層之線寬係基於側面，大於該導電圖案之線寬約2.24微米(200奈米×tan(80)×2)。然而，如前述，即使於該暗層圖案具有於該導電圖案相同之線寬之情況下，仍可放大本發明所欲之效果。
在本發明中，根據本發明，基板的材料可根據導電結構的應用領域做出適當的選擇，而較佳的例子可為玻璃或無機材料的基板、塑膠基板或薄膜、或其他類似物，帶不受限於此。
導電圖案所使用的材料並無特別的限制，但較佳為金屬。導電圖案之材料係為一具有優良導電性質以及容易蝕刻的材料，然而，本發明中，使用於側邊暗層之導電材料可使用與案層不同的金屬材料，且特別的是，當考慮到側 邊暗層係由案層經由腐蝕而形成時，該導電層係選擇具有高電位(+電位)之材料。
相反的，當導電層具有活性電位時(-電位)，更有利於側邊腐蝕時加寬暗層的面積，相反的，暗層所形成的電極使用電偶腐蝕時會具有較大的面積。
一般來說，具有優良導電性的材料具有高反射率的缺點，然而，在本發明中，使用暗層的情況下，導電圖案可由具有高反射率的材料形成。本發明中，由於總反射率可經由暗層而降低，導電圖案的可見度也被降低，甚至可使用反射率於70到80%或以上之材料，且也可維持或改善對比度性質。
使用於導電圖案之材料詳細的例子，包括單層或多層之金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳、或其合金。在此，導電圖案的厚度並無特別的限制，但考慮導電圖案之導電性以及經濟的觀點，厚度較佳為0.01到10 μm或以下。
可使用蝕刻光阻圖案的方法圖案化導電層以及暗層所形成之層板蝕刻光阻圖案可以利用印刷法、光罩蝕刻法、攝影法、遮罩法或雷射轉移法形成，例如，一熱轉移影像，較佳為印刷法或光罩蝕刻法。該導電圖案可利用該蝕刻光阻圖案形成，且可移除該蝕刻光阻圖案。
於本發明中，導電圖案之線寬可為10μm或以下、0.1至1μm、0.2至8μm、以及1至5μm。導電圖案之厚度可為10μm或以下、2μm或以下、以及10到300μm。
導電圖案之孔徑比，也就是說，不被導電圖案覆蓋的面積比率可為70%或以上、85%或以上、以及95%或以上。此外，該導電圖案之孔徑比可為90到99.9%，但不受限於此。
導電圖案可為一規則圖案或式一不規則圖案。
若為規則之圖案，可使用本技術領域中之網狀圖案，而不規則圖案則無特別的限制，但也可以是形成維諾圖(Voronoi diagram)之不規則圖案。在本發明中，同時使用暗層以及不規則圖案的情況下，由定向照明造成的反射光可經由不規則圖案而移除，暗層也可最小化光散射的影響，並最小化可見度的問題。
本發明之實施例中，導電圖案係為規則圖案，且包括任何配置成該導電圖案之複數個線路交叉形成之交叉點，且交叉點之數量為每一3.5公分×3.5公分之區域中含有3000至122500個、13611至30625個、以及19600至30625個。此外，根據本發明之實施例，當被連接顯示面板時的交叉點數量為4000至123000時，其顯示面板具有不被損壞之光學性質。
該導電圖暗層的間距可為600 μm或以下以及250 μm或以下，但也可根據本領域所需之透射率以及導電率而調控。
本發明中所使用的導電圖案，較佳係使用具有1×106 ohm．cm到30×106 ohm．cm的電阻率，更佳為7×106 ohm．cm或以下之電阻率。
在本發明中，導電結構包括基板、導電圖案、以及暗層，且暗層可具有1至300 ohm/平方之表面電阻，於該範圍係有利於觸控面板之操作。
本發明中，暗層之照度可為1 nm或以上、2 nm或以上、5 nm或以上、以及10 nm或以上，但不受限於其中。此外，在本發明中，所有提供於導電圖案之上表面、下表面、以及側面之至少一部份上之暗層，係使用同一種材料，且彼此連接。
本發明中，暗層之側面以及導電圖案可以具有一正錐形的角度，但沉積於基板反側之暗層或導電圖案可具有一倒錐角度。
根據本發明之觸控面板更可包括導電結構，該導電結構包括一額外之暗層外加於包括基板、導電圖案、以及暗層之導電結構。在此情況下，包括暗層之導電圖案可基於導電圖案之方向而被沉積於其上。本發明中，具有包括二或以上暗層之導電結構的觸控面板，不須具有相同的結構，且其中任一個，可不包括暗層，較佳為與使用者最接近之導電結構具有基板、導電圖案、以及暗層，額外的導電結構可不包括暗層。
此外，根據本發明之觸控面板，導電圖案以及暗層可分別提供於基板的兩側。
根據本發明，具有導電結構的觸控面板的總反射率可為12%或以下、7%或以下、5%或以下、以及2%或以下。
根據本發明之觸控面板可進一步包括一電極部或電極墊外加於可用之屏幕上，而屏幕具有導電圖案於導電結構中，且在此情況下，該可用屏幕以及電極部/墊，可由相同的導體配置，並具有相同的厚度，以省去接頭的使用。
根據本發明的觸控面板，可包括保護膜、偏光膜、抗反射膜、抗眩光膜、抗指紋膜、低反射膜、以及其類似者於各個基板上的一表面上。
此外，本發明提供一觸控螢幕之製造方法。
根據一具體實施例，本發明提供一觸控螢幕之製造方法，其包括於一基板上形成一導電圖案；於形成導電圖案之前以及之後形成一暗層；以及，誘導該暗層之電偶腐蝕。
根據另一具體實施例，本發明提供一觸控螢幕之製造方法，其包括於一基板上形成一導電層以形成一導電圖案；於形成導電圖案之前以及之後形成一暗層；分別或同於圖案化該導電層以及暗層；以及，誘導該圖案化之暗層進行電偶腐蝕。
於該製造方法中，可使用前述各層之該材料以及形成方法。
再者，根據本發明包括該導電基板之觸控螢幕。例如，根據本發明具體實施例之導電基板可使用於一電容型觸控螢幕中，作為一觸控敏感型電極基板。
根據本發明具體實施例之觸控螢幕可包括一下基板、一上基板、以及一電極層，其係提供於與上載板接觸之下載板之任一表面，且該上載板接觸於該下載板之一面或兩 面。該電極層可表現傳輸功能及接收訊號以偵測X軸及Y軸之位置。
在此情況下，根據本發明具體實施例之導電結構可提供一或兩個電極層於該下基板上之與該上基板接觸之表面；以及提供該電極層於該上基板之與該下基板接觸之表面。在僅任一電極層為本發明之導電基板之情況下，另一者可具有本領域習知圖案。
在該電極層提供於該上基板及下基板之側面上以形成兩個電極層之情況下，一絕緣層或一空間隔層可提供於下基板及上基板間，以持續保持兩個電極間之間距並防止其間連結。該絕緣層可包括一黏著劑或一紫外光固化或熱固化樹脂。
該觸控螢幕更可包括一接地部，其連接至如前述之導電圖案。例如，該接地部可形成於該形成之基板之導電圖案之表面之邊緣部。抗反射膜、偏光膜，及抗指紋膜之至少一者可提供於包含該導電基板之層狀結構之至少一表面上。除了前述之功能膜，根據設計規格，更可包括其他種類的功能膜。該觸控螢幕可應用於顯示裝置，如有機發光二極體(OLED)顯示平面(PDP)、液晶顯示器(LCD)、陰極射線管(CRT)，以及一電漿顯示器(PDP)。
以下係以實施例更具體的描述本發明，然而，下列實施例僅為本發明之示範，本發明之內容不能被以下實施例所限制。
<實施例>
<實施例1到4>
以鉬為底之氧氮化物係作為暗層形成於基板上，然後使用銅以形成導電層，接著，使用以鉬為底之氧氮化物以形成暗層於導電層之上表面，然後根據DI混和比率以及觀察防銹劑之含量，於剝離過程中由於電偶腐蝕而進行覆蓋。其結果於下列表1所示。
<實施例5>
導電層以及暗層係經由額外的形成氧氮化物於基板的整個表面上使用鉬靶濺射設備而形成，且最後，該層板之厚度為220 nm。於暗層表面測量基板的反射率為6.1%。抗蝕劑(LC化學公司自行開發)係經由反轉膠印過程形成於基板上，並於120℃下進行燒成3分鐘，然後使用ENF有限公司所製造之銅蝕刻劑於40℃下蝕刻40秒。其後，使用丙酮釋放後測量所形成之圖案的線路寬度為3.5 μm。兩片製造出之導電基板係經由光學膠層疊(3M 50 μm)，隨後使用 100 μm之光學膠層疊於三星康寧有限公司製造之0.55頓Gollia玻璃上，且量測其總反射率。
<實施例6>
導電層以及暗層係經由額外的形成氧氮化物於基板的整個表面上之銅沉積處而形成，而銅係使用鉬靶濺射設備而形成，且最後，該層板之厚度為220 nm。於暗層表面測量基板的反射率為6.1%。抗蝕劑(LC化學公司自行開發)係經由反轉膠印過程形成於基板上，並於120℃下進行燒成3分鐘，然後使用ENF有限公司所製造之銅蝕刻劑於40℃下蝕刻40秒。此後，胺(胺基乙氧基乙醇)以及N-甲基吡咯烷酮(NMP)以2：8的比例混和後，該溶液再與DI以99.5：0.5的比例混和，於60℃下釋放10分鐘，所形成之圖案之線寬為3.6 μm。兩片製造出之導電基板係經由光學膠層疊(3M 50 μm)，隨後使用100 μm之光學膠層疊於三星康寧有限公司製造之0.55頓Gollia玻璃上，且量測其總反射率。
<比較例1>
兩片聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板，經由光學膠層疊(3M 50 μm)，隨後使用100 μm之光學膠層疊於三星康寧有限公司製造之0.55頓Gollia玻璃上，且量測其總反射率。
<比較例2>
將抗蝕劑(LG化學公司自行開發)印刷於鋁製成的導電基板上(100 μm PET)，該基板係經由反轉膠印過程形成於基板上，並於120℃下進行燒成3分鐘，然後使用EXAX有限公司所製造之鋁蝕刻劑於40℃下蝕刻40秒。之後，兩片製 造出之導電基板係經由光學膠層疊(3M 50 μm)，隨後使用100 μm之光學膠層疊於三星康寧有限公司製造之0.55頓Gollia玻璃上，且量測其總反射率。
實施例5及6，以及比較例1及2之總反射率之量測結果如圖7所示。
由結果得知，在不需要附加的步驟下，暗層可經由調控剝離程序之條件將暗層引入整個導電圖案之表面。其結果是，包括金屬材料之導電圖案之側面反射得以被控制。
圖1係本發明實施例中，暗層經由電偶腐蝕效應而引入導電圖案之側面之示意圖。
圖2係電子顯微鏡下觀察本發明實施例1之導電結構。
圖3係電子顯微鏡下觀察本發明實施例2之導電結構。
圖4係電子顯微鏡下觀察本發明實施例3之導電結構。
圖5係電子顯微鏡下觀察本發明實施例4之導電結構。
圖6係本發明實施例中測量反射率之裝置的配置以及格式示意圖。
圖7係本發明之量測實施例5及6與比較例1及2之總反射率結果之示意圖。

Claims (30)

  1. 一種導電結構，包括：a)一基板；b)一導電圖案，其係提供於該基板上至少一側；以及c)一暗層，其係提供於該導電圖案之上表面及下表面、該導電圖案上之至少一部分、以及對應該導電圖案之一區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，經由該暗層以及該導電圖案所配置之一圖案區域之一顏色範圍，於可見到該導電基板之該暗層表面上觀察測量，基於CIE LAB之色彩座標，其具有20或以下之L值、-10至10之A值、以及-70至70之B值。
  3. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，經由該暗層以及該導電圖案所配置之該圖案區域之總反射率，係於可見到該導電基板之該暗層表面上觀察測量，以550 nm波長為計，總反射率係為17%或以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中該暗層包括一種或多種係選自由：一介電材料、一金屬、一合金、一金屬氧化物、一金屬氮化物、一金屬氧氮化物以及一金屬碳化物所組成之群組。
  5. 如申請專利範圍第4項之導電結構，其中，該金屬包括一種或多種係選自由：鎳、鉬、鈦、鉻、鋁、銅、鐵、鈷、鈦、釩、金以及銀所組成之群組。
  6. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，於可見到該導電基板之該暗層表面上觀察測量之總反射率，相較具有相同配置但不包括該暗層之該導電基板係減少15%~50%。
  7. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電結構之霧度值係為5%或以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之導電結構，更包括：一導電結構，包括一基板；一導電圖案，其係配置於基板至少一側；以及一暗層，係提供於該導電圖案之上表面或下表面、導電圖案該側上之至少一部份、以及對應該導電圖案之一區域。
  9. 如申請專利範圍第8項之導電結構，其中，一絕緣層係提供於兩個該導電結構之間。
  10. 如申請專利範圍第8項之導電結構，其中，兩個該導電結構係設置為相同方向或相反方向。
  11. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案以及該暗層係各自獨立提供於該基板之兩側。
  12. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案係為一規則圖案或一不規則圖案。
  13. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案係為該規則圖案，且包括任何配置成該導電圖案之複數個線路交叉形成之交叉點，且交叉點之數量係為一3.5公分×3.5公分之區域中含有3000至122500個。
  14. 如申請專利範圍第13項之導電結構，其中，交叉點之數量係為一3.5公分×3.5公分之區域中含有13611至30625個。
  15. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案係為該不規則圖案，且包括任何配置成該導電圖案之複數個線路交叉形成之交叉點，且交叉點之數量係為一3.5公分×3.5公分之區域中含有6000至245500個。
  16. 如申請專利範圍第15項之導電結構，其中，交叉點之數量係為一3.5公分×3.5公分之區域中含有13611至30625個。
  17. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該暗層係具有與該導電圖案相同的線路寬度或大於該導電圖案之線路寬之一圖案。
  18. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案之線路寬度係為10 μm或以下，厚度係為10 μm或以下，且間距係為600μm或以下。
  19. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案之線路寬度係為7 μm或以下，厚度係為1 μm或以下，且間距係為400 μm或以下。
  20. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該導電圖案之線路寬度係為5 μm或以下，厚度係為0.5 μm或以下，且間距係為300 μm或以下。
  21. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該暗層之照度係為1 nm或以上。
  22. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該暗層之照度係為2 nm或以上。
  23. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該暗層之照度係為5 nm或以上。
  24. 如申請專利範圍第1項之導電結構，其中，該暗層之照度係為10 nm或以上。
  25. 如申請專利範圍第1巷之導電結構，其中，所有提供於該導電圖案上至少一部份之上表面、下表面、以及側面之該暗層係為相同材料所構成，並互相連接。
  26. 一種觸控面板，係包括申請專利範圍第1至25項中之任一項之該導電結構。
  27. 一種顯示器，係包括申請專利範圍第26項所述之觸控面板以及一顯示模組。
  28. 一種觸控面板之製造方法，包括：形成一導電圖案於一基板上；於形成導電圖案之前以及之後形成一暗層；以及誘導該暗層之電偶腐蝕。
  29. 一種觸控面板之製造方法，包括：形成一用以形成一導電圖案之導電層於一基板上；於形成該導電圖案之前以及之後，分別或同時沉積一暗層；分別或同時圖案化該導電層以及該暗層；以及誘導該暗層之電偶腐蝕。
  30. 如申請專利範圍第28以及29項之製造觸控面板之方法，電偶腐蝕係於蝕刻以及剝離該暗層時施行。
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